JPH11250835A

JPH11250835A - 陰極線管及び陰極線管装置

Info

Publication number: JPH11250835A
Application number: JP4980798A
Authority: JP
Inventors: Nozomi Arimoto; 望有元; Atsushi Kihara; 淳木原
Original assignee: Matsushita Electronics Corp
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-03-02
Filing date: 1998-03-02
Publication date: 1999-09-17

Abstract

(57)【要約】【課題】偏向装置の消費電力を低減することのできる
陰極線管及び陰極線管装置を提供する。【解決手段】内面に蛍光体スクリーン面２ａが形成さ
れたフェイスパネル２と、ファンネル３と、ファンネル
３のネック部３ａに内蔵され電子銃５と、ファンネル３
の外周面上に設けられた偏向装置６と、蛍光体スクリー
ン面２ａと略平行に配置されたシャドウマスク７とで陰
極線管１を構成する。ファンネル３の前端部分から偏向
装置６の前端部分までの領域に第１の導電膜１０ａを形
成し、偏向装置６の前端部分から偏向装置６の後端部分
までの領域に第２の導電膜１０ｂを形成する。第１の導
電膜１０ａをファンネル３の外面のアノード端子１１に
接続し、第２の導電膜１０ｂを電子銃５のコンタクトス
プリング１２に接続する。第１の導電膜１０ａと第２の
導電膜１０ｂとの間に抵抗Ｒ_Aを設け、かつ、電子銃５
の前端部分と接地との間に抵抗Ｒ_Bを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、テレビジョンやコ
ンピュータディスプレイとして用いられる陰極線管及び
陰極線管装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図９に示すように、一般に、陰極線管装
置は、内面に蛍光体スクリーン面２ａが形成された実質
的に長方形状のフェイスパネル２と、フェイスパネル２
の後方に接続され、その内面に導電膜３０が形成された
ファンネル３と、ファンネル３のネック部３ａに内蔵さ
れた電子銃５と、ファンネル３の外周部に設けられた偏
向装置６と、フェイスパネル２の内部に蛍光体スクリー
ン面２ａに対向して設けられたシャドウマスク７とによ
り構成されている。そして、導電膜３０の前端部分はフ
ァンネル３の外面のアノード端子１１に接続され、後端
部分は電子銃５のコンタクトスプリング１２に接続され
ている。また、シャドウマスク７を支持するマスク支持
フレーム９は、板バネ１５を介して導電膜３０に接続さ
れている。

【０００３】以上の構成により、電子銃５とシャドウマ
スク７との間に電位差が生じ、電子銃５から発射された
電子ビーム４はシャドウマスク７に向かって飛ばされ、
シャドウマスク７の透孔を通過して蛍光体スクリーン面
２ａに衝突する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、電子銃５か
ら発射された電子ビーム４は偏向装置６によって偏向さ
れる必要がある一方、電子銃５から発射された電子ビー
ム４をシャドウマスク７に向かって飛ばすためにアノー
ド端子１１にはある程度高い電圧を印加する必要があ
る。

【０００５】しかし、アノード端子１１にある程度高い
電圧を印加すると、偏向装置６の前端部分から偏向装置
６の後端部分までの領域にも高い電界が発生し、その領
域内における電子ビーム４の速度が大きくなる。従っ
て、電子ビーム４を偏向するためには、偏向装置６に大
きな電力を供給しなければならないという問題点があっ
た。

【０００６】本発明は、従来技術における前記課題を解
決するためになされたものであり、偏向装置の消費電力
を低減することのできる陰極線管及び陰極線管装置を提
供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る陰極線管の構成は、内面に蛍光体スク
リーン面が形成されたフェイスパネルと、前記フェイス
パネルの後方に接続され、その内面に導電膜が形成され
たファンネルと、前記ファンネルのネック部に内蔵され
た電子銃とを備え、前記ファンネルの内面に形成された
導電膜の前端部分が前記ファンネルの外面のアノード端
子に接続され、後端部分が前記電子銃のコンタクトスプ
リングに接続された陰極線管であって、前記ファンネル
の外周部に設けられる偏向装置の偏向磁界が作用する偏
向磁界領域における前記導電膜の電位が前記アノード端
子の電位よりも低いことを特徴とする。この陰極線管の
構成によれば、偏向磁界領域における電子ビームの速度
が遅くなるので、偏向装置の偏向効率が高くなる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、実施の形態を用いて本発明
をさらに具体的に説明する。〈第１の実施の形態〉図１は本発明の第１の実施の形態
における陰極線管装置を示す側断面図である。

