JPH1126438A - アッシング方法 - Google Patents
アッシング方法Info
- Publication number
- JPH1126438A JPH1126438A JP18198997A JP18198997A JPH1126438A JP H1126438 A JPH1126438 A JP H1126438A JP 18198997 A JP18198997 A JP 18198997A JP 18198997 A JP18198997 A JP 18198997A JP H1126438 A JPH1126438 A JP H1126438A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ashing
- plasma
- resist
- gas
- polyimide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダウンフローアッシング装置を用いたアッシ
ング方法の改善に関する。 【解決手段】 その表面にポリイミド14，レジスト15が
順次形成された被処理基板８を処理室７に導入し、プラ
ズマ発生部６にＯ2 とＦ原子を含む反応ガスを導入して
これをプラズマ化し、反応ガスのプラズマを被処理基板
８上にダウンフローして、レジスト15をマスクにしてポ
リイミド14をアッシングし、反応ガスにおけるＦ原子を
含むガスの割合を０．１％以上２．５％以下とするこ
と。
ング方法の改善に関する。 【解決手段】 その表面にポリイミド14，レジスト15が
順次形成された被処理基板８を処理室７に導入し、プラ
ズマ発生部６にＯ2 とＦ原子を含む反応ガスを導入して
これをプラズマ化し、反応ガスのプラズマを被処理基板
８上にダウンフローして、レジスト15をマスクにしてポ
リイミド14をアッシングし、反応ガスにおけるＦ原子を
含むガスの割合を０．１％以上２．５％以下とするこ
と。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アッシング方法に
関し、更に詳しくいえば、半導体製造プロセスにおい
て、レジストをマスクとしてポリイミドをアッシングす
る方法の改善に関する。
関し、更に詳しくいえば、半導体製造プロセスにおい
て、レジストをマスクとしてポリイミドをアッシングす
る方法の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高性能化に伴
い、Ｆ系ガスを用いたアッシングにおいても性能の安定
性が求められている。しかも、ある程度アッシングレー
トが速いことと、選択比の向上が必要となってきてい
る。このアッシングに用いられる装置としては、プラズ
マアッシング装置とダウンフローアッシング装置とがあ
る。
い、Ｆ系ガスを用いたアッシングにおいても性能の安定
性が求められている。しかも、ある程度アッシングレー
トが速いことと、選択比の向上が必要となってきてい
る。このアッシングに用いられる装置としては、プラズ
マアッシング装置とダウンフローアッシング装置とがあ
る。
【０００３】プラズマアッシング装置は、ウエハを載置
するステージとその上に配置された電極とを有し、これ
らの間にガスを供給するとともにＲＦ電圧を印加し前記
ガスをプラズマ化して、このプラズマ化したガスにより
アッシングを行うものである。しかし、プラズマアッシ
ングでは、ウエハが直接プラズマにさらされるため、ア
ッシングレートは速いが、荷電粒子の影響でチャージア
ップを起こしてしまい、例えば、ゲート酸化膜の劣化が
生じやすいという欠点がある。
するステージとその上に配置された電極とを有し、これ
らの間にガスを供給するとともにＲＦ電圧を印加し前記
ガスをプラズマ化して、このプラズマ化したガスにより
アッシングを行うものである。しかし、プラズマアッシ
ングでは、ウエハが直接プラズマにさらされるため、ア
ッシングレートは速いが、荷電粒子の影響でチャージア
ップを起こしてしまい、例えば、ゲート酸化膜の劣化が
生じやすいという欠点がある。
【０００４】また、荷電粒子の衝突により、基板表面層
に存在している重金属等の不純物が汚染を起こす懸念も
ある。ここで、プラズマアッシング装置を使用した時の
レジストのアッシングレートとポリイミドのアッシング
レートは、次の通りである。反応性ガスとして、Ｏ2 と
ＣＦ4 との混合ガスを用いた時の上記のアッシングレー
トの依存性を示す実験データを図４（ａ）に示す（特開
昭６３−８４１１７号公報）。また、反応性ガスとし
て、Ｏ2 とＮＦ3 との混合ガスを用いた時の実験データ
