JPH11271097A - 相対変位測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気分割法による補間や、アライメント調整
を必要とすることなく、高分解能を得ることを可能とし
た相対変位測定装置を提供すること。 【解決手段】 第１の部材は所定ピッチで配列された透
過型あるいは反射型格子を有するメインスケールより成
り、第２の部材は、メインスケールを照射して所定の透
過像あるいは反射像パターンを生じさせる光照射手段と
計測ユニットより成り、前記計測ユニットは、ベース
と、メインスケールと同一のピッチの透過型格子を有す
るインデックススケールと受光素子とを保持してなる受
光素子ユニットと、受光素子ユニットをベースに対して
相対微少移動可能にベースに支持した弾性部材と、受光
素子ユニットを前記相対移動方向と平行に微少移動させ
るアクチュエータと、受光素子ユニットの微少変位量を
測定する近接変位センサにより構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、所定のギャップを
おいて相対移動可能に配置された第１および第２の部材
の相対変位を光学的に測定する光学式エンコーダに関わ
り、より詳細には近接変位センサを併用する相対変位測
定装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の装置は光学式エンコーダ
のみより構成され、相対変位を測定すべき第１および第
２の部材のそれぞれに対して固定位置に設けられた所定
のピッチの格子が形成された一対の格子を有する。この
一対の格子の内、一方の格子はメインスケールと呼ばれ
透過性または反射性であり、他方の格子はインデックス
スケールと呼ばれ透過性である。一対の格子の組合体は
適当な光源で照射され、更に二つの格子の相対運動に応
じて変化する格子の組合体による透過光または反射光の
変化に応答する手段が設けられている。

【０００３】この従来の装置においては、精度をあげる
ためにスケールピッチの微細化進めて行くと、変位信号
が光量分布やスケールのムラの影響を受け易くなり、従
ってスケール部材のアライメント調整が難しく、ヨウイ
ング、ピッチング、ローリング等の僅かな機械的回転が
その光学特性を大きく劣化させる要因となり、正確な明
暗像が得られにくくなる。そこで一般には測定に必要な
分解能を直接与える格子より粗い格子が使用され、必要
な精度あるいは分解能の結果を得るべく電気分割法によ
る補完が用いられる。

【０００４】このような従来技術として、例えば特開昭
５９−７２１０号公報に示されているような電気分割法
を利用した光学式エンコーダがある。

【０００５】すなわち図９に示すように、信号Ａおよび
信号Ｂは検出部で検出された２正弦波信号であり、信号
Ａを基準にすると信号Ｂは１２０度位相の進んだ信号で
ある。反転和算回路９０において、Ｃ＝−（Ａ＋Ｂ）な
る信号Ｃが生成され、この信号Ｃは信号Ａを基準にする
と１２０度位相の遅れた信号となる。

【０００６】波形整形回路９１，９２および９３は、コ
ンパレータ等で構成され、入力した信号と基準電圧（図
１０のＺ）とを比較し、信号が基準電圧より高い場合は
ディジタル信号の’ハイ’を出力し、信号が基準電圧よ
り低い場合はディジタル信号の’ロー’を出力するもの
であり、それぞれ信号Ａ，ＢおよびＣに対応してディジ
タル信号Ｄ，ＥおよびＦを出力する。

【０００７】パルス整形回路９４，９５および９６は、
入力信号の立ち上がりおよび立ち下がりの時点において
幅の狭いパルスを出力するものであり、それぞれディジ
タル信号Ｄ，ＥおよびＦに対応してパルス信号Ｇ，Ｈお
よびＩを出力する。論理和回路９７は入力される３つの
パル信号の論理和信号Ｋを出力する。

【０００８】図１０において、図９における各信号の波
形図を示す。最終的に得られる信号Ｋの波形からスケー
ルスリットの１周期を６分割した信号が得られることが
分かる。

