JPH11251839A - Piezoelectric device - Google Patents

Piezoelectric device

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JPH11251839A
JPH11251839A JP4841298A JP4841298A JPH11251839A JP H11251839 A JPH11251839 A JP H11251839A JP 4841298 A JP4841298 A JP 4841298A JP 4841298 A JP4841298 A JP 4841298A JP H11251839 A JPH11251839 A JP H11251839A
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piezoelectric device
positioning
piezoelectric
integrated circuit
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Masayuki Kikushima
正幸 菊島
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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the dislocation of an AT cut quartz oscillator, to prevent the deterioration of an oscillation characteristic and the occurrence of oscillation failure and the like and to prevent the deterioration of yield by forming the positioning pattern of a semiconductor integrated circuit or a piezoelectric oscillator on a base formed of ceramic. SOLUTION: At the positioning of an IC chip 2 on the electrode pattern 3 of a base 1 for chip-mounting, the center of the mounting area of the base 1 is detected based on positioning patterns 14a, 14b and 15 installed for the base 1 with picture recognition. Then, the rotary angle of the base 1 is detected. As a result, the IC chip 2 can precisely be chip-mounted on the base 1. At the time of mounting an AT cut quartz oscillator 6 on the base 1, the positions of a mounting electrode and the positioning pattern 15 are detected through image recognition, and the mounting position for the AT cut oscillator 6 is determined. Thus, the AT cut quarts oscillator 6 can be mounted precisely on the base 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路と
圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスに関
する。
The present invention relates to a piezoelectric device having a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator built in a package.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、HDD(ハード・ディスク・ドラ
イブ)、モバイルコンピュータ、あるいはICカード等
の小型の情報機器や、携帯電話や自動車電話等の移動体
通信機器において装置の小型薄型化がめざましく、それ
らに用いられる圧電発振器やリアルタイムクロックモジ
ュール等の圧電デバイスも小型薄型化が要求されてい
る。又、それとともに、装置の回路基板に両面実装が可
能な表面実装タイプの圧電デバイスが求められている。
2. Description of the Related Art In recent years, devices such as HDDs (hard disk drives), mobile computers, and small information devices such as IC cards, and mobile communication devices such as mobile phones and car phones have been remarkably reduced in size and thickness. Piezoelectric devices such as a piezoelectric oscillator and a real-time clock module are also required to be small and thin. At the same time, there is a need for a surface mount type piezoelectric device that can be mounted on both sides of a circuit board of an apparatus.

【0003】そこで、従来の圧電デバイスの一例を、発
振回路を有するワンチップの半導体集積回路と、圧電振
動子にATカット水晶振動子とを用いた図6(a)、6
(b)の構造図で示される水晶発振器を用いて説明す
る。
Therefore, an example of a conventional piezoelectric device is shown in FIGS. 1A and 1B using a one-chip semiconductor integrated circuit having an oscillation circuit and an AT-cut quartz oscillator as a piezoelectric oscillator.
Description will be made using the crystal oscillator shown in the structural diagram of FIG.

【0004】図6(a)、6(b)の従来の水晶発振器
の構成において、発振回路を有するICチップ101
は、セラミック絶縁基板で形成されたベース102の底
面に導電性接着剤等により接着固定され、Auワイヤー
ボンディング線103により、ベース102の底面外周
部にW(タングステン)あるいはMo(モリブデン)等
の金属でメタライズされ、Ni+Auメッキされた入出
力用電極104等に電気的に接続されている。
In the configuration of the conventional crystal oscillator shown in FIGS. 6A and 6B, an IC chip 101 having an oscillation circuit is provided.
Is bonded and fixed to the bottom surface of the base 102 formed of a ceramic insulating substrate with a conductive adhesive or the like, and a metal such as W (tungsten) or Mo (molybdenum) is formed on the outer periphery of the bottom surface of the base 102 by an Au wire bonding wire 103. , And are electrically connected to the Ni + Au-plated input / output electrode 104 and the like.

