JPH11261120A - 高周波回路およびその作製方法 - Google Patents
高周波回路およびその作製方法Info
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- JPH11261120A JPH11261120A JP10057213A JP5721398A JPH11261120A JP H11261120 A JPH11261120 A JP H11261120A JP 10057213 A JP10057213 A JP 10057213A JP 5721398 A JP5721398 A JP 5721398A JP H11261120 A JPH11261120 A JP H11261120A
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- Japan
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- mixer
- frequency circuit
- thin film
- superconducting thin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ミキサを構成するジョセフソン接合は細線か
らなり、この細線の付け根の部分あるいはジョセフソン
接合の弱結合の部分にかなりの負荷がかかり、ミキサ以
外の素子に比べミキサの寿命は短く、高周波回路の寿命
を支配する大きな要因になっている。 【解決手段】 同一基板１１上に形成されたアンテナ１
３、ミキサ１６、フィルタ１４、１５、１７の各素子と
ストリップラインが超伝導薄膜からなるモノリシックな
高周波回路で、動作温度においてミキサ以外の素子の臨
界電流値をミキサの臨界電流値よりも小さくする。
らなり、この細線の付け根の部分あるいはジョセフソン
接合の弱結合の部分にかなりの負荷がかかり、ミキサ以
外の素子に比べミキサの寿命は短く、高周波回路の寿命
を支配する大きな要因になっている。 【解決手段】 同一基板１１上に形成されたアンテナ１
３、ミキサ１６、フィルタ１４、１５、１７の各素子と
ストリップラインが超伝導薄膜からなるモノリシックな
高周波回路で、動作温度においてミキサ以外の素子の臨
界電流値をミキサの臨界電流値よりも小さくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信分野等に応用
される高周波回路とその作製方法に関するものであり、
アンテナ、ミキサ、フィルタ、ストリップラインが超伝
導薄膜からなるモノリシックな高周波回路とその作製方
法に関するものである。
される高周波回路とその作製方法に関するものであり、
アンテナ、ミキサ、フィルタ、ストリップラインが超伝
導薄膜からなるモノリシックな高周波回路とその作製方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在の通信分野の状況を鑑みると、将来
的に周波数の狭帯域化、高周波数化、高感度化が要求さ
れる。そのような要求を満たすものに超伝導薄膜からな
るアンテナ、ミキサ、フィルタなどが有望視されてい
る。さらに、それらをモノリシックに形成することによ
り、高性能な高周波回路が期待される。
的に周波数の狭帯域化、高周波数化、高感度化が要求さ
れる。そのような要求を満たすものに超伝導薄膜からな
るアンテナ、ミキサ、フィルタなどが有望視されてい
る。さらに、それらをモノリシックに形成することによ
り、高性能な高周波回路が期待される。
【０００３】超伝導薄膜からなるモノリシックな高周波
回路としては、例えば信技報ＭＷ９３ー８（１９９３年
４月）に示されているものがある。そこでは、三種類の
超伝導フィルタおよびミキサを構成するジョセフソン素
子、ストリップラインが同一基板上に形成されている。
この場合、ジョセフソン素子は段差型基板の段差部に形
成されている。超伝導薄膜をパターニングするだけでこ
のようなモノリシック回路が簡単に得られる。
回路としては、例えば信技報ＭＷ９３ー８（１９９３年
４月）に示されているものがある。そこでは、三種類の
超伝導フィルタおよびミキサを構成するジョセフソン素
子、ストリップラインが同一基板上に形成されている。
この場合、ジョセフソン素子は段差型基板の段差部に形
成されている。超伝導薄膜をパターニングするだけでこ
のようなモノリシック回路が簡単に得られる。
