JPH11260819A - Repairing method of metal wiring - Google Patents
Repairing method of metal wiringInfo
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- JPH11260819A JPH11260819A JP6271798A JP6271798A JPH11260819A JP H11260819 A JPH11260819 A JP H11260819A JP 6271798 A JP6271798 A JP 6271798A JP 6271798 A JP6271798 A JP 6271798A JP H11260819 A JPH11260819 A JP H11260819A
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- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/225—Correcting or repairing of printed circuits
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、メタル配線の断線
リペア方法に関し、特にカラー液晶パネル等のガラス基
板のメタル配線のリペア方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for repairing disconnection of metal wiring, and more particularly to a method for repairing metal wiring of a glass substrate such as a color liquid crystal panel.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化・多機
能化に伴い、半導体基板等においては、その配線変更技
術、即ち、特性変更のために、配線をトリミングした
り、他の配線と接続し直したり、あるいは製造中に断線
したメタル配線のリペア技術が重要になっている。2. Description of the Related Art In recent years, as semiconductor integrated circuits have become more highly integrated and multifunctional, semiconductor substrates and the like have their wiring changed technology, that is, the wiring is trimmed or changed with other wiring in order to change the characteristics. A technique of repairing a metal wiring that has been reconnected or broken during manufacturing has become important.
【０００３】これらのリペア技術の第１の従来例とし
て、特開平２−２５５８号公報には、ガラス基板上のク
ロム配線パターン（遮光膜）のピンホールをリペアする
技術が開示されている。この技術を図８を参照して説明
する。まず、図８（ａ）のように、基板２２上のクロム
パターン２１のピンホール２３を含む全面にポジ型の保
護膜２７を形成し、次いでポジ型のフォトレジスト２５
を保護膜２７上に塗布した後ピンホール上部のフォトレ
ジスト２５を紫外線光でスポット露光する。なお、図
中、２４はクロムパターンの抜け部分である。As a first conventional example of these repair techniques, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-2558 discloses a technique for repairing a pinhole of a chrome wiring pattern (light shielding film) on a glass substrate. This technique will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 8A, a positive type protective film 27 is formed on the entire surface including the pinholes 23 of the chromium pattern 21 on the substrate 22, and then a positive type photoresist 25 is formed.
Is applied on the protective film 27, and the photoresist 25 above the pinhole is spot-exposed with ultraviolet light. In the drawing, reference numeral 24 denotes a missing portion of the chrome pattern.
【０００４】次いで、現像してピンホール２３上のフォ
トレジスト２５に開口部２５ａを形成した後（図８
（ｂ）、プラズマエッチングで開口部２５ａの底部に露
出した保護膜２７をエッチングして除去し、ピンホール
２３を露出させ、スパッタリングで修正用クロム膜２６
をフォトレジスト２５上に形成する。ピンホール２３に
も修正用クロム膜２６Ｐが析出する（図８（ｃ））。Next, after developing to form an opening 25a in the photoresist 25 on the pinhole 23 (FIG. 8)
(B), the protective film 27 exposed at the bottom of the opening 25a is removed by etching by plasma etching, the pinhole 23 is exposed, and the repair chromium film 26 is formed by sputtering.
Is formed on the photoresist 25. The repair chromium film 26P is also deposited on the pinhole 23 (FIG. 8C).
【０００５】次いで、アルカリ剥離液でフォトレジスト
２５を剥離する。フォトレジスト上の修正用クロム膜２
６はリフトオフされる（図８（ｄ））。なお、抜け部分
２４上の保護膜２７は修正用クロム膜２６の抜け部分２
４への付着防止をしている。次いで、保護膜２７を紫外
線露光後、剥離液で保護膜を剥離しクロムパターン２１
のピンホール２３のリペアが完了する（図８（ｅ））。Next, the photoresist 25 is stripped with an alkali stripper. Repair chrome film 2 on photoresist
6 is lifted off (FIG. 8D). Note that the protective film 27 on the missing portion 24 corresponds to the missing portion 2 of the repair chrome film 26.
4 to prevent adhesion. Next, after exposing the protective film 27 to ultraviolet light, the protective film is peeled off with a peeling solution to remove the chrome pattern 21.
The repair of the pinhole 23 is completed (FIG. 8E).
