JPH11283939A - Dicing method - Google Patents

Dicing method

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JPH11283939A
JPH11283939A JP8551398A JP8551398A JPH11283939A JP H11283939 A JPH11283939 A JP H11283939A JP 8551398 A JP8551398 A JP 8551398A JP 8551398 A JP8551398 A JP 8551398A JP H11283939 A JPH11283939 A JP H11283939A
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work
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the generation of a chip, when cutting a semiconductor substrate with a step on a rear surface by covering the one surface side of a work with the step at the one surface side for eliminating the step, and by cutting the work for dividing. SOLUTION: To eliminate a step due to a rear-surface electrode 5 of a semiconductor substrate 1, a rear surface 1a is covered with a convering film 14. For the covering film 14, the mixture of novolac resin and an organic solvent or the mixture of cyclized rubber and the organic solvent such as photoresist are used. The photoresist has solubility with respect to the organic solvent, such as acetone or an exclusive release solvent. Then, the semiconductor substrate 1 is placed on an adhesive 9 so that the rear surface 1a faces down. The semiconductor substrate 1 being fixed in this manner is cut for dividing into a plurality of cells. After dividing, the cells are dipped into the organic solvent or the release solvent, thus making the covering film 14 to be melted into solution for removal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表面に凹凸が形成
されたワークを複数のデバイスに分割する際のダイシン
グ法に関し、特に半導体基板上の電極が形成される太陽
電池セルを製造する際のダイシング法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing method for dividing a work having an uneven surface into a plurality of devices, and more particularly to a dicing method for manufacturing a solar cell on which electrodes on a semiconductor substrate are formed. Related to the dicing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、人工衛星や宇宙ステーション等の
電源には、例えばフレキシブル基板上に貼り付けられた
薄型太陽電池セルが使用されている。この太陽電池セル
は、軽量であることが望ましく、太陽電池セルの厚さも
0.05〜0.2mm程度とされ、これに0.05〜
0.2mm程度の厚さのカバーガラスが貼られたものが
使用されている。
2. Description of the Related Art In recent years, as a power source for an artificial satellite, a space station, or the like, for example, a thin solar cell attached to a flexible substrate has been used. The solar cell is desirably lightweight, and the thickness of the solar cell is also set to about 0.05 to 0.2 mm.
A cover glass having a thickness of about 0.2 mm is used.

【0003】このような宇宙環境で使用される太陽電池
セルの代表的な構造を図3に示す。1は半導体基板、2
は拡散層、3は表面電極、4は反射防止膜、5は裏面電
極、6はシリコン酸化膜である。裏面電極5は、半導体
基板1側から順にアルミニウム,銀あるいはアルミニウ
ム,チタン,パラジウム,銀といった複数の金属膜で形
成されている。このアルミニウムは太陽光吸収率を改善
するためのものである。
FIG. 3 shows a typical structure of a solar cell used in such a space environment. 1 is a semiconductor substrate, 2
Is a diffusion layer, 3 is a front electrode, 4 is an antireflection film, 5 is a back electrode, and 6 is a silicon oxide film. The back electrode 5 is formed of a plurality of metal films such as aluminum, silver or aluminum, titanium, palladium, and silver in order from the semiconductor substrate 1 side. This aluminum is for improving the solar absorptivity.

【0004】この太陽電池セルは、宇宙空間での環境に
耐えるだけでなく、人工衛星が宇宙空間に打ち上げられ
るまでの環境にも耐えることが必要である。ところで、
地上環境で使用する場合、特に問題となるのが電極材料
の腐食である。受光面側の表面電極3はカバーガラスで
保護されているため問題はないが、裏面電極5は露出し
ているため腐食されやすい。そこで、図4に示すよう
に、アルミニウムが直接露出しないように、アルミニウ
ムの上に形成される他の金属膜7で覆われている。
[0004] The solar cell must withstand not only the environment in outer space but also the environment until the artificial satellite is launched into outer space. by the way,
When used in a terrestrial environment, a particular problem is corrosion of the electrode material. There is no problem because the front surface electrode 3 on the light receiving surface side is protected by the cover glass, but the back surface electrode 5 is exposed and easily corroded. Therefore, as shown in FIG. 4, the aluminum is covered with another metal film 7 formed on the aluminum so as not to be directly exposed.