を図４（ｂ）に示す（特開平１−１９４４２３号公
報）。
に存在している重金属等の不純物が汚染を起こす懸念も
ある。ここで、プラズマアッシング装置を使用した時の
レジストのアッシングレートとポリイミドのアッシング
レートは、次の通りである。反応性ガスとして、Ｏ2 と
ＣＦ4 との混合ガスを用いた時の上記のアッシングレー
トの依存性を示す実験データを図４（ａ）に示す（特開
昭６３−８４１１７号公報）。また、反応性ガスとし
て、Ｏ2 とＮＦ3 との混合ガスを用いた時の実験データ
を図４（ｂ）に示す（特開平１−１９４４２３号公
報）。
【０００５】いずれにおいても、Ｏ2 ガスに入れるＣＦ
4 、ＮＦ3 ガスの含有率を変えてもレジストアッシング
レートの方がポリイミドアッシングレートよりも速い。
従って、レジストをマスクにしてポリイミドをアッシン
グする際には、レジストの膜厚を十分厚くしないと、ア
ッシングの途中でマスクとなるレジストがポリイミドよ
りも先に完全に除去されてしまい、マスクの役目を果た
せなくなってしまう。これでは安定なアッシングができ
ないので、レジストよりポリイミドのアッシングレート
が速いことが望まれる。つまり、選択比（ポリイミドア
ッシングレート／レジストアッシングレート）が１．０
以上であることが望まれる。
4 、ＮＦ3 ガスの含有率を変えてもレジストアッシング
レートの方がポリイミドアッシングレートよりも速い。
従って、レジストをマスクにしてポリイミドをアッシン
グする際には、レジストの膜厚を十分厚くしないと、ア
ッシングの途中でマスクとなるレジストがポリイミドよ
りも先に完全に除去されてしまい、マスクの役目を果た
せなくなってしまう。これでは安定なアッシングができ
ないので、レジストよりポリイミドのアッシングレート
が速いことが望まれる。つまり、選択比（ポリイミドア
ッシングレート／レジストアッシングレート）が１．０
以上であることが望まれる。
【０００６】一方、ダウンフローアッシング装置では、
プラズマを生成する活性化領域と試料を設置しアッシン
グを行う反応領域とが物理的に分離されており、活性化
領域で生成されたプラズマを反応領域まで輸送し、アッ
シングを行う方式を用いている。プラズマの生成は、一
般的にＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）やマイクロ波（２．４
５ＧＨｚ）による減圧下のグロー放電が用いられる。放
電領域で生成されるイオン、電子等の荷電粒子や短寿命
の励起粒子は輸送の過程で消滅するためにアッシングに
は寄与せず、すなわち、アッシング種は、中性で長寿命
のものとすることができる。
プラズマを生成する活性化領域と試料を設置しアッシン
グを行う反応領域とが物理的に分離されており、活性化
領域で生成されたプラズマを反応領域まで輸送し、アッ
シングを行う方式を用いている。プラズマの生成は、一
般的にＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）やマイクロ波（２．４
５ＧＨｚ）による減圧下のグロー放電が用いられる。放
電領域で生成されるイオン、電子等の荷電粒子や短寿命
の励起粒子は輸送の過程で消滅するためにアッシングに
は寄与せず、すなわち、アッシング種は、中性で長寿命
のものとすることができる。
【０００７】ダウンフローアッシングには、試料への荷
電流子の入射がないためにダメージの発生がないこと、
さらに、中性粒子による純粋な化学反応によるエッチン
グであるために、材料間での高選択性アッシングが可能
であるという大きな利点があり、一方、中性粒子に方向
性を持たせることが困難である。半導体プロセスにおけ
るエッチング技術は、ＲＩＥ等の異方性エッチングだけ
ではなく、薄膜の剥離技術や洗浄等の表面処理技術等多
くの等方的なドライエッチング技術又はアッシング技術
が必要とされている。このような分野で、ダウンフロー
アッシングは注目されている。
電流子の入射がないためにダメージの発生がないこと、
さらに、中性粒子による純粋な化学反応によるエッチン
グであるために、材料間での高選択性アッシングが可能
であるという大きな利点があり、一方、中性粒子に方向
性を持たせることが困難である。半導体プロセスにおけ
るエッチング技術は、ＲＩＥ等の異方性エッチングだけ
ではなく、薄膜の剥離技術や洗浄等の表面処理技術等多
くの等方的なドライエッチング技術又はアッシング技術
が必要とされている。このような分野で、ダウンフロー
アッシングは注目されている。
【０００８】以下で、従来例に係るアッシング方法につ
いて図面を参照しながら説明する。一般に用いられるダ
