JPH11277415A - Semiconductor wafer mount-plate and semiconductor wafer polishing method using mount-plate and management device thereof - Google Patents

Semiconductor wafer mount-plate and semiconductor wafer polishing method using mount-plate and management device thereof

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JPH11277415A
JPH11277415A JP7735698A JP7735698A JPH11277415A JP H11277415 A JPH11277415 A JP H11277415A JP 7735698 A JP7735698 A JP 7735698A JP 7735698 A JP7735698 A JP 7735698A JP H11277415 A JPH11277415 A JP H11277415A
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JP
Japan
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plate
semiconductor wafer
polishing
mount
attaching
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Application number
JP7735698A
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Japanese (ja)
Inventor
Jiyunichiro Azuma
純 一 朗 東
Kenji Yamashita
下 健 児 山
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Sumco Techxiv Corp
Original Assignee
Komatsu Electronic Metals Co Ltd
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Publication date
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor wafer mount-plate and semiconductor wafer polishing method using the mount-plate and management device thereof which eliminate the need for reparing of the mount-plates to efficiently polish the semiconductor wafers by preventing the deformation of the mount-plates due to the changes with age. SOLUTION: Both a front face 11 and a rear face 12 of a mount-plate 1 precisely flattened. The mount-plate 1 is inverted for each batch of polishing. In relation to the mount-plate 1 fro which semiconductor wafers 10 are peeled off and which is cleaned, identification data and the surfaces in use are recognized, and the amount of deformation of the surfaces and the state of the frequencies of application, are sensed. When the deformation is not more than a specified value, the mount-plate is sent again to the process of mounting. When the deformation is more than the specified value, the mount-plate l is replaced with new one.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する分野】本発明は、半導体ウェハの研磨装
置を構成する半導体ウェハ貼付用プレートと、これを使
用して、高平坦度の半導体ウェハを安定に製造すること
を可能にする研磨方法と、この半導体ウェハ貼付用プレ
ートの管理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer affixing plate constituting a semiconductor wafer polishing apparatus, a polishing method capable of stably producing a semiconductor wafer having a high flatness by using the same, and a polishing method. The present invention relates to a device for managing a plate for attaching a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウェハの研磨にあたっては、半導
体ウェハ10を図10(a)に示したように貼付用プレ
ート8に貼付ける必要があるが、従来は専ら貼付用プレ
ート8の片面(以下『表面81』とする) のみに対して
貼付ける方法がとられてきた。貼付用プレート自体はセ
ラミックス等で制作され、剛性が高く、平坦度の高いも
のであるが研磨工程での使用回数が増えると図10
(b) に示すように微少ながら表面81が研磨装置の下
定盤(図示せず)の形状にならって凹状に変形してく
る。貼付用プレートの変形はミクロン単位で起きるとし
ても、半導体ウェハに要求される平坦度は極めて高いレ
ベルであるため、この貼付用プレートの変形は高平坦度
ウェハの安定的製造に致命的な作用を及ぼす。。貼付用
プレート8の平坦度を回復させるためには、従来、図1
0(b) 、(c) に示したように周縁部83を適宣削り
取って平坦な表面81aに再生する等の対応を取ってき
た。
2. Description of the Related Art In polishing a semiconductor wafer, it is necessary to attach a semiconductor wafer 10 to an attaching plate 8 as shown in FIG. 10 (a). Surface 81 "). The sticking plate itself is made of ceramics or the like, and has high rigidity and high flatness. However, when the number of times of use in the polishing process increases, FIG.
As shown in (b), the surface 81 is slightly deformed into a concave shape following the shape of the lower platen (not shown) of the polishing apparatus. Even if the attachment plate is deformed on a micron scale, the required flatness of the semiconductor wafer is extremely high, so the deformation of the attachment plate has a fatal effect on the stable production of high flatness wafers. Exert. . Conventionally, in order to recover the flatness of the attaching plate 8, FIG.
As shown in FIGS. 0 (b) and (c), measures have been taken to remove the peripheral portion 83 appropriately and reproduce it on the flat surface 81a.

【0003】また、この他にもウェハを可能な限り平坦
に研磨仕上げするための先行技術としては、例えば特開
昭64−2857号開示技術にあるように、貼付用プレ
ート表面に均一に所定の流体圧力を作用させることによ
り、貼付用プレートの変形そのものを抑制するものや、
特開平4−242929号開示技術のように、貼付用プ
レートに一旦ダミーウェハを貼付して研磨し、研磨布側
に一定の変形を生じさせ、この変形面でさらに貼付用プ
レートを創生研磨して形状を整えてから、改めて目的と
する半導体ウェハを貼付して研磨を行うという複雑なも
のもある。
In addition, as another prior art for polishing and polishing a wafer as flat as possible, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-2857, a predetermined surface is uniformly applied to the surface of an attaching plate. The one that suppresses the deformation of the attaching plate by applying fluid pressure,
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-242929, a dummy wafer is once adhered to an attaching plate and polished to cause a certain deformation on the polishing cloth side, and the attaching plate is further created and polished on the deformed surface. There is also a complicated one in which a desired semiconductor wafer is attached again and polished after the shape is adjusted.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
周縁部を適宣削る方式では、使用回数を重ねるにしたが
って貼付用プレートの変形が次第に強調されてくること
は必至で、やがて補正不能な限界に達してしまう。もち
ろん、貼付用プレート周縁を削ると同時に、図10
(c) に示す裏面82の凸部82aを削って、両面とも
平坦度の高いものに再生する方法もあるが、修正に必要
な時間及び費用が片面だけの修正に比べて倍必要なこと
から生産性、経済性の面から採用し難い。従来の再生頻
度は半年に1回または2回程度であるが、再生が4回を
越えると殆どの場合廃棄するしかない状態になる。
However, in the conventional method of appropriately cutting the peripheral portion, it is inevitable that the deformation of the sticking plate is gradually emphasized as the number of times of use is increased, and eventually the limit cannot be corrected. Will reach. Of course, at the same time as the periphery of the attaching plate is
There is also a method of shaving the convex portion 82a of the back surface 82 shown in (c) and reproducing both surfaces with a high degree of flatness, but the time and cost required for the correction are twice as large as those required for the single-sided correction. It is difficult to adopt in terms of productivity and economy. The conventional reproduction frequency is about once or twice a half a year, but if the reproduction is more than four times, in most cases, it is necessary to discard.

