JPH11255530A - 耐火性誘電体からなる物品を製造する方法 - Google Patents
耐火性誘電体からなる物品を製造する方法Info
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- JPH11255530A JPH11255530A JP10273848A JP27384898A JPH11255530A JP H11255530 A JPH11255530 A JP H11255530A JP 10273848 A JP10273848 A JP 10273848A JP 27384898 A JP27384898 A JP 27384898A JP H11255530 A JPH11255530 A JP H11255530A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐火性誘電体の表面を殆ど除去することな
く、表面不純物及びバルク不純物の両方を減少させる。 【解決手段】 耐火性誘電体の表面部分の相当量の除去
を生じることなく、しかも、表面不純物及びバルク不純
物の両方を十分に減少させることができる条件で、耐火
性誘電体をプラズマ火球で加熱する。耐火性誘電体への
材料の同時蒸着無しに、プラズマで耐火性誘電体を処理
する。等温酸素又は酸素含有プラズマを使用する。水酸
基不純物を同時に除去しながら、少なくとも１０μｍの
深さまで塩素不純物を少なくとも３０％減少させること
ができる。従って、プリフォームの表面の相当量の除去
を必要とすることなく、プリフォームからファイバを線
引きする処理中の欠陥の一因となる不純物濃度を低下さ
せることができる。
く、表面不純物及びバルク不純物の両方を減少させる。 【解決手段】 耐火性誘電体の表面部分の相当量の除去
を生じることなく、しかも、表面不純物及びバルク不純
物の両方を十分に減少させることができる条件で、耐火
性誘電体をプラズマ火球で加熱する。耐火性誘電体への
材料の同時蒸着無しに、プラズマで耐火性誘電体を処理
する。等温酸素又は酸素含有プラズマを使用する。水酸
基不純物を同時に除去しながら、少なくとも１０μｍの
深さまで塩素不純物を少なくとも３０％減少させること
ができる。従って、プリフォームの表面の相当量の除去
を必要とすることなく、プリフォームからファイバを線
引きする処理中の欠陥の一因となる不純物濃度を低下さ
せることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は耐火性誘電体からな
る製品の製造に関する。更に詳細には、本発明はガラス
光ファイバ用のプリフォームの製造に関する。
る製品の製造に関する。更に詳細には、本発明はガラス
光ファイバ用のプリフォームの製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバの使用が増大するにつれて、
優れた光学特性を有する、一層強靱で、一層耐久性のあ
るファイバも同様に開発されてきた。光ファイバの損失
メカニズム及び構造的欠陥は一般的に、光ファイバが線
引きされるガラスプリフォーム内に存在する欠陥及び不
純物から生じる。従って、これらの欠陥及び不純物を軽
減、除去又は排除するための方法を開発するための多大
な努力が払われてきた。
優れた光学特性を有する、一層強靱で、一層耐久性のあ
るファイバも同様に開発されてきた。光ファイバの損失
メカニズム及び構造的欠陥は一般的に、光ファイバが線
引きされるガラスプリフォーム内に存在する欠陥及び不
純物から生じる。従って、これらの欠陥及び不純物を軽
減、除去又は排除するための方法を開発するための多大
な努力が払われてきた。
【０００３】このような欠陥及び不純物を除去する方法
は例えば、機械的微粉砕及び化学的エッチングなどであ
るが、これらの方法は何れも特に望ましいものではな
い。機械的微粉砕はしばしば、クラック生成を引き起こ
す機械的応力をプリフォームに導入する。また、化学的
エッチングは、所期の欠陥及び不純物を概して除去する
が、往々にして、新たな不純物として化学的副生物を導
入する。
は例えば、機械的微粉砕及び化学的エッチングなどであ
るが、これらの方法は何れも特に望ましいものではな
い。機械的微粉砕はしばしば、クラック生成を引き起こ
す機械的応力をプリフォームに導入する。また、化学的
エッチングは、所期の欠陥及び不純物を概して除去する
が、往々にして、新たな不純物として化学的副生物を導
入する。
【０００４】米国特許第５０００７７１号明細書に記載
されるような、表面不純物及び欠陥を除去するためにプ
ラズマトーチを使用する方法も公知である。しかし、こ
れらの各方法は本質的に、ガラスプリフォームの表面部
分を除去するだけである。ガラスプリフォームの表面部
分は、最も高い濃度の欠陥と不純物が存在する。
されるような、表面不純物及び欠陥を除去するためにプ
ラズマトーチを使用する方法も公知である。しかし、こ
れらの各方法は本質的に、ガラスプリフォームの表面部
分を除去するだけである。ガラスプリフォームの表面部
分は、最も高い濃度の欠陥と不純物が存在する。
【０００５】しかし、バルク不純物はガラス本体内にも
存在する。（「バルク」とは、表面の数ミクロン内に主
に存在する不純物と異なり、例えば、表面と本体内部の
両方のように、ガラス材料の全体にわたって不純物が存
在することを意味する。）石英ガラスにおける代表的な
バルク不純物は例えば、塩素及び水酸基である。これら
両タイプの不純物は、石英ガラスの製造中及び光ファイ
バの線引き中に、有害な泡立ちを引き起こすことが知ら
れている。
存在する。（「バルク」とは、表面の数ミクロン内に主
に存在する不純物と異なり、例えば、表面と本体内部の
両方のように、ガラス材料の全体にわたって不純物が存
在することを意味する。）石英ガラスにおける代表的な
バルク不純物は例えば、塩素及び水酸基である。これら
両タイプの不純物は、石英ガラスの製造中及び光ファイ
バの線引き中に、有害な泡立ちを引き起こすことが知ら
れている。
【０００６】塩素は一般的に、塩素含有化合物（例え
ば、ＳｉＣｌ4）からの合成ガラスの製造中、及び、こ
のようなガラスを塩素ガス中で精製するその後のステッ
プ中に取り込まれる。相当量の塩素が取り込まれる可能
性がある。例えば、石英ガラス中で１０００ｐｐｍの塩
素原子も希ではない。
ば、ＳｉＣｌ4）からの合成ガラスの製造中、及び、こ
のようなガラスを塩素ガス中で精製するその後のステッ
プ中に取り込まれる。相当量の塩素が取り込まれる可能
性がある。例えば、石英ガラス中で１０００ｐｐｍの塩
素原子も希ではない。
【０００７】水酸基は、ゾル・ゲル法及びその他の製造
方法における水の存在により及び酸水素トーチの共通使
用により、石英ガラス本体内に取り込まれる。天然の溶
融石英ガラスであっても水酸基不純物を含有している。
しかし、このようなガラスは一般的に、高レベルの塩素
は含有していない。
方法における水の存在により及び酸水素トーチの共通使
用により、石英ガラス本体内に取り込まれる。天然の溶
融石英ガラスであっても水酸基不純物を含有している。
しかし、このようなガラスは一般的に、高レベルの塩素
は含有していない。
【０００８】幾つかの製造方法では、ガラス本体の表面
を概ね無傷のままにしておくことが望ましいこともあ
る。これにより、表面不純物が更に減少され、また、好
都合なことには、バルク不純物も同様に減少される。従
って、耐火性誘電体（例えば、光ファイバプリフォー
ム）の表面を殆ど除去することなく、表面不純物及びバ
ルク不純物の両方を減少させることができる、耐火性誘
電体からなる製品の製造方法が望ましい。
を概ね無傷のままにしておくことが望ましいこともあ
る。これにより、表面不純物が更に減少され、また、好
都合なことには、バルク不純物も同様に減少される。従
