JPH11284401A - 高周波回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波回路ユニット間の接続部のグラン
ドプレーンの不連続を解消し、伝送特性の劣化を回避す
ること。 【解決手段】 高周波トランジスタＴＲ１，ＴＲ２を搭
載する回路基板１１２，１２２は金属キャリア１１３，
１２３上に載置される。マイクロストリップライン１１
４および１２４は金属リボン１０４により接続される。
金属キャリア１２３は良電導性の突起１２６を有し、こ
の突起１２６を介して金属キャリア１１３，１２３は電
気的に接続される。各金属キャリア１１３，１２３は互
いに押圧して配置される。突起１２６は金属リボン１０
４の下に位置し、この突起１２６はグランドプレーンの
一部として機能する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はマイクロストリップ
線路を用いた高周波回路装置に関し、特に波長の短い準
ミリ波〜ミリ波帯域で使用する高周波回路装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報通信分野における技術の進展
は著しく，通信機器が扱う周波数帯も、マイクロ波帯か
ら準ミリ波、ミリ波帯へと、より高い周波数への展開が
図られている。これに伴い、通信機器に用いられるトラ
ンジスタの高速化も著しく、最近ではヘテロ接合化合物
半導体トランジスタなどで１００ＧＨｚを越えるカット
オフ周波数を持つデバイス（超高周波トランジスタ）が
実現されている。

【０００３】準ミリ波〜ミリ波帯における高周波回路装
置は、上述の超高周波トランジスタやフィルタ，スイッ
チなどを具備する複数の回路基板を相互に電気的に接続
して構成される。高周波回路基板としてはアルミナ基板
等の低損失のセラミック基板がよく用いられるが、セラ
ミック基板は固いがもろく、割れやすい。したがって、
補強のために金属キャリアを用意し、この金属キャリア
上にセラミック基板を搭載するのが一般的である。

【０００４】また、金属キャリアは各基板に対応して個
別に用意されるのが一般的である。これは主に、一つの
回路基板が故障した場合等において、金属キャリアごと
その回路基板を交換できるようにするという、メンテナ
ンス上の理由によるものである。したがって、超高周波
信号を取り扱う装置では、金属キャリア上に回路基板を
搭載して構成される各高周波ユニット間を、電気的に接
続するという作業が必要となる。各回路ユニットの高周
波信号線間は、例えば、金属リボンや金属ワイヤにより
接続され、グランドプレーンは、例えば、裏面導体膜か
ら金属キャリア，金属筐体を介して接続される。

【０００５】準ミリ波〜ミリ波帯の周波数を取り扱う通
信機器等においては，トランジスタ自体の特性もさるこ
とながら、上述した、トランジスタを搭載した各回路ユ
ニット間の接続（接続方法）が重要となる。例えば、グ
ランドプレーンに不連続があると、高利得のアンプを構
成した場合、出力の一部が入力側不連続部に誘起し、発
振や利得低下の原因となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述のとおり、各回路
ユニットを接続する場合、接続部において不連続部が生
じないようにして、伝送特性の劣化を防止する必要があ
る。

【０００７】しかし、セラミック基板の損傷（例えば、
信号線間を接続するためのワイヤボンディング時のセラ
ミック基板の損傷）を回避し、また、部品点数の増大を
回避し、かつ作業工程を複雑化しないという条件をすべ
て満たした上で、各ユニット間の良好な接続を確保する
のは、実際は困難である。

【０００８】本発明は、このような問題を解決するため
になされたものであり、高周波回路装置における基板の
損傷，部品点数の増加及び作業工程の複雑化を回避しつ
つ、回路ユニット間の接続部（特に、グランドの接続
部）の不連続（不整合）を防止し、良好な伝送特性を実
現することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の高周波回
路装置の発明は、第１の金属キャリア上に搭載された第
１の高周波回路基板と、第２の金属キャリア上に搭載さ
れた第２の高周波回路基板とを具備し、前記第１の高周
波回路基板の信号線と前記第２の高周波回路基板の信号
線は導電体によって結線され、前記第１の金属キャリア
または前記第２の金属キャリアの側面には突起部が設け
られ、前記導電体の少なくとも直下には前記突起部が位
置し、かつ前記第１の金属キャリアと前記第２の金属キ
ャリアとは前記突起部により接続されている構成とし
た。

【００１０】この構成によれば、金属キャリアと一体化
した突起部を他方の金属キャリアに押しあてて接続をと
るので、良好な接続を確保しやすく、部品点数も増大せ
ず、作業も簡単である。また、通常の金属キャリアに突
起を付加する構成であるので、基本的な回路ユニットの
構造は何ら変化しない。すなわち、回路基板の下には必
ず金属キャリアが存在し、したがって、高周波結線（高
周波信号線間を結ぶリボンやワイヤ等の導体）の形成時
に応力が生じても、下地の金属キャリアによってしっか
りと支持された回路基板には損傷が生じない。

【００１１】請求項２記載の高周波回路装置の発明は、
請求項１記載の発明において、前記突起部の表面は、前
記第１及び第２の金属キャリアの表面に連接しており、
かつ、前記第１及び第２の金属キャリアどうしが互いに
押し合い、これによって前記突起部の先端面が他方の金
属キャリアの側面に接触して前記第１及び第２の金属キ
ャリアが接続される構成とした。

【００１２】この構成により、高周波回路基板の裏面と
金属キャリアとの界面、およびその界面に連接する突起
部の表面部分を経由して、高周波電流は曲折することな
く流れるので、グランドプレーンの不整合が生じない。
また、互いに押圧することにより、突起部の先端面は他
方の金属キャリアの側面に密着し、良好な接続が確保さ
れる。

【００１３】請求項３記載の高周波回路の発明では、請
求項１又は請求項２記載の発明において、前記第１又は
第２の金属キャリアの少なくとも一部は、前記第１及び
第２の高周波回路基板のグランドとして機能する。

【００１４】これにより、グランドプレーンの不整合が
解消される。

【００１５】請求項４記載の高周波回路の発明は、請求
項１〜請求項３のいずれかに記載の発明において、前記
突起部を前記第１及び第２の金属キャリアよりも軟質の
材料で構成した。

【００１６】ハンダ等の軟質の良好な導電性材料を金属
キャリアの側面に一体的に付加して突起とすることによ
り、この突起は押圧によりつぶれて変形する。ゆえに、
金属キャリアとの接続の密着性が向上し、良好なグラン
ドプレーンの接続を実現できる。

【００１７】請求項５記載の高周波回路の発明は、請求
項１〜請求項４のいずれかに記載の発明において、前記
突起部の存在によって前記第１の金属キャリアと第２の
金属キャリアとの間に生じる間隙に、電波吸収材を設け
た構成とした。

【００１８】金属キャリアのエッジ部には高周波電流が
誘起し、アンテナとして作用しやすい。したがって、電
波吸収材（カーボン等の抵抗性を示す材料からなる）で
高周波電流を減衰させることで、不要輻射に起因する発
振やトランジスタの利得低下といった特性劣化を回避で
きる。

【００１９】請求項６記載の高周波回路装置の発明は、
第１の金属キャリア上に搭載された第１の高周波回路基
板と、第２の金属キャリア上に搭載された第２の高周波
回路基板とを具備し、前記第１の高周波回路基板の信号
線と前記第２の高周波回路基板の信号線は導電体によっ
て結線され、前記第１の金属キャリアまたは前記第２の
金属キャリアの側面には複数の突起部が設けられ、前記
導電体の下には、その導電体と重なりを有する形態で前
記複数の突起部のうちの一つが位置し、その他の突起部
は前記一つの突起部とは異なる位置に設けられており、
前記第１の金属キャリアと前記第２の金属キャリアとは
互いに押し合って前記複数の突起部により接続されてい
る構成とした。

