JPH11256330A - 膜形成方法及び膜形成材料 - Google Patents
膜形成方法及び膜形成材料Info
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- JPH11256330A JPH11256330A JP5517998A JP5517998A JPH11256330A JP H11256330 A JPH11256330 A JP H11256330A JP 5517998 A JP5517998 A JP 5517998A JP 5517998 A JP5517998 A JP 5517998A JP H11256330 A JPH11256330 A JP H11256330A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高品質な膜を効率良く提供できる技術を提供
することである。 【解決手段】 金属系膜を形成する為の材料であって、
一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合し
た単位を二つ以上有すると共に、前記一価金属Ｍに配位
結合した安定化配位子を有するものであり、前記安定化
配位子が下記一般式〔Ｉ〕で表される群の中から選ばれ
る。 【化１】 一般式〔Ｉ〕 （但し、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，
Ｒ8 は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１０のアルキン
基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１〜１０の置
換アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜
１０のアリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換ア
リール基の群の中から選ばれるいずれかであり、Ｒ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 は同じでも
異なるものでも良い。ｌ，ｍは０〜１０の整数であ
る。）
することである。 【解決手段】 金属系膜を形成する為の材料であって、
一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合し
た単位を二つ以上有すると共に、前記一価金属Ｍに配位
結合した安定化配位子を有するものであり、前記安定化
配位子が下記一般式〔Ｉ〕で表される群の中から選ばれ
る。 【化１】 一般式〔Ｉ〕 （但し、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，
Ｒ8 は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１０のアルキン
基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１〜１０の置
換アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜
１０のアリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換ア
リール基の群の中から選ばれるいずれかであり、Ｒ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 は同じでも
異なるものでも良い。ｌ，ｍは０〜１０の整数であ
る。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は膜形成技術に関す
る。
る。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】銅の配位子で安定化さ
れた（＋１）配位錯体は、気相中において１００〜２０
０℃程度の低温で分解する為、ＣＶＤ（ケミカルベーパ
ーデポジション、化学気相成長法）により銅膜の形成に
用いられる。すなわち、銅の配位子で安定化された（＋
１）配位錯体は、低温で分解することから、高温熱処理
に弱いＬＳＩの銅配線の為の成膜に利用される。
れた（＋１）配位錯体は、気相中において１００〜２０
０℃程度の低温で分解する為、ＣＶＤ（ケミカルベーパ
ーデポジション、化学気相成長法）により銅膜の形成に
用いられる。すなわち、銅の配位子で安定化された（＋
１）配位錯体は、低温で分解することから、高温熱処理
に弱いＬＳＩの銅配線の為の成膜に利用される。
【０００３】しかし、銅の配位子で安定化された（＋
１）配位錯体のＣＶＤへの利用にも問題がある。すなわ
ち、これまで提案されて来た銅の配位子で安定化された
（＋１）配位錯体、例えばヘキサフルオロアセチルアセ
トナト銅：配位子（ＨｆａｃＣｕ：Ｌ）を用いたＣＶＤ
による銅膜の形成は、ＨｆａｃＣｕ：Ｌ＋ＨｆａｃＣ
ｕ：Ｌ→Ｃｕ＋（Ｈｆａｃ）2 Ｃｕ＋２Ｌの化学反応に
基づく。つまり、ＨｆａｃＣｕ：Ｌが二分子ないと、厳
密に言うならば、ＨｆａｃＣｕ：Ｌ同士が衝突しなけれ
ば銅膜が形成されない。
１）配位錯体のＣＶＤへの利用にも問題がある。すなわ
ち、これまで提案されて来た銅の配位子で安定化された
（＋１）配位錯体、例えばヘキサフルオロアセチルアセ
トナト銅：配位子（ＨｆａｃＣｕ：Ｌ）を用いたＣＶＤ
による銅膜の形成は、ＨｆａｃＣｕ：Ｌ＋ＨｆａｃＣ
ｕ：Ｌ→Ｃｕ＋（Ｈｆａｃ）2 Ｃｕ＋２Ｌの化学反応に
基づく。つまり、ＨｆａｃＣｕ：Ｌが二分子ないと、厳
密に言うならば、ＨｆａｃＣｕ：Ｌ同士が衝突しなけれ
ば銅膜が形成されない。
【０００４】しかし、ＨｆａｃＣｕ：Ｌ同士が衝突する
確率は、気相成長のような希薄な条件下では、それだけ
小さい。従って、ＨｆａｃＣｕ：Ｌ同士の衝突が起き難
いから、衝突に起因するＣｕの初期核は形成され難く、
ＨｆａｃＣｕ：Ｌを用いてのＣＶＤによる銅膜は形成さ
れ難い。又、ＣＶＤでは、初期核の発生状態が膜の質に
も影響を及ぼす。そして、膜質の観点からは数多くの核
が発生することが望ましい。
確率は、気相成長のような希薄な条件下では、それだけ
小さい。従って、ＨｆａｃＣｕ：Ｌ同士の衝突が起き難
いから、衝突に起因するＣｕの初期核は形成され難く、
ＨｆａｃＣｕ：Ｌを用いてのＣＶＤによる銅膜は形成さ
れ難い。又、ＣＶＤでは、初期核の発生状態が膜の質に
も影響を及ぼす。そして、膜質の観点からは数多くの核
が発生することが望ましい。
【０００５】しかし、前述の通り、ＨｆａｃＣｕ：Ｌは
二分子ないと、すなわちＨｆａｃＣｕ：Ｌ同士が衝突し
なければＣｕが生成しない為、そして気相成長のような
希薄な条件下ではＨｆａｃＣｕ：Ｌ同士が衝突する確率
は小さい為、核の発生数もそれだけ少ない。従って、本
発明が解決しようとする第１の課題は、高品質な膜を効
率良く提供できる技術を提供することである。
二分子ないと、すなわちＨｆａｃＣｕ：Ｌ同士が衝突し
なければＣｕが生成しない為、そして気相成長のような
希薄な条件下ではＨｆａｃＣｕ：Ｌ同士が衝突する確率
は小さい為、核の発生数もそれだけ少ない。従って、本
発明が解決しようとする第１の課題は、高品質な膜を効
率良く提供できる技術を提供することである。
【０００６】本発明が解決しようとする第２の課題は、
特に、高品質な銅系膜を効率良く提供できる技術を提供
することである。
特に、高品質な銅系膜を効率良く提供できる技術を提供
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記第１の課題は、一価
金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内
に二つ以上含む配位錯体を、基板が存する室内に供給す
る工程と、供給された前記配位錯体が分解し、基板上に
Ｍが付着する工程と、前記付着工程の後、乾式メッキ手
段により金属系膜を形成する工程とを有することを特徴
とする膜形成方法によって解決される。
金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内
に二つ以上含む配位錯体を、基板が存する室内に供給す
る工程と、供給された前記配位錯体が分解し、基板上に
Ｍが付着する工程と、前記付着工程の後、乾式メッキ手
段により金属系膜を形成する工程とを有することを特徴
とする膜形成方法によって解決される。
【０００８】ここで、乾式メッキ手段により金属系膜を
形成する工程は、例えばヘキサフルオロアセチルアセト
ナト銅（Ｉ）１，５−シクロオクタジエン、ヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ジメチル−１，５−シ
クロオクタジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅（Ｉ）シクロオクタテトラエン、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ）ノルボルネン、ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅（Ｉ）ノルボルナジエン、ヘキサ
フルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニル
シラン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ビ
ストリメチルシリルアセチレンの群の中から選ばれる一
つ又は二つ以上を用いた気相成長により金属系膜を形成
する工程を好ましいものとして挙げることが出来る。
形成する工程は、例えばヘキサフルオロアセチルアセト
ナト銅（Ｉ）１，５−シクロオクタジエン、ヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ジメチル−１，５−シ
クロオクタジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅（Ｉ）シクロオクタテトラエン、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ）ノルボルネン、ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅（Ｉ）ノルボルナジエン、ヘキサ
フルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニル
シラン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ビ
ストリメチルシリルアセチレンの群の中から選ばれる一
つ又は二つ以上を用いた気相成長により金属系膜を形成
する工程を好ましいものとして挙げることが出来る。
【０００９】或いは、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配
位結合した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体を、
基板が存する室内に供給する工程と、供給された前記配
位錯体が分解し、基板上にＭが付着する工程と、前記付
着工程の後、湿式メッキ手段により金属系膜を形成する
工程とを有することを特徴とする膜形成方法によって解
決される。
位結合した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体を、
基板が存する室内に供給する工程と、供給された前記配
位錯体が分解し、基板上にＭが付着する工程と、前記付
着工程の後、湿式メッキ手段により金属系膜を形成する
工程とを有することを特徴とする膜形成方法によって解
決される。
【００１０】そして、前記第１の課題は、特に、一価金
属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に
二つ以上含む配位錯体を、基板が存する室内に供給する
工程と、供給された前記配位錯体が分解し、基板上にＭ
が付着する工程と、前記付着工程の後、一価金属Ｍとβ
−ジケトンとが配位結合した単位を一つだけ有する配位
錯体を用いた気相成長により金属系膜を形成する工程と
を有することを特徴とする膜形成方法によって解決され
る。
属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に
二つ以上含む配位錯体を、基板が存する室内に供給する
工程と、供給された前記配位錯体が分解し、基板上にＭ
が付着する工程と、前記付着工程の後、一価金属Ｍとβ
−ジケトンとが配位結合した単位を一つだけ有する配位
錯体を用いた気相成長により金属系膜を形成する工程と
を有することを特徴とする膜形成方法によって解決され
る。
【００１１】特に、前記第１の課題は、特に、一価金属
Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に二
つ以上含む配位錯体を、基板が存する室内に供給する工
程と、供給された前記配位錯体が分解し、基板上にＭが
付着する工程と、前記付着工程の後、一価金属Ｍとβ−
ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に二つ以上含
む配位錯体より蒸気圧が高く、かつ、一価金属Ｍとβ−
ジケトンとが配位結合した単位を一つだけ有する配位錯
体を用いた気相成長により金属系膜を形成する工程とを
有することを特徴とする膜形成方法によって解決され
る。
Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に二
つ以上含む配位錯体を、基板が存する室内に供給する工
程と、供給された前記配位錯体が分解し、基板上にＭが
付着する工程と、前記付着工程の後、一価金属Ｍとβ−
ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に二つ以上含
む配位錯体より蒸気圧が高く、かつ、一価金属Ｍとβ−
ジケトンとが配位結合した単位を一つだけ有する配位錯
体を用いた気相成長により金属系膜を形成する工程とを
有することを特徴とする膜形成方法によって解決され
る。
【００１２】又、前記第１及び第２の課題は、一価金属
Ｃｕとβ−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に
二つ以上含む配位錯体を、基板が存する室内に供給する
工程と、供給された前記配位錯体が分解し、基板上に銅
が付着する工程と、前記付着工程の後、乾式メッキ手段
或いは湿式メッキ手段により銅系膜を形成する工程とを
有することを特徴とする銅膜形成方法によって解決され
る。
Ｃｕとβ−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に
二つ以上含む配位錯体を、基板が存する室内に供給する
工程と、供給された前記配位錯体が分解し、基板上に銅
が付着する工程と、前記付着工程の後、乾式メッキ手段
或いは湿式メッキ手段により銅系膜を形成する工程とを
有することを特徴とする銅膜形成方法によって解決され
る。
【００１３】特に、一価金属Ｃｕとβ−ジケトンとが配