って、耐火性誘電体（例えば、光ファイバプリフォー
ム）の表面を殆ど除去することなく、表面不純物及びバ
ルク不純物の両方を減少させることができる、耐火性誘
電体からなる製品の製造方法が望ましい。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、耐火性誘電体の表面を殆ど除去することなく、表面
不純物及びバルク不純物の両方を減少させることができ
る、耐火性誘電体からなる製品の製造方法を提供するこ
とである。
は、耐火性誘電体の表面を殆ど除去することなく、表面
不純物及びバルク不純物の両方を減少させることができ
る、耐火性誘電体からなる製品の製造方法を提供するこ
とである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】耐火性誘電体（例えば、
石英光ファイバプリフォーム）の表面部分を殆ど除去す
ることなく、耐火性誘電体内の不純物を減少させること
ができることが発見された。
石英光ファイバプリフォーム）の表面部分を殆ど除去す
ることなく、耐火性誘電体内の不純物を減少させること
ができることが発見された。
【００１１】特に、耐火性誘電体の表面部分の相当量の
除去を生じることなく、しかも、特に塩素及び水酸基な
どの表面不純物及びバルク不純物の両方を少なくとも約
１０μｍの深さまで十分に減少させることができる条件
で、耐火性誘電体をプラズマ火球（例えば、プラズマト
ーチにより誘発されるような火球）により処理する。
除去を生じることなく、しかも、特に塩素及び水酸基な
どの表面不純物及びバルク不純物の両方を少なくとも約
１０μｍの深さまで十分に減少させることができる条件
で、耐火性誘電体をプラズマ火球（例えば、プラズマト
ーチにより誘発されるような火球）により処理する。
【００１２】（「相当量の除去」とは、耐火性誘電体の
表面から少なくとも約０．１ｍｍよりも多く除去するこ
とを意味する。「耐火性」とは、本質的な変化を起こす
ことなく約１６００℃までの温度に耐えることができる
比較的低い熱伝導率のセラミック材料を意味する。「誘
電体」とは、電気的に絶縁性の材料、すなわち約１０ 6
Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有する材料を意味する。）
表面から少なくとも約０．１ｍｍよりも多く除去するこ
とを意味する。「耐火性」とは、本質的な変化を起こす
ことなく約１６００℃までの温度に耐えることができる
比較的低い熱伝導率のセラミック材料を意味する。「誘
電体」とは、電気的に絶縁性の材料、すなわち約１０ 6
Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有する材料を意味する。）
【００１３】耐火性誘電体は、中実状（例えば、ロッ
ド）又は中空状（例えば、チューブ）であることができ
る。耐火性誘電体がチューブである場合、チューブの内
面及び外面の両方の面をプラズマ火球により処理するこ
とができる。本発明の方法は、場合により、耐火性誘電
体への材料の同時蒸着無しに、例えば、ファイバコアロ
ッドへのクラッドの蒸着又はクラッドチューブへのファ
イバコア材料の蒸着無しに実施される。
ド）又は中空状（例えば、チューブ）であることができ
る。耐火性誘電体がチューブである場合、チューブの内
面及び外面の両方の面をプラズマ火球により処理するこ
とができる。本発明の方法は、場合により、耐火性誘電
体への材料の同時蒸着無しに、例えば、ファイバコアロ
ッドへのクラッドの蒸着又はクラッドチューブへのファ
イバコア材料の蒸着無しに実施される。
【００１４】本発明の方法は、予備プラズマ処理耐火性
誘電体に比べて、少なくとも１０μｍの深さまでの塩素
不純物を少なくとも３０％減少させることができ、同時
に、水酸基不純物も減少される。また、本発明のパラメ
ータ（例えば、耐火性誘電体を加熱する温度）を変更す
ることにより、少なくとも１０μｍの深さまでの塩素不
純物を３００％又は３０００％までも減少させることも
できる。
誘電体に比べて、少なくとも１０μｍの深さまでの塩素
不純物を少なくとも３０％減少させることができ、同時
に、水酸基不純物も減少される。また、本発明のパラメ
ータ（例えば、耐火性誘電体を加熱する温度）を変更す
ることにより、少なくとも１０μｍの深さまでの塩素不
純物を３００％又は３０００％までも減少させることも
できる。
【００１５】また、耐火性誘電体表面の０．１ｍｍ未満
（例えば、約０．０５ｍｍ未満）を除去したり、あるい
は、表面部分を全く除去しないように、本発明の方法の
処理パラメータを選択することもできる。等温プラズマ
トーチにより発生されるような火球を使用することが好
ましい。プラズマ火球は酸素プラズマ又は酸素含有プラ
ズマからなることが更に好ましい。
（例えば、約０．０５ｍｍ未満）を除去したり、あるい
は、表面部分を全く除去しないように、本発明の方法の
処理パラメータを選択することもできる。等温プラズマ
トーチにより発生されるような火球を使用することが好
ましい。プラズマ火球は酸素プラズマ又は酸素含有プラ
ズマからなることが更に好ましい。
【００１６】プラズマは耐火性誘電体の表面を約１８０
０℃〜２３００℃の温度にまで加熱する。到達表面温度
は様々な相互依存性パラメータにより左右される。この
ようなパラメータは例えば、プラズマに供給される電
力、プラズマのタイプ、プラズマ火球が耐火性誘電体を
トラバースする際の速度、火球から耐火性誘電体表面ま
での距離及び耐火性誘電体の特性などである。
０℃〜２３００℃の温度にまで加熱する。到達表面温度
は様々な相互依存性パラメータにより左右される。この
ようなパラメータは例えば、プラズマに供給される電
力、プラズマのタイプ、プラズマ火球が耐火性誘電体を
トラバースする際の速度、火球から耐火性誘電体表面ま
での距離及び耐火性誘電体の特性などである。
【００１７】本発明は、石英光ファイバプリフォームの
ような耐火性誘電体から塩素及び水酸基不純物を除去す
るのに有用である。従って、本発明は、プリフォームの
表面の相当量の除去を必要とすること無しに、光ファイ
バプリフォームからファイバを線引きする処理中の欠陥
の一因となる表面不純物及びバルク不純物を除去する方
法を提供する。本発明の方法によれば、一層強靱で、所
望の特性を示すファイバを製造することができる。
ような耐火性誘電体から塩素及び水酸基不純物を除去す
るのに有用である。従って、本発明は、プリフォームの
表面の相当量の除去を必要とすること無しに、光ファイ
バプリフォームからファイバを線引きする処理中の欠陥
の一因となる表面不純物及びバルク不純物を除去する方
法を提供する。本発明の方法によれば、一層強靱で、所
望の特性を示すファイバを製造することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明によれば、耐火性誘電体
（例えば、石英ガラスオーバークラッドチューブ、石英
ガラス光ファイバプリフォーム又は平面導波路など）
を、プラズマ火球（例えば、プラズマトーチにより生成
されるような火球）により加熱し、少なくとも約１０μ
ｍの深さまでの表面不純物及びバルク不純物を減少させ
る。塩素及び水酸基に加えて、その他の様々な不純物も
本発明の方法により減少されるものと思料する。
（例えば、石英ガラスオーバークラッドチューブ、石英
ガラス光ファイバプリフォーム又は平面導波路など）
を、プラズマ火球（例えば、プラズマトーチにより生成
されるような火球）により加熱し、少なくとも約１０μ
ｍの深さまでの表面不純物及びバルク不純物を減少させ
る。塩素及び水酸基に加えて、その他の様々な不純物も
本発明の方法により減少されるものと思料する。
【００１９】中実状及び中空状の両方の形状を含めて、
様々な形状の耐火性誘電体について、本発明の方法を使
