JPH11261222A - Manufacture of multilayered wiring board - Google Patents
Manufacture of multilayered wiring boardInfo
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- JPH11261222A JPH11261222A JP7507698A JP7507698A JPH11261222A JP H11261222 A JPH11261222 A JP H11261222A JP 7507698 A JP7507698 A JP 7507698A JP 7507698 A JP7507698 A JP 7507698A JP H11261222 A JPH11261222 A JP H11261222A
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高精細な配線を有
する多層配線基板を生産性良く製造することができる多
層配線基板の製造方法で、配線部の膜厚均一性が良い多
層配線基板の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board having a high definition wiring with high productivity. It relates to a manufacturing method.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体製造技術の飛躍的な発展により、
半導体パッケージの小型化、多ピン化、ファインピッチ
化、電子部品の極小化などが急速に進み、いわゆる高密
度実装の時代に突入した。それに伴って、プリント配線
板も片面配線から両面配線へと進み、さらに多層化、薄
型化が進められている。現在、プリント配線板の銅パタ
ーンの形成には、主としてサブトラクティブ法と、アデ
ィティブ法が用いられている。サブトラクティブ法は、
銅張り積層板に穴を開けた後に、穴の内部と表面に銅メ
ッキを行い、フォトエッチングによりパターンを形成す
る方法である。このサブトラクティブ法は技術的に完成
度は高く、またコストも安いが銅箔の厚さ等による制約
から微細パターンの形成は困難である。一方、アディテ
ィブ法は無電解メッキ用の触媒を含有した積層板上の回
路パターン形成部以外の部分にレジストを形成し、積層
板の露出している部分に無電解銅メッキ等により回路パ
ターンを形成する方法である。このアディティブ法は、
微細パターンの形成が可能であるが、コスト、信頼性の
面で難がある。2. Description of the Related Art With the rapid development of semiconductor manufacturing technology,
The miniaturization of semiconductor packages, the increase in the number of pins, the fine pitch, and the miniaturization of electronic components have rapidly progressed, and the era of so-called high-density mounting has entered. Along with this, printed wiring boards have also shifted from single-sided wiring to double-sided wiring, and further multilayering and thinning have been promoted. At present, a subtractive method and an additive method are mainly used for forming a copper pattern on a printed wiring board. The subtractive method is
After drilling holes in a copper-clad laminate, copper plating is performed on the inside and surface of the holes, and a pattern is formed by photoetching. This subtractive method is technically highly complete and inexpensive, but it is difficult to form a fine pattern due to restrictions such as the thickness of the copper foil. On the other hand, in the additive method, a resist is formed on the part of the laminate containing the catalyst for electroless plating other than the circuit pattern forming part, and a circuit pattern is formed on the exposed part of the laminate by electroless copper plating or the like. How to This additive method is
Although it is possible to form a fine pattern, there are difficulties in terms of cost and reliability.
【0003】多層配線基板の場合には、上記の方法等で
作製した片面あるいは両面のプリント配線板を、ガラス
布にエポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレ
グと一緒に加圧積層する方法が用いられている。この場
合、プリプレグは各層の接着剤の役割をなし、層間の接
続はスルーホールを作製し、内部に無電解メッキ等を施
して行っている。また、高密度実装の進展により、多層
配線基板においては薄型、軽量化とその一方で単位面積
当たりの高い配線能力が要求され、一層当たりの基板の
薄型化、層間の接続や部品の搭載方法等に工夫がなされ
ている。しかしながら、上記のサブトラクティブ法によ
り作製された両面プリント配線板を用いた多層配線基板
の作製は、両面プリント配線板の穴形成のためのドリル
加工の精度と、微細化限界の面から高密度化に限界があ
り、製造コストの低減も困難であった。In the case of a multilayer wiring board, a method of laminating a single-sided or double-sided printed wiring board prepared by the above method or the like together with a prepreg in a semi-cured state in which a glass cloth is impregnated with an epoxy resin or the like is laminated under pressure. Is used. In this case, the prepreg serves as an adhesive for each layer, and a connection between the layers is made by forming a through hole and performing electroless plating or the like inside. In addition, with the progress of high-density mounting, multilayer wiring boards are required to be thinner and lighter, while at the same time high wiring capacity per unit area is required. Ingenuity has been devised. However, the production of a multilayer wiring board using a double-sided printed wiring board manufactured by the above-described subtractive method requires higher density due to the accuracy of drilling for forming holes in the double-sided printed wiring board and the limit of miniaturization. And it was difficult to reduce the production cost.
【0004】一方、薄型、軽量化、高密度配線の要求を
満たすものとして、基材上に導体パターン層と絶縁層と
を順次積層して作製される多層配線基板が開発されてい
る。この多層配線基板は、銅メッキ層のフォトエッチン
グと感光性樹脂のパターニングを交互に行って作製され
るため、高精細な配線と任意の位置での層間接続が可能
となっている。しかしながら、この多層配線基板の作製
は、銅メッキとフォトエッチングを交互に複数回行うた
め、工程が煩雑となり、また、基板上に1 層づつ積み上
げる直列プロセスのため、中間工程でトラブルが発生す
ると、製品の再生が困難となり、製造コストの低減に支
障をきたしていた。さらに従来の多層配線基板において
は、層間の接続がバイアホールを作製することにより行
われていたため、煩雑なフォトリソグラフィー工程が必
要であり、製造コスト低減の妨げとなっていた。On the other hand, a multilayer wiring board which is manufactured by sequentially laminating a conductor pattern layer and an insulating layer on a base material has been developed to satisfy the demand for thinner, lighter weight and higher density wiring. Since this multilayer wiring board is manufactured by alternately performing photo-etching of the copper plating layer and patterning of the photosensitive resin, high-definition wiring and interlayer connection at an arbitrary position are possible. However, the production of this multi-layer wiring board is performed a plurality of times by alternately performing copper plating and photo-etching, which complicates the process.Moreover, if a trouble occurs in an intermediate process due to a series process in which one layer is stacked on the board, Reproduction of the product became difficult, which hindered the reduction of manufacturing costs. Further, in the conventional multilayer wiring board, since the connection between the layers is performed by forming via holes, a complicated photolithography step is required, which hinders a reduction in manufacturing cost.
【0005】配線の微細化、高密度化に対応でき、複雑
な工程を必要とせず、量産に対応できる多層配線基板と
して、本出願人は、すでに、ベース基板上に順次転写さ
れた複数層の配線部を設けた多層配線基板で、各層の配
線部が配線部の下部に形成された絶縁樹脂層によってベ
ース基板あるいは下層の配線部に固着されている多層配
線基板を提案し、同時にその製造方法を提案している。
( 特願平6−220962号)しかし、この多層配線基
板の作製においては、転写用原版に配線部が所定の配線
形状にめっきにより形成され、更に、絶縁樹脂層も転写
用原版作製の段階で配線部上のみに電着で形成されたり
するもので、配線部や絶縁性樹脂層の形成の際、電解集
中の影響でそれらの周辺部は膜厚が厚くなり、膜厚が不
均一になるという問題がある。[0005] As a multilayer wiring board which can cope with miniaturization and high-density wiring, does not require a complicated process, and can cope with mass production, the present applicant has already proposed a multi-layer wiring board which is sequentially transferred onto a base substrate. A multilayer wiring board provided with a wiring portion, wherein the wiring portion of each layer is fixed to a base substrate or a lower wiring portion by an insulating resin layer formed below the wiring portion, and a method of manufacturing the multilayer wiring board is also proposed. Has been proposed.
