JPH11176347A

JPH11176347A - 陰極線管

Info

Publication number: JPH11176347A
Application number: JP33901697A
Authority: JP
Inventors: Kotaro Amano; 高太郎天野; Takumi Adachi; 巧安達; Kenichi Ozawa; 兼一小沢; Tsuneo Muchi; 常雄鞭
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-12-09
Filing date: 1997-12-09
Publication date: 1999-07-02

Abstract

(57)【要約】【課題】内蔵分割抵抗板表面からの放電を抑制するこ
とにより、放電が少ない陰極線管を提供する。【解決手段】電子銃１の側部に内蔵分割抵抗板２が配
されて成る陰極線管１０において、内蔵分割抵抗板２の
表面絶縁膜７上に、電子銃１の低電位側ｔ₂から高電位
側ｔ₁に向かって、互いに分離された複数の導電膜４が
形成された構成を採る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子銃の側部に内
蔵分割抵抗板を有して成る陰極線管に係わる。

【０００２】

【従来の技術】カラーテレビジョン受像機に用いられる
カラー陰極線管において、電子銃の側部に内蔵分割抵抗
板（ＩＢＲ）を配置形成し、この内蔵分割抵抗板により
アノード電圧を分圧して、例えばコンバージェンス電圧
を供給するようにした構成がある。

【０００３】内蔵分割抵抗板を配置形成した電子銃の一
例を図１１に示す。図１１は電子銃をカラー陰極線管に
組み込んだ状態の図である。

【０００４】図１１中、５０は管体、５１は管体５０の
ネック部５０ａ内に配された分圧用の内蔵分割抵抗板５
２を有する電子銃を示す。電子銃５１は、赤、緑、青の
各色に対応する３個のカソードＫ_R，Ｋ_G，Ｋ_Bに対し
て共通に第１電極Ｇ₁、第２電極Ｇ₂、第３電極Ｇ₃、
第４電極Ｇ₄、及び第５電極Ｇ₅が順次同軸上に配列さ
れ、第５電極Ｇ₅の後段に静電コンバージェンスを行う
コンバージェンス電極５３が配されてなる。

【０００５】コンバージェンス電極５３は、相対向する
内側偏向電極板５３ａ，５３ｂとその外側の外側偏向電
極板５３ｃ，５３ｄとを有して成る。第３電極Ｇ₃と第
５電極Ｇ₅とは例えば導電線５４によって電気的に連結
され、これにアノード電圧ＨＶが印加される。コンバー
ジェンス電極５３の内側偏向電極板５３ａ，５３ｂは第
５電極Ｇ₅に機械的に且つ電気的に連結され、これにア
ノード電圧ＨＶが与えられ、また外側偏向電極板５３
ｃ，５３ｄにはアノード電圧ＨＶより低いコンバージェ
ンス電圧ＣＶが与えられる。

【０００６】また、第４電極Ｇ₄には、導電線であるＧ
₄リード５５により、フォーカス電圧が供給される。

【０００７】管体５０のファンネル部５０ｂの内側から
ネック部５０ａの一部にわたって内部導電膜５６が被着
形成され、この内部導電膜５６に第５電極Ｇ₅からの導
電性接触子５７が接触される。アノード電圧ＨＶはアノ
ードボタン（図示せず）から内部導電膜５６−導電性接
触子５７−第５電極Ｇ₅を通じて供給される。一方、コ
ンバージェンス電圧ＣＶは内蔵分割抵抗板５２により供
給される。

【０００８】内蔵分割抵抗板５２は、図示しないがアル
ミナ等の絶縁性の基板上に、例えば酸化ルテニウム系の
抵抗体を形成し、その抵抗体の両端と中央部に夫々Ｂ電
極ｔ₂、Ａ電極ｔ₁及びＣ電極ｔ₃を形成し、電極ｔ₁
〜ｔ₃を除く表面を抵抗体の保護のために例えばガラス
材等で覆って構成される。

【０００９】そして、この内蔵分割抵抗板５２は、電子
銃５１の各電極Ｇ₁〜Ｇ₅，５３に対向するように取り
付けられ、Ａ電極ｔ₁が第５電極Ｇ₅の導電性取り付け
片５８を介して連結され、Ｃ電極ｔ₃が導電性取り付け
片５８を介してコンバージェンス電極５３の外側偏向電
極板５３ｃ，５３ｄに連結され、接地用端子ｔ₂がネッ
ク部５０ａのステムに貫通されたアース端子ピン５９ａ
に導電性取り付け片５８（図示せず）を介して連結され
る。すなわち、外側偏向電極板５３ｃ，５３ｄには内蔵
分割抵抗板５２の抵抗体により分圧されたコンバージェ
ンス電圧ＣＶが供給される。

