JPH11274026A - 基板熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板熱処理装置に電力を供給するための電力
供給部の最大供給電力量を低減する。 【解決手段】 基板Ｗを加熱処理する加熱処理部１と基
板Ｗを冷却処理する冷却処理部２とを備え、加熱処理部
１及び冷却処理部２に電力が供給されて温度制御される
ように構成された基板熱処理装置において、相前後して
行う加熱処理と冷却処理とに用いる加熱処理部１と冷却
処理部２とに共通の電力供給部３から温度制御用の電力
を供給するように構成し、基板搬送装置５はこの電力供
給部３から電力が供給される加熱処理部１と冷却処理部
２とのいずれか一方の熱処理部１または２でのみ基板Ｗ
が熱処理されるように、これら加熱処理部１と冷却処理
部２とに基板Ｗを搬送する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板を加熱処理す
る加熱処理部と基板を冷却処理する冷却処理部とを備
え、加熱処理部及び冷却処理部に電力が供給されて温度
制御されるように構成された基板熱処理装置に係り、特
には装置に電力を供給するための電力供給部の最大供給
電力量を低減するための技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】加熱処理部と冷却処理部とを備えた従来
の基板熱処理装置は、概念的には図１５に示すように、
加熱処理部１と冷却処理部２にそれぞれ個別の電力供給
部３（３Ｈ、３Ｃ）から電力が供給されるように構成さ
れている。なお、この明細書では、加熱処理部と冷却処
理部とを総称するときには熱処理部とも表現する。

【０００３】加熱処理部１は、ヒーターなどの加熱装置
１１などが内設されたホットプレート１０を備えてい
る。加熱処理部１の温度制御を行うコントローラー１３
は、電力供給部３Ｈから加熱装置１１に電力を供給して
加熱処理部１（ホットプレート１０）の温度制御を行
う。また、冷却処理部２は、ペルチェ素子などの冷却装
置２１などが内設されたクールプレート２０を備えてい
る。冷却処理部２の温度制御を行うコントローラー２３
は、電力供給部３Ｃから冷却装置２１に電力を供給して
冷却処理部２（クールプレート２０）の温度制御を行
う。

【０００４】加熱処理部１で基板Ｗを加熱処理する際に
は、コントローラー１３は電力供給部３Ｈから加熱処理
部１に、加熱装置１１をフルパワーで駆動するフルパワ
ー駆動用電力を供給してホットプレート１０の温度を制
御する。冷却処理部２も同様に、基板Ｗを冷却処理する
際には、冷却装置２１をフルパワーで駆動するフルパワ
ー駆動用電力が電力供給部３Ｃから冷却処理部２に供給
される。

【０００５】従って、従来装置では、加熱装置１１に対
するフルパワー駆動用電力を加熱処理部１に供給できる
電力供給部３Ｈと、冷却装置２１に対するフルパワー駆
動用電力を冷却処理部２に供給できる電力供給部３Ｃと
を備えていることになる。

【０００６】また、例えば、露光処理前後のフォトリソ
グラフィ工程の一連の基板処理を行うレジスト処理装置
のような基板処理装置に搭載された基板熱処理装置に
は、加熱処理部１と冷却処理部２とが各々複数ずつ備え
られているが、このような場合にも、各熱処理部１、２
には温度制御用のコントローラー１３、２３が各々個別
に備えられるとともに、各々個別の電力供給部３からフ
ルパワー駆動用電力が各々個別に供給できるように構成
されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。

【０００８】従来装置は、各熱処理部１、２にフルパワ
ー駆動用電力を個別に供給できるように、換言すれば、
各熱処理部１、２にフルパワー駆動用電力を同時に供給
できるように構成されている。そのため、加熱処理部１
に供給するフルパワー駆動用電力をWfh 、冷却処理部２
に供給するフルパワー駆動用電力をWfc 、基板熱処理装
置に備えた加熱処理部１と冷却処理部２の数をそれぞれ
m 、n （m 、n はそれぞれ１以上の自然数）とすると、
従来装置に供給する各電力供給部３の供給電力量を合計
した最大供給電力量は〔（Wfh ×m ）＋（wfc ×n ）〕
と大電力量になる。

【０００９】例えば、電源ユニットから各熱処理部１、
２にフルパワー駆動用電力を個別に供給できるように構
成する場合、最大供給電力量が〔（Wfh ×m ）＋（wfc
×n）〕である電源ユニットが必要となり、電源ユニッ
トのサイズが大型化し、装置の大型化を招くことにな
る。また、工場のユーティリティから各熱処理部１、２
にフルパワー駆動用電力を個別に供給できるように構成
する場合は、工場のユーティリティ側で１台の基板熱処
理装置に対して〔（Wfh ×m ）＋（wfc ×n ）〕の最大
供給電力量を確保しなければならなくなる。

【００１０】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、装置に電力を供給するための電力供給
部の最大供給電力量を低減することができる基板熱処理
装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この種の基板熱処理装置
では、加熱処理部で基板を加熱処理していないときに
は、加熱処理部の温度維持などのために、加熱処理部に
は、加熱処理部に対するフルパワー駆動用電力の数％程
度の電力が供給されているに過ぎず、冷却処理部も同様
に、基板を冷却処理していないときには、冷却処理部に
は、冷却処理部に対するフルパワー駆動用電力の数％程
度の電力が供給されているに過ぎない。

【００１２】また、加熱処理部と冷却処理部を備えた基
板熱処理装置では、通常、加熱処理部で基板を加熱する
と、加熱された基板を冷却処理部で冷却するというよう
に、加熱処理に続いて冷却処理が行われる。

【００１３】以上の点に注目して本発明者は、上記目的
を達成するための次のような発明をなした。すなわち、
請求項１に記載の発明は、基板を加熱処理する加熱処理
部と基板を冷却処理する冷却処理部とを備え、前記加熱
処理部及び前記冷却処理部に電力が供給されて温度制御
されるように構成された基板熱処理装置において、相前
後して行う加熱処理と冷却処理とに用いる加熱処理部と
冷却処理部とに共通の電力供給部から温度制御用の電力
を供給するように構成し、前記電力供給部から電力が供
給される加熱処理部と冷却処理部とのいずれか一方の熱
処理部でのみ基板が熱処理されるように、これら加熱処
理部と冷却処理部とに基板を搬送する基板搬送手段を備
えたことを特徴とするものである。

【００１４】請求項２に記載の発明は、上記請求項１に
記載の基板熱処理装置において、相前後して行う加熱処
理と冷却処理とに用いる加熱処理部と冷却処理部とを共
通の熱処理室の内部に配設し、前記熱処理室の内部に配
設された加熱処理部と冷却処理部とに共通の電力供給部
から温度制御用の電力を供給するように構成し、前記基
板搬送手段は、前記熱処理室の内部に配設された加熱処
理部から冷却処理部への基板の搬送を前記熱処理室内で
行うことを特徴とするものである。

【００１５】

【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。基板搬送手段は、共通の電力供給部から温度制御用
の電力が供給される加熱処理部と冷却処理部とで共に基
板に熱処理を行っていない状態で、加熱処理部に基板を
搬送する。基板搬送手段によって加熱処理部に基板が搬
送されると、その加熱処理部には共通の電力供給部から
温度制御用の電力が供給されて加熱処理部の温度制御が
行われ、基板が加熱処理される。このとき、冷却処理部
では基板の冷却処理は行われていない。すなわち、この
状態では、加熱処理している加熱処理部には、共通の電
力供給部からフルパワー駆動用電力が供給されるが、冷
却処理していない冷却処理部には、共通の電力供給部か
ら冷却処理部に対するフルパワー駆動用電力の数％の電
力が供給されているに過ぎない。