【０００６】また、リペア技術の第２の従来例として、
特公昭６１―６１６７１号公報（特開昭５８―７１１７
号公報）には、導電薄膜付きフィルムを用い、レーザの
スポット照射で導電薄膜を蒸発させ、この蒸発した導電
物質をパターン欠陥部分に蒸着してパターンをリペアす
る装置が開示されている。As a second conventional example of the repair technique,
JP-B-61-61671 (JP-A-58-7117)
Discloses an apparatus for repairing a pattern by using a film with a conductive thin film, evaporating the conductive thin film by laser spot irradiation, and depositing the evaporated conductive material on a pattern defect portion.
【０００７】他のリペア技術（第３の従来例）として、
特開昭６０―５９３３３号公報や特開平２−３９４５７
号公報には、修正用パッドや配線を予め基板上に設けて
おき、このパッドや配線をレーザ照射で溶解させて不良
配線に接続してリペアする技術が開示されている。As another repair technique (third conventional example),
JP-A-60-59333 and JP-A-2-39457.
Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H11-163873 discloses a technique in which a repair pad or wiring is provided on a substrate in advance, and the pad or wiring is melted by laser irradiation and connected to a defective wiring for repair.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記のリペア技術の第
１の従来例では、フォトレジスト２５上に修正用クロム
膜２６を成膜する際、成膜装置の真空チャンバーや、真
空ポンプ内に硫黄等のフォトレジスト成分が付着してし
まい、また、リフトオフされた修正用クロム膜２６がフ
ォトレジストの剥離装置を汚染したり、装置の配管を詰
まらせたりする問題があった。In the first prior art of the repair technique described above, when the repair chromium film 26 is formed on the photoresist 25, the sulfur is not contained in a vacuum chamber or a vacuum pump of a film forming apparatus. In addition, there is a problem that the photoresist component such as the above adheres, and the repaired chromium film 26 lifted off contaminates the photoresist stripping device and clogs the piping of the device.
【０００９】また、上記第２の従来例では、蒸着する幅
と長さの制御が難しいために、リペアする欠陥部分の大
きさの影響を受けやすく、リペア対象のパターンが微細
パターンになればなるほど、リペアが困難である問題が
あった。In the second conventional example, since it is difficult to control the width and length of vapor deposition, the second conventional example is easily affected by the size of a defective portion to be repaired. There was a problem that repair is difficult.
【００１０】上記第３の従来例では、レーザ照射部周辺
の絶縁膜やレーザ照射部の配線材料が変質しやい欠点が
あった。The third conventional example has a disadvantage that the insulating film around the laser irradiation part and the wiring material of the laser irradiation part are easily deteriorated.
【００１１】本発明は、上記の従来の配線リペア技術に
おける問題点を解決したメタル配線のリペア方法を提供
することを目的とする。An object of the present invention is to provide a metal wiring repair method which solves the above-mentioned problems in the conventional wiring repair technology.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明のメタル配線のリ
ペア方法は、基板上に形成された下層メタル配線の断線
部を含む前記基板全面に絶縁膜を形成する工程と、前記
絶縁膜上にポジ型フォトレジストを被覆する工程と、前
記下層メタル配線の前記断線部上の前記ポジ型フォトレ
ジストを紫外線で第１のスポット露光を行った後現像
し、前記断線部上の前記ポジ型フォトレジストに第１の
開口部を形成する工程と、前記第１の開口部に露出した
前記絶縁膜を選択的に除去して第２の開口部を形成し前
記下層メタル配線の前記断線部を露出させる工程と、前
記ポジ型フォトレジストを剥離する工程と、前記絶縁膜
上に上層メタル膜を形成すると同時に前記第２の開口部
の前記断線部を該上層メタル膜で修復する工程と、前記
第２の開口部を含む前記上層メタル膜上にネガ型フォト
レジストを被覆する工程と、上層配線形成位置の前記ネ
ガ型フォトレジスト表面を紫外線で露光する工程と、前
記第２の開口部上の前記ネガ型フォトレジストを紫外線
で第２のスポット露光を行う工程と、前記ネガ型フォト
レジストの未露光部分を現像除去する工程と、前記ネガ
型フォトレジストの前記上層メタル膜の非被覆部をエッ
チングし上層メタル配線を形成後、前記ネガ型フォトレ
ジストを剥離する工程とを含むことを特徴とする。According to the present invention, there is provided a method of repairing a metal wiring, comprising the steps of: forming an insulating film on the entire surface of the substrate including a broken portion of a lower metal wiring formed on the substrate; A step of coating a positive type photoresist, and developing the positive type photoresist on the disconnected portion of the lower metal wiring after performing a first spot exposure with ultraviolet light, and developing the positive type photoresist on the disconnected portion Forming a first opening, and selectively removing the insulating film exposed in the first opening to form a second opening to expose the disconnected portion of the lower metal wiring. Removing the positive photoresist, forming an upper metal film on the insulating film, and simultaneously repairing the disconnection of the second opening with the upper metal film; Including the opening A step of coating the negative type photoresist on the upper layer metal film, a step of exposing the surface of the negative type photoresist at an upper wiring formation position with ultraviolet rays, and a step of exposing the negative type photoresist on the second opening to ultraviolet rays. Performing a second spot exposure, developing and removing an unexposed portion of the negative photoresist, and etching an uncovered portion of the upper metal film of the negative photoresist to form an upper metal wiring. And stripping the negative photoresist.