(Japanese Patent Application No. 6-220962) However, in the production of this multilayer wiring board, the wiring portion is formed on the transfer master by plating in a predetermined wiring shape, and the insulating resin layer is also formed at the stage of manufacturing the transfer master. It is formed by electrodeposition only on the wiring part, and when forming the wiring part and the insulating resin layer, their peripheral parts become thick and uneven due to the effect of electrolytic concentration. There is a problem.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況のもと、配線の微細化、高密度化に対応でき、複雑
な工程を必要とせず、生産性が良く量産に向く多層配線
基板の製造方法で、且つ、品質的にも対応できるものを
提供しようとするものである。具体的には、配線部を形
成した転写用原版を複数版用い、多層配線基板用のベー
ス基板の一面に、各転写用原版を順次圧着して、各配線
部を配線部上に設けられた絶縁性樹脂層を介してベース
基板側に順次転写して多層配線を形成する多層配線基板
の製造方法であって、配線部や絶縁性樹脂層の膜厚均一
性の高い多層配線基板の製造方法を提供しようとするも
のである。SUMMARY OF THE INVENTION Under such circumstances, the present invention can cope with miniaturization and high-density wiring, does not require a complicated process, has high productivity, and is suitable for mass production. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a substrate that can cope with the quality. Specifically, a plurality of transfer masters having wiring portions formed thereon were used, and each transfer master was sequentially pressed on one surface of a base substrate for a multilayer wiring board, and each wiring portion was provided on the wiring portion. What is claimed is: 1. A method for manufacturing a multi-layer wiring board, comprising forming a multi-layer wiring by sequentially transferring to a base substrate via an insulating resin layer, the method comprising: It is intended to provide.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板の
製造方法は、支持体上に所定形状の導電性層からなる配
線部を設けた転写用原版を複数版用い、多層配線基板用
のベース基板の一面に、各転写用原版を順次圧着して、
各配線部をベース基板側に順次転写して配線を形成する
多層配線基板の製造方法であって、転写用原版をベース
基板側へ圧着し、転写用原版の支持体を剥離することに
より転写用原版の配線部をベース基板側へ転写する転写
工程において、転写用原版の配線部側の配線部領域の周
辺領域をマスキング材にて覆ってベース基板と圧着する
ことを特徴とするものである。そして、上記において、
転写用原版の支持体上の配線部は選択めっきにより形成
されるもので、配線部形成のための選択めっきの際に、
配線部とともに配線部の周囲に、所定形状の捨て配線パ
ターンをめっき形成しておき、配線部をベース基板側に
転写する際、前記捨て配線パターン部をマスキング材に
て覆い、捨て配線パターン部のベース基板への転写を防
止しながら、転写を行うことを特徴とするものである。
そしてまた、上記転写用原版は、少なくとも表面部が導
電性の支持体上に、所定形状の導電性層からなる配線
部、あるいは配線部と捨て配線パターンとを設け、且つ
導電性層上に粘着性あるいは接着性を有する絶縁性樹脂
層ないし導電性樹脂層を積層したもので、(a)支持体
の一面上に選択めっきにより配線部あるいは配線部と捨
て配線パターンを形成する導電性層を形成する選択めっ
き工程と、(b)選択めっき工程により形成された導電
性層上に、電着により絶縁性樹脂層ないし導電性樹脂層
を形成する樹脂層形成工程を順に施したものであること
を特徴とするものである。また、上記において、マスキ
ング材として、配線部の配線領域に開口部を持つ、厚さ
10〜100μmの、金属箔を用いることを特徴とする
ものである。あるいは、上記において、マスキング材と
して、配線部の配線領域に開口部を持つ、厚さ10〜1
00μmの、高分子フィルムを用いることを特徴ともの
であり、該高分子フィルムは、200°C以上の耐熱性
を有するものであることを特徴とするものである。According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising the steps of: using a plurality of transfer masters provided with a wiring portion comprising a conductive layer of a predetermined shape on a support; Each transfer original plate is pressed on one side of the base substrate in order,
A method of manufacturing a multilayer wiring board in which each wiring portion is sequentially transferred to a base substrate side to form wiring, wherein a transfer master is pressed against the base substrate side and a support of the transfer master is peeled off. In the transfer step of transferring the wiring portion of the original to the base substrate side, a peripheral region of the wiring portion region on the wiring portion side of the transfer original plate is covered with a masking material and pressure-bonded to the base substrate. And in the above,
The wiring portion on the support of the transfer master is formed by selective plating, and at the time of selective plating for forming the wiring portion,
Around the wiring portion together with the wiring portion, a predetermined shape of a discarded wiring pattern is formed by plating, and when the wiring portion is transferred to the base substrate side, the discarded wiring pattern portion is covered with a masking material, and the discarded wiring pattern portion is formed. The transfer is performed while preventing the transfer to the base substrate.
In addition, the transfer master plate is provided with a wiring portion made of a conductive layer of a predetermined shape, or a wiring portion and a discarded wiring pattern on at least a surface of a conductive support, and has an adhesive on the conductive layer. (A) forming a conductive layer for forming a wiring portion or a wiring portion and a discarded wiring pattern on one surface of a support by selective plating on one surface of a support; And (b) a resin layer forming step of forming an insulating resin layer or a conductive resin layer by electrodeposition on the conductive layer formed by the selective plating step. It is a feature. In the above, a metal foil having an opening in a wiring region of a wiring portion and having a thickness of 10 to 100 μm is used as the masking material. Alternatively, in the above, the masking material has an opening in the wiring region of the wiring portion and has a thickness of 10 to 1 mm.
It is characterized in that a polymer film having a thickness of 00 μm is used, and the polymer film has a heat resistance of 200 ° C. or more.
【0008】[0008]
【作用】本発明の転写用原版の製造方法は、このような
構成にすることにより、特に、配線部の膜厚均一性の高
い転写用原版の製造を可能としており、結果、複雑な工
程を必要とせず、生産性が良く量産に向く、転写用原版
を用いた多層配線基板の製造方法で、配線の微細化、高
密度化に対応でき、且つ、配線部の膜厚均一性の高い多
層配線基板の製造を可能としている。具体的には、支持
体上に所定形状の導電性層からなる配線部を設けた転写
用原版を複数版用い、多層配線基板用のベース基板の一
面に、各転写用原版を順次圧着して、各配線部をベース
基板側に順次転写して配線を形成する多層配線基板の製
造方法であって、転写用原版をベース基板側へ圧着し、
転写用原版の支持体を剥離することにより転写用原版の
配線部をベース基板側へ転写する転写工程において、転
写用原版の配線部側の配線部領域の周辺領域をマスキン
グ材にて覆ってベース基板と圧着することにより、更に
また、該転写用原版の支持体上の配線部は選択めっきに
より形成されるもので、配線部形成のための選択めっき
の際に、配線部とともに配線部の周囲に、所定形状の捨
て配線パターンをめっき形成しておき、配線部をベース
基板側に転写する際、前記捨て配線パターン部をマスキ
ング材にて覆い、捨て配線パターン部のベース基板への
転写を防止しながら、転写を行うことにより、これを達
成している。即ち、マスキング材により、転写の際に、
配線部全領域に対し、支持体の面とベース基板の面との
間隔をほぼ同じに保ちながら、圧着することができ、配
線部全領域にわたり転写を均一に行うことを可能として
いる。According to the method of manufacturing a transfer master of the present invention, by adopting such a structure, it is possible to manufacture a transfer master having high uniformity of the film thickness of a wiring portion. A multi-layer wiring board manufacturing method using a transfer master that is not required, is suitable for mass production, and can respond to miniaturization and high density of wiring, and has high uniformity of the film thickness of the wiring part. It enables the manufacture of wiring boards. Specifically, using a plurality of transfer masters provided with a wiring portion made of a conductive layer of a predetermined shape on a support, and sequentially pressing each transfer master on one surface of a base substrate for a multilayer wiring board. A method of manufacturing a multilayer wiring board in which wiring portions are sequentially transferred to a base substrate side to form wiring, and a transfer original plate is pressure-bonded to the base substrate side;
In the transfer step of transferring the wiring portion of the transfer master to the base substrate side by peeling off the support of the transfer master, the peripheral region of the wiring portion region on the wiring portion side of the transfer master is covered with a masking material to form a base. By press-bonding to the substrate, the wiring portion on the support of the transfer master is formed by selective plating. In order to prevent the transfer of the discarded wiring pattern portion to the base substrate, cover the discarded wiring pattern portion with a masking material when transferring the wiring portion to the base substrate side. Meanwhile, this is achieved by performing the transfer. In other words, by the masking material, at the time of transfer,
Pressure bonding can be performed on the entire area of the wiring portion while keeping the distance between the surface of the support and the surface of the base substrate substantially the same, thereby enabling uniform transfer over the entire area of the wiring portion.
