JPH11257864A - 加熱炉 - Google Patents
加熱炉Info
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- JPH11257864A JPH11257864A JP5702898A JP5702898A JPH11257864A JP H11257864 A JPH11257864 A JP H11257864A JP 5702898 A JP5702898 A JP 5702898A JP 5702898 A JP5702898 A JP 5702898A JP H11257864 A JPH11257864 A JP H11257864A
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- JP
- Japan
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- heated
- substrate
- heating
- heating furnace
- hot plate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】発生した昇華物が異物として基板表面に付着す
ることを防ぐこと、基板表面に加熱ムラによるピン跡を
残さないこと、さらに、基板面内の均熱性を保ちながら
搬送安定性を確保した加熱炉およびカラーフィルターの
製造方法を提供する。 【解決手段】加熱源を有するホットプレートと、その対
向側に設置した反射板とを有し、上記ホットプレートと
反射板との空隙を被加熱体が通過することにより被加熱
体を加熱する構成の加熱炉において、上記ホットプレー
トを被加熱体の上部に設置したことを特徴とする加熱
炉。
ることを防ぐこと、基板表面に加熱ムラによるピン跡を
残さないこと、さらに、基板面内の均熱性を保ちながら
搬送安定性を確保した加熱炉およびカラーフィルターの
製造方法を提供する。 【解決手段】加熱源を有するホットプレートと、その対
向側に設置した反射板とを有し、上記ホットプレートと
反射板との空隙を被加熱体が通過することにより被加熱
体を加熱する構成の加熱炉において、上記ホットプレー
トを被加熱体の上部に設置したことを特徴とする加熱
炉。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に液晶ディスプ
レイ用カラーフィルターの製造工程などに用いると好適
な加熱炉に関するものである。
レイ用カラーフィルターの製造工程などに用いると好適
な加熱炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイ用カラーフィルターの
製造工程では、基板上に顔料などで着色したポジ型また
はネガ型の感光性樹脂、あるいは着色した非感光性樹脂
の上に感光性樹脂を積層状態に塗布し、これを加熱炉に
よって乾燥、硬化させた後に、フォトリソグラフィー法
によって所望のパターンに加工する方法が主流となって
いる。また、フォトリソグラフィー加工後の基板表面に
オーバーコート剤を塗布し、乾燥、硬化させることも多
く、カラーフィルター製造工程では加熱炉による乾燥、
硬化工程が重要な位置を占めている。
製造工程では、基板上に顔料などで着色したポジ型また
はネガ型の感光性樹脂、あるいは着色した非感光性樹脂
の上に感光性樹脂を積層状態に塗布し、これを加熱炉に
よって乾燥、硬化させた後に、フォトリソグラフィー法
によって所望のパターンに加工する方法が主流となって
いる。また、フォトリソグラフィー加工後の基板表面に
オーバーコート剤を塗布し、乾燥、硬化させることも多
く、カラーフィルター製造工程では加熱炉による乾燥、
硬化工程が重要な位置を占めている。
【０００３】加熱炉の種類としては、ホットプレート
（以下ＨＰと称す）方式、熱風オーブン方式、真空乾燥
方式など様々な方法があり、樹脂の種類や目的に応じて
適宜選択される。
（以下ＨＰと称す）方式、熱風オーブン方式、真空乾燥
方式など様々な方法があり、樹脂の種類や目的に応じて
適宜選択される。
【０００４】ＨＰ方式は、電熱ヒーター等で加熱したプ
レート上に直接、もしくは、プレート上に設置したピン
等の治具上に被加熱体を保持し、主にＨＰからの輻射伝
熱によって被加熱体を加熱する方式である。
レート上に直接、もしくは、プレート上に設置したピン
等の治具上に被加熱体を保持し、主にＨＰからの輻射伝
熱によって被加熱体を加熱する方式である。
【０００５】熱風オーブン方式は、電熱ヒーター等で加
