JPH11251438A - 半導体装置のヒューズ切断認識方法 - Google Patents
半導体装置のヒューズ切断認識方法Info
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- JPH11251438A JPH11251438A JP5025898A JP5025898A JPH11251438A JP H11251438 A JPH11251438 A JP H11251438A JP 5025898 A JP5025898 A JP 5025898A JP 5025898 A JP5025898 A JP 5025898A JP H11251438 A JPH11251438 A JP H11251438A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 迅速、かつ的確に半導体装置のリペア後のヒ
ューズ切断を確認することができる半導体装置のヒュー
ズ切断認識方法を提供する。 【解決手段】 半導体装置のヒューズ切断認識方法にお
いて、半導体装置のリペア後のヒューズ上をレーザース
キャナ１１によりレーザースキャンし、このレーザース
キャンによる出力波形に基づいて、前記ヒューズ切断が
なされたかどうかを電子制御装置の判断手段により判別
する。
ューズ切断を確認することができる半導体装置のヒュー
ズ切断認識方法を提供する。 【解決手段】 半導体装置のヒューズ切断認識方法にお
いて、半導体装置のリペア後のヒューズ上をレーザース
キャナ１１によりレーザースキャンし、このレーザース
キャンによる出力波形に基づいて、前記ヒューズ切断が
なされたかどうかを電子制御装置の判断手段により判別
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のヒュ
ーズ切断認識方法に係り、特に半導体メモリのリペア後
のヒューズ切断確認方法に関するものである。
ーズ切断認識方法に係り、特に半導体メモリのリペア後
のヒューズ切断確認方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体メモリのリペア後のヒュ
ーズ切断の確認は、オペレータが金属顕微鏡を使用して
目視で行っている。最終確認はテスタ測定でのみ行って
いる。
ーズ切断の確認は、オペレータが金属顕微鏡を使用して
目視で行っている。最終確認はテスタ測定でのみ行って
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のヒューズ切断の確認方法では、オペレーターが
金属顕微鏡で外観を検査しているため、ロードが大き
く、また、抜き取り外観検査では不良検出率が低いとい
った問題があった。本発明は、上記問題点を除去し、迅
速、かつ的確に半導体装置のリペア後のヒューズ切断を
確認することができる半導体装置のヒューズ切断認識方
法を提供することを目的とする。
た従来のヒューズ切断の確認方法では、オペレーターが
金属顕微鏡で外観を検査しているため、ロードが大き
く、また、抜き取り外観検査では不良検出率が低いとい
った問題があった。本発明は、上記問題点を除去し、迅
速、かつ的確に半導体装置のリペア後のヒューズ切断を
確認することができる半導体装置のヒューズ切断認識方
法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体装置のヒューズ切断認識方法において、半
導体装置のリペア後のヒューズ上をレーザースキャン
し、このレーザースキャンによる出力波形に基づいて、
前記ヒューズ切断がなされたか否かを電子制御装置の判
断手段により判別するようにしたものである。
成するために、 〔１〕半導体装置のヒューズ切断認識方法において、半
導体装置のリペア後のヒューズ上をレーザースキャン
し、このレーザースキャンによる出力波形に基づいて、
前記ヒューズ切断がなされたか否かを電子制御装置の判
断手段により判別するようにしたものである。
【０００５】〔２〕半導体装置のヒューズ切断認識方法
において、ヒューズ切断前の画像を撮像装置により撮像
し、前記画像データを電子制御装置に取り込み、ヒュー
ズ切断後の画像を撮像装置により撮像し、前記画像デー
タを前記電子制御装置に取り込み、ヒューズ切断前の画
像データとヒューズ切断後の画像データとの比較を行
い、ヒューズが切断しているか否かを電子制御装置の判