【0005】又、矩形タイプのATカット水晶振動子1
05が、ベース102のマウント部106に導電性接着
剤等で電気的に接続され固定されている。そして、N2
(窒素)雰囲気あるいは真空雰囲気に内部を保ち、ベー
ス102の最上部のメッキ層と、金属製のリッド107
とをリッド107に形成された半田等の金属クラッド材
を高温にて溶融させて接合し気密に封止している。
[0005] A rectangular type AT-cut quartz resonator 1
Reference numeral 05 is electrically connected to and fixed to the mount portion 106 of the base 102 with a conductive adhesive or the like. And N 2
(Nitrogen) atmosphere or vacuum atmosphere is maintained, and the uppermost plating layer of the base 102 and the metal lid 107 are kept.
And a metal clad material such as solder formed on the lid 107 is melted at a high temperature and joined to hermetically seal.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】以上に示す従来の水晶
発振器は、パッケージを小型薄型にするためにATカッ
ト水晶振動子105とベース102の隙間a、bを、可
能なかぎり狭くした構成となっている。そしてベース1
02のスペースにATカット水晶振動子105を位置決
めしマウントするのに、ベース102の形状の一部(例
えば最上部のメッキ層の形状)を用いた画像認識による
方法がとられている。しかし、この方法ではベース10
2を積層して焼結する時のセラミックシート間のズレ
や、メタライズ時の印刷のズレ等で最上部メッキ層の位
置精度が出ないため、ATカット水晶振子105の位置
ズレ等が発生し、振動特性の劣化や発振不良等が発生
し、水晶発振器の歩留まりが低下してしまうという課題
を有している。
The conventional crystal oscillator described above has a configuration in which the gaps a and b between the AT-cut crystal resonator 105 and the base 102 are made as small as possible to make the package small and thin. ing. And base 1
In order to position and mount the AT-cut quartz crystal unit 105 in the space 02, an image recognition method using a part of the shape of the base 102 (for example, the shape of the uppermost plating layer) is adopted. However, in this method, the base 10
Since the positional accuracy of the uppermost plating layer is not obtained due to the misalignment between the ceramic sheets when laminating and sintering 2 and the misalignment in printing at the time of metallization, the misalignment of the AT-cut crystal pendulum 105 occurs. There is a problem that deterioration of vibration characteristics, oscillation failure, and the like occur, and the yield of the crystal oscillator is reduced.

【0007】本発明の目的は、以上の従来技術の課題を
解決するためになされたものであり、その目的とすると
ころは小型薄型サイズで厚み1mm以下の水晶発振器等
の圧電デバイスを安価に提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art. It is an object of the present invention to provide a small and thin piezoelectric device such as a crystal oscillator having a thickness of 1 mm or less at a low cost. It is to be.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
半導体集積回路と圧電振動子とをパッケージに内蔵した
圧電デバイスにおいて、半導体集積回路あるいは圧電振
動子の位置決め用のパターンがセラミックで形成された
ベースに形成されていることを特徴とする。
According to the first aspect of the present invention,
In a piezoelectric device having a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator incorporated in a package, a pattern for positioning the semiconductor integrated circuit or the piezoelectric vibrator is formed on a base made of ceramic.

【0009】請求項2記載の発明は、請求項1におい
て、位置決め用のパターンが金属層でメタライズされて
いることを特徴とする。
A second aspect of the present invention is characterized in that, in the first aspect, the positioning pattern is metallized with a metal layer.

【0010】請求項3記載の発明は、請求項2におい
て、位置決め用のパターンがベースに形成された電極パ
ターンの電源ラインに接続されていることを特徴とす
る。
According to a third aspect of the present invention, in the second aspect, the positioning pattern is connected to a power supply line of an electrode pattern formed on the base.

【0011】請求項4記載の発明は、請求項1におい
て、少なくとも一つの位置決め用のパターンはその中心
を特定することが可能な形状であることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect, at least one positioning pattern has a shape capable of specifying the center thereof.

【0012】請求項5記載の発明は、請求項1におい
て、ベースが複数のセラミック層で形成されており、位
置決め用パターンがベースの内壁面と交叉していること
を特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the first aspect, the base is formed of a plurality of ceramic layers, and the positioning pattern crosses the inner wall surface of the base.

【0013】請求項6記載の発明は、請求項1におい
て、半導体集積回路はベースにフリップチップボンディ
ングで搭載されていることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the first aspect, the semiconductor integrated circuit is mounted on the base by flip chip bonding.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の圧電デバイスの実施の一
形態を、発振回路を有するワンチップの半導体集積回路
と、圧電振動子にATカット水晶振動子とを用いた、水
晶発振器を例として図面に基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the piezoelectric device of the present invention will be described with reference to a one-chip semiconductor integrated circuit having an oscillation circuit and a crystal oscillator using an AT-cut crystal resonator as a piezoelectric resonator. This will be described with reference to the drawings.