【００２０】突起部は、少なくとも高周波信号を伝達す
るための信号線と重なりを有する形態で配置されるが、
信号線は必ず回路基板の中央に配置されるとは限らず、
信号線が回路基板の中央からずれた位置に設けられる
と、これに伴って突起の位置も金属キャリアの中央から
ずれることになる。このような場合でも、複数の突起を
設けることで、金属キャリアのそりや歪みによる影響を
軽減して、金属キャリア間の良好な接続を確保できる。

【００２１】請求項７記載の発明は、請求項６記載の発
明において、前記その他の突起部は少なくとも二つ存在
し、その二つの突起部は、前記一つの突起部を挟む形態
で配置されている構成とした。

【００２２】これにより、少なくとも二つの突起部の長
さを調整して、これらの突起部によって挟まれる突起部
の変形量を制御できるといった利点も得ることができ
る。

【００２３】請求項８記載の高周波回路装置の発明は、
請求項６又は請求項７記載の発明において、前記複数の
突起部の存在によって前記第１及び第２の金属キャリア
間に生じる間隙に、電波吸収材を設けた構成とした。

【００２４】電波吸収材により不要輻射の原因となる高
周波電流を減衰させることで、発振やトランジスタの利
得低下といった特性劣化を回避できる。

【００２５】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下，本発明の
実施の形態１について図面を参照して説明する。

【００２６】図１は本発明の実施の形態１にかかる高周
波回路装置の要部の平面図である。また、図２（ａ）は
図１の高周波回路装置におけるＡ−Ａ線に沿う断面図で
あり、図２（ｂ）は高周波回路の回路構成を示し、図３
は図１の高周波回路装置におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図
である。

【００２７】本実施の形態の高周波回路装置の特徴は、
金属キャリア１２３の側面の中央に突起１２６を設け、
この突起１２６を金属キャリア１１３の対向する側面に
押圧し、これによって、グランドプレーンの電気的接続
をとり、高周波回路ユニット間の不整合を防止する点で
ある。

【００２８】図１〜図３に示されるように、共通の金属
筐体１０３上に、金属キャリア１１３及び１２３が載置
され、これらの金属キャリアはそれぞれ、固定ビス１１
１ａ，１１１ｂ及び１２１ａ，１２１ｂにより金属筐体
１０３に固定されている。この金属キャリアは、メンテ
ナンスの便宜を考慮して一つの回路ユニット毎に分離し
て設けられている。各金属キャリアは互いに押し合い、
突起１２６の先端面が相手側の金属キャリア１１３の側
面に密着するようにして、良好な接続を実現できるよう
にしている（この点については後述する）。

【００２９】各金属キャリア１１３及び１２３上には、
セラミックからなる高周波回路基板１１２，１２２がそ
れぞれ搭載されている。高周波回路基板１１２，１２２
はそれぞれ、ＨＢＴあるいはＭＥＳＦＥＴなどの超高周
波トランジスタ（ＴＲ１，ＴＲ２）を具備し、各トラン
ジスタは、高周波信号ラインを構成するマイクロストリ
ップライン１１４，１２４及び金属リボン（あるいは金
属ワイヤ）１０４を介して電気的に接続されている。

【００３０】図２に明確に示されるように、高周波回路
基板１１２および１２２は，高周波信号が引き出される
マイクロストリップライン１１４および１２４と、金属
キャリア１１３および１２３に電気的に接続され、グラ
ンドプレーンを形成している裏面導体膜１１５および１
２５とを有し、マイクロストリップライン１１４および
１２４は、金属リボン１０４により接続されている。

【００３１】図２（ｂ）に示されるように、トランジス
タＴＲ１，ＴＲ２はソース接地されたＦＥＴ（電界効果
トランジスタ）であり、トランジスタＴＲ１のドレイン
を整合回路を介してトランジスタＴＲ２のゲートに接続
した回路構成となる。なお、図中、「Ｓ」はソースを表
し、「Ｇ」はゲートを表し、「Ｄ」はドレインを表し、
「ＭＮ」は整合回路を表す。

【００３２】図１に示されるように、突起１２６は、金
属リボン（金属ワイヤ）１０４の直下において、この金
属リボン（金属ワイヤ）１０４と重なりを有する形態で
設けられる。

【００３３】グランドプレーンを流れる高周波電流は、
マイクロストリップラインの直下の部分に集中するの
で、仮に金属リボン（金属ワイヤ）１０４の直下にグラ
ンドプレーンを構成する導体層を設けないとグランドプ
レーンを流れる高周波電流が屈曲し、寄生回路を構成し
て不整合の原因となるので、これを回避するために金属
突起を「金属リボン（金属ワイヤ）の直下」に設けるも
のである。

【００３４】突起１２６は良導電性の材料からなり、金
属キャリア１２３と一体となっている。ここで、「一
体」とは、一体的に切り出される場合のみならず、別部
材を金属キャリアの側面の所定箇所に固着して、一体化
させた場合も含む意味である。突起が金属キャリアと一
体化されていることにより、部品点数の増加を防止でき
る。

【００３５】また、突起１２６は金属キャリア１１３と
密着するように，先端が平坦であることが望ましく、先
端面を研磨する等、加工を施しておく方がより好まし
い。

【００３６】また、図２および図３からわかるように、
突起１２６はの上側の表面は、金属キャリア１１３，１
２３の表面と同一の位置にあり、各表面は実質的に連接
（連続）している。

【００３７】このような高周波回路装置において、たと
えば回路基板１１２から回路基板１２２に向かってグラ
ンドプレーンを流れる高周波電流について考察する。図
２において、太い矢印で示される「Ｊ１」は、この高周
波電流を示している。図示されるとおり、高周波電流
は、表皮効果によって、マイクロストリップライン１１
４と金属リボン１０４の接続点の直下までは裏面導体膜
１１５を流れ、そこから突起１２６を介して連続的に裏
面導体膜１２５に流れることができる。したがって高周
波回路ユニット間での不整合損は小さく、良好な伝送特
性を得ることができる。

【００３８】図１９に比較例の構造を示す。図１９の場
合、金属キャリア１２３ａと１２３ｂとは、金属筐体１
０３を介して電気的に接続されているにすぎない。した
がって、高周波電流は、太い矢印「Ｊ２」で示すように
曲折して流れ、このためにグランドプレーンに不連続が
生じて伝送特性に悪影響を与える。これに対し、図２の
場合、電流経路が直線的であり、ゆえに、不整合損が大
幅に減少していることは明らかである。

【００３９】なお、本発明では突起を設けて、この突起
を介して金属キャリア間を接続するのであり、金属キャ
リアどうしを全面的に接触させるものではない。金属キ
ャリアの側面の全面を直接接触させた場合の問題点が図
２０に示される。図２０において、符号１２３ａ，１２
３ｂは金属キャリアである。各キャリアの接触領域
「Ｓ」における接触の状態を、図２０の右側に一点鎖線
で囲んで示してある（平面図）。

【００４０】図示されるように、金属キャリアはバルク
が大きいので、全体的に歪みやそりが大きく、その影響
により電気的接続に不連続が生じやすい。図２０の場
合、太い矢印「Ｊ３」で示すように、平面的にみて高周
波電流が迂回して流れている。これは、図１９の比較例
において、高周波電流が縦方向に迂回して流れるのと同
等であり、伝送特性に悪影響を与える。したがって、本
発明では、先端面がフラットな突起を設け、高周波電流
が集中する部分が確実に接続されるような構成をとった
のである。

【００４１】なお、図１において、金属リボン１０４と
突起１２６で構成する伝送線路の特性インピーダンス
が、マイクロストリップライン１１４および１２４の特
性インピーダンスと等しい値を持つように、金属リボン
１０４の幅を設定すれば、さらに不整合を小さくし、伝
送特性を改善できる。このとき、突起１２６は分布定数
線路のグランドプレーンとして扱えるように、金属リボ
ン１０４の３倍以上の幅を有することが望ましい。