【００１３】本発明においては、上記上層配線形成位置
の前記ネガ型フォトレジスト表面を紫外線で露光する工
程は、前記第２の開口部上の前記ネガ型フォトレジスト
を紫外線でスポット露光した後に実施してもよい。In the present invention, the step of exposing the surface of the negative photoresist at the position of forming the upper layer wiring with ultraviolet rays is performed after spot exposure of the negative photoresist on the second opening with ultraviolet rays. You may.
【００１４】本発明においては、上層メタル配線形成と
同時に、下層メタル配線の欠陥部（断線部）がこの上層
メタル配線材料によって修復でき、また、ポジ型やネガ
型フォトレジスト剥離工程で配線材料が剥離されて剥離
液に混入することはない。In the present invention, at the same time as the formation of the upper metal wiring, a defective portion (disconnected portion) of the lower metal wiring can be repaired by the upper metal wiring material, and the wiring material is removed in the positive or negative photoresist removing step. It is not stripped and mixed into the stripping solution.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態の配線
リペア方法について図面を参照して説明する。図１は、
本発明の第１の実施の形態の配線リペア方法の工程を説
明するための基板要部の断面図である。まず、ガラス等
からなる基板１上にスパッタリングしてパターニングさ
れた厚さ１００〜５００ｎｍのクロム，ＩＴＯ膜，アル
ミニウム，モリブデン等からなる下層メタル配線２を含
む基板１上に窒化シリコン（ＳｉＮｘ），二酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2）等の絶縁膜３をスパッタリングやプラズ
マＣＶＤにて成膜後、ポジ型フォトレジスト４をスピン
コートや、スリットスピンコート等の方法でコーティン
グする。ポジ型フォトレジスト４としては、ナフトキノ
ンジアゾ系樹脂とノボラック樹脂を主成分とする感光性
樹脂が使用され、厚さ１．５〜２．０μｍコーテイング
される。次いで、下層メタル配線２の断線部２ａ上のポ
ジ型フォトレジスト４上に紫外線（使用波長：ｇ線（４
３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）領域）を４０〜５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2程度の光量でスポット露光し、テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等のアル
カリ性現像液で約１３０秒間現像して第１の開口部４ａ
を形成し（図１（ａ））、水洗する。 次いで、ポジ型
フォトレジスト４をマスクとして絶縁膜３をプラズマエ
ッチングして絶縁膜に第２の開口部３ａを形成し、下層
メタル配線２の断線部２ａ露出させた後、ポジ型フォト
レジスト４をアルカリ剥離する（図１（ｂ））し、水洗
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A wiring repair method according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part of the substrate for describing steps of the wiring repair method according to the first embodiment of the present invention. First, a silicon nitride (SiNx), a silicon dioxide (SiO 2), After an insulating film 3 such as silicon (SiO 2 ) is formed by sputtering or plasma CVD, a positive photoresist 4 is coated by a method such as spin coating or slit spin coating. As the positive photoresist 4, a photosensitive resin containing a naphthoquinone diazo resin and a novolak resin as main components is used, and is coated with a thickness of 1.5 to 2.0 μm. Next, an ultraviolet ray (used wavelength: g-line (4) is formed on the positive photoresist 4 on the disconnection portion 2a of the lower metal wiring 2.
36 nm), h-line (405 nm) region)
The first opening 4a is spot-exposed with a light amount of about J / cm 2 and developed for about 130 seconds with an alkaline developer such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH).
Is formed (FIG. 1A) and washed with water. Next, using the positive photoresist 4 as a mask, the insulating film 3 is plasma-etched to form a second opening 3a in the insulating film, exposing the disconnection portion 2a of the lower metal wiring 2, and then removing the positive photoresist 4 After alkali peeling (FIG. 1 (b)), it is washed with water.