位結合した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体を、
基板が存する室内に供給する工程と、供給された前記配
位錯体が分解し、基板上に銅が付着する工程と、前記付
着工程の後、一価金属Ｃｕとβ−ジケトンとが配位結合
した単位を一つだけ有する配位錯体を用いた気相成長に
より銅系膜を形成する工程とを有することを特徴とする
銅膜形成方法によって解決される。
位結合した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体を、
基板が存する室内に供給する工程と、供給された前記配
位錯体が分解し、基板上に銅が付着する工程と、前記付
着工程の後、一価金属Ｃｕとβ−ジケトンとが配位結合
した単位を一つだけ有する配位錯体を用いた気相成長に
より銅系膜を形成する工程とを有することを特徴とする
銅膜形成方法によって解決される。
【００１４】更には、一価金属Ｃｕとβ−ジケトンとが
配位結合した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体
を、基板が存する室内に供給する工程と、供給された前
記配位錯体が分解し、基板上に銅が付着する工程と、前
記付着工程の後、一価金属Ｃｕとβ−ジケトンとが配位
結合した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体より蒸
気圧が高く、かつ、一価金属Ｃｕとβ−ジケトンとが配
位結合した単位を一つだけ有する配位錯体を用いた気相
成長により銅系膜を形成する工程とを有することを特徴
とする銅膜形成方法によって解決される。
配位結合した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体
を、基板が存する室内に供給する工程と、供給された前
記配位錯体が分解し、基板上に銅が付着する工程と、前
記付着工程の後、一価金属Ｃｕとβ−ジケトンとが配位
結合した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体より蒸
気圧が高く、かつ、一価金属Ｃｕとβ−ジケトンとが配
位結合した単位を一つだけ有する配位錯体を用いた気相
成長により銅系膜を形成する工程とを有することを特徴
とする銅膜形成方法によって解決される。
【００１５】ここで、一価金属Ｃｕとβ−ジケトンとが
配位結合した単位を一つだけ有する配位錯体としては、
例えばヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，
５−シクロオクタジエン、ヘキサフルオロアセチルアセ
トナト銅（Ｉ）ジメチル−１，５−シクロオクタジエ
ン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）シクロ
オクタテトラエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅（Ｉ）ノルボルネン、ヘキサフルオロアセチルアセト
ナト銅（Ｉ）ノルボルナジエン、ヘキサフルオロアセチ
ルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ヘキサ
フルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシ
リルアセチレン等を好ましいものとして挙げることが出
来る。
配位結合した単位を一つだけ有する配位錯体としては、
例えばヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，
５−シクロオクタジエン、ヘキサフルオロアセチルアセ
トナト銅（Ｉ）ジメチル−１，５−シクロオクタジエ
ン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）シクロ
オクタテトラエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅（Ｉ）ノルボルネン、ヘキサフルオロアセチルアセト
ナト銅（Ｉ）ノルボルナジエン、ヘキサフルオロアセチ
ルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ヘキサ
フルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシ
リルアセチレン等を好ましいものとして挙げることが出
来る。
【００１６】又、前記第１の課題は、金属系膜を形成す
る為の材料であって、一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジ
ケトンとが配位結合した単位を二つ以上有すると共に、
前記一価金属Ｍに配位結合した安定化配位子を有するも
のであり、前記安定化配位子が下記一般式〔Ｉ〕で表さ
れる群の中から選ばれるいずれかであることを特徴とす
る膜形成材料によって解決される。
る為の材料であって、一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジ
ケトンとが配位結合した単位を二つ以上有すると共に、
前記一価金属Ｍに配位結合した安定化配位子を有するも
のであり、前記安定化配位子が下記一般式〔Ｉ〕で表さ
れる群の中から選ばれるいずれかであることを特徴とす
る膜形成材料によって解決される。
【００１７】又、前記第１の課題は、金属系膜を形成す
る為の材料であって、一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジ
ケトンとが配位結合した単位を二つ以上有すると共に、
前記一価金属Ｍに配位結合した安定化配位子を有するも
のであり、前記安定化配位子が下記一般式〔ＩＩ〕で表
される群の中から選ばれるいずれかであることを特徴と
する膜形成材料によって解決される。
る為の材料であって、一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジ
ケトンとが配位結合した単位を二つ以上有すると共に、
前記一価金属Ｍに配位結合した安定化配位子を有するも
のであり、前記安定化配位子が下記一般式〔ＩＩ〕で表
される群の中から選ばれるいずれかであることを特徴と
する膜形成材料によって解決される。
【００１８】又、前記第１の課題は、金属系膜を形成す
る為の材料であって、一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジ
ケトンとが配位結合した単位を二つ以上有すると共に、
前記一価金属Ｍに配位結合した安定化配位子を有するも
のであり、前記安定化配位子が下記一般式〔ＩＩＩ〕で
表される群の中から選ばれるいずれかであることを特徴
とする膜形成材料によって解決される。
る為の材料であって、一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジ
ケトンとが配位結合した単位を二つ以上有すると共に、
前記一価金属Ｍに配位結合した安定化配位子を有するも
のであり、前記安定化配位子が下記一般式〔ＩＩＩ〕で
表される群の中から選ばれるいずれかであることを特徴
とする膜形成材料によって解決される。
【００１９】又、前記第１の課題は、金属系膜を形成す
る為の材料であって、一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジ
ケトンとが配位結合した単位を二つ以上有すると共に、
前記一価金属Ｍに配位結合した安定化配位子を有するも
のであり、前記安定化配位子が下記一般式〔ＩＶ〕で表
される群の中から選ばれるいずれかであることを特徴と
する膜形成材料によって解決される。
る為の材料であって、一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジ
ケトンとが配位結合した単位を二つ以上有すると共に、
前記一価金属Ｍに配位結合した安定化配位子を有するも
のであり、前記安定化配位子が下記一般式〔ＩＶ〕で表
される群の中から選ばれるいずれかであることを特徴と
する膜形成材料によって解決される。
【００２０】
【化９】
【００２１】一般式〔Ｉ〕 一般式〔Ｉ〕中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，
Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 は、水素原子、炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１０
のアルキン基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１
〜１０の置換アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の
アルキル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルケン基、
Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭
素数１〜１０のアリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０
の置換アリール基の群の中から選ばれるいずれかであ
る。中でも、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ
7 ，Ｒ8として好ましいのは、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ
3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ
3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ4 Ｆ9 ，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝
ＣＨ2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 の群の中から選ばれるい
ずれかである。Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，
Ｒ7 ，Ｒ8 は同じでも異なるものでも良い。ｌ，ｍは０
〜１０の整数である。
Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 は、水素原子、炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１０
のアルキン基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１
〜１０の置換アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の
アルキル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルケン基、
Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭
素数１〜１０のアリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０
の置換アリール基の群の中から選ばれるいずれかであ
る。中でも、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ
7 ，Ｒ8として好ましいのは、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ
3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ
3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ4 Ｆ9 ，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝
ＣＨ2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 の群の中から選ばれるい
ずれかである。Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，
Ｒ7 ，Ｒ8 は同じでも異なるものでも良い。ｌ，ｍは０
〜１０の整数である。
【００２２】
【化１０】
【００２３】一般式〔ＩＩ〕 一般式〔ＩＩ〕中、Ｒ9 ，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ
14は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数
１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１０のアルキン基、
炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１〜１０の置換ア
リール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル基、Ｓ
ｉを含む炭素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含む炭素
数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の
アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換アリール
基の群の中から選ばれるいずれかである。中でも、
Ｒ9 ，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14として好ましいの
は、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ
5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ
4 Ｆ9 ，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝Ｃ
Ｈ2 の群の中から選ばれるいずれかである。Ｒ9 ，
Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14は同じでも異なるもので
も良い。ｎは０〜１０の整数である。
14は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数
１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１０のアルキン基、
炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１〜１０の置換ア
リール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル基、Ｓ
ｉを含む炭素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含む炭素