熱した熱風を加熱炉内で循環させ、炉内に保持した被加
熱体を主に対流伝熱により加熱する方式である。
熱した熱風を加熱炉内で循環させ、炉内に保持した被加
熱体を主に対流伝熱により加熱する方式である。
【０００６】真空乾燥方式は、真空チャンバー内に乾燥
を要する物体を保持し、チャンバー内を減圧することに
よって、溶媒の気化を促進させる乾燥方式である。
を要する物体を保持し、チャンバー内を減圧することに
よって、溶媒の気化を促進させる乾燥方式である。
【０００７】しかしながら、従来のＨＰ式加熱炉では以
下のイ〜ハに示すような問題点がみられた。例としてカ
ラーフィルター製造工程を挙げる。
下のイ〜ハに示すような問題点がみられた。例としてカ
ラーフィルター製造工程を挙げる。
【０００８】イ）基板表面に形成した塗膜を加熱する
と、塗膜から発生した昇華物が基板上部に設置した反射
板等の非加熱部分に析出し、異物の発生原因となってい
た。
と、塗膜から発生した昇華物が基板上部に設置した反射
板等の非加熱部分に析出し、異物の発生原因となってい
た。
【０００９】ロ）大板化した基板で安定した搬送を確保
するためには、ＨＰと基板間に搬送用治具が入る十分な
空隙を確保する必要がある。しかし、ＨＰと基板間の大
きな空隙は、ＨＰからの輻射伝熱を減少させ、基板の面
内温度分布を悪化させる原因となっていた。
するためには、ＨＰと基板間に搬送用治具が入る十分な
空隙を確保する必要がある。しかし、ＨＰと基板間の大
きな空隙は、ＨＰからの輻射伝熱を減少させ、基板の面
内温度分布を悪化させる原因となっていた。
【００１０】ハ）基板を保持するピンをＨＰ上に設置す
る構造であったため、過剰に加熱されたピンと基板の接
触部分に加熱ムラによるピン跡が残るといった問題を生
じていた。
る構造であったため、過剰に加熱されたピンと基板の接
触部分に加熱ムラによるピン跡が残るといった問題を生
じていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の欠点を改良し、発生した昇華物が異物として基板表
面に付着することを防ぐこと、基板表面に加熱ムラによ
るピン跡を残さないこと、さらに、基板面内の均熱性を
保ちながら搬送安定性を確保した加熱炉およびカラーフ
ィルターの製造方法を提供することを目的とする。
術の欠点を改良し、発生した昇華物が異物として基板表
面に付着することを防ぐこと、基板表面に加熱ムラによ
るピン跡を残さないこと、さらに、基板面内の均熱性を
保ちながら搬送安定性を確保した加熱炉およびカラーフ
ィルターの製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の加熱炉およびカラーフィルターの製造方法は以下の
とおりである。
明の加熱炉およびカラーフィルターの製造方法は以下の
とおりである。
【００１３】（１）加熱源を有するホットプレートと、
その対向側に設置した反射板とを有し、上記ホットプレ
ートと反射板との空隙を被加熱体が通過することにより
被加熱体を加熱する構成の加熱炉において、上記ホット
プレートを被加熱体の上部に設置したことを特徴とする
加熱炉。
その対向側に設置した反射板とを有し、上記ホットプレ
ートと反射板との空隙を被加熱体が通過することにより
被加熱体を加熱する構成の加熱炉において、上記ホット
プレートを被加熱体の上部に設置したことを特徴とする
加熱炉。
【００１４】（２）少なくとも側面あるいは側面上部に
排気手段を有することを特徴とする前記（１）に記載の
加熱炉。
排気手段を有することを特徴とする前記（１）に記載の
加熱炉。
【００１５】（３）ホットプレートの材質が、アルミニ
ウムもしくは表面にセラミック処理を施した金属からな
ることを特徴とする前記（１）または（２）に記載の加
熱炉。
ウムもしくは表面にセラミック処理を施した金属からな
ることを特徴とする前記（１）または（２）に記載の加
熱炉。
【００１６】（４）加熱源を有するホットプレートと、
その対向側に設置した反射板とを有し、上記ホットプレ
ートと反射板との空隙を被加熱体が通過することにより
被加熱体を加熱する構成の加熱炉において、昇華物を意
図的に析出させるための低温加熱部、または非加熱部、
もしくは冷却部を設けたことを特徴とする加熱炉。
その対向側に設置した反射板とを有し、上記ホットプレ
ートと反射板との空隙を被加熱体が通過することにより
被加熱体を加熱する構成の加熱炉において、昇華物を意
図的に析出させるための低温加熱部、または非加熱部、
もしくは冷却部を設けたことを特徴とする加熱炉。