用することができる。場合により、本発明の方法は、耐
火性誘電体への材料の同時蒸着無しに、例えば、ファイ
バコアロッドへのクラッド材料の蒸着無しに、又はクラ
ッドチューブへのファイバコア材料の蒸着無しに実施で
きる。
様々な形状の耐火性誘電体について、本発明の方法を使
用することができる。場合により、本発明の方法は、耐
火性誘電体への材料の同時蒸着無しに、例えば、ファイ
バコアロッドへのクラッド材料の蒸着無しに、又はクラ
ッドチューブへのファイバコア材料の蒸着無しに実施で
きる。
【００２０】等温プラズマトーチを使用することが好ま
しい。「等温」とは、イオン温度及び電子温度がプラズ
マ内で概ね同一であることを意味する。等温プラズマト
ーチのプラズマは一般的に、プラズマ温度が最高の中心
領域と共に、導電性領域を有する。
しい。「等温」とは、イオン温度及び電子温度がプラズ
マ内で概ね同一であることを意味する。等温プラズマト
ーチのプラズマは一般的に、プラズマ温度が最高の中心
領域と共に、導電性領域を有する。
【００２１】プラズマ火球は、プラズマの導電性部分を
含む領域と定義される。この領域にはプラズマ持続電磁
エネルギーが結合される。相当量の紫外線（ＵＶ）を放
射することができる塩素不含有等温プラズマは全て有用
であると思料する。このようなプラズマは例えば、酸素
プラズマ及び酸素含有（例えば、酸素／アルゴン）プラ
ズマなどである。
含む領域と定義される。この領域にはプラズマ持続電磁
エネルギーが結合される。相当量の紫外線（ＵＶ）を放
射することができる塩素不含有等温プラズマは全て有用
であると思料する。このようなプラズマは例えば、酸素
プラズマ及び酸素含有（例えば、酸素／アルゴン）プラ
ズマなどである。
【００２２】理論に拘るわけではないが、不純物の減少
は、プラズマにより生成されたＵＶ輻射線と共に、プラ
ズマの熱作用により達成されるものと思料する。ＵＶ輻
射線は耐火性誘電体内の塩素及び／又は水素／水酸基の
ような不純物に作用し、これら不純物を耐火性誘電体か
ら放散させることができる。
は、プラズマにより生成されたＵＶ輻射線と共に、プラ
ズマの熱作用により達成されるものと思料する。ＵＶ輻
射線は耐火性誘電体内の塩素及び／又は水素／水酸基の
ような不純物に作用し、これら不純物を耐火性誘電体か
ら放散させることができる。
【００２３】図１は、中実体又は中空体の外表面を主に
処理するのに有用な等温プラズマトーチ１０の一例の概
要図である。等温プラズマトーチ１０は、ガス源１７に
接続された溶融シリカマントル１１を有する。ガス源１
７は、マントル１１内へのプラズマ放電に使用されるガ
スを給送する。
処理するのに有用な等温プラズマトーチ１０の一例の概
要図である。等温プラズマトーチ１０は、ガス源１７に
接続された溶融シリカマントル１１を有する。ガス源１
７は、マントル１１内へのプラズマ放電に使用されるガ
スを給送する。
【００２４】プラズマ火球１２は高周波（ＲＦ）コイル
１９及びＲＦ発生器１４により励起される。火球１２は
一般的に、主にトーチ内に包含される。この場合、火球
１２の中心は一般的に、ＲＦコイル１９の概ね中間部あ
たりに位置する。
１９及びＲＦ発生器１４により励起される。火球１２は
一般的に、主にトーチ内に包含される。この場合、火球
１２の中心は一般的に、ＲＦコイル１９の概ね中間部あ
たりに位置する。
【００２５】図１に示されるように、耐火性誘電体２０
は円筒状（例えば、光ファイバプリフォーム）であり、
この耐火性誘電体２０は例えば、旋盤２１に装着され
る。旋盤２１は処理中、耐火性誘電体２０を回転させる
ことができる。
は円筒状（例えば、光ファイバプリフォーム）であり、
この耐火性誘電体２０は例えば、旋盤２１に装着され
る。旋盤２１は処理中、耐火性誘電体２０を回転させる
ことができる。
【００２６】等温プラズマトーチ１０は一般的に、垂直
方向に調節することができ、更に、耐火性誘電体２０に
対して火球１２を所望の位置に配置させるために傾斜さ
せることができるように装着される。等温プラズマトー
チ１０は一般的に、耐火性誘電体２０をトラバースする
ために、横方向へ移動することができる。また、旋盤２
１をこのような横方向移動可能に構成することもでき
る。
方向に調節することができ、更に、耐火性誘電体２０に
対して火球１２を所望の位置に配置させるために傾斜さ
せることができるように装着される。等温プラズマトー
チ１０は一般的に、耐火性誘電体２０をトラバースする
ために、横方向へ移動することができる。また、旋盤２
１をこのような横方向移動可能に構成することもでき
る。
【００２７】更に、米国特許第５０００７７１号明細書
に記載されるように、火球がマントルの更に外側へ押し
出されるようにトーチを構成することもできる。しか
し、一般的に、本発明ではこのような形状のトーチを使
用する必要性は無い。なぜなら、マントルの外側へ火球
を押し出すと一般的に、処理されている耐火性誘電体の
急速な除去が生じ、本発明の所期の効果が得られないか
らである。
に記載されるように、火球がマントルの更に外側へ押し
出されるようにトーチを構成することもできる。しか
し、一般的に、本発明ではこのような形状のトーチを使
用する必要性は無い。なぜなら、マントルの外側へ火球
を押し出すと一般的に、処理されている耐火性誘電体の
急速な除去が生じ、本発明の所期の効果が得られないか
らである。
【００２８】中空体（例えば、チューブ）の内面を処理
するために、図１に示されるタイプのトーチを使用する
こともできる。このような処理を行うために、トーチの
外側に小さな火球を発生させ、この火球をチューブ内へ
挿入する。小火球の挿入後、火球を拡大させ、チューブ
の内面に接触させる。
するために、図１に示されるタイプのトーチを使用する
こともできる。このような処理を行うために、トーチの
外側に小さな火球を発生させ、この火球をチューブ内へ
挿入する。小火球の挿入後、火球を拡大させ、チューブ
の内面に接触させる。
【００２９】火球拡大は例えば、ガス流量及び／又は電
力を増大させるか、及び／又は、（米国特許第５０００
７７１号明細書に記載されているように）トーチから更
に火球を押し出すことにより行われる。
力を増大させるか、及び／又は、（米国特許第５０００
７７１号明細書に記載されているように）トーチから更
に火球を押し出すことにより行われる。
【００３０】しかし、中空体の内面は図２に示されるよ
うな装置を使用して処理することが好ましい。図２に示
される装置では、中空体自体がプラズマトーチを生成す
る。図２に示されるように、ガス源３２からのプラズマ
ガスはチューブ３０へ送入され、チューブ３０を取り囲
むＲＦコイル３４（及びＲＦ発生器３６）によりチュー
ブ３０の内側に火球が発生される。
うな装置を使用して処理することが好ましい。図２に示
される装置では、中空体自体がプラズマトーチを生成す
る。図２に示されるように、ガス源３２からのプラズマ
ガスはチューブ３０へ送入され、チューブ３０を取り囲
むＲＦコイル３４（及びＲＦ発生器３６）によりチュー
ブ３０の内側に火球が発生される。
【００３１】チューブ３０又はコイル群３４の何れか一
方は、チューブ３０の全内面が処理されるように、移動
することができる。更に、チューブ３０（又は同様な中
空体）は一般的に、処理中は回転され、処理の均一性を
高める。（この明細書で使用されている「プラズマトー
チ」とは、図１に示されるような被処理体から分離され
たトーチ又は中空状の耐火性誘電体がトーチの一部を構
成する図２に示されるような装置の何れかを意味す
る。）
方は、チューブ３０の全内面が処理されるように、移動
することができる。更に、チューブ３０（又は同様な中
空体）は一般的に、処理中は回転され、処理の均一性を
高める。（この明細書で使用されている「プラズマトー
チ」とは、図１に示されるような被処理体から分離され
