JPH1126869A - 半導体レーザ素子のｃｏｄレベル測定方法及び半導体レーザ素子の評価方法 - Google Patents
半導体レーザ素子のｃｏｄレベル測定方法及び半導体レーザ素子の評価方法Info
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- JPH1126869A JPH1126869A JP18008997A JP18008997A JPH1126869A JP H1126869 A JPH1126869 A JP H1126869A JP 18008997 A JP18008997 A JP 18008997A JP 18008997 A JP18008997 A JP 18008997A JP H1126869 A JPH1126869 A JP H1126869A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 個々の半導体レーザ素子のＣＯＤレベル及び
その低下率を非破壊試験によって測定し、素子寿命が長
い高出力半導体レーザ素子を選別することが可能な半導
体レーザ素子の評価方法を提供する。 【解決手段】 予め、所定の数の半導体レーザ素子を用
いて、共振器端面のＣＯＤ劣化が抑制される３０℃以上
で、かつ半導体レーザ素子が連続発振可能な温度範囲内
にある評価温度時の最大光出力と常温時のＣＯＤレベル
との関係を示すＣＯＤレベル特性を測定しておき、被試
験レーザ素子の、評価温度における最大光出力を測定
し、ＣＯＤレベル特性を基に測定した最大光出力から被
試験レーザ素子のＣＯＤレベルを求め、求めたＣＯＤレ
ベルを基に、被試験レーザ素子を選別する。
その低下率を非破壊試験によって測定し、素子寿命が長
い高出力半導体レーザ素子を選別することが可能な半導
体レーザ素子の評価方法を提供する。 【解決手段】 予め、所定の数の半導体レーザ素子を用
いて、共振器端面のＣＯＤ劣化が抑制される３０℃以上
で、かつ半導体レーザ素子が連続発振可能な温度範囲内
にある評価温度時の最大光出力と常温時のＣＯＤレベル
との関係を示すＣＯＤレベル特性を測定しておき、被試
験レーザ素子の、評価温度における最大光出力を測定
し、ＣＯＤレベル特性を基に測定した最大光出力から被
試験レーザ素子のＣＯＤレベルを求め、求めたＣＯＤレ
ベルを基に、被試験レーザ素子を選別する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ素子の
ＣＯＤレベルを非破壊で測定し、素子寿命が長い半導体
レーザ素子を選別するための半導体レーザ素子のＣＯＤ
レベル測定方法及び半導体レーザ素子の評価方法に関す
るものである。
ＣＯＤレベルを非破壊で測定し、素子寿命が長い半導体
レーザ素子を選別するための半導体レーザ素子のＣＯＤ
レベル測定方法及び半導体レーザ素子の評価方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＡｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系等の
半導体材料によって製造された半導体レーザ素子の最大
光出力は、共振器端面の光学損傷（Catastrophic Optic
al Damage:COD）による劣化によって制限されることが
知られている。
半導体材料によって製造された半導体レーザ素子の最大
光出力は、共振器端面の光学損傷（Catastrophic Optic
al Damage:COD）による劣化によって制限されることが
知られている。
【０００３】また、半導体レーザ素子を高出力で動作さ
せる場合、その素子寿命は共振器端面に発生するＣＯＤ
劣化が支配的であることが知られている。すなわち、半
導体レーザ素子は、その動作時間に伴ってＣＯＤレベル
（ＣＯＤによる光出力限界）が低下し、やがては共振器
端面にＣＯＤ劣化が発生する。
せる場合、その素子寿命は共振器端面に発生するＣＯＤ
劣化が支配的であることが知られている。すなわち、半
導体レーザ素子は、その動作時間に伴ってＣＯＤレベル
（ＣＯＤによる光出力限界）が低下し、やがては共振器
端面にＣＯＤ劣化が発生する。
【０００４】このＣＯＤ劣化が生じた半導体レーザ素子
では、共振器端面が破壊されているために再び動作させ
ることができない。
では、共振器端面が破壊されているために再び動作させ
ることができない。
【０００５】従来の半導体レーザ素子の評価方法では、
半導体レーザ素子のＣＯＤレベルを非破壊試験によって
測定することが困難であるため、個々の半導体レーザ素
子に対して破壊試験を行うことによってＣＯＤレベルを
測定していた。これは、ＣＯＤ劣化が、例えば、ＩＥＥ
Ｅ．Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．１９９
４、第３０巻、４７１〜４７６頁に記載されているよう
に、その動作電流の変化がほとんど観察されないまま突
発的に発生することによる（図１３に示す駆動電流−動
作時間特性参照）。
半導体レーザ素子のＣＯＤレベルを非破壊試験によって
測定することが困難であるため、個々の半導体レーザ素
子に対して破壊試験を行うことによってＣＯＤレベルを
測定していた。これは、ＣＯＤ劣化が、例えば、ＩＥＥ
Ｅ．Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．１９９
４、第３０巻、４７１〜４７６頁に記載されているよう
に、その動作電流の変化がほとんど観察されないまま突
発的に発生することによる（図１３に示す駆動電流−動
作時間特性参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したようにＡｌＧ
ａＡｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系等からなる半導体レーザ素
子を高出力で動作させる場合、その素子寿命は主に共振
器端面に発生するＣＯＤ劣化によって支配される。
ａＡｓ系やＡｌＧａＩｎＰ系等からなる半導体レーザ素
子を高出力で動作させる場合、その素子寿命は主に共振
器端面に発生するＣＯＤ劣化によって支配される。
【０００７】また、ＣＯＤレベルは、半導体レーザ素子
の製作プロセスの不均一性によって個々の半導体レーザ
素子毎に異なった値となる。また、半導体レーザ素子の
寿命は、ＣＯＤレベルが低く、その低下率が大きいもの