【００１７】（５）前記（１）〜（４）のいずれかに記
載の加熱炉を用いることを特徴とするカラーフィルター
の製造方法。
載の加熱炉を用いることを特徴とするカラーフィルター
の製造方法。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に本発明の好ましい実施の形態
について説明する。
について説明する。
【００１９】本発明の加熱炉は、１枚もしくは複数枚の
ＨＰから構成されるが、複数枚の全部もしくは特に限定
した１部に適用しても本発明の効用を損なうものではな
い。本発明を構成するＨＰの材質は、特に限定されない
が、アルミニウム、鉄、銅等の金属類、金属の合金、さ
らに金属類にセラミック等の表面処理を施したものが好
ましく用いられる。
ＨＰから構成されるが、複数枚の全部もしくは特に限定
した１部に適用しても本発明の効用を損なうものではな
い。本発明を構成するＨＰの材質は、特に限定されない
が、アルミニウム、鉄、銅等の金属類、金属の合金、さ
らに金属類にセラミック等の表面処理を施したものが好
ましく用いられる。
【００２０】加熱源としては電熱ヒーターが好適に用い
られる。
られる。
【００２１】ＨＰの形状は、特に限定されないが、被加
熱体と対向する面が平坦であることが好ましい。平坦で
ないとＨＰ面から被加熱体までの距離のバラツキによっ
て、被加熱体を均一に加熱できない懸念がある。
熱体と対向する面が平坦であることが好ましい。平坦で
ないとＨＰ面から被加熱体までの距離のバラツキによっ
て、被加熱体を均一に加熱できない懸念がある。
【００２２】ＨＰの大きさは被加熱体の大きさにより様
々であるが、例えば長方形のＨＰで長方形のガラス基板
を加熱する場合、ＨＰの長辺の長さをＬ１、短辺の長さ
ｌ１、基板の長辺の長さをＬ２、短辺の長さをｌ２とす
ると、Ｌ１−ｌ１、およびＬ２−ｌ２の値が、好ましく
は５〜１００ｍｍ、さらに好ましくは２５〜７５ｍｍ、
より好ましくは２５〜５０ｍｍである。上記の値よりＨ
Ｐが小さいと被加熱体の端部が中央部より低温になるお
それがあり好ましくない。上記の値より大きいと逆に被
加熱体の端部の方が中央部より高温になるなるおそれが
あり好ましくない。ＨＰの加熱温度範囲としては、被加
熱体の種類や目的によって様々であり、室温〜２００
℃、室温〜３００℃、室温〜３５０℃など適宜選択すれ
ばよい。
々であるが、例えば長方形のＨＰで長方形のガラス基板
を加熱する場合、ＨＰの長辺の長さをＬ１、短辺の長さ
ｌ１、基板の長辺の長さをＬ２、短辺の長さをｌ２とす
ると、Ｌ１−ｌ１、およびＬ２−ｌ２の値が、好ましく
は５〜１００ｍｍ、さらに好ましくは２５〜７５ｍｍ、
より好ましくは２５〜５０ｍｍである。上記の値よりＨ
Ｐが小さいと被加熱体の端部が中央部より低温になるお
それがあり好ましくない。上記の値より大きいと逆に被
加熱体の端部の方が中央部より高温になるなるおそれが
あり好ましくない。ＨＰの加熱温度範囲としては、被加
熱体の種類や目的によって様々であり、室温〜２００
℃、室温〜３００℃、室温〜３５０℃など適宜選択すれ
ばよい。
【００２３】被加熱体を保持するピンの材質は特に限定
されないが、ＳＵＳ、鉄、銅、真鍮などの金属類、ベス
ペルなどの耐熱性高分子材料などが好ましく用いられ
る。
されないが、ＳＵＳ、鉄、銅、真鍮などの金属類、ベス
ペルなどの耐熱性高分子材料などが好ましく用いられ
る。
【００２４】被加熱体を保持するピンの高さは特に限定
されないが、好ましくは５ｍｍ以上、さらに好ましくは
７ｍｍ以上、より好ましくは８ｍｍ以上である。上記の
値よりピン高さが低いと、搬送用治具が被加熱体下に進
入する時、被加熱体と治具の接触により被加熱体が破損
するおそれがある。
されないが、好ましくは５ｍｍ以上、さらに好ましくは
７ｍｍ以上、より好ましくは８ｍｍ以上である。上記の
値よりピン高さが低いと、搬送用治具が被加熱体下に進
入する時、被加熱体と治具の接触により被加熱体が破損
するおそれがある。
【００２５】ＨＰと被加熱体との距離は特に限定されな
いが、好ましくは２〜５０ｍｍ、さらに好ましくは３〜
１０ｍｍ、より好ましくは５〜８ｍｍである。上記の範
囲より距離が短いと、熱膨張等により被加熱体とHPが接
触する恐れがあり、逆に大きいと被加熱体の温度分布が
広がり好ましくない。本発明が特に好適に用いられる液
晶ディスプレイ用カラーフィルターの製造工程の場合、
例えばフォトリソ加工の露光、現像工程前の加熱工程
で、被加熱体であるガラス基板の温度分布が広がると、
後の現像工程で面内の現像状態が不均一になり好ましく
ない。