数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の
アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換アリール
基の群の中から選ばれるいずれかである。中でも、
Ｒ9 ，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14として好ましいの
は、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ
5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ
4 Ｆ9 ，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝Ｃ
Ｈ2 の群の中から選ばれるいずれかである。Ｒ9 ，
Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14は同じでも異なるもので
も良い。ｎは０〜１０の整数である。
【００２４】
【化１１】
【００２５】一般式〔ＩＩＩ〕 一般式〔ＩＩＩ〕中、Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は、水素
原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０の
アルケン基、炭素数１〜１０のアルキン基、炭素数１〜
１０のアリール基、炭素数１〜１０の置換アリール基、
Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル基、Ｓｉを含む炭
素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０
のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアリール
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換アリール基の群の
中から選ばれるいずれかである。中でも、Ｒ15，Ｒ16，
Ｒ17，Ｒ18として好ましいのは、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−Ｃ
Ｆ3，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ
7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ4 Ｆ9，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ
2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 の群の中から選ばれるいずれ
かである。Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は同じでも異なるも
のでも良い。
原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０の
アルケン基、炭素数１〜１０のアルキン基、炭素数１〜
１０のアリール基、炭素数１〜１０の置換アリール基、
Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル基、Ｓｉを含む炭
素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０
のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアリール
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換アリール基の群の
中から選ばれるいずれかである。中でも、Ｒ15，Ｒ16，
Ｒ17，Ｒ18として好ましいのは、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−Ｃ
Ｆ3，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ
7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ4 Ｆ9，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ
2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 の群の中から選ばれるいずれ
かである。Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は同じでも異なるも
のでも良い。
【００２６】
【化１２】
【００２７】一般式〔ＩＶ〕 一般式〔ＩＶ〕中、Ｒ19，Ｒ20は、水素原子、炭素数１
〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケン基、炭
素数１〜１０のアルキン基、炭素数１〜１０のアリール
基、炭素数１〜１０の置換アリール基、Ｓｉを含む炭素
数１〜１０のアルキル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の
アルケン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキン基、
Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアリール基、Ｓｉを含む炭
素数１〜１０の置換アリール基の群の中から選ばれるい
ずれかである。中でも、Ｒ19，Ｒ 20として好ましいの
は、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ
5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ
4 Ｆ9 ，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ2，−ＣＨ2 ＣＨ＝Ｃ
Ｈ2 の群の中から選ばれるいずれかである。Ｒ19，Ｒ20
は同じでも異なるものでも良い。ｏは１〜１０の整数で
ある。
〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケン基、炭
素数１〜１０のアルキン基、炭素数１〜１０のアリール
基、炭素数１〜１０の置換アリール基、Ｓｉを含む炭素
数１〜１０のアルキル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の
アルケン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキン基、
Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアリール基、Ｓｉを含む炭
素数１〜１０の置換アリール基の群の中から選ばれるい
ずれかである。中でも、Ｒ19，Ｒ 20として好ましいの
は、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ
5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ
4 Ｆ9 ，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ2，−ＣＨ2 ＣＨ＝Ｃ
Ｈ2 の群の中から選ばれるいずれかである。Ｒ19，Ｒ20
は同じでも異なるものでも良い。ｏは１〜１０の整数で
ある。
【００２８】本発明において、β−ジケトンは、Ｒ1aＣ
ＯＣＨＲＣＯＲ1b（但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原
子、又はアルキル基（特に、−ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ）。
Ｒ1a，Ｒ1bはアルキル基（特に、−ＣＨ3 ，−Ｃ
2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ）、フッ化アルキル基
（特に、−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｆ
9 ）、アリール基、又は置換（置換基は、例えば−ＣＨ
3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−ＣＦ3 ，
−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｆ9 等）アリール基）
で表されるものが好ましい。中でも、β−ジケトンは、
トリフルオロアセチルアセトン（Ｔｆａｃ）及びヘキサ
フルオロアセチルアセトン（Ｈｆａｃ）の群の中から選
ばれるものが好ましい。特に、Ｈｆａｃである。
ＯＣＨＲＣＯＲ1b（但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原
子、又はアルキル基（特に、−ＣＨ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ）。
Ｒ1a，Ｒ1bはアルキル基（特に、−ＣＨ3 ，−Ｃ
2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ）、フッ化アルキル基
（特に、−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｆ
9 ）、アリール基、又は置換（置換基は、例えば−ＣＨ
3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−ＣＦ3 ，
−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｆ9 等）アリール基）
で表されるものが好ましい。中でも、β−ジケトンは、
トリフルオロアセチルアセトン（Ｔｆａｃ）及びヘキサ
フルオロアセチルアセトン（Ｈｆａｃ）の群の中から選
ばれるものが好ましい。特に、Ｈｆａｃである。
【００２９】又、前記第１の課題は、上記本発明になる
金属系膜を形成する為の材料を用い、かつ、上記本発明
になる膜形成方法を用いることによって解決される。
又、前記第１及び第２の課題は、Ｃｕ系膜を形成する為
の材料であって、下記の一般式〔Ｉａ〕で表される群の
中から選ばれる銅の配位錯体からなることを特徴とする
膜形成材料によって解決される。
金属系膜を形成する為の材料を用い、かつ、上記本発明
になる膜形成方法を用いることによって解決される。
又、前記第１及び第２の課題は、Ｃｕ系膜を形成する為
の材料であって、下記の一般式〔Ｉａ〕で表される群の
中から選ばれる銅の配位錯体からなることを特徴とする
膜形成材料によって解決される。
【００３０】又、Ｃｕ系膜を形成する為の材料であっ
て、下記の一般式〔ＩＩａ〕で表される群の中から選ば
れる銅の配位錯体からなることを特徴とする膜形成材料
によって解決される。又、Ｃｕ系膜を形成する為の材料
であって、下記の一般式〔ＩＩＩａ〕で表される群の中
から選ばれる銅の配位錯体からなることを特徴とする膜
形成材料によって解決される。
て、下記の一般式〔ＩＩａ〕で表される群の中から選ば
れる銅の配位錯体からなることを特徴とする膜形成材料
によって解決される。又、Ｃｕ系膜を形成する為の材料
であって、下記の一般式〔ＩＩＩａ〕で表される群の中
から選ばれる銅の配位錯体からなることを特徴とする膜
形成材料によって解決される。
【００３１】又、Ｃｕ系膜を形成する為の材料であっ
て、下記の一般式〔ＩＶａ〕で表される群の中から選ば
れる銅の配位錯体からなることを特徴とする膜形成材料
によって解決される。
て、下記の一般式〔ＩＶａ〕で表される群の中から選ば
れる銅の配位錯体からなることを特徴とする膜形成材料
によって解決される。
【００３２】
【化１３】
【００３３】一般式〔Ｉａ〕 一般式〔Ｉａ〕中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ
6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキ
ル基、炭素数１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１０の
アルキン基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１〜
１０の置換アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のア
ルキル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルケン基、Ｓ
ｉを含む炭素数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭素
数１〜１０のアリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の
置換アリール基の群の中から選ばれるいずれかである。
中でも、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，
Ｒ 8 として好ましいのは、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，
−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−
Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ4 Ｆ9 ，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ2，−
ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 の群の中から選ばれるいずれかであ
る。Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ 3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8
は同じでも異なるものでも良い。ｌ，ｍは０〜１０の整
数である。
6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキ
ル基、炭素数１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１０の
アルキン基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１〜
１０の置換アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のア
ルキル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルケン基、Ｓ
ｉを含む炭素数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭素