断手段により判断し、ヒューズが切断していなければ、
ヒューズが切断していなことを報知するようにしたもの
である。
において、ヒューズ切断前の画像を撮像装置により撮像
し、前記画像データを電子制御装置に取り込み、ヒュー
ズ切断後の画像を撮像装置により撮像し、前記画像デー
タを前記電子制御装置に取り込み、ヒューズ切断前の画
像データとヒューズ切断後の画像データとの比較を行
い、ヒューズが切断しているか否かを電子制御装置の判
断手段により判断し、ヒューズが切断していなければ、
ヒューズが切断していなことを報知するようにしたもの
である。
【０００６】〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の半導体
装置のヒューズ切断認識方法において、前記ヒューズは
半導体メモリに配置される複数列のヒューズである。
装置のヒューズ切断認識方法において、前記ヒューズは
半導体メモリに配置される複数列のヒューズである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示す半
導体メモリのリペア後のヒューズの状態を示す断面図で
あり、図１（ａ）は本発明の第１実施例を示す半導体メ
モリのリペア後のヒューズ切断前の断面図、図１（ｂ）
はその半導体メモリのリペア後のヒューズ切断後の断面
図である。
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示す半
導体メモリのリペア後のヒューズの状態を示す断面図で
あり、図１（ａ）は本発明の第１実施例を示す半導体メ
モリのリペア後のヒューズ切断前の断面図、図１（ｂ）
はその半導体メモリのリペア後のヒューズ切断後の断面
図である。
【０００８】これらの図において、半導体装置としての
半導体メモリ１の表面にはヒューズ２が形成されてい
る。すなわち、半導体メモリ１のリペア後のヒューズ切
断前には、図１（ａ）に示すように、ヒューズの凸形状
部２Ａが形成されている。そこで、例えば、一番左側の
ヒューズの凸形状部２Ａの切断を行うと、そのヒューズ
は切断されて、図１（ｂ）に示すように、凹形状部２Ｂ
となる。なお、図１において、２Ｄは半導体メモリの表
面である。
半導体メモリ１の表面にはヒューズ２が形成されてい
る。すなわち、半導体メモリ１のリペア後のヒューズ切
断前には、図１（ａ）に示すように、ヒューズの凸形状
部２Ａが形成されている。そこで、例えば、一番左側の
ヒューズの凸形状部２Ａの切断を行うと、そのヒューズ
は切断されて、図１（ｂ）に示すように、凹形状部２Ｂ
となる。なお、図１において、２Ｄは半導体メモリの表
面である。
【０００９】図２は本発明の第１実施例を示すレーザー
スキャナによるヒューズ切断の確認方法の説明図、図３
はそのレーザースキャナからの出力波形を示す図であ
る。図２に示すように、ヒューズが切断された半導体メ
モリの表面をレーザースキャナ１１でスキャンする。す
ると、レーザースキャナ１１からの出力波形は、図３に
示すように、半導体メモリの表面２Ｄに対応していたレ
ベル０から、ヒューズ切断凹形状部２Ｂに至ると、レベ
ル−１まで下がり、ヒューズ切断凹形状部２Ｂから半導
体メモリの表面２Ｄに至ると、レベル０になり、切断さ
れていないヒューズの凸形状部２Ａに至るとレベル＋１
まで上がり、それが、半導体メモリの表面２Ｄとヒュー
ズの凸形状部２Ａの数だけ、繰り返された出力波形とし
て示される。
スキャナによるヒューズ切断の確認方法の説明図、図３
はそのレーザースキャナからの出力波形を示す図であ
る。図２に示すように、ヒューズが切断された半導体メ
モリの表面をレーザースキャナ１１でスキャンする。す
ると、レーザースキャナ１１からの出力波形は、図３に
示すように、半導体メモリの表面２Ｄに対応していたレ
ベル０から、ヒューズ切断凹形状部２Ｂに至ると、レベ
ル−１まで下がり、ヒューズ切断凹形状部２Ｂから半導
体メモリの表面２Ｄに至ると、レベル０になり、切断さ
れていないヒューズの凸形状部２Ａに至るとレベル＋１
まで上がり、それが、半導体メモリの表面２Ｄとヒュー
ズの凸形状部２Ａの数だけ、繰り返された出力波形とし
て示される。
【００１０】このように、半導体メモリのリペア処理後
のヒューズに対して、レーザースキャンを行い、その反
射波を取り込み、例えば、ヒューズが切断されていれ
ば、レベル−１の波形となり、ヒューズが切断されてい
なければ、レベル＋１の波形になる。また、閾値を設定