【0005】次に、上記構造の太陽電池セルの製造工程
は、図5,6に示すように、以下の通りである。 (1)例えばp型の半導体基板1の裏面1aに熱酸化等
によりシリコン酸化膜6を形成する。 (2)気相拡散法、塗付拡散法あるいはイオン注入法に
よって、半導体基板1にn型の拡散層2を形成して、p
n接合を形成する。 (3)半導体基板1の裏面1aに所定の領域が開口する
ようにマスクして、フォトエッチングにより酸化膜6の
窓開けを行う。 (4)半導体基板1の表面に、銀等の蒸着により表面電
極3を短冊状に形成する。 (5)円板状の半導体基板1の周縁をダイシングソーに
より切断して、半導体基板1を矩形にする。 (6)半導体基板1の裏面1aに、個々の太陽電池セル
に対応するようにアルミニウム,銀等の蒸着により裏面
電極5を形成する。 (7)半導体基板1の表面全体に、二酸化チタン等の材
料を蒸着し、反射防止膜4を形成する。 (8)半導体基板1をダイシングソーによりダイシング
ラインLに沿って切断して、太陽電池セルに分割する。
[0005] Next, as shown in FIGS. 5 and 6, a manufacturing process of the solar cell having the above structure is as follows. (1) For example, a silicon oxide film 6 is formed on the back surface 1a of a p-type semiconductor substrate 1 by thermal oxidation or the like. (2) An n-type diffusion layer 2 is formed on a semiconductor substrate 1 by a gas phase diffusion method, a coating diffusion method or an ion implantation method,
An n-junction is formed. (3) A mask is formed on the back surface 1a of the semiconductor substrate 1 so that a predetermined region is opened, and a window of the oxide film 6 is opened by photoetching. (4) The surface electrode 3 is formed in a strip shape on the surface of the semiconductor substrate 1 by vapor deposition of silver or the like. (5) The periphery of the disc-shaped semiconductor substrate 1 is cut by a dicing saw to make the semiconductor substrate 1 rectangular. (6) A back electrode 5 is formed on the back surface 1a of the semiconductor substrate 1 by vapor deposition of aluminum, silver, or the like so as to correspond to individual solar cells. (7) A material such as titanium dioxide is deposited on the entire surface of the semiconductor substrate 1 to form an antireflection film 4. (8) The semiconductor substrate 1 is cut along a dicing line L by a dicing saw and divided into solar cells.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】太陽電池セルの製造工
程において、半導体基板1から複数のセルを切り出すた
めには通常ダイシングを行う。一般的なダイシング法で
は、図7,8に示すように、ハンドリング装置または搬
送装置での搬送のためのフレーム8に固定用の粘着テー
プ9を貼り付ける。フレーム8には、半導体基板1より
大きい開口10が形成されており、この開口10を通し
て粘着テープ9の上に半導体基板1の裏面1aを貼り付
けて固定する。そして、ダイシング台11上で半導体基
板1のダイシングラインLの位置を合わせた後、ダイヤ
モンドブレード12により半導体基板1の表面側から切
断する。なお、図中表面電極等は省略している(以下、
同様)。
In the process of manufacturing a solar cell, dicing is usually performed to cut out a plurality of cells from the semiconductor substrate 1. In a general dicing method, as shown in FIGS. 7 and 8, a fixing adhesive tape 9 is attached to a frame 8 to be transported by a handling device or a transport device. An opening 10 larger than the semiconductor substrate 1 is formed in the frame 8, and the back surface 1 a of the semiconductor substrate 1 is attached and fixed on the adhesive tape 9 through the opening 10. Then, after the position of the dicing line L of the semiconductor substrate 1 is adjusted on the dicing table 11, the semiconductor substrate 1 is cut from the front side of the semiconductor substrate 1 by the diamond blade 12. In the drawings, surface electrodes and the like are omitted (hereinafter, referred to as “surface electrodes”).
Similar).