たトーチ又は中空状の耐火性誘電体がトーチの一部を構
成する図２に示されるような装置の何れかを意味す
る。）
【００３２】本発明によれば、塩素及び水酸基のような
不純物は減少されるが、耐火性誘電体の表面部分（内面
又は外面）は殆ど除去されない（すなわち、耐火性誘電
体の表面から約０．１ｍｍ以下しか除去されない）よう
な、プラズマ火球により耐火性誘電体を処理する。
不純物は減少されるが、耐火性誘電体の表面部分（内面
又は外面）は殆ど除去されない（すなわち、耐火性誘電
体の表面から約０．１ｍｍ以下しか除去されない）よう
な、プラズマ火球により耐火性誘電体を処理する。
【００３３】本発明の方法は、予備プラズマ処理体に比
べて、少なくとも１０μｍの深さまでの塩素不純物を少
なくとも約３０％減少させ、同時に、水酸基不純物も除
去するのに有効である。また、本発明の方法によれば、
特定の処理パラメータに左右されるが、少なくとも約１
０μｍの深さまでの塩素不純物を少なくとも３００％又
は少なくとも約３０００％減少させることができる。
べて、少なくとも１０μｍの深さまでの塩素不純物を少
なくとも約３０％減少させ、同時に、水酸基不純物も除
去するのに有効である。また、本発明の方法によれば、
特定の処理パラメータに左右されるが、少なくとも約１
０μｍの深さまでの塩素不純物を少なくとも３００％又
は少なくとも約３０００％減少させることができる。
【００３４】（前記で説明したように、所定の深さＤに
おける不純物レベルを未処理体と処理体とで比較する場
合、プラズマ処理により除去される全ての表面材料は考
慮されない。換言すれば、プラズマ処理体では、不純物
レベルは処理体の新たな表面から深さＤのところで測定
され、元の表面から除去された物質の量は、Ｄを変更す
るために考慮されない。）
おける不純物レベルを未処理体と処理体とで比較する場
合、プラズマ処理により除去される全ての表面材料は考
慮されない。換言すれば、プラズマ処理体では、不純物
レベルは処理体の新たな表面から深さＤのところで測定
され、元の表面から除去された物質の量は、Ｄを変更す
るために考慮されない。）
【００３５】相当量の表面除去を起こすことなく、不純
物除去を達成する際の重要なファクタは、プラズマ火球
により加熱される耐火性誘電体の表面温度である。この
表面温度は様々な変数の組み合わせにより影響を受け
る。
物除去を達成する際の重要なファクタは、プラズマ火球
により加熱される耐火性誘電体の表面温度である。この
表面温度は様々な変数の組み合わせにより影響を受け
る。
【００３６】このような変数は例えば、プラズマのタイ
プ（例えば、電子を遊離するために多量の電力を必要と
する高イオン化ガスは、耐火性誘電体へ高エネルギーを
転送し、更に、このガスは熱伝導率を変化させる）、プ
ラズマトーチへ供給される電力、耐火性誘電体に対する
火球の移行速度、（もし、回転が行われれば）耐火性誘
電体の回転速度、及び火球と耐火性誘電体表面との間の
間隙などである。（火球と耐火性誘電体表面との間の間
隙は、火球の中心から耐火性誘電体の表面までの最短距
離と定義される。）
プ（例えば、電子を遊離するために多量の電力を必要と
する高イオン化ガスは、耐火性誘電体へ高エネルギーを
転送し、更に、このガスは熱伝導率を変化させる）、プ
ラズマトーチへ供給される電力、耐火性誘電体に対する
火球の移行速度、（もし、回転が行われれば）耐火性誘
電体の回転速度、及び火球と耐火性誘電体表面との間の
間隙などである。（火球と耐火性誘電体表面との間の間
隙は、火球の中心から耐火性誘電体の表面までの最短距
離と定義される。）
【００３７】これらの変数は相互に関連しあっている。
例えば、遅い移行速度及び大きな間隙は一般的に、速い
移行速度及び小さな間隙と同様な作用を示す。表面温度
は耐火性誘電体の特性（例えば、耐火性誘電体の熱容
量、熱伝導率、放射率及び気化熱など）によっても影響
を受ける。
例えば、遅い移行速度及び大きな間隙は一般的に、速い
移行速度及び小さな間隙と同様な作用を示す。表面温度
は耐火性誘電体の特性（例えば、耐火性誘電体の熱容
量、熱伝導率、放射率及び気化熱など）によっても影響
を受ける。
【００３８】石英ガラス体の場合、ガラス体の表面は、
プラズマ処理中、約１８００℃〜約２３００℃の温度に
まで加熱することが好ましい。約１９００℃〜約２１０
０℃の温度にまで加熱することが一層好ましい。１８０
０℃未満の温度は一般的に、不純物の除去レベルが低す
ぎて本発明の所期の効果が得られない。一方、２３００
℃超の温度は一般的に、表面除去が過大になりすぎ好ま
しくない。
プラズマ処理中、約１８００℃〜約２３００℃の温度に
まで加熱することが好ましい。約１９００℃〜約２１０
０℃の温度にまで加熱することが一層好ましい。１８０
０℃未満の温度は一般的に、不純物の除去レベルが低す
ぎて本発明の所期の効果が得られない。一方、２３００
℃超の温度は一般的に、表面除去が過大になりすぎ好ま
しくない。
【００３９】（この明細書で使用されている「表面温
度」とは、プラズマ火球が正に存在する領域における体
表面温度を意味する。表面温度は例えば、火球が正に存
在するガラス体領域に赤外線高温計を向けることにより
測定される。この場合、赤外線高温計は、波長約４〜約
５μｍと輻射率約０．９に設定される。この赤外線高温
計は物体の外面の処理における温度測定に有用である。
別法として、表面温度は輝度高温計を火球が正に存在す
る領域に向けることによっても測定することができる。
輝度高温計は中空体の内面の処理における温度測定に有
用である。）
度」とは、プラズマ火球が正に存在する領域における体
表面温度を意味する。表面温度は例えば、火球が正に存
在するガラス体領域に赤外線高温計を向けることにより
測定される。この場合、赤外線高温計は、波長約４〜約
５μｍと輻射率約０．９に設定される。この赤外線高温
計は物体の外面の処理における温度測定に有用である。
別法として、表面温度は輝度高温計を火球が正に存在す
る領域に向けることによっても測定することができる。
輝度高温計は中空体の内面の処理における温度測定に有
用である。）
【００４０】この表面温度範囲は前記のプロセス変数の
組合わせにより得られる。特に、有用なプラズマトーチ
電力（すなわち、ＲＦ発生器電力）範囲は、一般的に、
約３ＭＨｚにおいて、約２０〜約６０ｋＷである。耐火
性誘電体に対する火球の有用なトラバース速度は、約
０．１〜約４００ｃｍ／分であり、物体の外面について
は、約１〜約１０ｃｍ／分、中空体の内面については、
約５０〜約４００ｃｍ／分であることが好ましい。
組合わせにより得られる。特に、有用なプラズマトーチ
電力（すなわち、ＲＦ発生器電力）範囲は、一般的に、
約３ＭＨｚにおいて、約２０〜約６０ｋＷである。耐火
性誘電体に対する火球の有用なトラバース速度は、約
０．１〜約４００ｃｍ／分であり、物体の外面について
は、約１〜約１０ｃｍ／分、中空体の内面については、
約５０〜約４００ｃｍ／分であることが好ましい。
【００４１】トラバース速度は、トーチ（図１に示され
るような分離タイプのトーチ）、ＲＦコイル（この場
合、物体は中空状であり、図２に示されるように、トー
チの一部を構成する）及び／又は物体を移動させること
により得られる。物体（例えば、中実状の円筒形物体）
の有用な回転速度は約２０〜約１００ｒｐｍである。
るような分離タイプのトーチ）、ＲＦコイル（この場
合、物体は中空状であり、図２に示されるように、トー
チの一部を構成する）及び／又は物体を移動させること
により得られる。物体（例えば、中実状の円筒形物体）
の有用な回転速度は約２０〜約１００ｒｐｍである。
【００４２】火球の中心と物体の表面（主に、物体の外
面を処理する場合）との間の有用な離隔距離（間隙）は
約３〜約１０ｃｍである。（しかし、中空体の内面を処
理する場合、回転速度及び火球と表面との距離は、トラ