ほど短くなる。
の製作プロセスの不均一性によって個々の半導体レーザ
素子毎に異なった値となる。また、半導体レーザ素子の
寿命は、ＣＯＤレベルが低く、その低下率が大きいもの
ほど短くなる。
【０００８】そこで、高出力で安定動作する半導体レー
ザ素子を歩留りよく提供するためには、個々の半導体レ
ーザ素子のＣＯＤレベルを把握し、ＣＯＤレベルが低い
半導体レーザ素子を予め選別除去することが必要であ
る。
ザ素子を歩留りよく提供するためには、個々の半導体レ
ーザ素子のＣＯＤレベルを把握し、ＣＯＤレベルが低い
半導体レーザ素子を予め選別除去することが必要であ
る。
【０００９】また、個々の半導体レーザ素子のＣＯＤレ
ベルの低下率から素子寿命を正確に予測することも必要
である。
ベルの低下率から素子寿命を正確に予測することも必要
である。
【００１０】しかしながら上述したように従来の半導体
レーザ素子の評価方法では、破壊試験を行うことによっ
てＣＯＤレベルを測定するため、評価対象である被試験
レーザ素子をＣＯＤレベルの測定を行った後に使用する
ことができないという問題があった。また、半導体レー
ザ素子のＣＯＤ劣化による寿命を正確に予測することが
困難であった。
レーザ素子の評価方法では、破壊試験を行うことによっ
てＣＯＤレベルを測定するため、評価対象である被試験
レーザ素子をＣＯＤレベルの測定を行った後に使用する
ことができないという問題があった。また、半導体レー
ザ素子のＣＯＤ劣化による寿命を正確に予測することが
困難であった。
【００１１】本発明は上記したような従来の技術が有す
る問題点を解決するためになされたものであり、個々の
半導体レーザ素子のＣＯＤレベル及びその低下率を非破
壊試験によって測定し、素子寿命が長い高出力半導体レ
ーザ素子を選別することが可能な半導体レーザ素子のＣ
ＯＤレベル測定方法及び半導体レーザ素子の評価方法を
提供することを目的とする。
る問題点を解決するためになされたものであり、個々の
半導体レーザ素子のＣＯＤレベル及びその低下率を非破
壊試験によって測定し、素子寿命が長い高出力半導体レ
ーザ素子を選別することが可能な半導体レーザ素子のＣ
ＯＤレベル測定方法及び半導体レーザ素子の評価方法を
提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体レーザ素子のＣＯＤレベル測定方法は、
半導体レーザ素子のＣＯＤレベルを非破壊によって求め
るための半導体レーザ素子のＣＯＤレベル測定方法であ
って、予め、所定の数の前記半導体レーザ素子を用い
て、共振器端面のＣＯＤ劣化が抑制される３０℃以上
で、かつ前記半導体レーザ素子が連続発振可能な温度範
囲内にある評価温度時の最大光出力と常温時のＣＯＤレ
ベルとの関係を示すＣＯＤレベル特性を測定しておき、
評価対象の半導体レーザ素子である被試験レーザ素子
の、前記評価温度における前記最大光出力を測定し、前
記ＣＯＤレベル特性をもとに該最大光出力から該被試験
レーザ素子のＣＯＤレベルを求めることを特徴とする。
本発明の半導体レーザ素子のＣＯＤレベル測定方法は、
半導体レーザ素子のＣＯＤレベルを非破壊によって求め
るための半導体レーザ素子のＣＯＤレベル測定方法であ
って、予め、所定の数の前記半導体レーザ素子を用い
て、共振器端面のＣＯＤ劣化が抑制される３０℃以上
で、かつ前記半導体レーザ素子が連続発振可能な温度範
囲内にある評価温度時の最大光出力と常温時のＣＯＤレ
ベルとの関係を示すＣＯＤレベル特性を測定しておき、
評価対象の半導体レーザ素子である被試験レーザ素子
の、前記評価温度における前記最大光出力を測定し、前
記ＣＯＤレベル特性をもとに該最大光出力から該被試験
レーザ素子のＣＯＤレベルを求めることを特徴とする。
【００１３】また、本発明の半導体レーザ素子の評価方
法は、素子寿命の長い半導体レーザ素子を選別するため
の半導体レーザ素子の評価方法であって、予め、所定の
数の前記半導体レーザ素子を用いて、共振器端面のＣＯ
Ｄ劣化が抑制される３０℃以上で、かつ前記半導体レー
ザ素子が連続発振可能な温度範囲内にある評価温度時の
最大光出力と常温時のＣＯＤレベルとの関係を示すＣＯ
Ｄレベル特性を測定しておき、評価対象の半導体レーザ
素子である被試験レーザ素子の、前記評価温度における
前記最大光出力を測定し、前記ＣＯＤレベル特性をもと
に該最大光出力から該被試験レーザ素子のＣＯＤレベル
を求め、前記ＣＯＤレベルをもとに、前記被試験レーザ
素子を選別することを特徴とする。
法は、素子寿命の長い半導体レーザ素子を選別するため
の半導体レーザ素子の評価方法であって、予め、所定の
数の前記半導体レーザ素子を用いて、共振器端面のＣＯ
Ｄ劣化が抑制される３０℃以上で、かつ前記半導体レー
ザ素子が連続発振可能な温度範囲内にある評価温度時の
最大光出力と常温時のＣＯＤレベルとの関係を示すＣＯ
Ｄレベル特性を測定しておき、評価対象の半導体レーザ
素子である被試験レーザ素子の、前記評価温度における
前記最大光出力を測定し、前記ＣＯＤレベル特性をもと
に該最大光出力から該被試験レーザ素子のＣＯＤレベル
を求め、前記ＣＯＤレベルをもとに、前記被試験レーザ
素子を選別することを特徴とする。
【００１４】このとき、被試験レーザ素子の、評価温度
における最大光出力の動作時間に対する低下率を測定
し、該低下率から該被試験レーザ素子の寿命を予測して
もよい。
における最大光出力の動作時間に対する低下率を測定
し、該低下率から該被試験レーザ素子の寿命を予測して
もよい。
【００１５】上記のような半導体レーザ素子のＣＯＤ測
定方法は、予め、所定の数の半導体レーザ素子を用い
て、評価温度時の最大光出力と常温時のＣＯＤレベルと
の関係を示すＣＯＤレベル特性を測定しておき、被試験
レーザ素子の評価温度における最大光出力を測定し、Ｃ
ＯＤレベル特性をもとに、測定した被試験レーザ素子の
最大光出力から被試験レーザ素子のＣＯＤレベルを求め
ることで、半導体レーザ素子のＣＯＤレベルを非破壊試
験で求めることができる。
定方法は、予め、所定の数の半導体レーザ素子を用い
て、評価温度時の最大光出力と常温時のＣＯＤレベルと
の関係を示すＣＯＤレベル特性を測定しておき、被試験
レーザ素子の評価温度における最大光出力を測定し、Ｃ
ＯＤレベル特性をもとに、測定した被試験レーザ素子の
最大光出力から被試験レーザ素子のＣＯＤレベルを求め
ることで、半導体レーザ素子のＣＯＤレベルを非破壊試
験で求めることができる。