数１〜１０のアリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の
置換アリール基の群の中から選ばれるいずれかである。
中でも、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，
Ｒ 8 として好ましいのは、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，
−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−
Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ4 Ｆ9 ，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ2，−
ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 の群の中から選ばれるいずれかであ
る。Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ 3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8
は同じでも異なるものでも良い。ｌ，ｍは０〜１０の整
数である。
【００３４】
【化１４】
【００３５】一般式〔ＩＩａ〕 一般式〔ＩＩａ〕中、Ｒ9 ，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，
Ｒ14は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１０のアルキン
基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１〜１０の置
換アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜
１０のアリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換ア
リール基の群の中から選ばれるいずれかである。中で
も、Ｒ9 ，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14として好まし
いのは、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ
2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ4
Ｆ9 ，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ
2の群の中から選ばれるいずれかである。Ｒ9 ，Ｒ10，
Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14は同じでも異なるものでも良
い。ｎは０〜１０の整数である。
Ｒ14は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１０のアルキン
基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１〜１０の置
換アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜
１０のアリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換ア
リール基の群の中から選ばれるいずれかである。中で
も、Ｒ9 ，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14として好まし
いのは、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ
2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ4
Ｆ9 ，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ
2の群の中から選ばれるいずれかである。Ｒ9 ，Ｒ10，
Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14は同じでも異なるものでも良
い。ｎは０〜１０の整数である。
【００３６】
【化１５】
【００３７】一般式〔ＩＩＩａ〕 一般式〔ＩＩＩａ〕中、Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は、水
素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０
のアルケン基、炭素数１〜１０のアルキン基、炭素数１
〜１０のアリール基、炭素数１〜１０の置換アリール
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含む炭素数１〜
１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアリー
ル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換アリール基の群
の中から選ばれるいずれかである。中でも、Ｒ15，
Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18として好ましいのは、−Ｈ，−Ｃ
Ｈ3 ，−ＣＦ 3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ
3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ4 Ｆ 9 ，−Ｃ≡
ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 の群の中か
ら選ばれるいずれかである。Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は
同じでも異なるものでも良い。
素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０
のアルケン基、炭素数１〜１０のアルキン基、炭素数１
〜１０のアリール基、炭素数１〜１０の置換アリール
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含む炭素数１〜
１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアリー
ル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換アリール基の群
の中から選ばれるいずれかである。中でも、Ｒ15，
Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18として好ましいのは、−Ｈ，−Ｃ
Ｈ3 ，−ＣＦ 3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ
3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ4 Ｆ 9 ，−Ｃ≡
ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 の群の中か
ら選ばれるいずれかである。Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は
同じでも異なるものでも良い。
【００３８】
【化１６】
【００３９】一般式〔ＩＶａ〕 一般式〔ＩＶａ〕中、Ｒ19，Ｒ20は、水素原子、炭素数
１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケン基、
炭素数１〜１０のアルキン基、炭素数１〜１０のアリー
ル基、炭素数１〜１０の置換アリール基、Ｓｉを含む炭
素数１〜１０のアルキル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０
のアルケン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキン
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアリール基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０の置換アリール基の群の中から選ばれ
るいずれかである。中でも、Ｒ19，Ｒ20として好ましい
のは、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2
Ｆ5，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ4 Ｆ
9 ，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ 2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2
の群の中から選ばれるいずれかである。Ｒ19，Ｒ20は同
じでも異なるものでも良い。ｏは１〜１０の整数であ
る。
１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケン基、
炭素数１〜１０のアルキン基、炭素数１〜１０のアリー
ル基、炭素数１〜１０の置換アリール基、Ｓｉを含む炭
素数１〜１０のアルキル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０
のアルケン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキン
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアリール基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０の置換アリール基の群の中から選ばれ
るいずれかである。中でも、Ｒ19，Ｒ20として好ましい
のは、−Ｈ，−ＣＨ3 ，−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ2
Ｆ5，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ4 Ｆ
9 ，−Ｃ≡ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ 2 ，−ＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2
の群の中から選ばれるいずれかである。Ｒ19，Ｒ20は同
じでも異なるものでも良い。ｏは１〜１０の整数であ
る。
【００４０】特に、Ｃｕ系膜を形成する為の材料であっ
て、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメ
チルジビニルシラン、トリス（ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅）メチルトリビニルシラン、テトラキス
（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）テトラビニル
シラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）
ジエトキシジビニルシラン、ビス（ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅）メチルフェニルジビニルシラン、ビ
ス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジフェニル
ジビニルシラン、トリス（ヘキサフルオロアセチルアセ
トナト銅）フェニルトリビニルシラン、ビス（ヘキサフ
ルオロアセチルアセトナト銅）ジメチルジアリルシラ
ン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）メチ
ルフェニルジアリルシラン、ビス（ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅）ジフェニルジアリルシラン、テトラ
キス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）テトラア
リロキシシラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセト
ナト銅）１，５−ヘキサジイン、ビス（ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅）１，７−オクタジインの群の中
から選ばれるいずれか一つ又は二つ以上の混合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。中で
も、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメ
チルジビニルシランによって解決される。
て、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメ
チルジビニルシラン、トリス（ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅）メチルトリビニルシラン、テトラキス
（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）テトラビニル
シラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）
ジエトキシジビニルシラン、ビス（ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅）メチルフェニルジビニルシラン、ビ
ス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジフェニル
ジビニルシラン、トリス（ヘキサフルオロアセチルアセ
トナト銅）フェニルトリビニルシラン、ビス（ヘキサフ
ルオロアセチルアセトナト銅）ジメチルジアリルシラ
ン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）メチ
ルフェニルジアリルシラン、ビス（ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅）ジフェニルジアリルシラン、テトラ
キス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）テトラア
リロキシシラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセト
ナト銅）１，５−ヘキサジイン、ビス（ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅）１，７−オクタジインの群の中
から選ばれるいずれか一つ又は二つ以上の混合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。中で
