JPH11260821A - 薄膜の選択成長方法 - Google Patents
薄膜の選択成長方法Info
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- JPH11260821A JPH11260821A JP8264398A JP8264398A JPH11260821A JP H11260821 A JPH11260821 A JP H11260821A JP 8264398 A JP8264398 A JP 8264398A JP 8264398 A JP8264398 A JP 8264398A JP H11260821 A JPH11260821 A JP H11260821A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板表面の任意の部分に、成長速度を高速化
して所望の方向に選択的に、マイクロシステム用微細配
線等に用いられる立体的な薄膜を成長させて形成する。 【解決手段】 原料ガスの熱分解雰囲気中で基板８の表
面に紫外光を照射し、基板８の表面の紫外光照射部分
に、紫外光照射方向に成長する薄膜を形成する。
して所望の方向に選択的に、マイクロシステム用微細配
線等に用いられる立体的な薄膜を成長させて形成する。 【解決手段】 原料ガスの熱分解雰囲気中で基板８の表
面に紫外光を照射し、基板８の表面の紫外光照射部分
に、紫外光照射方向に成長する薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板表面に立体配
線用の導電性薄膜等を選択的に形成する薄膜の選択成長
方法に関する。
線用の導電性薄膜等を選択的に形成する薄膜の選択成長
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、いわゆるマイクロマシン等の微小
システム（マイクロシステム）を組立てて形成する際に
は、マイクロデバイス間の立体的な電気的接続が必要に
なる。
システム（マイクロシステム）を組立てて形成する際に
は、マイクロデバイス間の立体的な電気的接続が必要に
なる。
【０００３】この立体的な電気的接続を、銀ペースト等
で電線をデバイスに接続して行うと、１０mm以下のデバ
イスに対しても数mm程度の接続領域が必要になり、シス
テムの微小化が困難である。
で電線をデバイスに接続して行うと、１０mm以下のデバ
イスに対しても数mm程度の接続領域が必要になり、シス
テムの微小化が困難である。
【０００４】そして、このような微小領域内での高アス
ペクト比のデバイス間の立体配線接続を行うため、レー
ザＣＶＤ等により、高ステップカバレッジで空間選択性
の高い金属薄膜等の導電性薄膜をいわゆる微細配線とし
て形成し、システムの微小化等を実現することが種々試
みられている。
ペクト比のデバイス間の立体配線接続を行うため、レー
ザＣＶＤ等により、高ステップカバレッジで空間選択性
の高い金属薄膜等の導電性薄膜をいわゆる微細配線とし
て形成し、システムの微小化等を実現することが種々試
みられている。
【０００５】そして、レーザＣＶＤによる微細配線とし
ての金属材料の形成は、従来、可視光又は赤外光の照射
による原料ガスの熱分解反応、あるいは紫外光の照射に
よる光分解反応のいずれかにより、基板表面に金属薄膜
を成長させて行われる。
ての金属材料の形成は、従来、可視光又は赤外光の照射
による原料ガスの熱分解反応、あるいは紫外光の照射に
よる光分解反応のいずれかにより、基板表面に金属薄膜
を成長させて行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のように微細
配線としての金属材料の形成を、可視光又は赤外光のみ
を照射して原料ガスの熱分解反応のみで行うと、成長す
る薄膜の形状制御が困難であり、所望の方向に立体的に
成長させて形成することができない問題点がある。
配線としての金属材料の形成を、可視光又は赤外光のみ
を照射して原料ガスの熱分解反応のみで行うと、成長す
る薄膜の形状制御が困難であり、所望の方向に立体的に
成長させて形成することができない問題点がある。
【０００７】また、前記の金属材料の形成を、紫外光の
みを照射して原料ガスの光分解反応のみで行うと、成膜
速度が極めて遅く、実際には配線等を形成することがで
きない。