【００４２】また、本実施の形態の高周波回路装置で
は、回路基板１１２および１２２は、金属キャリア１１
３および１２３上に搭載されており，実装時、回路基板
単体にストレスがかかることがないので、回路基板の破
損の恐れが小さい。

【００４３】次に、図４（ａ），（ｂ）を用いて、金属
キャリアどうしを互いに押圧させる仕組みについて説明
する。

【００４４】図４（ａ）は図１〜図３に示した構成を含
む高周波回路装置全体の断面図、図４（ｂ）はその平面
図である。なお、図１〜図３と同じ部分には同一符号を
付してある。

【００４５】また、図４（ａ），（ｂ）では、高周波回
路基板１１２，１２２の表面に配置されるマイクロスト
リップライン１１４，１２４や金属リボン（金属ワイ
ヤ）１０４，２１４，２２４等を太い実線で示して記載
を簡略化している。伝送路を示す太い実線については、
符号を付与するための引き出し線の起点に丸印をつけて
ある。また、回路基板１１２，１２２の裏面の導体膜は
省略している。また、図４（ａ）では、理解の容易のた
めに、図２および図３を一体化させたような記載をして
ある。すなわち、図４（ａ）は、図１の矢印Ｃの方向か
らみた断面構造や外観を併せて記載した図となってい
る。

【００４６】図４（ａ），（ｂ）に示すように、コネク
タブロック２０１および２０２は、２つの高周波回路ユ
ニットと外部回路とを接続する機能を有し、固定ビス２
１１および２２１によって金属筐体１０３に固定されて
いる。

【００４７】コネクタブロック２０１および２０２は、
コネクタ２１２および２２２，グランドブロック２１３
および２２３からなり、コネクタ２１２および２２２の
芯線は，金属リボン２１４および２２４によって高周波
回路ユニットに接続されている。

【００４８】なお，コネクタブロック２０１および２０
２もまた高周波回路ユニットであるとみなし、上述した
高周波回路装置の実装構造を適用しても良い。図４で
は，コネクタブロック２０２に突起を設け、金属リボン
２２４の直下に配置した構成としている。

【００４９】ここで，たとえば金属筐体１０３の長さを
短くし，コネクタブロック２０１および２０２が２つの
高周波回路ユニットを押圧する構成とすることで、金属
キャリア１１３および１２３が互いに押圧される構成を
実現でき、これにより、高周波回路ユニットのグランド
の接続を確実にすることができる。

【００５０】このような構成を取ることによって、回路
基板の破損および部品点数の増加を回避することができ
る。また、高周波回路ユニット間の接続部のグランドプ
レーンの不連続部を解消し、不整合を減少させること
で、伝送特性の劣化を回避することができる． （実施の形態２）以下，本発明の実施の形態２につい
て、図５（ａ），（ｂ）および図６（ａ），（ｂ）を用
いて説明する。図５（ａ）は高周波回路装置の要部の断
面図，（ｂ）はその平面図である。また、図６（ａ）は
高周波回路装置の全体の断面図，（ｂ）は平面図であ
る。これらの図においては、高周波回路基板の表面に配
置されるマイクロストリップラインや金属リボン（金属
ワイヤ）あるいは回路基板の裏面の導体層等を太い実線
で示して記載を簡略化している。伝送路を示す太い実線
については、符号を付与するための引き出し線の起点に
丸印をつけてある。

【００５１】本実施の形態の特徴は、信号線路が回路基
板の中央からはずれた位置に配置されており、このこと
に起因して電気的接続が不完全になるのを回避するべ
く、２つの突起で金属キャリアを接続することである。

【００５２】図５（ａ），（ｂ）に示すように、２つの
高周波回路ユニットは、固定ビス６１１および６２１に
より金属筐体６０３に固定され、図６に示される構成に
より、互いに押圧して配置される。

【００５３】２つの高周波回路ユニットは、高周波回路
が形成されている回路基板６１２および６２２と、回路
基板６１２および６２２を搭載した金属キャリア６１３
および６２３からなる。

【００５４】回路基板６１２および６２２は、高周波信
号が引き出されるマイクロストリップライン６１４およ
び６２４と、金属キャリア６１３および６２３に電気的
に接続され、グランドプレーンを形成している裏面導体
膜６１５および６２５を有し、マイクロストリップライ
ン６１４および６２４は、金属リボン６０４により接続
されている。

【００５５】なお、マイクロストリップライン６１４お
よび６２４は、回路基板６１２および６２２の中心から
オフセットを持った構造としている。

【００５６】金属キャリア６２３は、金属リボン６０４
の直下に、良電導性の材料からなる第１の突起６２６を
持ち、また、前記第１の突起６２６に接触しない位置に
第２の突起６２７を持つ構成を有する。

【００５７】また、第１の突起６２６は金属キャリア６
１３と密着するように、先端が平坦であることが望まし
い。

【００５８】なお、第１の突起６２６および第２の突起
６２７は、あらかじめ金属キャリア６２３の一部として
形成しておく構成としても良く、これにより部品点数の
増加を回避することができる。

【００５９】上記の実装構造において、たとえば回路基
板６１２から回路基板６２２に向かってグランドプレー
ンを流れる高周波電流は、表皮効果によってマイクロス
トリップライン６１４と金属リボン６０４の接続点の直
下までは裏面導体膜６１５を流れ、そこから第１の突起
６２６を介して連続的に裏面導体膜６２５に流れること
ができ、したがって高周波回路ユニット間での不整合損
が減少し、伝送特性を改善することができる。

【００６０】なお、金属リボン６０４と第１の突起６２
６で構成する伝送線路の特性インピーダンスがマイクロ
ストリップライン６１４および６２４の特性インピーダ
ンスと等しい値を持つように，金属リボン６０４の幅を
設定すれば、さらに不整合を小さくして伝送特性を改善
できる。ここで、第１の突起６２６は分布定数線路のグ
ランドプレーンとして扱えるように、金属リボン６０４
の３倍以上の幅を有することが望ましい。

【００６１】また、回路基板６１２および６２２は、金
属キャリア６１３および６２３上に搭載されており、実
装時、回路基板単体にストレスがかかることがないので
回路基板の破損の恐れが小さい。

【００６２】次に、金属キャリアを互いに押圧する仕組
みについて図６（ａ），（ｂ）を用いて説明する。

【００６３】ここで，コネクタブロック７０１および７
０２は、２つの高周波回路ユニットと外部回路とを接続
する機能を有し、固定ビス７１１および７２１によって
金属筐体６０３に固定されている。

【００６４】コネクタブロック７０１および７０２は、
コネクタ７１２および７２２、グランドブロック７１３
および７２３からなり、コネクタ７１２および７２２の
芯線は金属リボン７１４および７２４によって、高周波
回路ユニットに接続されている。

【００６５】なお、コネクタブロック７０１および７０
２もまた高周波回路ユニットであるとみなし、突起を用
いた実装を行うことができる。図６では、コネクタブロ
ック７０２が、金属リボン７２４の直下に良電導性の材
料からなる第１の突起および第１の突起に接触しない位
置に第２の突起を有した構成となっている。

【００６６】ここで、たとえば金属筐体６０３の長さを
短くし、コネクタブロック７０１および７０２が２つの
高周波回路ユニットを押圧する構成とすることで、金属
キャリア６１３および６２３が互いに押圧される構成を
実現でき、高周波回路ユニットのグランドの接続を確実
にすることができる。