【0009】更に、転写用原版の支持体上の配線部は選
択めっきにより形成されるもので、配線部作成のための
選択めっきの際に、配線部とともに配線部の周囲に、所
定形状の捨て配線パターンをめっき形成しておくことに
より、配線部のめっき膜の均一性を良いものにしてい
る。Further, the wiring portion on the support of the transfer original plate is formed by selective plating. In the selective plating for forming the wiring portion, a predetermined shape of the wiring portion is disposed around the wiring portion together with the wiring portion. By forming the wiring pattern by plating, the uniformity of the plating film in the wiring portion is improved.
【0010】また、転写用原版の具体的な製造方法とし
ては、(a)支持体の一面上に選択めっきにより配線部
あるいは配線部と捨て配線パターンを形成する導電性層
を形成する選択めっき工程と、(b)選択めっき工程に
より形成された導電性層上に、電着により絶縁性樹脂層
ないし導電性樹脂層を形成する樹脂層形成工程を順に施
す方法が挙げられる。特に、この方法によると、配線部
周辺に捨て配線パターンを設けておくと、めっきに形成
よる配線部の導電性層の厚さ、および、該導電性層上に
形成される配線部転写用の粘着性ないし接着性を有する
絶縁性樹脂あるいは導電性樹脂の厚さを均一性良く形成
できる。Further, a specific method of manufacturing the transfer master includes (a) a selective plating step of forming a conductive layer for forming a wiring portion or a wiring portion and a waste wiring pattern on one surface of a support by selective plating. And (b) sequentially performing a resin layer forming step of forming an insulating resin layer or a conductive resin layer by electrodeposition on the conductive layer formed by the selective plating step. In particular, according to this method, if a discarded wiring pattern is provided around the wiring portion, the thickness of the conductive layer of the wiring portion formed by plating, and the transfer of the wiring portion formed on the conductive layer for transfer are performed. The thickness of the insulating resin or conductive resin having tackiness or adhesiveness can be formed with good uniformity.
【0011】マスキング材として、配線部の配線領域に
開口部を持つ厚さ10〜100μmの金属箔、配線部の
配線領域に開口部を持つ厚さ10〜100μmの、高分
子フィルムが適用でき、特に、圧着時の温度に対する耐
熱性を高くするため、該高分子フィルムは、200°C
以上の耐熱性を有するものが、導電層からなる配線部の
転写性の面から好ましい。As the masking material, a metal foil having a thickness of 10 to 100 μm having an opening in the wiring region of the wiring portion and a polymer film having a thickness of 10 to 100 μm having an opening in the wiring region of the wiring portion can be applied. In particular, in order to increase the heat resistance against the temperature at the time of pressing, the polymer film has a temperature of 200 ° C.
Those having the above heat resistance are preferable from the viewpoint of transferability of the wiring portion made of the conductive layer.
【0012】結局、本発明の配線基板の製造方法は、各
転写用原版の配線部をベース基板側に順次転写して配線
を形成する、配線基板の製造方法で、複雑な工程を必要
とせず、生産性が良く量産に対応できるものとしてお
り、更には、配線の微細化、高密度化に対応できるとと
もに、配線部の膜厚均一性の高い多層配線基板の製造を
可能としている。After all, the method of manufacturing a wiring board according to the present invention is a method of manufacturing a wiring board in which the wiring portions of the respective transfer masters are sequentially transferred to the base substrate side to form wiring, and does not require complicated steps. In addition, it is possible to cope with mass production with good productivity, and furthermore, it is possible to cope with miniaturization and high density of wiring, and it is possible to manufacture a multilayer wiring board with high uniformity of a film thickness of a wiring portion.
【0013】尚、配線部を選択めっきにより形成せず、
且つ、捨て配線パターンを設けない場合でも、転写用原
版の支持体の一面上に設けられた導電性層からなる薄膜
上に、配線部の形状に合わせた所定形状の粘着性ないし
接着性を有する樹脂層を形成しておき、これをマスクと
して、導電性層をエッチングして配線部を形成しても、
配線部の配線の膜厚均一性も良い転写用配線板が形成で
きる。勿論、上記粘着性ないし接着性を有する樹脂層を
介してベース基板側に配線部を転写するものである。こ
の場合、支持体上への導電性層からなる薄膜の形成は、
支持体と銅箔等の金属箔を貼り合わせてもよいし、ま
た、支持体上へ無電解めっきを施し、さらにこの上に電
解めっきを施して形成してもよく、また、表面導電性の
支持体を用い、この上に電解めっきにより形成しても良
い。そして、所定形状の粘着性ないし接着性を有する樹
脂層の形成は、フォトリソグラフィー法、エッチング
法、ディスペンス法、印刷法等により行うことができ
る。Note that the wiring portion is not formed by selective plating,
In addition, even when a discarded wiring pattern is not provided, a predetermined shape of tackiness or adhesion conforming to the shape of the wiring portion is provided on a thin film made of a conductive layer provided on one surface of the support of the transfer master. Even if a resin layer is formed and the conductive layer is etched using the mask as a mask to form a wiring portion,
A transfer wiring board having good uniformity of the wiring thickness of the wiring in the wiring portion can be formed. Of course, the wiring portion is transferred to the base substrate side via the above-mentioned adhesive or adhesive resin layer. In this case, the formation of the thin film composed of the conductive layer on the support,
The support may be bonded to a metal foil such as a copper foil, or may be formed by applying electroless plating on the support, and then applying electrolytic plating thereon. A support may be used and formed thereon by electrolytic plating. The resin layer having a predetermined shape having tackiness or adhesiveness can be formed by a photolithography method, an etching method, a dispensing method, a printing method, or the like.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】先ず、本発明の転写用原版の製造
方法の実施の形態を挙げ、図に基づいて説明する。図1
は、実施の形態の1例を示した工程図で、図2は転写用
原版の構成を示した平面図で、図3はマスキング材を示
した平面図である。図1における点線内の図1(a)〜
図1(f)は転写用原版201による転写工程(S11
0の転写工程)の概略工程を示した工程断面図であ
り、S110〜S130は処理ステップを示すものであ
る。また、図2における点線内領域210は配線部の領
域を示したもので、図3における点線内領域210Aは
配線部の領域のサイズを示し、点線内領域200Aは転
写用原版の領域のサイズを示したものである。図1〜図
3中、110は(転写用原版の)支持体、120はレジ
スト、125は開口、130は導電性層、131は配
線、135は捨て配線パターン、140は絶縁性樹脂
層、160はマスキング材、180は(多層配線基板用
の)ベース基板、200、201、202、203は転
写用原版、200Aは転写用原版の領域サイズ、210
は配線部の領域、210Aは配線部の領域サイズを示し
たものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, an embodiment of a method for producing a transfer master according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.
Is a process diagram showing an example of the embodiment, FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a transfer master, and FIG. 3 is a plan view showing a masking material. 1 (a) to 1 within the dotted line in FIG.
FIG. 1F shows a transfer process using the transfer master 201 (S11).