【００１６】加熱処理を終えると、基板搬送手段は、加
熱処理部から冷却処理部に基板を搬送する。基板搬送手
段によって冷却処理部に基板が搬送されると、その冷却
処理部には共通の電力供給部から電力が供給されて冷却
処理部の温度制御が行われ、基板が冷却処理される。こ
のとき、基板搬送手段は加熱処理部に基板は搬送しな
い。すなわち、この状態では、冷却処理している冷却処
理部には、共通の電力供給部からフルパワー駆動用電力
が供給されるが、加熱処理していない加熱処理部には、
共通の電力供給部から加熱処理部に対するフルパワー駆
動用電力の数％の電力が供給されているに過ぎない。

【００１７】冷却処理を終えると、基板搬送手段は、冷
却処理部から基板を搬送し、加熱処理部と冷却処理部と
で共に基板に熱処理を行っていない状態になると、次の
基板を加熱処理部に搬送する。以降、上述したように、
加熱処理部と冷却処理部とを交互に用いながら、基板へ
の加熱処理と冷却処理が順次行われていく。

【００１８】以上のように、この請求項１に記載の発明
によれば、相前後して行う加熱処理と冷却処理とに用い
る加熱処理部と冷却処理部に共通の電力供給部から温度
制御用の電力を供給するように構成したので、この電力
供給部の最大供給電力量は、これら加熱処理部と冷却処
理部とで同時に使用する最大の電力量になる。そして、
この請求項１に記載の発明では、これら加熱処理部での
加熱処理と冷却処理部での冷却処理を同時に行わないよ
うに構成したので、これら加熱処理と冷却処理に用いる
加熱処理部と冷却処理部とに同時にフルパワー駆動用電
力を供給することはない。従って、これら加熱処理部と
冷却処理部に電力を供給する共通の電力供給部の最大供
給電力量を従来装置よりも小さくすることができる。

【００１９】請求項２に記載の発明によれば、共通の熱
処理室内において、この熱処理室の内部に配設された加
熱処理部と冷却処理部とを交互に用いて加熱処理と冷却
処理とが行われる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明の基本的な構成を示
す概略図である。

【００２１】図に示す加熱処理部１と冷却処理部２は、
例えば、レジスト塗布処理前の加熱処理とそれに続いて
行う冷却処理や、レジスト塗布処理後の加熱処理（ソフ
トベーク）とそれに続いて行う冷却処理などのように、
相前後して行う加熱処理と冷却処理とに用いるもので、
これら加熱処理部１と冷却処理部２には共通の電力供給
部３から電力が供給されるように構成されている。

【００２２】加熱処理部１は、ヒーターなどの加熱装置
１１や温度センサ１２などが内設されたホットプレート
１０を備えている。加熱処理部１に搬送された基板Ｗ
は、ホットプレート１０の上面から微小間隔隔てて支持
され、あるいは、ホットプレート１０の上面に接触して
載置支持されて加熱処理される。加熱処理部１の温度制
御を行うコントローラー１３は、温度センサ１２からの
検知信号に基づきホットプレート１の温度を監視しなが
ら、電力供給部３から加熱装置１１に電力を供給して加
熱処理部１（ホットプレート１０）の温度制御を行う。

【００２３】ホットプレート１０は、メインコントロー
ラー４から指示された設定温度に加熱されている。

【００２４】基板Ｗを加熱処理していないときには、コ
ントローラー１３は、電力供給部３から加熱装置１１に
電力を供給してホットプレート１０の温度を現在の設定
温度に維持するように加熱処理部１の温度制御を行う。
このときに電力供給部３から加熱処理部１に供給される
電力は最大でも加熱処理部１に対するフルパワー駆動用
電力の数％の電力である。例えば、加熱処理部１に対す
るフルパワー駆動用電力が３００Ｗであり、基板Ｗを加
熱処理していないときに電力供給部３から加熱処理部１
に供給される電力が最大でも加熱処理部１に対するフル
パワー駆動用電力の１０％である場合には、基板Ｗを加
熱処理していないときに加熱処理部１の温度制御に使用
する最大電力量は３０Ｗである。

【００２５】コントローラー１３は、温度センサ１２か
らの検知信号に基づきホットプレート１０の温度を監視
している。基板Ｗに対する加熱処理を行うために、ホッ
トプレート１０との温度差が大きい常温付近の基板Ｗが
ホットプレート１０の上面に支持されると、ホットプレ
ート１０の温度が急激に降温する。コントローラー１３
は、ホットプレート１０の温度が現在の設定温度よりも
予め決められた温度（例えば、０．５℃）以上降温した
ことを検知すると、電力供給部３から加熱処理部１へフ
ルパワー駆動用電力を供給してホットプレート１０を昇
温させ、例えば、ホットプレート１０の温度が設定温度
に戻ると、ＰＩＤ制御に切り替えるように加熱処理部１
の温度制御を行い、基板Ｗに対する加熱処理を行う。加
熱処理の終了はメインコントローラー４に通知される。

【００２６】冷却処理部２は、ペルチェ素子などの冷却
装置２１や温度センサ２２などが内設されたクールプレ
ート２０を備えている。冷却処理部２に搬送された基板
Ｗは、クールプレート２０の上面から微小間隔隔てて支
持され、あるいは、クールプレート２０の上面に接触し
て載置支持されて冷却処理される。冷却処理部２の温度
制御を行うコントローラー２３は、温度センサ２２から
の検知信号に基づきクールプレート２０の温度を監視し
ながら、加熱処理部１と共通の電力供給部３から冷却装
置２１に電力を供給して冷却処理部２（クールプレート
２０）の温度制御を行う。

【００２７】クールプレート２０は、メインコントロー
ラー４から指示された設定温度に冷却されている。

【００２８】基板Ｗを冷却処理していないときには、コ
ントローラー２３は、電力供給部３から冷却装置２１に
電力を供給してクールプレート２０の温度を現在の設定
温度に維持するように冷却処理部２の温度制御を行う。
このときに電力供給部３から冷却処理部２に供給される
電力は最大でも冷却処理部２に対するフルパワー駆動用
電力の数％の電力である。例えば、冷却処理部２に対す
るフルパワー駆動用電力が２００Ｗであり、基板Ｗを冷
却処理していないときに電力供給部３から冷却処理部２
に供給される電力が最大でも冷却処理部２に対するフル
パワー駆動用電力の１０％である場合には、基板Ｗを加
熱処理していないときに冷却処理部２の温度制御に使用
する最大電力量は２０Ｗである。

【００２９】コントローラー２３は、温度センサ２２か
らの検知信号に基づきクールプレート２０の温度を監視
している。基板Ｗに対する冷却処理を行うために、加熱
処理部１で加熱された、クールプレート２０との温度差
が大きい高温の基板Ｗがクールプレート２０の上面に支
持されると、クールプレート２０の温度が急激に昇温す
る。コントローラー２３は、クールプレート２０の温度
が現在の設定温度よりも予め決められた温度（例えば、
０．５℃）以上昇温したことを検知すると、電力供給部
３から冷却処理部２へフルパワー駆動用電力を供給して
クールプレート２０を降温させ、例えば、クールプレー
ト２０の温度が設定温度に戻ると、ＰＩＤ制御に切り替
えるように冷却処理部２の温度制御を行い、基板Ｗに対
する冷却処理を行う。冷却処理の終了はメインコントロ
ーラー４に通知される。