【0005】また、上記した先行技術の流体圧力を作用
させるものは、新たな装置導入が必須となるし、ダミー
による研磨布側の調整と貼付用プレートの創生研磨によ
るものは、当然、生産性が落ちることになる。
[0005] In addition, the above-mentioned prior art in which a fluid pressure is applied requires the introduction of a new device, and the adjustment of the polishing cloth side by a dummy and the creation and polishing of the attaching plate are naturally produced. Sex will fall.

【0006】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、貼付用プレートの経時的な変形を半導体
ウェハの研磨工程における機械的作用をそのまま利用し
て修正することにより、工程数を増やすことなく、従
来、研磨工程とは独立して行うしかなかった貼付用プレ
ート再生のための創生研磨工程を不要にし、あわせて貼
付用プレートそのものの長寿命化を図る技術を提供す
る。
[0006] The present invention has been made in view of such a situation, and the time-dependent deformation of the attaching plate is corrected using the mechanical action in the polishing process of the semiconductor wafer as it is, thereby reducing the number of processes. The present invention provides a technique for eliminating the need for a creative polishing process for regenerating the pasting plate, which had conventionally only been performed independently of the polishing process, and for extending the life of the pasting plate itself.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】このため、本発明では半
導体ウェハ用研磨装置を構成する半導体ウェハ貼付用プ
レートの表裏両面を高精度平坦加工した。
For this reason, in the present invention, both the front and back surfaces of the semiconductor wafer attaching plate constituting the polishing apparatus for semiconductor wafer are flattened with high precision.

【0008】また、半導体ウェハ貼付用プレートに貼付
した半導体ウェハを研磨するにあたって、少なくとも研
磨工程1バッチ毎に前記貼付用プレートを表裏反転させ
るとともに、表裏反転に対応して前記貼付用プレートの
表裏面に対し交互に半導体ウェハを貼付して研磨するよ
うにした。
When polishing the semiconductor wafer attached to the semiconductor wafer attaching plate, the attaching plate is turned upside down at least for each batch of the polishing process. The semiconductor wafers were alternately stuck and polished.

【0009】また、貼付用プレートの平坦度を評価する
ための指標として平行度を用いこの値により前記貼付用
プレートのウェハ貼付面の変更を判断するようにした。
Further, the parallelism is used as an index for evaluating the flatness of the attaching plate, and a change in the wafer attaching surface of the attaching plate is determined based on the parallelism.

【0010】さらに、平行度を、自動的に測定する測定
器と半導体ウェハ貼付用プレートの表裏面を区別する識
別子と半導体ウェハ用研磨装置間の個々の貼付用プレー
トを区別する識別子を自動的に判別することにより、個
々の貼付用プレートの表裏面それぞれについて研磨工程
1バッチ毎に使用回数と、その時点の平行度の測定値を
記録し、これに基づいて各貼付用プレートの使用の継
続、中止の判断、及びウェハ貼付面の変更の判断を自動
的に行う管理装置を構成した。
[0010] Further, a measuring instrument for automatically measuring the parallelism and an identifier for distinguishing the front and back surfaces of the semiconductor wafer bonding plate and an identifier for distinguishing each bonding plate between the semiconductor wafer polishing apparatuses are automatically generated. By discriminating, the number of times of use for each batch of the polishing step and the measured value of the parallelism at that time are recorded for each of the front and back surfaces of the individual attaching plates, and based on this, the use of each attaching plate is continued, A management device that automatically determines whether to stop and whether to change the wafer attachment surface is configured.

【0011】この記録により、研磨装置のオペレーター
が貼付面を変更すべきか否かを判断することもできる
し、管理装置の判断に従うことによりオペレーター間の
判断のバラツキをなくすこともできる。さらに、貼付用
プレートの反転、移送機構を設けることにより、前記管
理装置の判断結果によって自動的に貼付用プレートを反
転させ貼付装置に移送することもできる。これにより、
自動的に貼付面が変更される。
From this record, it is possible for the operator of the polishing apparatus to determine whether or not the sticking surface should be changed, and it is possible to eliminate the dispersion of the judgment between the operators by following the judgment of the management apparatus. Further, by providing a reversing and transferring mechanism of the attaching plate, the attaching plate can be automatically inverted and transferred to the attaching device according to the judgment result of the management device. This allows
The sticking surface changes automatically.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】上記した半導体ウェハ貼付用プレ
ート(以下、「貼付用プレート」とする)の平坦度を表
す精度としては、表裏両面のそれぞれが平行度で2μm
以下とするのが望ましい。これ以上の平行度の貼付用プ
レートに半導体ウェハを貼り付けて研磨した場合、半導
体ウェハの平坦度が悪化して現在の高精度な規格を満足
できない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The accuracy of expressing the flatness of the above-mentioned semiconductor wafer sticking plate (hereinafter referred to as "sticking plate") is as follows.
It is desirable to do the following. When a semiconductor wafer is adhered to an attaching plate having a degree of parallelism higher than that and polished, the flatness of the semiconductor wafer deteriorates and the current high-precision standard cannot be satisfied.

【0013】ここで平行度とは、JISB0620に定
められるもので、ある仮想平面を設け、これと平行な2
平面で平面形態を挟んだときの2平面間の間隔である。
Here, the degree of parallelism is defined in JIS B0620. A parallel plane is defined by a certain virtual plane.
This is the distance between the two planes when the plane is sandwiched between the planes.