0 is a process cross-sectional view illustrating a schematic process (a transfer process of No. 0), and S110 to S130 indicate processing steps. 2 shows the area of the wiring section, the area 210A in the dotted line in FIG. 3 shows the size of the area of the wiring section, and the area 200A in the dotted line shows the size of the area of the transfer original. It is shown. 1 to 3, reference numeral 110 denotes a support (of a transfer original), 120 denotes a resist, 125 denotes an opening, 130 denotes a conductive layer, 131 denotes a wiring, 135 denotes a waste wiring pattern, 140 denotes an insulating resin layer, 160 Is a masking material, 180 is a base substrate (for a multilayer wiring board), 200, 201, 202, and 203 are transfer masters, 200A is a transfer master area size, 210
Indicates the area of the wiring section, and 210A indicates the area size of the wiring section.
【0015】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の
形態の1例を、図1に基づいていて説明する。図1に示
す例は、支持体上に所定形状の導電性層からなる配線部
を設けた転写用原版を3版(201、202、203)
用い、多層配線基板用のベース基板180の一面に、各
転写用原版を順次圧着して、各配線部をベース基板側に
順次転写して配線を形成する多層配線基板の製造方法の
例で、各転写用原版をベース基板180側へ圧着し、転
写用原版の支持体を剥離することにより転写用原版の配
線部をベース基板側へ転写する転写工程において、転写
用原版の配線部側の配線部領域以外の領域をマスキング
材160にて覆ってベース基板180と圧着するもので
ある。そして、ここで用いられる各転写用原版には転写
するための配線部とともに転写する所定の配線部の周囲
に、配線部を形成するのと同じ導電性層からなる捨て配
線パターンを設けられており、更に、支持体上の配線部
と捨て配線パターン上に粘着性あるいは接着性を有する
絶縁性樹脂層を積層している。転写する際、各転写用原
版の配線部側の配線部領域以外の前記捨て配線パターン
部をマスキング材にて覆い、捨て配線パターン部のベー
ス基板への転写を防止している。One embodiment of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention will be described with reference to FIG. In the example shown in FIG. 1, a transfer master having a wiring portion made of a conductive layer having a predetermined shape provided on a support is prepared in three plates (201, 202, and 203).
An example of a method for manufacturing a multilayer wiring board in which each transfer master is sequentially pressed on one surface of a base substrate 180 for a multilayer wiring board to form wiring by sequentially transferring each wiring portion to the base substrate side. In the transfer step of pressing each transfer master to the base substrate 180 side and peeling the support of the transfer master to transfer the wiring section of the transfer master to the base substrate side, the wiring on the wiring section side of the transfer master is used. The region other than the region is covered with the masking material 160 and pressure-bonded to the base substrate 180. Each transfer original used here is provided with a discarded wiring pattern made of the same conductive layer as that for forming the wiring portion around a predetermined wiring portion to be transferred together with the wiring portion for transfer. Further, an insulating resin layer having tackiness or adhesiveness is laminated on the wiring portion on the support and the discarded wiring pattern. During transfer, the discarded wiring pattern portion other than the wiring portion region on the wiring portion side of each transfer master is covered with a masking material to prevent transfer of the discarded wiring pattern portion to the base substrate.
【0016】図1に示す例は、まずベース基板180の
一面に転写用原版201を圧着して、支持体を剥離して
配線部をベース基板180側に転写し(S110)、次
いで、ベース基板180の転写用原版201の配線部が
形成された側の面に、同様にして、転写用原版202の
配線部を転写し(S120)、更に、ベース基板180
の転写用原版201、202の配線部が形成された側の
面に、同様にして転写用原版203の配線部を転写形成
して(S130)、配線部を3層とする多層配線基板を
形成するものであるが、いずれの転写工程においても捨
て配線パターン部をマスキング材で覆い、圧着して配線
部のみを転写するものであり、以下は、転写用原版20
1の転写工程のみを図1(a)〜図1(f)で説明し、
転写用原版202、203の転写工程はこれに準じるも
ので、これらの説明は省略する。In the example shown in FIG. 1, the transfer master 201 is first pressed against one surface of the base substrate 180, the support is peeled off, and the wiring portion is transferred to the base substrate 180 (S110). Similarly, the wiring portion of the transfer original plate 202 is transferred to the surface of the transfer original plate 201 on the side where the wiring portion is formed (S120).
Similarly, the wiring portions of the transfer master 203 are transferred and formed on the surface of the transfer masters 201 and 202 on which the wiring portions are formed (S130), thereby forming a multilayer wiring board having three wiring portions. However, in any of the transfer steps, the discarded wiring pattern portion is covered with a masking material and pressed to transfer only the wiring portion.
Only the transfer step 1 will be described with reference to FIGS.
The transfer process of the transfer masters 202 and 203 is similar to this, and the description thereof is omitted.
【0017】転写用原版201の転写工程(S110の
転写工程)を以下のようにして行う。先ず、表面が導
電性の支持体110(図1(a))上に、耐めっき性の
レジスト120を配線部の形状に合わせた所定の形状に
形成する。(図1(b)) 支持体としては、ステンレス基板(SUS304)等が
用いられるが、特にこれに限定はされないが、配線剥離
性が良いものが好ましい。レジスト120としては、め
っき耐性があり、処理性の良いものが好ましい。次い
で、レジストの開口125にめっきにより、導電性層を
形成する。(図1(c)) 配線部131および捨て配線パターン135とを同時に
めっき形成する。配線部等を形成する導電性層130と
しては、導電性やコスト的な面からはめっき銅が好まし
いが、必要に応じて、Ni(ニッケル)、Au(金)、
Cr(クロム)、Ag(銀)、Pt(白金)等でも良
く、その厚さは配線の幅にもよるが1μm以上は必要で
ある。次いで、導電性層130からなる配線131や捨
て配線パターン135上に、絶縁性樹脂層140を電着
形成する。(図1(d))The transfer step of the transfer master 201 (the transfer step of S110) is performed as follows. First, a plating-resistant resist 120 is formed on a support 110 having a conductive surface (FIG. 1A) in a predetermined shape corresponding to the shape of the wiring portion. (FIG. 1 (b)) As the support, a stainless steel substrate (SUS304) or the like is used. However, the support is not particularly limited, but a material having good wiring releasability is preferable. As the resist 120, a resist having plating resistance and good processability is preferable. Next, a conductive layer is formed in the opening 125 of the resist by plating. (FIG. 1C) The wiring portion 131 and the discarded wiring pattern 135 are simultaneously formed by plating. As the conductive layer 130 forming the wiring portion and the like, plated copper is preferable in terms of conductivity and cost, but if necessary, Ni (nickel), Au (gold),
Cr (chromium), Ag (silver), Pt (platinum) or the like may be used, and its thickness depends on the width of the wiring, but needs to be 1 μm or more. Next, an insulating resin layer 140 is electrodeposited on the wiring 131 and the discarded wiring pattern 135 made of the conductive layer 130. (Fig. 1 (d))
【0018】絶縁樹脂層140は、配線131上に電着
により設けられたものをそのまま接着剤層として用いた
ものであり、金属配線131の形成と絶縁樹脂層140
の形成を連続して行うことができ、これにより量産性の
良いものとなる。絶縁樹脂層140は、電着性を持ち、
常温もしくは、加熱により粘着性を示すものであれば良
く、例えば、使用する高分子としては、粘着性を有する
アニオン性、またはカチオン性合成高分子樹脂を挙げる
ことができる。The insulating resin layer 140 is formed by using an electrode layer provided on the wiring 131 by electrodeposition as it is as an adhesive layer.
Can be continuously formed, thereby improving mass productivity. The insulating resin layer 140 has an electrodeposition property,
Any polymer may be used as long as it exhibits tackiness at normal temperature or when heated, and examples of the polymer used include anionic or cationic synthetic polymer resins having tackiness.