【０００９】図１に示すように、本実施の形態における
陰極線管装置は、内外面が曲面からなるガラス製のフェ
イスパネル２、フェイスパネル２の後方に接続されたガ
ラス製のファンネル３及びファンネル３のネック部３ａ
に内蔵され、電子ビーム４を発射するための電子銃５か
らなる陰極線管１と、ファンネル３の外周面上に設けら
れ、電子銃５から発射された電子ビーム４を偏向するた
めの偏向装置６とを備えている。フェイスパネル２に
は、その内面に３色の蛍光体ドットが塗布されており、
これにより蛍光体スクリーン面２ａが形成されている。
フェイスパネル２の内面（蛍光体スクリーン面２ａ）の
近傍には、蛍光体スクリーン面２ａと略平行にシャドウ
マスク７が配置されている。

【００１０】ファンネル３の内面には、ファンネル３の
前端部分から偏向装置６の前端部分までの領域に第１の
導電膜１０ａが形成されており、偏向装置６の前端部分
から偏向装置６の後端部分までの領域（以下『偏向磁界
領域』という。）に第２の導電膜１０ｂが形成されてい
る。すなわち、従来、ファンネルの内面には、ファンネ
ルの前端部分から偏向装置の後端部分までの領域の全面
に導電膜が形成されていたが、本実施の形態において
は、この導電膜が偏向装置６の前端開口部付近で第１の
導電膜１０ａと第２の導電膜１０ｂとに分割されてい
る。第１の導電膜１０ａはファンネル３の外面のアノー
ド端子１１に接続されており、第２の導電膜１０ｂは電
子銃５のコンタクトスプリング１２に接続されている。
また、図２に示すように、例えば、アノード端子１１側
の第１の導電膜１０ａと電子銃５のコンタクトスプリン
グ１２側の第２の導電膜１０ｂとの間に抵抗Ｒ_Aが設け
られ、かつ、電子銃５の前端部分と接地との間に抵抗Ｒ
_Bが設けられている。尚、抵抗Ｒ_Bを分割し、分割した
一方の抵抗を電子銃５の前端部分と電子銃５の他の電極
との間に接続し、当該他の電極を分割した他方の抵抗を
経由して接地するようにしてもよい。これにより、第２
の導電膜１０ｂには、第１の導電膜１０ａの電位をＶ_a
として下記（数１）で規定される電圧Ｖ_Bが印加され
る。

【００１１】

【数１】Ｖ_B＝Ｒ_B・Ｖ_a／（Ｒ_A＋Ｒ_B）本実施の形態においては、アノード端子１１に３０ｋＶ
の電圧が印加されており、抵抗Ｒ_Aと抵抗Ｒ_Bは等しい
値に設定されている。これにより、第２の導電膜１０ｂ
には１５ｋＶの電圧が印加された状態となる。すなわ
ち、偏向磁界領域における第２の導電膜１０ｂの電位
は、アノード端子１１の電位よりも低くなっている。こ
のため、偏向磁界領域における電子ビーム４の速度が遅
くなり、偏向装置６の偏向効率が高くなる。その結果、
偏向装置６の消費電力を低減することができる。また、
電子銃５のコンタクトスプリング１２にかかる電位が従
来よりも低くなるので、電子銃部分における高圧不良及
びスパークによるテレビジョン回路の破壊を防止するこ
ともできる。