【０００９】しかしながら、ここに示されている従来技
術においては、電気分割のために行われる演算の性格に
より、演算の元となる前記の信号Ａと信号Ｂは正確な正
弦波でありかつその位相関係が厳密に設定されている必
要がある。従ってスケールピッチがさほど細かくなくと
もスケール部材のアライメント調整が難しいという問題
点があった。さらに電気分割の数を増して行くと、アナ
ログ処理回路の規模が増大し、その動作量の初期誤差お
よび環境条件の変動による誤差が累積し、従って測定誤
差が増大するという難点があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる問題点
を鑑みなされたものであり、電気分割法による補間を用
いることなくまた難しいギャップ調整やアライメント調
整を必要とすることなく、高分解能を得ることを可能と
した、光学式エンコーダと近接変位センサを併用した相
対変位測定装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の構成は、所定ギャップをおいて相対移動可能
に配置された第１、第２の部材の相対変位を測定する装
置において、第１の部材は所定ピッチで配列された透過
型あるいは反射型格子を有するメインスケールより成
り、第２の部材は、メインスケールを照射して所定の透
過像あるいは反射像パターンを生じさせる光照射手段と
計測ユニットより成り、前記計測ユニットは、ベース
と、メインスケールと同一のピッチの透過型格子を有す
るインデックススケールと受光素子とを保持してなる受
光素子ユニットと、受光素子ユニットを前記相対移動方
向と平行にベースに対して相対的に前記メインスケール
のピッチ長以下の微少量移動可能にベースに支持した弾
性部材と、受光素子ユニットを前記微少量移動させるア
クチュエータと、受光素子ユニットの前記微少移動の変
位量を測定する近接変位センサにより構成されることを
特徴とする。

【００１２】本発明に係わる相対変位測定装置における
計測は、まず第１段階として正負対称に変化する受光素
子の出力信号を負帰還してアクチュエータを駆動し、前
記受光素子の出力信号がゼロボルトとなるよう受光素子
ユニットの第２の部材に対する相対位置を微少移動させ
ることにより、メインスケールとインデックススケール
の位相関係をスケールピッチ内で一意的に決まる所定の
位相関係とする。以後の説明のため、この動作を「位相
合わせ」と呼び、この所定の位相関係の状態を「位相合
状態」と呼ぶこととする。

【００１３】次に第２段階として、受光素子ユニットの
第２の部材に対する相対位置を保持したまま第１と第２
の部材の相対移動を行う。すなわち位相合状態よりメイ
ンスケールとインデックススケールの相対移動を開始す
る。最後に、前記相対移動が完了した時点では一般に位
相合状態は崩れているので、第３段階として第２の位相
合わせを行い再び位相合状態にする。

【００１４】以上の動作が完了した後、第１と第２の部
材の相対移動量を従来の光学式エンコーダの測定原理に
より格子のピッチの分解能で計測した結果と、第２の位
相合わせにおけるインデックススケールの微少移動量を
近接変位センサにより計測した結果を微少移動の方向を
考慮して加算あるいは減算することにより最終測定結果
を得る。

【００１５】なおこの位相合わせにおける微少移動量
は、最も近い所定の位相関係位置への移動となるため最
大１／２ピッチ長となり、この一連の計測においてイン
デックススケールの微少移動の総和は、２回の位相合わ
せによるものであるので、最大１ピッチ長となる。すな
わちインデックススケールの微動機構のストロークは、
少なくとも１ピッチ長にしておけばよい。

【００１６】静電容量型変位センサのような近接変位セ
ンサはその測定ストロークは短いが、測定精度は非常に
高精度であるという特性を持っている。前記の位相合わ
せにおける微少変位量は前記のようにスケールピッチ以
下であるので通常数十ミクロンあるいはそれ以下あり、
近接変位センサによる測定に適している。よって近接変
位センサを用いることにより前記微少変位量を非常に高
精度に測定することができる。

【００１７】従って本発明によれば、電気分割法による
補間を用いることなく、また困難なギャップ調整やアラ
イメント調整を必要としない粗いスケールピッチの光学
系のエンコーダを用いても、最終的には近接変位センサ
の測定精度で変位測定が可能なため、高精度変位測定が
可能となる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下図を用いて本発明の実施例を
詳細に説明する。図１は本発明の実施例の装置構成を示
す斜視図である。第１の部材としてのメインスケール１
と第２の部材としての固定部材２とは、所定のギャップ
をもって矢印Ｘで示すような方向に相対移動可能なよう
に配置する。

【００１９】メインスケール１は、光の透過部と非透過
部が所定ピッチＰで配列形成されたスリットを有する透
過型スケールである。

【００２０】固定部材２には光源ランプ３、コリメート
レンズ４およびを計測ユニット１０を固定位置に配置
し、光源ランプ３を発した光がコリメートレンズ４によ
り集光、平行光化されて、メインスケール１を透過した
後、計測ユニット１０に達するようにする。