【0019】アニオン性合成高分子樹脂としては、アク
リル性樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ボ
リブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任
意の組合せによる混合物として使用できる。さらに、上
記のアニオン性合成樹脂とメラミン樹脂、フエノール樹
脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用しても良い。
また、カチオン性合成高分子樹脂としては、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、ある
いは、これらの任意の組合せによる混合物として使用で
きる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリ
エステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂を併用して
も良い。また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するた
めに、ロジン系、テルペン系、石油樹脂等の粘着性付与
樹脂を必要に応じて添加することも可能である。上記高
分子樹脂は、アルカリ性または酸性物質により中和して
水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供
される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリ
メチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールア
ミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモ
ニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。カチオン
性合成高分子樹脂は、酢酸、ぎ酸、プロピオン酸、乳酸
等の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化され
た高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈
された状態で使用される。As the anionic synthetic polymer resin, an acrylic resin, a polyester resin, a maleated oil resin, a polybutadiene resin, an epoxy resin, a polyamide resin, a polyimide resin, etc., alone or in any combination of these resins Can be used as a mixture. Further, the above-mentioned anionic synthetic resin may be used in combination with a crosslinkable resin such as a melamine resin, a phenol resin and a urethane resin.
In addition, as the cationic synthetic polymer resin, an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, a polybutadiene resin, a polyamide resin, a polyimide resin, or the like can be used alone or as a mixture of any combination thereof. Further, the above cationic synthetic polymer resin and a crosslinkable resin such as a polyester resin and a urethane resin may be used in combination. Further, in order to impart tackiness to the polymer resin, a tackifying resin such as a rosin-based resin, a terpene-based resin, or a petroleum resin can be added as necessary. The polymer resin is subjected to an electrodeposition method in a state of being neutralized by an alkaline or acidic substance and solubilized in water, or in a water-dispersed state. That is, the anionic synthetic polymer resin is neutralized with amines such as trimethylamine, diethylamine, dimethylethanolamine, and diisopropanolamine, and with an inorganic alkali such as ammonia and potassium hydroxide. The cationic synthetic polymer resin is neutralized with an acid such as acetic acid, formic acid, propionic acid, and lactic acid. Then, the polymer resin solubilized in the neutralized water is used in a state of being diluted with water as a water dispersion type or a solution type.
【0020】次いで、図1(d)で作成された転写用原
版100の配線部側を多層配線基板用のベース基板11
0に向け、マスキング材160を介して、転写用原版1
00とベース基板180とを圧着する。(図1(e)) マスキング材160は配線部の周囲に設けられており、
これにより、配線部全領域に対し、支持体の面とベース
基板の面との間隔をほぼ同じに保ちながら、圧着するこ
とができる。マスキング材として、配線部の配線領域に
開口部を持つ厚さ10〜100μmの厚さの均一性が良
い金属箔、配線部の配線領域に開口部を持つ厚さ10〜
100μmの、厚さの均一性が良い高分子フィルム等が
適用でき、特に、圧着時の温度に対する耐熱性を高くす
るため、該高分子フィルムは、200°C以上の耐熱性
を有するものが、導電層からなる配線部の転写性の面か
ら好ましい。Next, the wiring portion side of the transfer original plate 100 formed in FIG.
Transfer master 1 via masking material 160 toward 0
00 and the base substrate 180 are crimped. (FIG. 1E) The masking material 160 is provided around the wiring portion.
Thereby, it is possible to perform pressure bonding on the entire area of the wiring portion while keeping the distance between the surface of the support and the surface of the base substrate substantially the same. As a masking material, a metal foil having an opening in the wiring region of the wiring portion having a thickness of 10 to 100 μm having a good uniformity, and a thickness of 10 to 10 μm having an opening in the wiring region of the wiring portion.
A polymer film having a uniform thickness of 100 μm or the like can be applied. In particular, in order to increase the heat resistance against the temperature at the time of pressing, the polymer film has a heat resistance of 200 ° C. or higher. This is preferable from the viewpoint of transferability of the wiring portion made of a conductive layer.
【0021】次いで支持体110側をベース基板110
側から分離させることにより、配線部(配線131)の
みをベース基板側に絶縁性樹脂層140を介して、転写
形成することができる。(図1(f)) マスキング材160は、捨てパターン135側に、絶縁
性樹脂層140を介して接着され、ベース基板110に
は残らない。このようにして、配線部全領域にわたり転
写を均一に行うことができる。Next, the support 110 side is connected to the base substrate 110.
By separating from the side, only the wiring portion (wiring 131) can be transferred and formed on the base substrate side via the insulating resin layer 140. (FIG. 1F) The masking material 160 is adhered to the disposal pattern 135 side via the insulating resin layer 140 and does not remain on the base substrate 110. In this way, the transfer can be performed uniformly over the entire area of the wiring portion.
【0022】このようにして、転写用原版201の配線
部をベース基板側に転写した後、同様にして、転写用原
版202の配線部をベース基板180の転写用原版20
1の配線部が形成された側の面に転写形成し(S120
の転写工程)、更に同様にして、転写用原版203の
配線部をベース基板180の転写用原版201、202
の配線部が形成された側の面に転写形成する。(S13
0の転写工程) このようにして、配線部を3層とする多層配線基板を得
る。After the wiring portion of the transfer master 201 has been transferred to the base substrate in this manner, the wiring portion of the transfer master 202 is similarly transferred to the transfer master 20 of the base substrate 180.
1 is transferred to the surface on which the wiring portion 1 is formed (S120).
In the same manner, the wiring portions of the transfer master 203 are transferred to the transfer masters 201 and 202 of the base substrate 180.
Is formed on the surface on the side where the wiring portion is formed. (S13
0 transfer process) In this way, a multilayer wiring board having three wiring portions is obtained.
【0023】(変形例)図1に示す例は配線部を3層と
するものであるが、変形例としては、転写用原版を2版
を用いて配線部を2層としても良いし、転写用原版を4
版以上用いて配線部を4層以上としても良い。勿論、同
様にして、転写用原版を1版のみ用いて配線部を1層と
した配線基板の作製も可能である。(Modification) In the example shown in FIG. 1, the wiring portion has three layers. However, as a modification, the transfer master may be formed by using two plates and the wiring portion may be formed by two layers. 4 for master
It is also possible to use four or more layers by using a plate or more. Of course, in the same manner, it is also possible to manufacture a wiring board having only one wiring master and a wiring portion using only one transfer master.
【0024】図1に示す例の場合は支持体の表面が導電
性を有することが必要であるが、例えば、支持体上に他
の転写用原版から、配線部や捨て配線パターンを転写し
て形成する場合には、必ずしも支持体は導電性を有する
必要はない。この場合には、支持体としては、高分子フ
ィルム、金属基板、ガラス基板等、特に限定はされな
い。また、図1の例における支持体としては、全体を導
電性せず、配線部を形成する側の面のみを導電性を有す
るように加工したものでも良い。また、図1の例におけ
る絶縁性樹脂層140の形成を、電着以外の形成によ
り、例えば、ディスペンス法や印刷法等により、行って
もマスキングの効果は得られる。In the case of the example shown in FIG. 1, it is necessary that the surface of the support has conductivity. For example, by transferring a wiring portion or a discarded wiring pattern from another transfer master onto the support. When formed, the support does not necessarily need to have conductivity. In this case, the support is not particularly limited, such as a polymer film, a metal substrate, and a glass substrate. In addition, the support in the example of FIG. 1 may be processed so that only the surface on which the wiring portion is to be formed has conductivity without making the whole conductive. The masking effect can be obtained even if the insulating resin layer 140 in the example of FIG. 1 is formed by a method other than electrodeposition, for example, by a dispensing method or a printing method.
