JPH11274249A - Laser marking equipment - Google Patents

Laser marking equipment

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JPH11274249A
JPH11274249A JP7063798A JP7063798A JPH11274249A JP H11274249 A JPH11274249 A JP H11274249A JP 7063798 A JP7063798 A JP 7063798A JP 7063798 A JP7063798 A JP 7063798A JP H11274249 A JPH11274249 A JP H11274249A
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substrate
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laser
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Noriko Koga
徳子 古閑
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent fragments from sticking again on a semiconductor substrate and maintain the surface of the semiconductor substrate in a clean state, by perpendicularly fixing and holding the semiconductor substrate to a laser beam, forming an air flow in parallel to the semiconductor substrate, and forcedly discharging the fragments scattered from the semiconductor substrate with the air flow. SOLUTION: A semiconductor substrate 2 is perpendicularly set to a laser beam 4, and air flow 9 is formed parallel with a laser irradiation surface of the semiconductor substrate 2 fixed and held with a substrate retaining part 7. Consequently, when fragments 2b generated from the semiconductor substrate 2 flies in the vicinity of the laser irradiation surface of the semiconductor substrate 2, the fragments 2b are removed from the semiconductor substrate 2 by the air flow 9 and forcedly sucked and discharged to an air sucking port 8b. As a result the fragments 2b of the semiconductor substrate 2 which flies in the vicinity of the laser irradiation surface of the semiconductor substrate 2 do not stick on the semiconductor substrate 2 again, contamination to the semiconductor substrate 2 which is to be caused by the splinters 2b is perfectly prevented, and the surface of the semiconductor substrate 2 can be kept clean.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板にレー
ザ光によるマーキングを行うレーザ式マーキング装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser marking apparatus for marking a semiconductor substrate with a laser beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体装置を製造する分野では、
半導体基板にレーザ光を照射し、半導体基板の一部を溶
融させてマーキングを行なっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the field of manufacturing semiconductor devices,
The semiconductor substrate is irradiated with laser light, and a part of the semiconductor substrate is melted for marking.

【0003】このマーキングを行なうには、従来種々の
レーザ式マーキング装置が用いられている。
Conventionally, various types of laser marking devices have been used to perform this marking.

【0004】特開平8−330196号公報に開示され
た技術は図3、図4に示すように、ステージ1上に半導
体基板2を水平にセットし、かつ半導体基板2のマーキ
ング箇所を遮蔽板3にて隔離し、遮蔽板3で隔離された
半導体基板2の板面にレーザ光4を照射してマーキング
を行なっている。
The technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-330196 discloses a technique in which a semiconductor substrate 2 is set horizontally on a stage 1 and a marking portion of the semiconductor substrate 2 is shielded by a shielding plate 3 as shown in FIGS. The laser light 4 is applied to the surface of the semiconductor substrate 2 separated by the shielding plate 3 for marking.

【0005】また特開平8−330196号公報に開示
された技術は図5に示すように、半導体基板2のマーキ
ング箇所にダクト状のレーザマーキングエリア遮断用治
具6を取付け、治具6の上部開口6aからレーザ光4を
導入し、横向きの排気口6bから排気を行なっている。
In the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-330196, as shown in FIG. 5, a jig 6 for cutting off a laser marking area in the form of a duct is attached to a marking location on a semiconductor substrate 2 and an upper part of the jig 6 is provided. The laser beam 4 is introduced from the opening 6a, and the gas is exhausted from the lateral exhaust port 6b.

【0006】特開平5−104265号公報に開示され
た技術は図6に示すように、半導体基板2のマーキング
箇所2aに酸化性ガス5を吹き付け、レーザ光4を照射
して基板一部を溶融し、飛散する基板破片2bの表面を
酸化性ガス5で酸化させ、基板破片2bが基板1上に落
下したときの付着力を軽減するようにしている。
In the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-104265, as shown in FIG. 6, an oxidizing gas 5 is blown onto a marking portion 2a of a semiconductor substrate 2 and irradiated with a laser beam 4 to partially melt the substrate. Then, the surface of the scattered substrate fragments 2b is oxidized by the oxidizing gas 5 so as to reduce the adhesive force when the substrate fragments 2b fall onto the substrate 1.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図3に
示す従来例では遮蔽板3で隔離した領域には、溶融飛散
した破片が再付着して汚染されてしまうという問題があ
る。
However, the conventional example shown in FIG. 3 has a problem that the melted and scattered fragments are reattached to the area isolated by the shielding plate 3 and become contaminated.