ウンフローアッシング装置は、図３に示すような構成で
ある。この装置を用いて、その上面にポリイミド１４、
レジスト１５が順次形成されたウエハ８（図５（ａ）参
照）上のレジスト１５をマスクにしてポリイミド１４を
ダウンフローアッシングする方法について以下で説明す
る。
いて図面を参照しながら説明する。一般に用いられるダ
ウンフローアッシング装置は、図３に示すような構成で
ある。この装置を用いて、その上面にポリイミド１４、
レジスト１５が順次形成されたウエハ８（図５（ａ）参
照）上のレジスト１５をマスクにしてポリイミド１４を
ダウンフローアッシングする方法について以下で説明す
る。
【０００９】まずウエハ８をステージ５上に載置してチ
ャンバ１の反応室７内に導入し、ガス導入管３からプラ
ズマ発生部６にＣＦ4 やＯ2 等の反応ガスを導入する。
これとともにマイクロ波導入管２から２．４５ＧＨｚ程
度のマイクロ波を導入して、上記の反応ガスをプラズマ
発生部６においてプラズマ化する。こうして生成された
プラズマは、反応ガスとともにパンチングボード４を介
して直下のステージ５上に載置されたウエハ８に吹き付
けられることにより、レジストをマスクにしたポリイミ
ドのアッシングが行われることになる（図５（ｂ）参
照）。
ャンバ１の反応室７内に導入し、ガス導入管３からプラ
ズマ発生部６にＣＦ4 やＯ2 等の反応ガスを導入する。
これとともにマイクロ波導入管２から２．４５ＧＨｚ程
度のマイクロ波を導入して、上記の反応ガスをプラズマ
発生部６においてプラズマ化する。こうして生成された
プラズマは、反応ガスとともにパンチングボード４を介
して直下のステージ５上に載置されたウエハ８に吹き付
けられることにより、レジストをマスクにしたポリイミ
ドのアッシングが行われることになる（図５（ｂ）参
照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ダウンフローアッシン
グ装置は、プラズマ発生部とウエハが分離されているの
で、プラズマアッシング装置のように、ウエハが直接荷
電粒子にさらされることはない。よって、荷電粒子の影
響が小さく、チャージアップによる損傷と、不純物汚染
がプラズマアッシング装置に比べ軽減される。さらに、
中性粒子による純粋な化学反応によるエッチングである
ために、材料間での高選択性エッチングが可能であると
いう利点がある。しかし、プラズマアッシング装置に比
べると、アッシングレートが遅い短所がある。
グ装置は、プラズマ発生部とウエハが分離されているの
で、プラズマアッシング装置のように、ウエハが直接荷
電粒子にさらされることはない。よって、荷電粒子の影
響が小さく、チャージアップによる損傷と、不純物汚染
がプラズマアッシング装置に比べ軽減される。さらに、
中性粒子による純粋な化学反応によるエッチングである
ために、材料間での高選択性エッチングが可能であると
いう利点がある。しかし、プラズマアッシング装置に比
べると、アッシングレートが遅い短所がある。
【００１１】以上のような長所を有するＦ系ガスを用い
たダウンフローアッシングにおいては、ポリイミドのア
ッシングレートがレジストのアッシングレートよりも速
く、選択比（ポリイミドアッシングレート／レジストア
ッシングレート）が１．０以上となり、安定したアッシ
ングプロセスが要求されてきている。本発明は、上記の
ダウンフローアッシング装置を用いて、レジストをマス
クにポリイミドを除去する際、ポリイミドアッシングレ
ートがレジストのアッシングレートよりも速く、選択比
が１．０以上となるようなアッシング方法を提供するこ
とを目的とする。
たダウンフローアッシングにおいては、ポリイミドのア
ッシングレートがレジストのアッシングレートよりも速
く、選択比（ポリイミドアッシングレート／レジストア
ッシングレート）が１．０以上となり、安定したアッシ
ングプロセスが要求されてきている。本発明は、上記の
ダウンフローアッシング装置を用いて、レジストをマス
クにポリイミドを除去する際、ポリイミドアッシングレ
ートがレジストのアッシングレートよりも速く、選択比
が１．０以上となるようなアッシング方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、反応ガ
スをプラズマ化するプラズマ発生部と、前記プラズマ発
生部で生成されたプラズマを用いて被処理基板の表面を
アッシング処理する処理室とを有し、かつ前記プラズマ
発生部と前記処理室とは分離されており、前記プラズマ
発生部で発生したプラズマを前記被処理基板にダウンフ
ローすることでアッシングを行うダウンフローアッシン