【００６７】また、前掲の実施の形態の実装構造を採用
した場合、固定ビス２１１あるいは２２１の締結力のア
ンバランスが生じると、金属キャリアが傾いて突起部で
の電気的接続が不完全になりやすい。この傾向は、マイ
クロストリップラインが回路基板に対してオフセットを
持った構成である高周波回路ユニットで特に顕著とな
る。しかし、本実施の形態の実装構造を適用した場合、
各ユニットは第１の突起６２６および第２の突起６２７
の２点で接触しているので、安定した電気的接続を得る
ことができる。

【００６８】このような構成を取ることによって、前掲
の実施の形態の高周波回路装置の実装構造の効果に加
え、マイクロストリップラインが回路基板に対してオフ
セットを持った構成である高周波回路ユニットにおいて
も安定なグランドプレーンの接触を実現することがで
き、不整合を減少させて伝送特性の劣化を回避すること
ができる。

【００６９】（実施の形態３）以下、本発明の実施の形
態３について図７（ａ），（ｂ）及び図８（ａ），
（ｂ）を用いて説明する。図７（ａ）は高周波回路装置
の要部の断面図であり、（ｂ）はその平面図である。

【００７０】図７（ａ），（ｂ）に示すように、２つの
高周波回路ユニットは、固定ビス８１１および８２１に
より金属筐体８０３に固定され、図８の構成により互い
に押圧して配置される。

【００７１】２つの高周波回路ユニットは、高周波回路
が形成されている回路基板８１２および８２２と、回路
基板８１２および８２２を搭載した金属キャリア８１３
および８２３からなる。

【００７２】回路基板８１２および８２２は、高周波信
号が引き出されるマイクロストリップライン８１４およ
び８２４と、金属キャリア８１３および８２３に電気的
に接続され、グランドプレーンを形成している裏面導体
膜８１５および８２５を有し、マイクロストリップライ
ン８１４および８２４は金属リボン８０４により接続さ
れている。

【００７３】金属キャリア８２３は、高周波回路ユニッ
ト間の接続部，金属リボン８０４の直下に、たとえば金
やインジウムなど軟質かつ良電導性の材料からなる突起
８２６を持つ構成を有する。

【００７４】このとき、二つの高周波回路ユニットは互
いに押圧して配置されているので、金属キャリア８１３
および８２３に挟まれた突起８２６は変形し、金属キャ
リア間の間隙を充填する。

【００７５】上記の実装構造において、グランドプレー
ンを流れる高周波電流は、表皮効果によってマイクロス
トリップライン８１４と金属リボン８０４の接続点の直
下までは裏面導体膜８１５を流れ、そこから突起８２６
を介して連続的に裏面導体膜８２５に流れることがで
き、したがって高周波回路ユニット間での不整合損が減
少し、伝送特性を改善することができる。

【００７６】なお、金属リボン８０４と突起８２６で構
成する伝送線路の特性インピーダンスがマイクロストリ
ップライン８１４および８２４の特性インピーダンスと
等しい値を持つように、金属リボン８０４の幅を設定す
れば，さらに不整合を小さくし、伝送特性を改善でき
る。突起８２６は分布定数線路のグランドプレーンとし
て扱えるように、金属キャリア間の間隙を充填した状態
で、金属リボン８０４の３倍以上の幅を有することが望
ましい。

【００７７】また、回路基板８１２および８２２は、金
属キャリア８１３および８２３上に搭載されており、実
装時、回路基板単体にストレスがかかることがないので
回路基板の破損の恐れが小さい。

【００７８】図８は高周波回路装置の全体の実装構造を
説明するための図である。

【００７９】ここで、コネクタブロック９０１および９
０２は、２つの高周波回路ユニットと外部回路とを接続
する機能を有し、固定ビス９１１および９２１によって
金属筐体８０３に固定されている。

【００８０】コネクタブロック９０１および９０２は、
コネクタ９１２および９２２，グランドブロック９１３
および９２３からなり、コネクタ９１２および９２２の
芯線は金属リボン９１４および９２４によって高周波回
路ユニットに接続されている。

【００８１】なお、コネクタブロック９０１および９０
２もまた高周波回路ユニットであるとみなして突起を用
いた接続構造を採用することもできる。図８では、コネ
クタブロック９０２が金属リボン９２４の直下におい
て、軟質かつ良電導性の材料からなる突起を有してい
る。

【００８２】ここで、たとえば金属筐体８０３の長さを
短くし、コネクタブロック９０１および９０２が２つの
高周波回路ユニットを押圧する構成とすることで、金属
キャリア８１３および８２３が互いに押圧される構成を
実現できる。この結果、高周波回路ユニット間および高
周波回路ユニット・コネクタブロック間の突起が変形
し、それぞれの間隙を充填することで、各高周波回路ユ
ニット間のグランドプレーンの接続を確実にすることが
できる。

【００８３】このような構成を取ることによって、回路
基板の破損を回避することができる。また、軟質の材料
を高周波回路ユニット間に充填する構造を採ることで、
高周波回路ユニット間の接続部のグランドプレーンの不
連続部をより確実に解消し、不整合損を減少させること
で、伝送特性の劣化を回避することができる。

【００８４】（実施の形態４）以下、本発明の実施の形
態４について、図９（ａ），（ｂ）および図１０
（ａ），（ｂ）を用いて説明する。

【００８５】図９（ａ）は高周波回路装置の要部の断面
図であり、（ｂ）はその平面図である。また、図１０
（ａ）は高周波回路装置全体の断面図であり、（ｂ）は
その平面図である。

【００８６】図９（ａ），（ｂ）において、２つの高周
波回路ユニットは、固定ビス１０１１および１０２１に
より金属筐体１００３に固定され、図１０の構成によっ
て互いに押圧して配置される。

【００８７】２つの高周波回路ユニットは、高周波回路
が形成されている回路基板１０１２および１０２２と、
回路基板１０１２および１０２２を搭載した金属キャリ
ア１０１３および１０２３からなる。

【００８８】回路基板１０１２および１０２２は、高周
波信号が引き出されるマイクロストリップライン１０１
４および１０２４と、金属キャリア１０１３および１０
２３に電気的に接続され、グランドプレーンを形成して
いる裏面導体膜を有し、マイクロストリップライン１０
１４および１０２４は、金属リボン１００４により接続
されている。

【００８９】金属キャリア１０２３は、金属リボン１０
０４の直下に、たとえば金やインジウムなど軟質かつ良
電導性の材料からなる第１の突起１０２６を持ち，ま
た、第１の突起と接触しない位置に第２の突起１０２７
および第３の突起１０２８を持つ構成を有する。

【００９０】このとき、高周波回路ユニット１００１お
よび１００２は互いに押圧して配置されているので，高
周波回路ユニット１００１および１００２に挟まれた第
１の突起１０２６は変形し、金属キャリア間の間隙を充
填する。

【００９１】ここで、第１の突起１０２６の変形の度合
いは、第２の突起１０２７および第３の突起１０２８の
寸法により制御できるので、第１の突起１０２６の不十
分な変形によるインダクタンス成分の増加、あるいは過
度の変形による金属リボン１００４との短絡を避けるこ
とができ、良好な接続を得ることができる。

【００９２】上述の実装構造において、たとえば回路基
板１０１２から回路基板１０２２に向かってグランドプ
レーンを流れる高周波電流は、表皮効果によってマイク
ロストリップライン１０１４と金属リボン１００４の接
続点の直下までは裏面導体膜１０１５を流れ，そこから
第１の突起１０２６を介して連続的に裏面導体膜１０２
５に流れることができ、したがって高周波回路ユニット
間での不整合損が減少し、伝送特性を改善することがで
きる。