【００１６】また、上記のような半導体レーザ素子の評
価方法は、上記ＣＯＤ測定方法で求めた被試験レーザ素
子のＣＯＤレベルをもとに、比較的低いＣＯＤレベルの
半導体レーザ素子を選別除去することができる。
価方法は、上記ＣＯＤ測定方法で求めた被試験レーザ素
子のＣＯＤレベルをもとに、比較的低いＣＯＤレベルの
半導体レーザ素子を選別除去することができる。
【００１７】特に、各被試験レーザ素子の、評価温度に
おける動作時間に対する最大光出力の変化を測定すれ
ば、その低下率から被試験レーザ素子の寿命を予測する
ことができる。
おける動作時間に対する最大光出力の変化を測定すれ
ば、その低下率から被試験レーザ素子の寿命を予測する
ことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１９】（第１実施例）まず、本発明の半導体レー
ザ素子の評価方法の第１実施例について説明する。初め
に、本実施例を適用するＩｎＧａＡｓ歪量子井戸構造を
有する発振波長０．９μｍ帯の横モード制御型半導体レ
ーザ素子のウェハの製造方法について図１を用いて説明
する。
ザ素子の評価方法の第１実施例について説明する。初め
に、本実施例を適用するＩｎＧａＡｓ歪量子井戸構造を
有する発振波長０．９μｍ帯の横モード制御型半導体レ
ーザ素子のウェハの製造方法について図１を用いて説明
する。
【００２０】図１は本発明の半導体レーザ素子の評価方
法の第１実施例を適用する半導体レーザ素子のウェハの
構造を示す断面図である。
法の第１実施例を適用する半導体レーザ素子のウェハの
構造を示す断面図である。
【００２１】本実施例のウェハは、常圧ＭＯＶＰＥ（Me
tal Organic Vapor Phase Epitaxy）法によって化合物
半導体を成長させて作製するものである。
tal Organic Vapor Phase Epitaxy）法によって化合物
半導体を成長させて作製するものである。
【００２２】図１において、まず、ＳｉドープしたＧａ
Ａｓ（００１）からなる基板１上に、ＧａＡｓ（不純物
濃度＝１×１０18ｃｍ-3）からなるＳｉバッファ層２を
０．５μｍの厚さで成長させ、その上にＡｌ0.4Ｇａ0.6
Ａｓ（不純物濃度＝１×１０ 17ｃｍ-3）からなるＳｉク
ラッド層３を２μｍの厚さで成長させる。なお、このと
きの成長温度は７００℃とし、Ｖ族元素／III 族元素の
比は１００とする。
Ａｓ（００１）からなる基板１上に、ＧａＡｓ（不純物
濃度＝１×１０18ｃｍ-3）からなるＳｉバッファ層２を
０．５μｍの厚さで成長させ、その上にＡｌ0.4Ｇａ0.6
Ａｓ（不純物濃度＝１×１０ 17ｃｍ-3）からなるＳｉク
ラッド層３を２μｍの厚さで成長させる。なお、このと
きの成長温度は７００℃とし、Ｖ族元素／III 族元素の
比は１００とする。
【００２３】次に、成長温度６８０℃、Ｖ族元素／III
族元素の比を８０として、Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓからなる
第１の光ガイド層４を４０ｎｍ、ＧａＡｓからなる第１
のバリア層５を２０ｎｍ、Ｉｎ0.24Ｇａ0.76Ａｓからな
る第１の活性層６を４．５ｎｍ、ＧａＡｓからなる第２
のバリア層７を５ｎｍ、Ｉｎ0.24Ｇａ0.76Ａｓからなる
第２の活性層８を４．５ｎｍ、及びＧａＡｓからなる第
３のバリア層９を２０ｎｍの厚さで順次成長させる。
族元素の比を８０として、Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓからなる
第１の光ガイド層４を４０ｎｍ、ＧａＡｓからなる第１
のバリア層５を２０ｎｍ、Ｉｎ0.24Ｇａ0.76Ａｓからな
る第１の活性層６を４．５ｎｍ、ＧａＡｓからなる第２
のバリア層７を５ｎｍ、Ｉｎ0.24Ｇａ0.76Ａｓからなる
第２の活性層８を４．５ｎｍ、及びＧａＡｓからなる第
３のバリア層９を２０ｎｍの厚さで順次成長させる。
【００２４】続いて、Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓからなる第２
の光ガイド層１０を４０ｎｍ、Ａｌ 0.4Ｇａ0.6Ａｓ（不
純物濃度＝１×１０18ｃｍ-3）からなるＭｇクラッド層
１１を１．５μｍ、及びＧａＡｓ（不純物濃度＝１×１
０19ｃｍ-3）からなる第１のＭｇキャップ層１２を１μ
ｍの厚さで順次気相成長させ、半導体レーザ素子のウェ
ハを完成させる。
の光ガイド層１０を４０ｎｍ、Ａｌ 0.4Ｇａ0.6Ａｓ（不
純物濃度＝１×１０18ｃｍ-3）からなるＭｇクラッド層
１１を１．５μｍ、及びＧａＡｓ（不純物濃度＝１×１
０19ｃｍ-3）からなる第１のＭｇキャップ層１２を１μ
ｍの厚さで順次気相成長させ、半導体レーザ素子のウェ
ハを完成させる。
【００２５】次に、図１に示したウェハから横モード制
御型レーザ素子を作製する工程について図２〜図４を用
いて説明する。
御型レーザ素子を作製する工程について図２〜図４を用
いて説明する。
【００２６】図２は図１に示したウェハを選択エッチン
グした様子を示す断面図であり、図３は図２に示したウ
ェハに化合物半導体を埋め込み再成長させた様子を示す
断面図である。また、図４は図３に示したウェハから作
製した半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。な
お、図２に示したウェハは［−１１０］方向のメサスト
ライプが形成された後の（−１１０）断面を示してい
る。
グした様子を示す断面図であり、図３は図２に示したウ
ェハに化合物半導体を埋め込み再成長させた様子を示す
断面図である。また、図４は図３に示したウェハから作
製した半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。な
お、図２に示したウェハは［−１１０］方向のメサスト
ライプが形成された後の（−１１０）断面を示してい
る。
【００２７】図２において、まず、図１に示したウェハ
の第１のＭｇキャップ層１２上に絶縁体であるＳｉＯ2
を成膜し、フォトリソグラフィ技術によって［−１１
０］方向に幅４μｍのＳｉＯ2 ストライプ１３を形成す
る。
の第１のＭｇキャップ層１２上に絶縁体であるＳｉＯ2
を成膜し、フォトリソグラフィ技術によって［−１１
０］方向に幅４μｍのＳｉＯ2 ストライプ１３を形成す
る。
【００２８】次に、ＳｉＯ2 ストライプ１３をマスクと
する選択エッチング技術によってＭｇクラッド層１１が