【0025】図2は、転写用原版200における、配線
部領域210と捨てパターン領域220との配置を示し
たもので、配線部領域210の周辺全体に捨てパターン
領域220を設けている。図3は、マスキング材の形
状、サイズを配線部領域サイズ210Aおよび転写用原
版領域サイズ200Aと対比して示したものである。マ
スキング材は、転写用原版200の捨て配線パターン2
20全体を覆い、且つ、配線部領域210Aに達しない
もので、転写に際し、配線部周囲の捨てパターンのベー
ス基板110への転写も防止している。FIG. 2 shows the arrangement of the wiring section area 210 and the discard pattern area 220 in the transfer master 200. The discard pattern area 220 is provided all around the wiring section area 210. FIG. 3 shows the shape and size of the masking material in comparison with the wiring section area size 210A and the transfer original area size 200A. The masking material is a discarded wiring pattern 2 of the transfer master 200.
20 and does not reach the wiring area 210A, thereby preventing the transfer of the discarded pattern around the wiring section to the base substrate 110 during the transfer.
【0026】[0026]
【実施例】(実施例)実施例は、図1に示す工程によ
り、転写用配線基板を3版(201、202、203に
相当)用い、各転写用原版の配線部をベース基板側に順
次転写して多層配線基板を形成したものである。図1に
基づいて以下説明する。まず、各転写用原版201を以
下のようにして作製した。転写用原版の支持体110と
して0.1mm厚のステンレス板を準備し(図1
(a))、このステンレス板上に市販のフォトレジスト
( 東京応化工業株式会社製 OMR−85)をスピンコ
ート法により膜厚約1μmに塗布し、オーブンで85°
C、30分間乾燥を行った後、所定の絵柄を設けたフォ
トマスクを用い、露光装置P−202−G(大日本スク
リーン製造株式会社製)にて、密着露光を行い、次いで
現像、水洗、乾燥を行い、配線部と捨て配線パターンを
作成する領域のみを露出させるように、所定の絵柄にレ
ジスト120を形成した(図1(b))。露光条件は、
30countとした。次いで、レジスト120を形成
した支持体110と含燐銅電極を対向させて下記の組成
の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽極に含燐銅
電極を陰極に支持体110を接続し、電流密度2A/d
m2 で24分間の通電を行い、レジスト120で被覆さ
れていない支持体110の露出部に膜厚約10μmの銅
メッキ膜をめっき形成し、これを導電性層130とし
た。(図1(c)) (硫酸酸銅メッキ浴の組成) CuSO4 ・5H2 O 200g/l H2 SO4 50g/l HCl 0.15ml/l(Clとして60ppm)(Example) In the example, according to the process shown in FIG. 1, the transfer wiring board is used in three plates (corresponding to 201, 202 and 203), and the wiring portions of each transfer master are sequentially placed on the base substrate side. The multilayer wiring board is formed by transfer. This will be described below with reference to FIG. First, each transfer master 201 was prepared as follows. A 0.1 mm-thick stainless steel plate was prepared as the support 110 of the transfer master (FIG. 1).
(A)) Commercially available photoresist on this stainless plate
(OMR-85, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied to a thickness of about 1 μm by spin coating, and then 85 ° in an oven.
C, after drying for 30 minutes, using a photomask provided with a predetermined pattern, performing contact exposure with an exposure device P-202-G (manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.), and then developing, washing with water, Drying was performed, and a resist 120 was formed on a predetermined pattern so as to expose only a wiring portion and a region where a discarded wiring pattern was formed (FIG. 1B). Exposure conditions are
30 count was set. Next, the support 110 on which the resist 120 is formed and the phosphor-containing copper electrode are opposed to each other, and immersed in a copper sulfate plating bath having the following composition, and the phosphor-containing copper electrode is connected to the anode of the DC power supply, and the support 110 is connected to the cathode. , Current density 2A / d
A current of m 2 was applied for 24 minutes, and a copper plating film having a thickness of about 10 μm was formed on the exposed portion of the support 110 which was not covered with the resist 120 by plating. (FIG. 1 (c)) 2 (sulfate copper composition of the plating bath) CuSO 4 · 5H O 200g / l H 2 SO 4 50g / l HCl 0.15ml / l (60ppm as Cl)
【0027】次いで、めっき形成した導電性層上に、電
着により絶縁接着層(絶縁性樹層140)を形成し、転
写用原版200を作製した。(図1(d)) 絶縁性樹層140の電着は、導電性層140を形成した
支持体110と白金電極とを対向させて、下記のように
して作成された電着液に浸漬し、直流電源の陽極に支持
体110を陰極に白金電極をそれぞれ接続し、150V
の電圧で10分間の電着を行い、これを150°C、5
分間ホットプレートで乾燥して、導電性層上に厚さ30
μmの絶縁性樹脂層140(絶縁性接着層)を形成し
た。Next, an insulating adhesive layer (insulating resin layer 140) was formed by electrodeposition on the plated conductive layer, and a transfer master plate 200 was prepared. (FIG. 1 (d)) The electrodeposition of the insulating resin layer 140 is performed by immersing the support 110 on which the conductive layer 140 is formed and the platinum electrode to face each other, and immersing the electrodepositing solution prepared as described below. The support 110 was connected to the anode of the DC power supply, the platinum electrode was connected to the cathode,
Electrodeposition for 10 minutes at 150 ° C, 5
Dried on a hot plate for 30 minutes,
A μm insulating resin layer 140 (insulating adhesive layer) was formed.
【0028】以下のようにポリイミドワニスを作製し、
電着液の調整を行った。 <ポリイミドワニスの製造>11容量の三つ口セパラブ
ルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器,窒素導入管及
びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管
をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しな
がら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフ
ラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。3、
4、3’、4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無
水物(以後BTDAと呼ぶ)32.22g(0.lモ
ル)、ビス(4−(3‐アミノフェノキシ)フェニル)
スルホン(m‐BAPS)21.63g(0.05モ
ル),パレロラクトン1.5g(0.015モル)、ピ
リジン2.4g(0.03モル)、NMP(Nメチル2
ピロリドンの略)200g、トルエン30gを加えて、
窒素を通じながらシリコン浴中,室温で30分撹件(2
00rpm)、ついで昇温して180℃、l時間、20
0rpmに攪拌しながら反応させる。トルエン−水流出
分15mlを除去し、空冷して、BTDA6.11g
(0.05モル)、3、5ジアミノ安息香酸(以後DA
Bzと呼ぶ)15.216g(0.1モル)、NMP1
19g、トルエン30gを添加し、室温で30分攪拌し
たのち(200rpm)、次いで昇温して180℃に加
熱攪拌しトルエンー水流出分15mlを除去する。その
後、トルエンー水流出分を系外に除きながら、180
℃、3時間、加熱、撹拌して反応を終了した。20%ポ
リイミドワニスを得た。酸当量(l個のC00Hあたり
のボリマー量は1554)は70である。 <電着液の調製>20%濃度ポリイミドワニス100g
に3SN(NMP:テトラヒドロチオフェンー1、l−
ジオキシド=l:3(重量)の混合溶液)150g、ベ
ンジルアルコール75g、メチルモルホリン5.0g
(中和率200%)、水30gを攪拌して水性電着液を
調製する。得られた水性電着液は、ポリイミド7.4
%、pH7.8、暗赤褐色透明液である。A polyimide varnish was prepared as follows.
The electrodeposition liquid was adjusted. <Production of Polyimide Varnish> A stainless steel squirrel stirrer, a nitrogen inlet tube, and a reflux condenser equipped with a cooling tube with a ball on a trap with a stopcock are attached to an 11-volume three-neck separable flask. While flowing in a nitrogen stream, the separable flask was placed in a silicone bath equipped with a temperature controller and heated. The reaction temperature is indicated by bath temperature. 3,
32.22 g (0.1 mol) of 4,3 ′, 4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (hereinafter referred to as BTDA), bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl)
21.63 g (0.05 mol) of sulfone (m-BAPS), 1.5 g (0.015 mol) of palerolactone, 2.4 g (0.03 mol) of pyridine, NMP (N methyl 2
200 g of toluene and 30 g of toluene,
Stir at room temperature for 30 minutes in a silicon bath while passing nitrogen (2
00 rpm), and then the temperature was raised to 180 ° C. for 1 hour for 20 hours.