【0014】またさらに、貼付用プレートに表裏面を識
別するための識別子を設けると、経時的な表裏面の変形
状況の差を把握しやすくなる。
Further, when an identifier for identifying the front and back surfaces is provided on the attaching plate, it is easy to grasp the difference in the state of deformation of the front and back surfaces over time.

【0015】上記した半導体ウェハを研磨するにあたっ
て、少なくとも研磨工程1バッチ毎に前記貼付用プレー
トの表裏面交互に半導体ウェハを貼付して研磨する発明
においては、それぞれの研磨工程において前回の研磨工
程での貼付用プレートの変形を打ち消すように力が作用
する。このため変形が蓄積されず、長期間連続使用して
も平行度の変化が小さい。また、研磨工程の複数バッチ
毎に貼付面を変更することもできる。1バッチの研磨工
程における平行度の変化は非常に小さいので、例えば、
10バッチ毎の変更でも実用上問題ない。あるいは、貼
付用プレートの変形の状況によっては、たとえば、表面
6回、裏面10回のように非対称のサイクルを繰り返す
方法もある。
In polishing the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is bonded and polished alternately on both sides of the bonding plate at least for each batch of the polishing process. The force acts to cancel the deformation of the sticking plate. For this reason, no deformation is accumulated, and the change in parallelism is small even when used continuously for a long time. In addition, it is also possible to change the sticking surface every plural batches of the polishing process. Since the change in parallelism in one polishing step is very small, for example,
There is no practical problem with changing every 10 batches. Alternatively, there is a method of repeating an asymmetric cycle such as six times on the front surface and ten times on the back surface, depending on the state of deformation of the attaching plate.

【0016】上記の方法を実施するにあたって貼付用プ
レートの表裏面を区別する識別子と、個々の貼付用プレ
ートを区別する識別子とをそれぞれの貼付用プレートに
設ければ、貼付用プレートの管理が確実、容易になると
いうメリットが生じる。また、これら識別子の識別機構
と平行度の測定機構をもち、各貼付用プレートの各面毎
の平行度を自動的に測定記録する測定機構と、研磨装置
間の個々の貼付用プレートを区別して個々の貼付用プレ
ートそれぞれの表裏面の平行度をその面の使用回数の順
に記録するとともに、この記録されたデータを予め定め
た値と比較し、貼付用プレートの貼付面の変更指令を出
力する比較出力機構とを備えた管理装置を設けることが
できる。これにより多数の貼付用プレートについてそれ
ぞれの貼付面の精度や、経時変化を容易に把握でき、貼
付面の変更の決定や、使用継続の可否の決定を容易に行
うことが出来る。
In performing the above method, if an identifier for distinguishing between the front and back surfaces of the attaching plate and an identifier for identifying each attaching plate are provided on each attaching plate, the managing of the attaching plate is ensured. This has the advantage of being easier. In addition, it has an identification mechanism of these identifiers and a measurement mechanism of parallelism, and a measurement mechanism that automatically measures and records the parallelism of each surface of each attachment plate, and an individual attachment plate between polishing devices are distinguished. While recording the parallelism of the front and back surfaces of each of the pasting plates in the order of the number of times of use of the surface, the recorded data is compared with a predetermined value, and a command to change the pasting surface of the pasting plate is output. A management device having a comparison output mechanism can be provided. This makes it possible to easily grasp the accuracy of the pasting surfaces and changes with time for a large number of pasting plates, and to easily determine the change of the pasting surfaces and the continuation of use.

【0017】生産規模では使用される研磨機は複数台あ
り、これら個々の研磨機に対して個々の貼付用プレート
が特定されずに使用される。各貼付用プレートは微妙に
性状が異なっており、また装置固有の癖もあるので単純
に同一の傾向で変形するとは限らない。そのため、個々
の貼付用プレートに対して細かな対応をとることが必要
になる。個々の貼付用プレートのそれぞれの面につい
て、平行度の変化を使用回数に対して一元的に管理する
管理装置を用意しておけば、上記のような細かな対応が
一層容易になる。
At the production scale, there are a plurality of polishing machines used, and individual sticking plates are used for these individual polishing machines without being specified. Each sticking plate is slightly different in properties and has a peculiar habit unique to the device, so that it does not always deform with the same tendency. For this reason, it is necessary to take detailed measures for each sticking plate. If a management device that integrally manages the change in the parallelism with respect to the number of times of use is prepared for each surface of each attaching plate, the above-described detailed correspondence can be further facilitated.

【0018】以下さらに実施例により本発明を詳説する
が、その前に図面について若干説明を加えると、図1は
貼付用プレートの形状を強調して示した側面断面図、図
2は本発明に係る表裏面を区別するための識別子を設け
た貼付用プレートの一例を示す斜視図、図3は本発明に
係る半導体ウェハの研磨方法の一例を示すフローチャー
ト、図4および図5は貼付用プレートの変形量を測定す
るための測定位置を示す図、図6は後述する実施例2に
おける貼付用プレートの経時的変形量を示すグラフ、図
7は後述する実施例3における貼付用プレートの経時的
変形量を示すグラフ、図8は後述する実施例4の貼付用
プレートの管理装置の構成を示す模式図、図9は貼付用
プレート載置台の内部構造を示す模式図である。
Hereinafter, the present invention will be described in further detail with reference to examples. Before adding a little explanation to the drawings, FIG. 1 is a side sectional view in which the shape of the attaching plate is emphasized, and FIG. FIG. 3 is a perspective view showing an example of an attaching plate provided with an identifier for distinguishing between the front and back surfaces, FIG. 3 is a flowchart showing an example of a method for polishing a semiconductor wafer according to the present invention, and FIGS. FIG. 6 is a diagram showing a measurement position for measuring the amount of deformation, FIG. 6 is a graph showing the amount of temporal deformation of the attaching plate in Example 2 described later, and FIG. 7 is a temporal deformation of the attaching plate in Example 3 described later. FIG. 8 is a schematic diagram illustrating a configuration of a sticking plate management device of Example 4 described later, and FIG. 9 is a schematic diagram illustrating an internal structure of a sticking plate mounting table.