【0015】(実施例1)図1は、請求項1、2、3、
4、5、及び6記載の発明に係わる表面実装タイプの水
晶発振器の構造図である。
(Embodiment 1) FIG.
FIG. 9 is a structural view of a surface-mounted type crystal oscillator according to the inventions described in 4, 5, and 6.

【0016】図1(a)の平面図及び図1(b)の正面
図に示すように、3層からなるセラミック絶縁基板と、
Fe−Ni合金等で枠状に型抜きされたシールリング1
2とで形成されたベース1の第1層に、半導体集積回路
(ICチップ:以下ICチップと記す)2と接続するた
めの電極パターン3が、W(タングステン)あるいはM
o(モリブデン)等の金属配線材料で印刷等によりメタ
ライズされている。そしてその上にNiメッキ及びAu
メッキ等が施されている。
As shown in the plan view of FIG. 1 (a) and the front view of FIG. 1 (b), a ceramic insulating substrate composed of three layers,
Seal ring 1 cut into a frame shape using an Fe-Ni alloy or the like
An electrode pattern 3 for connecting to a semiconductor integrated circuit (IC chip: hereinafter referred to as an IC chip) 2 is formed on the first layer of the base 1 formed of W (tungsten) or M
Metallized by printing or the like with a metal wiring material such as o (molybdenum). And Ni plating and Au on it
Plating is applied.

【0017】又、ICチップ2の電極パッドにはAu等
の金属のバンプ4が形成され、フリップチップボンディ
ング工法によりベース1に形成された電極パターン3と
接続されている。このフリップチップボンディング工法
には、種々の加工法があるが、本実施例で用いている工
法は導電性接着剤5を用いた加工方法である。そして更
にアンダーフィル材を用いて接続の信頼性を上げてい
る。
A bump 4 made of a metal such as Au is formed on an electrode pad of the IC chip 2 and is connected to the electrode pattern 3 formed on the base 1 by a flip chip bonding method. There are various processing methods for the flip chip bonding method, and the method used in this embodiment is a processing method using the conductive adhesive 5. Further, the reliability of the connection is increased by using an underfill material.

【0018】又、ATカット水晶振動子6はその支持部
7を、ベース1の第2層に設けられたマウント部8に導
電性接着剤9で接続固定されている。
The AT-cut crystal unit 6 has a support 7 connected and fixed to a mount 8 provided on the second layer of the base 1 with a conductive adhesive 9.

【0019】更に、金属製のリッド(蓋)11をベース
1のシールリング12に位置合わせして固定し、シーム
溶接により気密に封止している。
Further, a metal lid (lid) 11 is positioned and fixed to the seal ring 12 of the base 1 and hermetically sealed by seam welding.

【0020】以上により、小型薄型の表面実装パッケー
ジの水晶発振器13が完成する。
As described above, the crystal oscillator 13 of a small and thin surface mount package is completed.

【0021】次に、 ICチップ2をベース1に形成さ
れた電極パターン3に接続する、フリップチップボンデ
ィングのプロセスについて詳細に説明する。
Next, a flip chip bonding process for connecting the IC chip 2 to the electrode pattern 3 formed on the base 1 will be described in detail.

【0022】ICチップ2をベース1の各電極パターン
3に位置決めしてチップマウントする際に、画像認識に
よりベース1に設けられた位置決め用パターン14a、
14b及び15により、ベース1のマウントエリアのセ
ンターを割り出し、またベース1のθ方向の回転角を検
出する。
When the IC chip 2 is positioned on each electrode pattern 3 of the base 1 and mounted on the chip, the positioning patterns 14a provided on the base 1 by image recognition.
The center of the mount area of the base 1 is determined by using 14b and 15, and the rotation angle of the base 1 in the θ direction is detected.

【0023】以上の具体例の一例を説明すると、フリッ
プチップボンディング装置に設けられた画像認識等のシ
ステムにより、ベース1のY方向の中心ラインを位置決
め用パターン14a、14bにより検出し、ベース1の
X方向の中心ラインを位置決め用パターン14a、15
により検出し、その交点としてベース1のマウントエリ
アのセンターが検出される。又、位置決め用パターン1
5によりベース1のθ方向の回転角が検出される。
An example of the above specific example will be described. The center line in the Y direction of the base 1 is detected by the positioning patterns 14a and 14b by a system such as an image recognition provided in the flip chip bonding apparatus. Positioning the center line in the X direction with the positioning patterns 14a, 15
And the center of the mount area of the base 1 is detected as the intersection. Also, positioning pattern 1
5, the rotation angle of the base 1 in the θ direction is detected.