みを照射して原料ガスの光分解反応のみで行うと、成膜
速度が極めて遅く、実際には配線等を形成することがで
きない。
【０００８】したがって、従来は主としてデバイス間の
配線面から、システムの微小化が制限される。
配線面から、システムの微小化が制限される。
【０００９】本発明は、基板表面の任意の部分に、紫外
光照射による光分解反応のみの場合より高速に、所望の
方向に立体的に成長した薄膜を形成し得るようにし、マ
イクロシステムのデバイス間の微細配線等を実現する。
光照射による光分解反応のみの場合より高速に、所望の
方向に立体的に成長した薄膜を形成し得るようにし、マ
イクロシステムのデバイス間の微細配線等を実現する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、本発明の薄膜の選択成長方法においては、原料ガ
スの熱分解雰囲気中で基板表面に紫外光を照射し、基板
表面の紫外光照射部分に紫外光照射方向に薄膜を形成す
る。
めに、本発明の薄膜の選択成長方法においては、原料ガ
スの熱分解雰囲気中で基板表面に紫外光を照射し、基板
表面の紫外光照射部分に紫外光照射方向に薄膜を形成す
る。
【００１１】この場合、基板表面で原料ガスの熱分解反
応と紫外光の照射による光分解反応とが発生し、原料ガ
スの熱分解反応によって基板表面に金属等が析出し、こ
の析出物の紫外光照射部分が光分解によって局所的に活
性化され、その照射部分が析出材料の成長点となり、析
出材料が紫外光照射方向に選択的に成長する。
応と紫外光の照射による光分解反応とが発生し、原料ガ
スの熱分解反応によって基板表面に金属等が析出し、こ
の析出物の紫外光照射部分が光分解によって局所的に活
性化され、その照射部分が析出材料の成長点となり、析
出材料が紫外光照射方向に選択的に成長する。
【００１２】この結果、基板表面の紫外光照射部分に、
紫外光照射方向に立体的に成長した金属薄膜等の薄膜が
選択的に形成される。
紫外光照射方向に立体的に成長した金属薄膜等の薄膜が
選択的に形成される。
【００１３】そして、熱分解反応と光分解反応との組合
せにより、熱分解反応のみでは不可能な薄膜の形状制御
が行え、しかも、紫外光の照射による光分解反応のみの
場合より成膜速度が大幅に高速化し、基板表面の任意の
部分に、所望の方向に立体的に成長した薄膜を高速に形
成することができ、マイクロシステムのデバイス間の立
体配線用の微細配線等が実現する。
せにより、熱分解反応のみでは不可能な薄膜の形状制御
が行え、しかも、紫外光の照射による光分解反応のみの
場合より成膜速度が大幅に高速化し、基板表面の任意の
部分に、所望の方向に立体的に成長した薄膜を高速に形
成することができ、マイクロシステムのデバイス間の立
体配線用の微細配線等が実現する。
【００１４】そして、原料ガスの熱分解は、可視光又は
赤外光を照射して行えばよく、可視光レーザ又は赤外光
レーザを照射して原料ガスを熱分解し、基板表面に照射
する紫外光を紫外光レーザとすることが好ましい。
赤外光を照射して行えばよく、可視光レーザ又は赤外光
レーザを照射して原料ガスを熱分解し、基板表面に照射
する紫外光を紫外光レーザとすることが好ましい。
【００１５】さらに、原料ガス雰囲気中において、基板
表面に可視光レーザ又は赤外光レーザと、紫外光レーザ
とを重畳して照射し、基板表面において両レーザ光が重
畳して照射される領域に、紫外光照射方向に成長する薄
膜を形成することが、実用的である。
表面に可視光レーザ又は赤外光レーザと、紫外光レーザ
とを重畳して照射し、基板表面において両レーザ光が重
畳して照射される領域に、紫外光照射方向に成長する薄
膜を形成することが、実用的である。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の１形態につき、図
１ないし図３を参照して説明する。本実施の形態にあっ
ては、図３の薄膜製造装置により、直描式レーザＣＶＤ
法で基板表面にタングステンＷの金属薄膜の立体配線を
形成する。図３の真空チャンバ（反応室）１内にはガス
供給系２より原料ガスが供給される。
１ないし図３を参照して説明する。本実施の形態にあっ
ては、図３の薄膜製造装置により、直描式レーザＣＶＤ
法で基板表面にタングステンＷの金属薄膜の立体配線を
形成する。図３の真空チャンバ（反応室）１内にはガス
供給系２より原料ガスが供給される。