バース速度よりも遙かに小さな作用しか及ぼさない。）
面を処理する場合）との間の有用な離隔距離（間隙）は
約３〜約１０ｃｍである。（しかし、中空体の内面を処
理する場合、回転速度及び火球と表面との距離は、トラ
バース速度よりも遙かに小さな作用しか及ぼさない。）
【００４３】離隔距離は、幾分か、火球の全体的サイズ
に応じて変化する。従って、離隔距離は、主に、トーチ
出力に基づいて変化する。特に、火球の発生に投入され
る電力が増大するにつれて、大容量のガスが瞬時にイオ
ン化され、それにより、火球の長さと直径が増大する。
プラズマトーチへのガス流量は一般的に、約１〜約１０
０リットル／分である。対照サンプルを使用し、所望の
温度処理をもたらす所定の一連の条件に関する正確なパ
ラメータを容易に決定することができる。
に応じて変化する。従って、離隔距離は、主に、トーチ
出力に基づいて変化する。特に、火球の発生に投入され
る電力が増大するにつれて、大容量のガスが瞬時にイオ
ン化され、それにより、火球の長さと直径が増大する。
プラズマトーチへのガス流量は一般的に、約１〜約１０
０リットル／分である。対照サンプルを使用し、所望の
温度処理をもたらす所定の一連の条件に関する正確なパ
ラメータを容易に決定することができる。
【００４４】本発明の方法は、光ファイバプリフォー
ム、このようなプリフォームのコアロッド及びこのよう
なプリフォームのオーバークラッドチューブの内面及び
／又は外面などのような、様々な耐火性誘電体を処理す
るのに有用である。例えば、最終のプリフォームを生成
するためにロッド上にチューブをコラプスする前に、オ
ーバークラッドチューブの内面と、別のコアロッドの外
面を処理することができる。
ム、このようなプリフォームのコアロッド及びこのよう
なプリフォームのオーバークラッドチューブの内面及び
／又は外面などのような、様々な耐火性誘電体を処理す
るのに有用である。例えば、最終のプリフォームを生成
するためにロッド上にチューブをコラプスする前に、オ
ーバークラッドチューブの内面と、別のコアロッドの外
面を処理することができる。
【００４５】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。
する。
【００４６】比較例１ 名目上の直径が５ｃｍのアモルファス石英ガラスロッド
を、塩素及び水酸基不純物を添合させる方法により作製
した。図３は、ロッドの表面から内部へ向かう塩素及び
水素不純物の濃度分布を示す特性図である。この分布図
はＳＩＭＳ（二次イオン質量分析器）により測定した。
を、塩素及び水酸基不純物を添合させる方法により作製
した。図３は、ロッドの表面から内部へ向かう塩素及び
水素不純物の濃度分布を示す特性図である。この分布図
はＳＩＭＳ（二次イオン質量分析器）により測定した。
【００４７】このガラスをその後、酸水素トーチで処理
した。ロッドを約４５ｒｐｍで回転させながら、トーチ
を約１〜１．５ｃｍ／分の速度で、ロッド表面をトラバ
ースさせた。トーチでガラス表面を１８５０℃よりも高
い温度にまで加熱した。表面温度は、火球が正に存在す
るガラス体領域に赤外線高温計を向けることにより測定
した。赤外線高温計は波長約４〜約５μｍ、放射率約
０．９に設定した。この表面温度は、ロッドの表面から
若干のシリカを蒸発させるのに十分な温度であった。
した。ロッドを約４５ｒｐｍで回転させながら、トーチ
を約１〜１．５ｃｍ／分の速度で、ロッド表面をトラバ
ースさせた。トーチでガラス表面を１８５０℃よりも高
い温度にまで加熱した。表面温度は、火球が正に存在す
るガラス体領域に赤外線高温計を向けることにより測定
した。赤外線高温計は波長約４〜約５μｍ、放射率約
０．９に設定した。この表面温度は、ロッドの表面から
若干のシリカを蒸発させるのに十分な温度であった。
【００４８】図４は、酸水素トーチによる処理後の、同
じ方法で測定した不純物濃度分布を示す特性図である。
（図４における表面ポイントすなわちゼロポイントは、
トーチで処理されたロッドの新たな表面であり、図３に
おける表面ポイントではない。）図４によれば、この処
理は塩素不純物を僅かに減少させたものと思われるが、
この減少はＳＩＭＳの誤差限界の範囲内である。酸水素
トーチの使用に関して予想されるように、水素レベルは
この処理では全く低下されなかった。
じ方法で測定した不純物濃度分布を示す特性図である。
（図４における表面ポイントすなわちゼロポイントは、
トーチで処理されたロッドの新たな表面であり、図３に
おける表面ポイントではない。）図４によれば、この処
理は塩素不純物を僅かに減少させたものと思われるが、
この減少はＳＩＭＳの誤差限界の範囲内である。酸水素
トーチの使用に関して予想されるように、水素レベルは
この処理では全く低下されなかった。
【００４９】実施例１ 比較例１で使用されたロッドと同じロッドを、プラズマ
トーチが装着されたガラス加工旋盤に取付けた。ロッド
の直径をレーザマイクロメータで、０．００１ｍｍの精
度まで測定した。プラズマトーチを安定化させ、酸素プ
ラズマを発生させた。プラズマ印加電力は３ＭＨｚで４
０ｋＷであった。
トーチが装着されたガラス加工旋盤に取付けた。ロッド
の直径をレーザマイクロメータで、０．００１ｍｍの精
度まで測定した。プラズマトーチを安定化させ、酸素プ
ラズマを発生させた。プラズマ印加電力は３ＭＨｚで４
０ｋＷであった。
【００５０】火球がガラスロッドの表面にあたり、火球
の中心がロッド表面から約５〜約６ｃｍのところに位置
するように、プラズマ炎を配置させた。プラズマにより
加熱された領域における表面温度は赤外線高温計で測定
した。ロッドを約４５ｒｐｍで回転させながら、プラズ
マを４．０ｃｍ／分のトラバース速度で、（前記の比較
例１で酸水素トーチにより処理された部分の上を）軸長
５０ｃｍにわたってトラバースさせた。
の中心がロッド表面から約５〜約６ｃｍのところに位置
するように、プラズマ炎を配置させた。プラズマにより
加熱された領域における表面温度は赤外線高温計で測定
した。ロッドを約４５ｒｐｍで回転させながら、プラズ
マを４．０ｃｍ／分のトラバース速度で、（前記の比較
例１で酸水素トーチにより処理された部分の上を）軸長
５０ｃｍにわたってトラバースさせた。
【００５１】ロッドの蒸発は、ホットゾーン付近のロッ
ド表面への再蒸着シリカの程度により、実時間で確認さ
れた。従って、比較例１の場合よりも、表面蒸発は僅か
にしか起こらなかった。赤外線高温計により前記と同じ
方法で測定した、プラズマにより加熱されたロッド表面
の温度は２０２０℃であった。プラズマ処理後、マイク
ロメータで測定したところ、ロッド表面から約０．０２
ｍｍのシリカが除去されたことが確認された。
ド表面への再蒸着シリカの程度により、実時間で確認さ
れた。従って、比較例１の場合よりも、表面蒸発は僅か
にしか起こらなかった。赤外線高温計により前記と同じ
方法で測定した、プラズマにより加熱されたロッド表面
の温度は２０２０℃であった。プラズマ処理後、マイク
ロメータで測定したところ、ロッド表面から約０．０２
ｍｍのシリカが除去されたことが確認された。
【００５２】プラズマ処理後のＳＩＭＳ濃度分布を図５
に示す。図５に示されるように、このプラズマ処理は塩
素及び水素不純物の減少に有効であった。（図５におけ
る表面ポイントすなわちゼロポイントはプラズマ処理ロ
ッドの新たな表面であり、図４の表面ポイントではな
い。）
に示す。図５に示されるように、このプラズマ処理は塩
素及び水素不純物の減少に有効であった。（図５におけ
る表面ポイントすなわちゼロポイントはプラズマ処理ロ
ッドの新たな表面であり、図４の表面ポイントではな
い。）
【００５３】実施例２ この実施例では、実施例１で使用された酸水素トーチ処
理ロッドと同じロードの別の部分を使用した。実施例１
の酸素プラズマトーチを、実施例１と同じ電力、離隔距
