JPH11274137A - エッチング方法 - Google Patents

エッチング方法

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JPH11274137A
JPH11274137A JP10089421A JP8942198A JPH11274137A JP H11274137 A JPH11274137 A JP H11274137A JP 10089421 A JP10089421 A JP 10089421A JP 8942198 A JP8942198 A JP 8942198A JP H11274137 A JPH11274137 A JP H11274137A
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Japan
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etching
gas
plasma
chamber
wafer
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JP10089421A
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Kenichi Nanbu
健一 南部
Tamotsu Morimoto
保 森本
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 エッチングレートの面内均一性を大幅に改善
することができるエッチング方法を提供する。 【解決手段】 エッチングガスを導入するガス導入部
と、高周波により前記エッチングガスをプラズマ化する
ことにより活性種を形成するプラズマ形成室と、このプ
ラズマ形成室に連結されて前記プラズマ形成室よりも大
きな直径の空間を有する反応室と、この反応室内に設け
られて、前記プラズマ形成室から流下する前記活性種に
よりエッチング処理を施すための被処理体を載置する載
置台と、前記反応室内を真空引きする真空排気系とを有
するエッチング装置を用いて行なうエッチング方法にお
いて、前記エッチングガスを、前記反応室の実質的な容
量の１リットルに対して８．４ｓｃｃｍ以上の流量で供
給する。これにより、エッチングレートの面内均一性を
大幅に改善する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリシリコン膜等
の薄膜をエッチングするためのエッチング方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路やＬＣＤ基板等
を製造するためには、半導体ウエハやガラス基板等の基
板に対して、成膜とパターンエッチング等を繰り返し行
なって、多数の所望の素子を形成するようになってい
る。そして、多数の素子の中でも、例えばＭＯＳＦＥＴ
（Ｍｅｔａｌ ＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）
を製造する場合には、このＭＯＳＦＥＴのゲート電極で
あるポリシリコン膜のエッチング工程は非常に重要とな
る。その理由は、このＭＯＳＦＥＴのゲート電極長は、
素子自体の電気的特性を決定する上で重要な要素となる
からである。そのために、このエッチング工程ではゲー
ト電極長を基板全面に亘って正確にエッチングしなけれ
ばならず、非常に精度の高い加工と加工均一性が要求さ
れる。
【０００３】このポリシリコンのエッチングプロセス
は、従来の平行平板型のプラズマエッチング装置ではプ
ロセス圧が高過ぎてエッチングの面内均一性を十分に高
く維持できないことから、数ｍＴｏｒｒ台の低いプロセ
ス圧を実現することができる誘導結合型のプラズマ処理
装置が主として用いられている。図７は上述したような
従来の一般的な誘導結合型のプラズマ処理装置を示す模
式図である。このプラズマ処理装置は、略円筒体状の処
理容器２を有し、この内部が反応室内となる。この処理
容器２の内部に半導体ウエハＷを載置するための載置台