グ装置を用いたアッシング方法であって、その表面にポ
リイミド膜及びレジストが順次形成された被処理基板を
前記処理室に導入する工程と、前記プラズマ発生部にＯ
2 とＦ原子を含むガスとにより構成される反応ガスを導
入してこれをプラズマ化し、前記プラズマ化したガスを
前記被処理基板上にダウンフローして、前記レジストを
マスクにして前記ポリイミド膜をアッシングする工程と
を有し、前記反応ガスにおいて、前記Ｆ原子を含むガス
の割合を０．１ｖｏｌ％以上２．５ｖｏｌ％以下とする
ことを特徴とするアッシング方法により、解決する。
スをプラズマ化するプラズマ発生部と、前記プラズマ発
生部で生成されたプラズマを用いて被処理基板の表面を
アッシング処理する処理室とを有し、かつ前記プラズマ
発生部と前記処理室とは分離されており、前記プラズマ
発生部で発生したプラズマを前記被処理基板にダウンフ
ローすることでアッシングを行うダウンフローアッシン
グ装置を用いたアッシング方法であって、その表面にポ
リイミド膜及びレジストが順次形成された被処理基板を
前記処理室に導入する工程と、前記プラズマ発生部にＯ
2 とＦ原子を含むガスとにより構成される反応ガスを導
入してこれをプラズマ化し、前記プラズマ化したガスを
前記被処理基板上にダウンフローして、前記レジストを
マスクにして前記ポリイミド膜をアッシングする工程と
を有し、前記反応ガスにおいて、前記Ｆ原子を含むガス
の割合を０．１ｖｏｌ％以上２．５ｖｏｌ％以下とする
ことを特徴とするアッシング方法により、解決する。
【００１３】以下、本発明の作用について説明する。従
来、ダウンフローアッシング技術においても、プラズマ
アッシングと同様に、レジストのアッシングレートの方
がポリイミドのアッシングレートよりも速いと考えられ
ていた。しかし、本願発明者等が種々実験研究を行った
結果、反応ガス中のＦを含むガスの濃度をある一定の範
囲にすると、ポリイミドのアッシングレートがレジスト
のアッシングレートよりも速くなるとの知見を得た。本
願発明は、このような実験結果に基づいてなされたもの
である。
来、ダウンフローアッシング技術においても、プラズマ
アッシングと同様に、レジストのアッシングレートの方
がポリイミドのアッシングレートよりも速いと考えられ
ていた。しかし、本願発明者等が種々実験研究を行った
結果、反応ガス中のＦを含むガスの濃度をある一定の範
囲にすると、ポリイミドのアッシングレートがレジスト
のアッシングレートよりも速くなるとの知見を得た。本
願発明は、このような実験結果に基づいてなされたもの
である。
【００１４】本発明に係るアッシング方法によれば、ダ
ウンフローアッシング装置を用いて、反応性ガスとし
て、Ｏ2 と、ＣＦ4 又はＮＦ3 等のＦ原子を含むガスと
の混合ガスを用いて、ＣＦ4 又はＮＦ3 の含有率を０．
１〜２．５％、好ましくは０．５〜２．５％にすること
により、ポリイミドのアッシングレートがレジストのア
ッシングレートよりも速くなり、選択比（ポリイミドア
ッシングレート／レジストアッシングレート）が１．０
以上とすることが可能となる。
ウンフローアッシング装置を用いて、反応性ガスとし
て、Ｏ2 と、ＣＦ4 又はＮＦ3 等のＦ原子を含むガスと
の混合ガスを用いて、ＣＦ4 又はＮＦ3 の含有率を０．
１〜２．５％、好ましくは０．５〜２．５％にすること
により、ポリイミドのアッシングレートがレジストのア
ッシングレートよりも速くなり、選択比（ポリイミドア
ッシングレート／レジストアッシングレート）が１．０
以上とすることが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。本発明の発明者等
は、ダウンフローアッシング装置を用いて、レジストを
マスクにしたポリイミドのアッシングを行う際に、反応
ガスとしてＣＦ4 やＮＦ3 等のＦ原子を含むガスとＯ2
ガスとを用いて、Ｆ原子を含むガスの含有率を変えた場
合にレジスト、ポリイミドのアッシングレートがどのよ
うに変化するかについての実験を行った。
て、添付の図面を参照して説明する。本発明の発明者等
は、ダウンフローアッシング装置を用いて、レジストを
マスクにしたポリイミドのアッシングを行う際に、反応
ガスとしてＣＦ4 やＮＦ3 等のＦ原子を含むガスとＯ2
ガスとを用いて、Ｆ原子を含むガスの含有率を変えた場
合にレジスト、ポリイミドのアッシングレートがどのよ
うに変化するかについての実験を行った。
【００１６】本実施形態における実験に用いられるダウ
ンフローアッシング装置は、図３に示すような構成であ
る。図３において１はチャンバ、４はプラズマ発生部６
と反応室７とを仕切るＡｌからなるパンチングボード、