も、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメ
チルジビニルシランによって解決される。
【００４１】又、前記第１及び第２の課題は、上記本発
明になるＣｕ系膜を形成する為の材料を用い、かつ、上
記本発明になる膜形成方法を用いることによって解決さ
れる。本発明では、例えばβ−ジケトンが配位結合した
酸化数が＋１の銅（Ｉ）を一分子内に二つ以上含む配位
錯体を用いたから、従来のＨｆａｃＣｕ：Ｌのような分
子同士の衝突過程を要さず、下記の反応式で示す通り、
一分子のみの分解によってＣｕが生成する。
明になるＣｕ系膜を形成する為の材料を用い、かつ、上
記本発明になる膜形成方法を用いることによって解決さ
れる。本発明では、例えばβ−ジケトンが配位結合した
酸化数が＋１の銅（Ｉ）を一分子内に二つ以上含む配位
錯体を用いたから、従来のＨｆａｃＣｕ：Ｌのような分
子同士の衝突過程を要さず、下記の反応式で示す通り、
一分子のみの分解によってＣｕが生成する。
【００４２】（ＨｆａｃＣｕ）2 ：Ｌ→Ｃｕ＋（Ｈｆａ
ｃ）2 Ｃｕ＋Ｌ 従って、気相成長のような希薄な条件下でも効率よく膜
が形成される。又、分子同士の衝突過程を要することな
く、一分子のみの分解によってＣｕが生成するから、気
相成長のような希薄な条件下でも数多くの初期核が発生
する。従って、良質な膜が得られる。
ｃ）2 Ｃｕ＋Ｌ 従って、気相成長のような希薄な条件下でも効率よく膜
が形成される。又、分子同士の衝突過程を要することな
く、一分子のみの分解によってＣｕが生成するから、気
相成長のような希薄な条件下でも数多くの初期核が発生
する。従って、良質な膜が得られる。
【００４３】尚、本明細書において、膜とは、平面的に
連続して広がっている状態のものだけを指すのではな
く、不連続、例えば斑点状のように核が付着したような
形態のものを含む意味で用いている。特に、一般式
〔Ｉ〕，〔ＩＩ〕，〔ＩＩＩ〕，〔ＩＶ〕，〔Ｉａ〕，
〔ＩＩａ〕，〔ＩＩＩａ〕，〔ＩＶａ〕が関与する膜形
成材料における膜とは、平面的に連続して広がっている
状態のものだけを指すのではなく、不連続、例えば斑点
状のように核（初期核）が付着したような形態のものを
含む意味で用いている。
連続して広がっている状態のものだけを指すのではな
く、不連続、例えば斑点状のように核が付着したような
形態のものを含む意味で用いている。特に、一般式
〔Ｉ〕，〔ＩＩ〕，〔ＩＩＩ〕，〔ＩＶ〕，〔Ｉａ〕，
〔ＩＩａ〕，〔ＩＩＩａ〕，〔ＩＶａ〕が関与する膜形
成材料における膜とは、平面的に連続して広がっている
状態のものだけを指すのではなく、不連続、例えば斑点
状のように核（初期核）が付着したような形態のものを
含む意味で用いている。
【００４４】すなわち、膜の品質は初期核の発生状態に
影響されることを前述したが、この初期核を数多く形成
する為に、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）
が一分子内に二つ以上含まれる本発明の銅の配位錯体を
利用することが考えられるからである。そして、ヘキサ
フルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）が一分子内に二つ
以上含まれる本発明の銅の配位錯体、例えば（Ｈｆａｃ
Ｃｕ）2 ：Ｌを用いて初期核が効率良く形成されれば、
その後の膜成長は、従来のＨｆａｃＣｕ：Ｌの如く、一
分子内に一つのＨｆａｃＣｕしか持たない銅の配位錯体
を用いてＣＶＤにより行っても良いからである。このよ
うな二段階のステップを経て平面的に連続して広がって
いる膜を形成する場合、（ＨｆａｃＣｕ）2 ：Ｌの蒸気
圧とＨｆａｃＣｕ：Ｌの蒸気圧とを比べると、（Ｈｆａ
ｃＣｕ）2 ：Ｌの方が蒸気圧は概して低い為、これに起
因して成膜効率が低いものの、（ＨｆａｃＣｕ）2 ：Ｌ
を用いた場合には初期核が数多く形成され、そして数多
くの初期核が形成された後でＨｆａｃＣｕ：Ｌを用いて
気相成長によりＣｕ系膜を形成した場合には、Ｈｆａｃ
Ｃｕ：Ｌの蒸気圧が高い為に成膜レートが高く、高品質
な膜を効率良く形成できることから、好ましい。
影響されることを前述したが、この初期核を数多く形成
する為に、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）
が一分子内に二つ以上含まれる本発明の銅の配位錯体を
利用することが考えられるからである。そして、ヘキサ
フルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）が一分子内に二つ
以上含まれる本発明の銅の配位錯体、例えば（Ｈｆａｃ
Ｃｕ）2 ：Ｌを用いて初期核が効率良く形成されれば、
その後の膜成長は、従来のＨｆａｃＣｕ：Ｌの如く、一
分子内に一つのＨｆａｃＣｕしか持たない銅の配位錯体
を用いてＣＶＤにより行っても良いからである。このよ
うな二段階のステップを経て平面的に連続して広がって
いる膜を形成する場合、（ＨｆａｃＣｕ）2 ：Ｌの蒸気
圧とＨｆａｃＣｕ：Ｌの蒸気圧とを比べると、（Ｈｆａ
ｃＣｕ）2 ：Ｌの方が蒸気圧は概して低い為、これに起
因して成膜効率が低いものの、（ＨｆａｃＣｕ）2 ：Ｌ
を用いた場合には初期核が数多く形成され、そして数多
くの初期核が形成された後でＨｆａｃＣｕ：Ｌを用いて
気相成長によりＣｕ系膜を形成した場合には、Ｈｆａｃ
Ｃｕ：Ｌの蒸気圧が高い為に成膜レートが高く、高品質
な膜を効率良く形成できることから、好ましい。
【００４５】尚、本発明において、金属膜（Ｍ膜、Ｃｕ
膜）とせず、金属系膜（Ｍ系膜、Ｃｕ系膜）としたの
は、例えば気相成長時の雰囲気が酸化性の雰囲気である
と、金属の酸化物系の膜となるからである。
膜）とせず、金属系膜（Ｍ系膜、Ｃｕ系膜）としたの
は、例えば気相成長時の雰囲気が酸化性の雰囲気である
と、金属の酸化物系の膜となるからである。
【００４６】
【発明の実施の形態】本発明になる膜形成方法は、一価
金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内
に二つ以上含む配位錯体を、基板が存する室内に供給す
る工程と、供給された前記配位錯体が分解し、基板上に
Ｍが付着する工程と、前記付着工程の後、乾式メッキ手
段（例えば、ＣＶＤやＰＶＤ等の手段）により金属系膜
を形成する工程とを有するものである。乾式メッキ手段
により金属系膜を形成する工程は、例えばヘキサフルオ
ロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，５−シクロオクタジ
エン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ジメ
チル−１，５−シクロオクタジエン、ヘキサフルオロア
セチルアセトナト銅（Ｉ）シクロオクタテトラエン、ヘ
キサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ノルボルネ
ン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ノルボ
ルナジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ヘキサフルオロアセチ
ルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシリルアセチレン
の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上を用いた気相成
長により金属系膜を形成する工程が一例として挙げられ
る。又、本発明になる膜形成方法は、一価金属Ｍとβ−
ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に二つ以上含
む配位錯体を、基板が存する室内に供給する工程と、供
給された前記配位錯体が分解し、基板上にＭが付着する
工程と、前記付着工程の後、湿式メッキ手段（例えば、
電解或いは無電解メッキ手段）により金属系膜を形成す
る工程とを有するものである。又、本発明になる膜形成
方法は、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単
位を一分子内に二つ以上含む配位錯体を、基板が存する
室内に供給する工程と、供給された前記配位錯体が分解
し、基板上にＭが付着する工程と、前記付着工程の後、
一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位を一つ
だけ有する配位錯体を用いた気相成長により金属系膜を
形成する工程とを有するものである。又、本発明になる
膜形成方法は、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合
した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体を、基板が
存する室内に供給する工程と、供給された前記配位錯体
が分解し、基板上にＭが付着する工程と、前記付着工程
の後、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位
を一分子内に二つ以上含む配位錯体より蒸気圧が高く、
かつ、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位
を一つだけ有する配位錯体を用いた気相成長により金属
系膜を形成する工程とを有するものである。又、本発明
になる膜形成方法は、一価金属Ｃｕとβ−ジケトンとが
配位結合した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体
を、基板が存する室内に供給する工程と、供給された前
記配位錯体が分解し、基板上に銅が付着する工程と、前
記付着工程の後、乾式メッキ手段或いは湿式メッキ手段
により銅系膜を形成する工程とを有するものである。
又、本発明になる膜形成方法は、一価金属Ｃｕとβ−ジ
ケトンとが配位結合した単位を一分子内に二つ以上含む
配位錯体を、基板が存する室内に供給する工程と、供給
された前記配位錯体が分解し、基板上に銅が付着する工
程と、前記付着工程の後、一価金属Ｍとβ−ジケトンと
が配位結合した単位を一つだけ有する配位錯体を用いた
気相成長により銅系膜を形成する工程とを有するもので
ある。又、本発明になる膜形成方法は、一価金属Ｃｕと
β−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に二つ以
上含む配位錯体を、基板が存する室内に供給する工程
と、供給された前記配位錯体が分解し、基板上に銅が付
着する工程と、前記付着工程の後、一価金属Ｃｕとβ−
ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に二つ以上含
む配位錯体より蒸気圧が高く、かつ、一価金属Ｍとβ−
ジケトンとが配位結合した単位を一つだけ有する配位錯
体を用いた気相成長により銅系膜を形成する工程とを有
するものである。一価金属Ｃｕとβ−ジケトンとが配位
結合した単位を一つだけ有する配位錯体としては、例え
ばヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，５−
シクロオクタジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）ジメチル−１，５−シクロオクタジエン、ヘ
キサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）シクロオクタ
テトラエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）ノルボルネン、ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）ノルボルナジエン、ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ヘキサフ
ルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシリ
ルアセチレン等が挙げられる。
金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内
に二つ以上含む配位錯体を、基板が存する室内に供給す
る工程と、供給された前記配位錯体が分解し、基板上に
Ｍが付着する工程と、前記付着工程の後、乾式メッキ手
段（例えば、ＣＶＤやＰＶＤ等の手段）により金属系膜
を形成する工程とを有するものである。乾式メッキ手段
により金属系膜を形成する工程は、例えばヘキサフルオ
ロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，５−シクロオクタジ
エン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ジメ
チル−１，５−シクロオクタジエン、ヘキサフルオロア
セチルアセトナト銅（Ｉ）シクロオクタテトラエン、ヘ
キサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ノルボルネ
ン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ノルボ
ルナジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ヘキサフルオロアセチ
ルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシリルアセチレン
の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上を用いた気相成
長により金属系膜を形成する工程が一例として挙げられ
る。又、本発明になる膜形成方法は、一価金属Ｍとβ−
ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に二つ以上含
む配位錯体を、基板が存する室内に供給する工程と、供
給された前記配位錯体が分解し、基板上にＭが付着する
工程と、前記付着工程の後、湿式メッキ手段（例えば、
電解或いは無電解メッキ手段）により金属系膜を形成す
る工程とを有するものである。又、本発明になる膜形成
方法は、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単
位を一分子内に二つ以上含む配位錯体を、基板が存する
室内に供給する工程と、供給された前記配位錯体が分解
し、基板上にＭが付着する工程と、前記付着工程の後、
一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位を一つ
だけ有する配位錯体を用いた気相成長により金属系膜を
形成する工程とを有するものである。又、本発明になる
膜形成方法は、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合
した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体を、基板が
