JPH11265791A - Ｅｌ表示装置 - Google Patents
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- JPH11265791A JPH11265791A JP10068660A JP6866098A JPH11265791A JP H11265791 A JPH11265791 A JP H11265791A JP 10068660 A JP10068660 A JP 10068660A JP 6866098 A JP6866098 A JP 6866098A JP H11265791 A JPH11265791 A JP H11265791A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】外光反射を抑えて良好なコントラストを有する
ＥＬ表示装置を提供する。また、電極の電気抵抗を下げ
て均一性、効率を改善したＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】内光を反射し外光を吸収する、スリット状
やドット状の光透過穴を有するかまたはそれ自体がアイ
ランド状である、高コントラスト化層４ｃを有すること
により、外光反射を抑えて良好なコントラストを有する
ＥＬ表示装置を提供できる。また、高コントラスト化層
を配線として使用することにより、均一性、効率を改善
したＥＬ表示装置を提供できる。
ＥＬ表示装置を提供する。また、電極の電気抵抗を下げ
て均一性、効率を改善したＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】内光を反射し外光を吸収する、スリット状
やドット状の光透過穴を有するかまたはそれ自体がアイ
ランド状である、高コントラスト化層４ｃを有すること
により、外光反射を抑えて良好なコントラストを有する
ＥＬ表示装置を提供できる。また、高コントラスト化層
を配線として使用することにより、均一性、効率を改善
したＥＬ表示装置を提供できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンスの略）表示装置に関する。
ルミネッセンスの略）表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】単純マトリクス駆動ＥＬ表示装置は、薄
型、軽量、低コスト、自発光で高輝度という利点を有す
るために、次世代フラットパネルディスプレイとして期
待されている。従来のＥＬ表示装置は、図９のように、
透光性絶縁基板上に複数の透光性第一電極と複数の第二
電極が少なくとも発光媒体を挟持し、かつ第一電極ライ
ンと第二電極ラインが相互に交差して形成する画素群か
らなる。第一電極ラインと第二電極ラインの間に電圧を
印加すると、交点の画素に対応する領域の第一電極と第
二電極の間に電流が流れ、挟持された発光媒体から発光
する。
型、軽量、低コスト、自発光で高輝度という利点を有す
るために、次世代フラットパネルディスプレイとして期
待されている。従来のＥＬ表示装置は、図９のように、
透光性絶縁基板上に複数の透光性第一電極と複数の第二
電極が少なくとも発光媒体を挟持し、かつ第一電極ライ
ンと第二電極ラインが相互に交差して形成する画素群か
らなる。第一電極ラインと第二電極ラインの間に電圧を
印加すると、交点の画素に対応する領域の第一電極と第
二電極の間に電流が流れ、挟持された発光媒体から発光
する。
【０００３】発光媒体からの発光のうち透光性第一電極
側を向いた分は、透光性第一電極と透光性絶縁基板を透
過して、表示面から放射される。第二電極を向いた分
は、第二電極で１回反射してから発光媒体と透光性第一
電極と透光性絶縁基板を透過して、表示面から放射され
る。このように、発光のうち基板にほぼ垂直な方向を向
いた２成分が表示に利用される。
側を向いた分は、透光性第一電極と透光性絶縁基板を透
過して、表示面から放射される。第二電極を向いた分
は、第二電極で１回反射してから発光媒体と透光性第一
電極と透光性絶縁基板を透過して、表示面から放射され
る。このように、発光のうち基板にほぼ垂直な方向を向
いた２成分が表示に利用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、表示面に入
射した外光は、透光性絶縁基板と透光性第一電極と発光
媒体を透過し、第二電極で反射し、発光媒体と透光性第
一電極と透光性絶縁基板を透過して、表示面から放射さ
れる。この外光反射が、非点灯時のバックグラウンドと
なり、コントラストを低下させる原因になっている。
射した外光は、透光性絶縁基板と透光性第一電極と発光
媒体を透過し、第二電極で反射し、発光媒体と透光性第
一電極と透光性絶縁基板を透過して、表示面から放射さ
れる。この外光反射が、非点灯時のバックグラウンドと
なり、コントラストを低下させる原因になっている。
【０００５】また、透光性第一電極に用いられる透明導