４を設けている。処理容器２内の雰囲気は、載置台４の
周囲に沿って容器底部に設けた環状の排気口６から真空
排気される。
【０００４】処理容器２の天井部には、これよりも直径
の小さなプラズマ形成容器８が下方と連通させて設けら
れており、内部にプラズマ形成室を形成している。この
プラズマ形成容器８には、例えば１３．５６ＭＨｚの高
周波電源１０に接続された誘導コイルが巻回されてい
る。そして、プラズマ形成容器８の天井部に設けたガス
導入部１４から導入されたエッチングガス、例えば塩素
（Ｃｌ2 ）ガスは、誘導コイル１２により発生される電
磁界により解離されてプラズマ状態となり、このプラズ
マにより塩素分子或いは原子が活性化されて活性種を生
成する。この時の塩素ガスの供給量は、例えば反応室の
容量が５９リットルに対して１２５ｓｃｃｍ程度であ
る。この活性種は、プラズマ形成室から流下して処理容
器２の反応室内へ流れ込み、この際、プラズマ形成室の
出口に設けた傘状の整流板１６によって活性種は案内さ
れつつ拡散されて、ウエハ表面上に略均等に流下し、ウ
エハ表面の例えばポリシリコン膜をエッチングすること
になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、数ｍＴｏｒ
ｒ程度の低圧下でプラズマ形成容器８内から処理容器２
内へ流下するガス或いは活性種の挙動、或いは流れ方は
非常に複雑であり、従来このような低圧下ではガス或い
は活性種は主として拡散により拡がり、略ウエハ表面上
に均一に流下するものと考えられていた。しかしなが
ら、上述したような方法では、ウエハ中心部と周辺部と
の間でエッチングレートにかなり差があり、エッチング
の面内均一性が劣化する場合があった。それでも、６イ
ンチ、８インチサイズのウエハの場合には、このエッチ
ングの不均一性がそれ程問題とはならなかったが、ウエ
ハサイズが１２インチ（３０ｃｍ）になって大型化する
と、このエッチングの不均一性がかなり大きくなり、所
望する面内均一性が得られなくなるという問題があっ
た。
【０００６】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、エッチングレートの面内均一性を大幅に改善
することができるエッチング方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、エッチング
ガスや活性種の流れについて、ガス供給量を種々大幅に
変更してシミュレーションを行なった結果、ガス供給量
を多くすると、拡散によるウエハ周縁部への流束は大き
くは変化しないが、流れによるウエハ周縁部への流束は
大きく変化して全体的にエッチングレートの面内均一性
を向上させることができる、という知見を得ることによ
り、本発明に至ったものである。
【０００８】本発明は、上記問題点を解決するために、
エッチングガスを導入するガス導入部と、高周波により
前記エッチングガスをプラズマ化することにより活性種
を形成するプラズマ形成室と、このプラズマ形成室に連
結されて前記プラズマ形成室よりも大きな直径の空間を
有する反応室と、この反応室内に設けられて、前記プラ
ズマ形成室から流下する前記活性種によりエッチング処
理を施すための被処理体を載置する載置台と、前記反応
室内を真空引きする真空排気系とを有するエッチング装
置を用いて行なうエッチング方法において、前記エッチ
ングガスを、前記反応室の実質的な容量の１リットルに
対して８．４ｓｃｃｍ以上の流量で供給するようにした
ものである。
【０００９】このように、エッチングガスを、反応室の
実質的な容量の１リットルに対して８．４ｓｃｃｍ以上
の流量で流すことにより、エッチングレートのみなら
ず、エッチングの面内均一性も向上させることが可能と
なる。このようなエッチング処理は、プラズマ形成室の
外周に高周波電源の接続された誘導コイルを巻回して誘
導結合によりプラズマを発生する誘導結合方式により行
なうことができる。また、エッチングガスとしては例え
ば塩素ガスを用い、これにより被処理体の表面に形成さ
