JPH11284221A - Semiconductor relay - Google Patents

Semiconductor relay

Info

Publication number
JPH11284221A
JPH11284221A JP10028498A JP10028498A JPH11284221A JP H11284221 A JPH11284221 A JP H11284221A JP 10028498 A JP10028498 A JP 10028498A JP 10028498 A JP10028498 A JP 10028498A JP H11284221 A JPH11284221 A JP H11284221A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
circuit board
receiving component
emitting element
light receiving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10028498A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomohiro Inoue
智広 井上
Kazunari Kuzuhara
一功 葛原
Yasushi Tanaka
恭史 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP10028498A priority Critical patent/JPH11284221A/en
Publication of JPH11284221A publication Critical patent/JPH11284221A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor relay which can be reduced in thickness and size without using any lead frame. SOLUTION: Switch elements 3a and 3b are mounted on the rear surface of a circuit board 20 and wire passing holes 21 and 21 are bored through the circuit board 20 in the thickness direction. Through the holes 21 and 21, the switch elements 3a and 3b are electrically connected to a wiring pattern formed on the front surface of the circuit board 20 by wire bonding. Since all parts are arranged on one circuit board 20, the thickness of a semiconductor relay can be reduced. In addition, since the switch elements 3a and 3b are wire-bonded through the wire passing holes 21 bored through the circuit board 20, the area of the relay can be reduced as compared with the case where the switch elements 3a and 3b are mounted on the front surface of the circuit board 20 together with a light emitting element 1 and light receiving parts 6.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、入力側に設けた発
光素子と光結合されている受光部品の出力によりスイッ
チ素子をオンオフさせる半導体リレーに関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor relay in which a switching element is turned on and off by an output of a light receiving element optically coupled to a light emitting element provided on an input side.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、図7に示す構成の半導体リレ
ーが提案されている。この半導体リレーは、入力側に発
光ダイオードアレイよりなる発光素子1と、発光素子1
に光結合されたフォトダイオードアレイないし太陽電池
アレイよりなる受光素子2と、受光素子2の光起電力に
よりオンオフされるエンハンスメント形のnチャネルM
OSFETよりなる一対のスイッチ素子3a,3bとを
備える。発光素子1は入力端子ta,ta’間に接続さ
れ、入力端子ta,ta’間に与えられる入力信号に応
じて点灯・消灯する。受光素子2の負極にはバイアス用
の抵抗4が直列接続され、受光素子2と抵抗4との直列
回路にはデプレッション形のnチャネルMOSFETよ
りなる駆動用のスイッチ素子5のゲートが接続される。
抵抗4はスイッチ素子5のゲート−ソース間に接続さ
れ、受光素子2はゲート−ドレイン間に接続される。ス
イッチ素子3a,3bはゲート同士、ソース同士がそれ
ぞれ共通に接続され、ゲートはスイッチ素子5のドレイ
ンに接続され、ソースはスイッチ素子5のソースに接続
される。また、各スイッチ素子3a,3bのドレインは
それぞれ出力端子tb,tcに接続される。
2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor relay having the configuration shown in FIG. 7 has been proposed. This semiconductor relay comprises a light emitting element 1 comprising a light emitting diode array on the input side, and a light emitting element 1
Light receiving element 2 composed of a photodiode array or a solar cell array optically coupled to a light receiving element 2 and an enhancement type n-channel M turned on and off by the photovoltaic force of light receiving element 2
A pair of switch elements 3a and 3b made of OSFET are provided. The light emitting element 1 is connected between the input terminals ta and ta ', and turns on and off according to an input signal provided between the input terminals ta and ta'. A bias resistor 4 is connected in series to the negative electrode of the light receiving element 2, and a gate of a driving switch element 5 composed of a depletion type n-channel MOSFET is connected to a series circuit of the light receiving element 2 and the resistor 4.
The resistor 4 is connected between the gate and the source of the switch element 5, and the light receiving element 2 is connected between the gate and the drain. In the switch elements 3a and 3b, the gates and the sources are commonly connected, the gate is connected to the drain of the switch element 5, and the source is connected to the source of the switch element 5. The drains of the switch elements 3a and 3b are connected to output terminals tb and tc, respectively.

【0003】図7に示した半導体リレーはノーマリオフ
形のものであって、入力端子ta,ta’間に入力電流
が流れて発光素子1が点灯すると、発光素子1に光結合
されている受光素子2に光起電力が生じる。この光起電
力により抵抗4に電流が流れてスイッチ素子5のゲート
−ソース間に電圧が印加される。スイッチ素子5はデプ
レッション形であるから、ゲート−ソース間に電圧が印
加されていない状態ではオンであるが、ゲート−ソース
間の印加電圧がスイッチ素子5のしきい値電圧以上にな
るとスイッチ素子5はオフになる。つまり、スイッチ素
子5のオン時にはスイッチ素子3a,3bのゲート−ソ
ース間に電圧が印加されないから、エンハンスメント形
であるスイッチ素子3a,3bはオフであるが、スイッ
チ素子5がオフになるとスイッチ素子3a,3bのゲー
ト−ソース間に受光素子2と抵抗4との直列回路により
電圧が印加されるから、この印加電圧がスイッチ素子3
a,3bのしきい値電圧以上であれば、スイッチ素子3
a,3bがオンになる。スイッチ素子5がオフになって
スイッチ素子3a,3bがオンになった状態では抵抗4
に微小電流が流れ、この電流により抵抗4の両端間に生
じる電圧によりスイッチ素子5は高インピーダンスに保
たれる。なお、スイッチ素子3a,3bがオンであると
きに抵抗4を流れる電流は小さいが、抵抗4の値を十分
に大きく設定しておくことによりスイッチ素子5をオフ
に保つのに必要なバイアス電圧を得ることができる。
The semiconductor relay shown in FIG. 7 is of a normally-off type, and when an input current flows between input terminals ta and ta 'to light the light emitting element 1, the light receiving element optically coupled to the light emitting element 1 is turned on. 2 generates photovoltaic power. A current flows through the resistor 4 due to the photovoltaic force, and a voltage is applied between the gate and the source of the switch element 5. Since the switching element 5 is of the depletion type, it is on when no voltage is applied between the gate and the source, but when the applied voltage between the gate and the source becomes higher than the threshold voltage of the switching element 5, the switching element 5 is turned on. Turns off. That is, since no voltage is applied between the gate and the source of the switch elements 3a and 3b when the switch element 5 is turned on, the enhancement-type switch elements 3a and 3b are off, but when the switch element 5 is turned off, the switch element 3a is turned off. , 3b, a voltage is applied by a series circuit of the light receiving element 2 and the resistor 4 between the gate and the source.
If the threshold voltage is equal to or higher than the threshold voltages a and 3b, the switching element 3
a and 3b are turned on. When the switch element 5 is turned off and the switch elements 3a and 3b are turned on, the resistance 4
A small current flows through the switching element 5, and the voltage generated between both ends of the resistor 4 by this current keeps the switching element 5 at a high impedance. Although the current flowing through the resistor 4 when the switch elements 3a and 3b are on is small, the bias voltage required to keep the switch element 5 off by setting the value of the resistor 4 sufficiently large is set. Obtainable.