【００１０】内蔵分割抵抗板５２は、電子銃５１の各電
極Ｇ₁〜Ｇ₅及び静電コンバージェンス電極５３を保持
するためのビーディングガラス６０の配置との関係で、
カソードＫ_R，Ｋ_G，Ｋ_Bの配列方向の一方の側、例え
ばカソードＫ_Rの側に電子銃５１に沿って配置される。

【００１１】上述の電子銃５１においては、第１電極Ｇ
₁に例えば０Ｖの電圧が、第２電極Ｇ₂に例えば５００
Ｖ〜１０００Ｖ程度の電圧が、第３電極Ｇ₃及び第５電
極Ｇ₅に例えば３０ｋＶ程度のアノード電圧ＨＶが、フ
ォーカス電極である第４電極Ｇ₄に例えば６〜１０ｋＶ
程度のフォーカス電圧が夫々供給され、第３電極Ｇ₃、
第４電極Ｇ₄及び第５電極Ｇ₅によって主電子レンズが
構成される。

【００１２】そして、各カソードＫ_R，Ｋ_G及びＫ_Bか
ら出射された赤、緑、青に対応する各電子ビームは、主
電子レンズの中心で交差した後、静電コンバージェンス
電極５３を通り、即ち中央の緑に対応する電子ビームは
偏向電極板５３ａ及び５３ｂ間を直進し、赤に対応する
電子ビームは、偏向電極板５３ｂ及び５３ｄ間に進入し
て偏向され、青に対応する電子ビームは、偏向電極板５
３ａ及び５３ｃ間に進入して偏向され、蛍光面上でコン
バージェンスされる。

【００１３】一方、内蔵分割抵抗板５２は、図１２Ａ及
び図１２Ｂにそれぞれ平面図及び側面図示すように、例
えばアルミナ基板等からなる絶縁基板６５上に、導電性
の膜のパターンにより抵抗体６６を形成し、この抵抗体
６６を保護するために抵抗体６６を覆ってガラス等の絶
縁ペーストからなるオーバーコート膜６７を形成するこ
とにより構成される。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
内蔵分割抵抗板５２を有する陰極線管内の電位分布を図
１３に示す。図１３Ａはスイッチオン直後の電位分布、
図１３Ｂはスイッチオン後長時間経過した後の電位分布
をそれぞれ示す。図中実線は内蔵分割抵抗板５２表面の
オーバーコート膜６７上の電位分布、破線は内蔵分割抵
抗板５２内の抵抗体６６の電位分布、鎖線は陰極線管の
ネック部５０ａの内壁の電位分布をそれぞれ示す。また
横軸ＺはＢ電極をＺ＝０として、Ａ電極（２７ｋＶ）ま
でを表示している。

【００１５】図１３Ａに示すように、陰極線管のネック
部５０ａの内壁の電位は、ネック部５０ａの内壁が絶縁
物であるガラスからなるため、スイッチオン直後即ち高
圧の陽極電圧印加直後は、ステム（アース）側に対して
放物線状に急減する電位勾配である。しかし、時間の経
過と共に帯電していくため、放物線の減少度（電位差）
が減り、ステム側へ高電位の部分が広がって行く。

【００１６】一方、内蔵分割抵抗（ＩＢＲ）のオーバー
コート膜６７上の電位は、スイッチオン直後はネック部
５０ａの内壁の電位分布と並行しており、ネック部５０
ａの内壁よりやや高い電位である。ところが、スイッチ
オン後長時間経過後は、ネック部５０ａの内壁電位並び
に抵抗体６６の電位によって帯電するために、図１３Ｂ
に示すように電位が大きく上昇してしまう。このため、
Ｂ電極（１ｋＶ：ＩＢＲのアース側電極）との間で放電
が生じやすい。またネック部５０ａの内壁との電位差も
大きくなるので、ネック部５０ａの内壁との間でも放電
しやすくなる。

【００１７】このような放電の問題を解決するために、
先に提案した陰極線管の内蔵分割抵抗板の断面図を図９
に示す。この内蔵分割抵抗板３２は、絶縁基板３５上に
図示しないが抵抗体が形成され、この抵抗体を覆って形
成されたオーバーコート膜３７の内、Ｂ電極ｔ₂とＡ電
極ｔ₁との間のオーバーコート膜３７上に、導電ペース
トを全面に塗布することにより、導電膜３４が形成され
ている。これによりＡ電極ｔ₁−Ｂ電極ｔ₂間にリーク
電流を流す。