れている例えばポリシリコン膜をエッチングする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るエッチング
方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は
本発明方法を実施するために用いるプラズマ処理装置を
示す概略構成図、図２はエッチング時のエッチングガス
の反応を示す図、図３はエッチングガスの流量を種々変
更した時のエッチングレートの変化を示すグラフであ
る。図示するようにこのプラズマ処理装置１８は、例え
ばアルミニウム等よりなる略円筒体状の処理容器２０を
有しており、この内部空間が反応室２２として形成され
る。この処理容器２０内には、被処理体である例えば半
導体ウエハＷを載置するための例えば金属や絶縁体製の
円形の載置台２４が設置されている。尚、載置台２４に
ウエハ温度をコントロールする抵抗ヒータ及びイオンを
引き込むための電極等を設けるようにしてもよい。そし
て、この載置台２４を囲むようにして処理容器２０の底
部には、円環状の排気口２６が設けられており、この排
気口２６には途中に真空ポンプ２８を介設した真空排気
系３０が接続されており、処理容器２０内を真空引きで
きるようになっている。また、処理容器２０の側壁に
は、ウエハＷの搬入搬出時に開閉されるゲートバルブ３
２が設けられる。尚、載置台２４には、これを気密に貫
通してウエハＷの搬入搬出時に下方より昇降する図示し
ないリフタピンが設けられるのは勿論である。
【００１１】そして、処理容器２０の天井部３２の中央
には、開口３４が形成されており、この開口３４には、
例えば石英により略円筒体状に成形されたプラズマ形成
容器３６がシール部材３８を介して気密に取り付け固定
されており、プラズマ形成容器３６内にプラズマ形成室
４０を構成している。従って、プラズマ形成室４０は、
開口３４を介してこれよりも大きな直径である反応室２
２に連通される。上記プラズマ形成容器３６の天井部に
は、ガス導入部としてシャワーヘッド部４２が設けられ
ており、このシャワーヘッド部４２の下面に形成した複
数のガス噴射孔４４からプラズマ形成室４０内に向け
て、例えば塩素ガス（Ｃｌ2 ）よりなるエッチングガス
を供給できるようになっている。
【００１２】また、このプラズマ形成容器３６の外周に
は、誘導コイル４６が所定の回数だけ巻回されており、
この誘導コイル４６は例えば１３．５６ＭＨｚの高周波
電源４８が接続されている。そして、この誘導コイル４
６に１３．５６ＭＨｚの高周波を流すことによって、プ
ラズマ形成室４０内においてエッチングガスをプラズマ
化して活性種を形成し得るようになっている。ここで各
部の寸法は、例えば８インチ（３０ｃｍ）サイズのウエ
ハＷをエッチング処理する場合には、載置台２４の直径
Ｌ１は４００ｍｍ程度、処理容器２０内の天井部３２と
載置台２４との間の距離Ｌ２は３００ｍｍ程度、処理容
器２０内（反応室２２）の直径Ｌ３は５００ｍｍ程度、
プラズマ形成容器３６（プラズマ形成室４０）内の直径
Ｌ４は２００ｍｍ程度、プラズマ形成室４０の高さＬ５
は２００ｍｍ程度、載置台２４の厚さＬ６は５０ｍｍ程
度にそれぞれ設定されている。従って、反応室２２の実
質的な容量は、５９リットル（＝πｘ２５０ｍｍ×２５
０ｍｍ×３００ｍｍ）程度となる。
【００１３】次に、以上のように構成された装置を用い
て行なわれる本発明方法について説明する。まず、開閉
可能なゲートバルブ３２を介して処理容器２０内へ搬入
されたウエハＷは、載置台２４上に載置され、容器２０
内を密閉した後に処理が開始される。プラズマ形成容器
３６の天井部に設けたシャワーヘッド部４２からは、エ
ッチングガスとして塩素ガスが所定の流量でプラズマ形
成室４０内へ導入され、ここで誘導コイル４６により発
生される電磁界によってエッチングガスはプラズマ化さ
れ、このプラズマにより塩素原子や塩素分子の活性種が
生成される。
【００１４】このエッチングガスや活性種は、プラズマ
形成室４０からこの下方の広い反応室２２内へ拡散しな
がら流れ込み、反応室２２内を流下しながらウエハ表面
上に到達してウエハＷの表面の例えばポリシリコン膜を