【００２１】図２は本実施例における計測ユニット１０
の構成をあらわす平面図および断面図である。

【００２２】図２（ａ）は計測ユニット１０の平面図で
ある。ベース１３の１組の対向する内側面に弾性部材１
４ａ、１４ｂを介して受光素子ユニット２０を、前記矢
印Ｘと平行な矢印１５の方向に微少移動可能に支持す
る。圧電素子アクチュエータ１１は、その先端が受光素
子ユニット２０の端面１６に接してベース１３に固定さ
れ、受光素子ユニット２０を矢印１５の方向に微少変位
させる。静電容量型変位センサ１２は、受光素子ユニッ
ト２０の端面１７に対向してベース１３の内側面に固定
され、ギャップ１８の測長を行う。

【００２３】図２（ｂ）は前記計測ユニット１０の図２
（ａ）におけるＳ１−Ｓ２での断面図である。受光素子
ユニット２０は図示のように、その微動の妨げとならな
いようにベース１３の凹部の底面に接しないように浮か
せて支持する。

【００２４】図３は本実施例における受光素子ユニット
２０の側断面図である。光の透過部と非透過部が所定ピ
ッチＰで配列形成されたスリット部２２およびスリット
部２３を有するインデックススケール２１をベース２６
に取り付け、前記スリット部２２の直下に受光素子２４
を設置し、スリット部２３の直下に受光素子２５を設置
する。さらに導体部２７を、静電容量型変位センサ１２
を正常に動作させるために、受光素子ユニット２０の静
電容量型変位センサ１２に対向する側面に固定し、静電
容量型変位センサ１２の図示していない制御回路の接地
部に接続する。

【００２５】図４は本実施例における、従来の光学式エ
ンコーダの測定原理によりピッチＰの分解能で行う測定
の動作の説明図である。この測定を以後の説明のため
「粗測定」と呼ぶこととする。

【００２６】図４においてはインデックススケール２１
は固定部材２に対して静止しており、メインスケール１
のみが固定部材２に対して相対的に移動し、この相対的
な移動はインデックススケール２１に固定した座標系で
表現する。

【００２７】スリット図３０はメインスケール１のスリ
ットパターンの位置を表しており、光透過部３０ａと光
非透過部３０ｂが交互に、その周期をピッチＰで配列さ
れている。なお以下の説明におけるメインスケール１、
インデックススケール２１のスケール図もすべてスリッ
ト図３０と同様に光透過部と光非透過部が交互にその周
期をピッチＰで配列されている。点３１はスリット図３
０のスリットパターンの位置を表すためにそれに仮想的
に付したメインスケールマーカの位置を示しており、メ
インスケール１と固定部材２の相対移動に伴い、スリッ
ト図３０と共に移動する。

【００２８】スリット図３２はインデックススケール２
１の総合的なスリットの位置を示している。スリット図
３３、スリット図３４はそれぞれスリット部２２、スリ
ット部２３のスリットパターンの位置を表しておりそれ
らのスリットパターンの位相関係は固定であり、図示の
ようにピッチＰの１／４周期ずれている。

【００２９】波形図３５、波形図３６はそれぞれ横軸に
メインスケールマーカの位置を取った時の受光素子２
４、受光素子２５の出力電圧波形であり、正負対称に変
化する。点３７、点３８はそれぞれメインスケールマー
カが点３１の位置にある時の、受光素子２４の出力電圧
の波形図３５上の、受光素子２５の出力電圧の波形図３
６上の位置を表している。

【００３０】波形図３９、波形図４０はそれぞれ波形図
３５、波形図３６の波形を０ボルトをスレッショールド
レベルとしてパルス化した時の論理信号波形図である。
波形図３９における立ち上がり遷移４１はメインスケー
ルマーカが点３１の位置から右方向に移動した時の同図
の波形の変化する状態を表しており、波形図３９におけ
る立ち下がり遷移４２および４３は、メインスケールマ
ーカが点３１の位置から左方向に移動した時の同図の波
形の変化する状態を表している。

【００３１】目盛り図４４はこの粗計測におけるメイン
スケールの位置を表すカウント値を表しており、メイン
スケールマーカが点３１の位置の時、その値がＮであ
る。このカウント値は、波形図４３の波形がローレベル
の時、波形図３９の波形の立ち上がり遷移でカウントア
ップされ、立ち下がり遷移でカウントダウンされる。す
なわちメインスケールマーカが点３１の位置から右方向
へ移動した時、波形図３９の立ち上がり遷移４１でカウ
ントアップされ、左方向へ移動した時立ち下がり遷移４
２および４３でカウントダウンされる。