離及び回転速度で、８ｃｍ／分の速度でトラバースさせ
た。このトラバース速度で２回通過させ、実施例１の暴
露時間の２倍の時間にわたってプラズマに暴露させた。
しかし、前記と同じ方法で測定されたロッドの表面温度
は１８００℃を越えなかった。
理ロッドと同じロードの別の部分を使用した。実施例１
の酸素プラズマトーチを、実施例１と同じ電力、離隔距
離及び回転速度で、８ｃｍ／分の速度でトラバースさせ
た。このトラバース速度で２回通過させ、実施例１の暴
露時間の２倍の時間にわたってプラズマに暴露させた。
しかし、前記と同じ方法で測定されたロッドの表面温度
は１８００℃を越えなかった。
【００５４】マイクロメータによる測定では、シリカの
除去は全く起きていなかった。処理後の濃度分布を図６
に示す。実施例１の高温度処理は不純物の除去に一層効
果的であるが、図６に示されるように、ロッドの表面か
らシリカを除去することなく、不純物を大幅に減少させ
ることができる。（図６における表面ポイントすなわち
ゼロポイントは、処理前と同じポイント、例えば、図４
の表面ポイントと同じポイントである。）
除去は全く起きていなかった。処理後の濃度分布を図６
に示す。実施例１の高温度処理は不純物の除去に一層効
果的であるが、図６に示されるように、ロッドの表面か
らシリカを除去することなく、不純物を大幅に減少させ
ることができる。（図６における表面ポイントすなわち
ゼロポイントは、処理前と同じポイント、例えば、図４
の表面ポイントと同じポイントである。）
【００５５】実施例３ 前記の実施例と同じタイプで同じサイズのロッドを、同
じ酸素プラズマトーチで処理した。トラバース速度、印
加電力、離隔距離及び回転速度は実施例２におけるもの
と同じであった。但し、トラバースは１回だけしか行わ
なかった。従って、暴露時間は約半分に短縮した。
じ酸素プラズマトーチで処理した。トラバース速度、印
加電力、離隔距離及び回転速度は実施例２におけるもの
と同じであった。但し、トラバースは１回だけしか行わ
なかった。従って、暴露時間は約半分に短縮した。
【００５６】前記と同じ方法で測定したロッドの表面温
度は約１９００℃であった。処理後、レーザマイクロメ
ータで測定したところ、表面損失は約０．０１ｍｍであ
った。図７は、プラズマ処理前の塩素及び水素不純物の
濃度分布を示す特性図である。図８は、処理後の塩素及
び水素不純物の濃度分布を示す特性図である。（図８に
おける表面ポイントすなわちゼロポイントは処理された
ロッドの新たな表面である。）このプラズマ処理によ
り、塩素及び水素のバルク不純物が大幅に減少された。
度は約１９００℃であった。処理後、レーザマイクロメ
ータで測定したところ、表面損失は約０．０１ｍｍであ
った。図７は、プラズマ処理前の塩素及び水素不純物の
濃度分布を示す特性図である。図８は、処理後の塩素及
び水素不純物の濃度分布を示す特性図である。（図８に
おける表面ポイントすなわちゼロポイントは処理された
ロッドの新たな表面である。）このプラズマ処理によ
り、塩素及び水素のバルク不純物が大幅に減少された。
【００５７】図６、図７及び図８に示された特性図か
ら、塩素及び水素不純物の減少はシリカロッド内部にま
で続き、１５μｍの測定終点を過ぎても不純物の減少が
続くことが理解できる。
ら、塩素及び水素不純物の減少はシリカロッド内部にま
で続き、１５μｍの測定終点を過ぎても不純物の減少が
続くことが理解できる。
【００５８】実施例４ 前記の実施例と同じタイプで同じサイズのロッドを、比
較例１の同じ酸水素トーチで処理した。その後、ロッド
本体を光ファイバ線引炉内に配置し、直径１２５μｍの
ファイバの線引きを開始した。この場合、塩素及び水酸
基含有表面は一般的に、“ふくれ”を生成することによ
り反応する。
較例１の同じ酸水素トーチで処理した。その後、ロッド
本体を光ファイバ線引炉内に配置し、直径１２５μｍの
ファイバの線引きを開始した。この場合、塩素及び水酸
基含有表面は一般的に、“ふくれ”を生成することによ
り反応する。
【００５９】ロッドを目視観察すると、“ふくれ”が明
確に認められた。その後、このロッドを取り出し、実施
例３と同じトラバース速度、印加電力、離隔距離及び回
転速度を用いて、但しトラバースは１回だけにして、酸
素プラズマで更に処理した。その後、ロッドを同じ線引
炉内に配置し、ファイバの線引処理を開始した。目視観
察しても、“ふくれ”は全く認められなかった。
確に認められた。その後、このロッドを取り出し、実施
例３と同じトラバース速度、印加電力、離隔距離及び回
転速度を用いて、但しトラバースは１回だけにして、酸
素プラズマで更に処理した。その後、ロッドを同じ線引
炉内に配置し、ファイバの線引処理を開始した。目視観
察しても、“ふくれ”は全く認められなかった。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、石英光ファイバプリフォームのような耐火性誘電
体から塩素及び水酸基不純物を除去することができる。
従って、本発明の方法によれば、プリフォームの表面の
相当量の除去を必要とすること無しに、光ファイバプリ
フォームからファイバを線引きする処理中の欠陥の一因
となる表面不純物及びバルク不純物の両方を効果的に除
去することができる。また、本発明の方法によれば、一
層強靱で、所望の特性を示すファイバを製造することが
できる。
れば、石英光ファイバプリフォームのような耐火性誘電
体から塩素及び水酸基不純物を除去することができる。
従って、本発明の方法によれば、プリフォームの表面の
相当量の除去を必要とすること無しに、光ファイバプリ
フォームからファイバを線引きする処理中の欠陥の一因
となる表面不純物及びバルク不純物の両方を効果的に除
去することができる。また、本発明の方法によれば、一
層強靱で、所望の特性を示すファイバを製造することが
できる。
【図１】図１は、本発明の方法を実施するのに有用な等
温プラズマトーチの一例の概要図である。
温プラズマトーチの一例の概要図である。
【図２】図２は、耐火性誘電体チューブの内面をプラズ
マ火球により処理する本発明の方法の模式図である。
マ火球により処理する本発明の方法の模式図である。
【図３】図３は、ＳＩＭＳにより測定された、ロッドの
表面から内部へ向かう塩素及び水素不純物の濃度分布を
示す特性図である。
表面から内部へ向かう塩素及び水素不純物の濃度分布を
示す特性図である。
【図４】図４は、酸水素トーチによる処理後の、ＳＩＭ
Ｓで測定した不純物濃度分布を示す特性図である。
Ｓで測定した不純物濃度分布を示す特性図である。
【図５】図５は、実施例１における酸素プラズマによる
処理後の、ＳＩＭＳで測定した不純物濃度分布を示す特
性図である。
処理後の、ＳＩＭＳで測定した不純物濃度分布を示す特
性図である。
【図６】図６は、実施例２における酸素プラズマによる
処理後の、ＳＩＭＳで測定した不純物濃度分布を示す特
性図である。
処理後の、ＳＩＭＳで測定した不純物濃度分布を示す特
性図である。
【図７】図７は、ＳＩＭＳで測定した、プラズマ処理前
の塩素及び水素不純物の濃度分布を示す特性図である。
の塩素及び水素不純物の濃度分布を示す特性図である。
【図８】図８は、実施例３における酸素プラズマによる
処理後の、ＳＩＭＳで測定した不純物濃度分布を示す特
性図である。
処理後の、ＳＩＭＳで測定した不純物濃度分布を示す特
性図である。
【符号の説明】 １０ 等温プラズマトーチ １１ マントル １２ プラズマ火球 １４ 高周波発生器 １６ 火球中心 １７ プラズマ放電ガス源 １９ 高周波コイル ２０ 耐火性誘電体 ２１ 旋盤 ３０ 中空状耐火性誘電体 ３２ ガス源 ３４ 高周波コイル ３６ 高周波発生器 ３８ プラズマ火球
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ロバート エム． パフチェック アメリカ合衆国，30243 ジョージア，ロ ーレンスヴィル，ナタリー ドライブ 410