【０００４】通信分野等に用いる受動素子のジョセフソ
ン接合としては、前記したような段差型基板の段差部に
形成されたジョセフソン接合以外に、例えば「第５６回
応用物理学会学術講演会予稿集」、Ｎｏ．１、ＰＰ８１
ー１６０（１９９５）に記載されているような人工粒界
をもつ基板いわゆるバイクリスタル基板上に形成された
ジョセフソン接合、あるいはＦＩＢ等でイオン照射した
基板の照射部上に形成されたジョセフソン接合などがあ
る。これらの接合を用いても、段差型と同様に１回のパ
ターニングでモノリシック回路が得られる。
ン接合としては、前記したような段差型基板の段差部に
形成されたジョセフソン接合以外に、例えば「第５６回
応用物理学会学術講演会予稿集」、Ｎｏ．１、ＰＰ８１
ー１６０（１９９５）に記載されているような人工粒界
をもつ基板いわゆるバイクリスタル基板上に形成された
ジョセフソン接合、あるいはＦＩＢ等でイオン照射した
基板の照射部上に形成されたジョセフソン接合などがあ
る。これらの接合を用いても、段差型と同様に１回のパ
ターニングでモノリシック回路が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の超伝導
薄膜からなるモノリシックな高周波回路には以下のよう
な問題点がある。
薄膜からなるモノリシックな高周波回路には以下のよう
な問題点がある。
【０００６】前述した各種ジョセフソン接合は一般的に
線幅数μｍ〜数十μｍの細線からなる。この細線の臨界
電流密度は他の領域に比べ桁違いに高く、細線の付け根
の部分あるいはジョセフソン接合の弱結合の部分にかな
りの負荷がかかることになり繰り返し使用するうちに断
線等が生じる。すなわち、ミキサ以外の素子に比べミキ
サの寿命は短く、これが高周波回路の寿命を支配する大
きな要因になっている。特に、誤って過剰な電流が流れ
た場合にはひとたまりもない。ミキサの前後に保護素子
を入れると回路が複雑になるうえ基板サイズも大きくな
ってしまう。
線幅数μｍ〜数十μｍの細線からなる。この細線の臨界
電流密度は他の領域に比べ桁違いに高く、細線の付け根
の部分あるいはジョセフソン接合の弱結合の部分にかな
りの負荷がかかることになり繰り返し使用するうちに断
線等が生じる。すなわち、ミキサ以外の素子に比べミキ
サの寿命は短く、これが高周波回路の寿命を支配する大
きな要因になっている。特に、誤って過剰な電流が流れ
た場合にはひとたまりもない。ミキサの前後に保護素子
を入れると回路が複雑になるうえ基板サイズも大きくな
ってしまう。
【０００７】本発明は以上述べた問題点を解決するもの
であり、ジョセフソン接合からなるミキサの寿命を長く
し、信頼性の高いモノリシックな高周波回路およびその
作製方法を提供するものである。
であり、ジョセフソン接合からなるミキサの寿命を長く
し、信頼性の高いモノリシックな高周波回路およびその
作製方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波回路は上
記課題を解決するものであり、同一基板上に形成された
アンテナ、ミキサ、フィルタの各素子とストリップライ
ンが超伝導薄膜からなるモノリシックな高周波回路であ
って、動作温度においてミキサ以外の素子の臨界電流値
をミキサの臨界電流値よりも小さくすること、さらには
ミキサ以外の素子を形成する超伝導薄膜の酸素量をミキ
サを形成する超伝導薄膜の酸素量よりも少なくするこ
と、あるいはミキサ以外の素子を形成する超伝導薄膜に
臨界温度を低下させる元素を添加することを特徴とす
る。
記課題を解決するものであり、同一基板上に形成された
アンテナ、ミキサ、フィルタの各素子とストリップライ
ンが超伝導薄膜からなるモノリシックな高周波回路であ
って、動作温度においてミキサ以外の素子の臨界電流値
をミキサの臨界電流値よりも小さくすること、さらには
ミキサ以外の素子を形成する超伝導薄膜の酸素量をミキ
サを形成する超伝導薄膜の酸素量よりも少なくするこ
と、あるいはミキサ以外の素子を形成する超伝導薄膜に
臨界温度を低下させる元素を添加することを特徴とす
る。
【０００９】本発明の高周波回路の作製方法は、同一基
板上に形成されたアンテナ、ミキサ、フィルタの各素子
とストリップラインが超伝導薄膜からなるモノリシック
な高周波回路の作製方法であって、予め超伝導薄膜の酸
素量を化学量論組成よりも少なく形成した後、ミキサ以
外の素子をマスキングし、基板ごと活性酸素雰囲気中で
熱処理することを特徴とする。
板上に形成されたアンテナ、ミキサ、フィルタの各素子