【0008】また図5に示す従来例では、レーザ光の照
射位置、排気口の位置精度が要求され、作業効率が低下
するという問題があった。
In the conventional example shown in FIG. 5, there is a problem that the irradiation position of the laser beam and the position accuracy of the exhaust port are required, and the working efficiency is reduced.

【0009】また図6に示す従来例では、酸化性ガス5
によって酸化された酸化物が基板に付着した場合に、そ
の酸化物をエッチングにより除去する必要があるという
問題がある。
In the conventional example shown in FIG.
When the oxide oxidized by the metal adheres to the substrate, the oxide needs to be removed by etching.

【0010】本発明の目的は、レーザ光照射によって発
生した破片の基板への再付着及び汚染等を完全に防止す
るレーザ式マーキング装置を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a laser marking device which completely prevents fragments generated by laser beam irradiation from re-adhering to a substrate and contaminating.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るレーザ式マーキング装置は、基板保持
部と、エアー部とを有し、レーザ光を半導体基板に照射
し、基板一部を溶融してマーキングを付するレーザ式マ
ーキング装置であって、前記基板保持部は、半導体基板
をレーザ光に対して垂直に固定保持するものであり、前
記エアー部は、前記固定された半導体基板のレーザ光照
射面に対し平行にエアー流を形成するものである。
In order to achieve the above object, a laser type marking apparatus according to the present invention has a substrate holding section and an air section, irradiates a semiconductor substrate with laser light, Is a laser marking apparatus for applying a marking by melting the semiconductor substrate, wherein the substrate holding unit is for fixing and holding the semiconductor substrate perpendicular to the laser beam, and the air unit is the fixed semiconductor substrate The air flow is formed in parallel to the laser light irradiation surface of the above.

【0012】また前記エアー部は、エアー噴出口とエア
ー吸引口とを有し、前記エアー噴出口は、前記半導体基
板上部側に配置され、エアーを噴射して前記半導体基板
のレーザ光照射面に平行にエアー流を形成するものであ
り、前記エアー吸引口は、前記半導体基板下部側に配置
され、前記半導体基板のレーザ光照射面に平行なエアー
流を強制的に吸引するものである。
The air portion has an air ejection port and an air suction port, and the air ejection port is disposed on the upper side of the semiconductor substrate, and injects air to a laser light irradiation surface of the semiconductor substrate. The air flow is formed in parallel, and the air suction port is disposed below the semiconductor substrate and forcibly sucks an air flow parallel to the laser light irradiation surface of the semiconductor substrate.

【0013】また前記基板保持部は、半導体基板のオリ
フラを支えて該基板を垂直に固定保持するものである。
Further, the substrate holding section supports the orientation flat of the semiconductor substrate and vertically fixes and holds the substrate.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0015】図1は、本発明の実施形態に係るレーザ式
マーキング装置を示す構成図、図2は、基板保持部を示
す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a laser marking device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a configuration diagram showing a substrate holding section.

【0016】本発明者は、半導体基板にレーザ光を照射
し、その溶融によって発生する破片が半導体基板に再付
着するメカニズムについて技術的に検討した。その結果
から、破片を半導体基板上に浮遊する状態が回避されて
いないため、再付着が生じていることが分かり、本発明
では、半導体基板上に浮遊する破片を強制的に除去する
ようにしたものである。
The present inventor technically studied a mechanism of irradiating a semiconductor substrate with a laser beam and causing fragments generated by the melting thereof to adhere to the semiconductor substrate again. From the results, it was found that the state in which the fragments were floating on the semiconductor substrate was not avoided, so that reattachment had occurred. In the present invention, the fragments floating on the semiconductor substrate were forcibly removed. Things.