することにより、完全にレベル−１近傍にまでならなけ
れば、ヒューズ切断と判定しないようにして、不十分な
ヒューズの切断を判断できるようにすることができ、そ
の波形から正しく切断されたかどうかを確認することが
できる。
のヒューズに対して、レーザースキャンを行い、その反
射波を取り込み、例えば、ヒューズが切断されていれ
ば、レベル−１の波形となり、ヒューズが切断されてい
なければ、レベル＋１の波形になる。また、閾値を設定
することにより、完全にレベル−１近傍にまでならなけ
れば、ヒューズ切断と判定しないようにして、不十分な
ヒューズの切断を判断できるようにすることができ、そ
の波形から正しく切断されたかどうかを確認することが
できる。
【００１１】このように、第１実施例によれば、ヒュー
ズ切断後の確認を、レーザースキャンにより、自動認識
にすることができ、オペレータの負担を減らし、また、
全ヒューズの切断確認を迅速、かつ的確に実施すること
ができ、切断不良検出率の向上を図ることができる。次
に、本発明の第２実施例について説明する。
ズ切断後の確認を、レーザースキャンにより、自動認識
にすることができ、オペレータの負担を減らし、また、
全ヒューズの切断確認を迅速、かつ的確に実施すること
ができ、切断不良検出率の向上を図ることができる。次
に、本発明の第２実施例について説明する。
【００１２】図４は本発明の第２実施例を示す半導体メ
モリのリペア後のヒューズの状態を示す平面図であり、
図４（ａ）は本発明の第２実施例を示す半導体メモリの
リペア後のヒューズ切断前の平面図、図４（ｂ）はその
半導体メモリのリペア後のヒューズ切断後の平面図であ
る。図５はその半導体メモリのリペア後のヒューズ切断
確認システムの構成図、図６はその半導体メモリのリペ
ア後のヒューズ切断確認フローチャートである。
モリのリペア後のヒューズの状態を示す平面図であり、
図４（ａ）は本発明の第２実施例を示す半導体メモリの
リペア後のヒューズ切断前の平面図、図４（ｂ）はその
半導体メモリのリペア後のヒューズ切断後の平面図であ
る。図５はその半導体メモリのリペア後のヒューズ切断
確認システムの構成図、図６はその半導体メモリのリペ
ア後のヒューズ切断確認フローチャートである。
【００１３】これらの図において、２０はヒューズの画
像、Ａはヒューズ切断前の画像、Ｂはヒューズ切断後の
画像、３０は電子制御装置、３１は中央処理装置（ＣＰ
Ｕ）、３２は画像メモリ、３３は入力インタフェース、
３４は比較手段、３５はヒューズが切断しているか否か
の判断手段、３６は出力インタフェース、３７はアラー
ムである。
像、Ａはヒューズ切断前の画像、Ｂはヒューズ切断後の
画像、３０は電子制御装置、３１は中央処理装置（ＣＰ
Ｕ）、３２は画像メモリ、３３は入力インタフェース、
３４は比較手段、３５はヒューズが切断しているか否か
の判断手段、３６は出力インタフェース、３７はアラー
ムである。
【００１４】ここで、図６を用いて動作を説明する。ま
ず、ヒューズ切断前の画像Ａを得るために、ヒューズ切
断前の画像Ａを撮像装置（図示なし）により撮像して、
その画像データを得て、その画像データを電子制御装置
３０に取り込む（ステップＳ１）。次に、ヒューズ切断
後の画像Ｂを得るために、そのヒューズの切断後の画像
Ｂを撮像装置（図示なし）により撮像して、その画像デ
ータを得て、その画像データを電子制御装置３０に取り
込む（ステップＳ２）。
ず、ヒューズ切断前の画像Ａを得るために、ヒューズ切
断前の画像Ａを撮像装置（図示なし）により撮像して、
その画像データを得て、その画像データを電子制御装置
３０に取り込む（ステップＳ１）。次に、ヒューズ切断
後の画像Ｂを得るために、そのヒューズの切断後の画像
Ｂを撮像装置（図示なし）により撮像して、その画像デ
ータを得て、その画像データを電子制御装置３０に取り
込む（ステップＳ２）。
【００１５】次に、ヒューズ切断前の画像データとヒュ
ーズ切断後の画像データとの比較を行う（ステップＳ
３）。例えば、各画像の画素を２値化して、ヒューズ切
断前の画像Ａとヒューズ切断後の画像Ｂのヒューズの占
める面積を比較手段３４で比較する。その結果、ヒュー
ズが切断しているか否かをその判断手段３５によって判
断する（ステップＳ４）。
ーズ切断後の画像データとの比較を行う（ステップＳ
３）。例えば、各画像の画素を２値化して、ヒューズ切
断前の画像Ａとヒューズ切断後の画像Ｂのヒューズの占