【0004】一方、入力端子ta,ta’間に電流が流
れなくなると発光素子1は消灯し、受光素子2に光起電
力が生じなくなる。したがって、スイッチ素子5のゲー
ト−ソース間に電圧が印加されなくなり、スイッチ素子
5がオンになる。つまり、スイッチ素子3a,3bのゲ
ート−ソース間の容量成分に蓄積されていた電荷がスイ
ッチ素子5を通して急速に放電され、スイッチ素子3
a,3bはオフになる。つまり、出力端子tb(t
c),tb’間が遮断される。ここで、2個のスイッチ
素子3a,3bのドレイン−ソース間を逆直列に接続し
ているからスイッチ素子3a,3bのボディダイオード
が逆直列に接続され、出力端子tb(tc),tb’間
が遮断されている状態ではボディダイオードを通して電
流が流れることはない。つまり、上記構成では交流用と
しても直流用としても用いることができる。また、出力
用のスイッチ素子を1個にすればボディダイオードを通
して電流が流れるから、直流用にのみ用いることができ
る。上述のものはノーマリオフ形の半導体リレーである
が、スイッチ素子3a,3bとしてデプレッション形の
ものを用いるなどして、ノーマリオン形の半導体リレー
も提供されている。
On the other hand, when the current stops flowing between the input terminals ta and ta ', the light emitting element 1 is turned off, and no photoelectromotive force is generated in the light receiving element 2. Therefore, no voltage is applied between the gate and the source of the switch element 5, and the switch element 5 is turned on. That is, the electric charge stored in the capacitance component between the gate and the source of the switching elements 3a and 3b is rapidly discharged through the switching element 5, and
a and 3b are turned off. That is, the output terminal tb (t
c) and between tb 'are cut off. Here, since the drain and source of the two switching elements 3a and 3b are connected in anti-series, the body diodes of the switching elements 3a and 3b are connected in anti-series and the output terminals tb (tc) and tb 'are connected. Current is not flown through the body diode in a state where is shut off. In other words, the above configuration can be used for both AC and DC. Further, if one output switching element is used, a current flows through the body diode, so that it can be used only for direct current. Although the above-described one is a normally-off type semiconductor relay, a normally-on type semiconductor relay is also provided by using a depletion type as the switching elements 3a and 3b.

【0005】ところで、上述した構成の半導体リレー
は、図8に示す形でパッケージ10に収納されている。
図示するパッケージ10は表面実装形であるSO(smal
l outline )形のパッケージであって、2枚のリードフ
レーム11,12に部品を実装している。一方のリード
フレーム11には、受光部品6とスイッチ素子3a,3
bとが銀ペーストなどを用いたダイボンディングにより
固定される。受光部品6は受光素子2と抵抗4とスイッ
チ素子5とをワンチップ化した素子である。また、受光
部品6とスイッチ素子3a,3bとリードフレーム11
とは金線であるワイヤ7を用いたワイヤボンディングに
より接続される。他方のリードフレーム12には、発光
素子1が銀ペーストなどを用いてダイボンディングによ
り固定され、発光素子1とリードフレーム12とがワイ
ヤ7を用いて接続される。両リードフレーム11,12
は発光素子1と受光部品6とが対向するように配置さ
れ、発光素子1と受光部品6との間には両者を光結合さ
せるための透明樹脂よりなるカプリング部材13が充填
される。さらに、全体が不透明樹脂のトランスファ成形
により封止されパッケージ10が形成される。
[0005] The semiconductor relay having the above-described configuration is housed in a package 10 in the form shown in FIG.
The illustrated package 10 is a surface mount type SO (smal
l outline) type package in which components are mounted on two lead frames 11 and 12. The light receiving component 6 and the switch elements 3a, 3
b is fixed by die bonding using a silver paste or the like. The light receiving component 6 is an element in which the light receiving element 2, the resistor 4, and the switch element 5 are integrated into one chip. Also, the light receiving component 6, the switch elements 3a and 3b, and the lead frame 11
Is connected by wire bonding using a wire 7 which is a gold wire. The light emitting element 1 is fixed to the other lead frame 12 by die bonding using a silver paste or the like, and the light emitting element 1 and the lead frame 12 are connected using the wires 7. Both lead frames 11, 12
Is arranged so that the light emitting element 1 and the light receiving component 6 are opposed to each other, and a space between the light emitting element 1 and the light receiving component 6 is filled with a coupling member 13 made of a transparent resin for optically coupling the two. Further, the entire package is sealed by transfer molding of an opaque resin, and the package 10 is formed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述した構成では、2
枚のリードフレーム11,12にそれぞれワイヤ7を用
いており、しかも両リードフレーム11,12が対向し
て配置されるから、リードフレーム11,12の厚み方
向におけるパッケージ10の寸法が大きくなり、薄型化
や小型化の実現が難しいという問題がある。また、トラ
ンスファ成形によりパッケージ10を形成するから、樹
脂の流れによってリードフレーム11,12が曲がるこ
とがあり、発光素子1と受光素子(受光部品6)2との
距離にばらつきが生じることがある。
In the above-described configuration, the 2
Since the wire 7 is used for each of the lead frames 11 and 12, and the two lead frames 11 and 12 are arranged to face each other, the size of the package 10 in the thickness direction of the lead frames 11 and 12 is increased, and There is a problem that realization of miniaturization and miniaturization is difficult. Further, since the package 10 is formed by transfer molding, the lead frames 11 and 12 may be bent by the flow of the resin, and the distance between the light emitting element 1 and the light receiving element (light receiving component 6) 2 may vary.