電体は、金属に比べて抵抗率が数桁小さい。高精細、大
画面のＥＬ表示装置では大電流を流す必要があるが、そ
の際の電圧降下が大きく、均一性や効率の悪化が問題で
ある。
電体は、金属に比べて抵抗率が数桁小さい。高精細、大
画面のＥＬ表示装置では大電流を流す必要があるが、そ
の際の電圧降下が大きく、均一性や効率の悪化が問題で
ある。
【０００６】本発明は、これらの問題点を解決するため
になされたものであり、外光反射を抑えて良好なコント
ラストを有するＥＬ表示装置を提供する。また、電極の
電気抵抗を下げて均一性、効率を改善したＥＬ表示装置
を提供する。
になされたものであり、外光反射を抑えて良好なコント
ラストを有するＥＬ表示装置を提供する。また、電極の
電気抵抗を下げて均一性、効率を改善したＥＬ表示装置
を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１としては、透光性絶縁基板上に複数の透光
性第一電極と複数の第二電極が少なくとも発光媒体を挟
持し、かつ第一電極列と第二電極列が相互に交差して形
成する画素群からなるＥＬ表示装置において、少なくと
も画素に対応する領域の第一電極と透光性絶縁基板との
間に、少なくとも透光性絶縁基板側の光吸収層と第一電
極側の光反射層からなり、かつ、スリット状やドット状
の光透過穴を有するかまたはそれ自体がアイランド状で
ある、高コントラスト化層を有することを特徴とするＥ
Ｌ表示装置としたものである。
め、請求項１としては、透光性絶縁基板上に複数の透光
性第一電極と複数の第二電極が少なくとも発光媒体を挟
持し、かつ第一電極列と第二電極列が相互に交差して形
成する画素群からなるＥＬ表示装置において、少なくと
も画素に対応する領域の第一電極と透光性絶縁基板との
間に、少なくとも透光性絶縁基板側の光吸収層と第一電
極側の光反射層からなり、かつ、スリット状やドット状
の光透過穴を有するかまたはそれ自体がアイランド状で
ある、高コントラスト化層を有することを特徴とするＥ
Ｌ表示装置としたものである。
【０００８】請求項２としては、前記スリット状やドッ
ト状の光透過穴を有するかまたはそれ自体がアイランド
状である高コントラスト化層において、画素部での非透
過パターンの最大幅が画素の最小幅の１／１０００〜１
／２であり、画素部での開口比率が５％〜６０％である
ことを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置とした
ものである。
ト状の光透過穴を有するかまたはそれ自体がアイランド
状である高コントラスト化層において、画素部での非透
過パターンの最大幅が画素の最小幅の１／１０００〜１
／２であり、画素部での開口比率が５％〜６０％である
ことを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置とした
ものである。
【０００９】請求項３としては、前記高コントラスト化
層の光透過部内、または高コントラスト化層と透光性絶
縁基板の間、または高コントラスト化層と第一電極の間
に、吸光型、干渉型、あるいは蛍光波長変換型のカラー
フィルタ層を設けたことを特徴とする請求項１〜２のい
ずれかに記載のＥＬ表示装置としたものである。
層の光透過部内、または高コントラスト化層と透光性絶
縁基板の間、または高コントラスト化層と第一電極の間
に、吸光型、干渉型、あるいは蛍光波長変換型のカラー
フィルタ層を設けたことを特徴とする請求項１〜２のい
ずれかに記載のＥＬ表示装置としたものである。
【００１０】請求項４としては、前記高コントラスト化
層の光吸収層が、黒色樹脂層または金属不完全酸化物ま
たは金属不完全窒化物からなり、光反射層が金属からな
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＥ
Ｌ表示装置としたものである。
層の光吸収層が、黒色樹脂層または金属不完全酸化物ま
たは金属不完全窒化物からなり、光反射層が金属からな
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＥ
Ｌ表示装置としたものである。
【００１１】請求項５としては、前記スリット状やドッ
ト状の光透過穴を有する高コントラスト化層の少なくと
も光反射層が、前記第一電極列に対応した複数のストラ
イプとなり、かつ第一電極と電気的に接続されているこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＥＬ表
示装置としたものである。
ト状の光透過穴を有する高コントラスト化層の少なくと
も光反射層が、前記第一電極列に対応した複数のストラ
イプとなり、かつ第一電極と電気的に接続されているこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＥＬ表
示装置としたものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１３】本発明の請求項１では、透光性第一電極と