いが、好ましくは２〜５０ｍｍ、さらに好ましくは３〜
１０ｍｍ、より好ましくは５〜８ｍｍである。上記の範
囲より距離が短いと、熱膨張等により被加熱体とHPが接
触する恐れがあり、逆に大きいと被加熱体の温度分布が
広がり好ましくない。本発明が特に好適に用いられる液
晶ディスプレイ用カラーフィルターの製造工程の場合、
例えばフォトリソ加工の露光、現像工程前の加熱工程
で、被加熱体であるガラス基板の温度分布が広がると、
後の現像工程で面内の現像状態が不均一になり好ましく
ない。
【００２６】従来のＨＰ方式加熱炉では、反射板温度は
ＨＰや被加熱体の温度より低温になり、また、発生した
昇華物は上昇気流によって反射板に付着するため、被加
熱体の上方で昇華物が析出し、析出した昇華物が落下す
ることによって異物の原因となっていた。
ＨＰや被加熱体の温度より低温になり、また、発生した
昇華物は上昇気流によって反射板に付着するため、被加
熱体の上方で昇華物が析出し、析出した昇華物が落下す
ることによって異物の原因となっていた。
【００２７】それに対し、本発明では、高温のＨＰを被
加熱体上方に設置するため、昇華物が発生しても、発生
した昇華物が被加熱体上方に析出せず、異物の発生原因
とはならない。さらに、気流の流線上で昇華物が析出し
ても、基板に影響を及ぼさない場所に、意図的に昇華物
析出温度以下となる低温加熱部、非加熱部、あるいは冷
却部を設ければ、炉内の一部のみに選択的に昇華物を析
出せることができる。たとえば、排気ダクト内は加熱源
がなく、低温であるため、排気ダクト内のいたる所に昇
華物が析出し、後々のメンテナンスが困難となるが、本
発明においては、炉内もしくは炉と排気ダクトとの接合
部などに、意図的に昇華物を析出する低温部を設けたも
のである。なお、上記低温部の温度は昇華性物質の物性
値に応じて適宜選定する。たとえば炉内を昇華点より高
温にし、低温部は昇華点より低温にすることにより行う
ことができる。
加熱体上方に設置するため、昇華物が発生しても、発生
した昇華物が被加熱体上方に析出せず、異物の発生原因
とはならない。さらに、気流の流線上で昇華物が析出し
ても、基板に影響を及ぼさない場所に、意図的に昇華物
析出温度以下となる低温加熱部、非加熱部、あるいは冷
却部を設ければ、炉内の一部のみに選択的に昇華物を析
出せることができる。たとえば、排気ダクト内は加熱源
がなく、低温であるため、排気ダクト内のいたる所に昇
華物が析出し、後々のメンテナンスが困難となるが、本
発明においては、炉内もしくは炉と排気ダクトとの接合
部などに、意図的に昇華物を析出する低温部を設けたも
のである。なお、上記低温部の温度は昇華性物質の物性
値に応じて適宜選定する。たとえば炉内を昇華点より高
温にし、低温部は昇華点より低温にすることにより行う
ことができる。
【００２８】
【実施例】本発明を実施例に基づいて説明するが、実施
例によって本発明の効力はなんら限定されるものではな
い。
例によって本発明の効力はなんら限定されるものではな
い。
【００２９】図１は本発明の一実施例を示す加熱炉の概
略図であり、図２は比較例として用いた従来の加熱炉の
概略図である。
略図であり、図２は比較例として用いた従来の加熱炉の
概略図である。
【００３０】図１、２において、１はＨＰ、２は反射板
である。３はガラス基板を保持するピンであり、４はガ
ラス基板である。加熱炉の側面５は開放状態である。
である。３はガラス基板を保持するピンであり、４はガ
ラス基板である。加熱炉の側面５は開放状態である。
【００３１】図１の実施例においては、高温のＨＰ１が
ガラス基板４の上方に設置され、図２の従来例では、高
温のＨＰ１がガラス基板４の下方に設置されている。
ガラス基板４の上方に設置され、図２の従来例では、高
温のＨＰ１がガラス基板４の下方に設置されている。
【００３２】図６の実施例においては、炉と排気ダクト
６との接合部に、意図的に昇華物を析出する低温部７を
設けたものである。
６との接合部に、意図的に昇華物を析出する低温部７を
設けたものである。
【００３３】［実施例１］４００×５００ｍｍ2 サイズ
の無アルカリガラス基板上に、非感光性のポリイミド前
駆体（ポリアミック酸）溶液に赤色顔料（クロモフタル
レッドＡ３Ｂ、日本チバガイギー株式会社製）を分散し
て調整したレッドペーストを塗布し、あらかじめ設定温
度の３４０℃に昇温した図１の装置で加熱した。基板を
保持するピンはＳＵＳ製のものを用いた。２０分間の加
熱後に炉内に付着した赤色昇華物を観察した。
の無アルカリガラス基板上に、非感光性のポリイミド前