【００１２】シャドウマスク７は、規則正しく配列され
た多数の透孔を有しており、電子銃５から発射される３
本の電子ビーム４に対して色選別の役割を果たす。シャ
ドウマスク７は、蛍光体スクリーン面２ａと略平行に配
置されたシャドウマスク本体７ａと、シャドウマスク本
体７ａの上下の縁部を折り曲げて形成したスカート部７
ｂとにより構成されている。フェイスパネル２内には、
マスク支持フレーム９が配置されており、このマスク支
持フレーム９の内側にはシャドウマスク７のスカート部
７ｂが嵌め込まれている。そして、スカート部７ｂがマ
スク支持フレーム９にスポット溶接されることにより、
シャドウマスク７がマスク支持フレーム９に固定されて
いる。ここで、マスク支持フレーム９は、フェイスパネ
ル２の内側のピン１３にスプリング１４を介して取り付
けられていると共に、板バネ１５を介して第１の導電膜
１０ａに接続されている。また、第１の導電膜１０ａと
第２の導電膜１０ｂとの間には１５ｋＶの電位差が生じ
るため、その部分にビーム加速用の大口径電子レンズ１
６が形成される。これにより、電子ビーム４を蛍光体ス
クリーン面２ａにフォーカスさせる作用も付加すること
ができる。

【００１３】尚、本実施の形態においては、アノード端
子１１側の第１の導電膜１０ａと電子銃５のコンタクト
スプリング１２側の第２の導電膜１０ｂとの間に抵抗Ｒ
_Aを挿入し、電子銃５の前端部分の抵抗Ｒ_Bを介して接
地することにより、偏向磁界領域における導電膜の電位
がアノード端子１１の電位よりも低くなるようにされて
いるが、必ずしもこの構成に限定されるものではない。
例えば、第１の導電膜１０ａと第２の導電膜１０ｂとに
分割し、第１の導電膜１０ａと第２の導電膜１０ｂとに
異なる電圧を供給することによっても同じ目的を達成す
ることができる。

【００１４】また、本実施の形態においては、ファンネ
ル３の内面に形成される導電膜を第１の導電膜１０ａと
第２の導電膜１０ｂとに分割しているが、必ずしも導電
膜を分割する必要はなく、例えば、アノード端子１１と
電子銃５のコンタクトスプリング１２との間の導電膜を
所定の抵抗値を有する抵抗膜で形成するだけでも、偏向
磁界領域における導電膜の電位をアノード端子１１の電
位よりも低くすることができ、これにより偏向装置６の
偏向効率を高くして偏向装置６の消費電力を低減するこ
とができる。

【００１５】〈第２の実施の形態〉図３は本発明の第２
の実施の形態における陰極線管のファンネルをフェイス
パネル側から見た図であり、図４はその側断面図であ
る。

【００１６】図３、図４に示すように、ファンネル３の
内面には、その前端部分から後端部分までの領域に導電
膜１７がスパイラル状に形成されている。導電膜１７
は、所定の抵抗値を有する抵抗膜であり、その前端がフ
ァンネル３の外面のアノード端子１１に接続されてお
り、後端が電子銃５のコンタクトスプリング１２に接続
されている。尚、他の構成は上記第１の実施の形態と同
じであるため、その説明は省略する。

【００１７】アノード端子１１と電子銃５のコンタクト
スプリング１２との間にはスパイラル状の抵抗体が形成
されており、これにより偏向磁界領域における導電膜の
電位がアノード端子１１の電位よりも低く設定される。
その結果、偏向磁界領域における電子ビーム４の速度が
遅くなり、偏向装置６の偏向効率が高くなるので、偏向
装置６の消費電力を低減することができる。また、電子
銃５のコンタクトスプリング１２にかかる電位が従来よ
りも低くなるので、電子銃部分における高圧不良及びス
パークによるテレビジョン回路の破壊を防止することも
できる。さらに、導電膜１７をスパイラル状の抵抗体で
形成したことにより、電位をアノード端子１１から電子
銃５のコンタクトスプリング１２に接する位置まで連続
的に低下させることができ、隣り合う導電膜１７の電位
差が小さくなるので、隣り合う導電膜１７間のスパーク
を防止することができる。