【００３２】図５は本実施例における、「位相合わせ」
の説明図である。すなわち受光素子ユニット２０を圧電
素子アクチュエータ１１により微動させることによっ
て、メインスケール１のスリットパターンの位相と、イ
ンデックススケール２１のスリットパターンの位相を所
定の関係とする動作を説明している。

【００３３】なお図５においてはメインスケール１が固
定部材２に対して静止しており、インデックススケール
２１のみが固定部材２に対して相対的に微少移動し、こ
の相対的な微少移動はイメインスケール１に固定した座
標系で表現する。

【００３４】スリット図４５はメインスケール１のスリ
ットパターンの位置を表している。

【００３５】スリット図４６は、位相合わせを行う直前
のインデックススケール２１の総合的なスリットパター
ンの位置を示している。スリット図４７、スリット図４
８はそれぞれその時のスリット部２２、スリット部２３
のスリットパターンの位置を表している。点４９はイン
デックススケール２１のスリットパターンの位置を表す
ためにそれに仮想的に付したインデックススケールマー
カのスリット図４６における位置を示しており、インデ
ックススケール２１が固定部材２に対して相対的に微少
移動をするのに伴って、スリット図４６と共に移動す
る。

【００３６】スリット図５０は、スリット図４６の位置
から位相合わせを行いそれが完了した時点における、イ
ンデックススケール２１の総合的なスリットパターンの
位置を示している。スリット図５１、スリット図５２は
それぞれその時のスリット部２２、スリット部２３のス
リットパターンの位置を表しており、点５３はスリット
図５０におけるインデックススケールマーカの位置を示
している。

【００３７】すなわち位相合わせが完了した時点では、
スケール図４５とスケール図５１のスリットパターンの
位相は一致した状態となり、これが本実施例における
「位相合状態」である。この位相合わせにおけるインデ
ックススケール２１の微少移動量は、最も近い位相合状
態の位置への移動となるため、最大１／２ピッチ長とな
る。

【００３８】波形図５６、波形図５７はそれぞれ横軸に
インデックススケールマーカの位置を取った時の受光素
子２４、受光素子２５の出力電圧波形である。点５８、
点５９はそれぞれインデックススケールマーカが点４
９、点５３の位置にある時の受光素子２５の出力電圧の
波形図５７上の位置を表している。

【００３９】位相合わせは、波形図５７の波形信号を用
いて圧電素子アクチュエータ１１を駆動し受光素子ユニ
ット２０すなわちインデックススケール２１を微少移動
させることによって行う。すなわち図５において、波形
図５７の波形信号が正の時はインデックススケールマー
カが右方向へ移動するように、また負の時はインデック
ススケールマーカが左方向へ移動するように圧電素子ア
クチュエータ１１を駆動する。

【００４０】このようにして、波形図５７上の点５８は
点５９へ移動して静止し、それに対応してインデックス
スケールマーカ位置を表す点４９は点５３へ移動して静
止する。矢印５４はこの時のインデックススケールマー
カの微少移動の量および方向を表しており、矢印５５は
インデックススケールマーカ位置の各領域における微少
移動の方向を示している。

【００４１】図６は本実施例における計測全体の説明図
である。計測全体の流れとしては、まず第１段階とし
て、第１の位相合わせにより位相合状態とする。

【００４２】次に第２段階として、圧電素子アクチュエ
ータ１１の印加電圧を保持することによってイン デッ
クススケール２１の固定部材２に対する相対位置を第１
の位相合わせが終わった時点の状態を保持したまま、メ
インスケール１と固定部材２の相対移動を計測に必要な
長さだけ行う。

【００４３】そして最後に第３段階として、第２の位相
合わせにより再び位相合状態とする。第２段階の完了時
にたまたま位相合状態となっていれば、第２の位相合わ
せの微動量はゼロとなる。

【００４４】第３段階が完了した時点で、粗計測の結果
と第２の位相合わせによる微動量を加算をして最終測定
結果を得る。なおこの微動量は粗計測における正方向に
移動した場合には正の量とし、負方向に移動した場合は
負の量として加算する。