透光性絶縁基板との間に、高コントラスト化層を設け
る。該高コントラスト層は、少なくとも光吸収層と光反
射層からなり、かつ、スリット状やドット状の光透過穴
を有するかまたはそれ自体がアイランド状である。
透光性絶縁基板との間に、高コントラスト化層を設け
る。該高コントラスト層は、少なくとも光吸収層と光反
射層からなり、かつ、スリット状やドット状の光透過穴
を有するかまたはそれ自体がアイランド状である。
【００１４】発光媒体からの発光で透光性第一電極側を
向いた分のうち、高コントラスト化層の光透過領域に対
応した分は、直接、表示面から放射される。透光性第一
電極を向いた分のうち高コントラスト化層の非透過領域
に対応した分、および、第二電極を向いた分は、高コン
トラスト化層の光反射層と第二電極の間で反射を繰り返
した後、高コントラスト化層の光透過部を通って、表示
面から放射される。このように、発光のうち基板にほぼ
垂直な方向を向いた２成分が表示に利用されることは、
従来と同様である。
向いた分のうち、高コントラスト化層の光透過領域に対
応した分は、直接、表示面から放射される。透光性第一
電極を向いた分のうち高コントラスト化層の非透過領域
に対応した分、および、第二電極を向いた分は、高コン
トラスト化層の光反射層と第二電極の間で反射を繰り返
した後、高コントラスト化層の光透過部を通って、表示
面から放射される。このように、発光のうち基板にほぼ
垂直な方向を向いた２成分が表示に利用されることは、
従来と同様である。
【００１５】一方、表示面に入射した外光のうち、高コ
ントラスト化層の光透過領域に対応した分は、透光性絶
縁基板と透光性第一電極と発光媒体を透過し、第二電極
で反射し、発光媒体と透光性第一電極と透光性絶縁基板
を透過して、表示面から放射される。また、外光のう
ち、高コントラスト化層の非透過領域に対応した分は、
高コントラスト化層の光吸収層で吸収される。従って、
外光反射が低減され、高コントラストの表示が得られ
る。
ントラスト化層の光透過領域に対応した分は、透光性絶
縁基板と透光性第一電極と発光媒体を透過し、第二電極
で反射し、発光媒体と透光性第一電極と透光性絶縁基板
を透過して、表示面から放射される。また、外光のう
ち、高コントラスト化層の非透過領域に対応した分は、
高コントラスト化層の光吸収層で吸収される。従って、
外光反射が低減され、高コントラストの表示が得られ
る。
【００１６】従来の発光強度をＩ、外光反射をＲとする
と、従来のコントラストはＩ／Ｒである。透光開口比率
（光透過領域の面積比率）をα（＜１）とすると、透過
や反射での損失を無視すれば、本発明での発光強度は
Ｉ、外光反射はαＲとなり、コントラストはＩ／αＲに
改善される。即ち、発光強度をほぼ保ちながら、外光反
射を低減できるため、コントラストが改善される。
と、従来のコントラストはＩ／Ｒである。透光開口比率
（光透過領域の面積比率）をα（＜１）とすると、透過
や反射での損失を無視すれば、本発明での発光強度は
Ｉ、外光反射はαＲとなり、コントラストはＩ／αＲに
改善される。即ち、発光強度をほぼ保ちながら、外光反
射を低減できるため、コントラストが改善される。
【００１７】スリット状やドット状の光透過穴を有する
かまたはそれ自体がアイランド状である、高コントラス
ト化層は、少なくとも画素に対応する領域に形成する。
画素に対応しない非発光領域には、あってもよいし、な
くてもよい。外光反射を抑制する意味では、少なくとも
光吸収層がある方が好ましい。
かまたはそれ自体がアイランド状である、高コントラス
ト化層は、少なくとも画素に対応する領域に形成する。
画素に対応しない非発光領域には、あってもよいし、な
くてもよい。外光反射を抑制する意味では、少なくとも
光吸収層がある方が好ましい。
【００１８】請求項２としては、前記スリット状やドッ
ト状の光透過穴を有するかまたはそれ自体がアイランド
状である高コントラスト化層において、画素部での非透
過パターンの最大幅が画素の最小幅の１／１０００〜１
／２であり、画素部での開口比率が５％〜６０％である
ことを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置とした
ものである。
ト状の光透過穴を有するかまたはそれ自体がアイランド
状である高コントラスト化層において、画素部での非透
過パターンの最大幅が画素の最小幅の１／１０００〜１
／２であり、画素部での開口比率が５％〜６０％である
ことを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置とした
ものである。
【００１９】高コントラスト層の非透過パターンの幅が
大きい場合、近くで観測するとパターンが見えてしま
う。しかし、表示装置の画素の大きさは観測者との距離
を想定して決められているので、画素の大きさが大きい
場合には非透過パターンの幅が大きくても気にならな
い。即ち、高コントラスト層の非透過パターンの最適幅