【0007】通常の太陽電池セルの場合は、半導体基板
1の厚さの1/2〜2/3程度の深さまで切断した後、
素子を分割する方法(ハーフダイス)を使用することが
多い。しかし、100μm以下の厚さの太陽電池セルの
場合は、ハーフダイスをした場合、基板1が薄いため、
セルの分割の際に割れることが多く、歩留まりを低下さ
せることになる。このため、薄型太陽電池セルの場合
は、半導体基板1を固定する粘着テープ9まで切断する
方法(フルダイス)を使用してダイシングを行う。
In the case of a normal solar cell, after cutting to a depth of about 1/2 to 2/3 of the thickness of the semiconductor substrate 1,
In many cases, a method of dividing the element (half die) is used. However, in the case of a solar cell having a thickness of 100 μm or less, the substrate 1 is thin when a half die is used.
In many cases, the cell is broken at the time of cell division, which lowers the yield. For this reason, in the case of a thin solar cell, dicing is performed using a method (full dice) of cutting to the adhesive tape 9 for fixing the semiconductor substrate 1.

【0008】ところで、太陽電池セルでは、裏面電極5
の耐湿性の改善のために、図4に示すような半導体基板
1の裏面1aに裏面電極5による段差ができている。し
たがって、図8に示すように、半導体基板1を粘着テー
プ9に接着すると、隣り合う裏面電極5の間において半
導体基板1は粘着テープ9に接触せず、隙間13が生じ
る。そして、ダイシングによってセルに分割するとき、
隣り合う裏面電極5の間、すなわち半導体基板1が粘着
テープ9に接着されていない箇所を切断する。
By the way, in the solar cell, the back electrode 5
In order to improve the moisture resistance of the semiconductor substrate 1, a step is formed on the back surface 1a of the semiconductor substrate 1 as shown in FIG. Therefore, as shown in FIG. 8, when the semiconductor substrate 1 is bonded to the adhesive tape 9, the semiconductor substrate 1 does not contact the adhesive tape 9 between the adjacent back electrodes 5, and a gap 13 is generated. And when dividing into cells by dicing,
A portion between the adjacent back electrodes 5, that is, a portion where the semiconductor substrate 1 is not bonded to the adhesive tape 9 is cut.

【0009】このような箇所をダイシングすると、図9
に示すように、半導体基板1の下方には隙間13がある
ため、ダイヤモンドブレード12からの応力により薄い
半導体基板1が変形して、裏面1aにチップが発生しや
すくなる。また、100μm以下の太陽電池セルの場合
はフルダイスを行うため、半導体基板1の裏面1aだけ
ではなく表面側にもチップが発生しやすくなる。チップ
があると、その場所からクラックが発生しやすくなり、
後の工程で太陽電池セルが割れやすく、歩留まりを下げ
ることになる。
When dicing such a portion, FIG.
As shown in (1), since there is a gap 13 below the semiconductor substrate 1, the thin semiconductor substrate 1 is deformed by the stress from the diamond blade 12, and chips are easily generated on the back surface 1a. Further, in the case of a solar cell having a size of 100 μm or less, since a full dice is performed, chips are easily generated not only on the back surface 1a of the semiconductor substrate 1 but also on the front surface side. If chips are present, cracks tend to occur from that location,
In a later step, the photovoltaic cells are easily broken, which lowers the yield.

【0010】なお、特開平6−132396号公報に記
載されたダイシング法においては、ワークであるウエハ
の裏面に硬質部材を印刷しておく。フレームに粘着テー
プを貼り付け、これに粘着剤付ゴム板を貼り付け、硬質
部材を間に挟んでウエハと粘着剤付ゴム板を固着させ
る。これにより、ダイシングソーによりウエハを切断し
たときのチップの発生を減少させている。しかしなが
ら、切断するワークとして、裏面が平坦なウエハを対象
としており、裏面に電極が形成されて段差が生じるよう
なワークに対しては、依然として隙間の存在は解消され
ておらず、チップやバリが発生するおそれがある。
In the dicing method described in JP-A-6-132396, a hard member is printed on the back surface of a wafer as a work. An adhesive tape is attached to the frame, an adhesive-attached rubber plate is attached thereto, and the wafer and the adhesive-attached rubber plate are fixed to each other with a hard member interposed therebetween. This reduces the generation of chips when the wafer is cut by the dicing saw. However, for a workpiece to be cut, a wafer having a flat back surface is targeted, and for a work in which an electrode is formed on the back surface and a step is generated, the existence of a gap has not yet been eliminated, and chips and burrs have not been removed. May occur.