【００１８】〈第３の実施の形態〉図５は本発明の第３
の実施の形態における陰極線管のファンネルをフェイス
パネル側から見た図であり、図６はその側断面図であ
る。

【００１９】図５、図６に示すように、ファンネル３の
内面には、その前端部分から後端部分までの領域に陰極
線管の管軸と直角方向に所定の間隔を置いて例えば４本
のストライプ状の導電膜１８ａ〜１８ｄが形成されてい
る。ファンネル３の前端部分に位置する導電膜１８ａは
ファンネル３の外面のアノード端子１１に接続されてお
り、ファンネル３の後端部分に位置する導電膜１８ｄは
電子銃５のコンタクトスプリング１２に接続されてい
る。尚、他の構成は上記第１の実施の形態と同じである
ため、その説明は省略する。

【００２０】アノード端子１１と第２番目の導電膜１８
ｂとの間、第２番目の導電膜１８ｂと第３番目の導電膜
１８ｃとの間、第３番目の導電膜１８ｃとファンネル３
の後端部分に位置する導電膜１８ｄとの間には、それぞ
れ所定の抵抗値を有する抵抗膜２０ａ〜２０ｃが形成さ
れている。このため、４本のストライプ状の導電膜は、
ファンネル３の前端部分に位置する導電膜１８ａからフ
ァンネル３の後端部分に位置する導電膜１８ｄまで順次
電位が低くなる。すなわち、偏向磁界領域における導電
膜の電位はアノード端子１１の電位よりも低く設定され
る。これにより、偏向磁界領域における電子ビーム４の
速度が遅くなり、偏向装置６の偏向効率が高くなるの
で、偏向装置６の消費電力を低減することができる。ま
た、電子銃５のコンタクトスプリング１２にかかる電位
が従来よりも低くなるので、電子銃部分における高圧不
良及びスパークによるテレビジョン回路の破壊を防止す
ることもできる。さらに、導電膜を、陰極線管の管軸と
直角方向に所定の間隔を置いて形成された複数本のスト
ライプ状導電膜により構成したので、隣接する導電膜の
電位差を徐々に小さくすることによって偏向磁界領域に
おける導電膜の電位をアノード端子１１の電位よりも低
く設定することができる。このように隣接する導電膜の
電位差を徐々に小さくするものであるため、隣接する導
電膜間のスパークを防止することができる。

【００２１】尚、本実施の形態においては、導電膜を４
本のストライプ状としているが、必ずしもこの構成に限
定されるものではなく、導電膜の本数は複数本であれば
よい。

【００２２】〈第４の実施の形態〉図７は本発明の第４
の実施の形態における陰極線管のファンネルをフェイス
パネル側から見た図であり、図８はその側断面図であ
る。

【００２３】図７、図８に示すように、ファンネル３の
内面には、その前端部分と後端部分に陰極線管の管軸と
直角方向にストライプ状の導電膜１９ａ、１９ｂが形成
されており、陰極線管の管軸方向には導電膜１９ａ、１
９ｂを接続する形で複数本のストライプ状の所定の抵抗
値を有する抵抗膜１９ｃ〜１９ｊが形成されている。フ
ァンネル３の前端部分に位置する導電膜１８ａはファン
ネル３の外面のアノード端子１１に接続されており、フ
ァンネル３の後端部分に位置する導電膜１８ｂは電子銃
５のコンタクトスプリング１２に接続されている。尚、
他の構成は上記第１の実施の形態と同じであるため、そ
の説明は省略する。

【００２４】この構成により、偏向磁界領域における導
電膜の電位はアノード端子１１の電位よりも低く設定さ
れている。その結果、偏向磁界領域における電子ビーム
４の速度が遅くなり、偏向装置６の偏向効率が高くなる
ので、偏向装置６の消費電力を低減することができる。
また、電子銃５のコンタクトスプリング１２にかかる電
位が従来よりも低くなるので、電子銃部分における高圧
不良及びスパークによるテレビジョン回路の破壊を防止
することもできる。さらに、ストライプ状の複数本の抵
抗膜１９ｃ〜１９ｊを管軸に対して対称に配置したの
で、電位が管軸に対して対称となり、電子ビーム４の走
査時におけるラスター歪を低減することができる。