２はチャンバ１内にマイクロ波を導入するマイクロ波導
入管、３はプラズマ発生部６内に反応ガスを導入するガ
ス導入管である。
ンフローアッシング装置は、図３に示すような構成であ
る。図３において１はチャンバ、４はプラズマ発生部６
と反応室７とを仕切るＡｌからなるパンチングボード、
２はチャンバ１内にマイクロ波を導入するマイクロ波導
入管、３はプラズマ発生部６内に反応ガスを導入するガ
ス導入管である。
【００１７】また、４はアッシング種となるプラズマを
生成するためのプラズマ発生部、５は試料となるウエハ
８を載置するためのステージである。まず、ウエハ８を
ステージ５上に載置してチャンバ１の反応室７内に導入
し、ガス導入管３からプラズマ発生部６にＣＦ4 とＯ2
とにより構成される反応ガスを導入する。これとともに
マイクロ波導入管２から２．４５ＧＨｚ程度のマイクロ
波を導入して、上記の反応ガスをプラズマ発生部６にお
いてプラズマ化する。こうして生成されたプラズマは、
反応ガスとともにパンチングボード４を介して直下のス
テージ５上に載置されたウエハ８にダウンフローされる
ことにより、レジスト及びポリイミド膜のアッシングを
行った。
生成するためのプラズマ発生部、５は試料となるウエハ
８を載置するためのステージである。まず、ウエハ８を
ステージ５上に載置してチャンバ１の反応室７内に導入
し、ガス導入管３からプラズマ発生部６にＣＦ4 とＯ2
とにより構成される反応ガスを導入する。これとともに
マイクロ波導入管２から２．４５ＧＨｚ程度のマイクロ
波を導入して、上記の反応ガスをプラズマ発生部６にお
いてプラズマ化する。こうして生成されたプラズマは、
反応ガスとともにパンチングボード４を介して直下のス
テージ５上に載置されたウエハ８にダウンフローされる
ことにより、レジスト及びポリイミド膜のアッシングを
行った。
【００１８】その実験結果について以下で説明する。図
１（ａ）は、反応ガスとしてＣＦ4とＯ2 の混合ガスを
用いて、ダウンフローアッシング装置を使用してアッシ
ングした時のレジストとポリイミドのアッシングレート
のＣＦ4 添加量依存性を示す図であって、図１（ｂ）
は、図１（ａ）で示した低領域（ＣＦ4 濃度０．５〜
３．０％）を示す実験データである。
１（ａ）は、反応ガスとしてＣＦ4とＯ2 の混合ガスを
用いて、ダウンフローアッシング装置を使用してアッシ
ングした時のレジストとポリイミドのアッシングレート
のＣＦ4 添加量依存性を示す図であって、図１（ｂ）
は、図１（ａ）で示した低領域（ＣＦ4 濃度０．５〜
３．０％）を示す実験データである。
【００１９】このときの実験条件は、以下の表１に示す
通りである。
通りである。
【００２０】
【表１】
【００２１】上記の実験条件下でプラズマを発生させ、
レジストを塗布したウエハと、ポリイミド樹脂を塗布し
たウエハをそれぞれ２０秒間、図３に示すようなダウン
フローアッシング装置においてアッシングを行った。こ
の実験によると、図１（ｂ）に示すように、ＣＦ4 濃度
が２．５ｖｏｌ％以下の範囲では、ポリイミドのアッシ
ングレートがレジストのアッシングレートよりも高く、
ポリイミドの対レジスト選択比が１．０以上であること
がわかる。この範囲では仮にレジストをマスクにしてポ
リイミドをアッシングしたとしても、除去すべきポリイ
ミドが完全に除去される前にマスクとなるレジストが除
去されてしまうという事態が生じないので、安定したア
ッシングを行うことが可能になることがわかる。
レジストを塗布したウエハと、ポリイミド樹脂を塗布し
たウエハをそれぞれ２０秒間、図３に示すようなダウン
フローアッシング装置においてアッシングを行った。こ
の実験によると、図１（ｂ）に示すように、ＣＦ4 濃度
が２．５ｖｏｌ％以下の範囲では、ポリイミドのアッシ
ングレートがレジストのアッシングレートよりも高く、
ポリイミドの対レジスト選択比が１．０以上であること
がわかる。この範囲では仮にレジストをマスクにしてポ
リイミドをアッシングしたとしても、除去すべきポリイ
ミドが完全に除去される前にマスクとなるレジストが除
去されてしまうという事態が生じないので、安定したア
ッシングを行うことが可能になることがわかる。
【００２２】また、その際のレジスト、ポリイミドのそ
れぞれのアッシングレートは以下の表２に示す通りであ
る。
れぞれのアッシングレートは以下の表２に示す通りであ
る。
【００２３】
【表２】
【００２４】この表２に示すように、上記のＣＦ4 濃度
が０．５〜２．５％の範囲では、ポリイミドのアッシン
グレートが比較的速くなることがわかる。これにより、