０．３μｍの厚さだけ残る深さまでエッチングを行い、
図２に示すようなメサストライプを形成する。
する選択エッチング技術によってＭｇクラッド層１１が
０．３μｍの厚さだけ残る深さまでエッチングを行い、
図２に示すようなメサストライプを形成する。
【００２９】続いて、図３に示すように、メサストライ
プの側部に、ＳｉＯ2 ストライプ１３をマスクとした選
択成長技術によって、膜厚０．８μｍのＡｌ0.6Ｇａ0.4
Ａｓ（不純物濃度＝１×１０18ｃｍ-3）からなる第１の
Ｓｉ電流ブロック層１４、及び膜厚０．８μｍのＧａＡ
ｓ（不純物濃度＝１×１０18ｃｍ-3）からなる第２のＳ
ｉ電流ブロック層１５を順次埋め込み成長させる。
プの側部に、ＳｉＯ2 ストライプ１３をマスクとした選
択成長技術によって、膜厚０．８μｍのＡｌ0.6Ｇａ0.4
Ａｓ（不純物濃度＝１×１０18ｃｍ-3）からなる第１の
Ｓｉ電流ブロック層１４、及び膜厚０．８μｍのＧａＡ
ｓ（不純物濃度＝１×１０18ｃｍ-3）からなる第２のＳ
ｉ電流ブロック層１５を順次埋め込み成長させる。
【００３０】さらに、ＳｉＯ2 ストライプ１３を除去し
た後、膜厚１μｍのＧａＡｓ（不純物濃度＝１×１０19
ｃｍ-3）からなる第２のＭｇキャップ層１６を成長さ
せ、このウェハの両面にコンタクト電極をそれぞれ蒸着
する。
た後、膜厚１μｍのＧａＡｓ（不純物濃度＝１×１０19
ｃｍ-3）からなる第２のＭｇキャップ層１６を成長さ
せ、このウェハの両面にコンタクト電極をそれぞれ蒸着
する。
【００３１】次に、図４に示すように上記工程で作製し
た半導体レーザ素子のウェハをメサストライプに直交す
る［１１０］方向に劈開し、（−１００）面を共振器端
面とするレーザバー１７を形成する。
た半導体レーザ素子のウェハをメサストライプに直交す
る［１１０］方向に劈開し、（−１００）面を共振器端
面とするレーザバー１７を形成する。
【００３２】続いて、スパッタリング装置を用いてレー
ザバー１７の共振器端面の一方の面にＡｌ2 ０3 からな
る第１の反射膜１８を堆積させ、他方の面にＡｌ2 ０3
からなる第２の反射膜１９、及びアモルファスＳｉ２０
を順次堆積させる。このようにして得られた反射鏡面の
光反射率は３％〜９５％になる。
ザバー１７の共振器端面の一方の面にＡｌ2 ０3 からな
る第１の反射膜１８を堆積させ、他方の面にＡｌ2 ０3
からなる第２の反射膜１９、及びアモルファスＳｉ２０
を順次堆積させる。このようにして得られた反射鏡面の
光反射率は３％〜９５％になる。
【００３３】最後に、劈開によってレーザバー１７を個
々の半導体レーザ素子に分割し、それぞれにヒートシン
クを融着することによって発振波長０．９８μｍの半導
体レーザ素子が完成する。
々の半導体レーザ素子に分割し、それぞれにヒートシン
クを融着することによって発振波長０．９８μｍの半導
体レーザ素子が完成する。
【００３４】次に、上記工程で作製した発振波長０．９
μｍ帯の半導体レーザ素子を例にして本発明の半導体レ
ーザ素子の評価方法の第１実施例について図５及び図６
を用いて説明する。
μｍ帯の半導体レーザ素子を例にして本発明の半導体レ
ーザ素子の評価方法の第１実施例について図５及び図６
を用いて説明する。
【００３５】図５は本発明の半導体レーザ素子の評価方
法の第１実施例を適用する半導体レーザ素子の光出力−
動作電流特性を示すグラフである。また図６は図５に示
した光出力−動作電流特性を有する半導体レーザ素子の
最大光出力（７０℃）に対するＣＯＤレベル（２５℃）
の関係を示すグラフである。
法の第１実施例を適用する半導体レーザ素子の光出力−
動作電流特性を示すグラフである。また図６は図５に示
した光出力−動作電流特性を有する半導体レーザ素子の
最大光出力（７０℃）に対するＣＯＤレベル（２５℃）
の関係を示すグラフである。
【００３６】図５に示すように、発振波長０．９８μｍ
の半導体レーザ素子の光出力−動作電流特性を常温（例
えば２５℃）の雰囲気温度で測定した場合、光出力が約
５５０ｍＷのときに共振器端面でＣＯＤ劣化が発生し、
最大光出力がこの値（ＣＯＤレベル）に制限される。
の半導体レーザ素子の光出力−動作電流特性を常温（例
えば２５℃）の雰囲気温度で測定した場合、光出力が約
５５０ｍＷのときに共振器端面でＣＯＤ劣化が発生し、
最大光出力がこの値（ＣＯＤレベル）に制限される。
【００３７】このようにＣＯＤレベルまで光出力−動作
電流特性を測定する方法では、ＣＯＤ劣化によって共振
器端面が破壊されるために、被試験レーザ素子をＣＯＤ
レベル測定後に使用することはできない。
電流特性を測定する方法では、ＣＯＤ劣化によって共振
器端面が破壊されるために、被試験レーザ素子をＣＯＤ
レベル測定後に使用することはできない。
【００３８】一方、同じ被試験レーザ素子の光出力−動
作電流特性を７０℃の雰囲気温度で測定した場合、光出
力は約４００ｍＷで飽和する。この飽和時においては共
振器端面にＣＯＤ劣化が発生せず、評価終了後も素子特
性を劣化させることなく被試験レーザ素子を動作させる
ことができる。
作電流特性を７０℃の雰囲気温度で測定した場合、光出
力は約４００ｍＷで飽和する。この飽和時においては共
振器端面にＣＯＤ劣化が発生せず、評価終了後も素子特
性を劣化させることなく被試験レーザ素子を動作させる
ことができる。
【００３９】なお、本実施例では雰囲気温度７０℃で光
出力−動作電流特性を測定する場合で説明しているが、
半導体レーザ素子の共振器端面の破壊を抑制するために
は３０℃以上の雰囲気温度で光出力−動作電流特性を測
定すればよい。なお、雰囲気温度の上限は半導体レーザ
素子の光出力−動作電流特性が得られる連続発振可能な
温度以下にする。
出力−動作電流特性を測定する場合で説明しているが、
半導体レーザ素子の共振器端面の破壊を抑制するために
は３０℃以上の雰囲気温度で光出力−動作電流特性を測
定すればよい。なお、雰囲気温度の上限は半導体レーザ
素子の光出力−動作電流特性が得られる連続発振可能な
温度以下にする。
【００４０】ここで、図６に示すように、被試験レーザ
素子の雰囲気温度７０℃における最大光出力は、雰囲気
温度２５℃におけるＣＯＤレベルに対応して一定の関係
にあるため、雰囲気温度７０℃（評価温度）の最大光出
力（飽和出力）を測定することによって、被試験レーザ
素子のＣＯＤレベルを破壊することなく測定することが
できる。
素子の雰囲気温度７０℃における最大光出力は、雰囲気
温度２５℃におけるＣＯＤレベルに対応して一定の関係