【００９３】なお、金属リボン１００４と第１の突起１
０２６で構成する伝送線路の特性インピーダンスが、マ
イクロストリップライン１０１４および１０２４の特性
インピーダンスと等しい値を持つように金属リボン１０
０４の幅を設定すれば、さらに不整合を小さくして伝送
特性を改善できる。第１の突起１０２６は分布定数線路
のグランドプレーンとして扱えるように、金属キャリア
間の間隙を充填した状態で、金属リボン１００４の３倍
以上の幅を有することが望ましい。

【００９４】また、回路基板１０１２および１０２２
は、金属キャリア１０１３および１０２３上に搭載され
ており、実装時、回路基板単体にストレスがかかること
がないので回路基板の破損の恐れが小さい。

【００９５】次に、図１０（ａ），（ｂ）を用いて金属
キャリアを互いに押圧する構造について説明する。

【００９６】ここで、コネクタブロック１１０１および
１１０２は，２つの高周波回路ユニットと外部回路とを
接続する機能を有し、固定ビス１１１１および１１２１
によって金属筐体１００３に固定されている。

【００９７】コネクタブロック１１０１および１１０２
は、コネクタ１１１２および１１２２，グランドブロッ
ク１１１３および１１２３からなり、コネクタ１１１２
および１１２２の芯線は、金属リボン１１１４および１
１１５によって高周波回路ユニットに接続されている。

【００９８】なお、コネクタブロック１１０１および１
１０２もまた高周波回路ユニットであるとみなし、突起
を用いた実装構造を適用しても良い。図１０では、コネ
クタブロック１１０２が、金属リボン１１２４の直下
に、軟質かつ良電導性の材料からなる第１の突起および
第１の突起と接触しない部分に第２および第３の突起を
有した構成となっている。

【００９９】ここで、たとえば金属筐体１００３の長さ
を短くし、コネクタブロック１１０１および１１０２が
２つの高周波回路ユニットを押圧する構成とすること
で、金属キャリア１０１３および１０２３が互いに押圧
される構成を実現でき、その結果、高周波回路ユニット
間および高周波回路ユニット・コネクタブロック間の第
１の突起が変形し、それぞれの間隙を充填することで、
各高周波回路ユニット間のグランドプレーンの接続を確
実にすることができる。

【０１００】このような構成を取ることによって、前掲
の実施の形態における効果に加え、第１の突起の変形を
適切な範囲に保ち、高周波回路ユニット間の接続部のグ
ランドプレーンの不連続部をより確実に解消し、不整合
損を減少させて伝送特性の劣化を回避することができる
という効果が得られる。

【０１０１】（実施の形態５）以下、本発明の実施の形
態５について、図１１（ａ），（ｂ）および図１２
（ａ），（ｂ）を用いて説明する。図１１（ａ）は高周
波回路装置の要部の断面図であり、（ｂ）はその平面図
である。図１２（ａ）は高周波回路装置の全体の断面図
であり、（ｂ）はその平面図である。

【０１０２】図１１（ａ），（ｂ）において、２つの高
周波回路ユニットは、固定ビス１１１および１２１によ
り金属筐体１０３に固定され、図１２に示す構成によ
り、互いに押圧して配置される。

【０１０３】２つの高周波回路ユニットは、高周波回路
が形成されている回路基板１１２および１２２と、回路
基板１１２および１２２を搭載した金属キャリア１１３
および１２３からなる。

【０１０４】回路基板１１２および１２２は、高周波信
号が引き出されるマイクロストリップライン１１４およ
び１２４と、金属キャリア１１３および１２３に電気的
に接続され、グランドプレーンを形成している裏面導体
膜１１５および１２５を有し、マイクロストリップライ
ン１１４および１２４は、金属リボン１０４により接続
されている。

【０１０５】金属キャリア１２３は、金属リボン１０４
の直下において、良電導性の材料からなる突起１２６を
持つ。

【０１０６】また、突起１２６は、金属キャリア１１３
と密着するように、先端が平坦であることが望ましい。

【０１０７】なお、突起１２６は、あらかじめ金属キャ
リア１２３の一部として形成しておく構成としても良
く、これにより、部品点数の増加を回避することができ
る。

【０１０８】また、金属キャリア１１３および１２３の
間隙には、電波吸収材１０５ａ，１０５ｂが挿入されて
いる。

【０１０９】本実施の形態において、グランドプレーン
を流れる高周波電流は、表皮効果によって、マイクロス
トリップライン１１４と金属リボン１０４の接続点の直
下までは裏面導体膜１１５を流れ、そこから突起１２６
を介して連続的に裏面導体膜１２５に流れることがで
き、したがって高周波回路ユニット間での不整合損が減
少し、伝送特性を改善することができる。

【０１１０】なお、金属リボン１０４と突起１２６で構
成する伝送線路の特性インピーダンスが、マイクロスト
リップライン１１４および１２４の特性インピーダンス
と等しい値を持つように、金属リボン１０４の幅を設定
すれば、さらに不整合を小さくして、伝送特性を改善で
きる。ここで、突起１２６は分布定数線路のグランドプ
レーンとして扱えるように、金属リボン１０４の３倍以
上の幅を有することが望ましい。

【０１１１】また、回路基板１１２および１２２は、金
属キャリア１１３および１２３上に搭載されており，実
装時，回路基板単体にストレスがかかることがないの
で、回路基板の破損の恐れが小さい。

【０１１２】さらに、金属キャリア１１３および１２３
の間隙には、電波吸収材１０５が挿入されているので、
例えば高周波回路ユニットが高利得の増幅器であった場
合、出力の一部が入力側の金属キャリア間隙に誘起して
も、そのエネルギーは電波吸収材１０５により減衰させ
られるため、発振や利得低下などの特性劣化を回避する
ことができる。

【０１１３】電波吸収材１０５ａ，１０５ｂは、電流を
吸収できる抵抗性の導電体で構成され、具体的には、カ
ーボンやフェライトを使用できる。

【０１１４】次に、図１２（ａ），（ｂ）を用いて、金
属キャリアを互いに押圧するためお構造について説明す
る。

【０１１５】ここで、コネクタブロック２０１および２
０２は、２つの高周波回路ユニットと外部回路とを接続
する機能を有し、固定ビス２１１および２２１によって
金属筐体１０３に固定されている。

【０１１６】コネクタブロック２０１および２０２は、
コネクタ２１２および２２２，グランドブロック２１３
および２２３からなり、コネクタ２１２および２２２の
芯線は、，金属リボン２１４および２２４によって高周
波回路ユニットに接続されている。

【０１１７】なお、コネクタブロック２０１および２０
２もまた高周波回路ユニットであるとみなし、突起を用
いた実装構造を適用しても良い。図１２（ａ），（ｂ）
では、コネクタブロック２０２が、金属リボン２２４の
直下に、良電導性の突起を有している。

【０１１８】また、コネクタブロック２０１と金属キャ
リア１１３，およびコネクタブロック２０２と金属キャ
リア１２３の間隙には、電波吸収材が挿入されている構
成としている。

【０１１９】ここで、たとえば金属筐体１０３の長さを
短くし、コネクタブロック２０１および２０２が２つの
高周波回路ユニットを押圧する構成とすることで、金属
キャリア１１３および１２３が互いに押圧される構成を
実現でき、高周波回路ユニットのグランドの接続を確実
にすることができる。

【０１２０】このような構成を取ることによって、前掲
の実施の形態１における効果に加えて、グランドプレー
ンの間隙に誘起する不要信号成分を抑圧し、特性劣化を
回避することができるという効果も得ることができる。

【０１２１】（実施の形態６）以下、本発明の実施の形
態６について、図１３（ａ），（ｂ）及び図１４
（ａ），（ｂ）を用いて説明する。図１３（ａ）は高周
波回路装置の要部の断面図であり、（ｂ）はその平面図
である。図１４（ａ）は高周波回路装置の全体の断面図
であり、（ｂ）はその平面図である。