【0017】すなわち、本発明の実施形態に係るレーザ
式マーキング装置は、基板保持部7と、エアー部8とを
有している。
That is, the laser marking device according to the embodiment of the present invention has the substrate holding unit 7 and the air unit 8.

【0018】基板保持部7は、半導体基板2をレーザ光
4に対して垂直に固定保持するようになっている。具体
的には、基板保持部7は図2に示すように、基板2の周
縁一部を直線状に切欠いたオリフラ2cを支持桿7aの
平坦面7bで支え、オリフラ2cの円弧状立上り縁2d
に支持桿7aの円弧舌片7cをあてがい、半導体基板2
を固定保持するようになっている。
The substrate holding unit 7 is adapted to fix and hold the semiconductor substrate 2 perpendicular to the laser beam 4. More specifically, as shown in FIG. 2, the substrate holding portion 7 supports the orientation flat 2c in which a part of the peripheral edge of the substrate 2 is cut linearly by a flat surface 7b of a support rod 7a, and forms an arc-shaped rising edge 2d of the orientation flat 2c.
Of the support rod 7a is applied to the semiconductor substrate 2
Is fixedly held.

【0019】エアー部8は、基板保持部7に固定保持さ
れた基板2のレーザ光照射面2eに対し平行にエアー流
9を形成するようになっている。具体的には、エアー部
8は図1に示すように、エアー噴出口8aとエアー吸引
口8bとを有している。図1に示すようにエアー噴出口
8aは、半導体基板2の上部側に配置され、半導体基板
2のレーザ照射面2eに平行にエアーを強制的に噴出し
て、半導体基板2のレーザ照射面2eに平行にエアー流
9を形成している。また図1に示すようにエアー吸引口
8bは、半導体基板2の下部側に配置され、半導体基板
2に平行なエアー流9を強制的に排気し、半導体基板2
から飛散する破片2bをエアー流9により排気するよう
にしている。
The air section 8 forms an air flow 9 parallel to the laser beam irradiation surface 2e of the substrate 2 fixed and held by the substrate holding section 7. Specifically, as shown in FIG. 1, the air section 8 has an air ejection port 8a and an air suction port 8b. As shown in FIG. 1, the air ejection port 8a is disposed on the upper side of the semiconductor substrate 2 and forcibly ejects air in parallel with the laser irradiation surface 2e of the semiconductor substrate 2 to form the laser irradiation surface 2e of the semiconductor substrate 2. An air flow 9 is formed in parallel with the air flow. Further, as shown in FIG. 1, the air suction port 8b is disposed below the semiconductor substrate 2 and forcibly exhausts an air flow 9 parallel to the semiconductor substrate 2, and
The fragments 2b scattered from the air are exhausted by the air flow 9.

【0020】図1に示すように、光学系を通したレーザ
出力部(図示略)から出力されたレーザ光4は反射ミラ
ーを介してミラー群に到達して集光し、半導体基板2の
レーザ光照射面2e上に照射される。
As shown in FIG. 1, a laser beam 4 output from a laser output unit (not shown) through an optical system reaches a mirror group via a reflection mirror and is condensed. The light is irradiated onto the light irradiation surface 2e.

【0021】レーザ光4が照射されると、半導体基板2
のレーザ光照射面2eの基板一部が溶融し、半導体基板
(Si)2から破片(Si)2bが飛散する。
When the semiconductor substrate 2 is irradiated with the laser beam 4,
A part of the substrate on the laser beam irradiation surface 2e is melted, and fragments (Si) 2b are scattered from the semiconductor substrate (Si) 2.

【0022】飛散した破片2bの飛沫は、半導体基板2
のレーザ光照射面2e付近で浮遊することとなる。
The splash of the scattered fragments 2b is applied to the semiconductor substrate 2
In the vicinity of the laser beam irradiation surface 2e.