【００１７】この原料ガスは、タングステンＷの薄膜を
形成する場合、例えば六フッ化タングステンＷＦ6 ，水
素Ｈ2 ，窒素Ｎ2 の混合ガスからなる。
形成する場合、例えば六フッ化タングステンＷＦ6 ，水
素Ｈ2 ，窒素Ｎ2 の混合ガスからなる。
【００１８】そして、六フッ化タングステンＷＦ6 のガ
スは紫外光を吸収して励起され易い特性を有する。
スは紫外光を吸収して励起され易い特性を有する。
【００１９】また、水素Ｈ2 は六フッ化タングステンＷ
Ｆ6 のラジカルと反応して安定に金属タングステンを生
成させる役割を担うものであり、窒素Ｎ2 のガスはチャ
ンバ１のレーザ光導入窓３のタングステンの析出を防ぐ
ために導入されている。
Ｆ6 のラジカルと反応して安定に金属タングステンを生
成させる役割を担うものであり、窒素Ｎ2 のガスはチャ
ンバ１のレーザ光導入窓３のタングステンの析出を防ぐ
ために導入されている。
【００２０】つぎに、可視光又は赤外光の照射装置とし
て、ＬＤ励起連続ＹＶＯ4 レーザ装置（連続光レーザ装
置）４がチャンバ１の上方に設けられ、レーザ装置４の
第２高調波（波長５３２nm，最大５Ｗ）の可視光レーザ
（連続光レーザ）がアッテネータ５，反射鏡６，集光用
のレンズ７を通り、レーザ光導入窓３を介してチャンバ
１に水平に設けられた基板８の表面に垂直照射される。
て、ＬＤ励起連続ＹＶＯ4 レーザ装置（連続光レーザ装
置）４がチャンバ１の上方に設けられ、レーザ装置４の
第２高調波（波長５３２nm，最大５Ｗ）の可視光レーザ
（連続光レーザ）がアッテネータ５，反射鏡６，集光用
のレンズ７を通り、レーザ光導入窓３を介してチャンバ
１に水平に設けられた基板８の表面に垂直照射される。
【００２１】また、紫外光の照射装置として、ＫｒＦエ
キシマレーザ装置９がチャンバ１の上方に設けられ、レ
ーザ装置９の波長２４８nm，最大４００ｍＪ／ｐｕｌｓ
ｅの紫外光レーザ（エキシマレーザ）が反射鏡１０，レ
ンズ７を通り、レーザ光導入窓３を介して基板８の表面
に垂直照射される。
キシマレーザ装置９がチャンバ１の上方に設けられ、レ
ーザ装置９の波長２４８nm，最大４００ｍＪ／ｐｕｌｓ
ｅの紫外光レーザ（エキシマレーザ）が反射鏡１０，レ
ンズ７を通り、レーザ光導入窓３を介して基板８の表面
に垂直照射される。
【００２２】なお、基板８は例えばシリコンの結晶基板
からなり、内部にヒータ等を備えた基板ホルダ１１に固
定されている。
からなり、内部にヒータ等を備えた基板ホルダ１１に固
定されている。
【００２３】また、チャンバ１は真空排気・除害系１１
により所定の真空状態に保たれ、不要な反応ガス等はチ
ャンバ１から排気される。
により所定の真空状態に保たれ、不要な反応ガス等はチ
ャンバ１から排気される。
【００２４】さらに、チャンバ１はＸＹステージ１２に
載置され、このＸＹステージ１２の移動及びレーザ装置
９の出力が制御系１３により制御される。
載置され、このＸＹステージ１２の移動及びレーザ装置
９の出力が制御系１３により制御される。
【００２５】そして、ＸＹステージ１２の移動により、
基板８上のレーザ照射位置が移動して電極形状等にした
がった所望のパターンが基板８上に描画される。
基板８上のレーザ照射位置が移動して電極形状等にした
がった所望のパターンが基板８上に描画される。
【００２６】つぎに、この場合のタングステンＷの成長
につき、図１の模式図を参照して説明する。図１に示す
ように基板８の表面のＸＹステージ１２の移動に基づく
選択部分８’に、レーザ装置４の可視光レーザＬ1 とレ
ーザ装置９の紫外光レーザＬ2 との２波長のレーザが基
板８の上方から重畳して垂直照射される。
につき、図１の模式図を参照して説明する。図１に示す
ように基板８の表面のＸＹステージ１２の移動に基づく
選択部分８’に、レーザ装置４の可視光レーザＬ1 とレ
ーザ装置９の紫外光レーザＬ2 との２波長のレーザが基
板８の上方から重畳して垂直照射される。
【００２７】そして、可視光レーザＬ1 の照射により六
フッ化タングステンＷＦ6 のガスが加熱されて熱分解
し、この熱分解反応により基板８の選択部分８’にタン
グステンＷが析出する。
フッ化タングステンＷＦ6 のガスが加熱されて熱分解
し、この熱分解反応により基板８の選択部分８’にタン
グステンＷが析出する。
【００２８】同時に、この熱分解雰囲気中での紫外光レ