にあるため、雰囲気温度７０℃（評価温度）の最大光出
力（飽和出力）を測定することによって、被試験レーザ
素子のＣＯＤレベルを破壊することなく測定することが
できる。
【００４１】なお、図６に示した特性は、例えば同じ製
造ロットの中から任意の半導体レーザ素子を複数個サン
プリングし、予め、これらの半導体レーザ素子に対して
破壊試験も含めて光出力−動作電流特性を測定すること
で求めておく。
造ロットの中から任意の半導体レーザ素子を複数個サン
プリングし、予め、これらの半導体レーザ素子に対して
破壊試験も含めて光出力−動作電流特性を測定すること
で求めておく。
【００４２】したがって、図６のグラフを用いて求めた
被試験レーザ素子のＣＯＤレベルをもとに、ＣＯＤレベ
ルが比較的低いものを選別除去することにより、寿命の
長い半導体レーザ素子を得ることができる。
被試験レーザ素子のＣＯＤレベルをもとに、ＣＯＤレベ
ルが比較的低いものを選別除去することにより、寿命の
長い半導体レーザ素子を得ることができる。
【００４３】また、雰囲気温度７０℃において、動作時
間に対する最大光出力の変化を測定すれば、その低下率
から被試験レーザ素子の寿命を予測することができる。
間に対する最大光出力の変化を測定すれば、その低下率
から被試験レーザ素子の寿命を予測することができる。
【００４４】なお、本実施例の半導体レーザ素子の評価
方法は、発振波長０．９μｍ帯の半導体レーザ素子だけ
でなく、ＡｌＧａＩｎＰ系の材料によって形成されるそ
の他の発振波長帯の半導体レーザ素子（発振波長０．６
〜０．８μｍ帯の半導体レーザ素子）にも適用可能であ
る。また、本発明の半導体レーザ素子の評価方法によっ
て選別された半導体レーザ素子及びその半導体レーザ素
子を用いたシステム装置は、レーザ素子寿命において高
信頼性を有している。
方法は、発振波長０．９μｍ帯の半導体レーザ素子だけ
でなく、ＡｌＧａＩｎＰ系の材料によって形成されるそ
の他の発振波長帯の半導体レーザ素子（発振波長０．６
〜０．８μｍ帯の半導体レーザ素子）にも適用可能であ
る。また、本発明の半導体レーザ素子の評価方法によっ
て選別された半導体レーザ素子及びその半導体レーザ素
子を用いたシステム装置は、レーザ素子寿命において高
信頼性を有している。
【００４５】（第２実施例）次に本発明の半導体レーザ
素子の評価方法の第２実施例について説明する。
素子の評価方法の第２実施例について説明する。
【００４６】本実施例では、発振波長０．６μｍ帯のＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子に本発明の半導体レー
ザ素子の評価方法を適用した例で説明する。
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子に本発明の半導体レー
ザ素子の評価方法を適用した例で説明する。
【００４７】初めに、本実施例を適用する発振波長０．
６μｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子のウェハ
の製造方法について図７を用いて説明する。
６μｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子のウェハ
の製造方法について図７を用いて説明する。
【００４８】図７は本発明の半導体レーザ素子の評価方
法の第２実施例を適用する半導体レーザ素子のウェハの
構造を示す断面図である。
法の第２実施例を適用する半導体レーザ素子のウェハの
構造を示す断面図である。
【００４９】本実施例のウェハは、減圧ＭＯＶＰＥ法に
よって化合物半導体を成長させて作製するものである。
よって化合物半導体を成長させて作製するものである。
【００５０】図７において、まず、ＳｉドープしたＧａ
Ａｓ（００１）からなる基板２１上に、ＧａＡｓ（不純
物濃度＝１×１０18ｃｍ-3）からなるＳｉバッファ層２
２を０．５μｍ、（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（不
純物濃度＝５×１０17ｃｍ-3）からなるＳｉクラッド層
２３を１μｍ、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる活性層２４を
０．１μｍ、（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（不純物
濃度＝５×１０17ｃｍ -3）からなるＺｎクラッド層２５
（不純物濃度＝５×１０17ｃｍ-3）を１μｍ、ＧａＡｓ
（不純物濃度＝６×１０18ｃｍ-3）からなる第１のＺｎ
キャップ層２６を０．５μｍの厚さで順次気相成長さ
せ、半導体レーザ素子のウェハを完成させる。なお、こ
のときの成長温度は６７０℃とし、圧力は７０Ｔｏｒ
ｒ、Ｖ族元素／III 族元素の比は１６０とする。
Ａｓ（００１）からなる基板２１上に、ＧａＡｓ（不純
物濃度＝１×１０18ｃｍ-3）からなるＳｉバッファ層２
２を０．５μｍ、（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（不
純物濃度＝５×１０17ｃｍ-3）からなるＳｉクラッド層
２３を１μｍ、Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる活性層２４を
０．１μｍ、（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（不純物
濃度＝５×１０17ｃｍ -3）からなるＺｎクラッド層２５
（不純物濃度＝５×１０17ｃｍ-3）を１μｍ、ＧａＡｓ
（不純物濃度＝６×１０18ｃｍ-3）からなる第１のＺｎ
キャップ層２６を０．５μｍの厚さで順次気相成長さ
せ、半導体レーザ素子のウェハを完成させる。なお、こ
のときの成長温度は６７０℃とし、圧力は７０Ｔｏｒ
ｒ、Ｖ族元素／III 族元素の比は１６０とする。
【００５１】次に、図７に示したウェハから横モード制
御型レーザ素子を作製する工程について図８〜図１０を
用いて説明する。
御型レーザ素子を作製する工程について図８〜図１０を
用いて説明する。
【００５２】図８は図７に示したウェハを選択エッチン
グした様子を示す断面図であり、図９は図８に示したウ
ェハに化合物半導体を埋め込み再成長させた様子を示す
断面図である。また、図１０は図９に示したウェハから