【0011】本発明は、上記に鑑み、裏面に段差を有す
る半導体基板を切断してもチップ等の発生を防止できる
ダイシング法を提供することを目的とする。
In view of the above, it is an object of the present invention to provide a dicing method capable of preventing generation of chips and the like even when a semiconductor substrate having a step on a back surface is cut.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明による課題解決手
段は、一面側に段差を有するワークに対して、ワークの
一面側を被覆膜で覆って段差をなくしてから、ワークの
切断を行って複数のデバイスに分割するものである。そ
の際、一面側を固定部材に接着してワークを固定すると
き、まずワークの一面側を被覆膜で覆って段差をなくし
てから固定部材に固定し、ワークを一面側とは反対の他
面側から切断して複数のデバイスに分割する。
Means for Solving the Problems According to the present invention, a work having a step on one surface side is cut off after the work is covered with a coating film on one surface side to eliminate the step. To divide the data into a plurality of devices. At this time, when fixing the work by adhering the one surface to the fixing member, first remove the step by covering one surface of the work with a coating film, and then fix the work to the fixing member. Cut from the surface side and divide into multiple devices.

【0013】このように、ワークの段差をなくす被覆膜
を形成した後、ワークを固定用テープ等の固定部材に貼
り付けたり、ワークをダイシング台に直接載置したりし
て、ダイシングを行うため、ワークと固定部材あるいは
ダイシング台との間には隙間が存在せず、この隙間のな
い箇所を切断することにより、ワークに応力が加わって
もワークは変形することはなく、チップやバリの発生を
防止することができる。
After forming the coating film for eliminating the step of the work, dicing is performed by attaching the work to a fixing member such as a fixing tape or directly placing the work on a dicing table. Therefore, there is no gap between the workpiece and the fixing member or the dicing table, and by cutting a portion where there is no gap, the workpiece is not deformed even when stress is applied to the workpiece, and chips and burrs are not formed. Generation can be prevented.

【0014】ここで、ワークが太陽電池セルの半導体基
板である場合、その一面側に電極が積層されて段差が形
成されるので、半導体基板上の電極による段差をなくす
ために一面側を被覆膜で覆い、半導体基板を固定するた
めの粘着テープ等の固定部材に被覆膜が対向するように
半導体基板を載置して、半導体基板の隣り合う電極の間
を切断して複数の太陽電池セルに分割する。
Here, when the work is a semiconductor substrate of a solar battery cell, an electrode is laminated on one surface side to form a step, so that one surface is coated to eliminate the step due to the electrode on the semiconductor substrate. The semiconductor substrate is placed so that the covering film faces a fixing member such as an adhesive tape for fixing the semiconductor substrate, and the adjacent electrodes of the semiconductor substrate are cut to form a plurality of solar cells. Divide into cells.

【0015】そして、被覆膜は、溶剤によって除去可能
なノボラック樹脂と有機溶剤との混合物あるいは環化ゴ
ムと有機溶剤との混合物といったフォトレジストを用い
て形成される。この被覆膜では溶剤によって除去するこ
とができるので、ダイシング後の後工程が容易となる。
The coating film is formed using a photoresist such as a mixture of a novolak resin and an organic solvent or a mixture of a cyclized rubber and an organic solvent that can be removed by a solvent. Since this coating film can be removed by a solvent, the post-process after dicing becomes easy.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本実施形態の太陽電池セルの製造
方法について説明する。太陽電池セルの構造は、図3に
示す従来のものと同じであり、図5,6に示した製造工
程フローに従って、半導体基板1上に表面電極3および
裏面電極5が形成されて製造されるが、本実施形態で
は、半導体基板1を切断して太陽電池セルに分割すると
きのダイシング法が従来とは異なる。すなわち、図1に
示すように、半導体基板1上の裏面電極5による段差を
なくすために裏面1aを被覆膜14で覆う点である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing a solar cell according to this embodiment will be described. The structure of the solar cell is the same as the conventional one shown in FIG. 3, and is manufactured by forming the front electrode 3 and the back electrode 5 on the semiconductor substrate 1 according to the manufacturing process flow shown in FIGS. However, in the present embodiment, the dicing method when the semiconductor substrate 1 is cut and divided into solar cells is different from the conventional dicing method. That is, as shown in FIG. 1, the back surface 1a is covered with the coating film 14 in order to eliminate a step due to the back surface electrode 5 on the semiconductor substrate 1.