ーザＬ2 の照射により、析出したタングステンＷの紫外
光照射部分及びその近傍部分が局所的に活性化され、こ
の活性化により六フッ化タングステンＷＦ6 のラジカル
等が形成され、この部分が他の部分に比して反応活性化
領域になる。
ーザＬ2 の照射により、析出したタングステンＷの紫外
光照射部分及びその近傍部分が局所的に活性化され、こ
の活性化により六フッ化タングステンＷＦ6 のラジカル
等が形成され、この部分が他の部分に比して反応活性化
領域になる。
【００２９】このとき、基板８の表面に析出したタング
ステンＷの紫外光照射部分が前記の活性化によって析出
材料の成長点となり、この成長点から紫外光照射方向
（上方）にタングステンＷが成長する。
ステンＷの紫外光照射部分が前記の活性化によって析出
材料の成長点となり、この成長点から紫外光照射方向
（上方）にタングステンＷが成長する。
【００３０】すなわち、原料ガスの熱分解雰囲気中での
紫外光照射により、タングステンＷの成長方向がその照
射方向に制御され、図２の（ａ）に示すように基板８の
表面の紫外光照射部分（レーザＬ1 ，Ｌ2 が重畳して照
射される領域）において、紫外光照射方向（一方向）に
のみタングステンＷの析出物１４が成長する。
紫外光照射により、タングステンＷの成長方向がその照
射方向に制御され、図２の（ａ）に示すように基板８の
表面の紫外光照射部分（レーザＬ1 ，Ｌ2 が重畳して照
射される領域）において、紫外光照射方向（一方向）に
のみタングステンＷの析出物１４が成長する。
【００３１】なお、紫外光レーザＬ2 を照射せず、可視
光レーザＬ1 の照射による熱分解反応のみでタングステ
ンＷを析出すると、図２の（ｂ）に示すように、基板８
の表面に任意の方向にタングステンＷが析出して成長
し、多方向にその析出物１４’が生じるため、薄膜の形
状を制御することができず、所望の方向にタングステン
Ｗの薄膜を形成することはできない。
光レーザＬ1 の照射による熱分解反応のみでタングステ
ンＷを析出すると、図２の（ｂ）に示すように、基板８
の表面に任意の方向にタングステンＷが析出して成長
し、多方向にその析出物１４’が生じるため、薄膜の形
状を制御することができず、所望の方向にタングステン
Ｗの薄膜を形成することはできない。
【００３２】そして、ＸＹステージ１２を移動してレー
ザＬ1 ，Ｌ2 の照射位置を移動し、基板８の選択部分
８’を変えることにより、基板８の表面の任意の部分
に、一方向（上方向）に立体的に成長したタングステン
Ｗの立体配線の薄膜が得られる。
ザＬ1 ，Ｌ2 の照射位置を移動し、基板８の選択部分
８’を変えることにより、基板８の表面の任意の部分
に、一方向（上方向）に立体的に成長したタングステン
Ｗの立体配線の薄膜が得られる。
【００３３】ところで、基板表面におけるレーザ装置９
の紫外光レーザＬ2 の照射方向に薄膜が形成されるた
め、例えばレーザ装置９の位置又は鏡１０の反射角度を
変えて基板８の表面における紫外光レーザＬ2 の照射方
向を変えることにより、薄膜の形成方向が変わり、所望
の方向に立体的に成長したタングステンＷの薄膜が得ら
れる。
の紫外光レーザＬ2 の照射方向に薄膜が形成されるた
め、例えばレーザ装置９の位置又は鏡１０の反射角度を
変えて基板８の表面における紫外光レーザＬ2 の照射方
向を変えることにより、薄膜の形成方向が変わり、所望
の方向に立体的に成長したタングステンＷの薄膜が得ら
れる。
【００３４】したがって、熱分解反応と光分解反応との
組合せにより、熱分解反応のみでは不可能な薄膜の形状
制御が行え、しかも、紫外光の照射による光分解反応の
みの場合より成膜速度が大幅に高速化し、基板８の表面
の任意の部分に、所望の方向に立体的に成長した薄膜を
高速に形成することができ、マイクロシステムのデバイ
ス間の立体配線用の微細配線等が実現する。
組合せにより、熱分解反応のみでは不可能な薄膜の形状
制御が行え、しかも、紫外光の照射による光分解反応の
みの場合より成膜速度が大幅に高速化し、基板８の表面
の任意の部分に、所望の方向に立体的に成長した薄膜を
高速に形成することができ、マイクロシステムのデバイ
ス間の立体配線用の微細配線等が実現する。
【００３５】そして、図３の装置によりつぎの表１の条
件下、基板８の表面に一個所当り１５秒間紫外光レーザ
Ｌ2 を照射してタングステンＷの薄膜を形成したとこ