安定で、しかも高速なアッシングを行うことができるこ
とが確認された。以上の実験では、反応ガスとしてＣＦ
4 とＯ2 の混合ガスを用いたが、本発明の発明者等はさ
らに、Ｆ原子を含む別のガスとしてＮＦ3 を用い、これ
とＯ2 との混合ガスを反応ガスとして用いた場合につい
ても、同様の実験を行った。
が０．５〜２．５％の範囲では、ポリイミドのアッシン
グレートが比較的速くなることがわかる。これにより、
安定で、しかも高速なアッシングを行うことができるこ
とが確認された。以上の実験では、反応ガスとしてＣＦ
4 とＯ2 の混合ガスを用いたが、本発明の発明者等はさ
らに、Ｆ原子を含む別のガスとしてＮＦ3 を用い、これ
とＯ2 との混合ガスを反応ガスとして用いた場合につい
ても、同様の実験を行った。
【００２５】図２（ａ）は、ダウンフローアッシング装
置を使用した時のレジストとポリイミドのアッシングレ
ートのＮＦ3 添加量依存を示し、図２（ｂ）は、図２
（ａ）で示した低領域（ＮＦ3 濃度０．５〜３．０％）
を示す実験データである。このときの実験条件は、図１
で行った実験条件と同じである（表１参照）。図２
（ｂ）に示すように、ＮＦ3 濃度が２．５ｖｏｌ％以下
の範囲で、ポリイミドのアッシングレートがレジストの
アッシングレートよりも高く、対レジストの選択比が
１．０以上であることがわかる。これにより、上記の範
囲内であればレジストをマスクにポリイミドをアッシン
グしたときにも安定なアッシングをすることが可能にな
ることがわかる。
置を使用した時のレジストとポリイミドのアッシングレ
ートのＮＦ3 添加量依存を示し、図２（ｂ）は、図２
（ａ）で示した低領域（ＮＦ3 濃度０．５〜３．０％）
を示す実験データである。このときの実験条件は、図１
で行った実験条件と同じである（表１参照）。図２
（ｂ）に示すように、ＮＦ3 濃度が２．５ｖｏｌ％以下
の範囲で、ポリイミドのアッシングレートがレジストの
アッシングレートよりも高く、対レジストの選択比が
１．０以上であることがわかる。これにより、上記の範
囲内であればレジストをマスクにポリイミドをアッシン
グしたときにも安定なアッシングをすることが可能にな
ることがわかる。
【００２６】また、その際のレジスト、ポリイミドのそ
れぞれのアッシングレートは以下の表３に示す通りであ
る。
れぞれのアッシングレートは以下の表３に示す通りであ
る。
【００２７】
【表３】
【００２８】この表３に示すように、上記のＮＦ3 濃度
が０．５〜２．５％の範囲では、ポリイミドのアッシン
グレートが比較的速くなることがわかる。これにより、
安定で、しかも高速なアッシングを行うことができるこ
とが確認された。以上の実験から、ＣＦ4 やＮＦ3 ガス
等のようなＦ原子を含むガスとＯ2 ガスとの混合ガスを
反応ガスとして用いて、ＣＦ4 やＮＦ3 ガス等の含有率
を２．５ｖｏｌ％以下、より好ましくは０．５〜２．５
ｖｏｌ％にすることで、ポリイミドのアッシングレート
を向上させることができ、かつ対レジストの選択比を
１．０以上にして安定なアッシングを行うことが可能と
なることがわかる。
が０．５〜２．５％の範囲では、ポリイミドのアッシン
グレートが比較的速くなることがわかる。これにより、
安定で、しかも高速なアッシングを行うことができるこ
とが確認された。以上の実験から、ＣＦ4 やＮＦ3 ガス
等のようなＦ原子を含むガスとＯ2 ガスとの混合ガスを
反応ガスとして用いて、ＣＦ4 やＮＦ3 ガス等の含有率
を２．５ｖｏｌ％以下、より好ましくは０．５〜２．５
ｖｏｌ％にすることで、ポリイミドのアッシングレート
を向上させることができ、かつ対レジストの選択比を
１．０以上にして安定なアッシングを行うことが可能と
なることがわかる。
【００２９】なお、本実施形態ではＦ原子を含むガスと
してＣＦ4 やＮＦ3 ガスについて説明しているが、本発
明はこれに限らず、他のＦ原子を含むガスであってアッ
シングに用いることができるガスであっても、同様の効
果を奏する。
してＣＦ4 やＮＦ3 ガスについて説明しているが、本発
明はこれに限らず、他のＦ原子を含むガスであってアッ
シングに用いることができるガスであっても、同様の効
果を奏する。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本願の発明によれ
ば、ダウンフローアッシング装置を用いて、反応性ガス
として、Ｏ2 と、ＣＦ4 又はＮＦ3 等のＦ原子を含むガ
スとの混合ガスを用いて、ＣＦ4 又はＮＦ3 の含有率を
０．１〜２．５％、好ましくは０．５〜２．５％にする
ことにより、ポリイミドのアッシングレートがレジスト