とストリップラインが超伝導薄膜からなるモノリシック
な高周波回路の作製方法であって、予め超伝導薄膜の酸
素量を化学量論組成よりも少なく形成した後、ミキサ以
外の素子をマスキングし、基板ごと活性酸素雰囲気中で
熱処理することを特徴とする。
【００１０】また、本発明の高周波回路の作製方法は、
同一基板上に形成されたアンテナ、ミキサ、フィルタの
各素子とストリップラインが超伝導薄膜からなるモノリ
シックな高周波回路の作製方法であって、ミキサの上に
保護層を形成した後、基板ごと還元雰囲気中で熱処理す
ることを特徴とする。
同一基板上に形成されたアンテナ、ミキサ、フィルタの
各素子とストリップラインが超伝導薄膜からなるモノリ
シックな高周波回路の作製方法であって、ミキサの上に
保護層を形成した後、基板ごと還元雰囲気中で熱処理す
ることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の高周波回路の作製方法は、
同一基板上に形成されたアンテナ、ミキサ、フィルタの
各素子とストリップラインが超伝導薄膜からなるモノリ
シックな高周波回路の作製方法であって、ミキサの上に
保護層を形成した後、露出している超伝導薄膜中に超伝
導薄膜の臨界温度を低下させる元素イオンを注入するこ
とを特徴とする。
同一基板上に形成されたアンテナ、ミキサ、フィルタの
各素子とストリップラインが超伝導薄膜からなるモノリ
シックな高周波回路の作製方法であって、ミキサの上に
保護層を形成した後、露出している超伝導薄膜中に超伝
導薄膜の臨界温度を低下させる元素イオンを注入するこ
とを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例にしたがっ
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１３】（実施例１）図１は本発明の高周波回路の
実施例を説明するための基本となる構成を概略的に示し
た平面図である。人工粒界１２を有するバイクリスタル
基板１１上にアンテナ１３、ＲＦフィルタ１４、ＬＯフ
ィルタ１５、ジョセフソン素子からなるミキサ１６、一
つのストリップラインと二つのラジアルスタブからなる
中間周波フィルタ１７が形成されている。基板サイズは
小型冷凍機に搭載できるよう２０ｍｍ角とした。
実施例を説明するための基本となる構成を概略的に示し
た平面図である。人工粒界１２を有するバイクリスタル
基板１１上にアンテナ１３、ＲＦフィルタ１４、ＬＯフ
ィルタ１５、ジョセフソン素子からなるミキサ１６、一
つのストリップラインと二つのラジアルスタブからなる
中間周波フィルタ１７が形成されている。基板サイズは
小型冷凍機に搭載できるよう２０ｍｍ角とした。
【００１４】上記高周波回路の作製方法は次の通りであ
る。まず、 ＭｇＯバイクリスタル基板１１上にＹＢａ
２Ｃｕ３Ｏｙ超伝導薄膜をレーザーアブレーション法を
用いて作製する。成膜中は基板に酸素ラジカルを照射し
ているが、その条件を調整することにより膜中の酸素量
すなわちＴｃを変えることができる。ここでは酸素量を
抑えＴｃが約７０Ｋの超伝導薄膜を作製した。次に、フ
ォトリソにより図１に示すようなパターンを形成する。
ミキサのジョセフソン接合部の線幅は一番細いところで
１０μｍとした。さらに、斜線で示したミキサ１６以外
の領域をマスキングした後、基板ごと活性酸素雰囲気中
で熱処理する。ここでは、マスキングとしてレジストを
用い、紫外線照射のＯ３雰囲気中で２７０〜６００℃の
温度範囲で熱処理した。この熱処理により、レジストで
マスキングされていないミキサ１６の領域はＴｃが約９
０Ｋまで上昇し、同時にレジストも除去された。これに
より、ミキサの領域のＴｃは約９０Ｋでミキサ以外の領
域のＴｃは約７０Ｋの高周波回路が作製された。一般に
Ｔｃと臨界電流は相関があり、同じ温度で比較した場
合、Ｔｃが高い方が臨界電流も高い。
る。まず、 ＭｇＯバイクリスタル基板１１上にＹＢａ
２Ｃｕ３Ｏｙ超伝導薄膜をレーザーアブレーション法を
用いて作製する。成膜中は基板に酸素ラジカルを照射し
ているが、その条件を調整することにより膜中の酸素量
すなわちＴｃを変えることができる。ここでは酸素量を
抑えＴｃが約７０Ｋの超伝導薄膜を作製した。次に、フ
ォトリソにより図１に示すようなパターンを形成する。
ミキサのジョセフソン接合部の線幅は一番細いところで
１０μｍとした。さらに、斜線で示したミキサ１６以外
の領域をマスキングした後、基板ごと活性酸素雰囲気中