ろ、タングステンＷの成長速度は、紫外光レーザＬ2 の
みを照射して選択成長させた場合の２５Å／ｐｕｌｅｓ
ｅ（１０Hzで２５０Å／ｓｅｃ）に比して十分に高速の
約１０μｍ／ｓｅｃ以上になり、極めて高速にタングス
テンＷの立体的な薄膜が形成されることが確められた。
件下、基板８の表面に一個所当り１５秒間紫外光レーザ
Ｌ2 を照射してタングステンＷの薄膜を形成したとこ
ろ、タングステンＷの成長速度は、紫外光レーザＬ2 の
みを照射して選択成長させた場合の２５Å／ｐｕｌｅｓ
ｅ（１０Hzで２５０Å／ｓｅｃ）に比して十分に高速の
約１０μｍ／ｓｅｃ以上になり、極めて高速にタングス
テンＷの立体的な薄膜が形成されることが確められた。
【００３６】
【表１】
【００３７】ところで、熱分解反応を目的として照射す
る光は４００nm以上の可視光又は赤外光であればよく、
光分解反応を目的として照射する光は３００nm以下の紫
外光であればよい。
る光は４００nm以上の可視光又は赤外光であればよく、
光分解反応を目的として照射する光は３００nm以下の紫
外光であればよい。
【００３８】また、可視光，赤外光及び紫外光は、可視
光，赤外光のレーザ及びエキシマレーザで代表される紫
外光のレーザにより得ることができ、その際、照射エネ
ルギを考慮すると、基板表面の照射径が１００μｍ以下
になるようにビーム照射することが望ましい。
光，赤外光のレーザ及びエキシマレーザで代表される紫
外光のレーザにより得ることができ、その際、照射エネ
ルギを考慮すると、基板表面の照射径が１００μｍ以下
になるようにビーム照射することが望ましい。
【００３９】つぎに、基板に形成する薄膜は、種々の金
属薄膜等の導電性薄膜，その他の薄膜であってよく、例
えば金属薄膜（形成材料）に対して原料ガスはつぎの表
２に示すように選定すればよい。
属薄膜等の導電性薄膜，その他の薄膜であってよく、例
えば金属薄膜（形成材料）に対して原料ガスはつぎの表
２に示すように選定すればよい。
【００４０】
【表２】
【００４１】さらに、基板温度等は形成する薄膜や照射
エネルギ等を考慮して適当に決定すればよいのは勿論で
ある。
エネルギ等を考慮して適当に決定すればよいのは勿論で
ある。
【００４２】
【発明の効果】本発明は、以下に記載する効果を奏す
る。まず、原料ガスの熱分解雰囲気中で基板８表面に紫
外光を照射し、基板表面の紫外光照射部分に紫外光照射
方向に薄膜を形成したため、基板８表面で原料ガスの熱
分解反応と紫外光の照射による光分解反応とを発生し、
原料ガスの熱分解反応によって基板８表面に金属等を析
出し、この析出物の紫外光照射部分を光分解によって局
所的に活性化し、その照射部分を析出材料の成長点にし
て析出材料を紫外光照射方向に選択的に成長させること
ができる。
る。まず、原料ガスの熱分解雰囲気中で基板８表面に紫
外光を照射し、基板表面の紫外光照射部分に紫外光照射
方向に薄膜を形成したため、基板８表面で原料ガスの熱
分解反応と紫外光の照射による光分解反応とを発生し、
原料ガスの熱分解反応によって基板８表面に金属等を析
出し、この析出物の紫外光照射部分を光分解によって局
所的に活性化し、その照射部分を析出材料の成長点にし
て析出材料を紫外光照射方向に選択的に成長させること
ができる。
【００４３】この結果、基板表面の紫外光照射部分に、
紫外光照射方向に立体的に成長した金属薄膜等の薄膜を
選択的に形成することができる。
紫外光照射方向に立体的に成長した金属薄膜等の薄膜を
選択的に形成することができる。
【００４４】そして、熱分解反応と光分解反応との組合
せにより、熱分解反応のみでは不可能な薄膜の形状制御
が行え、しかも、紫外光の照射による光分解反応のみの
場合より成膜速度が大幅に高速化し、基板８表面の任意
の部分に、所望の方向に立体的に成長した薄膜を高速に
形成することができ、マイクロシステムのデバイス間の
立体配線用の微細配線等を実現することができる。
せにより、熱分解反応のみでは不可能な薄膜の形状制御
が行え、しかも、紫外光の照射による光分解反応のみの
場合より成膜速度が大幅に高速化し、基板８表面の任意
の部分に、所望の方向に立体的に成長した薄膜を高速に
形成することができ、マイクロシステムのデバイス間の
立体配線用の微細配線等を実現することができる。
【００４５】そして、原料ガスの熱分解は可視光又は赤
外光を照射して行うことができ、可視光レーザ又は赤外