【0024】この画像認識のデータに対して、 ICチ
ップ2がアライメントされて精度良くベース1のマウン
トエリアにチップマウントされ、更にフリップチップボ
ンディング加工が施される。
With respect to the image recognition data, the IC chip 2 is aligned, mounted on the mount area of the base 1 with high precision, and further subjected to flip chip bonding.

【0025】又、位置決め用パターン14a、14b及
び15は、それぞれベース1に形成された電源ラインの
電極パターン16、17に最短距離で接続されている。
このように電源ラインに接続することにより、電極パタ
ーン16、17と同時にメタライズでき、またNiメッ
キ及びAuメッキ等も同時に行うことが可能である。
又、不用なノイズ等の影響が発生せず安定した発振出力
を得ることができる。
The positioning patterns 14a, 14b and 15 are connected to the power supply line electrode patterns 16 and 17 formed on the base 1 at the shortest distance.
By connecting to the power supply line in this way, metallization can be performed simultaneously with the electrode patterns 16 and 17, and Ni plating and Au plating can be performed simultaneously.
In addition, a stable oscillation output can be obtained without the influence of unnecessary noise or the like.

【0026】次に、図2に示すように位置決め用パター
ン15の形状は、その中心21を特定することが可能な
形状となっている。このような形状にすることによりベ
ース1のθ方向の回転角が精度良く検出可能である。
Next, as shown in FIG. 2, the shape of the positioning pattern 15 is such that the center 21 thereof can be specified. With such a shape, the rotation angle of the base 1 in the θ direction can be accurately detected.

【0027】尚、この形状は一例であり、図3に示すよ
うに円形の形状でもよく、即ちその中心を特定すること
が可能な形状ならばどのような形状でもよい。
This shape is merely an example, and may be a circular shape as shown in FIG. 3, that is, any shape capable of specifying the center thereof.

【0028】又、本実施例では1個所にその中心を特定
することが可能な形状の位置決め用パターンを形成して
いるが、複数個あるいは全ての位置決め用パターンの形
状がこの形状でもよい。
Further, in this embodiment, the positioning pattern having a shape capable of specifying the center thereof is formed at one location, but a plurality or all of the positioning patterns may have this shape.

【0029】次に、 ATカット水晶振動子6をベース
1にマウントするプロセスについて詳細に説明する。
Next, the process of mounting the AT-cut crystal unit 6 on the base 1 will be described in detail.

【0030】図4に示すように、 ATカット水晶振動
子6はベース1の第2層に設けられた、マウント部8の
マウント用電極22、23に導電性接着剤9により接続
固定される。
As shown in FIG. 4, the AT-cut crystal unit 6 is connected and fixed to the mounting electrodes 22 and 23 of the mount unit 8 provided on the second layer of the base 1 by the conductive adhesive 9.

【0031】ここで、 ATカット水晶振動子6とベー
ス1の第2層の内壁面24との隙間が非常に狭いため、
この隙間にATカット水晶振動子6を精度良く内蔵しな
ければならない。
Here, since the gap between the AT-cut crystal unit 6 and the inner wall surface 24 of the second layer of the base 1 is very small,
The AT-cut quartz oscillator 6 must be built in this gap with high accuracy.

【0032】水晶振動子のマウント装置に設けられた画
像認識のシステムにより、前述のICチップ2のアライ
メントと同様にして、マウント用電極22、23及び位
置決め用パターン15の位置が検出される。そして、内
壁面24に対するATカット水晶振動子6のマウント位
置が決定され、精度良くマウントされる。
The positions of the mounting electrodes 22 and 23 and the positioning pattern 15 are detected by an image recognition system provided in the crystal oscillator mounting device in the same manner as the alignment of the IC chip 2 described above. Then, the mounting position of the AT-cut crystal unit 6 on the inner wall surface 24 is determined, and the AT-cut crystal unit 6 is mounted with high accuracy.