【0023】本発明の実施形態によれば、半導体基板2
がレーザ光4に対して垂直にセットされ、かつ、基板保
持部7に固定保持された半導体基板2のレーザ光照射面
2eに対して平行にエアー流9を形成しているため、半
導体基板2から発生した破片2bは、半導体基板2のレ
ーザ光照射面2e付近で浮遊する際にエアー流9に乗っ
て半導体基板2から離れてエアー吸引口8bに強制的に
吸引排出される。
According to the embodiment of the present invention, the semiconductor substrate 2
Are set perpendicular to the laser beam 4 and form the air flow 9 in parallel to the laser beam irradiation surface 2e of the semiconductor substrate 2 fixed and held by the substrate holding section 7, so that the semiconductor substrate 2 The debris 2b generated from is separated from the semiconductor substrate 2 by the air flow 9 while floating near the laser beam irradiation surface 2e of the semiconductor substrate 2 and is forcibly sucked and discharged to the air suction port 8b.

【0024】したがって本発明の実施形態によれば、半
導体基板2のレーザ光照射面2e付近で浮遊する半導体
基板2の破片2bが半導体基板2に再付着することがな
く、半導体基板2下部側に強制的に排出され、破片2b
の半導体基板2への再付着及び汚染等を完全に防止する
ことができる。
Therefore, according to the embodiment of the present invention, the fragments 2 b of the semiconductor substrate 2 floating near the laser beam irradiation surface 2 e of the semiconductor substrate 2 do not adhere to the semiconductor substrate 2 again, and Forcibly ejected, debris 2b
Can be completely prevented from re-adhering to the semiconductor substrate 2 and contamination.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ーザ光に対して半導体基板を垂直に固定保持し、かつ半
導体基板に平行なエアー流を形成し、半導体基板から飛
散する破片をエアー流によって強制的に排気するため、
破片が半導体基板に再付着することを防止することがで
き、このため半導体基板の表面を清浄に保持することが
できる。
As described above, according to the present invention, the semiconductor substrate is fixed and held vertically to the laser beam, and an air flow parallel to the semiconductor substrate is formed, so that the debris scattered from the semiconductor substrate is removed by the air. Because it is forcibly exhausted by the flow,
The fragments can be prevented from re-adhering to the semiconductor substrate, so that the surface of the semiconductor substrate can be kept clean.

【0026】また基板保持部は、半導体基板のオリフラ
を支えて該基板を垂直に固定保持するため、半導体基板
をレーゼ光に対して垂直に保持することができ、このた
めエアー流は、常に半導体基板に平行に流動することと
なり、半導体基板からの破片を確実に半導体基板に再付
着させることなく捕捉することができる。
The substrate holding portion supports the orientation flat of the semiconductor substrate and holds the substrate vertically, so that the semiconductor substrate can be held vertically to the laser light. Since the particles flow in parallel with the substrate, debris from the semiconductor substrate can be reliably captured without re-adhering to the semiconductor substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に係るレーザ式マーキング装
置を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a laser marking device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態に係るレーザ式マーキング装
置に用いる基板保持部を示す構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a substrate holding unit used in the laser marking device according to the embodiment of the present invention.

【図3】従来例を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing a conventional example.

【図4】図3に示す従来例を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the conventional example shown in FIG.

【図5】図3に示す従来例の変更例を示す構成図であ
る。
FIG. 5 is a configuration diagram showing a modification of the conventional example shown in FIG. 3;

【図6】別の従来例を示す構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram showing another conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 半導体基板 2b 半導体基板からの破片 2c 半導体基板のオリフラ 2e 半導体基板のレーザ照射面 7 基板保持部 8 エアー部 8a エアー噴出口 8b エアー吸引口 Reference Signs List 2 semiconductor substrate 2b fragment from semiconductor substrate 2c orientation flat of semiconductor substrate 2e laser irradiation surface of semiconductor substrate 7 substrate holding unit 8 air unit 8a air jet port 8b air suction port

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成11年2月22日[Submission date] February 22, 1999

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【特許請求の範囲】[Claims]

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0011[Correction target item name] 0011