には、画素の幅に依存する相対的な関係がある。細かす
ぎるパターンは、工程を難しくするので、非透過パター
ンの最大幅は、画素の最小幅の１／１０００〜１／２が
望ましく、さらには１／１００〜１／１０が望ましい。
大きい場合、近くで観測するとパターンが見えてしま
う。しかし、表示装置の画素の大きさは観測者との距離
を想定して決められているので、画素の大きさが大きい
場合には非透過パターンの幅が大きくても気にならな
い。即ち、高コントラスト層の非透過パターンの最適幅
には、画素の幅に依存する相対的な関係がある。細かす
ぎるパターンは、工程を難しくするので、非透過パター
ンの最大幅は、画素の最小幅の１／１０００〜１／２が
望ましく、さらには１／１００〜１／１０が望ましい。
【００２０】また、非透過パターンの幅が大きいと、表
示までの反射回数が多くなり、損失によって輝度が落ち
てしまう。このことから、非透過パターンの幅は０．５
μｍ〜５０μｍが望ましい。
示までの反射回数が多くなり、損失によって輝度が落ち
てしまう。このことから、非透過パターンの幅は０．５
μｍ〜５０μｍが望ましい。
【００２１】開口比率の逆数がコントラストの向上をも
たらすことから、開口比率が大きいと改善効果が小さく
なる。また、開口比率が小さいと、表示までの反射回数
が大きくなり、損失が増加して輝度が小さくなる。これ
らより、開口比率は、５％〜６０％が望ましく、さらに
は１０％〜４０％が望ましい。
たらすことから、開口比率が大きいと改善効果が小さく
なる。また、開口比率が小さいと、表示までの反射回数
が大きくなり、損失が増加して輝度が小さくなる。これ
らより、開口比率は、５％〜６０％が望ましく、さらに
は１０％〜４０％が望ましい。
【００２２】請求項３としては、前記高コントラスト化
層の光透過部内、または高コントラスト化層と透光性絶
縁基板の間、または高コントラスト化層と第一電極の間
に、吸光型、干渉型、あるいは蛍光波長変換型のカラー
フィルタ層を設けたことを特徴とする請求項１〜２のい
ずれかに記載のＥＬ表示装置としたものである。
層の光透過部内、または高コントラスト化層と透光性絶
縁基板の間、または高コントラスト化層と第一電極の間
に、吸光型、干渉型、あるいは蛍光波長変換型のカラー
フィルタ層を設けたことを特徴とする請求項１〜２のい
ずれかに記載のＥＬ表示装置としたものである。
【００２３】カラーフィルタと組み合わせることによ
り、さらにコントラストを向上することができ、１種類
の発光媒体を用いても容易にフルカラーあるいはマルチ
カラーのＥＬ表示装置を提供できる。
り、さらにコントラストを向上することができ、１種類
の発光媒体を用いても容易にフルカラーあるいはマルチ
カラーのＥＬ表示装置を提供できる。
【００２４】請求項４としては、前記高コントラスト化
層の光吸収層が、黒色樹脂層または金属不完全酸化物ま
たは金属不完全窒化物からなり、光反射層が金属からな
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＥ
Ｌ表示装置としたものである。
層の光吸収層が、黒色樹脂層または金属不完全酸化物ま
たは金属不完全窒化物からなり、光反射層が金属からな
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＥ
Ｌ表示装置としたものである。
【００２５】光吸収層としては、カラーフィルタ等で用
いられる黒色樹脂や、ＣｒＯX ／Ｃｒ層のような金属不
完全酸化物、ＧａＮX のような金属不完全窒化物等を用
いることができる。光反射層としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｔ
ａ、Ｔｉ等の金属、またはこれらの金属元素を一成分以
上含む合金等が使用できる。特にＡｇやＡｌは、可視域
で反射率が高く、好適な材料である。
いられる黒色樹脂や、ＣｒＯX ／Ｃｒ層のような金属不
完全酸化物、ＧａＮX のような金属不完全窒化物等を用
いることができる。光反射層としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｔ
ａ、Ｔｉ等の金属、またはこれらの金属元素を一成分以
上含む合金等が使用できる。特にＡｇやＡｌは、可視域
で反射率が高く、好適な材料である。
【００２６】請求項５としては、前記スリット状やドッ
ト状の光透過穴を有する高コントラスト化層の少なくと
も光反射層が、前記第一電極列に対応した複数のストラ
イプとなり、かつ第一電極と電気的に接続されているこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＥＬ表
示装置としたものである。
ト状の光透過穴を有する高コントラスト化層の少なくと
も光反射層が、前記第一電極列に対応した複数のストラ
イプとなり、かつ第一電極と電気的に接続されているこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＥＬ表