【0007】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的は、リードフレームを用いることなく薄
型化かつ小型化することができる半導体リレーを提供す
ることにある。
[0007] The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor relay which can be made thinner and smaller without using a lead frame.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、上記
目的を達成するために、発光素子に光結合された受光部
品の出力によりスイッチ素子がオンオフされる半導体リ
レーであって、表面に配線パターンが形成された回路基
板の該表面に上記発光素子及び受光部品が実装され各々
配線パターンと電気的に接続されるとともに、回路基板
の裏面に上記スイッチ素子が実装され、回路基板に穿孔
されたワイヤ挿通孔を通して上記スイッチ素子が回路基
板表面の上記配線パターンにワイヤボンディングにより
電気的に接続されて成ることを特徴とし、1枚の回路基
板の表裏両面に部品を載せているから、2枚のリードフ
レームを用いる場合に比較すると、薄型化が可能にな
り、表面実装用のリードを設けている従来構成に比較す
ると小面積化も可能になる。しかも、回路基板に穿孔さ
れたワイヤ挿通孔を通してスイッチ素子がワイヤボンデ
ィングされているために回路基板の表面に発光素子や受
光部品と一緒にスイッチ素子を実装する場合に比較して
小面積化が可能になる。さらに、リードフレームを用い
ていないことによって、リードフレームの曲がりによる
不良品の発生が少なくなり、歩留りが向上する。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor relay in which a switch element is turned on / off by an output of a light receiving component optically coupled to a light emitting element, and the surface of the semiconductor relay is provided in the surface thereof. The light emitting element and the light receiving component are mounted on the surface of the circuit board on which the wiring pattern is formed and are electrically connected to the wiring pattern, respectively, and the switch element is mounted on the back surface of the circuit board, and the circuit board is perforated. Wherein the switch element is electrically connected to the wiring pattern on the surface of the circuit board through wire insertion holes by wire bonding, and the components are mounted on both the front and back surfaces of one circuit board. Thinner compared to the case of using a lead frame, and also smaller in area than the conventional configuration with surface mounting leads. It made. In addition, since the switch element is wire-bonded through the wire insertion hole drilled in the circuit board, the area can be reduced compared to the case where the switch element is mounted together with the light-emitting element and light-receiving component on the surface of the circuit board. become. Furthermore, since no lead frame is used, the occurrence of defective products due to bending of the lead frame is reduced, and the yield is improved.

【0009】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、上記発光素子及び受光部品が回路基板表面の上記配
線パターンにワイヤボンディングにより電気的に接続さ
れ、上記発光素子と受光部品とが透光性を有する樹脂に
より光結合されるとともに、少なくとも上記発光素子及
び受光部品並びにワイヤ挿通孔を通って回路基板表面に
露出する上記ワイヤが樹脂封止されて成ることを特徴と
し、請求項1の発明の望ましい実施形態である。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the light emitting element and the light receiving component are electrically connected to the wiring pattern on the surface of the circuit board by wire bonding, and the light emitting element and the light receiving component are transparent. 2. The method according to claim 1, wherein the wires are optically coupled by a resin having optical properties, and at least the wires exposed on the circuit board surface through the light emitting elements and the light receiving components and the wire insertion holes are resin-sealed. It is a desirable embodiment of the invention.

【0010】請求項3の発明は、請求項1の発明におい
て、上記回路基板の表面に設けた凹所内に発光素子が実
装され上記配線パターンに電気的に接続され、上記発光
素子と対向するように上記受光部品がフリップチップボ
ンディングにより上記配線パターンに電気的に接続され
るとともに、上記発光素子と受光部品が対向する空間に
透光性を有するカプリング部材が充填され、且つ少なく
ともワイヤ挿通孔を通って回路基板表面に露出する上記
ワイヤが樹脂封止されて成ることを特徴とし、請求項1
の発明の作用に加えて、発光素子が回路基板の凹所内に
実装されることでさらなる薄型化が図れる。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, a light emitting element is mounted in a recess provided on the surface of the circuit board, is electrically connected to the wiring pattern, and faces the light emitting element. The light receiving component is electrically connected to the wiring pattern by flip-chip bonding, and a space where the light emitting element and the light receiving component face each other is filled with a translucent coupling member, and at least passes through the wire insertion hole. Wherein the wire exposed on the surface of the circuit board is resin-sealed.
In addition to the operation of the invention of the third aspect, by mounting the light emitting element in the recess of the circuit board, further reduction in thickness can be achieved.

【0011】請求項4の発明は、請求項1の発明におい
て、上記発光素子が受光部品にビルドアップ素子として
実装されて受光部品と一体化され、該受光部品がワイヤ
ボンディングにより上記配線パターンに電気的に接続さ
れるとともに、一体化された上記発光素子と受光部品と
が透光性を有する樹脂により光結合され、且つ少なくと
も上記受光部品及びワイヤ挿通孔を通って回路基板表面
に露出する上記ワイヤが樹脂封止されて成ることを特徴
とし、請求項1の発明の作用に加えて、発光素子と受光
部品とをビルドアップ素子として一体化するから、発光
素子と受光部品との位置合わせの精度が高くなる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect, the light emitting element is mounted on the light receiving component as a build-up element and is integrated with the light receiving component, and the light receiving component is electrically connected to the wiring pattern by wire bonding. And the light-emitting element and the integrated light-receiving component are optically coupled by a resin having a light-transmitting property, and are exposed to the surface of the circuit board through at least the light-receiving component and the wire insertion hole. Are sealed with a resin, and in addition to the function of the invention of claim 1, since the light emitting element and the light receiving component are integrated as a build-up element, the positioning accuracy of the light emitting element and the light receiving component is improved. Will be higher.

【0012】請求項5の発明は、請求項1の発明におい
て、上記発光素子が受光部品にビルドアップ素子として
実装されて受光部品と一体化され、上記回路基板の表面
に設けた凹所内に上記ビルドアップ素子の突出部分の少
なくとも一部を収納するようにして受光部品がフリップ
チップボンディングにより上記配線パターンに電気的に
接続されて成ることを特徴とし、請求項1の発明の作用
に加えて、発光素子と受光部品とをビルドアップ素子と
して一体化するから、発光素子と受光部品との位置合わ
せの精度が高くなる。しかも、回路基板の表面に設けた
凹所内にビルドアップ素子の突出部分の少なくとも一部
を収納するようにしていることから、薄型化が可能にな
る。
According to a fifth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the light emitting element is mounted on the light receiving component as a build-up element, is integrated with the light receiving component, and is mounted in a recess provided on the surface of the circuit board. The light receiving component is electrically connected to the wiring pattern by flip chip bonding so as to house at least a part of the projecting portion of the build-up element, and in addition to the effect of the invention of claim 1, Since the light emitting element and the light receiving component are integrated as a build-up element, the positioning accuracy between the light emitting element and the light receiving component is increased. In addition, since at least a part of the protruding portion of the build-up element is accommodated in the recess provided on the surface of the circuit board, the thickness can be reduced.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下に説明する実施形態では、2
枚のリードフレームに代えて1枚の回路基板の表裏両面
に各部品を振り分けて実装する構成としたものであり、
この構成を実現するために、回路基板20の裏面側にス
イッチ素子3a,3bを実装し、回路基板20を厚み方
向に貫通するワイヤ挿通孔21,21を穿孔し、このワ
イヤ挿通孔21,21を通してスイッチ素子3a,3b
を回路基板20の表面に形成された配線パターンにワイ
ヤボンディグにより電気的に接続している。なお、以下
の説明では図7に示した回路構成を想定しているが、他
の回路構成でも同様の技術思想を適用することが可能で
ある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the embodiment described below, 2
Instead of a single lead frame, each component is distributed and mounted on both the front and back surfaces of a single circuit board.
In order to realize this configuration, the switch elements 3a and 3b are mounted on the back side of the circuit board 20, and the wire insertion holes 21 and 21 penetrating the circuit board 20 in the thickness direction are formed. Through the switch elements 3a, 3b
Are electrically connected to a wiring pattern formed on the surface of the circuit board 20 by a wire bonding. In the following description, the circuit configuration shown in FIG. 7 is assumed, but the same technical idea can be applied to other circuit configurations.