【0033】そして、図4に示すようにマウント用電極
22、23及び位置決め用パターン15の一部あるいは
終端部は、内壁面24と交叉している。このように内壁
面24と交叉することにより、内壁面24のエッジが画
像認識で検出され、精度良くATカット水晶振動子6の
マウント位置が決定される。
As shown in FIG. 4, a part or the end of the mounting electrodes 22 and 23 and the positioning pattern 15 intersects with the inner wall surface 24. By intersecting with the inner wall surface 24 in this manner, the edge of the inner wall surface 24 is detected by image recognition, and the mounting position of the AT-cut crystal resonator 6 is determined with high accuracy.

【0034】(実施例2)図5は、本発明の他の実施例
の水晶発振器の構造を示す斜視図である。図1の構成か
らシールリングを取り除いた構造である。3層からなる
セラミックのベース31と、 ICチップ2、 ATカッ
ト水晶振動子6、及び金属製のリッド32から構成され
ている。 Fe−Ni合金系のリッド32には、銀ロ
ウ、高融点Pb−Sn系半田、Au−Sn半田等の金属
のロウ材がクラッド加工されている。このリッド32を
ベース31に位置決め固定して、各ロウ材の融点までシ
ール部を加熱して気密に封止している。このベース31
にも図1同様に位置決め用パターンが形成されている。
Embodiment 2 FIG. 5 is a perspective view showing a structure of a crystal oscillator according to another embodiment of the present invention. This is a structure in which a seal ring is removed from the configuration of FIG. It is composed of a ceramic base 31 composed of three layers, an IC chip 2, an AT-cut crystal unit 6, and a metal lid 32. A metal brazing material such as silver brazing, high melting point Pb-Sn based solder, or Au-Sn solder is clad on the Fe-Ni alloy-based lid 32. The lid 32 is positioned and fixed to the base 31, and the sealing portion is heated to the melting point of each brazing material to hermetically seal. This base 31
1, a positioning pattern is formed similarly to FIG.

【0035】以上、セラミック及び金属といった信頼性
が高く、かつ安価な構成部品を用いることにより、横2
〜3.2mm、幅2〜2.5mm、厚さ0.7〜1.0
mmという小型薄型の圧電発振器が安価に提供できる。
As described above, by using highly reliable and inexpensive components such as ceramics and metals, the horizontal
~ 3.2mm, width 2 ~ 2.5mm, thickness 0.7 ~ 1.0
mm and a small and thin piezoelectric oscillator can be provided at low cost.

【0036】[0036]

【発明の効果】請求項1、4、5、6記載の発明によれ
ば、ICチップあるいは圧電振動子の位置決め用のパタ
ーンがセラミックで形成されたベースに形成されている
ことにより、ICチップ及び圧電振動子を小型のベース
に内蔵するための画像認識を非常に精度良く行うことが
でき、ICチップの導通不良や接合強度不足等がなくな
り、又、圧電振動子のマウントズレや導電性接着剤のシ
ョート不良等がなくなり、歩留まりの良い圧電発振器を
製造できるという効果を有する。
According to the first, fourth, fifth and sixth aspects of the present invention, since the pattern for positioning the IC chip or the piezoelectric vibrator is formed on the base made of ceramic, the IC chip and the piezoelectric vibrator are formed. Image recognition for embedding a piezoelectric vibrator in a small-sized base can be performed with very high precision, eliminating poor conduction of IC chips and insufficient bonding strength, etc. In addition, misalignment of the piezoelectric vibrator and conductive adhesive This has the effect that a short-circuit failure or the like can be eliminated, and a piezoelectric oscillator having a good yield can be manufactured.

【0037】請求項2、3記載の発明によれば、位置決
め用のパターンが金属層でメタライズされており、電源
ラインに接続されていることにより、電極パターンと同
時にメタライズでき、またNiメッキ及びAuメッキ等
も同時に行うことが可能である。又、不用なノイズ等の
影響が発生せず安定した発振出力を得ることができると
いう効果を有する。
According to the second and third aspects of the present invention, the positioning pattern is metallized by the metal layer and can be metallized simultaneously with the electrode pattern by being connected to the power supply line. Plating and the like can be performed simultaneously. Further, there is an effect that a stable oscillation output can be obtained without the influence of unnecessary noise or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の圧電デバイスの構造図。(a)は、平
面図。(b)は、正面図。
FIG. 1 is a structural view of a piezoelectric device of the present invention. (A) is a top view. (B) is a front view.