【００２５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
偏向磁界領域における電子ビームの速度が遅くなり、偏
向装置の偏向効率が高くなる。その結果、偏向装置の消
費電力を低減することができる。また、電子銃のコンタ
クトスプリングにかかる電位が従来よりも低くなるの
で、電子銃部分における高圧不良及びスパークによるテ
レビジョン回路の破壊を防止することもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における陰極線管装
置を示す側断面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態における導電膜への
電圧印加回路図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態における陰極線管の
ファンネルをフェイスパネル側から見た図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態における陰極線管装
置を示す概略側断面図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態における陰極線管の
ファンネルをフェイスパネル側から見た図である。

【図６】本発明の第３の実施の形態における陰極線管を
示す概略側断面図である。

【図７】本発明の第４の実施の形態における陰極線管の
ファンネルをフェイスパネル側から見た図である。

【図８】本発明の第４の実施の形態における陰極線管を
示す概略側断面図である。

【図９】従来技術における陰極線管装置を示す側断面図
である。

【符号の説明】

１陰極線管２フェイスパネル２ａ蛍光体スクリーン面３ファンネル３ａネック部４電子ビーム５電子銃４７シャドウマスク１０ａ第１の導電膜１０ｂ第２の導電膜１１アノード端子１２コンタクトスプリング

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内面に蛍光体スクリーン面が形成された
フェイスパネルと、前記フェイスパネルの後方に接続さ
れ、その内面に導電膜が形成されたファンネルと、前記
ファンネルのネック部に内蔵された電子銃とを備え、前
記ファンネルの内面に形成された導電膜の前端部分が前
記ファンネルの外面のアノード端子に接続され、後端部
分が前記電子銃のコンタクトスプリングに接続された陰
極線管であって、前記ファンネルの外周部に設けられる
偏向装置の偏向磁界が作用する偏向磁界領域における前
記導電膜の電位が前記アノード端子の電位よりも低いこ
とを特徴とする陰極線管。
【請求項２】偏向磁界領域がファンネルを介して偏向
装置と対向する領域である請求項１に記載の陰極線管。
【請求項３】ファンネル内面の導電膜が、アノード端
子と電子銃のコンタクトスプリングとの間でスパイラル
状に形成された請求項１に記載の陰極線管。
【請求項４】ファンネル内面の導電膜が、アノード端
子と電子銃のコンタクトスプリングとの間で管軸方向に
ストライプ状に形成された複数の導電膜からなる請求項
１に記載の陰極線管。
【請求項５】ファンネル内面の導電膜が、アノード端
子と電子銃のコンタクトスプリングとの間で管軸と直角
方向にストライプ状に形成された複数の導電膜からなる
請求項１に記載の陰極線管。
【請求項６】ファンネル内面の導電膜が、アノード端
子に接続された第１の導電膜と、電子銃のコンタクトス
プリングに接続された第２の導電膜とに分割された請求
項１に記載の陰極線管。
【請求項７】アノード端子と電子銃のコンタクトスプ
リングとの間の導電膜は、少なくともその膜の一部が所
定の抵抗値を有し、かつ、前記電子銃の前端部分と接地
との間に抵抗体が設けられている請求項１〜６のいずれ
かに記載の陰極線管。
【請求項８】ストライプ状の各導電膜に、アノード端
子側から電子銃のコンタクトスプリング側にいくにした
がって順に低くなる電圧が供給される請求項５に記載の
陰極線管。
【請求項９】第２の導電膜が偏向磁界領域にある請求
項６に記載の陰極線管。
【請求項１０】第１の導電膜と第２の導電膜に異なる
電圧が供給される請求項６に記載の陰極線管。
【請求項１１】内面に蛍光体スクリーン面が形成され
たフェイスパネルと、前記フェイスパネルの後方に接続
され、その内面に導電膜が形成されたファンネルと、前
記ファンネルのネック部に内蔵された電子銃と、前記フ
ァンネルの外周部に設けられた偏向装置とを備え、前記
ファンネルの内面に形成された導電膜の前端部分が前記
ファンネルの外面のアノード端子に接続され、後端部分
が前記電子銃のコンタクトスプリングに接続された陰極
線管装置であって、前記偏向装置の偏向磁界が作用する
偏向磁界領域における前記導電膜の電位が前記アノード
端子の電位よりも低いことを特徴とする陰極線管装置。