エッチングすることになる。そして、エッチング処理済
みのガスは、ウエハＷの周辺部へ流れて行き、載置台２
４を囲むようにして環状に設けた排気口２６から流出し
て真空排気系３０により排出される。ここで、図２にも
示すように、塩素ガスは下記式に従って電子ｅ- によっ
て活性化されてシリコンと反応すると考えられる。 ｅ- ＋Ｃｌ2 → ｅ- ＋Ｃｌ2 ＊ → ２Ｃｌ ｅ- ＋Ｃｌ2 → ｅ- ＋Ｃｌ- ＋ Ｃｌ Ｃｌ＋１／２・Ｓｉ → １／２・ＳｉＣｌ2 ここで上記式中のマーク＊は電子励起状態であることを
示す。
【００１５】そして、本発明においては、プロセス圧力
を例えば５〜１０ｍＴｏｒｒ程度の範囲内で一定として
エッチングガスの供給量を５００ｓｃｃｍ以上に設定す
る。通常は、ここに記載したような反応室２２の実質的
な容量が５９リットル程度の場合には、エッチングガス
の流量は、１２５ｓｃｃｍ程度であるが、本発明では、
上述のようにこれよりも遥かに多い５００ｓｃｃｍ以上
の流量でエッチングガスを供給する。この流量は、反応
室２２の実質的な容量の１リットルに対して８．４ｓｃ
ｃｍ以上の流量となる。このような多量のエッチングガ
スを供給することにより、全体としてのエッチングレー
トを向上させることができるのみならず、エッチングの
面内均一性も向上させることが可能となる。
【００１６】図３は、前述した装置例において、エッチ
ングガスの供給量を１５０ｓｃｃｍ〜１０００ｓｃｃｍ
まで種々変更した時におけるウエハ表面上のエッチング
レートの分布を示すグラフである。この時のプロセス圧
力は略５ｍＴｏｒｒとなるように一定に維持している。
横軸は、ウエハの半径の長さｒｗと中心から半径方向の
長さｒとの比で表している。このグラフから明らかなよ
うに、エッチングガスの流量に関係なく、ウエハ中心と
比較してウエハ周辺部においてはエッチングレートが急
激に上昇している。しかしながら、エッチングガスの供
給量が１２５ｓｃｃｍ、２５０ｓｃｃｍの場合には、ウ
エハ中央部から中周部におけるエッチングレートの変動
量がある程度以上大きく、しかも、ウエハ周辺部におけ
るエッチングレートの上昇量もかなり大きくなって、全
体としてエッチングレートの面内均一性があまり良好で
はない。
【００１７】これに対して、エッチングガスの供給量が
５００ｓｃｃｍ、１０００ｓｃｃｍの場合には、ウエハ
中央部から中周部におけるエッチングレートの変動量は
非常に少なくて実質的には略ゼロであり、また、ウエハ
周辺部におけるエッチングレートの上昇量は、供給量が
１２５ｓｃｃｍや２５０ｓｃｃｍの場合と比較してそれ
程多くない。従って、エッチングガスの供給量を５００
ｓｃｃｍ以上（８．４ｓｃｃｍ以上／反応室の実質的な
容量の１リットル）とすることにより、エッチングの面
内均一性を大幅に向上できることが判明する。尚、この
場合、プロセス圧力は、プラズマが立ち得る数ｍＴｏｒ
ｒ以下の圧力であれば上述した流量を適用し得る。
【００１８】ここで上記した結果についてＤＳＭＣ（Ｄ
ｉｒｅｃｔ ＳｉｍｕｌａｔｉｏｎＭｏｎｔｅ Ｃａｒ
ｌｏ）法を用いてエッチングガスや反応生成物の流れ場
の解析をシミュレーションによって検証したので、その
点について説明する。図４は反応室内のＣｌ濃度を３次
元的に示すグラフであり、グラフ中においてｒはウエハ
中心より少し下方の点Ｏ（図２参照）から半径方向への
距離を示し、Ｚは点Ｏから高さ方向への距離を示し、ま
た縦軸は塩素濃度（密度場）を示す。従って、シャワー
ヘッド部４２はＺ＝０．５５ｍの位置に設定されている
ことになる。塩素ガスに関しては、図４（Ａ）は１００
０ｓｃｃｍの流量であり、図４（Ｂ）は２５０ｓｃｃｍ
の流量であり、図４（Ｃ）は１２５ｓｃｃｍの流量であ
る。図中の矢印はガスの流れ方向を示している。また、
この時の各ガスの分圧及び全圧を表１に示す。尚、表１
中には流量が５００ｓｃｃｍの場合も示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】グラフから明らかなように塩素原子の拡散
によるウエハへの数流束は、密度勾配に比例し、エッチ
ングガス流量を１２５ｓｃｃｍから１０００ｓｃｃｍへ