【図2】本発明の圧電デバイスの位置決め用パターンの
拡大図。
FIG. 2 is an enlarged view of a positioning pattern of the piezoelectric device of the present invention.

【図3】本発明の圧電デバイスの他の位置決め用パター
ンの拡大図。
FIG. 3 is an enlarged view of another positioning pattern of the piezoelectric device of the present invention.

【図4】本発明の圧電デバイスの水晶振動子のマウント
部配置図。
FIG. 4 is a layout view of a mount portion of a quartz oscillator of the piezoelectric device according to the present invention.

【図5】本発明の他の実施例の構造図。FIG. 5 is a structural view of another embodiment of the present invention.

【図6】従来の圧電デバイスの構造図。(a)は、平面
図。(b)は、正面図。
FIG. 6 is a structural view of a conventional piezoelectric device. (A) is a top view. (B) is a front view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ベース 2 ICチップ 3 電極パターン 4 バンプ 5 導電性接着剤 6 ATカット水晶振動子 7 支持部 8 マウント部 9 導電性接着剤 11 リッド 12 シールリング 13 水晶発振器 14a、14b 位置決め用パターン 15 位置決め用パターン 16、17 電極パターン 21 中心 22、23 マウント用電極 24 内壁面 31 ベース 32 リッド 101 ICチップ 102 ベース 103 Auワイヤーボンディング線 104 入出力電極 105 ATカット水晶振動子 106 マウント部 107 リッド REFERENCE SIGNS LIST 1 base 2 IC chip 3 electrode pattern 4 bump 5 conductive adhesive 6 AT-cut crystal vibrator 7 support 8 mount 9 conductive adhesive 11 lid 12 seal ring 13 crystal oscillator 14a, 14b positioning pattern 15 positioning pattern 16, 17 Electrode pattern 21 Center 22, 23 Mounting electrode 24 Inner wall surface 31 Base 32 Lid 101 IC chip 102 Base 103 Au wire bonding wire 104 I / O electrode 105 AT-cut crystal oscillator 106 Mounting part 107 Lid

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、前記半導体集積回
路あるいは前記圧電振動子の位置決め用のパターンがセ
ラミックで形成されたベースに形成されていることを特
徴とする圧電デバイス。
1. A piezoelectric device in which a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator are incorporated in a package, wherein a pattern for positioning the semiconductor integrated circuit or the piezoelectric vibrator is formed on a base made of ceramic. Characteristic piezoelectric device.
【請求項2】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、前記位置決め用の
パターンが金属層でメタライズされていることを特徴と
する請求項1記載の圧電デバイス。
2. The piezoelectric device according to claim 1, wherein said positioning pattern is metallized with a metal layer in a piezoelectric device having a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator built in a package.
【請求項3】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、前記位置決め用の
パターンが前記ベースに形成された電極パターンの電源
ラインに接続されていることを特徴とする請求項2記載
の圧電デバイス。
3. A piezoelectric device in which a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator are built in a package, wherein the positioning pattern is connected to a power line of an electrode pattern formed on the base. Item 3. The piezoelectric device according to Item 2.
【請求項4】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、少なくとも一つの
前記位置決め用のパターンはその中心を特定することが
可能な形状であることを特徴とする請求項1記載の圧電
デバイス。
4. A piezoelectric device having a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator built in a package, wherein at least one of the positioning patterns has a shape capable of specifying the center thereof. 2. The piezoelectric device according to 1.
【請求項5】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、前記ベースが複数
のセラミック層で形成されており、前記位置決め用パタ
ーンが前記ベースの内壁面と交叉していることを特徴と
する請求項1記載の圧電デバイス。
5. A piezoelectric device having a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator incorporated in a package, wherein the base is formed of a plurality of ceramic layers, and the positioning pattern intersects an inner wall surface of the base. The piezoelectric device according to claim 1, wherein:
【請求項6】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケー
ジに内蔵した圧電デバイスにおいて、前記半導体集積回
路は前記ベースにフリップチップボンディングで搭載さ
れていることを特徴とする請求項1記載の圧電デバイ
ス。
6. A piezoelectric device according to claim 1, wherein said semiconductor integrated circuit is mounted on said base by flip-chip bonding in a piezoelectric device having a semiconductor integrated circuit and a piezoelectric vibrator incorporated in a package. .
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