で熱処理する。ここでは、マスキングとしてレジストを
用い、紫外線照射のＯ３雰囲気中で２７０〜６００℃の
温度範囲で熱処理した。この熱処理により、レジストで
マスキングされていないミキサ１６の領域はＴｃが約９
０Ｋまで上昇し、同時にレジストも除去された。これに
より、ミキサの領域のＴｃは約９０Ｋでミキサ以外の領
域のＴｃは約７０Ｋの高周波回路が作製された。一般に
Ｔｃと臨界電流は相関があり、同じ温度で比較した場
合、Ｔｃが高い方が臨界電流も高い。
【００１５】この素子を小型冷凍機に搭載し、５０Ｋの
温度で動作させる。ここで５０Ｋにおいて、Ｔｃ約９０
Ｋのミキサ領域の臨界電流値は、Ｔｃ約７０Ｋのミキサ
以外の領域の臨界電流値よりも大きい。このような構成
にすることによって、ミキサが保護され、従来のものと
比較すると従来と同じ回路構成で繰り返し動作による寿
命が数倍伸びた。過剰電流を流した時の耐久性も向上し
た。
温度で動作させる。ここで５０Ｋにおいて、Ｔｃ約９０
Ｋのミキサ領域の臨界電流値は、Ｔｃ約７０Ｋのミキサ
以外の領域の臨界電流値よりも大きい。このような構成
にすることによって、ミキサが保護され、従来のものと
比較すると従来と同じ回路構成で繰り返し動作による寿
命が数倍伸びた。過剰電流を流した時の耐久性も向上し
た。
【００１６】（実施例２）実施例１とは異なる方法で
も、図１のモノリシックな高周波回路を作製できる。作
製方法は以下の通りである。
も、図１のモノリシックな高周波回路を作製できる。作
製方法は以下の通りである。
【００１７】まず、ＭｇＯバイクリスタル基板１１上に
ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ超伝導薄膜をレーザーアブレーショ
ン法を用いて作製する。成膜中、基板にオゾンを照射す
ることにより、Ｔｃ９０Ｋの超伝導薄膜が得られた。次
に、フォトリソにより図１に示すようなパターンを形成
する。ミキサのジョセフソン接合部の線幅は一番細いと
ころで１０μｍとした。その後金属マスクを用いて、斜
線で示したミキサ１６領域上にＳｉＯ２膜を形成する。
この時、ＳｉＯ２の回り込みを考慮し、金属マスクの寸
法を適当な値にする。次に、これを真空中において５０
０℃以下の温度で長時間熱処理する。このようなプロセ
スにより、ミキサ以外の領域の超伝導薄膜はＴｃが約７
０Ｋまで低下した。一方、ミキサ１６の領域はＳｉＯ２
が保護膜として働きＴｃは９０Ｋに維持された。熱処理
後もＳｉＯ２は除去せずに残す。これにより、ミキサの
領域のＴｃは９０Ｋでミキサ以外の領域のＴｃは約７０
Ｋの高周波回路が作製された。
ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ超伝導薄膜をレーザーアブレーショ
ン法を用いて作製する。成膜中、基板にオゾンを照射す
ることにより、Ｔｃ９０Ｋの超伝導薄膜が得られた。次
に、フォトリソにより図１に示すようなパターンを形成
する。ミキサのジョセフソン接合部の線幅は一番細いと
ころで１０μｍとした。その後金属マスクを用いて、斜
線で示したミキサ１６領域上にＳｉＯ２膜を形成する。
この時、ＳｉＯ２の回り込みを考慮し、金属マスクの寸
法を適当な値にする。次に、これを真空中において５０
０℃以下の温度で長時間熱処理する。このようなプロセ
スにより、ミキサ以外の領域の超伝導薄膜はＴｃが約７
０Ｋまで低下した。一方、ミキサ１６の領域はＳｉＯ２
が保護膜として働きＴｃは９０Ｋに維持された。熱処理
後もＳｉＯ２は除去せずに残す。これにより、ミキサの
領域のＴｃは９０Ｋでミキサ以外の領域のＴｃは約７０
Ｋの高周波回路が作製された。
【００１８】この素子を小型冷凍機に搭載し、５０Ｋの
温度で動作させる。５０Ｋにおいて、Ｔｃ約９０Ｋのミ
キサ領域の臨界電流値を、Ｔｃ約７０Ｋのミキサ以外の
領域の臨界電流値よりも大きくなるようにした。このよ
うな構成にすることによって、ミキサが保護され、従来
のものと比較すると従来と同じ回路構成で繰り返し動作
による寿命が数倍伸びた。過剰電流を流した時の耐久性
も向上した。 また、ＳｉＯ２保護膜により水分等への
対環境性も向上した。
温度で動作させる。５０Ｋにおいて、Ｔｃ約９０Ｋのミ
キサ領域の臨界電流値を、Ｔｃ約７０Ｋのミキサ以外の
領域の臨界電流値よりも大きくなるようにした。このよ
うな構成にすることによって、ミキサが保護され、従来
のものと比較すると従来と同じ回路構成で繰り返し動作
による寿命が数倍伸びた。過剰電流を流した時の耐久性