【0014】(実施形態1)本実施形態は、図1に示す
ように、表面に配線パターンを形成したセラミック基板
のような回路基板20の裏面に出力用の一対のスイッチ
素子3a,3bが実装される。両スイッチ素子3a,3
bのチップは回路基板20の裏面に接着又はダミーバン
プ8で接合され、金線又はアルミ線であるワイヤ9を用
いてワイヤボンディングが施されることにより回路基板
20表面の配線パターンに電気的に接続される。また、
両スイッチ素子3a,3bは離間して配設される。な
お、スイッチ素子3a,3bには、ゲート、ソース並び
にドレインの各電極がチップの同一面上に形成されたD
MOSFET(ラテラルDMOSFET等)を使用す
る。
(Embodiment 1) In this embodiment, as shown in FIG. 1, a pair of output switch elements 3a and 3b are mounted on the back surface of a circuit board 20 such as a ceramic substrate having a wiring pattern formed on the front surface. Is done. Both switch elements 3a, 3
The chip b is bonded to the back surface of the circuit board 20 by bonding or dummy bumps 8, and is electrically connected to a wiring pattern on the surface of the circuit board 20 by performing wire bonding using a wire 9 that is a gold wire or an aluminum wire. Is done. Also,
The two switching elements 3a and 3b are arranged apart from each other. The switch elements 3a and 3b have gate, source and drain electrodes formed on the same surface of the chip.
A MOSFET (such as a lateral DMOSFET) is used.

【0015】ここで、回路基板20には厚み方向に貫通
するワイヤ挿通孔21が設けてあり、このワイヤ挿通孔
21にワイヤ9を挿通するようにして回路基板20の裏
面に取着されたスイッチ素子3a,3bが、回路基板2
0表面の配線パターンにワイヤボンドされている(図2
参照)。一方、回路基板20の表面にはLEDから成る
発光素子1と受光部品6とが銀ペースト等を用いてダイ
ボンディングされ、金線又はアルミ線であるワイヤ7を
用いてワイヤボンディングが施されることにより回路基
板20表面の配線パターンに電気的に接続される。ま
た、発光素子1と受光部品6とは回路基板20の表面上
で離間して配設される。
Here, the circuit board 20 is provided with a wire insertion hole 21 penetrating in the thickness direction, and a switch attached to the back surface of the circuit board 20 so that the wire 9 is inserted through the wire insertion hole 21. The elements 3a and 3b are connected to the circuit board 2
0 is wire-bonded to the wiring pattern on the surface (see FIG. 2).
reference). On the other hand, the light emitting element 1 composed of an LED and the light receiving component 6 are die-bonded to the surface of the circuit board 20 using a silver paste or the like, and the wire bonding is performed using a wire 7 that is a gold wire or an aluminum wire. With this, it is electrically connected to the wiring pattern on the surface of the circuit board 20. In addition, the light emitting element 1 and the light receiving component 6 are disposed separately on the surface of the circuit board 20.

【0016】さらに、回路基板20の表面では、透明樹
脂よりなるカプリング部材13によって発光素子1、受
光部品6及びワイヤ7,9等が封止され、このカプリン
グ部材13によって発光素子1と受光部品6とを光結合
させており、カプリング部材13の界面での反射により
発光素子1から出射された光の受光部品6への伝達効率
を高めることができる。
Further, on the surface of the circuit board 20, the light emitting element 1, the light receiving component 6, the wires 7, 9 and the like are sealed by a coupling member 13 made of a transparent resin, and the light emitting element 1 and the light receiving component 6 are sealed by the coupling member 13. Are optically coupled to each other, so that the efficiency of transmitting light emitted from the light emitting element 1 to the light receiving component 6 by reflection at the interface of the coupling member 13 can be increased.

【0017】上述のように部品を配置し電気的に接続す
るとともにカプリング部材13によって発光素子1と受
光部品6を光結合した状態で、エポキシ樹脂等を用いた
アンダフィル部材15で覆うことによって、発光素子
1、受光部品6並びにワイヤ7,9を封止固定する。な
お、スイッチ素子3a,3bへの発光素子1からの光や
外光の影響を低減するためにアンダフィル部材15は不
透明樹脂であるのが望ましい。
By arranging and electrically connecting the components as described above and covering the light emitting element 1 and the light receiving component 6 with the coupling member 13 in an optically coupled state, the light emitting element 1 and the light receiving component 6 are covered with an underfill member 15 made of epoxy resin or the like. The light emitting element 1, the light receiving component 6, and the wires 7, 9 are sealed and fixed. The underfill member 15 is preferably made of an opaque resin in order to reduce the influence of light from the light emitting element 1 and external light on the switch elements 3a and 3b.

【0018】上述した構成によって、1枚の回路基板2
0にすべての部品が配置されるから、従来構成に比較し
て厚み寸法(図1の上下方向の寸法)を小さくすること
が可能になる。また、回路基板20に穿孔されたワイヤ
挿通孔21を通してスイッチ素子3a,3bがワイヤボ
ンディングされているため、回路基板20の表面に発光
素子1や受光部品6と一緒にスイッチ素子3a,3bを
実装する場合に比較して小面積化が可能になる。しか
も、リードフレームを用いていないことによってアンダ
フィル部材15を適用する際に発光素子1と受光部品6
との位置ずれが生じることがない。
With the above configuration, one circuit board 2
Since all parts are arranged at 0, the thickness dimension (the dimension in the vertical direction in FIG. 1) can be reduced as compared with the conventional configuration. Since the switch elements 3a and 3b are wire-bonded through the wire insertion holes 21 formed in the circuit board 20, the switch elements 3a and 3b are mounted on the surface of the circuit board 20 together with the light emitting element 1 and the light receiving component 6. This makes it possible to reduce the area as compared with the case of performing the above. In addition, since the lead frame is not used, when the underfill member 15 is applied, the light emitting element 1
Does not occur.