【０１２２】２つの高周波回路ユニットは、固定ビス６
１１および６２１により金属筐体６０３に固定され、図
１４に示す構成により、互いに押圧して配置される。

【０１２３】高周波回路ユニットは、高周波回路が形成
されている回路基板６１２および６２２と、回路基板６
１２および６２２を搭載した金属キャリア６１３および
６２３からなる。

【０１２４】回路基板６１２および６２２は、高周波信
号が引き出されるマイクロストリップライン６１４およ
び６２４と、金属キャリア６１３および６２３に電気的
に接続され、グランドプレーンを形成している裏面導体
膜６１５および６２５を有し、マイクロストリップライ
ン６１４および６２４は、金属リボン６０４により接続
されている。

【０１２５】なお、マイクロストリップライン６１４お
よび６２４は、回路基板６１２および６２２の中心から
オフセットを持った構造となっている。

【０１２６】金属キャリア６２３は、金属リボン６０４
の直下において、良電導性の材料からなる第１の突起６
２６を持ち、また、第１の突起６２６に接触しない位置
に、第２の突起６２７を持つ構成を有する。

【０１２７】また、第１の突起６２６は、金属キャリア
６１３と密着するように、先端が平坦であることが望ま
しい。

【０１２８】なお、第１の突起６２６および第２の突起
６２７は、あらかじめ金属キャリア６２３の一部として
形成しておく構成としても良く、これにより、部品点数
の増加を回避することができる。

【０１２９】また、金属キャリア６１３および６２３の
間隙には電波吸収材６０５が挿入されている。

【０１３０】上述の実装構造において、グランドプレー
ンを流れる高周波電流は、表皮効果によって、例えばマ
イクロストリップライン６１４と金属リボン６０４の接
続点の直下までは裏面導体膜６１５を流れ、そこから第
１の突起６２６を介して連続的に裏面導体膜６２５に流
れることができ、したがって高周波回路ユニット間での
不整合損が減少し、伝送特性を改善することができる。

【０１３１】なお、金属リボン６０４と第１の突起６２
６で構成する伝送線路の特性インピーダンスが、マイク
ロストリップライン６１４および６２４の特性インピー
ダンスと等しい値を持つように、金属リボン６０４の幅
を設定すれば、さらに不整合を小さくして伝送特性を改
善できる。第１の突起６２６は分布定数線路のグランド
プレーンとして扱えるように、金属リボン６０４の３倍
以上の幅を有することが望ましい。

【０１３２】また、回路基板６１２および６２２は、金
属キャリア６１３および６２３上に搭載されており，実
装時、回路基板単体にストレスがかかることがないの
で、回路基板の破損の恐れが小さい。

【０１３３】また、金属キャリア６１３および６２３の
間隙には、電波吸収材６０５が挿入されているので、例
えば高周波回路ユニットが高利得の増幅器であった場合
に、出力の一部が入力側の金属キャリア間隙に誘起して
も、そのエネルギーは電波吸収材６０５により減衰させ
られるため、発振や利得低下などの特性劣化を回避する
ことができる。

【０１３４】次に、金属キャリアを互いに押圧するため
の構造について、図１４（ａ），（ｂ）を用いて説明す
る。

【０１３５】コネクタブロック７０１および７０２は、
高周波回路ユニットと外部回路とを接続する機能を有
し、固定ビス７１１および７２１によって金属筐体６０
３に固定されている。

【０１３６】コネクタブロック７０１および７０２は、
コネクタ７１２および７２２、グランドブロック７１３
および７２３からなり、コネクタ７１２および７２２の
芯線は、金属リボン７１４および７２４によって高周波
回路ユニットに接続されている。

【０１３７】なお、コネクタブロック７０１および７０
２もまた高周波回路ユニットであるとみなし、突起を用
いた実装構造を適用しても良い。図１４（ａ），（ｂ）
では、コネクタブロック７０２が、金属リボン７２４の
直下に、良電導性の材料からなる第１の突起および第１
の突起に接触しない位置に第２の突起を有し、また、コ
ネクタブロック７０１と金属キャリア６１３，およびコ
ネクタブロック７０２と金属キャリア６２３の間隙に
は，電波吸収材６０５ａ，６０５ｂが挿入されている構
成となっている。

【０１３８】ここで、たとえば金属筐体６０３の長さを
短くし、コネクタブロック７０１および７０２が２つの
高周波回路ユニットを押圧する構成とすることで、金属
キャリア６１３および６２３が互いに押圧される構成を
実現でき、高周波回路ユニットのグランドの接続を確実
にすることができる。

【０１３９】また、マイクロストリップラインが回路基
板に対してオフセットを持った構成である高周波回路ユ
ニットに、前掲の実施の形態５の実装構造を適用した場
合、固定ビス２１１あるいは２２１の締結力のアンバラ
ンスにより、金属キャリアが傾いて突起部での電気的接
続が不完全になりやすいが、本実施の形態の高周波回路
装置の実装構造を適用した場合、２つの高周波回路ユニ
ットは、第１の突起６２６および第２の突起６２７の２
点で接触しているので、より安定した電気的接続を得る
ことができる。

【０１４０】このような構成を取ることによって、前掲
の実施の形態２の高周波回路装置の実装構造の効果に加
え、グランドプレーンの間隙に誘起する不要信号成分を
抑圧し、特性劣化を回避することができるという効果が
得られる。

【０１４１】（実施の形態７）以下、本発明の実施の形
態７について、図１５（ａ），（ｂ）及び図１６
（ａ），（ｂ）を用いて説明する。図１５（ａ）は高周
波回路装置の要部の断面図であり、（ｂ）はその平面図
である。図１６（ａ）は高周波回路装置の全体の断面図
であり、（ｂ）はその平面図である。

【０１４２】図１５（ａ），（ｂ）において、２つの高
周波回路ユニットは、固定ビス８１１および８２１によ
り金属筐体８０３に固定され，図１６に記載される構成
により、互いに押圧して配置される。

【０１４３】２つの高周波回路ユニットは、高周波回路
が形成されている回路基板８１２および８２２と、回路
基板８１２および８２２を搭載した金属キャリア８１３
および８２３からなる。

【０１４４】回路基板８１２および８２２は、高周波信
号が引き出されるマイクロストリップライン８１４およ
び８２４と、金属キャリア８１３および８２３に電気的
に接続され、グランドプレーンを形成している裏面導体
膜８１５および８２５を有し、マイクロストリップライ
ン８１４および８２４は、金属リボン８０４により接続
されている。

【０１４５】金属キャリア８２３は、金属リボン８０４
の直下に、たとえば金やインジウムなど軟質かつ良電導
性の材料からなる突起８２６を持つ構成を有する。

【０１４６】このとき、２つの高周波回路ユニットは互
いに押圧して配置されているので、これらの高周波回路
ユニットに挟まれた突起８２６は変形し、金属キャリア
間の間隙を充填する。

【０１４７】また、金属キャリア８１３および８２３の
間隙には、電波吸収材８０５ａ，８０５ｂが挿入されて
いる。

【０１４８】このような実装構造において、グランドプ
レーンを流れる高周波電流は、例えば、表皮効果によっ
て、マイクロストリップライン８１４と金属リボン８０
４の接続点の直下までは裏面導体膜８１５を流れ、そこ
から突起８２６を介して連続的に裏面導体膜８２５に流
れることができ、したがって高周波回路ユニット間での
不整合損が減少し、伝送特性を改善することができる。

【０１４９】なお、金属リボン８０４と突起８２６で構
成する伝送線路の特性インピーダンスが、マイクロスト
リップライン８１４および８２４の特性インピーダンス
と等しい値を持つように、金属リボン８０４の幅を設定
すれば、さらに不整合を小さくし、伝送特性を改善でき
る。突起８２６は分布定数線路のグランドプレーンとし
て扱えるように、金属キャリア間の間隙を充填した状態
で、金属リボン８０４の３倍以上の幅を有することが望
ましい。