The reaction is carried out while stirring at 0 rpm. After removing 15 ml of toluene-water effluent, air-cooled and 6.11 g of BTDA
(0.05 mol) 3,5 diaminobenzoic acid (DA
15.216 g (0.1 mol), NMP1
19 g and 30 g of toluene are added, and the mixture is stirred at room temperature for 30 minutes (200 rpm). Then, the temperature is raised and the mixture is heated and stirred at 180 ° C. to remove 15 ml of toluene-water effluent. Then, while removing the toluene-water effluent from the system, 180
The reaction was completed by heating and stirring at 3 ° C. for 3 hours. A 20% polyimide varnish was obtained. The acid equivalent (the amount of polymer per 1 C00H is 1554) is 70. <Preparation of electrodeposition liquid> 100 g of 20% concentration polyimide varnish
3SN (NMP: tetrahydrothiophene-1, l-
Dioxide = 1: 3 (weight) mixed solution) 150 g, benzyl alcohol 75 g, methylmorpholine 5.0 g
(Neutralization rate: 200%) and 30 g of water are stirred to prepare an aqueous electrodeposition solution. The obtained aqueous electrodeposition solution was prepared using polyimide 7.4.
%, PH 7.8, is a dark reddish brown transparent liquid.
【0029】次いで、上記で作成した転写用原版200
を100μm 厚のステンレス基板からなるベース基板1
80上に圧着を行った(図1(e)) 圧着する際、マスキング材160として、図3に示すよ
うな、必要な配線部領域を開口し、且つ、配線部領域周
辺の捨て配線パターンを覆う厚さ25μmのポリイミド
フィルム転写用原版200とベース基板180との間に
挿入して行った。圧着の条件は、温度200°C、圧力
10Kgf/cm2 で行った。次いで、常温下でベース
基板180から転写用原版の支持体110側を剥離し、
ベース基板180上に配線パターンを形成した。(図1
(f))Next, the transfer master plate 200 prepared above is prepared.
Is a base substrate 1 made of a 100 μm thick stainless steel substrate.
(FIG. 1E) At the time of pressure bonding, as a masking material 160, a necessary wiring portion region is opened as shown in FIG. 3 and a discarded wiring pattern around the wiring portion region is formed. The insertion was performed between the 25 μm-thick polyimide film transfer master 200 and the base substrate 180. The pressure bonding was performed at a temperature of 200 ° C. and a pressure of 10 kgf / cm 2 . Next, the support 110 side of the transfer master is separated from the base substrate 180 at room temperature,
A wiring pattern was formed on the base substrate 180. (Figure 1
(F))
【0030】次いで、転写用原版201の作製と同様に
して、転写用原版202、203を形成し、ベース基板
180の転写用原版201の配線部が転写形成された側
の面に、順に、それぞれの配線部を転写形成して、多層
配線基板を得た。転写用原版202、203の転写は、
転写用原版201の転写条件と同じにして行った。Next, in the same manner as in the production of the transfer master 201, transfer masters 202 and 203 are formed, and the base plate 180 is sequentially placed on the surface of the transfer master 201 on which the wiring portion has been formed by transfer. Was transferred to form a multilayer wiring board. The transfer of the transfer masters 202 and 203
The transfer was performed under the same conditions as the transfer conditions of the transfer master 201.
【0031】[0031]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
転写用原版の配線部側の配線部領域の周囲の領域をマス
キング材にて覆って多層配線基板用のベース基板と圧着
することにより、転写を均一に行うことができるものと
しており、更にまた、転写用原版の支持体上の配線部は
選択めっきにより形成されるもので、配線部作成のため
の選択めっきの際に、配線部とともに配線部の周囲に、
所定形状の捨て配線パターンをめっき形成しておき、配
線部をベース基板側に転写する際、前記捨て配線パター
ン部をマスキング材にて覆い、捨て配線パターン部のベ
ース基板への転写を防止しながら転写を行うことによ
り、配線部の膜厚の均一性を良いものとでき、且つ、配
線部のみの転写を可能としている。結局、本発明は、複
雑な工程を必要とせず、生産性良く量産に向く、転写用
原版を用いた多層配線基板の製造方法で、配線の微細
化、高密度化に対応でき、且つ、配線部の膜厚均一性の
高い配線基板の製造ができる多層配線基板の製造方法の
提供を可能としている。As described in detail above, according to the present invention,
By covering the area around the wiring section area on the wiring section side of the transfer original plate with a masking material and pressing it on a base substrate for a multilayer wiring board, the transfer can be performed evenly. The wiring part on the support of the transfer master is formed by selective plating, and at the time of selective plating for making the wiring part, around the wiring part together with the wiring part,
A discarded wiring pattern having a predetermined shape is formed by plating, and when the wiring portion is transferred to the base substrate side, the discarded wiring pattern portion is covered with a masking material to prevent transfer of the discarded wiring pattern portion to the base substrate. By performing the transfer, the uniformity of the film thickness of the wiring part can be improved, and the transfer of only the wiring part can be performed. As a result, the present invention is a method for manufacturing a multilayer wiring board using a transfer master, which does not require a complicated process and is suitable for mass production with good productivity. This makes it possible to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board capable of manufacturing a wiring board having a high uniform film thickness in a portion.
【図1】本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態
の1例の工程断面図FIG. 1 is a process sectional view of an example of an embodiment of a method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention.
【図2】転写用原版を説明するための転写用原版の平面
図FIG. 2 is a plan view of the transfer master for explaining the transfer master.
【図3】マスキング材の形状、大きさを説明するための
平面図FIG. 3 is a plan view for explaining the shape and size of a masking material.
110 支持体 120 レジスト 125 開口 130 導電性層 131 配線 135 捨て配線パ
ターン 140 絶縁性樹脂
層 160 マスキング
材 180 ベース基板 200、201、202、203 転写用原版 200A 転写用原版
領域のサイズ 210 配線部領域 210A 配線部領域
のサイズ 220 捨て配線パ
ターン領域110 Support 120 Resist 125 Opening 130 Conductive Layer 131 Wiring 135 Discarded Wiring Pattern 140 Insulating Resin Layer 160 Masking Material 180 Base Substrate 200, 201, 202, 203 Transfer Master 200A Transfer Master Region Size 210 Wiring Area 210A Wiring area size 220 Discarded wiring pattern area
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成10年5月22日[Submission date] May 22, 1998
【手続補正1】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0028[Correction target item name] 0028
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【0028】以下のようにポリイミドワニスを作製し、
電着液の調整を行った。 <ポリイミドワニスの製造>1l容量の三つ口セパラブ
ルフラスコにステンレス製イカリ攪拌器,窒素導入管及
びストップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管
をつけた還流冷却器を取り付ける。窒素気流中を流しな
がら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフ
ラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示す。3、
4、3’、4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無
水物(以後BTDAと呼ぶ)32.22g(0.1モ
ル)、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)
スルホン(m−BAPS)21.63g(0.05モ
ル),γ−バレロラクトン1.5g(0.015モ
ル)、ピリジン2.4g(0.03モル)、NMP(N
−メチル−2−ピロリドンの略)200g、トルエン3
0gを加えて、窒素を通じながらシリコン浴中,室温で
30分撹件(200rpm)、ついで昇温して180
℃、1時間、200rpmに攪拌しながら反応させる。
トルエン−水留出分15mlを除去し、空冷して、BT
DA16.11g(0.05モル)、3、5ジアミノ安
息香酸(以後DABzと呼ぶ)15.216g(0.1
モル)、NMP119g、トルエン30gを添加し、室
温で30分攪拌したのち(200rpm)、次いで昇温
して180℃に加熱攪拌しトルエン−水留出分15ml
を除去した。その後、トルエン−水留出分を系外に除き
ながら、180℃、3時間、加熱、撹拌して反応を終了
させた。20%ポリイミドワニスを得た。酸当量(1個
のC00Hあたりのボリマー量は1554)は70であ
る。 <電着液の調製>20%濃度ポリイミドワニス100g
に3SN(NMP:テトラヒドロチオフェン−1、1−
ジオキシド=1:3(重量)の混合溶液)150g、ベ
ンジルアルコール75g、メチルモルホリン5.0g
(中和率200%)、水30gを攪拌して水性電着液を
調製した。得られた水性電着液は、ポリイミド7.4
%、pH7.8、暗赤褐色透明液であった。A polyimide varnish was prepared as follows.