める面積を比較手段３４で比較する。その結果、ヒュー
ズが切断しているか否かをその判断手段３５によって判
断する（ステップＳ４）。
【００１６】その結果、ヒューズが切断していなけれ
ば、例えば、アラーム３７を鳴動して、ヒューズが切断
していなことを報知する（ステップＳ５）。このよう
に、第２実施例によれば、リペア処理前後のヒューズの
画像データを予め電子制御装置３０に記憶させておき、
リペア処理後に画像データを比較することにより、ヒュ
ーズの切断が正しくされたかどうかを判断することがで
きる。
ば、例えば、アラーム３７を鳴動して、ヒューズが切断
していなことを報知する（ステップＳ５）。このよう
に、第２実施例によれば、リペア処理前後のヒューズの
画像データを予め電子制御装置３０に記憶させておき、
リペア処理後に画像データを比較することにより、ヒュ
ーズの切断が正しくされたかどうかを判断することがで
きる。
【００１７】このように、第２実施例によれば、第１実
施例と同様の効果があり、さらに、ヒューズの切断を画
像データ処理することから、切断面だけでなく、ヒュー
ズ上残膜の異常も検出できる効果がある。特に、半導体
メモリには多くのヒューズが配置されるが、レーザース
キャナや撮像装置を同期を取って順次シフトさせていく
ことにより、多くの配列されたヒューズの切断の確認を
迅速、かつ的確に実施することができる。
施例と同様の効果があり、さらに、ヒューズの切断を画
像データ処理することから、切断面だけでなく、ヒュー
ズ上残膜の異常も検出できる効果がある。特に、半導体
メモリには多くのヒューズが配置されるが、レーザース
キャナや撮像装置を同期を取って順次シフトさせていく
ことにより、多くの配列されたヒューズの切断の確認を
迅速、かつ的確に実施することができる。
【００１８】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、ヒューズ切断後の
確認を、レーザースキャンにより、自動認識にすること
ができ、オペレータの負担を減らし、また、全ヒューズ
の切断確認を迅速、かつ的確に実施することができ、切
断不良検出率の向上を図ることができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、ヒューズ切断後の
確認を、レーザースキャンにより、自動認識にすること
ができ、オペレータの負担を減らし、また、全ヒューズ
の切断確認を迅速、かつ的確に実施することができ、切
断不良検出率の向上を図ることができる。
【００２０】（２）請求項２記載の発明によれば、特
に、ヒューズの切断を画像データ処理することから、切
断面だけでなく、ヒューズ上残膜の異常も検出できる効
果がある。 （３）請求項３記載の発明によれば、特に、半導体メモ
リには多くのヒューズが配置されるが、レーザースキャ
ナや撮像装置を同期を取って順次シフトさせていくこと
により、多くの配列されたヒューズの切断の確認を迅
速、かつ的確に実施することができる。
に、ヒューズの切断を画像データ処理することから、切
断面だけでなく、ヒューズ上残膜の異常も検出できる効
果がある。 （３）請求項３記載の発明によれば、特に、半導体メモ
リには多くのヒューズが配置されるが、レーザースキャ
ナや撮像装置を同期を取って順次シフトさせていくこと
により、多くの配列されたヒューズの切断の確認を迅
速、かつ的確に実施することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体メモリのリペ
ア後のヒューズの状態を示す断面図である。
ア後のヒューズの状態を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示すレーザースキャナに
よるヒューズ切断の確認方法の説明図である。
よるヒューズ切断の確認方法の説明図である。
【図３】本発明の第１実施例を示すレーザースキャナか
らの出力波形を示す図である。
らの出力波形を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す半導体メモリのリペ
ア後のヒューズの状態を示す平面図である。
ア後のヒューズの状態を示す平面図である。
【図５】本発明の第２実施例を示す半導体メモリのリペ
ア後のヒューズ切断確認システムの構成図である。
ア後のヒューズ切断確認システムの構成図である。
【図６】本発明の第２実施例を示す半導体メモリのリペ
ア後のヒューズ切断確認フローチャートである。