【0019】[0019]

【実施例】図面を参照しながら各実施例により本発明を
さらに詳説する。 実施例1 まず、本発明による貼付用プレートについて説明する。
図10(a) における従来の貼付用プレート8は、表面
81のみが高平坦度に加工されていたものであるが、図
1に挙げる本実施例1における貼付用プレート1は表面
11及び裏面12ともに高平坦度加工され、その精度は
平行度で2.0μm以下に加工されている。因みに、従
来の貼付用プレートの場合表面の平行度については2.
0μm以下であるが、裏面のそれは通常10μmをこえ
ている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in more detail with reference to the drawings. Example 1 First, a sticking plate according to the present invention will be described.
10 (a), only the front surface 81 is processed to have a high flatness. However, the pasting plate 1 in the first embodiment shown in FIG. Both are processed to have a high flatness, and the precision is processed to a parallelism of 2.0 μm or less. Incidentally, in the case of the conventional attachment plate, the parallelism of the surface is described in 2.
Although it is 0 μm or less, that of the back surface is usually more than 10 μm.

【0020】本実施例1では、上記貼付用プレートを使
用して、研磨工程1バッチ毎に貼付面を交互に変更して
使用した。この結果1バッチ毎に変形が相殺され、従来
に比較して変形の進行が極めて遅く、貼付用プレートの
平行度が2.0μmを越えるまでのバッチ数は従来の1
0倍以上であった。尚、本実施例1ではセンサーでの表
裏識別と、その後の記録を行ない得るよう貼付用プレー
ト表裏両面に図2に示したように識別子21、22を設
けた。これは、貼付用プレートの表裏両面とも同様な平
坦度仕上げ加工が成されていることから、生産工程では
オペレータによる記憶や記録のみでは管理ミスが発生す
るおそれがあるためで、このような識別子を設けること
により1バッチ毎に貼付面を変更するときに確実に表裏
面を区別出来るため、上記相殺効果をより良好に発揮す
る事ができる。
In the first embodiment, the sticking surface was alternately changed for each batch of the polishing process using the sticking plate. As a result, the deformation is canceled for each batch, the progress of the deformation is much slower than in the past, and the number of batches until the parallelism of the attaching plate exceeds 2.0 μm is 1 in the conventional case.
It was 0 times or more. In the first embodiment, as shown in FIG. 2, identifiers 21 and 22 are provided on both the front and back surfaces of the attaching plate so that the front and back sides can be identified by the sensor and the subsequent recording can be performed. This is because the same flatness finish processing is performed on both the front and back surfaces of the attaching plate, and in the production process, there is a risk that management errors may occur only by storage and recording by the operator, so such an identifier is used. By providing them, the front and back surfaces can be reliably distinguished when the sticking surface is changed for each batch, so that the above-described offset effect can be more favorably exhibited.

【0021】実施例2 本発明による貼付用プレートを使用して、図3に示した
「貼付→研磨→はがし」を1サイクルとする研磨工程1
バッチ終了毎に、ウェハを貼付した側の面の平行度を測
定する。そして、これが予め定めた値(本実施例2で
は、±2μm) を越えた場合には、貼付面を変更して研
磨工程に投入する。この後、研磨工程1バッチ毎の平行
度の測定で、その測定値が使用バッチ数の増加に伴って
徐々に減少する事を確認する。このまま同じ貼付面を使
用し続けると、測定値は0をこえて逆方向に増大し始め
る。これが、再び2μmをこえた時点で貼付面を変更す
る。このようにすることにより上記貼付用プレートを、
変形を補正しながらいつまでも使用し続けることが可能
である。
Example 2 A polishing step 1 in which “sticking → polishing → peeling” shown in FIG. 3 is used as one cycle using the attaching plate according to the present invention.
Each time the batch is completed, the parallelism of the surface to which the wafer is attached is measured. Then, when this exceeds a predetermined value (± 2 μm in the present embodiment 2), the pasting surface is changed and the polishing step is performed. Thereafter, in the measurement of the parallelism for each batch of the polishing process, it is confirmed that the measured value gradually decreases as the number of used batches increases. If the same sticking surface is used as it is, the measured value starts to increase in the opposite direction beyond zero. When this exceeds 2 μm again, the sticking surface is changed. By doing so, the above-mentioned sticking plate is
It is possible to keep using it forever while correcting the deformation.