作製した半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。
なお、図８に示したウェハは［−１１０］方向のメサス
トライプが形成された後の（−１１０）断面を示してい
る。
グした様子を示す断面図であり、図９は図８に示したウ
ェハに化合物半導体を埋め込み再成長させた様子を示す
断面図である。また、図１０は図９に示したウェハから
作製した半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。
なお、図８に示したウェハは［−１１０］方向のメサス
トライプが形成された後の（−１１０）断面を示してい
る。
【００５３】図８において、まず、図７に示したウェハ
の第１のＺｎキャップ層２６上に絶縁体であるＳｉＯ2
を成膜し、フォトリソグラフィ技術によって［−１１
０］方向に幅４μｍのＳｉＯ2 ストライプ２７を形成す
る。
の第１のＺｎキャップ層２６上に絶縁体であるＳｉＯ2
を成膜し、フォトリソグラフィ技術によって［−１１
０］方向に幅４μｍのＳｉＯ2 ストライプ２７を形成す
る。
【００５４】次に、ＳｉＯ2 ストライプ１３をマスクと
する選択エッチング技術によってＺｎクラッド層２５が
０．５μｍの厚さだけ残る深さまでエッチングを行い、
図８に示すようなメサストライプを形成する。
する選択エッチング技術によってＺｎクラッド層２５が
０．５μｍの厚さだけ残る深さまでエッチングを行い、
図８に示すようなメサストライプを形成する。
【００５５】続いて、図９に示すように、メサストライ
プの側部に、ＳｉＯ2 ストライプ２７をマスクとした選
択成長技術によって、膜厚１．０μｍのＧａＡｓ（不純
物濃度＝１×１０18ｃｍ-3）からなるＳｉ電流ブロック
層２８を埋め込み成長させる。
プの側部に、ＳｉＯ2 ストライプ２７をマスクとした選
択成長技術によって、膜厚１．０μｍのＧａＡｓ（不純
物濃度＝１×１０18ｃｍ-3）からなるＳｉ電流ブロック
層２８を埋め込み成長させる。
【００５６】さらに、ＳｉＯ2 ストライプ２７を除去し
た後、膜厚１μｍのＧａＡｓ（不純物濃度＝１×１０19
ｃｍ-3）からなる第２のＺｎキャップ層２９を成長さ
せ、このウェハの両面にコンタクト電極をそれぞれ蒸着
する。
た後、膜厚１μｍのＧａＡｓ（不純物濃度＝１×１０19
ｃｍ-3）からなる第２のＺｎキャップ層２９を成長さ
せ、このウェハの両面にコンタクト電極をそれぞれ蒸着
する。
【００５７】次に、図１０に示すように上記工程で作製
したウェハをメサストライプに直交する［１１０］方向
に劈開し、（−１００）面を共振器端面とするレーザバ
ー３０を形成する。
したウェハをメサストライプに直交する［１１０］方向
に劈開し、（−１００）面を共振器端面とするレーザバ
ー３０を形成する。
【００５８】続いて、スパッタ装置を用いてレーザバー
３０の共振器端面の一方の面にＡｌ 2 ０3 からなる第１
の反射膜３１を堆積させ、他方の面にＡｌ2 ０3 からな
る第２の反射膜３２、及びアモルファスＳｉ３３を順次
堆積させる。このようにして得られた反射鏡面の光反射
率は１０％〜９５％になる。
３０の共振器端面の一方の面にＡｌ 2 ０3 からなる第１
の反射膜３１を堆積させ、他方の面にＡｌ2 ０3 からな
る第２の反射膜３２、及びアモルファスＳｉ３３を順次
堆積させる。このようにして得られた反射鏡面の光反射
率は１０％〜９５％になる。
【００５９】最後に、劈開によってレーザバー３０を個
々のレーザ素子に分割し、それぞれにヒートシンクを融
着することによって発振波長０．６８μｍの半導体レー
ザ素子が完成する。
々のレーザ素子に分割し、それぞれにヒートシンクを融
着することによって発振波長０．６８μｍの半導体レー
ザ素子が完成する。
【００６０】次に、本発明の半導体レーザ素子の評価方
法の第２実施例について図１１及び図１２を用いて説明
する。
法の第２実施例について図１１及び図１２を用いて説明
する。
【００６１】図１１に示すように、発振波長０．６８μ
ｍの半導体レーザ素子の光出力−動作電流特性を常温
（例えば２５℃）の雰囲気温度で測定した場合、光出力
が約８０ｍＷのときに共振器端面でＣＯＤ劣化が発生
し、最大光出力がこの値（ＣＯＤレベル）に制限され
る。
ｍの半導体レーザ素子の光出力−動作電流特性を常温
（例えば２５℃）の雰囲気温度で測定した場合、光出力
が約８０ｍＷのときに共振器端面でＣＯＤ劣化が発生
し、最大光出力がこの値（ＣＯＤレベル）に制限され
る。
【００６２】このようにＣＯＤレベルまで光出力−動作
電流特性を測定する方法では、ＣＯＤ劣化によって共振
器端面が破壊されるために、被試験レーザ素子をＣＯＤ
レベル測定後に使用することはできない。
電流特性を測定する方法では、ＣＯＤ劣化によって共振
器端面が破壊されるために、被試験レーザ素子をＣＯＤ
レベル測定後に使用することはできない。
【００６３】一方、同じ被試験レーザ素子の光出力−動
作電流特性を８０℃の雰囲気温度で測定した場合、光出
力は約３５ｍＷで飽和する。この飽和時においては共振
器端面にＣＯＤ劣化が発生せず、評価終了後も素子特性
を劣化させることなく被試験レーザ素子を動作させるこ
とができる。
作電流特性を８０℃の雰囲気温度で測定した場合、光出
力は約３５ｍＷで飽和する。この飽和時においては共振
器端面にＣＯＤ劣化が発生せず、評価終了後も素子特性
を劣化させることなく被試験レーザ素子を動作させるこ
とができる。
【００６４】ここで、図１２に示すように、被試験レー
ザ素子の雰囲気温度８０℃における最大光出力は、雰囲
気温度２５℃におけるＣＯＤレベルに対応して一定の関
係にあるため、雰囲気温度８０℃（評価温度）の最大光
出力（飽和出力）を測定することによって、被試験レー
ザ素子をのＣＯＤレベルを破壊することなく測定するこ
とができる。
ザ素子の雰囲気温度８０℃における最大光出力は、雰囲
気温度２５℃におけるＣＯＤレベルに対応して一定の関
係にあるため、雰囲気温度８０℃（評価温度）の最大光
出力（飽和出力）を測定することによって、被試験レー
ザ素子をのＣＯＤレベルを破壊することなく測定するこ
とができる。
【００６５】したがって、図１２のグラフを用いて求め
た被試験レーザ素子のＣＯＤレベルをもとに、ＣＯＤレ
ベルが比較的低いものを選別除去することにより、寿命
の長い半導体レーザ素子を得ることができる。
た被試験レーザ素子のＣＯＤレベルをもとに、ＣＯＤレ
ベルが比較的低いものを選別除去することにより、寿命