示装置としたものである。
【００２７】高コントラスト化層の少なくとも光反射層
を第一電極列に対応した複数のストライプとし、かつ第
一電極と接続することにより、高コントラスト化層を第
一電極の配線として使用することができる。高コントラ
スト化層の少なくとも光反射層には金属を使用できるた
め、第一電極である透明導電膜よりもはるかに配線抵抗
を低減でき、均一性・効率を改善できる。
を第一電極列に対応した複数のストライプとし、かつ第
一電極と接続することにより、高コントラスト化層を第
一電極の配線として使用することができる。高コントラ
スト化層の少なくとも光反射層には金属を使用できるた
め、第一電極である透明導電膜よりもはるかに配線抵抗
を低減でき、均一性・効率を改善できる。
【００２８】特に、ストライプに平行なスリット状穴を
用いると、同じ開口比率でも配線抵抗をより低減できる
ので好ましい。
用いると、同じ開口比率でも配線抵抗をより低減できる
ので好ましい。
【００２９】なお、本発明のＥＬ表示装置における透光
性絶縁基板としては、ガラス基板、プラスチック基板等
が使用できる。
性絶縁基板としては、ガラス基板、プラスチック基板等
が使用できる。
【００３０】透明導電膜としては、ＩＴＯ（酸化インジ
ウムスズ）や酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウ
ム等が使用できる。
ウムスズ）や酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウ
ム等が使用できる。
【００３１】本発明における発光媒体としては、９，１
０−ジアリールアントラセン誘導体、サリチル酸塩、ピ
レン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニル
ブタジエン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アン
トラセン、８−キノリノラートリチウム、トリス（８−
キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（５，７−
ジクロロ，８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ト
リス（５−クロロ−８−キノリノラート）アルミニウム
錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス
（５−フルオロ−８−キノリノラート）アルミニウム錯
体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８
−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メ
チル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム
錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８
−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェ
ノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−
シアノ−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェ
ニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−
キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス［８−（パラ
ートシル）アミノキノリン］亜鉛錯体およびカドミウム
錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジ
エン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，
５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、あ
るいは特開平４−３１４８８号公報、米国特許５１４１
６７１号、同４７６９２９２号で言及されている蛍光物
質やＮ，Ｎ’ジアリール置換ピロロピロール化合物等が
あげられる。
０−ジアリールアントラセン誘導体、サリチル酸塩、ピ
レン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニル
ブタジエン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アン
トラセン、８−キノリノラートリチウム、トリス（８−
キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（５，７−