Claims (24)
- 【請求項１】 (a)耐火性誘電体を準備するステップ
と、 (b)前記耐火性誘電体の表面部分の相当量の除去無し
に、該耐火性誘電体をプラズマ火球で加熱し、該加熱に
より前記耐火性誘電体内の不純物を減少させるステップ
と、からなることを特徴とする耐火性誘電体からなる製
品の製造方法。 - 【請求項２】 塩素及び水酸基不純物が除去されること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記耐火性誘電体は中実体であることを
特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記耐火性誘電体はロッドであることを
特徴とする請求項３に記載の方法。 - 【請求項５】 前記耐火性誘電体は中空体であることを
特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 前記耐火性誘電体はチューブであること
を特徴とする請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 前記耐火性誘電体は、該誘電体上への材
料の同時蒸着無しに、前記プラズマ火球により加熱され
ることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 前記プラズマ火球は等温プラズマトーチ
により発生されることを特徴とする請求項１に記載の方
法。 - 【請求項９】 前記プラズマは酸素からなることを特徴
とする請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記プラズマは純粋な酸素及び酸素と
アルゴンとの混合物から選択されることを特徴とする請
求項９に記載の方法。 - 【請求項１１】 前記プラズマにより加熱される前記耐
火性誘電体の部分は１８００℃〜２３００℃の表面温度
にまで加熱されることを特徴とする請求項１に記載の方
法。 - 【請求項１２】 前記プラズマトーチの電力は２０〜６
０ｋＷであることを特徴とする請求項９に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記(b)加熱ステップにおいて、前記
火球の中心と前記耐火性誘電体の表面との間の離隔距離
は１〜１０ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載
の方法。 - 【請求項１４】 前記(b)加熱ステップは、０．１〜４
００ｃｍ／分のトラバース速度で実施されることを特徴
とする請求項３に記載の方法。 - 【請求項１５】 前記トラバース速度は５０〜４００ｃ
ｍ／分であることを特徴とする請求項５に記載の方法。 - 【請求項１６】 前記耐火性誘電体は円筒形であり、２
０〜１００ｒｐｍの速度で回転されることを特徴とする
請求項４に記載の方法。 - 【請求項１７】 前記耐火性誘電体の表面部分の０．０
５ｍｍ未満が前記(b)加熱ステップにより除去されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項１８】 前記(b)加熱ステップにおいて、前記
耐火性誘電体の表面部分が除去されないことを特徴とす
る請求項１に記載の方法。 - 【請求項１９】 塩素不純物は少なくとも１０μｍの深
さまで少なくとも３０％除去されることを特徴とする請
求項１に記載の方法。 - 【請求項２０】 塩素不純物は少なくとも１０μｍの深
さまで少なくとも３００％除去されることを特徴とする
請求項１９に記載の方法。 - 【請求項２１】 塩素不純物は少なくとも１０μｍの深
さまで少なくとも３０００％除去されることを特徴とす
る請求項２０に記載の方法。 - 【請求項２２】 前記耐火性誘電体は石英ガラスからな
ることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項２３】 前記耐火性誘電体は光ファイバプリフ
ォームであることを特徴とする請求項２２に記載の方
法。 - 【請求項２４】 前記耐火性誘電体はオーバークラッド
チューブであることを特徴とする請求項２２に記載の方
法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/939,142 US5861047A (en) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | Method for manufacturing an article comprising a refractory dielectric body |
| US09/118743 | 1998-07-17 | ||
| US08/939142 | 1998-07-17 | ||
| US09/118,743 US5979190A (en) | 1997-09-29 | 1998-07-17 | Method for manufacturing an article comprising a refractory a dielectric body |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11255530A true JPH11255530A (ja) | 1999-09-21 |
| JP3373796B2 JP3373796B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=26816699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27384898A Expired - Fee Related JP3373796B2 (ja) | 1997-09-29 | 1998-09-28 | 耐火性誘電体からなる物品を製造する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5979190A (ja) |
| EP (1) | EP0905098B1 (ja) |
| JP (1) | JP3373796B2 (ja) |
| DE (1) | DE69802881T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004284944A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-10-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス加工方法及びガラス加工装置 |
| JP2011093795A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Ofs Fitel Llc | 多孔性ガラス堆積法による微細構造のファイバプリフォームの形成 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6041623A (en) * | 1998-08-27 | 2000-03-28 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating article comprising refractory dielectric body |
| NL1018239C2 (nl) * | 2001-06-08 | 2002-12-10 | Draka Fibre Technology Bv | Optische vezel en werkwijze voor het vervaardigen van een optische vezel. |