【００１８】この場合の陰極線管内の電位分布を図１０
に示す。図１０Ａはスイッチオン直後の電位分布、図１
０Ｂはスイッチオン後長時間経過した後の電位分布をそ
れぞれ示す。図中実線は内蔵分割抵抗板３２表面のオー
バーコート膜３７上の電位分布、破線は内蔵分割抵抗板
３２内の抵抗体の電位分布、鎖線は陰極線管のネック部
の内壁の電位分布をそれぞれ示す。また横軸ＺはＢ電極
をＺ＝０として、Ａ電極（２７ｋＶ）までを表示してい
る。

【００１９】このとき、Ａ電極ｔ₁とＢ電極ｔ₂との間
に導電膜３４を通じてリーク電流が流れるため内蔵分割
抵抗板３２の表面には帯電は生じないので、図１０Ｂに
示すように、スイッチオン後長時間経過してもオーバー
コート膜３７上の電位分布は変化がなく、終始直線の電
位勾配である。これにより、ネック部の内壁との電位差
が少ないため、ネック部の内壁と内蔵分割抵抗板３２表
面との間の放電を抑制することができる。

【００２０】しかしながら、この場合には、図１０Ａに
示すように、スイッチオン直後のネック部の内壁（アー
ス近傍）または電子銃の低圧電極（例えば陰極，第１電
極Ｇ₁，第２電極Ｇ₂等）と、オーバーコート膜３７上
との電位差が図１３Ａに示した従来の場合よりも大き
く、放電しやすい欠点を有した。

【００２１】また、導電膜３４をＡ電極ｔ₁及びＢ電極
ｔ₂に接続させるため、これら電極ｔ₁，ｔ₂の周囲に
あるオーバーコート膜３７の段差を覆って導電膜３４を
形成しなければならない。従って、このオーバーコート
膜３７の段差付近で導電膜３４が切れやすい欠点があ
り、また導電膜３４が平面に形成できないので容易に導
電膜を形成することができなかった。

【００２２】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、内蔵分割抵抗板表面からの放電を抑制すること
により、放電が少ない陰極線管を提供するものである。

【００２３】

【課題を解決するための手段】本発明の陰極線管は、電
子銃の側部に配された内蔵分割抵抗板の表面絶縁膜上
に、電子銃の低電位側から高電位側に向かって、互いに
分離された複数の導電膜が形成されて成るものである。

【００２４】上述の本発明の構成によれば、内蔵分割抵
抗板の表面に複数の導電膜を形成することにより、この
複数の導電膜により等電位の部分が形成され、また導電
膜は帯電しないことから、内蔵分割抵抗板の表面におけ
る帯電による電位上昇が抑制されるので、内蔵分割抵抗
板の表面から周囲への放電、及び内蔵分割抵抗板の表面
における沿面放電を抑制することができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明は、電子銃の側部に内蔵分
割抵抗板が配されて成る陰極線管において、内蔵分割抵
抗板の表面絶縁膜上に、電子銃の低電位側から高電位側
に向かって、互いに分離された複数の導電膜が形成され
て成る陰極線管である。

【００２６】また本発明は、上記陰極線管において、複
数の導電膜の、低電位側のピッチが、高電位側のピッチ
より小とされた構成とする。

【００２７】また本発明は、上記陰極線管において、複
数の導電膜が、ドット列である構成とする。

【００２８】また本発明は、上記陰極線管において、複
数の導電膜が、内蔵分割抵抗板の表面絶縁膜を横切る構
成とする。

【００２９】以下、図面を参照して本発明の陰極線管の
実施の形態を説明する。図１に本発明の陰極線管の一実
施の形態の電子銃付近の要部（いわゆるネック部）の拡
大図を示す。

【００３０】図１に示す陰極線管１０は、そのネック部
１０ｎ内に、いわゆるインライン配列がされた例えば
赤、緑、青の各色に対応する３個のカソードＫ（Ｋ_R，
Ｋ_G，Ｋ_B）に対して共通に第１電極Ｇ₁、第２電極Ｇ
₂、第３電極Ｇ₃、第４電極Ｇ₄、第５電極Ｇ₅が順次
同軸上に配列され第５電極Ｇ₅の後段にコンバージェン
ス電極３を有して成る電子銃１を備えて成る。