【0017】被覆膜14には、例えばフォトレジストに
代表されるような、ノボラック樹脂と有機溶剤の混合
物、あるいは環化ゴムと有機溶剤の混合物が使用され
る。フォトレジストは、アセトン等の有機溶剤や専用の
剥離溶剤に対して可溶性を有している。
As the coating film 14, for example, a mixture of a novolak resin and an organic solvent or a mixture of a cyclized rubber and an organic solvent, such as a photoresist, is used. The photoresist is soluble in an organic solvent such as acetone or a dedicated stripping solvent.

【0018】そして、このようなフォトレジストをスピ
ンコート法、スクリーン印刷等により半導体基板1の裏
面1aに塗布して硬化させ、被覆膜14を形成する。こ
の被覆膜14によって、半導体基板1の裏面1a全体が
覆われ、隣り合う裏面電極5の間にある隙間13が埋め
られて段差がなくなる。
Then, such a photoresist is applied to the back surface 1a of the semiconductor substrate 1 by spin coating, screen printing, or the like, and cured to form a coating film 14. The entire back surface 1a of the semiconductor substrate 1 is covered with the coating film 14, and the gap 13 between the adjacent back electrodes 5 is filled, so that a step is eliminated.

【0019】次に、裏面1aにおける段差がなくなった
半導体基板1をフレーム8に貼り付けられた粘着テープ
9の上に裏面1aが下になるように載置して、被覆膜1
4を介して半導体基板1を粘着テープ9に固着する。
Next, the semiconductor substrate 1 having no step on the back surface 1a is placed on the adhesive tape 9 attached to the frame 8 so that the back surface 1a is facing down, and the coating film 1 is formed.
The semiconductor substrate 1 is fixed to the pressure-sensitive adhesive tape 9 with the intermediary of the semiconductor substrate 1.

【0020】そして、固定された半導体基板1をダイシ
ングソーによりダイシングラインLに沿って切断して、
複数の太陽電池セルに分割する。分割された太陽電池セ
ルを有機溶剤や剥離溶剤に浸漬することによって、被覆
膜14は溶解され、半導体基板1から容易に除去でき
る。このように、溶剤に可溶性のフォトレジストを使用
すれば、被覆膜14の除去が容易となり、従来のように
粘着テープ9を剥がしたり、その後の処理作業を軽減で
きる。
Then, the fixed semiconductor substrate 1 is cut along a dicing line L by a dicing saw,
Divide into multiple solar cells. By dipping the divided solar cells in an organic solvent or a stripping solvent, the coating film 14 is dissolved and can be easily removed from the semiconductor substrate 1. As described above, if a photoresist soluble in a solvent is used, the coating film 14 can be easily removed, and the adhesive tape 9 can be peeled off and the subsequent processing work can be reduced as in the related art.

【0021】ここで、ダイシングラインLは、半導体基
板1上の隣り合う裏面電極5の間を通っているが、図2
に示すように、ダイシングソーのダイヤモンドブレード
12から応力が加わっても、半導体基板1と粘着テープ
9との間には隙間13がないので、半導体基板1は変形
することがない。そのため、粘着テープ9と接着されて
いない箇所で半導体基板1を切断するということがなく
なるので、チップの発生を大幅に減少させることができ
る。なお、フルダイスを行っても裏面電極5のない箇所
を切断しているので、バリの発生はない。
Here, the dicing line L passes between the adjacent back electrodes 5 on the semiconductor substrate 1;
As shown in (1), even if stress is applied from the diamond blade 12 of the dicing saw, the semiconductor substrate 1 is not deformed because there is no gap 13 between the semiconductor substrate 1 and the adhesive tape 9. Therefore, it is not necessary to cut the semiconductor substrate 1 at a position where the semiconductor substrate 1 is not adhered to the adhesive tape 9, so that the number of chips can be significantly reduced. In addition, even if the full dicing is performed, the portion without the back electrode 5 is cut, so that no burrs are generated.

【0022】したがって、チップの発生を防止できるた
め、後の工程で太陽電池セルが割れることが少なくな
り、歩留まりを向上させることができるとともに、チッ
プから発生するクラックがなくなり、太陽電池セルの信
頼性、品質も向上させることができる。
Therefore, the generation of chips can be prevented, so that the photovoltaic cells are less likely to be cracked in a later step, the yield can be improved, and cracks generated from the chips are eliminated, and the reliability of the photovoltaic cells is reduced. , Quality can also be improved.