【０１５０】また、回路基板８１２および８２２は、金
属キャリア８１３および８２３上に搭載されており、実
装時に、回路基板単体にストレスがかかることがないの
で、回路基板の破損の恐れが小さい。

【０１５１】また、金属キャリア８１３および８２３の
間隙には、電波吸収材８０５ａ，８０５ｂが挿入されて
いるので、例えば高周波回路ユニットが高利得の増幅器
であった場合、出力の一部が入力側の金属キャリア間隙
に誘起しても、そのエネルギーは電波吸収材８０５ａ，
８０５ｂにより減衰させられるため、発振や利得低下な
どの特性劣化を回避することができる。

【０１５２】次に、金属キャリアどうしを互いに押圧す
る構成について、図１６（ａ），（ｂ）を用いて説明す
る。

【０１５３】ここで、コネクタブロック９０１および９
０２は、高周波回路ユニットと外部回路とを接続する機
能を有し、固定ビス９１１および９２１によって金属筐
体８０３に固定されている。

【０１５４】コネクタブロック９０１および９０２は、
コネクタ９１２および９２２，グランドブロック９１３
および９２３からなり、コネクタ９１２および９２２の
芯線は、金属リボン９１４および９２４によって高周波
回路ユニットに接続されている。

【０１５５】なお、コネクタブロック９０１および９０
２もまた高周波回路ユニットであるとみなし、突起を用
いた実装構造を適用しても良い。図１６（ａ），（ｂ）
では、コネクタブロック９０２が、金属リボン９２４の
直下において、軟質かつ良電導性の材料からなる突起を
有し、また、コネクタブロック９０１と金属キャリア８
１３，およびコネクタブロック９０２と金属キャリア８
２３の間隙には、電波吸収材８０５ｃ，８０５ｄ，８０
５ｅ，８０５ｆが挿入されている構成としている。

【０１５６】ここで、たとえば金属筐体８０３の長さを
短くし、コネクタブロック９０１および９０２が高周波
回路ユニットを押圧する構成とすることで、金属キャリ
ア８１３および８２３が互いに押圧される構成を実現で
き、その結果，高周波回路ユニット間および高周波回路
ユニット・コネクタブロック間の突起が変形し、それぞ
れの間隙を充填することで、高周波回路ユニットのグラ
ンドプレーンの接続を確実にすることができる。

【０１５７】このような構成を取ることによって、前掲
の実施の形態３の高周波回路装置の実装構造の効果に加
え、グランドプレーンの間隙に誘起する不要信号成分を
抑圧し、特性劣化を回避することができるという効果を
得ることができる。

【０１５８】（実施の形態８）以下、本発明の実施の形
態８について、図１７（ａ），（ｂ）及び図１８
（ａ），（ｂ）を用いて説明する。図１７（ａ）は高周
波回路装置の要部の断面図であり、（ｂ）はその平面図
である。図１８（ａ）は高周波回路装置の全体の断面図
であり、（ｂ）はその平面図である。

【０１５９】図１７（ａ），（ｂ）において、２つの高
周波回路ユニットは、固定ビス１０１１および１０２１
により金属筐体１００３に固定され、図１８（ａ），
（ｂ）に示す構成により、互いに押圧して配置される。

【０１６０】２つの高周波回路ユニットは、高周波回路
が形成されている回路基板１０１２および１０２２と、
回路基板１０１２および１０２２を搭載した金属キャリ
ア１０１３および１０２３からなる。

【０１６１】回路基板１０１２および１０２２は、高周
波信号が引き出されるマイクロストリップライン１０１
４および１０２４と，金属キャリア１０１３および１０
２３に電気的に接続され、グランドプレーンを形成して
いる裏面導体膜１０１５および１０２５を有し、マイク
ロストリップライン１０１４および１０２４は、金属リ
ボン１００４により接続されている。

【０１６２】金属キャリア１０２３は、金属リボン１０
０４の直下に、たとえば金やインジウムなど軟質かつ良
電導性の材料からなる第１の突起１０２６を持ち、ま
た、第１の突起と接触しない位置に第２の突起１０２７
および第３の突起１０２８を持つ構成を有する。

【０１６３】このとき、２つの高周波回路ユニットは互
いに押圧して配置されているので、これらの高周波回路
ユニットに挟まれた第１の突起１０２６は変形し、金属
キャリア間の間隙を充填する。ここで、第１の突起１０
２６は分布定数線路のグランドプレーンとして扱えるよ
うに、金属キャリア間の間隙を充填した状態で、金属リ
ボン１００４の３倍以上の幅を有することが望ましい。

【０１６４】また、金属キャリア１０１３および１０２
３の間隙には、電波吸収材１００５ａ，１００５ｂが挿
入されている。

【０１６５】ここで、第１の突起１０２６の変形の度合
いは、第２の突起１０２７および第３の突起１０２８の
寸法により制御できるので、第１の突起１０２６の不十
分な変形によるインダクタンス成分の増加、あるいは過
度の変形による金属リボン１００４との短絡を避けるこ
とができ、前述の金属リボン１００４の３倍以上の幅を
精度よく実現することができる。

【０１６６】このような実装構造において、グランドプ
レーンを流れる高周波電流は、例えば、表皮効果によっ
て、マイクロストリップライン１０１４と金属リボン１
００４の接続点の直下までは裏面導体膜１０１５を流
れ、そこから第１の突起１０２６を介して連続的に裏面
導体膜１０２５に流れることができ、したがって高周波
回路ユニット間での不整合損が減少し、伝送特性を改善
することができる。

【０１６７】なお、金属リボン１００４と第１の突起１
０２６で構成する伝送線路の特性インピーダンスが、マ
イクロストリップライン１０１４および１０２４の特性
インピーダンスと等しい値を持つように金属リボン１０
０４の幅を設定すれば、さらに不整合を小さくして伝送
特性を改善できる。前述のとおり、第１の突起１０２６
は、金属キャリア間の間隙を充填した状態で、金属リボ
ン１００４の３倍以上の幅を有することが望ましい。

【０１６８】また、回路基板１０１２および１０２２
は、金属キャリア１０１３および１０２３上に搭載され
ており、実装時において回路基板単体にストレスがかか
ることがないので、回路基板の破損の恐れが小さい。

【０１６９】また、金属キャリア１０１３および１０２
３の間隙には、電波吸収材１００５が挿入されているの
で、例えば高周波回路ユニットが高利得の増幅器であっ
た場合、出力の一部が入力側の金属キャリア間隙に誘起
しても、そのエネルギーは電波吸収材１００５ａ，１０
０５ｂにより減衰させられるため、発振や利得低下など
の特性劣化を回避することができる．次に、金属キャリ
アどうしが互いに押し合う構造を実現するための構成に
ついて、図１８（ａ），（ｂ）を用いて説明する。

【０１７０】ここで、コネクタブロック１１０１および
１１０２は、２つの高周波回路ユニットと外部回路とを
接続する機能を有し、固定ビス１１１１および１１２１
によって金属筐体１００３に固定されている。

【０１７１】コネクタブロック１１０１および１１０２
は、コネクタ１１１２および１１２２，グランドブロッ
ク１１１３および１１２３からなり、コネクタ１１１２
および１１２２の芯線は、金属リボン１１１４および１
１２４によって高周波回路ユニットに接続されている。