ジクロロ，８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ト
リス（５−クロロ−８−キノリノラート）アルミニウム
錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス
（５−フルオロ−８−キノリノラート）アルミニウム錯
体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８
−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メ
チル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム
錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８
−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェ
ノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−
シアノ−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェ
ニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−
キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス［８−（パラ
ートシル）アミノキノリン］亜鉛錯体およびカドミウム
錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジ
エン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，
５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、あ
るいは特開平４−３１４８８号公報、米国特許５１４１
６７１号、同４７６９２９２号で言及されている蛍光物
質やＮ，Ｎ’ジアリール置換ピロロピロール化合物等が
あげられる。
【００３２】
【実施例】まず、本発明のＥＬ表示装置の一実施例を図
１、図２に示す。
１、図２に示す。
【００３３】図１のように、透光性第一電極９の透光性
絶縁基板１側に、絶縁膜８を介して高コントラスト化層
４を設けた。この高コントラスト化層４はアイランド状
４ｃであり、画素に対応する領域のみに形成したもので
ある。
絶縁基板１側に、絶縁膜８を介して高コントラスト化層
４を設けた。この高コントラスト化層４はアイランド状
４ｃであり、画素に対応する領域のみに形成したもので
ある。
【００３４】次に、別の実施例を図３、図４に示す。
【００３５】この例でも、透光性第一電極９の透光性絶
縁基板１側に、絶縁膜８を介して高コントラスト化層４
を設けている。この高コントラスト化層４は画素間の非
発光領域にも形成されており、画素部にドット状の穴４
ｂを有している。その光透過部であるドット部内に、カ
ラーフィルタ２を形成したものである。
縁基板１側に、絶縁膜８を介して高コントラスト化層４
を設けている。この高コントラスト化層４は画素間の非
発光領域にも形成されており、画素部にドット状の穴４
ｂを有している。その光透過部であるドット部内に、カ
ラーフィルタ２を形成したものである。
【００３６】次に、また別の実施例を図５、図６に示
す。
す。
【００３７】この例では、透光性第一電極９の透光性絶
縁基板１側に、電気的に接続された高コントラスト化層
４を設けた。この高コントラスト化層４は第一電極９の
配線となっており、第一電極列に対応したストライプと
なっている。従って、透光性第一電極９は配線を兼ねる
必要がなく、画素部のみに形成されている。また、高コ
ントラスト化層４の画素部には、スリット状の穴４ａが
形成されている。高コントラスト化層４と透光性絶縁基
板１の間には、カラーフィルタ２を設けてある。
縁基板１側に、電気的に接続された高コントラスト化層
４を設けた。この高コントラスト化層４は第一電極９の
配線となっており、第一電極列に対応したストライプと
なっている。従って、透光性第一電極９は配線を兼ねる
必要がなく、画素部のみに形成されている。また、高コ
ントラスト化層４の画素部には、スリット状の穴４ａが
形成されている。高コントラスト化層４と透光性絶縁基
板１の間には、カラーフィルタ２を設けてある。
【００３８】このＥＬ表示装置の製造工程を、図７、図
８に示す。
８に示す。
【００３９】まず、ガラス基板１上に、既知の方法によ
ってカラーフィルタ２を形成し、オーバーコート層３で
覆う（図７（ａ）参照）。次に、０．２μｍのＣｒＯX
／Ｃｒの積層膜５、６を成膜する（図７（ｂ）参照）。
そして、既存のフォトエッチング技術即ちフォトレジス
トパターン形成とウェットエッチングによって、幅１ｍ
ｍのストライプかつ幅２０μｍ、開口比率４０％のスリ
ット状光透過穴４ａを有する形状に加工する（図７