【0023】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多く
の修正および変更を加え得ることは勿論である。例え
ば、上記のフォトレジスト以外の樹脂により被覆膜を形
成してもよい。さらに、半導体基板を固定する方法は、
粘着テープを用いる以外にも被覆膜上に接着剤を塗布し
て、ゴム等の支持板に接着してもよい。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it goes without saying that many modifications and changes can be made to the above-described embodiment within the scope of the present invention. For example, the coating film may be formed with a resin other than the above-described photoresist. Furthermore, the method of fixing the semiconductor substrate is as follows.
Instead of using an adhesive tape, an adhesive may be applied on the coating film and adhered to a support plate such as rubber.

【0024】また、被覆膜を除去せずにそのままに残し
ておいて、保護膜として利用するようにしてもよい。こ
れによって、被覆膜を除去する工程を不要にしながら、
太陽電池セルの保護も図れる。この場合、被覆膜とし
て、ポリイミド樹脂等を用いるとよい。
Alternatively, the coating film may be left as it is without being removed and used as a protective film. This makes it unnecessary to remove the coating film,
It can also protect solar cells. In this case, a polyimide resin or the like may be used as the coating film.

【0025】また、本発明のダイシング法は、太陽電池
セルを製造する以外に、表面に凹凸が形成されたセラミ
ックス、ガラス等のワークを固定部材に固定したり、あ
るいはワークをダイシング台に直接載置してダイシング
する場合にも利用でき、ワークとこれらの間にできる隙
間がなくなり、切断時のチップ防止に非常に効果があ
る。
The dicing method of the present invention is not limited to manufacturing a solar cell, but also fixing a work such as ceramics or glass having irregularities on its surface to a fixing member, or mounting the work directly on a dicing table. It can also be used in the case of placing and dicing, and there is no gap between the workpiece and the workpiece, which is very effective in preventing chips at the time of cutting.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、一面側に段差を有するワークに対して、ワーク
の一面側を被覆膜で覆って段差をなくすことにより、ワ
ークの固定時に生じる段差による隙間が存在しなくなる
ので、薄型のワークであっても切断時に変形することは
なく、チップやバリの発生を防止できる。したがって、
後工程でワークが割れることが少なくなり、歩留まりを
向上させることができるとともに、チップから発生する
クラックもなくなり、高信頼性、高品質のデバイスを提
供することができる。
As is clear from the above description, according to the present invention, when a work having a step on one side is covered with a coating film on one side of the work to eliminate the step, the work is fixed when the work is fixed. Since there is no gap due to the resulting step, even a thin work is not deformed at the time of cutting, and the generation of chips and burrs can be prevented. Therefore,
The work is less likely to be cracked in a later process, and the yield can be improved. In addition, cracks generated from the chip are eliminated, and a highly reliable and high quality device can be provided.

【0027】ここで、太陽電池セル用の半導体基板をワ
ークとすると、その一面側には電極による段差が形成さ
れるが、この段差をなくして切断することができるの
で、分割された太陽電池セルにはチップ等が生じず、歩
留まりが高くなり、製造コストを低減できる。しかも、
チップに起因するクラックの発生を防止でき、太陽電池
セルの信頼性の向上を図れる。
Here, when a semiconductor substrate for a solar cell is used as a work, a step due to the electrode is formed on one side of the work. Since the step can be cut without the step, the divided solar cell can be cut. No chips or the like are generated, the yield is increased, and the manufacturing cost can be reduced. Moreover,
Cracks caused by the chips can be prevented, and the reliability of the solar cell can be improved.

【0028】そして、溶剤によって除去可能なノボラッ
ク樹脂と有機溶剤との混合物あるいは環化ゴムと有機溶
剤との混合物といったフォトレジストを用いて被覆膜を
形成することにより、被覆膜の除去を容易に行える。し
たがって、ダイシング後に洗浄を兼ねて被覆膜の除去を
行えば、製造コストの低減にもなる。
Then, the coating film is formed using a photoresist such as a mixture of a novolak resin and an organic solvent or a mixture of a cyclized rubber and an organic solvent which can be removed by a solvent. Can be done. Therefore, if the coating film is removed after the dicing while also performing the cleaning, the manufacturing cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態のダイシングを行う半導体
基板を固定した状態を示す概略断面図
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a state in which a semiconductor substrate to be diced according to an embodiment of the present invention is fixed.

【図2】ダイシング時の半導体基板を示す概略断面図FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor substrate during dicing.

【図3】太陽電池セルの断面図FIG. 3 is a cross-sectional view of a solar cell.