| US20040144133A1 (en) * | 2003-01-23 | 2004-07-29 | Fletcher Joseph Patrick | Methods for joining glass preforms in optical fiber manufacturing |
| CN100590084C (zh) * | 2006-11-21 | 2010-02-17 | 久智光电子材料科技有限公司 | 一种石英棒的生产方法 |
| DE202009007468U1 (de) | 2009-05-26 | 2009-08-13 | J-Plasma Gmbh | Vorrichtung zur Bearbeitung der Innenoberfläche eines Rohres |
| DE102009022686B4 (de) | 2009-05-26 | 2014-08-07 | J-Plasma Gmbh | Vorrichtung, deren Verwendung und Verfahren zur Bearbeitung der Innenoberfläche eines Rohres |
| US20120160167A1 (en) * | 2010-12-28 | 2012-06-28 | Ofs Fitel Llc | External Heating of Substrate Tubes in Plasma Chemical Vapor Deposition Processes |
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|---|---|---|---|---|
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| US3811857A (en) * | 1971-11-17 | 1974-05-21 | E Deeg | Method for fire polishing optical glass lenses with plasma flames |
| NL7214796A (ja) * | 1972-11-02 | 1974-05-06 | ||
| US4125389A (en) * | 1977-02-10 | 1978-11-14 | Northern Telecom Limited | Method for manufacturing an optical fibre with plasma activated deposition in a tube |
| NL8402225A (nl) * | 1984-07-13 | 1986-02-03 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van massieve glazen voorvormen uit holle voorvormen. |
| DE3518197A1 (de) * | 1985-05-21 | 1986-11-27 | Heinrich 7413 Gomaringen Grünwald | Verfahren zur entfernung von metallionen aus koerpern aus glas, keramischen werkstoffen und sonstigen amorphen werkstoffen sowie kristallinen werkstoffen |
| US4761170A (en) * | 1985-06-20 | 1988-08-02 | Polaroid Corporation | Method for employing plasma in dehydration and consolidation of preforms |
| JPS6221724A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ガラスパイプの内面研磨方法 |
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| US4863501A (en) * | 1985-09-26 | 1989-09-05 | Polaroid Corporation, Patent Department | Method of employing plasma for finishing start rods |
| FR2589461B1 (fr) * | 1985-10-31 | 1992-07-24 | Fibres Optiques Ind | Procede de fabrication d'elements etires a base de silice et elements obtenus |
| NL8601830A (nl) * | 1986-07-14 | 1988-02-01 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van optische vezels met een kern en een mantel uit glas onder toepassing van de staaf in buistechniek. |
| DE3731604A1 (de) * | 1987-09-19 | 1989-03-30 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung einer monomode-lichtleitfaser |
| JPH01183432A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 石英ガラス管の加熱方法 |
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| FR2647778B1 (fr) * | 1989-06-05 | 1992-11-20 | Comp Generale Electricite | Procede et dispositif de depot externe par plasma de silice exempte d'ions hydroxyles |
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-
1998
- 1998-07-17 US US09/118,743 patent/US5979190A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-22 DE DE69802881T patent/DE69802881T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-22 EP EP98307668A patent/EP0905098B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-28 JP JP27384898A patent/JP3373796B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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| DE69802881T2 (de) | 2002-08-08 |
| JP3373796B2 (ja) | 2003-02-04 |
| EP0905098B1 (en) | 2001-12-12 |
| US5979190A (en) | 1999-11-09 |
| DE69802881D1 (de) | 2002-01-24 |
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