（ｃ）参照）。
ってカラーフィルタ２を形成し、オーバーコート層３で
覆う（図７（ａ）参照）。次に、０．２μｍのＣｒＯX
／Ｃｒの積層膜５、６を成膜する（図７（ｂ）参照）。
そして、既存のフォトエッチング技術即ちフォトレジス
トパターン形成とウェットエッチングによって、幅１ｍ
ｍのストライプかつ幅２０μｍ、開口比率４０％のスリ
ット状光透過穴４ａを有する形状に加工する（図７
（ｃ）参照）。
【００４０】次に、レジスト塗布および露光・現像によ
って厚さ０．５μｍの絶縁膜８を形成する（図７（ｄ）
参照）。そして、０．３μｍのＡｇメッキ７をすること
により、導電性および光反射性を向上する（図７（ｅ）
参照）。
って厚さ０．５μｍの絶縁膜８を形成する（図７（ｄ）
参照）。そして、０．３μｍのＡｇメッキ７をすること
により、導電性および光反射性を向上する（図７（ｅ）
参照）。
【００４１】透明電極９としてＩＴＯを０．１μｍ厚に
成膜し、フォトエッチングによって画素形状に加工する
（図８（ｆ）参照）。次に、全面に発光媒体１０を成膜
する（図８（ｇ）参照）。発光媒体１０としては、正孔
輸送層１１を０．０７μｍ、電子輸送性発光層１２を
０．０７μｍ積層した。そして、第二電極１３としてＡ
ｌＬｉを０．３μｍ厚だけ、マスク蒸着によって高コン
トラスト化層パターンと交差するストライプ状に形成す
る（図８（ｈ）参照）。最後に、全面に封止層１４を形
成する（図８（ｉ）参照）。
成膜し、フォトエッチングによって画素形状に加工する
（図８（ｆ）参照）。次に、全面に発光媒体１０を成膜
する（図８（ｇ）参照）。発光媒体１０としては、正孔
輸送層１１を０．０７μｍ、電子輸送性発光層１２を
０．０７μｍ積層した。そして、第二電極１３としてＡ
ｌＬｉを０．３μｍ厚だけ、マスク蒸着によって高コン
トラスト化層パターンと交差するストライプ状に形成す
る（図８（ｈ）参照）。最後に、全面に封止層１４を形
成する（図８（ｉ）参照）。
【００４２】このように作製した試料で、従来素子に比
べて輝度はほとんど変わらず、コントラストがおよそ
１．５倍に向上した。
べて輝度はほとんど変わらず、コントラストがおよそ
１．５倍に向上した。
【００４３】［非透過パターン幅の影響］第一電極幅１
ｍｍ、開口率５０％の条件下で、非透過パターン幅を１
μｍ、１０μｍ、１００μｍ、５００μｍと変えて作製
した。これらは、画素幅に対応する第一電極幅の１／１
０００〜１／２である。いずれの場合にも、コントラス
ト向上効果が見られた。ただし、１μｍの場合は高精度
のパターニング技術を要し、それ以上細かくする意味が
ない。また、５００μｍの場合には非透過パターンが目
視できるようになり、それ以上荒いと画質を低下させ
る。
ｍｍ、開口率５０％の条件下で、非透過パターン幅を１
μｍ、１０μｍ、１００μｍ、５００μｍと変えて作製
した。これらは、画素幅に対応する第一電極幅の１／１
０００〜１／２である。いずれの場合にも、コントラス
ト向上効果が見られた。ただし、１μｍの場合は高精度
のパターニング技術を要し、それ以上細かくする意味が
ない。また、５００μｍの場合には非透過パターンが目
視できるようになり、それ以上荒いと画質を低下させ
る。
【００４４】［開口率の影響］第一電極幅１ｍｍ、非透
過パターン幅１００μｍの条件下で、開口率を１％、５
％、１０％、２０％、４０％、６０％、８０％と変えて
作製した。５％〜６０％において、コントラスト向上効
果が見られた。開口率１％では輝度低下が著しく、開口
率８０％では外光反射の低減効果が弱く、いずれもコン
トラストは向上しなかった。
過パターン幅１００μｍの条件下で、開口率を１％、５
％、１０％、２０％、４０％、６０％、８０％と変えて
作製した。５％〜６０％において、コントラスト向上効
果が見られた。開口率１％では輝度低下が著しく、開口
率８０％では外光反射の低減効果が弱く、いずれもコン
トラストは向上しなかった。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、内光を反射し外光を吸
収する高コントラスト化層を用いることにより、外光反
射を抑えて良好なコントラストを有するＥＬ表示装置を
提供できる。また、高コントラスト化層を配線として使
用することにより、均一性、効率を改善したＥＬ表示装
置を提供できる。
収する高コントラスト化層を用いることにより、外光反
射を抑えて良好なコントラストを有するＥＬ表示装置を
提供できる。また、高コントラスト化層を配線として使
用することにより、均一性、効率を改善したＥＬ表示装
置を提供できる。
【００４６】
【図１】本発明のＥＬ表示装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１のＥＬ表示装置の平面図である。
【図３】本発明のＥＬ表示装置の他の例を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】図３のＥＬ表示装置の平面図である。