【0022】本実施例2において、上記平行度は以下の
ような方法で求めている。まず、図5に示した様に貼付
用プレート1の中心を通り直行する2直線と貼付用プレ
ート外周との4個の交点A1 、D1 、A2 、D2 および
1 −D1 間、A2 ―D2 間のそれぞれを3等分する4
個の点B1 、C1 、B2 、C2 の合わせて8個の点を測
定点として定める。次に図4示した様に貼付用プレート
1が完全な平坦面F上に載置されていると仮想し、平坦
面Fに平行な基準面Sから貼付用プレート1上の上記各
測定点までの距離を測定する。測定点A1 、B1
1 、D1 からは、測定値a1 、b1 、c1 、d1 が、
測定点A2 、B2 、C2 、D2 からは測定値a2
2 、c2 、d2 が得られる。これらの値を使って以下
に示す計算式により変形量P1 、P2 、Q1 、Q2 を求
める。このうち特に平行度を代表する値としてP1 、P
2 を使用している。尚、Q1 、Q2 については後述す
る。
In the second embodiment, the parallelism is obtained by the following method. First, as shown in FIG. 5, four intersections A 1 , D 1 , A 2 , D 2, and A 1 -D 1 of two straight lines that pass through the center of the attaching plate 1 and the outer periphery of the attaching plate 1. Divide A, A 2 -D 2 into three equal parts 4
Eight points in total of the points B 1 , C 1 , B 2 , and C 2 are determined as measurement points. Next, as shown in FIG. 4, it is assumed that the pasting plate 1 is placed on a completely flat surface F, and from the reference plane S parallel to the flat surface F to the above-described respective measurement points on the pasting plate 1. Measure the distance. Measurement points A 1 , B 1 ,
From C 1 and D 1 , measured values a 1 , b 1 , c 1 , and d 1 are obtained as follows:
From the measurement points A 2 , B 2 , C 2 , D 2 , the measured value a 2 ,
b 2 , c 2 and d 2 are obtained. Using these values, the amounts of deformation P 1 , P 2 , Q 1 , and Q 2 are determined by the following formulas. Among them, P 1 , P
You are using 2 . Incidentally, Q 1 and Q 2 will be described later.

【0023】[0023]

【数1】P1 ={(a1 +d1)−(b1 +c1)}÷2[Number 1] P 1 = {(a 1 + d 1) - (b 1 + c 1)} ÷ 2

【0024】[0024]

【数2】P2 ={(a2 +d2)−(b2 +c2)}÷2P 2 = {(a 2 + d 2 ) − (b 2 + c 2 )} 2

【0025】[0025]

【数3】Q1 ={(a1 +b1)−(c1 +d1)}+
{(a2 +b2)−(c2 +d2)}
Equation 3] Q 1 = {(a 1 + b 1) - (c 1 + d 1)} +
{(A 2 + b 2 ) − (c 2 + d 2 )}

【0026】[0026]

【数4】Q2 ={(a1 +b1)−(a2 +b2)}+
{(c1 +d1)−(c2 +d2)}
Q 2 = {(a 1 + b 1 ) − (a 2 + b 2 )} +
{(C 1 + d 1 ) − (c 2 + d 2 )}

【0027】[0027]

【数5】P=(P1 +P2)÷2P = (P 1 + P 2 ) ÷ 2

【0028】上記計算式からわかるように、変形量
1 、P2 、は、それぞれA1 −D1 線上、A2 −D2
線上の湾曲あるいは摩耗による変形の大きさを表し、P
1 、P2の平均値であるPについては、変形が周方向
で、均一であると仮定した場合の変形量であり、平行度
を代表する値である。本実施例2では、この値を平行度
と記述している。Q1 、Q2 は、周方向に不均一な、摩
耗と変形の大きさを表す値である。これは、貼付用プレ
ート材質の不均一性などによるもので、この値の増加
は、貼付面の変更によっては修正出来ない。また、この
ような不均一な変形を起こす貼付用プレートを使用して
ウェハを研磨した場合、ウェハの平坦度に複雑な影響を
与える。したがって、Q1 、Q2 のどちらかが許容出来
る範囲を越えた場合、P値が許容範囲以内であっても廃
棄することが望ましい。
As can be seen from the above equations, the deformation amounts P 1 and P 2 are on the A 1 -D 1 line and A 2 -D 2 , respectively.
Degree of deformation due to bending or wear on the line
For 1, the average value of the P 2 P, deformation in the circumferential direction, a variation amount on the assumption that a uniform, which is a value representing the degree of parallelism. In the second embodiment, this value is described as parallelism. Q 1 and Q 2 are values representing the magnitude of wear and deformation that are uneven in the circumferential direction. This is due to the non-uniformity of the material of the attaching plate, and the increase in the value cannot be corrected by changing the attaching surface. Further, when the wafer is polished using the sticking plate that causes such uneven deformation, the flatness of the wafer is complicatedly affected. Therefore, when either Q 1 or Q 2 exceeds the allowable range, it is desirable to discard even if the P value is within the allowable range.

【0029】実施例3 実施例1では、1バッチ毎に貼付用プレートの貼付面を
変更する方法をとった。実施例2では、平行度の測定値
が、予め定められた値を越えたときに貼付面を変更し
た。本実施例3では、研磨工程の1バッチ毎に貼付面を
変更しながら使用し続け、平行度〔P値〕が、図7に示
す+(プラス)方向の規定値(1.0μm)を越えたら
反転を止め、平行度が小さくなるように(変形がマイナ
ス方向に進むように)片面だけに貼付して使用を続け
た。やがて−(マイナス) 側の規定値(−0.2μm)
を越えたら、1バッチ毎の貼付面の変更を再開した。こ
うすると、規定値を平行度の許容値より小さく選ぶこと
によって、いつまでも平行度を許容範囲より十分小さな
値に維持することが可能である。また、このように片面
のみの連続使用をわずかな期間入れるだけで、殆どの使
用期間を1バッチ毎に貼付面を変更する使用方法とする
ことができる。このため、使用期間中の平行度の変化速
度が小さく、ウェハの平坦度が極めて安定した状態での
生産が可能である。尚、本実施例3では、規定値は、
1.0μmと、−0.2μmであったが、これは、片面
だけに貼付して使用する期間を出来るだけ短くするため
であり、また研磨装置との相互作用により、平行度(P
値)が若干プラス側に有る方が半導体ウェハの平坦度が
良好なことによるものである。また、図7には平行度
(P値)のみに関して開示されているが、Q1 、Q2
関しては、実際のところ回数依存性はあまり無く、±
1.0μm以内におさまっている。ただし、貼付用プレ
ートの材質の不均一性により、これが±1.0μm以上
になるものが少数ではあるが存在する。このような貼付
用プレートは前述した理由により不良品として廃棄す
る。
Example 3 In Example 1, a method was adopted in which the attaching surface of the attaching plate was changed for each batch. In Example 2, the sticking surface was changed when the measured value of the parallelism exceeded a predetermined value. In the third embodiment, the polishing surface is continuously used for each batch of the polishing process while changing the application surface, and the parallelism [P value] exceeds the specified value (1.0 μm) in the + (plus) direction shown in FIG. After that, the inversion was stopped, and it was adhered to only one side so that the parallelism became small (so that the deformation proceeded in the minus direction), and the use was continued. Eventually the specified value on the-(minus) side (-0.2 µm)
When the value exceeded, the change of the sticking surface for each batch was restarted. In this case, by selecting the specified value smaller than the allowable value of the parallelism, the parallelism can be maintained at a value sufficiently smaller than the allowable range forever. In addition, just by inserting the continuous use of only one side only for a short period in this way, it is possible to change the application surface for each batch in most of the use period. For this reason, the rate of change of the parallelism during the use period is small, and the production can be performed in a state where the flatness of the wafer is extremely stable. In the third embodiment, the specified value is
The values were 1.0 μm and −0.2 μm, in order to shorten the period of use by sticking to only one surface, and to reduce the parallelism (P due to the interaction with the polishing device).
Is slightly positive, because the flatness of the semiconductor wafer is better. Although FIG. 7 discloses only the parallelism (P value), Q 1 and Q 2 do not actually have much frequency dependency, and
It is within 1.0 μm. However, due to the non-uniformity of the material of the sticking plate, there are a small number of cases in which this is ± 1.0 μm or more. Such a sticking plate is discarded as a defective product for the reason described above.