存する室内に供給する工程と、供給された前記配位錯体
が分解し、基板上にＭが付着する工程と、前記付着工程
の後、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位
を一分子内に二つ以上含む配位錯体より蒸気圧が高く、
かつ、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した単位
を一つだけ有する配位錯体を用いた気相成長により金属
系膜を形成する工程とを有するものである。又、本発明
になる膜形成方法は、一価金属Ｃｕとβ−ジケトンとが
配位結合した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体
を、基板が存する室内に供給する工程と、供給された前
記配位錯体が分解し、基板上に銅が付着する工程と、前
記付着工程の後、乾式メッキ手段或いは湿式メッキ手段
により銅系膜を形成する工程とを有するものである。
又、本発明になる膜形成方法は、一価金属Ｃｕとβ−ジ
ケトンとが配位結合した単位を一分子内に二つ以上含む
配位錯体を、基板が存する室内に供給する工程と、供給
された前記配位錯体が分解し、基板上に銅が付着する工
程と、前記付着工程の後、一価金属Ｍとβ−ジケトンと
が配位結合した単位を一つだけ有する配位錯体を用いた
気相成長により銅系膜を形成する工程とを有するもので
ある。又、本発明になる膜形成方法は、一価金属Ｃｕと
β−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に二つ以
上含む配位錯体を、基板が存する室内に供給する工程
と、供給された前記配位錯体が分解し、基板上に銅が付
着する工程と、前記付着工程の後、一価金属Ｃｕとβ−
ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に二つ以上含
む配位錯体より蒸気圧が高く、かつ、一価金属Ｍとβ−
ジケトンとが配位結合した単位を一つだけ有する配位錯
体を用いた気相成長により銅系膜を形成する工程とを有
するものである。一価金属Ｃｕとβ−ジケトンとが配位
結合した単位を一つだけ有する配位錯体としては、例え
ばヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）１，５−
シクロオクタジエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）ジメチル−１，５−シクロオクタジエン、ヘ
キサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）シクロオクタ
テトラエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅
（Ｉ）ノルボルネン、ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）ノルボルナジエン、ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ヘキサフ
ルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチルシリ
ルアセチレン等が挙げられる。
【００４７】本発明の膜形成方法の最大の特徴は、第一
段階として、一価金属Ｍ（Ｍは、例えばＣｕ）とβ−ジ
ケトンとが配位結合した単位を一分子内に二つ以上含む
配位錯体の分解によりＭを基板上に付着させて核を形成
し、Ｍが基板上に付着して初期核が形成された後、第二
段階として、公知な薄膜形成技術、例えば一価金属Ｍと
β−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に一つだ
け有する配位錯体を用いたＣＶＤにより初期核上に連続
した膜を形成する点にある。
段階として、一価金属Ｍ（Ｍは、例えばＣｕ）とβ−ジ
ケトンとが配位結合した単位を一分子内に二つ以上含む
配位錯体の分解によりＭを基板上に付着させて核を形成
し、Ｍが基板上に付着して初期核が形成された後、第二
段階として、公知な薄膜形成技術、例えば一価金属Ｍと
β−ジケトンとが配位結合した単位を一分子内に一つだ
け有する配位錯体を用いたＣＶＤにより初期核上に連続
した膜を形成する点にある。
【００４８】これにより、高品質な膜が効率良く得られ
る。本発明になる膜形成材料は、金属系膜を形成する為
の材料であって、一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジケト
ンとが配位結合した単位を二つ以上有すると共に、前記
一価金属Ｍに配位結合した安定化配位子を有するもので
あり、前記安定化配位子が上記一般式〔Ｉ〕，一般式
〔ＩＩ〕，一般式〔ＩＩＩ〕，一般式〔ＩＶ〕で表され
る群の中から選ばれるいずれかである。β−ジケトン
は、Ｒ1aＣＯＣＨＲＣＯＲ1b（但し、Ｒは水素原子、ハ
ロゲン原子、又はアルキル基（特に、−ＣＨ3 ，−Ｃ2
Ｈ5 ）。Ｒ1a，Ｒ1bはアルキル基（特に、−ＣＨ3 ，−
Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ）、フッ化アルキル
基（特に、−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4
Ｆ9 ）、アリール基、又は置換（置換基は、例えば−Ｃ
Ｈ3，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ
Ｆ3 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｆ9 等）アリー
ル基）で表されるものである。中でも、トリフルオロア
セチルアセトン（Ｔｆａｃ）又はヘキサフルオロアセチ
ルアセトン（Ｈｆａｃ）である。特に、Ｈｆａｃであ
る。
る。本発明になる膜形成材料は、金属系膜を形成する為
の材料であって、一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジケト
ンとが配位結合した単位を二つ以上有すると共に、前記
一価金属Ｍに配位結合した安定化配位子を有するもので
あり、前記安定化配位子が上記一般式〔Ｉ〕，一般式
〔ＩＩ〕，一般式〔ＩＩＩ〕，一般式〔ＩＶ〕で表され
る群の中から選ばれるいずれかである。β−ジケトン
は、Ｒ1aＣＯＣＨＲＣＯＲ1b（但し、Ｒは水素原子、ハ
ロゲン原子、又はアルキル基（特に、−ＣＨ3 ，−Ｃ2
Ｈ5 ）。Ｒ1a，Ｒ1bはアルキル基（特に、−ＣＨ3 ，−
Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ）、フッ化アルキル
基（特に、−ＣＦ3 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4
Ｆ9 ）、アリール基、又は置換（置換基は、例えば−Ｃ
Ｈ3，−Ｃ2 Ｈ5 ，−Ｃ3 Ｈ7 ，−Ｃ4 Ｈ9 ，−Ｃ
Ｆ3 ，−Ｃ2 Ｆ5 ，−Ｃ3 Ｆ7 ，−Ｃ4 Ｆ9 等）アリー
ル基）で表されるものである。中でも、トリフルオロア
セチルアセトン（Ｔｆａｃ）又はヘキサフルオロアセチ
ルアセトン（Ｈｆａｃ）である。特に、Ｈｆａｃであ
る。
【００４９】又、本発明になる膜形成材料は、Ｃｕ系膜
を形成する為の材料であって、上記一般式〔Ｉａ〕，一
般式〔ＩＩａ〕，一般式〔ＩＩＩａ〕，一般式〔ＩＶ
ａ〕で表される群の中から選ばれる銅の配位錯体からな
る。特に、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅）ジメチルジビニルシラン、トリス（ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅）メチルトリビニルシラン、テト
ラキス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）テトラ
ビニルシラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅）ジエトキシジビニルシラン、ビス（ヘキサフルオ
ロアセチルアセトナト銅）メチルフェニルジビニルシラ
ン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジフ
ェニルジビニルシラン、トリス（ヘキサフルオロアセチ
ルアセトナト銅）フェニルトリビニルシラン、ビス（ヘ
キサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメチルジアリル
シラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）
メチルフェニルジアリルシラン、ビス（ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅）ジフェニルジアリルシラン、テ
トラキス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）テト
ラアリロキシシラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルア
セトナト銅）１，５−ヘキサジイン、ビス（ヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅）１，７−オクタジインの群
の中から選ばれるいずれか一つ又は二つ以上の混合物で
ある。
を形成する為の材料であって、上記一般式〔Ｉａ〕，一
般式〔ＩＩａ〕，一般式〔ＩＩＩａ〕，一般式〔ＩＶ
ａ〕で表される群の中から選ばれる銅の配位錯体からな
る。特に、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅）ジメチルジビニルシラン、トリス（ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅）メチルトリビニルシラン、テト
ラキス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）テトラ
ビニルシラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅）ジエトキシジビニルシラン、ビス（ヘキサフルオ
ロアセチルアセトナト銅）メチルフェニルジビニルシラ
ン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジフ
ェニルジビニルシラン、トリス（ヘキサフルオロアセチ
ルアセトナト銅）フェニルトリビニルシラン、ビス（ヘ
キサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメチルジアリル
シラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）
メチルフェニルジアリルシラン、ビス（ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅）ジフェニルジアリルシラン、テ
トラキス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）テト
ラアリロキシシラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルア
セトナト銅）１，５−ヘキサジイン、ビス（ヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅）１，７−オクタジインの群
の中から選ばれるいずれか一つ又は二つ以上の混合物で
ある。
【００５０】次に、本発明になる膜形成材料、例えばビ
ス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメチルジ
ビニルシランの合成方法について、簡単に述べる。合成
は窒素雰囲気下で行った。先ず、亜酸化銅１００ｇ
（１．５７ｍｏｌ）を５００ｍｌのクロロホルムに懸濁
させた。そして、乾燥剤の存在下で６０分間攪拌した
後、ジメチルジビニルシラン２５ｇ（０．２２３ｍｏ
ｌ）を加えて更に６０分間攪拌した。この後、ヘキサフ
ルオロアセチルアセトン９２ｇ（０．４４２ｍｏｌ）を
３０分間かけて滴下した。続いて、３０分間攪拌し、ろ
過、脱水、カラム精製を経、４０ｇ（２８％）の液体の
ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメチル
ジビニルシランを得た。
ス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメチルジ
ビニルシランの合成方法について、簡単に述べる。合成
は窒素雰囲気下で行った。先ず、亜酸化銅１００ｇ
（１．５７ｍｏｌ）を５００ｍｌのクロロホルムに懸濁
させた。そして、乾燥剤の存在下で６０分間攪拌した
後、ジメチルジビニルシラン２５ｇ（０．２２３ｍｏ
ｌ）を加えて更に６０分間攪拌した。この後、ヘキサフ
ルオロアセチルアセトン９２ｇ（０．４４２ｍｏｌ）を
３０分間かけて滴下した。続いて、３０分間攪拌し、ろ
過、脱水、カラム精製を経、４０ｇ（２８％）の液体の
ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメチル
ジビニルシランを得た。
【００５１】このビス（ヘキサフルオロアセチルアセト
ナト銅）ジメチルジビニルシランについてのＨ−ＮＭＲ
は、ＣＨ3 −Ｓｉ（６Ｈ，σ−０．０１，ｓ），ＣＨ2
＝ＣＨ−Ｓｉ（６Ｈ，σ３．９−４．２，ｍ），ＣＯＣ
ＨＣＯ（２Ｈ，σ６．１７，ｓ）であった。又、ビス
（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメチルジビ
ニルシランは、図１に示す熱分析から判る通り、気化性
が良好である。但し、対応するヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅トリメチルビニルシランよりは高温でなけ
れば気化し難い。
ナト銅）ジメチルジビニルシランについてのＨ−ＮＭＲ
は、ＣＨ3 −Ｓｉ（６Ｈ，σ−０．０１，ｓ），ＣＨ2
＝ＣＨ−Ｓｉ（６Ｈ，σ３．９−４．２，ｍ），ＣＯＣ
ＨＣＯ（２Ｈ，σ６．１７，ｓ）であった。又、ビス
（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメチルジビ
ニルシランは、図１に示す熱分析から判る通り、気化性
が良好である。但し、対応するヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅トリメチルビニルシランよりは高温でなけ
れば気化し難い。
【００５２】以下、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセ
トナト銅）ジメチルジビニルシランを挙げて本発明を具
体的に説明する。尚、ビス（ヘキサフルオロアセチルア
セトナト銅）ジメチルジビニルシラン以外の本発明にな
る配位錯体でも同様な結果が得られた。又、β−ジケト
ンと配位結合する一価金属Ｍとしては、上記した銅の他
にも、例えば銀、ロジウム、イリジウム等が挙げられ
る。
トナト銅）ジメチルジビニルシランを挙げて本発明を具