駆体（ポリアミック酸）溶液に赤色顔料（クロモフタル
レッドＡ３Ｂ、日本チバガイギー株式会社製）を分散し
て調整したレッドペーストを塗布し、あらかじめ設定温
度の３４０℃に昇温した図１の装置で加熱した。基板を
保持するピンはＳＵＳ製のものを用いた。２０分間の加
熱後に炉内に付着した赤色昇華物を観察した。
【００３４】［比較例１］図２の装置を用い、実施例１
と同様の手法で検討した。
と同様の手法で検討した。
【００３５】［実施例２］４００×４００ｍｍ2 サイズ
の無アルカリガラス基板を、あらかじめ設定温度の１５
０℃に昇温させた図１の装置に保持し、基板中央部及び
基板端部から１０ｍｍの位置を熱伝対によって測定し
た。温度測定位置を図５に示す。
の無アルカリガラス基板を、あらかじめ設定温度の１５
０℃に昇温させた図１の装置に保持し、基板中央部及び
基板端部から１０ｍｍの位置を熱伝対によって測定し
た。温度測定位置を図５に示す。
【００３６】ＨＰとガラス基板間の距離（Ｔ）を８ｍ
ｍ、反射板とガラス基板の距離（ｔ）を１０ｍｍとし
た。
ｍ、反射板とガラス基板の距離（ｔ）を１０ｍｍとし
た。
【００３７】［比較例２］図２の装置を用い、実施例２
と同様の手法で検討した。
と同様の手法で検討した。
【００３８】［実施例３］図１の装置で、設定温度を３
４０℃とした。その他は実施例１と同様の手法で検討し
た。
４０℃とした。その他は実施例１と同様の手法で検討し
た。
【００３９】［比較例３］図２の装置を用い、実施例３
と同様の手法で検討した。
と同様の手法で検討した。
【００４０】実施例１の観察結果を図３に、比較例１の
観察結果を図４にそれぞれ示すとともに、その結果を表
１に示す。
観察結果を図４にそれぞれ示すとともに、その結果を表
１に示す。
【００４１】
【表１】 実施例１、比較例１いずれの場合も、加熱後まもなくし
て異臭とともに白煙が生じた。２０分の加熱後、昇華物
付着状況を観察した結果、比較例１では基板上方の反射
板には、ほぼ全面に赤色の昇華物が付着していた。反射
板の温度は２２０℃であった。一方、実施例１では基板
上方のＨＰ、下方の反射板ともに赤色の付着物はなかっ
た。ＨＰの温度は実測値で３４０℃であった。
て異臭とともに白煙が生じた。２０分の加熱後、昇華物
付着状況を観察した結果、比較例１では基板上方の反射
板には、ほぼ全面に赤色の昇華物が付着していた。反射
板の温度は２２０℃であった。一方、実施例１では基板
上方のＨＰ、下方の反射板ともに赤色の付着物はなかっ
た。ＨＰの温度は実測値で３４０℃であった。
【００４２】これより、ＨＰを基板上部に設置すること
により、発生した昇華物が炉内に析出するのを防げるこ
とを確認できた。
により、発生した昇華物が炉内に析出するのを防げるこ
とを確認できた。
【００４３】実施例２〜３、比較例２〜３の面内温度分
布（面内温度レンジ）、ピン温度を表２に示す。
布（面内温度レンジ）、ピン温度を表２に示す。
【００４４】
【表２】 実施例２では、ピン高さを１０ｍｍにしても基板とＨＰ
の距離を８ｍｍに保てるため、面内温度レンジはピン高
さ８ｍｍの比較例２とほぼ同じであった。実施例３でも
同様に比較例３とほぼ同じ面内温度レンジであった。
の距離を８ｍｍに保てるため、面内温度レンジはピン高
さ８ｍｍの比較例２とほぼ同じであった。実施例３でも
同様に比較例３とほぼ同じ面内温度レンジであった。
【００４５】これより、ＨＰを基板上部に設置すること
により、基板の面内均熱性を保ちながら、基板下部に搬
送用治具の進入する空隙を十分確保できることを確認で
きた。
により、基板の面内均熱性を保ちながら、基板下部に搬
送用治具の進入する空隙を十分確保できることを確認で
きた。
【００４６】比較例２ではピンの到達温度は１４２℃で
あったが、実施例２ではピンの到達温度は基板の目標到
達温度と同じ１２０℃であった。
あったが、実施例２ではピンの到達温度は基板の目標到
達温度と同じ１２０℃であった。
【００４７】これより、ＨＰを基板上部、塗布面側に設
置することにより、基板を保持するピンが過剰に加熱さ
れることを防止できるのが確認できた。
置することにより、基板を保持するピンが過剰に加熱さ
れることを防止できるのが確認できた。
【００４８】
【発明の効果】本発明の加熱炉は、基板上部にＨＰを設
置するため、昇華物が発生しても基板上部に異物として
析出せず、さらに、基板の面内均熱性を確保しながら、
搬送安定性の確保およびピンの過昇温防止を実現できる
加熱炉を提供することができる。
置するため、昇華物が発生しても基板上部に異物として
析出せず、さらに、基板の面内均熱性を確保しながら、