【0030】実施例4 本実施例4においては、ウェハ貼付装置に連結され、上
記した半導体ウェハの製造方法に則し、貼付用プレート
の平行度の測定と、測定された平行度を規定値と比較し
て、規定値以上の場合に貼付用プレートのウェハ貼付面
を変更する半導体ウェハ貼付用プレートの管理装置を示
す。
Embodiment 4 In this embodiment 4, the parallelism of the attaching plate is measured in accordance with the above-described method for manufacturing a semiconductor wafer and connected to a wafer attaching apparatus, and the measured parallelism is set to a specified value. 7 shows a management device for a semiconductor wafer attachment plate that changes the wafer attachment surface of the attachment plate when the value is equal to or greater than a specified value.

【0031】図8に示す様に、本実施例4の管理装置
は、ウェハ貼付装置7との間で貼付用プレート1aを載
置する載置台3と、載置台3に載置された貼付用プレー
ト1aを個々に識別するとともに表裏面の区別を行う識
別機構たる識別ユニット52と、載置台3の上方に固定
して配置され平行度を測定する測定機構である測定ユニ
ット5と、測定ユニット5から得られた値から平行度
(P値) と、変形量Q1 、Q2 を計算し、これを規定値
と比較してウェハの貼付面を変更する判断を行い、この
判断結果を出力する比較出力機構たるコンピューター
(図示しせず)と、貼付面の変更を指示する前記出力を
検出して、貼付用プレート1aを反転することによって
前記貼付面を変更する反転機構6とから構成されてい
る。
As shown in FIG. 8, the management apparatus of the fourth embodiment includes a mounting table 3 on which the bonding plate 1a is mounted between the wafer mounting apparatus 7 and a bonding table mounted on the mounting table 3. An identification unit 52 as an identification mechanism for individually identifying the plate 1a and for distinguishing the front and back surfaces; a measurement unit 5 fixedly arranged above the mounting table 3 and being a measurement mechanism for measuring parallelism; Calculates the parallelism (P value) and the deformation amounts Q 1 and Q 2 from the values obtained from the above, compares them with the specified values, makes a determination to change the bonding surface of the wafer, and outputs the result of this determination. A computer (not shown) serving as a comparison output mechanism, and an inverting mechanism 6 that changes the sticking surface by detecting the output instructing the change of the sticking surface and inverting the sticking plate 1a. I have.

【0032】載置台3の上面は、変位量測定において、
その基準となるように平坦面に形成されているが、貼付
用プレート1aを搬送するにあたっては図9に示すよう
にその下部に設けられた昇降機構31によりローラー3
4を上昇させ、貼付用プレート1aが所望の位置に配置
されたところでこれを降下、載置台3上に載置する機構
になっている。
The upper surface of the mounting table 3 is used for measuring the amount of displacement.
It is formed on a flat surface as a reference, but when transporting the attaching plate 1a, as shown in FIG.
4 is moved up, and when the attaching plate 1a is arranged at a desired position, it is lowered and mounted on the mounting table 3.

【0033】変形量測定ユニット5には、8個のレーザ
ー式センサー51が固定され、それらの間隔は実施例2
で示した様に貼付用プレート1aの直径の3分の1であ
る。
Eight laser-type sensors 51 are fixed to the deformation amount measuring unit 5, and the distance between them is the same as in the second embodiment.
As shown in the figure, the diameter is one third of the diameter of the attaching plate 1a.

【0034】反転機構6は、フォーク回転台61を備
え、載値台3から搬送された貼付用プレート1aを受け
取って昇降と回転をすることにより、貼付用プレートを
反転させる。ウェハ貼付装置においては、ウェハの貼付
は常に貼付用プレート上面側から行うので、この反転に
より、貼付面の変更が自動的におこなわれる。
The reversing mechanism 6 is provided with a fork rotating table 61. The reversing mechanism 6 receives the attaching plate 1a conveyed from the loading table 3, and moves up and down to rotate, thereby inverting the attaching plate. In the wafer sticking apparatus, the sticking of the wafer is always performed from the upper side of the sticking plate, and thus, the sticking surface is automatically changed by this reversal.