【００１６】次に、開口部３ａを含む絶縁膜３上にスパ
ッタリングで下層メタル配線２と同様な配線材料の絶縁
膜３の第２の開口部３ａを含む絶縁膜３上に上層メタル
膜５を被覆する。上層メタル膜の材質としては下層メタ
ル配線と同じものを使用することが好ましいが、下層メ
タル配線とは異なっていても構わない。上層メタル膜と
してはＩＴＯ膜やクロム，アルミニウム，モリブデン等
の金属が使用される。ＩＴＯ膜は１０〜２０ｎｍ、その
他の金属では１００〜５００ｎｍの厚さに成膜される。
上層メタル膜５を被覆後、上層メタル膜上にテトラハイ
ドロキシベンゾフェノン系樹脂とノボラック系樹脂を主
成分とするネガ型フォトレジスト６をスピンコートや、
スリットスピンコート等の方法でコーティングする。次
いで、ネガ型フォトレジスト６の上層配線形成部分に紫
外線（波長：ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）
領域）を照射して露光量３０〜４０ｍＪ／ｃｍ2程度で
露光後（図１（ｃ））、下層メタル配線２の断線部２ａ
に形成された上層メタル膜上のネガ型フォトレジスト６
部分を紫外線で露光量３０〜４０ｍＪ／ｃｍ2程度でス
ポット露光する（図１（ｄ））。Next, the upper metal film 5 is formed on the insulating film 3 including the second opening 3a of the insulating film 3 of the same wiring material as the lower metal wiring 2 by sputtering on the insulating film 3 including the opening 3a. Cover. It is preferable to use the same material as the lower metal wiring as the material of the upper metal film, but it may be different from the lower metal wiring. As the upper metal film, an ITO film or a metal such as chromium, aluminum, and molybdenum is used. The ITO film is formed to a thickness of 10 to 20 nm, and other metals are formed to a thickness of 100 to 500 nm.
After the upper metal film 5 is coated, a negative photoresist 6 mainly composed of a tetrahydroxybenzophenone-based resin and a novolak-based resin is spin-coated on the upper metal film,
Coating is performed by a method such as slit spin coating. Next, ultraviolet rays (wavelength: g-line (436 nm), h-line (405 nm)) are applied to the upper layer wiring forming portion of the negative photoresist 6.
Area) and exposed at an exposure amount of about 30 to 40 mJ / cm 2 (FIG. 1C), and then a disconnection portion 2a of the lower metal wiring 2 is formed.
Photoresist 6 on the upper metal film formed on the substrate 6
The portion is spot-exposed with ultraviolet rays at an exposure of about 30 to 40 mJ / cm 2 (FIG. 1D).
【００１７】次いで、約１８０秒間のＰＥＢ処理を行っ
た後、ＴＭＡＨ現像液で約１３０秒間現像して上層メタ
ル膜５上にネガ型フォトレジストパターンを形成し、こ
のレジストパターンをマスクとして上層メタル膜５をプ
ラズマエッチングする。なお、上記ネガ型フォトレジス
ト６の上層配線形成部分の紫外線露光と下層メタル配線
２の断線部２ａに形成された上層メタル膜上のネガ型フ
ォトレジスト６部分の紫外線スポット露光の順序は逆に
行っても構わない。Next, after performing a PEB process for about 180 seconds, a negative photoresist pattern is formed on the upper metal film 5 by developing with a TMAH developer for about 130 seconds, and the upper metal film is formed using the resist pattern as a mask. 5 is plasma-etched. It should be noted that the order of the ultraviolet exposure of the upper part of the negative photoresist 6 where the upper wiring is formed and the ultraviolet spot exposure of the part of the negative photoresist 6 on the upper metal film formed at the disconnection portion 2a of the lower metal wiring 2 are reversed. It does not matter.
【００１８】次いでネガ型フォトレジストパターンをア
ルカルリ剥離すると、図１（ｅ）の如く、上層メタル配
線８形成と同時にこの上層配線材料からなるリペアメタ
ル７により下層メタル配線の断線がリペアされる。Next, when the negative photoresist pattern is peeled off, the lower metal wiring is repaired by the repair metal 7 made of the upper wiring material simultaneously with the formation of the upper metal wiring 8 as shown in FIG. 1 (e).
【００１９】このように、本発明の実施の形態の配線リ
ペア方法では、ポジ型やネガ型フォトレジスト剥離工程
で配線材料が剥離されて剥離液に混入することはなく、
またレーザ光を使用せずに下層メタル配線の欠陥（断
線）が上層メタル配線の形成と同時に精度よく行うこと
ができる。As described above, in the wiring repair method according to the embodiment of the present invention, the wiring material is not stripped in the positive or negative photoresist stripping step and mixed with the stripping solution.