【００３１】そして、これらの電極Ｇ₁〜Ｇ₅，３に対
向して、内蔵分割抵抗板２が配置され、高圧用端子（Ａ
電極）ｔ₁が第５電極Ｇ₅に、コンバージェンス用端子
（Ｃ電極）ｔ₃がコンバージェンス電極３にそれぞれ接
続される。接地用端子（Ｂ電極）ｔ₂はステムピンに接
続されて接地される。

【００３２】この場合、内蔵分割抵抗板２は、電子銃１
の各電極Ｇ₁〜Ｇ₅及び静電コンバージェンス電極３を
保持するためのビーディングガラス（図示せず）の配置
との関係で、図１に示すように、カソードＫ_R，Ｋ_G、
Ｋ_Bの配列方向の一方の側、例えばカソードＫ_Rの側に
電子銃１に沿って配置される。

【００３３】コンバージェンス電極３は、図示しないが
前述と同様に４枚の偏向電極板にて形成され、その内側
偏向電極板（図示せず）にアノード電圧ＨＶが供給さ
れ、その外側偏向電極板（図示せず）に内蔵分割抵抗板
２の抵抗体により分圧されたコンバージェンス電圧ＣＶ
が供給される。

【００３４】そして、内蔵分割抵抗板２は、図２に断面
図を示すように、アルミナ基板等の絶縁基板５上に形成
した酸化ルテニウム等の抵抗体（図示せず、図１２の抵
抗体６６と同様）により構成され、この抵抗体を保護す
るために、例えばガラス材からなるオーバーコート膜７
で電極ｔ₁〜ｔ₃を除く表面を覆って構成される。本実
施の形態においては、特に、このオーバーコート膜７の
表面上に、互いに分離された複数の導電膜４が管軸方向
に垂直なストライプ状に形成されている（図１及び図２
参照）。

【００３５】好ましくは、図３に内蔵分割抵抗板２の平
面図を示すように、複数の導電膜４の、低電位側（Ｂ電
極ｔ₂側）のピッチを、高電位側（Ａ電極ｔ₁側）のピ
ッチより小とする。これにより、オーバーコート膜７上
の電位は、後述するように高電位側が急な勾配、低電位
側が緩い勾配となる（図６Ａ参照）。

【００３６】導電膜４は、例えばＡＴＯ（Ｓｎ−Ｓｂ酸
化物）に結合剤としてフリット、印刷膜形成のための有
機樹脂、及び溶剤から成るペーストを用いる。

【００３７】そして、オーバーコート膜７上に、このペ
ーストを所定のパターンにスクリーン印刷等の方法で塗
布して、さらに焼成を行って導電膜４を定着させる。次
にこれを乾燥した後、例えば空気中で６００℃で１０分
保持して焼成を行い、内蔵分割抵抗板２を完成する。

【００３８】焼成後の導電膜４の表面抵抗は、好ましく
は１０⁹〜１０¹³Ω／□となるようにする。これにより
内蔵分割抵抗板２内の抵抗体より抵抗が充分大きくかつ
導電膜同士が分離されているので、抵抗体の電流の大き
さには影響が少ない。尚、図１及び図２においては、各
導電膜４を管軸方向に垂直なストライプ状としている
が、各導電膜４を管軸と斜交する方向のストライプ状、
管軸方向と交差するＶ字状、く字状としてもよく、その
他のオーバーコート膜７上を横切る構成としてもよい。

【００３９】また、内蔵分割抵抗板２のオーバーコート
膜７上の導電膜４は、図４Ａに平面図、図４Ｂに断面図
をそれぞれ示すような角部を有する形状であると、ここ
に電位集中が生じて放電しやすくなる。従って、好まし
くは、内蔵分割抵抗板２のオーバーコート膜７上の導電
膜４を、図５Ａに平面図、図５Ｂに断面図をそれぞれ示
すような角部のない丸い端面形状とする。

【００４０】また、図示しないが、導電膜４がオーバー
コート膜７に多少浸透した状態であってもよい。

【００４１】本実施の形態の陰極線管１０における、陰
極線管内の内蔵分割抵抗板２付近電位分布を図６に示
す。図６Ａはスイッチオン直後の電位分布、図６Ｂはス
イッチオン後長時間経過した後の電位分布をそれぞれ示
す。図中実線は内蔵分割抵抗板２表面のオーバーコート
膜７上の電位分布、破線は内蔵分割抵抗板２内の抵抗体
の電位分布、鎖線は陰極線管１０のネック部１０ｎの内
壁の電位分布をそれぞれ示す。また横軸ＺはＢ電極をＺ
＝０として、Ａ電極（２７ｋＶ）までを表示している。