【００３０】基板搬送装置５は、電力供給部３から電力
が供給される加熱処理部１と冷却処理部２とのいずれか
一方の熱処理部１または２でのみ基板Ｗが熱処理される
ように、これら加熱処理部１と冷却処理部２とに基板Ｗ
を搬送する。すなわち、基板搬送装置５は、加熱処理部
１への基板Ｗの搬送を、両熱処理部１、２で共に基板Ｗ
に熱処理を行っていない状態で行い、加熱処理部１から
冷却処理部２へ基板Ｗを搬送した後は、冷却処理部２で
基板Ｗの冷却処理を終えて冷却処理部２から基板Ｗを搬
送し、両熱処理部１、２で基板Ｗに熱処理を行っていな
い状態になるまで、加熱処理部１への基板Ｗの搬送は行
わない。基板搬送装置５は、メインコントローラー４に
より制御される。

【００３１】次に図１に示す構成を有する装置の動作を
説明する。基板搬送装置５は、両熱処理部１、２で共に
基板Ｗに熱処理を行っていない状態で、加熱処理部１に
基板Ｗを搬送する。基板搬送装置５によって加熱処理部
１に基板Ｗが搬送されると、コントローラー１３は、上
述したように、加熱処理部１に電力供給部３から電力を
供給して加熱処理部１の温度制御を行って基板Ｗを加熱
処理する。このとき、冷却処理部２では基板Ｗの冷却処
理は行われていない。すなわち、この状態では、加熱処
理している加熱処理部１には、電力供給部３からフルパ
ワー駆動用電力が供給されるが、冷却処理していない冷
却処理部２には、冷却処理部２に対するフルパワー駆動
用電力の数％の電力が電力供給部３から供給されている
に過ぎない。

【００３２】加熱処理部１での加熱処理を終えると、基
板搬送装置５は、加熱処理部１から冷却処理部２に基板
Ｗを搬送する。基板搬送装置５によって冷却処理部２に
基板Ｗが搬送されると、コントローラー２３は、上述し
たように、冷却処理部２に電力供給部３から電力を供給
して冷却処理部２の温度制御を行って基板Ｗを冷却処理
する。このとき、基板搬送装置５は、加熱処理部１への
基板Ｗの搬送は行わない。すなわち、この状態では、冷
却処理している冷却処理部２には、電力供給部３からフ
ルパワー駆動用電力が供給されるが、加熱処理していな
い加熱処理部１には、加熱処理部１に対するフルパワー
駆動用電力の数％の電力が電力供給部３から供給されて
いるに過ぎない。

【００３３】冷却処理部２での冷却処理を終えると、基
板搬送装置５は、冷却処理部２から基板Ｗを搬送し、両
熱処理部１、２で共に基板Ｗに熱処理を行っていない状
態になると、次の基板Ｗを加熱処理部１に搬送する。以
降、上述したように、加熱処理部１と冷却処理部２とを
交互を用いながら、基板Ｗへの加熱処理と冷却処理が順
次行われていく。

【００３４】なお、加熱処理部１と冷却処理部２とで共
に基板Ｗに熱処理を行っていない状態では、加熱処理部
１には加熱処理部１に対するフルパワー駆動用電力の数
％の電力が電力供給部３から供給され、冷却処理部２に
は冷却処理部２に対するフルパワー駆動用電力の数％の
電力が電力供給部３から供給されているに過ぎない。

【００３５】以上のように、図１に示す装置によれば、
相前後して行う加熱処理と冷却処理とに用いる加熱処理
部１と冷却処理部２に共通の電力供給部３から電力を供
給するように構成したので、電力供給部３の最大供給電
力量は、これら加熱処理部１と冷却処理部２とで同時に
使用する最大の電力量になる。そして、図１の構成の装
置によれば、これら加熱処理部１での加熱処理と冷却処
理部２での冷却処理を同時に行わないように構成したの
で、これら加熱処理と冷却処理に用いる加熱処理部１と
冷却処理部２とに同時にフルパワー駆動用電力を供給す
ることはない。

【００３６】加熱処理部１に対するフルパワー駆動用電
力をWfh 、基板Ｗを加熱処理していないときに加熱処理
部１の温度制御に使用する最大電力量をWsh(<<Wfh)、冷
却処理部２に対するフルパワー駆動用電力をWfc 、基板
Ｗを冷却処理していないときに冷却処理部２の温度制御
に使用する最大電力量をWsc(<<Wfc)とすると、従来装置
（図１５参照）では、加熱処理部１と冷却処理部２に電
力を供給する電力供給部３（３Ｈ、３Ｃ）の合わせた最
大供給電力量は(Wfh＋Wfc)であるのに対して、図１に示
す装置の電力供給部３の最大供給電力量は、(Wfh＋Wsc)
または(Wsh＋Wfc)の大きい方の電力量であればよい。

【００３７】例えば、Wfh ＝３００Ｗ、Wsh ＝３０Ｗ、
Wfc ＝２００Ｗ、Wsc ＝２０Ｗとすると、(Wfh＋Wsc)は
３２０Ｗ、(Wsh＋Wfc)は２３０Ｗであるので、図１に示
す装置の電力供給部３の最大供給電力量は３２０Ｗでよ
い。これに対して従来装置の電力供給部３（３Ｈ、３
Ｃ）の最大供給電力量は５００Ｗとなる。

【００３８】以上より明らかなように、相前後して行う
加熱処理と冷却処理とに用いる加熱処理部１と冷却処理
部２に電力を供給するための電力供給部３の最大供給電
力量を従来装置よりも小さくすることができる。

【００３９】複数（例えば、２つ）の加熱処理部１と複
数（例えば、２つ）の冷却処理部２とを備えた基板熱処
理装置の場合、例えば、図２に示すように構成される。
この構成の場合、電力供給部３Ａから電力が供給される
加熱処理部１Ａと冷却処理部２Ａとで行う加熱処理及び
冷却処理と、電力供給部３Ｂから電力が供給される加熱
処理部１Ｂと冷却処理部２Ｂとで行う加熱処理及び冷却
処理とを区分することができる。例えば、加熱処理部１
Ａと冷却処理部２Ａとをレジスト塗布処理前の加熱処理
とそれに続いて行う冷却処理に用い、加熱処理部１Ｂと
冷却処理部２Ｂとをレジスト塗布処理後の加熱処理（プ
リベーク）とそれに続いて行う冷却処理に用いるように
することもできる。

【００４０】また、図２の構成に代えて図３に示すよう
に、電力供給部３Ａから電力を供給する加熱処理部１及
び冷却処理部２と、電力供給部３Ｂから電力を供給する
加熱処理部１及び冷却処理部２とを任意に選択切り替え
できるように構成してもよい。切替え器３０ａ〜３０ｄ
の切替えはメインコントローラー４により行われる。メ
インコントローラー４は、各電力供給部３にそれぞれ１
つの加熱処理部１と１つの冷却処理部２とが接続される
ように切替え器３０ａ〜３０ｄを切り替える。このよう
に構成することで、例えば、加熱処理部１Ａと冷却処理
部２Ａに電力供給部３Ａから電力を供給させるととも
に、加熱処理部１Ｂと冷却処理部２Ｂに電力供給部３Ｂ
から電力を供給させたり、加熱処理部１Ａと冷却処理部
２Ｂに電力供給部３Ａから電力を供給させるとともに、
加熱処理部１Ｂと冷却処理部２Ａに電力供給部３Ｂから
電力を供給させたりなど、各電力供給部３から電力を供
給させる加熱処理部１と冷却処理部２の組み合わせを任
意に選択することができる。