【0019】(実施形態2)本実施形態は、図3に示す
ように、回路基板20に発光素子1を収納し実装する凹
所20aを形成し、凹所20a内の発光素子1と対向す
るように受光部品6を凹所20aを跨いで配置したもの
である。発光素子1は銀ペースト14を用いて凹所20
aの底面にダイボンドされる。また、受光部品6は回路
基板20に対してバンプ22を介してフリップチップボ
ンディングにより接続されている。つまり、受光部品6
と回路基板20とをワイヤボンディングを用いずに接続
している。さらに、凹所20a内を含む発光素子1と受
光部品6が対向する空間には、透光樹脂から成るカプリ
ング部材13が充填されている。そして、エポキシ樹脂
等を用いたアンダフィル部材15で受光部品6の少なく
とも一部とワイヤ9とを覆うことによって、受光部品6
並びにワイヤ9を封止固定する。なお、他の構成は実施
形態1と同様であり、回路基板20裏面に実装されたス
イッチ素子3a,3bが、回路基板20に穿孔されたワ
イヤ挿通孔21に挿通されたワイヤ9で回路基板20表
面の配線パターンにワイヤボンドされている。
(Embodiment 2) In this embodiment, as shown in FIG. 3, a recess 20a for accommodating and mounting the light emitting element 1 is formed on the circuit board 20, and faces the light emitting element 1 in the recess 20a. As described above, the light receiving component 6 is arranged so as to straddle the recess 20a. The light emitting element 1 is formed by using a silver paste
A is die-bonded to the bottom of a. The light receiving component 6 is connected to the circuit board 20 via the bump 22 by flip chip bonding. That is, the light receiving component 6
And the circuit board 20 are connected without using wire bonding. Further, a space including the inside of the recess 20a where the light emitting element 1 and the light receiving component 6 face each other is filled with a coupling member 13 made of a light transmitting resin. Then, at least a part of the light receiving component 6 and the wire 9 are covered with an underfill member 15 using an epoxy resin or the like, so that the light receiving component 6
In addition, the wire 9 is sealed and fixed. The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the switch elements 3a and 3b mounted on the back surface of the circuit board 20 are connected to the circuit board 20 by the wires 9 inserted through the wire insertion holes 21 formed in the circuit board 20. Wire-bonded to the wiring pattern on the surface.

【0020】本実施形態では、回路基板20に凹所20
aを形成しているから、回路基板20の厚みが実施形態
1と同じであるとすれば、実施形態1よりもさらに厚み
寸法を低減することが可能である。なお、凹所20aの
内周面に反射板を設けたり、内周面をメッキコートすれ
ば、発光素子1からの光の集光量をさらに大きくして、
発光素子1から出射された光の利用効率をさらに高める
ことができる。
In the present embodiment, the recess 20 is formed in the circuit board 20.
Since a is formed, if the thickness of the circuit board 20 is the same as in the first embodiment, the thickness dimension can be further reduced than in the first embodiment. If a reflector is provided on the inner peripheral surface of the recess 20a or the inner peripheral surface is plated, the amount of light condensed from the light emitting element 1 can be further increased.
The utilization efficiency of light emitted from the light emitting element 1 can be further increased.

【0021】(実施形態3)本実施形態においては、図
4に示すように発光素子1が受光部品6にビルドアップ
素子として実装されて受光部品6と一体化されている。
図5に示すように、受光部品6の上面には、フォトダイ
オードアレイないし太陽電池アレイよりなる受光素子の
受光部6a,6aと、両受光部6a,6bの間に発光ダ
イオードから成る発光素子1用のボンディングパッド6
b,6bと、四隅に電極6c,6c,6d,6dとが形
成されている。また、片側の両隅に形成されている電極
6d,6dが導電パターンによってそれぞれボンディン
グパッド6b,6bに接続されている。而して、発光素
子1が両ボンディングパッド6b,6bに跨がるように
受光部品6の上面に積層され、銀ペースト14のような
導電性接着剤を用いて発光素子1の電極1a,1aがそ
れぞれボンディングパッド6b,6bにダイボンドされ
て、発光素子1の電極1a,1aがボンディングパッド
6b,6bから導電パターンを介して各電極6d,6d
に電気的に接続される。このような発光素子1と受光部
品6とが積層されて一体に結合されたものをビルドアッ
プ素子と呼んでいる。
(Embodiment 3) In this embodiment, as shown in FIG. 4, the light emitting element 1 is mounted on the light receiving component 6 as a build-up element and is integrated with the light receiving component 6.
As shown in FIG. 5, on the upper surface of the light receiving component 6, light receiving sections 6a, 6a of a light receiving element formed of a photodiode array or a solar cell array, and a light emitting element 1 formed of a light emitting diode between both light receiving sections 6a, 6b. Bonding pad 6
b, 6b and electrodes 6c, 6c, 6d, 6d at four corners. Also, electrodes 6d, 6d formed at both corners on one side are connected to bonding pads 6b, 6b by conductive patterns, respectively. Thus, the light emitting element 1 is laminated on the upper surface of the light receiving component 6 so as to straddle both bonding pads 6b, 6b, and the electrodes 1a, 1a of the light emitting element 1 are formed using a conductive adhesive such as silver paste 14. Are respectively die-bonded to the bonding pads 6b, 6b, and the electrodes 1a, 1a of the light emitting element 1 are connected to the respective electrodes 6d, 6d from the bonding pads 6b, 6b via conductive patterns.
Is electrically connected to Such a light-emitting element 1 and the light-receiving component 6 that are stacked and integrally connected are called a build-up element.