増加する程、大きくなることが判明する。これが、エッ
チングレートがエッチングガス流量の増加と共に増加す
る理由である。しかしながら、表１を参照すると、圧力
を測定している点での塩素原子の分圧は、エッチングガ
スの流量に依存しないで略一定であるので、これだけで
はエッチングレートがエッチングガス流量によって大き
く変化していること全てを説明していることにならな
い。また、図４において、ウエハがない部分での塩素原
子の密度が高いことが分かる。これにより、ウエハがな
い部分から塩素原子がウエハの周辺部へ拡散するので、
ウエハ周辺部でのエッチングレートが大きくなる理由が
理解できる。しかしながら、エッチングガスの流量を変
えてもウエハとウエハのない部分との間の境界位置で密
度勾配は大きく変化していないので、拡散による流束が
エッチングレートに大きく寄与するとは考えることがで
きない。
【００２１】次に、反応副生成物であるＳｉＣｌ2 の密
度場について検討する。図５は反応室内のＳｉＣｌ2 濃
度を３次元的に示すグラフであり、各軸の関係は図４の
場合と同じである。塩素ガスに関しては、図５（Ａ）は
１０００ｓｃｃｍの流量であり、図５（Ｂ）は２５０ｓ
ｃｃｍの流量であり、図５（Ｃ）は１２５ｓｃｃｍの流
量である。尚、図５においては、図４の場合に対してＺ
軸方向が逆になっている点に注意されたい。このグラフ
から明らかなように、各図においてウエハ表面がＳｉＣ
ｌ2 の薄い層に覆われているのが分かり、エッチングガ
スの流量が１２５ｓｃｃｍから１０００ｓｃｃｍに向け
て増すと、そのＳｉＣｌ2 の薄い層が次第に薄くなり、
反応室内のＳｉＣｌ2 の量も減少することが判明する。
このＳｉＣｌ2 の層が薄くなると、エッチャントである
塩素原子は、ウエハ表面に到達し易くなる。言い換えれ
ば、エッチングガスの供給量が多くなると、エッチャン
トのウエハ表面への供給が多くなり、エッチングが推進
される。また、Ｚ座標がウエハの位置で、径方向位置が
ウエハがない部分でのＳｉＣｌ2 の密度勾配は、エッチ
ングガスの流量が大きい程きつくなる。これは、ＳｉＣ
ｌ2 を周辺部分で速やかに排気し、流量が大きいときに
周辺部分でエッチングレートが大きくなる原因であると
考えられる。
【００２２】次に、エッチングガスの流れ場について考
察する。図６及び図７はウエハ周辺部におけるエッチャ
ントの流速分布を示しており、図６（Ａ）はエッチング
ガスの流量が１０００ｓｃｃｍの場合、図６（Ｂ）はエ
ッチングガスの流量が５００ｓｃｃｍの場合、図７
（Ａ）はエッチングガスの流量が２５０ｓｃｃｍの場
合、図７（Ｂ）はエッチングガスの流量が１２５ｓｃｃ
ｍである。この図から明らかなように、大流量になれ
ば、エッチャントである塩素原子Ｃｌの流れが強くな
る。これが、エッチングガスの流量の増加と共にエッチ
ングレートが増加するもう１つの理由である。
【００２３】また、図６（Ａ）に示すようにエッチング
ガスが大流量の場合には、エッチャントの流れの岐点が
ウエハの周辺部近くにあるが、図６（Ｂ）、図７
（Ａ）、図７（Ｂ）に示すようにエッチングガスが次第
に小流量になるに従って、エッチャントの流れの岐点は
ウエハの外側方向に向かって移って行き、図７（Ｂ）に
示す１２５ｓｃｃｍの時には、岐点はウエハの略外側に
位置する。これがウエハ中央部側へ強い流れを誘起して
小流量の条件下で、ウエハ端近傍においてエッチングレ
ートが広く上がってしまう原因となっていることが判明
する。従って、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように
大流量の条件下ならば、ウエハ端近傍においてエッチン
グレートの上昇を抑制することができ、これがためにエ
ッチングレートの面内均一性を向上させることができる
点が判明する。
【００２４】尚、本実施例においては、ＩＣＰ（誘導結
合プラズマ）式のエッチング装置を用いて説明したが、
これに限定されず、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）式のエ