【００４１】３つ以上の加熱処理部１と３つ以上の冷却
処理部２とを備えた基板熱処理装置においても、図２、
図３に示すように構成することができる。

【００４２】図２、図３などからも明らかなように、複
数の加熱処理部１と複数の冷却処理部２とを備えた基板
熱処理装置の場合も、装置に電力を供給するための電力
供給部３を合わせた最大供給電力量を、複数の熱処理部
１、２に各々個別にフルパワー駆動用電力を供給可能に
構成されたを従来装置よりも低減することができる。

【００４３】なお、本発明は、１つの電力供給部３に１
つの加熱処理部１と１つの冷却処理部２とが接続される
構成に限定されない。例えば、図４、図５に示すよう
に、１つの電力供給部３に複数の加熱処理部１または／
および複数の冷却処理部２を接続し、１つの電力供給部
３に接続された複数の加熱処理部１または／および複数
の冷却処理部２から相前後して行う加熱処理と冷却処理
とに用いる加熱処理部１や冷却処理部２を選択するよう
に構成してもよい。例えば、図４（ａ）、図５の構成で
は、相前後して行う加熱処理と冷却処理のうちの加熱処
理に用いる１つの加熱処理部１を、電力供給部３に接続
された複数の加熱処理部１の中から選択し、選択された
１つの加熱処理部１を用いて加熱処理を行う。この選択
はメインコントローラー４により行われる。メインコン
トローラー４は、基板搬送装置５を制御して選択した１
つの加熱処理部１に基板Ｗを搬送させることにより、選
択された加熱処理部１で基板Ｗを加熱処理させる。ま
た、図４（ｂ）、図５の構成において、相前後して行う
加熱処理と冷却処理のうちの冷却処理に用いる１つの冷
却処理部１を選択する場合も、上述した加熱処理部１の
選択と同様にメインコントローラー４により行われる。

【００４４】なお、図４（ａ）の構成では、基板Ｗを加
熱処理しているとき、選択されなかった加熱処理部１に
も温度維持などのための小量の電力（Wsh ）が供給さ
れ、基板Ｗを加熱処理していないときには、複数の加熱
処理部１に温度維持などのための小量の電力（Wsh ）が
供給されている。１つの電力供給部３に接続されている
加熱処理部１の数をM （M は２以上の自然数）とする
と、図４（ａ）の構成では、電力供給部３の最大供給電
力量は、(Wfh＋((M-1)×Wsh)＋Wsc)または(M×Wsh＋Wf
c)の大きい方の電力量であればよい。一方、加熱処理部
１をM 、冷却処理部２を１つ備えた装置を、全ての熱処
理部１、２にフルパワー駆動用電力を各々個別に供給を
可能にした従来例の構成で実現すると電力供給部３の最
大供給電力量は(M×Wfh ＋Wfc)となるので、図４（ａ）
の構成の方が従来装置よりも電力供給部３の最大供給電
力量を小さくすることができる。

【００４５】また、１つの電力供給部３に接続されてい
る冷却処理部２の数をN （N は２以上の自然数）とする
と、図４（ｂ）の構成における電力供給部３の最大供給
電力量は、(Wfh＋ N×Wsh)または(Wsh＋Wfc ＋ (N-1)×
Wsh)の大きい方の電力量であればよく、図５の構成にお
ける電力供給部３の最大供給電力量は、(Wfh＋((M-1)×
Wsh)＋ N×Wsh)または(M×Wsh ＋Wfc ＋ (N-1)×Wsh)の
大きい方の電力量であればよい。一方、加熱処理部１を
１つ、冷却処理部２をN 備えた装置を従来例の構成で実
現すると電力供給部３の最大供給電力量は(Wfh＋N ×Wf
c)となり、加熱処理部１をM 、冷却処理部２をN 備えた
装置を従来例の構成で実現すると電力供給部３の最大供
給電力量は(M×Wsh ＋ N×Wfc)となる。従って図４
（ｂ）、図５の構成でも電力供給部３の最大供給電力量
を、従来装置よりも小さくすることができる。

【００４６】

【実施例】次に本発明の具体的な実施例を図面を参照し
て説明する。図６は本発明の第１実施例に係る基板熱処
理装置の構成を示す縦断面図である。なお、この第１実
施例において、図１に示す装置と共通する部分は図１と
同一符号を付してその説明は省略する。また、図６で
は、１つの加熱処理部１と１つの冷却処理部２を備えた
装置の構成を示しているが、加熱処理部１と冷却処理部
２を複数ずつ備えている装置では、図６の構成のものが
複数備えられることになる。

【００４７】この第１実施例では、１つの熱処理室４０
の内部に、相前後して行う加熱処理と冷却処理とに用い
る１つの加熱処理部１（ホットプレート１０）と１つの
冷却処理部２（クールプレート２０）が、加熱処理部１
を下方にして上下方向に対向配置されている。熱処理室
４０の内部に配設された加熱処理部１と冷却処理部２に
は共通の電力供給部３から電力が供給される。なお、図
６ではホットプレート１０の上面に、基板Ｗを微小間隔
隔てて載置支持するための複数個のプロキシミティボー
ル１５が設けられているが、このプロキシミティボール
１５は省略してもよい。

【００４８】熱処理室４０の一側壁には、ホットプレー
ト１０とクールプレート２０との中間の高さ位置に熱処
理室４０の外部と内部との間で基板Ｗを搬送するための
開口４１が設けられ、この開口４１を開閉するシャッタ
ー４２も設けられている。シャッター４２の駆動制御は
メインコントローラー４により行われる。

【００４９】熱処理室４０の外部には、基板保持アーム
５０に基板Ｗを保持して、熱処理室４０の外部と内部と
の間で基板Ｗを搬送する基板搬送ロボット５１が備えら
れている。基板保持アーム５０は、後述する昇降ピン６
０と基板Ｗの受け渡しが行えるように、例えば、図７に
示すように、Ｕ字型の形状を有して基板Ｗの外周部を保
持するように構成されている。なお、基板搬送アーム５
０はアーム支持台５２に対して水平方向に進退可能に構
成され、また、基板搬送アーム５０はアーム支持台５２
とともに昇降も可能に構成されている。基板搬送ロボッ
ト５１の駆動制御はメインコントローラー４により行わ
れる。

【００５０】ホットプレート１０の下方には、ホットプ
レート１０を貫通して、基板Ｗの下面（裏面）を載置支
持する３本以上の昇降ピン６０を有する基板昇降部材６
１が配備されている。基板昇降部材６１は、エアシリン
ダやボールネジなどで構成された昇降駆動部６２により
上下方向に移動され、基板Ｗを加熱処理部１（ホットプ
レート１０）と冷却処理部２（クールプレート２０）に
搬送する。この基板昇降部材６１と昇降駆動部６２は、
本発明における基板搬送手段を構成する。