【0022】上述のように構成されたビルドアップ素子
としての受光部品6’が、図4に示すように銀ペースト
で回路基板20の表面にダイボンドされ、さらに回路基
板20表面の配線パターンに受光部品6’の各電極6
c,6c,6d,6dがワイヤ7によりワイヤボンドさ
れて電気的に接続される。さらに、回路基板20の表面
では、透明樹脂よりなるカプリング部材13によって受
光部品6’及びワイヤ7,9等が封止され、このカプリ
ング部材13によって受光部品6’の発光素子1と受光
部6a,6aとを光結合させており、カプリング部材1
3の界面での反射により発光素子1から出射された光の
受光部6a,6aへの伝達効率を高めることができる。
The light-receiving component 6 'as a build-up element constructed as described above is die-bonded to the surface of the circuit board 20 with a silver paste as shown in FIG. 6 'each electrode 6
The wires c, 6c, 6d, and 6d are wire-bonded by wires 7 and are electrically connected. Further, on the surface of the circuit board 20, the light receiving component 6 'and the wires 7, 9 and the like are sealed by a coupling member 13 made of a transparent resin, and the light emitting element 1 and the light receiving portion 6a of the light receiving component 6' are sealed by the coupling member 13. 6a and the coupling member 1
The transmission efficiency of the light emitted from the light emitting element 1 to the light receiving portions 6a, 6a due to the reflection at the interface of No. 3 can be increased.

【0023】上述のように部品を配置し電気的に接続す
るとともにカプリング部材13によって発光素子1と受
光部6a,6aを光結合した状態で、エポキシ樹脂等を
用いたアンダフィル部材15でカプリング部材13の表
面を覆うことによって、受光部品6’並びにワイヤ7,
9を封止固定する。なお、他の構成は実施形態1と同様
であり、回路基板20裏面に実装されたスイッチ素子3
a,3bが、回路基板20に穿孔されたワイヤ挿通孔2
1に挿通されたワイヤ9で回路基板20表面の配線パタ
ーンにワイヤボンドされている。
With the components arranged and electrically connected as described above, and the light emitting element 1 and the light receiving portions 6a, 6a optically coupled by the coupling member 13, the underfill member 15 using an epoxy resin or the like is used to couple the coupling member. 13, the light receiving component 6 'and the wires 7,
9 is sealed and fixed. The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the switch element 3 mounted on the back surface of the circuit board 20
a, 3b are wire insertion holes 2 formed in the circuit board 20;
The wire 9 is wire-bonded to the wiring pattern on the surface of the circuit board 20 by the wires 9 inserted into the wire.

【0024】上述のように本実施形態では、発光素子1
と受光部品6とがビルドアップ素子として一体化されて
いるので、発光素子1と受光部品6の受光部6a,6a
との位置合わせの精度が高くなる。しかも、実施形態1
のように回路基板20の表面に発光素子1と受光部品6
を実装する場合に比較して小面積化が可能になる。 (実施形態4)本実施形態では、図6に示すように、実
施形態3で説明したようにビルドアップ素子として一体
化された受光部品6’の発光素子1の部分を回路基板2
0に形成した凹所20a内に収納し、受光部品6’を回
路基板20に対してバンプ22を介してフリップチップ
ボンディングにより接続している。さらに、凹所20a
内に透光樹脂から成るカプリング部材13を充填すると
ともに、エポキシ樹脂等を用いたアンダフィル部材15
で受光部品6’の少なくとも一部とワイヤ9とを覆うこ
とによって、受光部品6’並びにワイヤ9を封止固定す
る。なお、他の構成は実施形態1と同様であり、回路基
板20裏面に実装されたスイッチ素子3a,3bが、回
路基板20に穿孔されたワイヤ挿通孔21に挿通された
ワイヤ9で回路基板20表面の配線パターンにワイヤボ
ンドされている。
As described above, in the present embodiment, the light emitting element 1
And the light receiving part 6 are integrated as a build-up element, so that the light emitting element 1 and the light receiving portions 6a, 6a of the light receiving part 6 are integrated.
And the accuracy of the alignment is increased. Moreover, Embodiment 1
The light emitting element 1 and the light receiving component 6 are provided on the surface of the circuit board 20 as shown in FIG.
Can be reduced in area as compared with the case of mounting. (Embodiment 4) In this embodiment, as shown in FIG. 6, the light emitting element 1 of the light receiving component 6 'integrated as a build-up element as described in Embodiment 3 is replaced with the circuit board 2
The light receiving component 6 ′ is housed in the recess 20 a formed at 0 and is connected to the circuit board 20 via the bump 22 by flip chip bonding. Further, the recess 20a
Is filled with a coupling member 13 made of a translucent resin, and an underfill member 15 made of an epoxy resin or the like.
By covering at least a part of the light receiving component 6 'with the wire 9, the light receiving component 6' and the wire 9 are sealed and fixed. The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the switch elements 3a and 3b mounted on the back surface of the circuit board 20 are replaced by the wires 9 inserted through the wire insertion holes 21 formed in the circuit board 20. Wire-bonded to the wiring pattern on the surface.

【0025】本実施形態では、回路基板20に形成した
凹所20a内にビルドアップ素子として一体化された受
光部品6’の発光素子1の部分を収納しているから、回
路基板20の厚みが実施形態3と同じであるとすれば、
実施形態3よりも厚み寸法を低減することが可能であ
る。なお、凹所20aの内周面に反射板を設けたり、内
周面をメッキコートすれば、発光素子1からの光の集光
量をさらに大きくして、発光素子1から出射された光の
利用効率をさらに高めることができる。
In this embodiment, the light-emitting element 1 of the light-receiving component 6 'integrated as a build-up element is housed in the recess 20a formed in the circuit board 20, so that the thickness of the circuit board 20 is reduced. If it is the same as the third embodiment,
The thickness dimension can be reduced as compared with the third embodiment. If a reflector is provided on the inner peripheral surface of the recess 20a or the inner peripheral surface is plated, the amount of light condensed from the light emitting element 1 can be further increased, and the light emitted from the light emitting element 1 can be used. Efficiency can be further increased.

【0026】上述した各実施形態では、図7に示した回
路構成に対応した構造を示したが、従来構成としても説
明したように、直流用であれば出力用のスイッチ素子を
1個だけ設けてもよい。
In each of the above-described embodiments, a structure corresponding to the circuit configuration shown in FIG. 7 has been described. However, as described above, only one switch element for output is provided for DC. You may.