のアッシングレートよりも速く、かつ選択比（ポリイミ
ドアッシングレート／レジストアッシングレート）が
１．０以上で安定なアッシングを実施することが可能に
なる。
ば、ダウンフローアッシング装置を用いて、反応性ガス
として、Ｏ2 と、ＣＦ4 又はＮＦ3 等のＦ原子を含むガ
スとの混合ガスを用いて、ＣＦ4 又はＮＦ3 の含有率を
０．１〜２．５％、好ましくは０．５〜２．５％にする
ことにより、ポリイミドのアッシングレートがレジスト
のアッシングレートよりも速く、かつ選択比（ポリイミ
ドアッシングレート／レジストアッシングレート）が
１．０以上で安定なアッシングを実施することが可能に
なる。
【図１】本発明の実施形態において、ダウンフローアッ
シング装置を使用した時のレジストとポリイミドのアッ
シングレートのＣＦ4 添加量依存を示す図である。
シング装置を使用した時のレジストとポリイミドのアッ
シングレートのＣＦ4 添加量依存を示す図である。
【図２】本発明の実施形態において、ダウンフローアッ
シング装置を使用した時のレジストとポリイミドのアッ
シングレートのＮＦ3 添加量依存を示す図である。
シング装置を使用した時のレジストとポリイミドのアッ
シングレートのＮＦ3 添加量依存を示す図である。
【図３】一般のダウンフローアッシング装置の構造を説
明する図である。
明する図である。
【図４】プラズマアッシング装置を用いたアッシング方
法におけるレジストとポリイミドのアッシングレートの
Ｆ原子を含むガスの添加量依存性を説明する図である。
法におけるレジストとポリイミドのアッシングレートの
Ｆ原子を含むガスの添加量依存性を説明する図である。
【図５】レジストをマスクにポリイミドをアッシングす
る際の状態を説明する断面図である。
る際の状態を説明する断面図である。
１ チャンバ ２ マイクロ波導入管 ３ ガス導入管 ４ パンチングボード ５ ステージ ６ プラズマ発生部 ７ 反応室 ８ ウエハ（被処理基板） ９ セラミック
Claims (3)
- 【請求項１】 反応ガスをプラズマ化するプラズマ発生
部と、前記プラズマ発生部で生成されたプラズマを用い
て被処理基板の表面をアッシング処理する処理室とを有
し、かつ前記プラズマ発生部と前記処理室とは分離され
ており、前記プラズマ発生部で発生したプラズマを前記
被処理基板にダウンフローすることでアッシングを行う
ダウンフローアッシング装置を用いたアッシング方法で
あって、 その表面にポリイミド膜及びレジストが順次形成された
被処理基板を前記処理室に導入する工程と、 前記プラズマ発生部にＯ2 とＦ原子を含むガスとにより
構成される反応ガスを導入してこれをプラズマ化し、前
記プラズマ化したガスを前記被処理基板上にダウンフロ
ーして、前記レジストをマスクにして前記ポリイミド膜
をアッシングする工程とを有し、 前記反応ガスにおいて、前記Ｆ原子を含むガスの割合を
０．１ｖｏｌ％以上２．５ｖｏｌ％以下とすることを特
徴とするアッシング方法。 - 【請求項２】 前記Ｆ原子を含むガスは、ＣＦ4 である
ことを特徴とする請求項１記載のアッシング方法。 - 【請求項３】 前記Ｆ原子を含むガスは、ＮＦ3 である
ことを特徴とする請求項１記載のアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18198997A JPH1126438A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | アッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18198997A JPH1126438A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | アッシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126438A true JPH1126438A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16110384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18198997A Pending JPH1126438A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | アッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126438A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011108280A1 (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-07-08 JP JP18198997A patent/JPH1126438A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011108280A1 (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011187583A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI600083B (zh) | Plasma etching method | |
| KR102159750B1 (ko) | 실리콘-탄소-질화물 선택적 에칭 | |
| US6437512B1 (en) | Plasma generator | |
| US20080182422A1 (en) | Methods of etching photoresist on substrates | |
| US6319842B1 (en) | Method of cleansing vias in semiconductor wafer having metal conductive layer | |
| US20060201911A1 (en) | Methods of etching photoresist on substrates | |
| KR101144022B1 (ko) | 에칭된 웨이퍼로부터 포토레지스트 스트립 방법 | |
| JPH0982687A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11340211A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| EP1010203B1 (en) | Method for etching a conductive layer | |
| JPH088243B2 (ja) | 表面クリーニング装置及びその方法 | |
| JP6811202B2 (ja) | エッチングする方法及びプラズマ処理装置 | |
| KR20180032153A (ko) | 플라스마 처리 방법 | |
| JPH1187324A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH1126438A (ja) | アッシング方法 | |
| JP2000357684A (ja) | ガス状汚染物を減少させることによるプラズマ処理の改良 | |
| JPS6113634A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH09223684A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS60120525A (ja) | 反応性イオンエツチング方法 | |
| JPH03109728A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20070077772A1 (en) | Apparatus and method for manufacturing semiconductor device using plasma | |
| JP3263880B2 (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JP3963295B2 (ja) | ケミカルドライエッチング方法 | |
| JPH10229118A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH0786249A (ja) | ドライエッチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040708 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040708 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050415 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050517 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051011 |