Further, the defect (breakage) of the lower metal wiring can be accurately performed at the same time as the formation of the upper metal wiring without using a laser beam.
【００２０】上記の実施の形態の配線リペア方法におけ
る一連動作について図２のフローチャートを参照して詳
細に説明する。まず、基板上に下層メタル配線形成のた
めのフォトリソグラフィー工程完了（工程Ｓ１）後、光
学パターン検査機等を使用してパターン検査し、下層メ
タル配線の断線アドレスを該検査機の記憶装置に取り込
み記憶する（工程Ｓ２〜工程Ｓ４）。A series of operations in the wiring repair method of the above embodiment will be described in detail with reference to the flowchart of FIG. First, after a photolithography process for forming a lower metal wiring on a substrate is completed (step S1), a pattern inspection is performed using an optical pattern inspection device or the like, and a disconnection address of the lower metal wiring is loaded into a storage device of the inspection device. It is stored (Step S2 to Step S4).
【００２１】次いで、下層メタル配線上にＳｉＮｘ、Ｓ
ｉＯ2等の絶縁膜を成膜（工程Ｓ５）後、フォトレジス
トの塗布を行う（工程Ｓ６）。ここでは、ポジ型フォト
レジストが使用される。Next, SiNx, S
After forming an insulating film such as iO 2 (Step S5), a photoresist is applied (Step S6). Here, a positive photoresist is used.
【００２２】基板上の正規のコンタクトホールの露光を
実施した（工程Ｓ７）後、基板上の下層メタル配線の断
線座標に、図３に示す様にリペアパターン３０をスポッ
ト露光（スポット露光１）する（工程Ｓ８〜工程Ｓ
９）。スポット露光１の座標は、先に実施したパターン
検査で得られたアドレスを基にする。スポット露光１に
使用する露光装置としては、正規のコンタクトホールの
パターンを露光するのに使用するステッパーをそのまま
利用する。After exposing the regular contact hole on the substrate (step S7), the repair pattern 30 is spot-exposed (spot exposure 1) to the disconnection coordinates of the lower metal wiring on the substrate as shown in FIG. (Step S8 to Step S
9). The coordinates of the spot exposure 1 are based on the addresses obtained in the pattern inspection performed earlier. As an exposure apparatus used for spot exposure 1, a stepper used for exposing a regular contact hole pattern is used as it is.
【００２３】図４は、スポット露光１に使用するステッ
パーの基本構成である。図中符号１はスポット露光する
基板、４０はＸＹステージ、４１はステッパー光学系、
４２はフォトマスクを示す。正規のパターンを露光した
後に、フォトマスク４２を、図５に示す様に多種類の大
きさのリペアパターン５０が配置されたフォトマスク５
１に交換し、断線の形状に合った大きさのパターンを選
択し露光する。この後は、通常のフローに戻り、現像を
行う（工程Ｓ１０）。FIG. 4 shows the basic configuration of a stepper used for spot exposure 1. In the figure, reference numeral 1 denotes a substrate for spot exposure, 40 denotes an XY stage, 41 denotes a stepper optical system,
Reference numeral 42 denotes a photomask. After exposing the regular pattern, the photomask 42 is replaced with a photomask 5 on which repair patterns 50 of various sizes are arranged as shown in FIG.
1 and a pattern having a size matching the shape of the disconnection is selected and exposed. Thereafter, the flow returns to the normal flow and development is performed (step S10).
【００２４】次いで、上層メタル膜を成膜（工程Ｓ１
１）後、上層メタル配線形成用のフォトレジストの塗布
を行う（工程Ｓ１２）。ここで使用するレジストは、ネ
ガ型フォトレジストを使用する。Next, an upper metal film is formed (step S1).
1) Thereafter, a photoresist for forming an upper metal wiring is applied (step S12). As the resist used here, a negative photoresist is used.
【００２５】基板上の正規の上層メタル配線のパターン
を露光した後、基板の断線座標に、図６に示す様にリペ
アパターン６０を露光（スポット露光２）する（工程Ｓ
１３〜工程Ｓ１５）。スポット露光２の座標は、先に実
施したパターン検査で得られたアドレスを基にする。ス
ポット露光２は、スポット露光１と同様にステッパーに
よる露光でよい。After exposing the pattern of the regular upper metal wiring on the substrate, the repair pattern 60 is exposed (spot exposure 2) to the disconnection coordinates of the substrate as shown in FIG. 6 (step S).