【００４５】図６（ａ）は、前記第１段階における第１
の位相合わせの直前の状態を示しており、スリット図６
０ａ、スリット図６１ａおよびスリット図６２ａはそれ
ぞれメインスケール１、インデックススケール２１のス
リット部２２およびスリット部２３のスリットパターン
を表している。また点６３ａおよび目盛り図６４ａは、
それぞれこの時のメインスケールマーカの位置およびメ
インスケールの位置を表すカウント値を示している。

【００４６】図６（ｂ）は、前記第１段階における第１
の位相合わせの直後の状態を示しており、スリット図６
０ｂ、スリット図６１ｂおよびスリット図６２ｂはそれ
ぞれメインスケール１、インデックススケール２１のス
リット部２２およびスリット部２３のスリットパターン
を表している。また点６３ｂおよび目盛り図６４ｂは、
それぞれこの時のメインスケールマーカの位置およびメ
インスケールの位置を表すカウント値を示している。

【００４７】すなわち、図６（ｂ）の状態は、図６
（ａ）の状態よりインデックススケール２１の位置が矢
印６５で示される大きさおよび方向で微少移動を行い、
メインスケール１とインデックススケール２１のスリッ
トパーンの位相関係が「位相合状態」となったことを示
す。またこの時メインスケールマーカの位置を示す点６
３ｂが目盛り図６４ｂの「０」の領域にあるのでメイン
スケールの位置を表すカウント値は「０」である。

【００４８】図６（ｃ）は、前記第２段階が完了し前記
第３段階における第２の位相合わせの直前の状態を示し
ており、スリット図６０ｃ、スリット図６１ｃおよびス
リット図６２ｃはそれぞれメインスケール１、インデッ
クススケール２１のスリット部２２およびスリット部２
３のスリットパターンを表している。また点６３ｃおよ
び目盛り図６４ｃは、それぞれこの時のメインスケール
マーカの位置およびメインスケールの位置を表すカウン
ト値を示している。

【００４９】図６（ｄ）は、前記第３段階における第２
の位相合わせの直後の状態を示しており、スリット図６
０ｄ、スリット図６１ｄおよびスリット図６２ｄはそれ
ぞれメインスケール１、インデックススケール２１のス
リット部２２およびスリット部２３のスリットパターン
を表している。また点６３ｄおよび目盛り図６４ｄは、
それぞれこの時のメインスケールマーカの位置およびメ
インスケールの位置を表すカウント値を示している。

【００５０】すなわち、図６（ｄ）の状態は、図６
（ｃ）の状態よりインデックススケール２１の位置が矢
印６６で示される大きさおよび方向で微少移動を行い、
メインスケール１とインデックススケール２１のスリッ
トパーンの位相関係が「位相合状態」となったことを示
す。またこの時メインスケールマーカの位置を示す点６
３ｄが目盛り図６４ｄの「Ｎ」の領域にあるのでメイン
スケールの位置を表すカウント値は「Ｎ」である。

【００５１】第２の位相合わせにおける微少移動の方向
は図示のように粗計測の正方向であるから、この微少移
動の移動量の符号は正となる。従って本実施例における
測定の最終測定結果は、スリットパターンのピッチはＰ
であるから、矢印６４の変位の大きさをΔＬ（ΔＬ＞
０）とすると、’ＮＰ＋ΔＬ’となる。

【００５２】この一連の計測においてインデックススケ
ール２１の微少移動の総和は、２回の位相合わせによる
ものであるので、最大１ピッチ長となる。すなわちイン
デックススケール２１の微少移動範囲および静電容量型
変位センサ１２の測定ストロークは、少なくとも１ピッ
チ長にしておけばよい。なお圧電素子アクチュエータ１
１への印加電圧は、この一連の計測終了時に計測開始前
の状態に戻しておき、以降の計測時にインデックススケ
ール２１の微少移動が同一方向に累積していくことを防
止する。

【００５３】以上の説明から分かるように、受光素子２
４および受光素子２５の出力信号の波形はその周期は正
確でなければならないが、それらの位相関係は正確にピ
ッチＰの１／４周期ずれている必要はない。従って従来
技術における電気分割法を使用する場合のような正確な
位相調整は不要となる。また受光素子２４および受光素
子２５の出力信号の波形は従来技術における電気分割法
を使用する場合のような演算を施すこともないので、正
確な正弦波である必要はない。