も向上した。 また、ＳｉＯ２保護膜により水分等への
対環境性も向上した。
【００１９】（実施例３）実施例２では、ミキサ１６領
域上にＳｉＯ２膜を形成した後、還元雰囲気中で熱処理
して高周波回路を形成しているが、次のような方法を用
いてもよい。
域上にＳｉＯ２膜を形成した後、還元雰囲気中で熱処理
して高周波回路を形成しているが、次のような方法を用
いてもよい。
【００２０】ミキサ１６領域上にＳｉＯ２膜を形成する
までは実施例２と同じであるが、その後還元雰囲気中で
熱処理する変わりに、露出しているミキサ以外の領域に
超伝導薄膜のＴｃを劣化させる元素を添加してもよい。
具体的にはガリウムイオンを注入する。ガリウムは銅サ
イトを置換しＴｃを低下させる。その注入量を調整する
ことにより、ミキサ以外の領域のＴｃを７０Ｋにする。
これによって、実施例１、２と同様な耐久性のよい高周
波回路が得られる。ここでは、Ｔｃを劣化させる元素と
してＧａを添加したが、他の元素でも何ら問題無い。
までは実施例２と同じであるが、その後還元雰囲気中で
熱処理する変わりに、露出しているミキサ以外の領域に
超伝導薄膜のＴｃを劣化させる元素を添加してもよい。
具体的にはガリウムイオンを注入する。ガリウムは銅サ
イトを置換しＴｃを低下させる。その注入量を調整する
ことにより、ミキサ以外の領域のＴｃを７０Ｋにする。
これによって、実施例１、２と同様な耐久性のよい高周
波回路が得られる。ここでは、Ｔｃを劣化させる元素と
してＧａを添加したが、他の元素でも何ら問題無い。
【００２１】また、実施例１〜３において、ミキサ以外
の領域のＴｃを７０Ｋとしたが、この値は動作温度と臨
界電流の関係により適当に調整すればよい。
の領域のＴｃを７０Ｋとしたが、この値は動作温度と臨
界電流の関係により適当に調整すればよい。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、同一
基板上に形成されたアンテナ、ミキサ、フィルタの各素
子とストリップラインが超伝導薄膜からなるモノリシッ
クな高周波回路であって、動作温度においてミキサ以外
の素子の臨界電流値をミキサの臨界電流値よりも小さく
すること、具体的にはミキサ以外の素子を形成する超伝
導薄膜の酸素量をミキサを形成する超伝導薄膜の酸素量
よりも少なくすること、あるいはミキサ以外の素子を形
成する超伝導薄膜に臨界温度を低下させる元素を添加す
ることにより、ミキサを保護し信頼性の高い高周波回路
を提供できるという効果を有する。
基板上に形成されたアンテナ、ミキサ、フィルタの各素
子とストリップラインが超伝導薄膜からなるモノリシッ
クな高周波回路であって、動作温度においてミキサ以外
の素子の臨界電流値をミキサの臨界電流値よりも小さく
すること、具体的にはミキサ以外の素子を形成する超伝
導薄膜の酸素量をミキサを形成する超伝導薄膜の酸素量
よりも少なくすること、あるいはミキサ以外の素子を形
成する超伝導薄膜に臨界温度を低下させる元素を添加す
ることにより、ミキサを保護し信頼性の高い高周波回路
を提供できるという効果を有する。
【００２３】また，本発明によれば、同一基板上に形成
されたアンテナ、ミキサ、フィルタの各素子とストリッ
プラインが超伝導薄膜からなるモノリシックな高周波回
路の作製方法であって、予め超伝導薄膜の酸素量を化学
量論組成よりも少なく形成した後、ミキサ以外の素子を
マスキングし、基板ごと活性酸素雰囲気中で熱処理する
こと、あるいはミキサの上に保護層を形成した後、基板
ごと還元雰囲気中で熱処理すること、あるいはミキサの
上に保護層を形成した後、露出している超伝導薄膜中に
超伝導薄膜の臨界温度を低下させる元素イオンを注入す
ることにより、ミキサを保護し信頼性の高い高周波回路
の作製方法を提供できる。
されたアンテナ、ミキサ、フィルタの各素子とストリッ
プラインが超伝導薄膜からなるモノリシックな高周波回
路の作製方法であって、予め超伝導薄膜の酸素量を化学
量論組成よりも少なく形成した後、ミキサ以外の素子を
マスキングし、基板ごと活性酸素雰囲気中で熱処理する
こと、あるいはミキサの上に保護層を形成した後、基板
ごと還元雰囲気中で熱処理すること、あるいはミキサの
上に保護層を形成した後、露出している超伝導薄膜中に
超伝導薄膜の臨界温度を低下させる元素イオンを注入す
ることにより、ミキサを保護し信頼性の高い高周波回路
の作製方法を提供できる。
【図１】本発明の実施例における高周波回路を概略的に
示した平面図である。
示した平面図である。