13 to step S15). The coordinates of the spot exposure 2 are based on the addresses obtained in the pattern inspection performed earlier. The spot exposure 2 may be exposure by a stepper as in the case of the spot exposure 1.
【００２６】この後は、通常のフローに戻り現像し、上
層配線パターンを形成する（工程Ｓ１６）。Thereafter, the process returns to the normal flow and development is performed to form an upper wiring pattern (step S16).
【００２７】次に、本発明の第２の実施の形態の配線リ
ペア方法について説明する。本実施の形態では、上記第
１の実施の形態におけるスポット露光の手段として使用
されたステッパーのように高速でフォトマスクのマスク
交換が出来ない場合に、図７のように基板１をセットす
るＸＹステージ７０と、リペアパターンの大きさを調整
できるＸＹスリット７２、及び光源７３とレンズ７１を
有するスポット露光装置を使用して配線リペア部分のフ
ォトレジストのスポット露光を行う）。他の工程につい
ては上記第１の実施の形態と同じである。Next, a description will be given of a wiring repair method according to a second embodiment of the present invention. In the present embodiment, when the photomask can not be changed at high speed as in the stepper used as the spot exposure means in the first embodiment, the XY plane for setting the substrate 1 as shown in FIG. The spot exposure of the photoresist in the wiring repair portion is performed using a spot exposure apparatus having a stage 70, an XY slit 72 capable of adjusting the size of the repair pattern, a light source 73, and a lens 71). The other steps are the same as in the first embodiment.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明の第１の効果は、リペアの工程を
新たに追加することなく、上層メタル配線形成と同時
に、下層メタル配線の欠陥部（断線部）がこの上層メタ
ル配線材料によって修復できることである。The first effect of the present invention is that the defect (disconnection) of the lower metal wiring is repaired by the upper metal wiring material simultaneously with the formation of the upper metal wiring without newly adding a repair process. What you can do.
【００２９】本発明の第２の効果は、ポジ型やネガ型フ
ォトレジスト剥離工程で配線材料が剥離されて剥離液に
混入することはなく、レジスト剥離の安定化とレジスト
剥離液の長寿命化が図れることである。The second effect of the present invention is that the wiring material is not stripped in the positive or negative type photoresist stripping step and is not mixed into the stripping solution, so that the resist stripping is stabilized and the life of the resist stripping solution is extended. Is to be achieved.
【００３０】本発明の第３の効果は、２回目の露光に、
ネガ型フォトレジストを使用し、配線パターンの露光と
スポット露光を連続して実施できることである。The third effect of the present invention is that the second exposure
Using a negative type photoresist, exposure of a wiring pattern and spot exposure can be performed continuously.
【図１】本発明の第１の実施の形態の配線リペア方法の
工程を説明するための基板要部の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part of a substrate for describing steps of a wiring repair method according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施の形態の配線リペア方法に
おける一連動作を説明するための工程フローチャートで
ある。FIG. 2 is a process flowchart for explaining a series of operations in the wiring repair method according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１の実施の形態の配線リペア方法に
おけるスポット露光１のリペアパターン例である。FIG. 3 is a repair pattern example of spot exposure 1 in the wiring repair method according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１の実施の形態の配線リペア方法に
おけるスポット露光１に使用するステッパーの基本構成
図である。FIG. 4 is a basic configuration diagram of a stepper used for spot exposure 1 in the wiring repair method according to the first embodiment of the present invention.
【図５】スポット露光１に使用する多種類の大きさのリ
ペアパターンが配置されたフォトマスクの平面図であ
る。FIG. 5 is a plan view of a photomask on which repair patterns of various sizes used for spot exposure 1 are arranged.
【図６】スポット露光２に使用するリペアパターン例で
ある。FIG. 6 is an example of a repair pattern used for spot exposure 2.
【図７】本発明の第２の実施の形態の配線リペア方法に
使用されるリペアパターンの大きさを調整できるＸＹス
リット、及び光源を持つスポット露光装置の概略図であ
る。FIG. 7 is a schematic view of a spot exposure apparatus having an XY slit capable of adjusting the size of a repair pattern and a light source used in a wiring repair method according to a second embodiment of the present invention.
【図８】従来の配線リペア方法の工程を説明するための
基板要部の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a main part of a substrate for describing steps of a conventional wiring repair method.