【００５１】また、昇降ピン６０の先端がホットプレー
ト１０の内部に引っ込んだ第１高さＨ１と、熱処理室４
０の内部に進入した基板保持アーム５０との間で基板Ｗ
を受け渡す第２高さＨ２と、昇降ピン６０に載置支持し
た基板Ｗの表面をクールプレート２０の下面に近接させ
る第３高さＨ３との各高さＨ１〜Ｈ３に基板昇降部材６
１が位置したことを検知する図示しないセンサが設けら
れている。各センサからの検知信号はメインコントロー
ラー４に与えられている。メインコントローラー４は、
各センサからの検知信号に基づき、基板昇降部材６１を
各高さＨ１〜Ｈ３に位置させるように上下移動を制御し
て、基板保持アーム５０と昇降ピン６０と間の基板Ｗの
受け渡しや、ホットプレート１０とクールプレート２０
への基板Ｗの搬送などを行う。

【００５２】次に、上記構成を有する第１実施例装置の
動作を説明する。熱処理室４０内の加熱処理部１及び冷
却処理部２で熱処理が行われておらず、基板昇降部材６
１が第１高さＨ１または第２高さＨ２に位置する状態
で、メインコントローラー４はシャッター４２を駆動し
て開口４１を開かせ、未処理の基板Ｗを保持する基板保
持アーム５０を開口４１から熱処理室４０の内部に進入
させて、未処理の基板Ｗを熱処理室４０の内部に搬入さ
せる。このときの基板保持アーム５０の進入高さは第２
高さＨ２より若干上方の高さ位置である。メインコント
ローラー４は、基板昇降部材６１が第１高さＨ１に位置
していれば第２高さＨ２まで上昇させ、基板昇降部材６
１が第２高さＨ２に位置した状態で、基板保持アーム５
０を第２高さＨ２よりも若干下方の高さまで下降させ
る。この基板保持アーム５０の下降の途中で基板Ｗは昇
降ピン６０に載置支持され、基板保持アーム５０から昇
降ピン６０へ基板Ｗが受け渡される。昇降ピン６０が基
板Ｗを受け取ると、メインコントローラー４は、空の基
板保持アーム５０を熱処理室４０の外部に退出させ、シ
ャッター４２を駆動して開口４１を閉じさせる。そし
て、メインコントローラー４は、基板昇降部材６１を第
１高さＨ１まで下降させる。これにより、基板Ｗはプロ
キシミティボール１５に載置支持されて加熱処理され
る。なお、プロキシミティボール１５を省略した場合に
は、基板Ｗはホットプレート１０の上面に載置支持され
て加熱処理される。

【００５３】加熱処理が終わると、メインコントローラ
ー４は、基板昇降部材６１を第３高さＨ３まで上昇さ
せ、加熱された基板Ｗをクールプレート２０の下面に近
接した位置で支持する。これにより、基板Ｗは冷却処理
される。

【００５４】冷却処理が終わると、メインコントローラ
ー４は、基板昇降部材６１を第２高さＨ２まで下降さ
せ、シャッター４２を駆動して開口４１を開かせるとと
もに、空の基板保持アーム５０を開口４１から熱処理室
４０の内部に進入させる。このときの基板保持アーム５
０の進入高さは第２高さＨ２より若干下方の高さ位置で
ある。この状態で、メインコントローラー４は、基板保
持アーム５０を第２高さＨ２よりも若干上方の高さまで
上昇させる。この基板保持アーム５０の上昇の途中で基
板保持アーム５０は基板Ｗをすくい取り、昇降ピン６０
から基板保持アーム５０へ処理済の基板Ｗが受け渡され
る。メインコントローラー４は、基板保持アーム５０に
基板Ｗを受け取ると、基板保持アーム５０を熱処理室４
０の外部に退出させて、処理済の基板Ｗが熱処理室４０
の外部に搬出される。以降は、上述した動作が繰り返さ
れて基板Ｗの加熱処理と冷却処理が順次行われる。

【００５５】なお、上記第１実施例では、加熱処理部１
を下方に配置させたが、加熱処理部１（ホットプレート
１０）と冷却処理部２（クールプレート２０）の上下関
係を逆にして、１つの熱処理室４０の内部に、加熱処理
部１（ホットプレート１０）と冷却処理部２（クールプ
レート２０）を、冷却処理部２を下方にして上下方向に
対向配置させてもよい。

【００５６】この構成の場合の動作は次のようになる。
上記第１実施例と同様の動作で基板搬送アーム５０から
昇降ピン６０に未処理の基板Ｗが受け渡されると、基板
昇降部材６１を第３高さＨ３に上昇させて、基板Ｗを上
方のホットプレート１０の下面に近接させて支持させ加
熱処理を行う。加熱処理を終えると、基板昇降部材５１
を第１高さＨ１に下降させて、加熱された基板Ｗを下方
のクールプレート２０の上面に支持させ冷却処理を行
う。冷却処理を終えると、基板昇降部材５１を第２高さ
Ｈ２に上昇させ、上記第１実施例と同様の動作で昇降ピ
ン６０から基板搬送アーム５０に処理済の基板Ｗが受け
渡させる。

【００５７】この第１実施例または上述した第１実施例
の変形例によれば、装置に電力を供給するための電力供
給部３の最大供給電力量を従来装置よりも低減すること
ができるという効果に加えて、さらに次のような効果も
得られる。

【００５８】すなわち、共通の熱処理室４０の内部にお
いて、加熱処理と冷却処理が連続して行われるので、後
述する第４実施例のように加熱処理と冷却処理との間に
基板Ｗが熱処理室４０の外部に一旦出されることがな
く、加熱処理を開始してから冷却処理を終了するまで基
板Ｗは熱処理室４０の外部の影響を受けることがない。
これによって、加熱処理を開始してから冷却処理を終了
するまでの間の基板Ｗの温度履歴を所望の状態に制御す
ることができる。

【００５９】また、相前後して行う加熱処理と冷却処理
とに用いる加熱処理部１と冷却処理部２を共通の熱処理
室４０の内部に配設する構成であっても、後述する第３
実施例のように、ホットプレート１０とクールプレート
２０が水平方向に並設される構成では、加熱処理部１か
ら冷却処理部２へ基板Ｗを搬送する機構が複雑になる
し、また、加熱処理部１から冷却処理部２への基板Ｗの
搬送時間が長くなることになる。これに対して、この第
１実施例のように、ホットプレート１０とクールプレー
ト２０とを上下方向に対向して配置したことにより、加
熱処理部１から冷却処理部２へ基板Ｗを搬送する機構を
基板昇降部材５１や昇降駆動部５２で実現でき、構成が
簡単になる。また、加熱処理部１から冷却処理部２への
基板Ｗの搬送を基板Ｗの上昇または下降だけで行え、こ
の搬送時間を短縮することができる。特に、加熱処理部
１から冷却処理部２への基板Ｗの搬送時間を短縮するこ
とで、加熱処理を終えた基板Ｗに対する冷却処理を速や
かに行え、加熱された基板Ｗの降温時の基板Ｗの温度制
御を正確に行うことができる。さらに、後述する第３実
施例では、装置の水平方向のサイズが大きくなり設置面
積が広くなるが、この第１実施例では、装置の設置面積
を小さくすることができる。

【００６０】次に本発明の第２実施例の構成を図８、図
９を参照して説明する。図８は本発明の第２実施例に係
る基板熱処理装置の構成を示す縦断面図であり、図９は
熱遮蔽部材の構成を示す平面図である。

【００６１】この第２実施例装置は、上記第１実施例装
置に、ホットプレート１０とクールプレート２０との間
に出し入れ可能な熱遮蔽部材７０をさらに設けたもので
ある。その他の構成は第１実施例と同様であるので、共
通する部分は図６と同一符号を付してその説明を省略す
る。