【図4】裏面電極の拡大断面図FIG. 4 is an enlarged sectional view of a back electrode.

【図5】太陽電池セルの製造工程のフローを示す断面図
および平面図
FIG. 5 is a cross-sectional view and a plan view showing a flow of a manufacturing process of a solar cell.

【図6】太陽電池セルの製造工程のフローを示す断面図
および平面図
FIG. 6 is a cross-sectional view and a plan view illustrating a flow of a manufacturing process of a solar cell.

【図7】従来のダイシングを行う半導体基板を固定した
状態を示す概略断面図
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a conventional semiconductor substrate for dicing is fixed.

【図8】従来のダイシング前の半導体基板を示す概略断
面図
FIG. 8 is a schematic sectional view showing a conventional semiconductor substrate before dicing.

【図9】従来のダイシング時の半導体基板を示す概略断
面図
FIG. 9 is a schematic sectional view showing a conventional semiconductor substrate during dicing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体基板 2 拡散層 3 表面電極 4 反射防止膜 5 裏面電極 6 シリコン酸化膜 8 フレーム 9 粘着テープ 12 ダイヤモンドブレード 14 被覆膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor substrate 2 Diffusion layer 3 Front electrode 4 Antireflection film 5 Back electrode 6 Silicon oxide film 8 Frame 9 Adhesive tape 12 Diamond blade 14 Coating film

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一面側に段差を有するワークに対して、
該ワークの一面側を被覆膜で覆って前記段差をなくして
から、前記ワークの切断を行って複数のデバイスに分割
することを特徴とするダイシング法。
1. For a work having a step on one side,
A dicing method, wherein the one side of the work is covered with a coating film to eliminate the step, and then the work is cut and divided into a plurality of devices.
【請求項2】 一面側に段差を有するワークに対して、
前記一面側を固定部材に接着して前記ワークを固定し、
該ワークを一面側とは反対の他面側から切断して複数の
デバイスに分割するダイシング法において、前記ワーク
の一面側を被覆膜で覆って前記段差をなくしてから前記
固定部材に固定し、前記ワークの切断を行うことを特徴
とするダイシング法。
2. For a work having a step on one side,
The one surface side is adhered to a fixing member to fix the work,
In the dicing method in which the work is cut from the other surface side opposite to the one surface side and divided into a plurality of devices, the work is fixed to the fixing member after covering the one surface side with a coating film to eliminate the step. And dicing the workpiece.
【請求項3】 一面側に電極が積層された半導体基板を
切断して太陽電池セルを製造する際、前記半導体基板上
の電極による段差をなくすために前記一面側を被覆膜で
覆い、前記半導体基板を固定するための固定部材に前記
被覆膜が対向するように前記半導体基板を載置して、該
半導体基板の隣り合う電極の間を切断して複数の太陽電
池セルに分割することを特徴とするダイシング法。
3. When a solar cell is manufactured by cutting a semiconductor substrate having electrodes laminated on one surface side, the one surface side is covered with a coating film to eliminate a step due to the electrodes on the semiconductor substrate. Placing the semiconductor substrate so that the coating film faces a fixing member for fixing the semiconductor substrate, and cutting between adjacent electrodes of the semiconductor substrate to divide the plurality of solar cells. Dicing method characterized by the following.
【請求項4】 被覆膜がフォトレジストを用いて形成さ
れることを特徴とする請求項1,2または3記載のダイ
シング法。
4. The dicing method according to claim 1, wherein the coating film is formed using a photoresist.
【請求項5】 フォトレジストとして、溶剤によって除
去可能なノボラック樹脂と有機溶剤との混合物を用いた
ことを特徴とする請求項4記載のダイシング法。
5. The dicing method according to claim 4, wherein a mixture of a novolak resin removable by a solvent and an organic solvent is used as the photoresist.
【請求項6】 フォトレジストとして、溶剤によって除
去可能な環化ゴムと有機溶剤との混合物を用いたことを
特徴とする請求項4記載のダイシング法。
6. The dicing method according to claim 4, wherein a mixture of a cyclized rubber removable by a solvent and an organic solvent is used as the photoresist.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011054848A (en) * 2009-09-03 2011-03-17 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer processing method
WO2013051375A1 (en) * 2011-10-05 2013-04-11 シャープ株式会社 Dicing device, and method for manufacturing semiconductor device

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