【0035】尚、ここで本実施例4について使用される
貼付用プレートの特徴について説明する。図9に示すよ
うに本実施例4の貼付用プレート1aは第1面11aの
直径より第2面12aの直径の方が大きく成形されてい
ると共に、第1面11aの側面にはバーコード13aが
設けられている。したがって、表裏面の判断はこの口径
の相違による段差14aを、個々の貼付用プレートの識
別はバーコード13aを、識別ユニット52がそれぞれ
認識することにより行われることになる。
The characteristics of the sticking plate used in the fourth embodiment will now be described. As shown in FIG. 9, the attaching plate 1a of the fourth embodiment is formed such that the diameter of the second surface 12a is larger than the diameter of the first surface 11a, and the side surface of the first surface 11a has a bar code 13a. Is provided. Therefore, the discrimination of the front and back surfaces is performed by the recognition unit 52 recognizing the step 14a due to the difference in diameter, and the discrimination unit 52 recognizes the barcode 13a, respectively.

【0036】段差14aを設ける理由は、半永久的な使
用を目的にしている貼付用プレートにおいては、塗料や
ラベルといった手段による表裏面の表示では、使用途中
の摩耗、劣化により識別できなくなる可能性があるため
で、形状による差異を利用すれば、こうした問題を回避
できるからである。また、バーコードについても同様な
問題があるから、これについても貼付用プレートの作成
時に、黒色セラミックス等を、埋め込んで同時に焼成す
る等の方法を採用すると良い。
The reason for providing the step 14a is that, in the case of a sticking plate intended for semi-permanent use, if the front and back surfaces are displayed by means such as a paint or a label, there is a possibility that the plate cannot be identified due to wear or deterioration during use. This is because such a problem can be avoided by using the difference due to the shape. Further, since there is a similar problem with the bar code, it is preferable to adopt a method of embedding and firing black ceramics and the like at the time of preparing the attaching plate.

【0037】このような構成によって半導体ウェハ研磨
工程中にある多数の貼付用プレートを、個々についてそ
れぞれ前述した実施例3の方法で管理した。これにより
生産規模で使用される多数の貼付用プレートの平行度を
規定値以内に管理しながら従来の10倍以上の寿命で、
使用し続けることができる。また、このための管理もコ
ンピューターにより自動化が可能になる。
With such a configuration, a large number of sticking plates in the semiconductor wafer polishing step were individually managed by the method of the third embodiment described above. As a result, while maintaining the parallelism of a large number of sticking plates used on a production scale within the specified value, the service life is more than 10 times longer than before,
You can continue to use. Also, the management for this can be automated by a computer.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明は、以上のように構成したので次
のような優れた効果がある。 (1)半導体ウェハの研磨工程において、工程中の機械
的作用を利用して貼付用プレートの変形を矯正するの
で、従来のように独立して貼付用プレートの一部を削り
取る工程を設ける必要が無く、生産効率が向上するとと
もに、貼付用プレートの耐用回数も著しく延びる。たと
えば、従来では半年に1回または2回の再生頻度で、4
回から5回の創生研磨を行うのが限度であったが、本発
明によればその10倍以上の寿命が得られる。 (2)これにより研磨工程で使用する貼付用プレートの
使用量が著しく少なくなる。 (3)貼付用プレートの平行度が安定しているので、半
導体ウェハの各バッチ研磨間における平坦度のバラツキ
が低減する。 (4)最も簡単な実施の形態では、新たな装置を付加す
ることなく従来装置にそのまま適用可能である。 (5)平行度の規定値をさらに小さくして、そこに貼付
され研磨される半導体ウェハの平坦度をさらに向上する
ことが容易に可能となる。規定値を小さくしても、従来
のように創生研磨の頻度が増加して貼付用プレートの寿
命が減少したり生産効率が低下するようなことがないた
めである。
As described above, the present invention has the following excellent effects. (1) In the polishing process of the semiconductor wafer, the mechanical action during the process is used to correct the deformation of the sticking plate, so that it is necessary to provide a step of independently shaving off a part of the sticking plate as in the related art. As a result, the production efficiency is improved, and the number of service times of the attaching plate is significantly increased. For example, in the past, with a playback frequency of once or twice every six months,
Although the limit of performing the new polishing five to five times has been limited, according to the present invention, ten times or more of the life can be obtained. (2) As a result, the amount of the attaching plate used in the polishing step is significantly reduced. (3) Since the parallelism of the attaching plate is stable, the unevenness of the flatness between each polishing of the semiconductor wafer is reduced. (4) In the simplest embodiment, the present invention can be applied to a conventional device without adding a new device. (5) It is possible to easily further reduce the specified value of the parallelism and further improve the flatness of the semiconductor wafer attached and polished thereon. This is because, even if the specified value is reduced, the frequency of creation polishing is not increased as in the related art, so that the life of the attaching plate is not reduced and the production efficiency is not reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】貼付用プレートの形状を強調して示した側面断
面図である。
FIG. 1 is a side cross-sectional view that emphasizes the shape of an attaching plate.

【図2】本発明に係る表裏面を区別するための識別子を
設けた貼付用プレートの一例を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing an example of an attaching plate provided with an identifier for distinguishing front and back surfaces according to the present invention.

【図3】本発明に係る半導体ウェハの研磨方法の一例を
示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart illustrating an example of a method for polishing a semiconductor wafer according to the present invention.

【図4】貼付用プレートの変形量を測定するための測定
位置を示すである。
FIG. 4 shows measurement positions for measuring the amount of deformation of the attaching plate.

【図5】貼付用プレートの変形量を測定するための測定
位置を示すである。
FIG. 5 shows measurement positions for measuring the amount of deformation of the attachment plate.

【図6】実施例2における貼付用プレートの経時的変形
量を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing a temporal deformation amount of an attaching plate in Example 2.

【図7】実施例3における貼付用プレートの経時的変形
量を示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing a temporal deformation amount of an attaching plate in Example 3.