【００６２】熱遮蔽部材７０は、少なくともホットプレ
ート１０の加熱面とクールプレート２０の冷却面を覆う
平面領域を有する平板形状に形成されている。そして、
この熱遮蔽部材７０は、エアシリンダやボールネジなど
で構成された水平移動機構７１により、ホットプレート
１０とクールプレート２０との間に介在する断熱位置
と、断熱位置から外れた退避位置との間で水平移動され
る。この実施例では、遮断位置及び退避位置の高さを、
熱処理室４０の内部において昇降ピン６０と基板保持ア
ーム５０との間で基板Ｗを受け渡す際の、基板保持アー
ム５０の昇降範囲の下方側の受け渡し下方高さＨ４より
も下方の高さとし、熱遮蔽部材７０の上方、すなわち、
熱遮蔽部材７０によって二分された熱処理室４０の内部
のクールプレート２０側において、昇降ピン６０と基板
保持アーム５０との間で基板Ｗを受け渡すように構成し
ている。なお、熱遮蔽部材７０の断熱位置と退避位置と
の間の水平移動は、メインコントローラー４が水平移動
機構７１を駆動制御して行われる。また、図９に示すよ
うに、熱遮蔽部材７０には、昇降ピン６０との干渉を避
けるための切り欠き７２が形成されている。

【００６３】この第２実施例装置の動作は、上記第１実
施例装置の動作に熱遮蔽部材７０の水平移動に関する動
作を以下のように含ませたものである。

【００６４】すなわち、熱遮蔽部材７０が断熱位置に位
置した状態で、この熱遮蔽部材７０の上方において、未
処理の基板Ｗが基板保持アーム５０から昇降ピン６０に
受け渡される。そして、未処理の基板Ｗを昇降ピン６０
に受け取った基板昇降部材６１を第２高さＨ２から第１
高さＨ１に下降させるのに先立ち、メインコントローラ
ー４は、熱遮蔽部材７０を断熱位置から退避位置に水平
移動させる。そして、熱遮蔽部材７０が退避位置に位置
している状態で、基板昇降部材６１が第２高さＨ２から
第１高さＨ１に下降される。昇降ピン６０に載置支持さ
れた未処理の基板Ｗが断熱位置よりも下方に下降された
とき、例えば、基板昇降部材６１が第１高さＨ１に下降
されたときに、メインコントローラー４は、熱遮蔽部材
７０を退避位置から断熱位置に水平移動させる。そし
て、熱遮蔽部材７０が断熱位置に位置した状態で基板Ｗ
は加熱処理される。

【００６５】加熱処理を終えると、基板昇降部材６１を
第１高さＨ１から第３高さＨ３に上昇させるのに先立
ち、メインコントローラー４は、熱遮蔽部材７０を断熱
位置から退避位置に水平移動させる。そして、熱遮蔽部
材７０が退避位置に位置している状態で、基板昇降部材
６１が第１高さＨ１から第３高さＨ３に上昇される。昇
降ピン６０に載置支持された基板Ｗが断熱位置よりも上
方に上昇されたとき、例えば、基板昇降部材６１が第２
高さまたは第３高さＨ３に上昇されたときに、メインコ
ントローラー４は、熱遮蔽部材７０を退避位置から断熱
位置に水平移動させる。そして、熱遮蔽部材７０が断熱
位置に位置した状態で基板Ｗは冷却処理される。

【００６６】冷却処理を終えると、熱遮蔽部材７０が断
熱位置に位置した状態で、この熱遮蔽部材７０の上方に
おいて、処理済の基板Ｗが昇降ピン６０から基板保持ア
ーム５０に受け渡され、熱処理室４０の外部に搬出され
る。

【００６７】この第２実施例によれば、上記第１実施例
の効果に加えて、さらに以下の効果を得ることができ
る。

【００６８】すなわち、熱処理室４０内で断熱位置を挟
んで基板Ｗを昇降させるとき以外、加熱処理部１（ホッ
トプレート１０）と冷却処理部２（クールプレート２
０）の間に熱遮断部材７０を介在させるように構成した
ので、加熱処理部１（ホットプレート１０）と冷却処理
部２（クールプレート２０）は互いの熱的影響を相手側
に及ぼすことが防止でき、加熱処理部１（ホットプレー
ト１０）と冷却処理部２（クールプレート２０）は相手
側の熱的影響を受けることなく加熱処理と冷却処理を行
うことができる。これによって、加熱処理を開始してか
ら冷却処理を終了するまでの間の基板Ｗの温度制御をよ
り正確に行うことができる。また、熱遮蔽部材７０を設
けずに互いの熱的影響を防止するためには、加熱処理部
１（ホットプレート１０）と冷却処理部２（クールプレ
ート２０）と間隔を広くとる必要があるが、この第２実
施例によれば、加熱処理部１（ホットプレート１０）と
冷却処理部２（クールプレート２０）との間隔を狭くし
ても互いの熱的影響を防止することができるので、装置
の高さ方向の寸法を小さくする上で有利となる。

【００６９】なお、上記第２実施例では、受け渡し下方
高さＨ４よりも下方に断熱位置を設定したが、熱処理室
４０の内部において昇降ピン６０と基板保持アーム５０
との間で基板Ｗを受け渡す際の、基板保持アーム５０の
昇降範囲の上方側の受け渡し上方高さＨ５よりも上方の
高さ位置を断熱位置にしてもよい。ただし、このように
構成した場合、未処理の基板Ｗや処理済の基板Ｗを昇降
ピン６０と基板保持アーム５０の間で受け渡す動作を、
熱遮断部材７０の下方、すなわち、熱遮蔽部材７０によ
って二分された熱処理室４０の内部のホットプレート１
０側で行うことになる。この場合、特に、冷却処理され
た基板Ｗを熱処理室４０の外部に搬出する際に加熱雰囲
気に置くことになるので、冷却処理された基板Ｗへの熱
的影響が懸念される、従って、上記第２実施例のよう
に、受け渡し下方高さＨ４よりも下方の高さ位置に断熱
位置を設定して、未処理の基板Ｗや処理済の基板Ｗを昇
降ピン６０と基板保持アーム５０の間で受け渡す動作
を、熱遮断部材７０の上方の熱処理室４０の内部のクー
ルプレート２０側において行えるように構成することが
好ましい。

【００７０】なお、１つの熱処理室４０の内部に、加熱
処理部１（ホットプレート１０）と冷却処理部２（クー
ルプレート２０）を、冷却処理部２を下方にして上下方
向に対向配置させた第１実施例の変形例の場合には、逆
に、受け渡し上方高さＨ５よりも上方の高さ位置に断熱
位置を設定すれば、未処理の基板Ｗや処理済の基板Ｗを
昇降ピン６０と基板保持アーム５０の間で受け渡す動作
を、熱遮断部材７０の下方の熱処理室４０の内部のクー
ルプレート２０側において行うようことができる。

【００７１】次に本発明の第３実施例の構成を図１０、
図１１を参照して説明する。図１０は本発明の第３実施
例に係る基板熱処理装置の構成を示す縦断面図であり、
図１１は第３実施例装置の構成を示す平断面図である。
なお、この第３実施例で、上記第１実施例と共通する部
分は、図６と同一符号を付して特に必要がある場合以外
はその説明は省略する。