１，２２ 基板 ２ 下層メタル配線 ２ａ 断線部 ３ 絶縁膜 ３ａ 第２の開口部 ４ａ 第１の開口部 ４ ポジ型フォトレジスト ５ 上層メタル膜 ６ ネガ型フォトレジスト ７ リペアメタル ８ 上層メタル配線 ２１ クロムパターン ２３ ピンホール ２４ 抜け部分 ２５ フォトレジスト ２５ａ 開口部 ２６，２６Ｐ 修正用クロム膜 ２７ 保護膜 ３０，５０，６０ リペアパターン ４０ ＸＹステージ ４１ ステッパー光学系 ４２，５１ フォトマスク ７０ ＸＹステージ ７１ レンズ ７２ ＸＹスリット ７３ 光源 Reference numeral 1 and 22 substrate 2 lower layer metal wiring 2a disconnection portion 3 insulating film 3a second opening 4a first opening 4 positive photoresist 5 upper metal film 6 negative photoresist 7 repair metal 8 upper metal wiring 21 chrome pattern Reference Signs List 23 Pinhole 24 Missing portion 25 Photoresist 25a Opening 26, 26P Repair chrome film 27 Protective film 30, 50, 60 Repair pattern 40 XY stage 41 Stepper optical system 42, 51 Photomask 70 XY stage 71 Lens 72 XY slit 73 light source
Claims (7)
線部を含む前記基板全面に絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜上にポジ型フォトレジストを被覆する工程と、
前記下層メタル配線の前記断線部上の前記ポジ型フォト
レジストを紫外線で第１のスポット露光を行った後現像
し、前記断線部上の前記ポジ型フォトレジストに第１の
開口部を形成する工程と、前記第１の開口部に露出した
前記絶縁膜を選択的に除去して第２の開口部を形成し前
記下層メタル配線の前記断線部を露出させる工程と、前
記ポジ型フォトレジストを剥離する工程と、前記絶縁膜
上に上層メタル膜を形成すると同時に前記第２の開口部
の前記断線部を該上層メタル膜で修復する工程と、前記
第２の開口部を含む前記上層メタル膜上にネガ型フォト
レジストを被覆する工程と、上層配線形成位置の前記ネ
ガ型フォトレジスト表面を紫外線で露光する工程と、前
記第２の開口部上の前記ネガ型フォトレジストを紫外線
で第２のスポット露光を行う工程と、前記ネガ型フォト
レジストの未露光部分を現像除去する工程と、前記ネガ
型フォトレジストの前記上層メタル膜の非被覆部をエッ
チングし上層メタル配線を形成後、前記ネガ型フォトレ
ジストを剥離する工程とを含むことを特徴とするメタル
配線のリペア方法。A step of forming an insulating film on the entire surface of the substrate including a disconnection of a lower metal wiring formed on the substrate; and a step of coating a positive photoresist on the insulating film.
Forming a first opening in the positive photoresist on the disconnection portion, after performing the first spot exposure of the positive photoresist on the disconnection portion of the lower metal wiring with ultraviolet rays, and then developing the positive photoresist on the disconnection portion; Selectively removing the insulating film exposed in the first opening to form a second opening to expose the disconnected portion of the lower metal wiring; and stripping the positive photoresist Forming the upper metal film on the insulating film, and simultaneously repairing the disconnection portion of the second opening with the upper metal film; and forming the upper metal film on the upper metal film including the second opening. Coating the negative photoresist on the surface of the negative photoresist at the position where the upper wiring is to be formed, and exposing the negative photoresist on the second opening to a second spot with ultraviolet radiation. Performing light, developing and removing unexposed portions of the negative photoresist, and etching an uncovered portion of the upper metal film of the negative photoresist to form an upper metal wiring, and then forming the negative photoresist. Removing the resist.
線部を含む前記基板全面に絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜上にポジ型フォトレジストを被覆する工程と、
前記下層メタル配線の前記断線部上の前記ポジ型フォト
レジストを紫外線で第１のスポット露光を行った後現像
し、前記断線部上の前記ポジ型フォトレジストに第１の
開口部を形成する工程と、前記第１の開口部に露出した
前記絶縁膜を選択的に除去して第２の開口部を形成し前
記下層メタル配線の前記断線部を露出させる工程と、前
記ポジ型フォトレジストを剥離する工程と、前記絶縁膜
上に上層メタル膜を形成すると同時に前記第２の開口部
の前記断線部を該上層メタル膜で修復する工程と、前記
第２の開口部を含む前記上層メタル膜上にネガ型フォト
レジストを被覆する工程と、前記第２の開口部上の前記
ネガ型フォトレジストを紫外線で第２のスポット露光を
行う工程と、上層配線形成位置の前記ネガ型フォトレジ
スト表面を紫外線で露光する工程と、前記ネガ型フォト
レジストの未露光部分を現像除去する工程と、前記ネガ
型フォトレジストの前記上層メタル膜の非被覆部をエッ
チングし上層メタル配線を形成後、前記ネガ型フォトレ
ジストを剥離する工程とを含むことを特徴とするメタル
配線のリペア方法。A step of forming an insulating film on the entire surface of the substrate including a broken portion of the lower metal wiring formed on the substrate; and a step of coating a positive photoresist on the insulating film.