【図8】実施例4の貼付用プレートの管理装置の構成を
示す模式図である。
FIG. 8 is a schematic diagram illustrating a configuration of a device for managing a sticking plate according to a fourth embodiment.

【図9】貼付用プレート載置台の内部構造を示す模式図
である。
FIG. 9 is a schematic diagram showing an internal structure of the attaching plate mounting table.

【図10】従来の貼付用プレートの形状およびその径時
変化による変形を強調して示した側面断面図である。
FIG. 10 is a side cross-sectional view that emphasizes the shape of a conventional attaching plate and the deformation due to a change with time in diameter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1‥‥‥貼付用プレート 11‥‥おもて面 12‥‥裏面 1a‥‥貼付用プレート 11a‥第1面 12a‥第2面 13a‥バーコード 14a‥段差 21‥‥識別子 22‥‥識別子 3‥‥‥載置台 31‥‥昇降機構 34‥‥ローラー 4‥‥‥ローラーコンベア 5‥‥‥変位感知ユニット 51‥‥センサ 52‥‥識別ユニット 6‥‥‥反転機構 61‥‥フォーク回転台 7‥‥‥ウェハ貼付装置 10‥‥半導体ウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 {attachment plate 11} front surface 12 {back surface 1a} attachment plate 11a {first surface 12a {second surface 13a} barcode 14a {step 21} identifier 22} identifier 3 {Mounting table 31} Lifting mechanism 34} Roller 4} Roller conveyor 5} Displacement sensing unit 51} Sensor 52} Identification unit 6} Reversing mechanism 61} Fork turntable 7} {Wafer sticking device 10} Semiconductor wafer

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェハ用研磨装置を構成し、研磨
すべき半導体ウェハをその片面に貼付けるための半導体
ウェハ貼付用プレートであって、表裏両面とも高精度平
坦加工されたことを特徴とする半導体ウェハ貼付用プレ
ート。
1. A semiconductor wafer polishing plate for forming a semiconductor wafer polishing apparatus for bonding a semiconductor wafer to be polished to one side thereof, wherein both sides of the semiconductor wafer are highly precisely flattened. Plate for attaching semiconductor wafers.
【請求項2】 表裏両面が、平行度で2μm以下に高精
度平坦加工されたことを特徴とする請求項1記載の半導
体ウェハ貼付用プレート。
2. The plate for attaching a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the front and back surfaces are flattened with high precision to a parallelism of 2 μm or less.
【請求項3】 表裏面識別のための識別子を設けたこと
を特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体ウェ
ハ貼付用プレート。
3. The plate for attaching a semiconductor wafer according to claim 1, wherein an identifier for identifying the front and back surfaces is provided.
【請求項4】 半導体ウェハ研磨装置間の個々の半導体
ウェハ貼付用プレートを、それぞれ区別するための識別
子を設けたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のい
ずれか一項に記載の半導体ウェハ貼付用プレート。
4. The semiconductor according to claim 1, wherein an identifier for distinguishing each semiconductor wafer attaching plate between the semiconductor wafer polishing apparatuses is provided. Wafer pasting plate.
【請求項5】 半導体ウェハ貼付用プレートに貼付した
半導体ウェハを研磨するにあたって、少なくとも研磨工
程1バッチ毎に、前記半導体ウェハ貼付用プレートの表
裏面交互に半導体ウェハを貼付して研磨することを特徴
とする半導体ウェハの研磨方法。
5. A method for polishing a semiconductor wafer attached to a semiconductor wafer attaching plate, wherein the semiconductor wafer is attached and polished alternately on both sides of the semiconductor wafer attaching plate at least for each batch of the polishing process. Semiconductor wafer polishing method.
【請求項6】 半導体ウェハ貼付用プレートに貼付した
半導体ウェハを研磨するにあたって、研磨工程1バッチ
毎に前記半導体ウェハ貼付用プレートの表裏いずれかの
平行度を測定し、この平行度を指標として半導体ウェハ
を貼付すべき面を定めることを特徴とする半導体ウェハ
の研磨方法。
6. When polishing a semiconductor wafer attached to a semiconductor wafer attaching plate, the parallelism of either the front or back of the semiconductor wafer attaching plate is measured for each batch of the polishing process, and the parallelism is used as an index. A method for polishing a semiconductor wafer, comprising determining a surface to which a wafer is to be attached.
【請求項7】 半導体ウェハ貼付用プレートの表裏面を
識別する識別機構と、それぞれの面の平行度を測定する
測定機構と、半導体ウェハ研磨装置間の個々の前記半導
体ウェハ貼付用プレートを区別して、それぞれの表裏面
の平行度をその面の使用回数の順に記録し、この記録さ
れたデータを予め定めた値と比較して、前記半導体ウェ
ハ貼付用プレートの貼付面の変更如何の指令を出力する
比較出力機構とを備えたことを特徴とする半導体ウェハ
貼付用プレートの管理装置。
7. A discriminating mechanism for distinguishing front and back surfaces of a semiconductor wafer sticking plate, a measuring mechanism for measuring the parallelism of each surface, and a semiconductor wafer sticking plate between semiconductor wafer polishing apparatuses. The parallelism of each of the front and back surfaces is recorded in the order of the number of times of use of the surface, the recorded data is compared with a predetermined value, and a command for changing the attachment surface of the semiconductor wafer attachment plate is output. And a comparison output mechanism.
JP7735698A 1998-03-25 1998-03-25 Semiconductor wafer mount-plate and semiconductor wafer polishing method using mount-plate and management device thereof Pending JPH11277415A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007331035A (en) * 2006-06-12 2007-12-27 Epson Toyocom Corp Workpiece carrier, its manufacturing method, and double-side grinding machine
JP2012181897A (en) * 2011-03-02 2012-09-20 Asahi Glass Co Ltd Manufacturing method of glass substrate and warping direction detection device of carrier used for the method

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