【００４２】本実施の形態においては、図３に示したよ
うに、Ｂ電極ｔ₂に近い方が導電膜４のパターン数が多
くＡ電極ｔ₁に近い方がパターン数が少なくなっている
ため、その結果オーバーコート膜７上の電位分布は、図
６Ａに示すようにＢ電極側が電位勾配が小さく、Ａ電極
側が電位勾配が大きい分布となる。これにより、ネック
部の内壁電位と、オーバーコート膜７上の電位との差が
図１０の場合に比して接近しているため、スイッチオン
直後に放電が生じにくくなる。

【００４３】また、導電膜４が形成されているため、そ
の部分は帯電しないため、内蔵分割抵抗板２の表面にお
ける帯電が従来の場合より低減されるため、図６Ｂに示
すようにスイッチオン後長時間経過後の電位上昇が少な
くなるので、放電の発生が抑制される。

【００４４】ここで、電子雪崩（沿面放電）と導電膜と
の関係を図７を用いて説明する。図７Ａに示すように、
ネック部の内壁等に用いられる絶縁体（ガラス等）１１
は、電位分布を有していると、等電位線Ｃがその表面に
交差する方向にある。そして、この絶縁体１１の表面に
電子ｅ^-が入射すると、等電位線Ｃに垂直方向に加速さ
れて進むため、図のように絶縁体１１表面で反射しなが
ら表面に沿って進行して行く。このとき、絶縁体１１表
面で反射する際に２次電子等を生じるため、自由な電子
が増加して次々に絶縁体１１にぶつかって行く。この現
象が電子雪崩（沿面放電）である。

【００４５】そこで、図７Ｂに示すように、絶縁体１１
の表面に導電膜１２を形成する。導電膜１２内では等電
位となるため、導電膜１２の周囲の等電位線Ｃも導電膜
１２と平行となる。ここに電子ｅ^-が入射すると、導電
膜１２のない絶縁体１１表面では反射するが、導電膜の
部分では等電位線Ｃに垂直、即ち絶縁体１１表面に垂直
に入射する。従って、仮に反射して２次電子が生じたと
しても等電位線Ｃに垂直な方向に加速されるため、また
同じ位置に戻る。従って電子の移動が生じないので、こ
の導電膜１２の部分では電子雪崩（沿面放電）が起こら
なくなる。

【００４６】従って、上述の本実施の形態によれば、オ
ーバーコート膜７上に一次電子が衝突しても、Ｚ軸方向
（管軸方向）の電位勾配が導電膜４パターン中で実質的
になくなるので、電子雪崩を起こさず放電に至らない。
この電子雪崩の防止となる導電体４のパターンを管軸方
向に沿って多数個設けて、各所から飛来する１次電子の
衝突による放電を防止することができる。

【００４７】また、図９に示した内蔵分割抵抗板３２の
表面に面状に連続した導電膜３４を形成した場合と比較
して、本実施の形態は導電膜４が電気的に浮いているパ
ターンで、Ａ電極ｔ₁及びＢ電極ｔ₂の両電極にコンタ
クトさせる必要がないので、被印刷面即ち導電膜４が形
成される部分のオーバーコート膜７の上面は、ほぼ平面
であり、スクリーン印刷による導電膜４の形成を容易に
行うことができる。これにより製造時の作業性の向上が
図られる。

【００４８】続いて、本発明による陰極線管の他の実施
の形態について説明する。本実施の形態は、内蔵分割抵
抗板の表面の導電膜をドット状に形成する場合である。

【００４９】図８に内蔵分割抵抗板の一部の平面図を示
すように、本実施の形態においては、内蔵分割抵抗板２
のオーバーコート膜７表面にドット状の導電膜４ｄが形
成され、このドット状の導電膜４ｄが管軸方向に垂直な
ドット列４ｒに整列されて内蔵分割抵抗板２が構成され
て成る。図８ではドット状の導電膜４ｄが円形になって
いるが、楕円状、長方形、正方形等のその他の形状であ
ってもよい。

【００５０】尚、このドット状の導電膜４ｄを形成する
場合には、ドット列４ｒが管軸と交差する方向に並んで
いればよいので、必ずしも隣のドット列４ｒとドット上
の導電膜４ｄの位置が揃っていなくともよい。その他の
構成は、先の実施の形態と同様であるので、重複説明を
省略する。