Forming a first opening in the positive photoresist on the disconnection portion, after performing the first spot exposure of the positive photoresist on the disconnection portion of the lower metal wiring with ultraviolet rays, and then developing the positive photoresist on the disconnection portion; Selectively removing the insulating film exposed in the first opening to form a second opening to expose the disconnected portion of the lower metal wiring; and stripping the positive photoresist Forming the upper metal film on the insulating film, and simultaneously repairing the disconnection portion of the second opening with the upper metal film; and forming the upper metal film on the upper metal film including the second opening. Coating the negative photoresist on the second opening with a second spot exposure with ultraviolet light, and applying ultraviolet light to the surface of the negative photoresist at the upper wiring formation position. Exposing, developing and removing an unexposed portion of the negative photoresist, and etching an uncovered portion of the upper metal film of the negative photoresist to form an upper metal wiring, and then forming the negative photoresist. Removing the metal wiring.
キノンジアゾ系樹脂とノボラック樹脂を主成分とする感
光性樹脂を使用した請求項１または２記載のメタル配線
のリペア方法。3. The metal wiring repair method according to claim 1, wherein a photosensitive resin containing a naphthoquinone diazo resin and a novolak resin as main components is used as the positive photoresist.
ハイドロキシベンゾフェノン系樹脂とノボラック系樹脂
を主成分とする感光性樹脂を使用した請求項１または２
記載のメタル配線のリペア方法。4. A photosensitive resin containing a tetrahydroxybenzophenone-based resin and a novolak-based resin as main components as the negative photoresist.
Repair method of metal wiring described.
ル配線の材質がクロム，ＩＴＯ，アルミニウム，モリブ
デンから選択された一つである請求項１，２，３または
４記載のメタル配線のリペア方法。5. The metal wiring repair method according to claim 1, wherein the material of the lower metal wiring and the material of the upper metal wiring are one selected from chromium, ITO, aluminum, and molybdenum.
ッパーによる露光である請求項１または２記載のメタル
配線のリペア方法。6. The method according to claim 1, wherein the first and second spot exposures are exposures using a stepper.
基板をセットするＸＹステージと、前記断線部のリペア
パターンの大きさを調整できるＸＹスリット、及び光源
とレンズを有するスポット露光装置を使用して行うこと
を特徴とする請求項１または２記載のメタル配線のリペ
ア方法。7. An XY stage for setting the substrate for the first and second spot exposures, an XY slit for adjusting the size of a repair pattern of the disconnection portion, and a spot exposure apparatus having a light source and a lens. 3. The method for repairing a metal wiring according to claim 1, wherein the method is performed.
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005508084A (en) * | 2001-10-30 | 2005-03-24 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | Magnetoresistive bit structure and manufacturing method thereof |
| JP2010530344A (en) * | 2007-09-21 | 2010-09-09 | エルジー・ケム・リミテッド | Glass or metal etching method using negative photoresist and cliche manufacturing method using the same |
| US8199273B2 (en) | 2007-08-31 | 2012-06-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Array substrate for flat-panel display device and its manufacturing method |
| US8493525B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-07-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel, liquid crystal display, method for repairing the same, color filter array panel and method for manufacturing the same |
| KR20210120301A (en) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 국민대학교산학협력단 | Repair Method of Fine Electrode |
-
1998
- 1998-03-13 JP JP06271798A patent/JP3157772B2/en not_active Expired - Fee Related
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| US8493525B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-07-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel, liquid crystal display, method for repairing the same, color filter array panel and method for manufacturing the same |
| US8760598B2 (en) | 2010-10-28 | 2014-06-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel, liquid crystal display, method for repairing the same, color filter array panel and method for manufacturing the same |
| US9093593B2 (en) | 2010-10-28 | 2015-07-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel, liquid crystal display, method for repairing the same, color filter array panel and method for manufacturing the same |
| KR20210120301A (en) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 국민대학교산학협력단 | Repair Method of Fine Electrode |
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