【0027】[0027]

【発明の効果】請求項1の発明は、発光素子に光結合さ
れた受光部品の出力によりスイッチ素子がオンオフされ
る半導体リレーであって、表面に配線パターンが形成さ
れた回路基板の該表面に上記発光素子及び受光部品が実
装され各々配線パターンと電気的に接続されるととも
に、回路基板の裏面に上記スイッチ素子が実装され、回
路基板に穿孔されたワイヤ挿通孔を通して上記スイッチ
素子が回路基板表面の上記配線パターンにワイヤボンデ
ィングにより電気的に接続されて成り、また、請求項2
の発明は、上記発光素子及び受光部品が回路基板表面の
上記配線パターンにワイヤボンディングにより電気的に
接続され、上記発光素子と受光部品とが透光性を有する
樹脂により光結合されるとともに、少なくとも上記発光
素子及び受光部品並びにワイヤ挿通孔を通って回路基板
表面に露出する上記ワイヤが樹脂封止されて成るので、
1枚の回路基板の表裏両面に部品を載せているから、2
枚のリードフレームを用いる場合に比較すると、薄型化
が可能になり、表面実装用のリードを設けている従来構
成に比較すると小面積化も可能になるという効果があ
る。しかも、回路基板に穿孔されたワイヤ挿通孔を通し
てスイッチ素子がワイヤボンディングされているために
回路基板の表面に発光素子や受光部品と一緒にスイッチ
素子を実装する場合に比較して小面積化が可能になり、
さらに、リードフレームを用いていないことによって、
リードフレームの曲がりによる不良品の発生が少なくな
り、歩留りが向上するという効果がある。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor relay in which a switching element is turned on / off by an output of a light receiving element optically coupled to a light emitting element, wherein the semiconductor element has a wiring pattern formed on the surface thereof. The light emitting element and the light receiving component are mounted and electrically connected to the respective wiring patterns, the switch element is mounted on the back surface of the circuit board, and the switch element is mounted on the circuit board surface through a wire insertion hole formed in the circuit board. And electrically connected to said wiring pattern by wire bonding.
In the invention, the light emitting element and the light receiving component are electrically connected to the wiring pattern on the circuit board surface by wire bonding, and the light emitting element and the light receiving component are optically coupled by a resin having a light transmitting property. Since the wire exposed on the circuit board surface through the light emitting element and the light receiving component and the wire insertion hole is formed by resin sealing,
Since parts are placed on both sides of one circuit board, 2
As compared with the case where a single lead frame is used, there is an effect that the thickness can be reduced and the area can be reduced as compared with the conventional configuration in which the leads for surface mounting are provided. In addition, since the switch element is wire-bonded through the wire insertion hole drilled in the circuit board, the area can be reduced compared to the case where the switch element is mounted together with the light-emitting element and light-receiving component on the surface of the circuit board. become,
Furthermore, by not using a lead frame,
This has the effect of reducing the occurrence of defective products due to the bending of the lead frame and improving the yield.

【0028】請求項3の発明は、上記回路基板の表面に
設けた凹所内に発光素子が実装され上記配線パターンに
電気的に接続され、上記発光素子と対向するように上記
受光部品がフリップチップボンディングにより上記配線
パターンに電気的に接続されるとともに、上記発光素子
と受光部品が対向する空間に透光性を有するカプリング
部材が充填され、且つ少なくともワイヤ挿通孔を通って
回路基板表面に露出する上記ワイヤが樹脂封止されて成
るので、請求項1の発明の効果に加えて、発光素子が回
路基板の凹所内に実装されることでさらなる薄型化が図
れるという効果がある。
According to a third aspect of the present invention, a light emitting element is mounted in a recess provided on the surface of the circuit board, is electrically connected to the wiring pattern, and the light receiving component is flip-chip so as to face the light emitting element. While being electrically connected to the wiring pattern by bonding, a space where the light emitting element and the light receiving component face each other is filled with a translucent coupling member, and is exposed on the surface of the circuit board through at least the wire insertion hole. Since the wires are sealed with resin, in addition to the effect of the first aspect of the present invention, there is an effect that the light emitting element is mounted in the recess of the circuit board so that the thickness can be further reduced.

【0029】請求項4の発明は、上記発光素子が受光部
品にビルドアップ素子として実装されて受光部品と一体
化され、該受光部品がワイヤボンディングにより上記配
線パターンに電気的に接続されるとともに、一体化され
た上記発光素子と受光部品とが透光性を有する樹脂によ
り光結合され、且つ少なくとも上記受光部品及びワイヤ
挿通孔を通って回路基板表面に露出する上記ワイヤが樹
脂封止されて成るので、請求項1の発明の効果に加え
て、発光素子と受光部品とをビルドアップ素子として一
体化するから、発光素子と受光部品との位置合わせの精
度が高くなるという効果がある。
According to a fourth aspect of the present invention, the light emitting element is mounted on the light receiving component as a build-up element and integrated with the light receiving component, and the light receiving component is electrically connected to the wiring pattern by wire bonding. The integrated light emitting element and the light receiving component are optically coupled with a resin having a light transmitting property, and the wire exposed at least on the circuit board surface through the light receiving component and the wire insertion hole is resin-sealed. Therefore, in addition to the effect of the first aspect, since the light emitting element and the light receiving component are integrated as a build-up element, there is an effect that the accuracy of alignment between the light emitting element and the light receiving component is increased.

【0030】請求項5の発明は、上記発光素子が受光部
品にビルドアップ素子として実装されて受光部品と一体
化され、上記回路基板の表面に設けた凹所内に上記ビル
ドアップ素子の突出部分の少なくとも一部を収納するよ
うにして受光部品がフリップチップボンディングにより
上記配線パターンに電気的に接続されて成るので、請求
項1の発明の効果に加えて、発光素子と受光部品とをビ
ルドアップ素子として一体化するから、発光素子と受光
部品との位置合わせの精度が高くなり、しかも、回路基
板の表面に設けた凹所内にビルドアップ素子の突出部分
の少なくとも一部を収納するようにしていることから、
薄型化が可能になるという効果がある。
According to a fifth aspect of the present invention, the light emitting element is mounted on the light receiving component as a build-up element, is integrated with the light receiving component, and the projecting portion of the build-up element is provided in a recess provided on the surface of the circuit board. The light-receiving element is electrically connected to the wiring pattern by flip-chip bonding so as to house at least a part thereof. As a result, the alignment accuracy between the light emitting element and the light receiving component is increased, and at least a part of the projecting portion of the build-up element is housed in a recess provided on the surface of the circuit board. From that
There is an effect that the thickness can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態1を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing Embodiment 1 of the present invention.

【図2】同上の要部を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a main part of the above.

【図3】本発明の実施形態2を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing Embodiment 2 of the present invention.

【図4】本発明の実施形態3を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing Embodiment 3 of the present invention.

【図5】同上における発光素子と受光部品とを積層した
ビルドアップ素子を示し、(a)は分解斜視図、(b)
は斜視図である。
5A and 5B show a build-up device in which a light-emitting device and a light-receiving component are stacked, and FIG. 5A is an exploded perspective view and FIG.
Is a perspective view.

【図6】本発明の実施形態4を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a fourth embodiment of the present invention.

【図7】従来例を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing a conventional example.

【図8】従来例を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 発光素子 3a,3b スイッチ素子 6 受光部品 8 ダミーバンプ 9 ワイヤ 20 回路基板 21 ワイヤ挿通孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light emitting element 3a, 3b switch element 6 Light receiving component 8 Dummy bump 9 Wire 20 Circuit board 21 Wire insertion hole

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光素子に光結合された受光部品の出力
によりスイッチ素子がオンオフされる半導体リレーであ
って、表面に配線パターンが形成された回路基板の該表
面に上記発光素子及び受光部品が実装され各々配線パタ
ーンと電気的に接続されるとともに、回路基板の裏面に
上記スイッチ素子が実装され、回路基板に穿孔されたワ
イヤ挿通孔を通して上記スイッチ素子が回路基板表面の
上記配線パターンにワイヤボンディングにより電気的に
接続されて成ることを特徴とする半導体リレー。
1. A semiconductor relay in which a switch element is turned on and off by an output of a light receiving element optically coupled to a light emitting element, wherein the light emitting element and the light receiving element are provided on a surface of a circuit board having a wiring pattern formed on the surface. The switch element is mounted on the back surface of the circuit board while being electrically connected to the wiring pattern, and the switch element is wire-bonded to the wiring pattern on the surface of the circuit board through a wire insertion hole formed in the circuit board. A semiconductor relay characterized by being electrically connected by:
【請求項2】 上記発光素子及び受光部品が回路基板表
面の上記配線パターンにワイヤボンディングにより電気
的に接続され、上記発光素子と受光部品とが透光性を有
する樹脂により光結合されるとともに、少なくとも上記
発光素子及び受光部品並びにワイヤ挿通孔を通って回路
基板表面に露出する上記ワイヤが樹脂封止されて成るこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体リレー。
2. The light emitting element and the light receiving component are electrically connected to the wiring pattern on the surface of the circuit board by wire bonding, and the light emitting element and the light receiving component are optically coupled by a resin having a light transmitting property. 2. The semiconductor relay according to claim 1, wherein at least the wire exposed on the circuit board surface through the light emitting element, the light receiving component, and the wire insertion hole is resin-sealed.
【請求項3】 上記回路基板の表面に設けた凹所内に発
光素子が実装され上記配線パターンに電気的に接続さ
れ、上記発光素子と対向するように上記受光部品がフリ
ップチップボンディングにより上記配線パターンに電気
的に接続されるとともに、上記発光素子と受光部品が対
向する空間に透光性を有するカプリング部材が充填さ
れ、且つ少なくともワイヤ挿通孔を通って回路基板表面
に露出する上記ワイヤが樹脂封止されて成ることを特徴
とする請求項1記載の半導体リレー。
3. A light emitting element is mounted in a recess provided on a surface of the circuit board and is electrically connected to the wiring pattern, and the light receiving component is flip-chip bonded to the light receiving component so as to face the light emitting element. And a space where the light emitting element and the light receiving component face each other is filled with a light-transmitting coupling member, and at least the wire exposed through the wire insertion hole to the circuit board surface is sealed with a resin. The semiconductor relay according to claim 1, wherein the semiconductor relay is stopped.
【請求項4】 上記発光素子が受光部品にビルドアップ
素子として実装されて受光部品と一体化され、該受光部
品がワイヤボンディングにより上記配線パターンに電気
的に接続されるとともに、一体化された上記発光素子と
受光部品とが透光性を有する樹脂により光結合され、且
つ少なくとも上記受光部品及びワイヤ挿通孔を通って回
路基板表面に露出する上記ワイヤが樹脂封止されて成る
ことを特徴とする請求項1記載の半導体リレー。
4. The light-emitting device is mounted on a light-receiving component as a build-up device and is integrated with the light-receiving component, and the light-receiving component is electrically connected to the wiring pattern by wire bonding and integrated. The light emitting element and the light receiving component are optically coupled by a resin having a light transmitting property, and at least the wire exposed on the circuit board surface through the light receiving component and the wire insertion hole is resin-sealed. The semiconductor relay according to claim 1.
【請求項5】 上記発光素子が受光部品にビルドアップ
素子として実装されて受光部品と一体化され、上記回路
基板の表面に設けた凹所内に上記ビルドアップ素子の突
出部分の少なくとも一部を収納するようにして受光部品
がフリップチップボンディングにより上記配線パターン
に電気的に接続されて成ることを特徴とする請求項1記
載の半導体リレー。
5. The light-emitting element is mounted on a light-receiving component as a build-up element, is integrated with the light-receiving component, and accommodates at least a part of a protruding portion of the build-up element in a recess provided on a surface of the circuit board. 2. The semiconductor relay according to claim 1, wherein the light receiving component is electrically connected to the wiring pattern by flip chip bonding.
JP10028498A 1998-03-26 1998-03-26 Semiconductor relay Pending JPH11284221A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10028498A JPH11284221A (en) 1998-03-26 1998-03-26 Semiconductor relay

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10028498A JPH11284221A (en) 1998-03-26 1998-03-26 Semiconductor relay

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11284221A true JPH11284221A (en) 1999-10-15

Family

ID=14269903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10028498A Pending JPH11284221A (en) 1998-03-26 1998-03-26 Semiconductor relay

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11284221A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101168973B1 (en) Semiconductor device
JP5865859B2 (en) Optical coupling device
JP7240148B2 (en) optical coupler
JP3851418B2 (en) Infrared data communication module
JP2000232235A (en) Semiconductor device
US6897485B2 (en) Device for optical and/or electrical data transmission and/or processing
JP3684823B2 (en) Semiconductor relay
JP3505986B2 (en) Semiconductor relay
JPH11284221A (en) Semiconductor relay
JP2002359392A (en) Semiconductor relay
TWI551045B (en) Photo relay
JP3622460B2 (en) Semiconductor relay
JP4337237B2 (en) Semiconductor relay
JP7292241B2 (en) Semiconductor device and its manufacturing method
TWI708085B (en) Electronic device
JPH11195973A (en) Semiconductor device and two-way optical mos relay using it
JP2004063764A (en) Optically coupled semiconductor device and manufacturing method thereof
JPH11163392A (en) Semiconductor relay
JPH1070306A (en) Optically coupled relay device
JP2001326381A (en) Semiconductor relay
JPH11163394A (en) Semiconductor relay
JPH04132273A (en) Semiconductor optical coupler
JPH0645636A (en) Photodetection and light-emitting element and photodetection and light-emitting device utilizing it
JP2004103654A (en) Optically coupled semiconductor device and its manufacturing method
JP2002359393A (en) Semiconductor relay

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040223

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041109

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050329