【００５１】本実施の形態においても、先の実施の形態
と同様に内蔵分割抵抗板２の表面の電位とネック部１０
ｎの内壁との電位差を少なくして、スイッチオン直後の
放電回数を低減させることができ、また、ドット状の導
電膜４ｄ付近は帯電しないので、帯電による電位の上昇
も少なく、長時間の使用後における放電回数も低減させ
ることができる。また、先の実施の形態と同様に、沿面
放電の防止効果も有する。

【００５２】本発明の陰極線管は、上述の実施の形態に
限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範
囲でその他様々な構成が取り得る。

【００５３】

【発明の効果】上述の本発明による陰極線管によれば、
内蔵分割抵抗板表面に複数の導電膜を形成することによ
り、内蔵分割抵抗板表面とネック部内壁との電位差を少
なくして、スイッチオン直後の放電回数を低減させるこ
とができると共に、帯電する部分が小さくなり帯電によ
る電位上昇が抑制されるため、長時間の使用後における
放電回数も低減させることができる。

【００５４】また、導電膜でオーバーコート膜の段差を
覆う必要がないので、導電体のパターンが平面印刷で形
成可能となるため、パターン形成の安定性、作業性の向
上が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の陰極線管の実施の形態の要部の概略構
成図である。

【図２】図１の陰極線管の内蔵分割抵抗板の断面図であ
る。

【図３】図２の内蔵分割抵抗板の平面図である。

【図４】Ａ、Ｂ導電膜が角部を有する場合を説明する
図である。

【図５】Ａ、Ｂ導電膜が角部を有しない場合を説明す
る図である。

【図６】図１の陰極線管における内蔵分割抵抗板及びネ
ック内壁の電位分布を示す図である。Ａスイッチオン直後の電位分布である。Ｂスイッチオン後長時間経過後の電位分布である。

【図７】沿面放電を説明する図である。Ａ導電膜を形成しない場合である。Ｂ導電膜を形成する場合である。

【図８】本発明の陰極線管の他の実施の形態の内蔵分割
抵抗板の平面図である。

【図９】内蔵分割抵抗板のオーバーコート膜上に一面に
導電膜を形成した場合を示す図である。

【図１０】図９の構成における内蔵分割抵抗板及びネッ
ク内壁の電位分布を示す図である。Ａスイッチオン直後の電位分布である。Ｂスイッチオン後長時間経過後の電位分布である。

【図１１】従来の内蔵分割抵抗板を有する陰極線管の要
部の概略構成図である。

【図１２】図１１の陰極線管の内蔵分割抵抗板の概略構
成図である。Ａ平面図である。Ｂ側面図である。

【図１３】図１１の陰極線管における内蔵分割抵抗板及
びネック内壁の電位分布を示す図である。Ａスイッチオン直後の電位分布である。Ｂスイッチオン後長時間経過後の電位分布である。

【符号の説明】

１電子銃、２内蔵分割抵抗板、３コンバージェン
ス電極、４導電膜、４ｄドット状の導電膜、４ｒ
ドット列、５絶縁基板、７オーバーコート膜、１０
陰極線管、１０ｎネック部、１１絶縁体、１２
導電膜、Ｋ、Ｋ_R，Ｋ_G，Ｋ_B 陰極、Ｇ₁ 第１電
極、Ｇ₂ 第２電極、Ｇ₃ 第３電極、Ｇ₄第４電極、
Ｇ₅ 第５電極、ｔ₁ Ａ電極、ｔ₂ Ｂ電極、ｔ₃
Ｃ電極、Ｃ等電位線、ｅ^- 電子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鞭常雄東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子銃の側部に内蔵分割抵抗板が配され
て成る陰極線管において、上記内蔵分割抵抗板の表面絶縁膜上に、上記電子銃の低
電位側から高電位側に向かって、互いに分離された複数
の導電膜が形成されて成ることを特徴とする陰極線管。
【請求項２】上記複数の導電膜の、低電位側のピッチ
が、高電位側のピッチより小とされたことを特徴とする
請求項１に記載の陰極線管。
【請求項３】上記複数の導電膜が、ドット列であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の陰極線管。
【請求項４】上記複数の導電膜が、上記内蔵分離抵抗
板の上記表面絶縁膜上を横切ることを特徴とする請求項
１に記載の陰極線管。