体的に説明する。尚、ビス（ヘキサフルオロアセチルア
セトナト銅）ジメチルジビニルシラン以外の本発明にな
る配位錯体でも同様な結果が得られた。又、β−ジケト
ンと配位結合する一価金属Ｍとしては、上記した銅の他
にも、例えば銀、ロジウム、イリジウム等が挙げられ
る。
【００５３】
【比較例１】図２の装置を用いた。尚、成膜はヘリウム
雰囲気下で行った。先ず、シリコン基板７を分解反応炉
５に入れ、ヒーター６で分解反応炉５を３００℃に加熱
した。次に、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅トリ
メチルビニルシラン１ｂが入れられた気化容器２ｂ内に
キャリアーガスとしてヘリウムを流量１００ｍｌ／分で
バブリングし、気化させた。この時の気化容器２ｂの温
度は２７．５℃に制御された。そして、気化したヘキサ
フルオロアセチルアセトナト銅トリメチルビニルシラン
を配管４を経て分解反応炉５に導入した。
雰囲気下で行った。先ず、シリコン基板７を分解反応炉
５に入れ、ヒーター６で分解反応炉５を３００℃に加熱
した。次に、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅トリ
メチルビニルシラン１ｂが入れられた気化容器２ｂ内に
キャリアーガスとしてヘリウムを流量１００ｍｌ／分で
バブリングし、気化させた。この時の気化容器２ｂの温
度は２７．５℃に制御された。そして、気化したヘキサ
フルオロアセチルアセトナト銅トリメチルビニルシラン
を配管４を経て分解反応炉５に導入した。
【００５４】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅トリ
メチルビニルシランの導入後２０秒経過してからシリコ
ン基板７を取り出した。取り出したシリコン基板７を電
子顕微鏡で観察した処、Ｃｕ核の生成が疎らにしか認め
られなかった。
メチルビニルシランの導入後２０秒経過してからシリコ
ン基板７を取り出した。取り出したシリコン基板７を電
子顕微鏡で観察した処、Ｃｕ核の生成が疎らにしか認め
られなかった。
【００５５】
【実施例１】図２の装置を用いた。尚、成膜はヘリウム
雰囲気下で行った。先ず、シリコン基板７を分解反応炉
５に入れ、ヒーター６で分解反応炉５を３００℃に加熱
した。次に、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅）ジメチルジビニルシラン１ａが入れられた気化容器
２ａ内にキャリアーガスとしてヘリウムを流量１００ｍ
ｌ／分でバブリングし、気化させた。この時の気化容器
２ａの温度は２７．５℃に制御された。そして、気化し
たビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメチ
ルジビニルシランを配管４を経て分解反応炉５に導入し
た。
雰囲気下で行った。先ず、シリコン基板７を分解反応炉
５に入れ、ヒーター６で分解反応炉５を３００℃に加熱
した。次に、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅）ジメチルジビニルシラン１ａが入れられた気化容器
２ａ内にキャリアーガスとしてヘリウムを流量１００ｍ
ｌ／分でバブリングし、気化させた。この時の気化容器
２ａの温度は２７．５℃に制御された。そして、気化し
たビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメチ
ルジビニルシランを配管４を経て分解反応炉５に導入し
た。
【００５６】ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅）ジメチルジビニルシランの導入後２０秒経過してか
らシリコン基板７を取り出した。取り出したシリコン基
板７を電子顕微鏡で観察した処、Ｃｕ核の生成が比較例
１の場合よりも高密度で認められた。
銅）ジメチルジビニルシランの導入後２０秒経過してか
らシリコン基板７を取り出した。取り出したシリコン基
板７を電子顕微鏡で観察した処、Ｃｕ核の生成が比較例
１の場合よりも高密度で認められた。
【００５７】
【実施例２】図２の装置を用いた。尚、成膜はヘリウム
雰囲気下で行った。先ず、シリコン基板７を分解反応炉
５に入れ、ヒーター６で分解反応炉５を３００℃に加熱
した。次に、気化容器２ａ内にビス（ヘキサフルオロア
セチルアセトナト銅）ジメチルジビニルシラン１ａを入
れ、気化容器２ｂ内にヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅トリメチルビニルシラン１ｂを入れた。
雰囲気下で行った。先ず、シリコン基板７を分解反応炉
５に入れ、ヒーター６で分解反応炉５を３００℃に加熱
した。次に、気化容器２ａ内にビス（ヘキサフルオロア
セチルアセトナト銅）ジメチルジビニルシラン１ａを入
れ、気化容器２ｂ内にヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅トリメチルビニルシラン１ｂを入れた。
【００５８】そして、最初に、気化容器２ａ内にキャリ
アーガスとしてヘリウムを流量１００ｍｌ／分でバブリ
ングし、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）
ジメチルジビニルシランを気化させた。この時の気化容
器２ａの温度は４０℃に制御された。気化したビス（ヘ
キサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメチルジビニル
シランを配管４を経て分解反応炉５に導入した。
アーガスとしてヘリウムを流量１００ｍｌ／分でバブリ
ングし、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）
ジメチルジビニルシランを気化させた。この時の気化容
器２ａの温度は４０℃に制御された。気化したビス（ヘ
キサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメチルジビニル
シランを配管４を経て分解反応炉５に導入した。
【００５９】ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅）ジメチルジビニルシランを分解反応炉５に導入し始
めてから５分経過した後、気化容器２ａ内にキャリアー
ガスを供給するのを停止し、代わって気化容器２ｂ内に
キャリアーガスとしてヘリウムを流量１００ｍｌ／分で
バブリングし、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅ト
リメチルビニルシランを気化させた。この時の気化容器
２ｂの温度は４０℃に制御された。気化したヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅トリメチルビニルシランを配
管４を経て分解反応炉５に導入した。
銅）ジメチルジビニルシランを分解反応炉５に導入し始
めてから５分経過した後、気化容器２ａ内にキャリアー
ガスを供給するのを停止し、代わって気化容器２ｂ内に
キャリアーガスとしてヘリウムを流量１００ｍｌ／分で
バブリングし、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅ト
リメチルビニルシランを気化させた。この時の気化容器
２ｂの温度は４０℃に制御された。気化したヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅トリメチルビニルシランを配
管４を経て分解反応炉５に導入した。
【００６０】ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅トリ
メチルビニルシランを導入し始めてから５分経過後にシ
リコン基板７を取り出した。取り出したシリコン基板７
の表面は銅の赤金光沢であった。又、電子顕微鏡で観察
した処、堆積したＣｕ膜表面は、斑点状の凹凸なもので
はなく、一様に平滑であった。又、堆積膜の厚さ方向に
ついての元素分析を行った処、表面は銅層、そして下方
に移るにつれて銅−シリコン層であり、そして基板のシ
リコンからなっていた。又、酸素、フッ素などの元素は
検出されず、銅層は純銅であった。
メチルビニルシランを導入し始めてから５分経過後にシ
リコン基板７を取り出した。取り出したシリコン基板７
の表面は銅の赤金光沢であった。又、電子顕微鏡で観察
した処、堆積したＣｕ膜表面は、斑点状の凹凸なもので
はなく、一様に平滑であった。又、堆積膜の厚さ方向に
ついての元素分析を行った処、表面は銅層、そして下方
に移るにつれて銅−シリコン層であり、そして基板のシ
リコンからなっていた。又、酸素、フッ素などの元素は
検出されず、銅層は純銅であった。
【００６１】
【比較例２】実施例２において、ビス（ヘキサフルオロ
アセチルアセトナト銅）ジメチルジビニルシランを全く
用いず、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅トリメチ
ルビニルシランの気化、分解反応炉５への導入時間を１
０分とし、全体の成膜時間を同じにした以外は同様に行
った。
アセチルアセトナト銅）ジメチルジビニルシランを全く
用いず、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅トリメチ
ルビニルシランの気化、分解反応炉５への導入時間を１
０分とし、全体の成膜時間を同じにした以外は同様に行
った。
【００６２】本比較例２で得たＣｕ膜の厚さを測定した
処、実施例２の場合より薄く、又、Ｃｕ膜の平滑性も劣
るものであった。
処、実施例２の場合より薄く、又、Ｃｕ膜の平滑性も劣
るものであった。
【００６３】
【発明の効果】高品質な膜を効率よく形成できる。
【図１】気化性を示す熱分析チャート
【図２】銅合金成膜装置の概略図
【符号の説明】 ２ａ，２ｂ 気化容器 ３ ガス流量制御器 ４ 気相輸送配管 ５ 分解反応炉 ６ 加熱手段 ７ シリコン基板
Claims (16)
- 【請求項１】 一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合
した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体を、基板が
存する室内に供給する工程と、 供給された前記配位錯体が分解し、基板上にＭが付着す
る工程と、 前記付着工程の後、乾式メッキ手段により金属系膜を形
成する工程とを有することを特徴とする膜形成方法。 - 【請求項２】 乾式メッキ手段により金属系膜を形成す
る工程が、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合した
単位を一つだけ有する配位錯体を用いた気相成長により
金属系膜を形成する工程であることを特徴とする請求項
１の膜形成方法。 - 【請求項３】 乾式メッキ手段により金属系膜を形成す
る工程が、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）
１，５−シクロオクタジエン、ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅（Ｉ）ジメチル−１，５−シクロオクタジ
エン、ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）シク
ロオクタテトラエン、ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト銅（Ｉ）ノルボルネン、ヘキサフルオロアセチルアセ
トナト銅（Ｉ）ノルボルナジエン、ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅（Ｉ）トリメチルビニルシラン、ヘキ
サフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ビストリメチル
シリルアセチレンの群の中から選ばれる一つ又は二つ以
上を用いた気相成長により金属系膜を形成する工程であ
ることを特徴とする請求項１又は請求項２の膜形成方
法。 - 【請求項４】 一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合
した単位を一分子内に二つ以上含む配位錯体を、基板が
存する室内に供給する工程と、 供給された前記配位錯体が分解し、基板上にＭが付着す
る工程と、 前記付着工程の後、湿式メッキ手段により金属系膜を形
成する工程とを有することを特徴とする膜形成方法。 - 【請求項５】 β−ジケトンがＲ1aＣＯＣＨＲＣＯＲ1b
（但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル
基。Ｒ1a，Ｒ1bはアルキル基、フッ化アルキル基、アリ
ール基、又は置換アリール基。）で表されるものである
ことを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項４の膜
形成方法。 - 【請求項６】 金属系膜を形成する為の材料であって、 一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合し
た単位を二つ以上有すると共に、前記一価金属Ｍに配位
結合した安定化配位子を有するものであり、 前記安定化配位子が下記一般式〔Ｉ〕で表される群の中
から選ばれるいずれかであることを特徴とする膜形成材
料。 【化１】 一般式〔Ｉ〕 （但し、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，
Ｒ8 は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１０のアルキン
基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１〜１０の置
換アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜
１０のアリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換ア
リール基の群の中から選ばれるいずれかであり、Ｒ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 は同じでも
異なるものでも良い。ｌ，ｍは０〜１０の整数であ
る。） - 【請求項７】 金属系膜を形成する為の材料であって、 一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合し
た単位を二つ以上有すると共に、前記一価金属Ｍに配位
結合した安定化配位子を有するものであり、 前記安定化配位子が下記一般式〔ＩＩ〕で表される群の
中から選ばれるいずれかであることを特徴とする膜形成
材料。 【化２】 一般式〔ＩＩ〕 （但し、Ｒ9 ，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14は、水素
原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０の