ッチング装置、サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）式のプラ
ズマ装置等にも適用できるのは勿論である。また、エッ
チングガスとしては塩素ガスに限定されず、例えばＣｌ
Ｆ系ガス等も用いることができる。また、被処理体とし
ては、半導体ウエハに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ
基板等にも適用できるのは勿論である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエッチン
グ方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮する
ことができる。被処理体にエッチング処理を施すに際し
て、エッチングガスを、反応室の実質的な容量の１リッ
トルに対して８．４ｓｃｃｍ以上の流量で供給するよう
にしたので、被処理体全体のエッチングレートを高める
ことができるのみならず、エッチングの面内均一性も向
上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法を実施するために用いるプラズマ処
理装置を示す概略構成図である。
【図２】エッチング時のエッチングガスの反応を示す図
である。
【図３】エッチングガスの流量を種々変更した時のエッ
チングレートの変化を示すグラフである。
【図４】反応室内のＣｌ濃度を３次元的に示すグラフで
ある。
【図５】反応室内のＳｉＣｌ2 濃度を３次元的に示すグ
ラフである。
【図６】ウエハ周辺部におけるエッチャントの流速分布
を示す図である。
【図７】ウエハ周辺部におけるエッチャントの流速分布
を示す図である。
【図８】従来の一般的な誘導結合型のプラズマ処理装置
を示す模式図である。
【符号の説明】
１８ プラズマ処理装置 ２０ 処理容器 ２２ 反応室 ２４ 載置台 ３０ 真空排気系 ３６ プラズマ形成容器 ４０ プラズマ形成室 ４２ シャワーヘッド部（ガス導入部） ４６ 誘導コイル Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 エッチングガスを導入するガス導入部
    と、高周波により前記エッチングガスをプラズマ化する
    ことにより活性種を形成するプラズマ形成室と、このプ
    ラズマ形成室に連結されて前記プラズマ形成室よりも大
    きな直径の空間を有する反応室と、この反応室内に設け
    られて、前記プラズマ形成室から流下する前記活性種に
    よりエッチング処理を施すための被処理体を載置する載
    置台と、前記反応室内を真空引きする真空排気系とを有
    するエッチング装置を用いて行なうエッチング方法にお
    いて、前記エッチングガスを、前記反応室の実質的な容
    量の１リットルに対して８．４ｓｃｃｍ以上の流量で供
    給するようにしたことを特徴とするエッチング方法。
  2. 【請求項２】 前記プラズマ形成室の外周には、高周波
    電源に接続された誘導コイルが巻回されており、誘導結
    合によりプラズマを発生することを特徴とする請求項１
    記載のエッチング方法。
  3. 【請求項３】 前記エッチングガスは塩素ガスよりな
    り、前記被処理体に形成されたポリシリコン膜をエッチ
    ングすることを特徴とする請求項１または２記載のエッ
    チング方法。
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US5338398A (en) * 1991-03-28 1994-08-16 Applied Materials, Inc. Tungsten silicide etch process selective to photoresist and oxide
US5423936A (en) * 1992-10-19 1995-06-13 Hitachi, Ltd. Plasma etching system
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