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るレーザ式マーキング装置は、拡散製造
工程中に、レーザ光を半導体基板に照射し、基板一部を
溶融してマーキングを付するレーザ式マーキング装置で
あって、半導体基板を垂直に固定保持する基板保持部
と、前記半導体基板に垂直にレーザ光を照射するレーザ
出力部と、前記半導体基板の垂直上部方向端部に配置さ
れた、エアーを噴射して前記半導体基板のレーザ光照射
面に平行にエアー流を形成するエアー噴出口と、前記半
導体基板の垂直下部方向端部に配置された、前記半導体
基板のレーザ光照射面に平行なエアー流を強制的に吸引
するエアー吸引口とを含むものである。
In order to achieve the above object, a laser marking apparatus according to the present invention is provided with a diffusion manufacturing method.
A laser marking device that irradiates a semiconductor substrate with a laser beam during a process, melts a part of the substrate, and applies a marking to the semiconductor substrate.
And a laser for irradiating the semiconductor substrate with a laser beam vertically
An output unit, disposed at a vertical upper direction end of the semiconductor substrate;
Irradiating the semiconductor substrate with laser light
An air outlet for forming an air flow parallel to the surface;
The semiconductor disposed at a vertical lower end of the conductive substrate;
Forced suction of air flow parallel to laser beam irradiation surface of substrate
And an air suction port .

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0012[Correction target item name] 0012

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0012】また前記基板保持部は、前記半導体基板の
オリフラを支えて前記半導体基板を垂直に固定保持する
ものである。
Further, the substrate holding portion is provided on the semiconductor substrate.
Supports the orientation flat and vertically holds and holds the semiconductor substrate
Things.

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0013[Correction target item name] 0013

【補正方法】削除[Correction method] Deleted

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板保持部と、エアー部とを有し、レー
ザ光を半導体基板に照射し、基板一部を溶融してマーキ
ングを付するレーザ式マーキング装置であって、 前記基板保持部は、半導体基板をレーザ光に対して垂直
に固定保持するものであり、 前記エアー部は、前記固定された半導体基板のレーザ光
照射面に対し平行にエアー流を形成するものであること
を特徴とするレーザ式マーキング装置。
1. A laser marking device having a substrate holding part and an air part, irradiating a semiconductor substrate with a laser beam, and melting a part of the substrate to apply a marking, wherein the substrate holding part is The semiconductor substrate is fixedly held perpendicular to the laser light, and the air portion is configured to form an air flow parallel to the laser light irradiation surface of the fixed semiconductor substrate. Laser marking device.
【請求項2】 前記エアー部は、エアー噴出口とエアー
吸引口とを有し、 前記エアー噴出口は、前記半導体基板上部側に配置さ
れ、エアーを噴射して前記半導体基板のレーザ光照射面
に平行にエアー流を形成するものであり、 前記エアー吸引口は、前記半導体基板下部側に配置さ
れ、前記半導体基板のレーザ光照射面に平行なエアー流
を強制的に吸引するものであることを特徴とする請求項
1に記載のレーザ式マーキング装置。
2. The air part has an air outlet and an air suction port, and the air outlet is disposed on an upper side of the semiconductor substrate, and emits air to irradiate a laser beam on the semiconductor substrate. The air suction port is arranged below the semiconductor substrate, and forcibly sucks an air flow parallel to the laser light irradiation surface of the semiconductor substrate. The laser marking device according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記基板保持部は、半導体基板のオリフ
ラを支えて該基板を垂直に固定保持するものであること
を特徴とする請求項1に記載のレーザ式マーキング装
置。
3. The laser marking apparatus according to claim 1, wherein the substrate holding section supports an orientation flat of the semiconductor substrate and vertically fixes and holds the substrate.
JP7063798A 1998-03-19 1998-03-19 Laser marking device Expired - Lifetime JP2933594B1 (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7009633B2 (en) * 2002-05-22 2006-03-07 Agfa-Gevaert System and method for laser marking

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7009633B2 (en) * 2002-05-22 2006-03-07 Agfa-Gevaert System and method for laser marking

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