ア後のヒューズ切断確認フローチャートである。
１ 半導体メモリ ２ ヒューズ ２Ａ ヒューズの凸形状部 ２Ｂ ヒューズの凹形状部 ２Ｄ 半導体メモリの表面 １１ レーザースキャナ ２０ ヒューズの画像 Ａ ヒューズ切断前の画像 Ｂ ヒューズ切断後の画像 ３０ 電子制御装置 ３１ 中央処理装置（ＣＰＵ） ３２ 画像メモリ ３３ 入力インタフェース ３４ 比較手段 ３５ 判断手段 ３６ 出力インタフェース ３７ アラーム
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置のヒューズ切断認識方法にお
いて、（ａ）半導体装置のリペア後のヒューズ上をレー
ザースキャンし、（ｂ）該レーザースキャンによる出力
波形に基づいて、前記ヒューズ切断がなされたか否かを
電子制御装置の判断手段により判別することを特徴とす
る半導体装置のヒューズ切断認識方法。 - 【請求項２】 半導体装置のヒューズ切断認識方法にお
いて、（ａ）ヒューズ切断前の画像を撮像装置により撮
像し、前記画像データを電子制御装置に取り込み、
（ｂ）ヒューズ切断後の画像を撮像装置により撮像し、
前記画像データを前記電子制御装置に取り込み、（ｃ）
ヒューズ切断前の画像データとヒューズ切断後の画像デ
ータとの比較を行い、ヒューズが切断しているか否かを
電子制御装置の判断手段により判断し、（ｄ）ヒューズ
が切断していなければ、ヒューズが切断していなことを
報知することを特徴とする半導体装置のヒューズ切断認
識方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体装置のヒュ
ーズ切断認識方法において、前記ヒューズは半導体メモ
リに配置される複数列のヒューズであることを特徴とす
る半導体装置のヒューズ切断認識方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5025898A JPH11251438A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 半導体装置のヒューズ切断認識方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5025898A JPH11251438A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 半導体装置のヒューズ切断認識方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251438A true JPH11251438A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12853966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5025898A Withdrawn JPH11251438A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 半導体装置のヒューズ切断認識方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251438A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9287295B2 (en) | 2012-05-16 | 2016-03-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of detecting short-circuit failure of the display apparatus |
-
1998
- 1998-03-03 JP JP5025898A patent/JPH11251438A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9287295B2 (en) | 2012-05-16 | 2016-03-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of detecting short-circuit failure of the display apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |