JPH11259153A - プシュプル型高速高圧電源 - Google Patents

プシュプル型高速高圧電源

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JPH11259153A
JPH11259153A JP5711998A JP5711998A JPH11259153A JP H11259153 A JPH11259153 A JP H11259153A JP 5711998 A JP5711998 A JP 5711998A JP 5711998 A JP5711998 A JP 5711998A JP H11259153 A JPH11259153 A JP H11259153A
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Hideji Mizoguchi
秀司 溝口
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高電圧出力も可能であり、且つ、正負両電源
の出力を単一回路で構成できる電源回路を提供する。 【解決手段】 直流電源間に接続された2段以上のFE
T19,22と、FET19,22を電流制御するため
のフォトカプラ14,15と、フォトカプラ14,15
を制御する演算増幅器5とを備えたプシュプル型高速高
圧電源。電流制御の基準電圧をフォトボル26,27で
生成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部コントロール
が可能な電源装置に関し、特に、テレビジョン受像機、
コンピューターディスプレイ等のCRT表示装置におい
て使用される電極用電源に関する。
【0002】
【従来の技術】CRT試験装置において、CRTの各電
極に所望の電圧を印加するために、可変電極用電源が準
備されている。また、電極間の耐圧試験を行うために、
通常以外の電圧を印加しなければならない。たとえば、
ヒーター電極とカソード電極間に±200V、第2グリ
ッドには、1.5kVの電圧を印加する。
【0003】図3に従来の電源回路を示す。Contr
ol端子は、外部からのコントロール電圧を印加する。
Feed−back端子には、出力電圧をある比率で分
圧した出力検出電圧をバッファーを通して反転して印加
する。分圧、及び検出抵抗は抵抗68、69である。た
とえば、コンデンサ59によって平滑化された被制御電
圧を1.2kVとした場合、出力電圧1kVとすると、
コントロール電圧が0〜10Vであれば、出力電圧は1
/100に分圧されて帰還されなければならない。演算
増幅器55は、入力端子56の電圧が0Vになるように
動作するので、抵抗51,52が同じ抵抗値である場
合、コントロール電圧が10Vのときは、Feed−b
ack端子は−10Vになる。
【0004】次に出力部について検討する。フォトボル
63によって発生させられた電圧をツェナーダイオード
62によって安定化し(V1)、FET60のゲートに
印加している。すなわち、抵抗61には、安定化された
電圧(V1)から、FET60のゲート・ソース間の電
圧(V2)を差し引いた電圧が印加されるため、FET
60には常に一定電流が流れ、その電流は抵抗61の抵
抗値をRとすると、I=(V1−V2)÷Rで与えられ
る値になる。
【0005】この電流を全て負荷側のコンデンサ72に
流すと、出力は最大になり、FET65を通して−10
V電源に流すと出力電圧は0Vとなる。FET65に流
す電流を制御しているのがフォトカプラ57である。フ
ォトカプラ57の受光側の電流は、発光側の電流に依存
し、発光側の電流は演算増幅器55の出力電圧で制御さ
れる。たとえば、コントロール電圧を0Vに近づけたと
き、演算増幅器55の出力電圧は正側に動き、抵抗58
の両端にかかる電圧が上昇する。それは、フォトカプラ
57の発光側の電流を増加させ、受光側の電流もそれに
したがって増加する。したがって、FET65を通って
−10V電源に流れ込む電流が増加し、出力電圧は0V
に近づく。
【0006】逆にコントロール電圧を+10Vに近づけ
ると、演算増幅器55の出力電圧は負側に動き、抵抗5
8の両端にかかる電圧が減少する。それは、フオトカプ
ラ57の発光側の電流を減少させ、受光側の電流もそれ
にしたがって減少する。したがって、電流Iは主に負荷
側のコンデンサ59に流れるようになり、出力電圧は1
kVに近づく。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図3に示す従来の回路
の場合、出力電圧は、FET60あるいはFET65の
ドレイン・ソース間耐圧の最大定格以上に上げることは
できない。また、正負両電源をコントロールすることは
できない。
【0008】そこで本発明は、高電圧出力も可能であ
り、且つ、正負両電源の出力を単一回路で構成できる電
源回路を提供することを課題とする。
【0009】
【発明を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明のプシュプル型高速高圧電源は、直流電源間
に接続された2段以上のFETと、前記FETを電流制
御するためのフォトカプラと、前記フォトカプラを制御
する演算増幅器とを備えたことを特徴とする。
【0010】前記電流制御の基準電圧をフォトボルで生
成することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の第1実施例の回
路構成である。Control端子には、外部からのコ
ントロール電圧を印加する。Feed−back端子に
は、出力電圧をある比率で分圧した出力検出電圧をバッ
ファーを通して反転して印加する。分圧及び検出抵抗は
抵抗33、34である。たとえば、コンデンサ32によ
って平滑化された被制御電圧を2.2kVとした場合、
出力電圧2kVとすると、コントロール電圧が0〜10
Vであれば、出力電圧は1/200に分圧されて、帰還
されなければならない。演算増幅器5は、入力端子6の
電圧が0Vになるように動作するので、抵抗1、2が同
じ抵抗値である場合、コントロール電圧が10Vのとき
は、Feed−back端子は−10Vになる。
【0012】次に演算増幅器の出力7について検討して
みる。出力7が0Vのとき、電源Vcc−Vee間に抵
抗8、フォトカプラ14、ダイオード10、11、フォ
トカプラ15、抵抗13を通して電流が流れ、フォトカ
プラ14、15の受光側に電流を生じさせる。この電流
は、フオトカプラ14、15ともにほぼ同じであるの
で、出力電圧は、出力電圧の半分になり、この例では、
1kV出力になる。
【0013】演算増幅器5の出力が最大出力、たとえば
12Vになった場合、接続点16が演算増幅器の最大出
力電圧以下の場合(たとえば10V)、ダイオード10
がカットオフし、フォトカプラ14の発光側には電流が
流れない。すなわち、受光側にも電流は流れない。一
方、フオトカプラ15の発光側には、接続点7から抵抗
12を通ってグランドに流れる電流と、抵抗13を通し
てVeeに流れる電流の合計の電流が流れる。そのた
め、フォトカプラ15の受光側にも電流が流れるが、し
かし、これは、無制限に流れるものではない。フォトボ
ル27によって発生させられた電圧をツェナーダイオー
ド25によって安定化し(V1)、FET22のゲート
に印加している。すなわち、抵抗23には、安定化され
た電圧(V1)から、FET22のゲート・ソース間の
電圧(V2)を差し引いた電圧が印加されるため、FE
T21、22、抵抗23を通ってフォトカプラ15の受
光側に流れる電流は、抵抗23の抵抗値をRとすると、
I=(V1−V2)÷Rで与えられる値になる。このと
き、フォトカプラ14の受光側には、電流が流れていな
いので、出力電圧は0Vとなる。
【0014】演算増幅器5の主力が最小出力、たとえば
−12Vになった場合、前述の動作と全く逆の状態にな
り、出力は2kVとなる。このときの、出力電圧の立ち
上がり時間は、整流コンデンサ37や、そのあとに接続
される負荷によるが、たとえば、コンデンサ37が0.
02μFのとき、立ち上がり時間2.5msec、立ち
下がり時間2.4msecとなり、高速で動作する。
【0015】抵抗28、29によって分圧された接続点
をFET18のゲートに接続し、FET18をFET1
9と直列接続している理由は、FET19にソース・ド
レイン間電圧の最大定格以上の電圧がかかる場合、この
ような接続により、FET18,19に印加される電圧
を分圧することができ、最大定格以下で使用することが
できるようにするためである。抵抗28、29に同じ抵
抗値を用いればFET1個に印加される電圧は半分にな
る。FET18、19を用いても、FETに印加されて
いる電圧が最大定格を越えている場合は、さらに同様の
方法で分圧し、3段以上にすることができる。また、F
ETに印加される電圧がすでに最大定格以下である場合
は、抵抗28、29、FET18を省くことができる。
【0016】次に被制御電圧について検討する。図1の
場合、コンデンサ32によって平滑化された片電源2.
2kVについて説明したが、図2の第2実施例に示すよ
うに、プラスマイナスの両電源を被制御電圧とすること
ができる。その場合、コンデンサ32A、32Bの中点
38がコモンとなり、抵抗34のコモン側に接続され
る。また、図2ではコモンに接続されていたフォトカプ
ラ15、ツェナーダイオード25、抵抗31はマイナス
電源に接続される。
【0017】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、直流
電源間に接続された2段以上のFETと、前記FETを
電流制御するためのフォトカプラと、前記フォトカプラ
を制御する演算増幅器とを備えたことにより、高速高圧
電源を実現できる。また、被制御電圧も正電源、正負両
電源、負電源と任意に選択することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施例の回路構成を示す回路図
である。
【図2】 本発明の第2実施例の回路構成を示す回路図
である。
【図3】 従来例の回路構成を示す回路図である。
【符号の説明】
1,2,3,8,9,12,13,20,23,28,
29,30,31,33,34,35,36 抵抗 4,32,32A,32B,37 コンデンサ 5 演算増幅器 6 演算増幅器の入力 7 演算増幅器の出力 10,11 ダイオード 14,15 フォトカプラ 16,17 電圧 18,19,21,22 FET 24,25 ツェナーダイオード 26,27 フォトボル 38 中点 51,52,53,58,61,64,67,68,6
9,70,71 抵抗 54,59,72 コンデンサ 55 演算増幅器 56 演算増幅器の入力 57 フォトカプラ 60,65 FET 62 ツェナーダイオード 63 フォトボル 66 トランジスタ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 直流電源間に接続された2段以上のFE
    Tと、前記FETを電流制御するためのフォトカプラ
    と、前記フォトカプラを制御する演算増幅器とを備えた
    ことを特徴とするプシュプル型高速高圧電源。
  2. 【請求項2】 電流制御の基準電圧をフォトボルで生成
    した請求項1記載のプシュプル型高速高圧電源。
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WO2019187431A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 高電圧増幅器、高電圧電源装置及び質量分析装置

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