【０１７２】なお、コネクタブロック１１０１および１
１０２もまた高周波回路ユニットであるとみなし、突起
を用いた実装構造を適用しても良い。図１８（ａ），
（ｂ）では、コネクタブロック１１０２が、金属リボン
１１２４の直下において、軟質かつ良電導性の材料から
なる第１の突起および第１の突起と接触しない部分に第
２および第３の突起を有し、また，コネクタブロック１
１０１と金属キャリア１０１３，コネクタブロック１１
０２および金属キャリア１０２３の間隙には、電波吸収
材１００５ｃ，１００５ｄ，１００５ｅ，１００５ｆが
挿入されている構成としている。

【０１７３】ここで、たとえば金属筐体１００３の長さ
を短くし、コネクタブロック１１０１および１１０２が
高周波回路ユニットを押圧する構成とすることで、金属
キャリア１０１３および１０２３が互いに押圧される構
成を実現できる。これにより、高周波回路ユニット間お
よび高周波回路ユニット−コネクタブロック間の第１の
突起が変形してそれぞれの間隙を充填し、これによって
高周波回路ユニットのグランドプレーンの接続を確実に
することができる。

【０１７４】このような構成を取ることによって，前掲
の実施の形態４の高周波回路装置の実装構造の効果に加
え、グランドプレーンの間隙に誘起する不要信号成分を
抑圧し、特性劣化を回避することができるという効果を
得ることができる。

【０１７５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、グ
ランドプレーンの不連続を解消することで、高周波回路
装置の伝送特性の劣化を回避することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１にかかる高周波回路装置
の要部構成を示す平面図

【図２】実施の形態１にかかる高周波回路装置のＡ−Ａ
線に沿う断面図

【図３】実施の形態１にかかる高周波回路装置のＢ−Ｂ
線に沿う断面図

【図４】（ａ） 実施の形態１にかかる高周波回路装置
の全体の断面図 （ｂ） 実施の形態１にかかる高周波回路装置の全体の
平面図

【図５】（ａ） 本発明の実施の形態２にかかる高周波
回路装置の要部の断面図 （ｂ） 本発明の実施の形態２にかかる高周波回路装置
の要部の平面図

【図６】（ａ） 実施の形態２にかかる高周波回路装置
の全体の断面図 （ｂ） 実施の形態２にかかる高周波回路装置の全体の
平面図

【図７】（ａ） 本発明の実施の形態３にかかる高周波
回路装置の要部の断面図 （ｂ） 本発明の実施の形態３にかかる高周波回路装置
の要部の平面図

【図８】（ａ） 実施の形態３にかかる高周波回路装置
の全体の断面図 （ｂ） 実施の形態３にかかる高周波回路装置の全体の
平面図

【図９】（ａ） 本発明の実施の形態４にかかる高周波
回路装置の要部の断面図 （ｂ） 本発明の実施の形態４にかかる高周波回路装置
の要部の平面図

【図１０】（ａ） 実施の形態４にかかる高周波回路装
置の全体の断面図 （ｂ） 実施の形態４にかかる高周波回路装置の全体の
平面図

【図１１】（ａ） 本発明の実施の形態５にかかる高周
波回路装置の要部の断面図 （ｂ） 本発明の実施の形態５にかかる高周波回路装置
の要部の平面図

【図１２】（ａ） 実施の形態５にかかる高周波回路装
置の全体の断面図 （ｂ） 実施の形態５にかかる高周波回路装置の全体の
平面図

【図１３】（ａ） 本発明の実施の形態６にかかる高周
波回路装置の要部の断面図 （ｂ） 本発明の実施の形態６にかかる高周波回路装置
の要部の平面図

【図１４】（ａ） 実施の形態６にかかる高周波回路装
置の全体の断面図 （ｂ） 実施の形態６にかかる高周波回路装置の全体の
平面図

【図１５】（ａ） 本発明の実施の形態７にかかる高周
波回路装置の要部の断面図 （ｂ） 本発明の実施の形態７にかかる高周波回路装置
の要部の平面図

【図１６】（ａ） 実施の形態７にかかる高周波回路装
置の全体の断面図 （ｂ） 実施の形態７にかかる高周波回路装置の全体の
平面図

【図１７】（ａ） 本発明の実施の形態８にかかる高周
波回路装置の要部の断面図 （ｂ） 本発明の実施の形態８にかかる高周波回路装置
の要部の平面図

【図１８】（ａ） 実施の形態８にかかる高周波回路装
置の全体の断面図 （ｂ） 実施の形態８にかかる高周波回路装置の全体の
平面図

【図１９】比較例の高周波回路装置におけるグランドプ
レーンを流れる電流経路を示す図

【図２０】金属キャリアどうしを全面接触させた場合の
問題点を示す図

【符号の説明】

１０１，１０２，１１４，１２４ マイクロストリップ
ライン １０３ 金属筐体 １０４ 金属リボン（又は金属ワイヤ） １１２，１２２ 高周波回路基板 １１３，１２３ 金属キャリア １１１ａ，１１１ｂ，１２１ａ，１２１ｂ 固定ビス １１５，１２５ 裏面導体膜 １２６ 突起 ＴＲ１，ＴＲ２ 超高周波トランジスタ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の金属キャリア上に搭載された第１
   の高周波回路基板と、第２の金属キャリア上に搭載され
   た第２の高周波回路基板とを具備し、前記第１の高周波
   回路基板の信号線と前記第２の高周波回路基板の信号線
   は導電体によって結線され、前記第１の金属キャリアま
   たは前記第２の金属キャリアの側面には突起部が設けら
   れ、前記導電体の少なくとも直下には前記突起部が位置
   し、かつ前記第１の金属キャリアと前記第２の金属キャ
   リアとは前記突起部により接続されていることを特徴と
   する高周波回路装置。
2. 【請求項２】 前記突起部の表面は、前記第１及び第２
   の金属キャリアの表面に連接しており、かつ、前記第１
   及び第２の金属キャリアどうしが互いに押し合い、これ
   によって前記突起部の先端面が他方の金属キャリアの側
   面に接触して前記第１及び第２の金属キャリアが接続さ
   れることを特徴とする請求項１記載の高周波回路装置。
3. 【請求項３】 前記第１又は第２の金属キャリアの少な
   くとも一部は、前記第１及び第２の高周波回路基板のグ
   ランドとして機能することを特徴とする請求項１又は請
   求項２記載の高周波回路装置。
4. 【請求項４】 前記突起部は前記第１及び第２の金属キ
   ャリアよりも軟質の材料からなることを特徴とする請求
   項１〜請求項３のいずれかに記載の高周波回路装置。
5. 【請求項５】 前記突起部の存在によって前記第１の金
   属キャリアと第２の金属キャリアとの間に生じる間隙
   に、電波吸収材を設けたことを特徴とする請求項１〜請
   求項４のいずれかに記載の高周波回路装置。
6. 【請求項６】 第１の金属キャリア上に搭載された第１
   の高周波回路基板と、第２の金属キャリア上に搭載され
   た第２の高周波回路基板とを具備し、前記第１の高周波
   回路基板の信号線と前記第２の高周波回路基板の信号線
   は導電体によって結線され、前記第１の金属キャリアま
   たは前記第２の金属キャリアの側面には複数の突起部が
   設けられ、前記導電体の下には、その導電体と重なりを
   有する形態で前記複数の突起部のうちの一つが位置し、
   その他の突起部は前記一つの突起部とは異なる位置に設
   けられており、前記第１の金属キャリアと前記第２の金
   属キャリアとは互いに押し合って前記複数の突起部によ
   り接続されていることを特徴とする高周波回路装置。
7. 【請求項７】 前記その他の突起部は少なくとも二つ存
   在し、その二つの突起部は、前記一つの突起部を挟む形
   態で配置されていることを特徴とする請求項６記載の高
   周波回路装置。
8. 【請求項８】 前記複数の突起部の存在によって前記第
   １及び第２の金属キャリア間に生じる間隙に、電波吸収
   材を設けたことを特徴とする請求項６又は請求項７記載
   の高周波回路装置。