【００７２】この第３実施例装置は、共通の熱処理室４
０の内部に、相前後して行う加熱処理と冷却処理とに用
いる１つの加熱処理部１（ホットプレート１０）と１つ
の冷却処理部２（クールプレート２０）を水平方向に並
設して配置したものである。熱処理室４０の内部に配設
された加熱処理部１と冷却処理部２には共通の電力供給
部３から電力が供給される。なお、図ではホットプレー
ト１０及びクールプレート２０の上面に、基板Ｗを微小
間隔隔てて載置支持するための複数個のプロキシミティ
ボール１５、２５が設けられているが、このプロキシミ
ティボール１５、２５は省略してもよい。

【００７３】熱処理室４０の一側壁には、基板搬送ロボ
ット５１の基板保持アーム５０が、ホットプレート１０
の上方に進入するための開口４１（４１Ｈ）とクールプ
レート２０の上方に進入するための開口４１（４１Ｃ）
とが設けられ、各開口４１Ｈ、４１Ｃを開閉するシャッ
ター４２（４２Ｈ、４２Ｃ）も設けられている。シャッ
ター４２Ｈ、４２Ｃの駆動制御はメインコントローラー
４により行われる。

【００７４】ホットプレート１０とクールプレート２０
の下方には、各々第１実施例と同様の基板昇降部材６１
（６１Ｈ、６１Ｃ）が配備されている。基板昇降部材６
１Ｈ、６１Ｃは、各々第１実施例と同様の昇降駆動部６
２（６２Ｈ、６２Ｃ）により上下方向に移動される。

【００７５】なお、この第３実施例では、各基板昇降部
材６１Ｈ、６１Ｃは、各々第１実施例における第１高さ
Ｈ１と第２高さＨ２に相当する２つの高さ位置の間で昇
降されるように構成されている。

【００７６】ホットプレート１０とクールプレート２０
との間には、基板昇降部材６１Ｈによってホットプレー
ト１０の上方の第２高さＨ２に持ち上げられた加熱処理
済のの基板Ｗをクールプレート２０の上方に搬送する基
板搬送ロボット８０が設けられている。この基板搬送ロ
ボット８０は、アーム支持台８１に対して水平方向に進
退可能に構成された基板保持アーム８２を備えている。
この基板保持アーム８２は、各基板昇降部材６１Ｈ、６
１Ｃの昇降ピン６０と干渉せずに各昇降ピン６０と基板
Ｗを受け渡しできるように、例えば、基板搬送ロボット
５１の基板保持アーム５０と同様の形状を有する。な
お、アーム支持台８１に対して基板保持アーム８２を水
平方向に進退させる図示しない機構は、アーム支持台８
１の水平方向のサイズに対する基板保持アーム８２の進
退移動のストロークをなるべく長くするために、例え
ば、多関節型の機構で構成されている。また、アーム支
持台８１は、鉛直方向の軸芯Ｊ周りで回転可能に構成さ
れ、基板保持アーム８２の進退方向をホットプレート１
０側とクールプレート２０側とで切替えられるように構
成されている。さらに、基板保持アーム８２はアーム支
持台８１とともに昇降可能に構成されている。この基板
搬送ロボット８０の駆動制御はメインコントローラー４
により行われる。

【００７７】この第３実施例では、基板昇降部材６１
Ｈ、６１Ｃと昇降駆動部６２Ｈ、６２Ｃと基板搬送ロボ
ット８０が本発明における基板搬送手段を構成する。

【００７８】次にこの第３実施例装置の動作を説明す
る。熱処理室４０内の加熱処理部１及び冷却処理部２で
熱処理が行われていない状態で、上記第１実施例と同様
の動作で、基板保持アーム５０から基板昇降部材６１Ｈ
の昇降ピン６０に未処理の基板Ｗを受け渡させる。そし
て、基板保持アーム５０を熱処理室４０の外部に退出さ
せた後、基板昇降部材６１Ｈを第２高さＨ２から第１高
さＨ１に下降させて基板Ｗをホットプレート１０の上面
に支持させ、加熱処理を行わせる。

【００７９】加熱処理を終えると、基板昇降部材６１Ｈ
を第１高さＨ１から第２高さＨ２に上昇させて加熱され
た基板Ｗをホットプレート１０の上方に持ち上げる。こ
の状態で、第２高さＨ２よりも若干下方の高さにおい
て、基板搬送ロボット８０の基板保持アーム８２をホッ
トプレート１０の上方に前進させ、次に、基板保持アー
ム８２を第２高さＨ２よりも若干上方の高さまで上昇さ
せる。この基板保持アーム８２の上昇の途中で基板保持
アーム８２は加熱された基板Ｗをすくい取り、基板昇降
部材６１Ｈの昇降ピン６０から基板保持アーム８２に加
熱された基板Ｗが受け渡される。基板保持アーム８２が
基板Ｗを受け取ると、基板保持アーム８２はアーム保持
台８１上に一旦後退し、アーム保持台８１を軸芯Ｊ周り
に１８０°回転させて、基板保持アーム８２の進退方向
をクールプレート２０側に向ける。そして、第２高さＨ
２よりも若干上方の高さにおいて、基板保持アーム８２
を前進させて加熱された基板Ｗをクールプレート２０の
上方に搬送し、一方で、基板昇降部材６１Ｃを第１高さ
Ｈ１から第２高さＨ２に上昇させる。この状態で、基板
保持アーム８２を第２高さＨ２よりも若干下方の高さま
で下降させる。この基板保持アーム８２の下降の途中で
加熱された基板Ｗは基板昇降部材６１Ｃの昇降ピン６０
に載置支持され、基板保持アーム８２から基板昇降部材
６１Ｃの昇降ピン６０に加熱された基板Ｗが受け渡され
る。そして、基板保持アーム８２をアーム支持台８１上
に後退させた後、基板昇降部材６１Ｃを第２高さＨ２か
ら第１高さＨ１に下降させて基板Ｗをクールプレート２
０の上面に支持させ、冷却処理を行わせる。

【００８０】冷却処理を終えると、基板昇降部材６１Ｃ
を第１高さＨ１から第２高さＨ２に上昇させて処理済の
基板Ｗをクールプレート２０の上方に持ち上げ、上述し
た第１実施例と同様の動作で基板昇降部材６１Ｃの昇降
ピン６０から基板保持アーム５０に処理済の基板Ｗを受
け渡させ、基板保持アーム５０を熱処理室４０の外部に
退出させて処理済の基板Ｗを熱処理室４０の外部に搬出
させる。その後、次の未処理の基板Ｗが基板搬送ロボッ
ト５１によって熱処理室４０内に搬入され、以降は、上
述した動作が繰り返されて基板Ｗの加熱処理と冷却処理
が順次行われる。

【００８１】この第３実施例によれば、装置に電力を供
給するための電力供給部３の最大供給電力量を従来装置
よりも低減することができ、さらに、加熱処理を開始し
てから冷却処理を終了するまでの間の基板Ｗの温度履歴
を所望の状態に制御することができる。

【００８２】なお、この第３実施例の構成によれば、複
数の加熱処理部１または／および複数の冷却処理部２を
共通の熱処理室４０の内部に配設することができる。従
って、例えば、図４、図５の構成に含まれる複数の加熱
処理部１または／および複数の冷却処理部２を共通の熱
処理室４０の内部に配設させることも可能となる。ただ
し、この場合は、図１２に示すように、基板搬送ロボッ
ト８０は、各熱処理部１、２を挟んで各開口４１（４１
Ｈ、４１Ｃ）と反対側に設けられる。そして、アーム支
持台８１の軸芯Ｊ周りの回転を省略し、それに代えて各
熱処理部１、２の並び方向に平行にアーム支持台８１を
水平移動させる水平移動機構８３を設け、このアーム支
持台８１の水平移動と基板支持アーム８２の進退移動と
によって、選択された１つの加熱処理部１のホットプレ
ート１０の上方から、選択された１つの冷却処理部２の
クールプレート２０の上方との間の加熱処理済の基板Ｗ
の搬送を行う。