搬送安定性の確保およびピンの過昇温防止を実現できる
加熱炉を提供することができる。
【図１】本発明に係る加熱炉の一例を示す概略図であ
る。
る。
【図２】比較例として用いた、従来の加熱炉の一例を示
す概略図である。
す概略図である。
【図３】実施例１のテスト結果を示し、（Ａ）は基板上
方のＨＰの昇華物付着状態を示し、（Ｂ）は基板下方の
反射板の昇華物付着状態を示す。
方のＨＰの昇華物付着状態を示し、（Ｂ）は基板下方の
反射板の昇華物付着状態を示す。
【図４】比較例１のテスト結果を示し、（Ａ）は基板上
方の反射板の昇華物付着状態を示し、（Ｂ）は基板下方
のＨＰの昇華物付着状態を示す。
方の反射板の昇華物付着状態を示し、（Ｂ）は基板下方
のＨＰの昇華物付着状態を示す。
【図５】実施例２，３、比較例２，３の温度測定位置を
示す。
示す。
【図６】本発明に係る加熱炉の他の一例を示す概略図で
ある。
ある。
１：ＨＰ ２：反射板 ３：プロキシピン ４：ガラス基板 ５：加熱炉側面（開放状態） ６：ダクト ７：低温部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 聡 滋賀県大津市園山１丁目１番１号 東レ株 式会社滋賀事業場内
Claims (5)
- 【請求項１】加熱源を有するホットプレートと、その対
向側に設置した反射板とを有し、上記ホットプレートと
反射板との空隙を被加熱体が通過することにより被加熱
体を加熱する構成の加熱炉において、上記ホットプレー
トを被加熱体の上部に設置したことを特徴とする加熱
炉。 - 【請求項２】少なくとも側面あるいは側面上部に排気手
段を有することを特徴とする請求項１に記載の加熱炉。 - 【請求項３】ホットプレートの材質が、アルミニウムも
しくは表面にセラミック処理を施した金属からなること
を特徴とする請求項１または２に記載の加熱炉。 - 【請求項４】加熱源を有するホットプレートと、その対
向側に設置した反射板とを有し、上記ホットプレートと
反射板との空隙を被加熱体が通過することにより被加熱
体を加熱する構成の加熱炉において、昇華物を意図的に
析出させるための低温加熱部、または非加熱部、もしく
は冷却部を設けたことを特徴とする加熱炉。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の加熱炉を
用いることを特徴とするカラーフィルターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5702898A JPH11257864A (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 加熱炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5702898A JPH11257864A (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 加熱炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11257864A true JPH11257864A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13043991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5702898A Pending JPH11257864A (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 加熱炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11257864A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021038859A (ja) * | 2019-08-30 | 2021-03-11 | 株式会社根岸製作所 | 排気装置 |
-
1998
- 1998-03-09 JP JP5702898A patent/JPH11257864A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021038859A (ja) * | 2019-08-30 | 2021-03-11 | 株式会社根岸製作所 | 排気装置 |
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