アルケン基、炭素数１〜１０のアルキン基、炭素数１〜
１０のアリール基、炭素数１〜１０の置換アリール基、
Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル基、Ｓｉを含む炭
素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０
のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアリール
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換アリール基の群の
中から選ばれるいずれかであり、Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ
12，Ｒ13，Ｒ14は同じでも異なるものでも良い。ｎは０
〜１０の整数である。） - 【請求項８】 金属系膜を形成する為の材料であって、 一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合し
た単位を二つ以上有すると共に、前記一価金属Ｍに配位
結合した安定化配位子を有するものであり、 前記安定化配位子が下記一般式〔ＩＩＩ〕で表される群
の中から選ばれるいずれかであることを特徴とする膜形
成材料。 【化３】 一般式〔ＩＩＩ〕 （但し、Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は、水素原子、炭素数
１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケン基、
炭素数１〜１０のアルキン基、炭素数１〜１０のアリー
ル基、炭素数１〜１０の置換アリール基、Ｓｉを含む炭
素数１〜１０のアルキル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０
のアルケン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキン
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアリール基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０の置換アリール基の群の中から選ばれ
るいずれかであり、Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は同じでも
異なるものでも良い。） - 【請求項９】 金属系膜を形成する為の材料であって、 一分子内に、一価金属Ｍとβ−ジケトンとが配位結合し
た単位を二つ以上有すると共に、前記一価金属Ｍに配位
結合した安定化配位子を有するものであり、 前記安定化配位子が下記一般式〔ＩＶ〕で表される群の
中から選ばれるいずれかであることを特徴とする膜形成
材料。 【化４】 一般式〔ＩＶ〕 （但し、Ｒ19，Ｒ20は、水素原子、炭素数１〜１０のア
ルキル基、炭素数１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１
０のアルキン基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数
１〜１０の置換アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０
のアルキル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルケン
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０のアリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜
１０の置換アリール基の群の中から選ばれるいずれかで
あり、Ｒ19，Ｒ20は同じでも異なるものでも良い。ｏは
１〜１０の整数である。） - 【請求項１０】 β−ジケトンがＲ1aＣＯＣＨＲＣＯＲ
1b（但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル
基。Ｒ1a，Ｒ1bはアルキル基、フッ化アルキル基、アリ
ール基、又は置換アリール基。）で表されるものである
ことを特徴とする請求項６〜請求項９いずれかの膜形成
材料。 - 【請求項１１】 Ｃｕ系膜を形成する為の材料であっ
て、 下記の一般式〔Ｉａ〕で表される群の中から選ばれる銅
の配位錯体からなることを特徴とする膜形成材料。 【化５】 一般式〔Ｉａ〕 （但し、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，
Ｒ8 は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１０のアルキン
基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数１〜１０の置
換アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜
１０のアリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換ア
リール基の群の中から選ばれるいずれかであり、Ｒ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 は同じでも
異なるものでも良い。ｌ，ｍは０〜１０の整数であ
る。） - 【請求項１２】 Ｃｕ系膜を形成する為の材料であっ
て、 下記の一般式〔ＩＩａ〕で表される群の中から選ばれる
銅の配位錯体からなることを特徴とする膜形成材料。 【化６】 一般式〔ＩＩａ〕 （但し、Ｒ9 ，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13，Ｒ14は、水素
原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０の
アルケン基、炭素数１〜１０のアルキン基、炭素数１〜
１０のアリール基、炭素数１〜１０の置換アリール基、
Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキル基、Ｓｉを含む炭
素数１〜１０のアルケン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０
のアルキン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアリール
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０の置換アリール基の群の
中から選ばれるいずれかであり、Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ
12，Ｒ13，Ｒ14は同じでも異なるものでも良い。ｎは０
〜１０の整数である。） - 【請求項１３】 Ｃｕ系膜を形成する為の材料であっ
て、 下記の一般式〔ＩＩＩａ〕で表される群の中から選ばれ
る銅の配位錯体からなることを特徴とする膜形成材料。 【化７】 一般式〔ＩＩＩａ〕 （但し、Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は、水素原子、炭素数
１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケン基、
炭素数１〜１０のアルキン基、炭素数１〜１０のアリー
ル基、炭素数１〜１０の置換アリール基、Ｓｉを含む炭
素数１〜１０のアルキル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０
のアルケン基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキン
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアリール基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０の置換アリール基の群の中から選ばれ
るいずれかであり、Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18は同じでも
異なるものでも良い。） - 【請求項１４】 Ｃｕ系膜を形成する為の材料であっ
て、 下記の一般式〔ＩＶａ〕で表される群の中から選ばれる
銅の配位錯体からなることを特徴とする膜形成材料。 【化８】 一般式〔ＩＶａ〕 （但し、Ｒ19，Ｒ20は、水素原子、炭素数１〜１０のア
ルキル基、炭素数１〜１０のアルケン基、炭素数１〜１
０のアルキン基、炭素数１〜１０のアリール基、炭素数
１〜１０の置換アリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０
のアルキル基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルケン
基、Ｓｉを含む炭素数１〜１０のアルキン基、Ｓｉを含
む炭素数１〜１０のアリール基、Ｓｉを含む炭素数１〜
１０の置換アリール基の群の中から選ばれるいずれかで
あり、Ｒ19，Ｒ20は同じでも異なるものでも良い。ｏは
１〜１０の整数である。） - 【請求項１５】 Ｃｕ系膜を形成する為の材料であっ
て、 ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジメチル
ジビニルシラン、トリス（ヘキサフルオロアセチルアセ
トナト銅）メチルトリビニルシラン、テトラキス（ヘキ
サフルオロアセチルアセトナト銅）テトラビニルシラ
ン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジエ
トキシジビニルシラン、ビス（ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅）メチルフェニルジビニルシラン、ビス
（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）ジフェニルジ
ビニルシラン、トリス（ヘキサフルオロアセチルアセト
ナト銅）フェニルトリビニルシラン、ビス（ヘキサフル
オロアセチルアセトナト銅）ジメチルジアリルシラン、
ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）メチルフ
ェニルジアリルシラン、ビス（ヘキサフルオロアセチル
アセトナト銅）ジフェニルジアリルシラン、テトラキス
（ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅）テトラアリロ
キシシラン、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト
銅）１，５−ヘキサジイン、ビス（ヘキサフルオロアセ
チルアセトナト銅）１，７−オクタジインの群の中から
選ばれるいずれか一つ又は二つ以上の混合物であること
を特徴とする膜形成材料。 - 【請求項１６】 気相成長法で用いる為の材料であるこ
とを特徴とする請求項６〜請求項１５いずれかの膜形成
材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05517998A JP4203927B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 膜形成方法及び膜形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05517998A JP4203927B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 膜形成方法及び膜形成材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11256330A true JPH11256330A (ja) | 1999-09-21 |
| JP4203927B2 JP4203927B2 (ja) | 2009-01-07 |
Family
ID=12991505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05517998A Expired - Lifetime JP4203927B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 膜形成方法及び膜形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4203927B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1016666A3 (en) * | 1998-11-10 | 2002-01-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Allyl-derived precursor and synthesis method |
| JP2005170852A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Tosoh Corp | 多置換ビニルシラン化合物を含んで成る銅錯体及び銅錯体組成物 |
| KR100709990B1 (ko) * | 2002-05-16 | 2007-04-20 | 가부시키가이샤 트리케미컬 겐큐쇼 | 막형성재료, 막형성방법 및 소자 |
-
1998
- 1998-03-06 JP JP05517998A patent/JP4203927B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| EP1016666A3 (en) * | 1998-11-10 | 2002-01-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Allyl-derived precursor and synthesis method |
| KR100709990B1 (ko) * | 2002-05-16 | 2007-04-20 | 가부시키가이샤 트리케미컬 겐큐쇼 | 막형성재료, 막형성방법 및 소자 |
| JP2005170852A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Tosoh Corp | 多置換ビニルシラン化合物を含んで成る銅錯体及び銅錯体組成物 |
| JP4529434B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2010-08-25 | 東ソー株式会社 | 多置換ビニルシラン化合物を含んで成る銅錯体及び銅錯体組成物 |
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| JP4203927B2 (ja) | 2009-01-07 |
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