【００５４】図７および図８は、本発明に係わるその他
の実施例の装置構成を表すブロック図であり、第１の実
施例における透過型格子の代わりに反射型格子を使用し
たものである。

【００５５】図７において、第１の部材としてのメイン
スケール７０と第２の部材としての固定部材７１とは、
所定のギャップをもって矢印Ｘで示すような方向に相対
移動可能なように配置する。メインスケール７０は、光
の反射部と非反射部が所定ピッチＰで配列形成された格
子を有する反射型スケールである。

【００５６】固定部材７１に計測ユニット７２、光源ラ
ンプ７３およびコリメートレンズ７４を配置する。光源
ランプ７３を発した光はコリメートレンズ７４により集
光、平行光化されて、メインスケール７０を照射し、そ
の反射光が計測ユニット７２に達する。計測ユニット７
２は、第１の実施例における計測ユニット１０と同様の
構成を有し、同様の作用を行う。

【００５７】図８において、第１の部材としてのメイン
スケール８０と第２の部材としての固定部材８１とは、
所定のギャップをもって矢印Ｘで示すような方向に相対
移動可能なように配置する。メインスケール８０は、光
の反射部と非反射部が所定ピッチＰで配列形成された格
子を有する反射型スケールである。

【００５８】固定部材８１に計測ユニット８２、光源ラ
ンプ８３、コリメートレンズ８４およびハーフミラー８
５を配置する。光源ランプ８３を発した光はコリメート
レンズ８４により集光、平行光化されハーフミラー８５
にてその一部が反射しメインスケール８０を照射する。
メインスケール８０より反射した光はその一部がハーフ
ミラー８５を通過し、計測ユニット８２に達する。計測
ユニット８２も第１の実施例における計測ユニット１０
と同様の構成を有し、また同様の作用を行う。

【００５９】図７および図８に示すような構成をとるこ
とにより、計測ユニットをメインスケールの一方の側に
のみ配置すればよいため、装置をよりコンパクトにする
ことができる。

【００６０】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、光学
式エンコーダと近接変位センサを併用することによっ
て、困難なギャップ調整やアライメント調整を必要とし
ない粗いスケールピッチの光学系のエンコーダを用いて
も、近接変位センサの有する非常に高い測定精度で測定
結果を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における装置構成を示す斜視
図である。

【図２】本発明の同実施例における計測ユニットの構成
をあらわす平面図および断面図である。

【図３】本発明の同実施例における受光素子ユニットの
構成をあらわす側断面図である。

【図４】本発明の同実施例におけるピッチＰの分解能で
行う粗測定の動作の説明図である。

【図５】本発明の同実施例における「位相合わせ」の説
明図である。

【図６】本発明の同実施例における計測全体の説明図で
ある。

【図７】本発明の他の実施例における装置構成を表すブ
ロック図である。

【図８】本発明の他の実施例における装置構成を表すブ
ロック図である。

【図９】従来技術をあらわす光学式エンコーダの制御回
路のブロック図である。

【図１０】従来技術をあらわす光学式エンコーダの制御
回路における各信号の波形図である。

【符号の説明】

１ メインスケール ３ 光源ランプ ４ コリメートレンズ １１ 圧電素子アクチュエータ １２ 静電容量型変位センサ ２１ インデックススケール ２２、２３ スリット部 ２４、２５ 受光素子 ２７ 導体部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定ギャップをおいて相対移動可能に配
   置された第１、第２の部材の相対変位を測定する装置に
   おいて、第１の部材は所定ピッチで配列された透過型あ
   るいは反射型格子を有するメインスケールより成り、第
   ２の部材は、メインスケールを照射して所定の透過像あ
   るいは反射像パターンを生じさせる光照射手段と計測ユ
   ニットより成り、前記計測ユニットは、ベースと、メイ
   ンスケールと同一のピッチの透過型格子を有するインデ
   ックススケールと受光素子とを保持してなる受光素子ユ
   ニットと、受光素子ユニットを前記相対移動方向と平行
   にベースに対して相対的に前記メインスケールのピッチ
   長以下の微少量移動可能にベースに支持した弾性部材
   と、受光素子ユニットを前記微少量移動させるアクチュ
   エータと、受光素子ユニットの前記微少移動の変位量を
   測定する近接変位センサにより構成されることを特徴と
   する相対変位測定装置。