光レーザを照射して原料ガスを熱分解し、基板８表面に
照射する紫外光を紫外光レーザとすることが好ましい。
外光を照射して行うことができ、可視光レーザ又は赤外
光レーザを照射して原料ガスを熱分解し、基板８表面に
照射する紫外光を紫外光レーザとすることが好ましい。
【００４６】さらに、原料ガス雰囲気中において、基板
８の表面に可視光レーザ又は赤外光レーザと、紫外光レ
ーザとを重畳して照射し、基板８の表面において両レー
ザ光が重畳して照射される領域に、紫外光照射方向に成
長する薄膜を形成することが、実用的で望ましい。
８の表面に可視光レーザ又は赤外光レーザと、紫外光レ
ーザとを重畳して照射し、基板８の表面において両レー
ザ光が重畳して照射される領域に、紫外光照射方向に成
長する薄膜を形成することが、実用的で望ましい。
【図１】本発明の実施の１形態の結晶成長機構の説明図
である。
である。
【図２】（ａ）は図１の結晶成長による析出方向の説明
図、（ｂ）は紫外光を照射しない場合の析出方向の説明
図である。
図、（ｂ）は紫外光を照射しない場合の析出方向の説明
図である。
【図３】図１の結晶成長を実現する薄膜製造装置のブロ
ック構成図である。
ック構成図である。
８ 基板 １４，１４’ 析出物 Ｌ1 可視光レーザ Ｌ2 紫外光レーザ
Claims (4)
- 【請求項１】 原料ガスの熱分解雰囲気中で基板表面に
紫外光を照射し、 前記基板表面の紫外光照射部分に紫外光照射方向に成長
する薄膜を形成することを特徴とする薄膜の選択成長方
法。 - 【請求項２】 原料ガスの熱分解を可視光又は赤外光を
照射して行うことを特徴とする請求項１記載の薄膜の選
択成長方法。 - 【請求項３】 可視光レーザ又は赤外光レーザを照射し
て原料ガスを熱分解し、基板表面に照射する紫外光を紫
外光レーザとしたことを特徴とする請求項１記載の薄膜
の選択成長方法。 - 【請求項４】 原料ガス雰囲気中において、基板表面に
可視光レーザ又は赤外光レーザと、紫外光レーザとを重
畳して照射し、前記基板表面において両レーザ光が重畳
して照射される領域に、紫外光照射方向に成長する薄膜
を形成することを特徴とする薄膜の選択成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8264398A JPH11260821A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 薄膜の選択成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8264398A JPH11260821A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 薄膜の選択成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260821A true JPH11260821A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13780119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8264398A Pending JPH11260821A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 薄膜の選択成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260821A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020007094A (ko) * | 2000-07-15 | 2002-01-26 | 장세원 | 맞춤형 데이타레이어 표시방법 |
-
1998
- 1998-03-13 JP JP8264398A patent/JPH11260821A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020007094A (ko) * | 2000-07-15 | 2002-01-26 | 장세원 | 맞춤형 데이타레이어 표시방법 |
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