１１ 基板 １２ 人工粒界 １３ アンテナ １４ ＲＦフィルタ １５ ＬＯフィルタ １６ ミキサ １７ 中間周波フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上川 武富 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 同一基板上に形成されたアンテナ、ミキ
サ、フィルタの各素子とストリップラインが超伝導薄膜
からなるモノリシックな高周波回路であって、動作温度
においてミキサ以外の素子の臨界電流値をミキサの臨界
電流値よりも小さくすることを特徴とする高周波回路。 - 【請求項２】 ミキサ以外の素子を形成する超伝導薄膜
の酸素量をミキサを形成する超伝導薄膜の酸素量よりも
少なくすることを特徴とする請求項１記載の高周波回
路。 - 【請求項３】 ミキサ以外の素子を形成する超伝導薄膜
に臨界温度を低下させる元素を添加することを特徴とす
る請求項１記載の高周波回路。 - 【請求項４】 同一基板上に形成されたアンテナ、ミキ
サ、フィルタの各素子とストリップラインが超伝導薄膜
からなるモノリシックな高周波回路の作製方法であっ
て、予め超伝導薄膜の酸素量を化学量論組成よりも少な
く形成した後、ミキサ以外の素子をマスキングし、基板
ごと活性酸素雰囲気中で熱処理することを特徴とする高
周波回路の作製方法。 - 【請求項５】 同一基板上に形成されたアンテナ、ミキ
サ、フィルタの各素子とストリップラインが超伝導薄膜
からなるモノリシックな高周波回路の作製方法であっ
て、ミキサの上に保護層を形成した後、基板ごと還元雰
囲気中で熱処理することを特徴とする高周波回路の作製
方法。 - 【請求項６】 同一基板上に形成されたアンテナ、ミキ
サ、フィルタの各素子とストリップラインが超伝導薄膜
からなるモノリシックな高周波回路の作製方法であっ
て、ミキサの上に保護層を形成した後、露出している超
伝導薄膜中に超伝導薄膜の臨界温度を低下させる元素イ
オンを注入することを特徴とする高周波回路の作製方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10057213A JPH11261120A (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 高周波回路およびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10057213A JPH11261120A (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 高周波回路およびその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11261120A true JPH11261120A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13049256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10057213A Withdrawn JPH11261120A (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 高周波回路およびその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11261120A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016516359A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-06-02 | エル−３ コミュニケーションズ コーポレーション | 高周波数ミキサ、方法及びシステム |
-
1998
- 1998-03-09 JP JP10057213A patent/JPH11261120A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016516359A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-06-02 | エル−３ コミュニケーションズ コーポレーション | 高周波数ミキサ、方法及びシステム |
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