の長い半導体レーザ素子を得ることができる。
【００６６】また、動作時間に対する雰囲気温度８０℃
における最大光出力の変化を測定することによって、そ
の低下率より個々のレーザ素子の寿命を予測することが
できる。
における最大光出力の変化を測定することによって、そ
の低下率より個々のレーザ素子の寿命を予測することが
できる。
【００６７】なお、本実施例の半導体レーザ素子の評価
方法は、発振波長０．６μｍ帯の半導体レーザ素子だけ
でなく、ＡｌＧａＩｎＡｓ系の材料によって構成される
その他の発振波長帯の半導体レーザ素子（発振波長０．
７〜０．９μｍ帯半導体レーザ素子）にも適用可能であ
る。また、本発明の半導体レーザ素子の評価方法によっ
て選別された半導体レーザ素子及びその半導体レーザ素
子を用いたシステム装置は、レーザ素子寿命において高
信頼性を有している。
方法は、発振波長０．６μｍ帯の半導体レーザ素子だけ
でなく、ＡｌＧａＩｎＡｓ系の材料によって構成される
その他の発振波長帯の半導体レーザ素子（発振波長０．
７〜０．９μｍ帯半導体レーザ素子）にも適用可能であ
る。また、本発明の半導体レーザ素子の評価方法によっ
て選別された半導体レーザ素子及びその半導体レーザ素
子を用いたシステム装置は、レーザ素子寿命において高
信頼性を有している。
【００６８】以上説明したように、本発明の半導体レー
ザ素子の評価方法では、非破壊試験によって個々の半導
体レーザ素子のＣＯＤレベルを測定することができる。
また、任意の動作時間における個々の半導体レーザ素子
のＣＯＤレベルの変化を調べることができる。つまり、
このＣＯＤレベル及びその低下率をもとに、半導体レー
ザ素子の良品選別や素子寿命の正確な予測が可能とな
る。よって、性能の安定した半導体レーザ素子を提供す
ることができる。なお、本発明における評価方法は多種
多様な半導体レーザ素子において幅広い適応性を有して
いる。
ザ素子の評価方法では、非破壊試験によって個々の半導
体レーザ素子のＣＯＤレベルを測定することができる。
また、任意の動作時間における個々の半導体レーザ素子
のＣＯＤレベルの変化を調べることができる。つまり、
このＣＯＤレベル及びその低下率をもとに、半導体レー
ザ素子の良品選別や素子寿命の正確な予測が可能とな
る。よって、性能の安定した半導体レーザ素子を提供す
ることができる。なお、本発明における評価方法は多種
多様な半導体レーザ素子において幅広い適応性を有して
いる。
【００６９】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載する効果を奏する。
いるので、以下に記載する効果を奏する。
【００７０】請求項１に記載の方法においては、予め、
所定の数の半導体レーザ素子を用いて、評価温度時の最
大光出力と常温時のＣＯＤレベルとの関係を示すＣＯＤ
レベル特性を測定しておき、被試験レーザ素子の評価温
度における最大光出力を測定し、ＣＯＤレベル特性をも
とに、測定した被試験レーザ素子の最大光出力から被試
験レーザ素子のＣＯＤレベルを求めることで、半導体レ
ーザ素子のＣＯＤレベルを非破壊試験で求めることがで
きる。
所定の数の半導体レーザ素子を用いて、評価温度時の最
大光出力と常温時のＣＯＤレベルとの関係を示すＣＯＤ
レベル特性を測定しておき、被試験レーザ素子の評価温
度における最大光出力を測定し、ＣＯＤレベル特性をも
とに、測定した被試験レーザ素子の最大光出力から被試
験レーザ素子のＣＯＤレベルを求めることで、半導体レ
ーザ素子のＣＯＤレベルを非破壊試験で求めることがで
きる。
【００７１】請求項２に記載の方法においては、被試験
レーザ素子のＣＯＤレベルをもとに、比較的低いＣＯＤ
レベルの半導体レーザ素子を選別除去することができる
ため、寿命の長い半導体レーザ素子を得ることができ
る。
レーザ素子のＣＯＤレベルをもとに、比較的低いＣＯＤ
レベルの半導体レーザ素子を選別除去することができる
ため、寿命の長い半導体レーザ素子を得ることができ
る。
【００７２】請求項３に記載の方法においては、各被試
験レーザ素子の、評価温度における動作時間に対する最
大光出力の変化を測定することで、その低下率から被試
験レーザ素子の寿命を正確に予測することができる。
験レーザ素子の、評価温度における動作時間に対する最
大光出力の変化を測定することで、その低下率から被試
験レーザ素子の寿命を正確に予測することができる。
【図１】本発明の半導体レーザ素子の評価方法の第１実
施例を適用する半導体レーザ素子のウェハの構造を示す
断面図である。
施例を適用する半導体レーザ素子のウェハの構造を示す
断面図である。
【図２】図１に示したウェハを選択エッチングした様子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】図２に示したウェハに化合物半導体を埋め込み
再成長させた様子を示す断面図である。
再成長させた様子を示す断面図である。
【図４】図３に示したウェハから作製した半導体レーザ
素子の構造を示す断面図である。
素子の構造を示す断面図である。
【図５】本発明の半導体レーザ素子の評価方法の第１実
施例を適用する半導体レーザ素子の光出力−動作電流特
性を示すグラフである。
施例を適用する半導体レーザ素子の光出力−動作電流特
性を示すグラフである。
【図６】図５に示した光出力−動作電流特性を有する半
導体レーザ素子の最大光出力（７０℃）に対するＣＯＤ
レベル（２５℃）の関係を示すグラフである。
導体レーザ素子の最大光出力（７０℃）に対するＣＯＤ
レベル（２５℃）の関係を示すグラフである。
【図７】本発明の半導体レーザ素子の評価方法の第２実
施例を適用する半導体レーザ素子のウェハの構造を示す
断面図である。
施例を適用する半導体レーザ素子のウェハの構造を示す
断面図である。
【図８】図７に示したウェハを選択エッチングした様子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】図８に示したウェハに化合物半導体を埋め込み
再成長させた様子を示す断面図である。
再成長させた様子を示す断面図である。
【図１０】図９に示したウェハから作製した半導体レー
ザ素子の構造を示す断面図である。
ザ素子の構造を示す断面図である。
【図１１】本発明の半導体レーザ素子の評価方法の第２
実施例を適用する半導体レーザ素子の光出力−動作電流
特性を示すグラフである。
実施例を適用する半導体レーザ素子の光出力−動作電流
特性を示すグラフである。