【００８３】次に本発明の第４実施例の構成を図１３、
図１４を参照して説明する。図１３は本発明の第４実施
例に係る基板熱処理装置の構成を示す縦断面図であり、
図１４は第４実施例装置の構成を示す平断面図である。
なお、この第４実施例で、上記第１、第３実施例と共通
する部分は、図６、図１０、図１１と同一符号を付して
特に必要がある場合以外はその説明は省略する。

【００８４】この第４実施例は、相前後して行う加熱処
理と冷却処理とに用いる加熱処理部１のホットプレート
１０と冷却処理部２のクールプレート２０を各々個別の
熱処理室４０（４０Ｈ、４０Ｃ）の内部に配設したもの
である。これら加熱処理部１と冷却処理部２には共通の
電力供給部３から電力が供給されるように構成されてい
る。

【００８５】上記第３実施例において基板搬送ロボット
８０が行った加熱処理部１から冷却処理部２への加熱処
理済の基板Ｗの搬送は、この第４実施例装置では基板搬
送ロボット５１が行う。

【００８６】すなわち、加熱処理を終えた基板Ｗは基板
昇降部材６１Ｈによりホットプレート１０の上方の第２
高さＨ２に持ち上げられ、基板昇降部材６１Ｈの昇降ピ
ン６０から基板保持アーム５０に受け渡される。そし
て、基板保持アーム５０が熱処理室４０Ｈの外部に退出
して、加熱された基板Ｗが熱処理室４０Ｈの外部に搬出
される。次に、基板保持アーム５０が熱処理室４０Ｈの
開口４１Ｈの正面から熱処理室４０Ｃの開口４１Ｃの正
面に移動し、熱処理室４０Ｈ、４０Ｃの外部で加熱され
た基板Ｗが搬送される。そして、基板保持アーム５０が
クールプレート２０の上方に進入し、第２高さＨ２にお
いて基板保持アーム５０から基板昇降部材６１Ｃの昇降
ピン６０に加熱された基板Ｗが受け渡され、基板保持ア
ーム５０を熱処理室４０Ｈの外部に退出させた後、基板
昇降部材６１Ｃが第２高さＨ２から第１高さＨ１に下降
されて加熱された基板Ｗがクールプレート２０の上面に
支持され冷却処理が行われる。

【００８７】この第４実施例では、基板昇降部材６１
Ｈ、６１Ｃと昇降駆動部６２Ｈ、６２Ｃと基板搬送ロボ
ット５１が本発明における基板搬送手段を構成する。

【００８８】なお、この第４実施例では、メインコント
ローラー４は、加熱処理部１への基板Ｗの搬送を、相前
後して行う加熱処理と冷却処理とに用いる各々個別の熱
処理室４０内に配設された加熱処理部１と冷却処理部２
で共に基板Ｗに熱処理を行っていない状態で行うととも
に、加熱処理部１から冷却処理部２へ基板Ｗを搬送した
後は、冷却処理部２で基板Ｗの冷却処理を終えて冷却処
理部２の熱処理室４０Ｃから基板Ｗを搬出し、両熱処理
部１、２で基板Ｗに熱処理を行っていない状態になるま
で、加熱処理部１への基板Ｗの搬送は行わないように基
板搬送ロボット５１を制御する。

【００８９】この第４実施例の構成によっても、装置に
電力を供給するための電力供給部３の最大供給電力量を
従来装置よりも低減することができる。

【００９０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、相前後して行う加熱処理と冷
却処理とに用いる加熱処理部と冷却処理部とに共通の電
力供給部から電力を供給するように構成し、これら加熱
処理部と冷却処理部で同時に熱処理しないように構成し
たので、これら加熱処理部と冷却処理部に電力を供給す
る共通の電力供給部の最大供給電力量を従来装置よりも
少なくすることができ、装置に供給する電力供給部の最
大供給電力量を低減することできる。

【００９１】請求項２に記載の発明によれば、共通の熱
処理室内において、この熱処理室の内部に配設された加
熱処理部と冷却処理部とを交互に用いて加熱処理と冷却
処理とを行うように構成したので、請求項１に記載の発
明による効果に加えて、さらに、基板の加熱処理と冷却
処理における基板の温度履歴の制御を所望の状態に制御
することもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基本的な構成を示す概略図である。

【図２】複数の加熱処理部と複数の冷却処理部を備えた
場合の本発明の構成の一例を示す図である。

【図３】複数の加熱処理部と複数の冷却処理部を備えた
場合の本発明の別の構成例を示す図である。

【図４】複数の加熱処理部または複数の冷却処理部に１
つの電力供給部から電力を供給する場合の本発明の構成
図である。

【図５】複数の加熱処理部および複数の冷却処理部に１
つの電力供給部から電力を供給する場合の本発明の構成
図である。

【図６】本発明の第１実施例に係る基板熱処理装置の構
成を示す縦断面図である。

【図７】熱処理室の外部と内部との間で基板を搬送する
基板搬送ロボットの基板保持アームの一例の構成を示す
平面図とそのＡ−Ａ矢視断面図である。

【図８】本発明の第２実施例に係る基板熱処理装置の構
成を示す縦断面図である。

【図９】熱遮蔽部材の構成を示す平面図である。

【図１０】本発明の第３実施例に係る基板熱処理装置の
構成を示す縦断面図である。

【図１１】第３実施例装置の構成を示す平断面図であ
る。

【図１２】第３実施例装置の変形例の概略構成を示す平
断面図である。

【図１３】本発明の第４実施例に係る基板熱処理装置の
構成を示す縦断面図である。

【図１４】第４実施例装置の構成を示す平断面図であ
る。

【図１５】従来装置の構成を示す概略図である。

【符号の説明】

１：加熱処理部 ２：冷却処理部 ３：電力供給部 ５：基板搬送装置 １０：ホットプレート ２０：クールプレート ４０：熱処理室 ５１、８０：基板搬送ロボット ６１：基板昇降部材 ６２：昇降駆動部 Ｗ：基板

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を加熱処理する加熱処理部と基板を
   冷却処理する冷却処理部とを備え、前記加熱処理部及び
   前記冷却処理部に電力が供給されて温度制御されるよう
   に構成された基板熱処理装置において、 相前後して行う加熱処理と冷却処理とに用いる加熱処理
   部と冷却処理部とに共通の電力供給部から温度制御用の
   電力を供給するように構成し、 前記電力供給部から電力が供給される加熱処理部と冷却
   処理部とのいずれか一方の熱処理部でのみ基板が熱処理
   されるように、これら加熱処理部と冷却処理部とに基板
   を搬送する基板搬送手段を備えたことを特徴とする基板
   熱処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板熱処理装置におい
   て、 相前後して行う加熱処理と冷却処理とに用いる加熱処理
   部と冷却処理部とを共通の熱処理室の内部に配設し、 前記熱処理室の内部に配設された加熱処理部と冷却処理
   部とに共通の電力供給部から温度制御用の電力を供給す
   るように構成し、 前記基板搬送手段は、前記熱処理室の内部に配設された
   加熱処理部から冷却処理部への基板の搬送を前記熱処理
   室内で行うことを特徴とする基板熱処理装置。