【図５】本発明のＥＬ表示装置の他の例を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】図５のＥＬ表示装置の平面図である。
【図７】図５のＥＬ表示装置の製造工程を示す説明図で
ある。
ある。
【図８】図５のＥＬ表示装置の製造工程を示す説明図で
ある。
ある。
【図９】従来のＥＬ表示装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ 透光性絶縁基板 ２ カラーフィルタ ３ オーバーコート絶縁層 ４ 高コントラスト化層 ４ａ スリット穴 ４ｂ ドット穴 ４ｃ アイランド ５ 光吸収層 ６ 中間層 ７ 光反射層 ８ 絶縁層 ９ 透光性第一電極 １０ 発光媒体 １１ 正孔輸送層 １２ 電子輸送性発光層 １３ 第二電極 １４ 封止層
Claims (5)
- 【請求項１】透光性絶縁基板上に複数の透光性第一電極
と複数の第二電極が少なくとも発光媒体を挟持し、かつ
第一電極列と第二電極列が相互に交差して形成する画素
群からなるＥＬ表示装置において、少なくとも画素に対
応する領域の第一電極と透光性絶縁基板との間に、少な
くとも透光性絶縁基板側の光吸収層と第一電極側の光反
射層からなり、かつ、スリット状やドット状の光透過穴
を有するかまたはそれ自体がアイランド状である、高コ
ントラスト化層を有することを特徴とするＥＬ表示装
置。 - 【請求項２】前記スリット状やドット状の光透過穴を有
するかまたはそれ自体がアイランド状である高コントラ
スト化層において、画素部での非透過パターンの最大幅
が画素の最小幅の１／１０００〜１／２であり、画素部
での開口比率が５％〜６０％であることを特徴とする請
求項１に記載のＥＬ表示装置。 - 【請求項３】前記高コントラスト化層の光透過部内、ま
たは高コントラスト化層と透光性絶縁基板の間、または
高コントラスト化層と第一電極の間に、吸光型、干渉
型、あるいは蛍光波長変換型のカラーフィルタ層を設け
たことを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載のＥ
Ｌ表示装置。 - 【請求項４】前記高コントラスト化層の光吸収層が、黒
色樹脂層または金属不完全酸化物または金属不完全窒化
物からなり、光反射層が金属からなることを特徴とする
請求項１〜３のいずれかに記載のＥＬ表示装置。 - 【請求項５】前記スリット状やドット状の光透過穴を有
する高コントラスト化層の少なくとも光反射層が、前記
第一電極列に対応した複数のストライプとなり、かつ第
一電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求
項１〜４のいずれかに記載のＥＬ表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06866098A JP3601289B2 (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | Ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06866098A JP3601289B2 (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | Ｅｌ表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11265791A true JPH11265791A (ja) | 1999-09-28 |
| JP3601289B2 JP3601289B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=13380097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06866098A Expired - Fee Related JP3601289B2 (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | Ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3601289B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002352963A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Sony Corp | 表示装置 |
| JP2007505469A (ja) * | 2003-09-08 | 2007-03-08 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | バックグラウンドの小さいルミネセンスを有する有機電子デバイス |
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