【図１２】図１１に示した光出力−動作電流特性を有す
る半導体レーザ素子の最大光出力（８０℃）に対するＣ
ＯＤレベル（２５℃）の関係を示すグラフである。
る半導体レーザ素子の最大光出力（８０℃）に対するＣ
ＯＤレベル（２５℃）の関係を示すグラフである。
【図１３】半導体レーザ素子の駆動電流−動作時間特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１、２１ 基板 ２、２２ Ｓｉバッファ層 ３、２３ Ｓｉクラッド層 ４ 第１の光ガイド層 ５ 第１のバリア層 ６、２４ 第１の活性層 ７ 第２のバリア層 ８ 第２の活性層 ９ 第３のバリア層 １０ 第２の光ガイド層 １１ Ｍｇクラッド層 １２ 第１のＭｇキャップ層 １３、２７ ＳｉＯ2 ストライプ １４ 第１のＳｉ電流ブロック層 １５ 第２のＳｉ電流ブロック層 １６ 第２のＭｇキャップ層 １７、３０ レーザバー １８、３１ 第１の反射膜 １９、３２ 第２の反射膜 ２０、３３ アモルファスＳｉ ２５ Ｚｎクラッド層 ２６ 第１のＺｎキャップ層 ２８ Ｓｉ電流ブロック層 ２９ 第２のＺｎキャップ層
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子のＣＯＤレベルを非破
壊によって求めるための半導体レーザ素子のＣＯＤレベ
ル測定方法であって、 予め、所定の数の前記半導体レーザ素子を用いて、共振
器端面のＣＯＤ劣化が抑制される３０℃以上で、かつ前
記半導体レーザ素子が連続発振可能な温度範囲内にある
評価温度時の最大光出力と常温時のＣＯＤレベルとの関
係を示すＣＯＤレベル特性を測定しておき、 評価対象の半導体レーザ素子である被試験レーザ素子
の、前記評価温度における前記最大光出力を測定し、前
記ＣＯＤレベル特性をもとに該最大光出力から該被試験
レーザ素子のＣＯＤレベルを求めることを特徴とする半
導体レーザ素子のＣＯＤレベル測定方法。 - 【請求項２】 素子寿命の長い半導体レーザ素子を選別
するための半導体レーザ素子の評価方法であって、 予め、所定の数の前記半導体レーザ素子を用いて、共振
器端面のＣＯＤ劣化が抑制される３０℃以上で、かつ前
記半導体レーザ素子が連続発振可能な温度範囲内にある
評価温度時の最大光出力と常温時のＣＯＤレベルとの関
係を示すＣＯＤレベル特性を測定しておき、 評価対象の半導体レーザ素子である被試験レーザ素子
の、前記評価温度における前記最大光出力を測定し、前
記ＣＯＤレベル特性をもとに該最大光出力から該被試験
レーザ素子のＣＯＤレベルを求め、 前記ＣＯＤレベルをもとに、前記被試験レーザ素子を選
別することを特徴とする半導体レーザ素子の評価方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体レーザ素子の評
価方法において、 被試験レーザ素子の、評価温度における最大光出力の動
作時間に対する低下率を測定し、 該低下率から該被試験レーザ素子の寿命を予測すること
を特徴とする半導体レーザ素子の評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9180089A JP2947230B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半導体レーザ素子のｃｏｄレベル測定方法及び半導体レーザ素子の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9180089A JP2947230B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半導体レーザ素子のｃｏｄレベル測定方法及び半導体レーザ素子の評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126869A true JPH1126869A (ja) | 1999-01-29 |
| JP2947230B2 JP2947230B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=16077262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9180089A Expired - Fee Related JP2947230B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半導体レーザ素子のｃｏｄレベル測定方法及び半導体レーザ素子の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2947230B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043671A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | レーザダイオードの選別方法 |
| JP2007220826A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子の検査方法 |
| JP2009252960A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Fujifilm Corp | 光半導体素子の寿命予測方法および光半導体素子の駆動装置 |
-
1997
- 1997-07-04 JP JP9180089A patent/JP2947230B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043671A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | レーザダイオードの選別方法 |
| JP2007220826A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子の検査方法 |
| JP4677922B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2011-04-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子の検査方法 |
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