The electrodeposition liquid was adjusted. <Manufacture of Polyimide Varnish> A 3-liter separable flask with a capacity of 1 liter was equipped with a stainless steel squirrel stirrer, a nitrogen inlet tube, and a reflux condenser equipped with a cooling tube with a ball on a trap with a stopcock. While flowing in a nitrogen stream, the separable flask was placed in a silicone bath equipped with a temperature controller and heated. The reaction temperature is indicated by bath temperature. 3,
32.22 g (0.1 mol) of 4,3 ′, 4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (hereinafter referred to as BTDA), bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl)
21.63 g (0.05 mol) of sulfone (m-BAPS), 1.5 g (0.015 mol) of γ-valerolactone, 2.4 g (0.03 mol) of pyridine, NMP (N
-Methyl-2-pyrrolidone) 200 g, toluene 3
0 g, stirred at room temperature for 30 minutes (200 rpm) in a silicon bath while passing nitrogen, and then heated to 180
The reaction is carried out at 200 ° C. for 1 hour with stirring.
After removing 15 ml of toluene-water distillate, air-cooled,
16.11 g (0.05 mol) of DA, 15.216 g (0.1%) of 3,5 diaminobenzoic acid (hereinafter referred to as DABz)
Mol), NMP (119 g) and toluene (30 g) were added, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes (200 rpm).
Was removed. Thereafter, the reaction was terminated by heating and stirring at 180 ° C. for 3 hours while removing the toluene-water distillate outside the system. A 20% polyimide varnish was obtained. The acid equivalent (the amount of polymer per C00H is 1554) is 70. <Preparation of electrodeposition liquid> 100 g of 20% concentration polyimide varnish
3SN (NMP: tetrahydrothiophen-1,1-
Dioxide = 1: 3 (weight) mixed solution) 150 g, benzyl alcohol 75 g, methylmorpholine 5.0 g
(Neutralization rate: 200%) and 30 g of water were stirred to prepare an aqueous electrodeposition solution. The obtained aqueous electrodeposition solution was prepared using polyimide 7.4.
%, PH 7.8, and a dark reddish brown transparent liquid.
Claims (6)
配線部を設けた転写用原版を複数版用い、多層配線基板
用のベース基板の一面に、各転写用原版を順次圧着し
て、各配線部をベース基板側に順次転写して配線を形成
する多層配線基板の製造方法であって、転写用原版をベ
ース基板側へ圧着し、転写用原板の支持体を剥離するこ
とにより転写用原版の配線部をベース基板側へ転写する
転写工程において、転写用原版の配線部側の配線部領域
の周辺領域をマスキング材にて覆ってベース基板と圧着
することを特徴とする多層配線基板の製造方法。1. A plurality of transfer masters provided with a wiring portion made of a conductive layer having a predetermined shape on a support, and each transfer master is sequentially pressed on one surface of a base substrate for a multilayer wiring board. A method for manufacturing a multilayer wiring board in which each wiring portion is sequentially transferred to a base substrate side to form wiring, wherein a transfer original plate is pressure-bonded to the base substrate side and transferred by peeling a support of the transfer original plate. In a transfer step of transferring a wiring portion of the original master to the base substrate side, a multi-layer wiring board characterized in that a peripheral region of a wiring portion region on the wiring portion side of the transfer original master is covered with a masking material and pressure-bonded to the base substrate. Manufacturing method.
上の配線部は選択めっきにより形成されるもので、配線
部形成のための選択めっきの際に、配線部とともに配線
部の周囲に、所定形状の捨て配線パターンをめっき形成
しておき、配線部をベース基板側に転写する際、前記捨
て配線パターン部をマスキング材にて覆い、捨て配線パ
ターン部のベース基板への転写を防止しながら、転写を
行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。2. The wiring portion according to claim 1, wherein the wiring portion on the support of the transfer original plate is formed by selective plating, and at the time of selective plating for forming the wiring portion, the wiring portion is formed around the wiring portion together with the wiring portion. When a wiring pattern of a predetermined shape is formed by plating and the wiring part is transferred to the base substrate side, the waste wiring pattern part is covered with a masking material to prevent the transfer of the waste wiring pattern part to the base substrate. A method for producing a multilayer wiring board, while performing transfer.
は、少なくとも表面部が導電性の支持体上に、所定形状
の導電性層からなる配線部、あるいは配線部と捨て配線
パターンとを設け、且つ導電性層上に粘着性あるいは接
着性を有する絶縁性樹脂層ないし導電性樹脂層を積層し
たもので、(a)支持体の一面上に選択めっきにより配
線部あるいは配線部と捨て配線パターンを形成する導電
性層を形成する選択めっき工程と、(b)選択めっき工
程により形成された導電性層上に、電着により絶縁性樹
脂層ないし導電性樹脂層を形成する樹脂層形成工程を順
に施したものであることを特徴とする多層配線基板の製
造方法。3. The transfer master according to claim 1, wherein at least a surface portion of the transfer master is provided with a conductive portion having a predetermined shape on a conductive support, or a wiring portion and a waste wiring pattern. In addition, an insulating resin layer or a conductive resin layer having tackiness or adhesiveness is laminated on the conductive layer, and (a) a wiring portion or a wiring portion and a discarded wiring pattern are formed on one surface of a support by selective plating. A selective plating step of forming a conductive layer to be formed, and (b) a resin layer forming step of forming an insulating resin layer or a conductive resin layer by electrodeposition on the conductive layer formed by the selective plating step. A method for manufacturing a multilayer wiring board.
材として、配線部の配線領域に開口部を持つ、厚さ10
〜100μmの、金属箔を用いることを特徴とする多層
配線基版の製造方法。4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the masking material has an opening in a wiring region of the wiring portion.
A method for producing a multilayer wiring substrate, comprising using a metal foil having a thickness of 100 μm.
材として、配線部の配線領域に開口部を持つ、厚さ10
〜100μmの、高分子フィルムを用いることを特徴と
する多層配線基版の製造方法。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the masking material has an opening in a wiring region of the wiring portion.
A method for producing a multilayer wiring substrate, comprising using a polymer film having a thickness of from 100 μm to 100 μm.
00°C以上の耐熱性を有するものであることを特徴と
する多層配線板の製造方法。6. The polymer film according to claim 5, wherein
A method for producing a multilayer wiring board, having a heat resistance of at least 00 ° C.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7507698A JPH11261222A (en) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | Manufacture of multilayered wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7507698A JPH11261222A (en) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | Manufacture of multilayered wiring board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11261222A true JPH11261222A (en) | 1999-09-24 |
Family
ID=13565743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7507698A Withdrawn JPH11261222A (en) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | Manufacture of multilayered wiring board |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11261222A (en) |
-
1998
- 1998-03-10 JP JP7507698A patent/JPH11261222A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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