JPH11248578A - 静電容量型圧力センサ及びそのパッケージ構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ごみの侵入を防止する静電容量型圧力センサ
を提供すること 【解決手段】 ダイアフラム３付きの半導体基板１と、
絶縁基板２を陽極接合により一体化し、ダイアフラムと
絶縁基板の間で圧力室６が形成される。絶縁基板には、
圧力室に連通する圧力導入孔７を形成している。その絶
縁基板の下面には、接合面に溝２２を有する支持基板２
０を接合する。この溝は、一端が基板側縁にまで達して
開口部２２ａとなり、溝の他端は圧力導入孔に対向して
いる。これにより、溝の上部開放部分は、絶縁基板が位
置して閉塞されるので、管状の通路となり、溝の開口部
から、その溝による通路，圧力導入口を介して圧力室に
至る途中で進路が９０度曲がる圧力導入経路が構成され
る。９０度曲がることからごみの侵入を阻止し、また、
支持基板の表面に溝を形成するのは簡単に行える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、静電容量型圧力セ
ンサ及びそのパッケージ構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１２に示すように従来の静電容量型圧
力センサは、半導体基板１のほぼ中央を両面からエッチ
ングを行い所定量だけ除去することにより肉薄のダイア
フラム３を一体に形成する。この時、ダイアフラム３の
接合側には底浅の凹部を形成している。そして、この半
導体基板１と絶縁基板２が陽極接合によって一体化され
ている。これにより、ダイアフラム３と固定基板２との
間には、上記凹部が絶縁基板２により閉塞されて圧力室
６が形成される。そして、このダイアフラム３の圧力室
６に面する部分が可動電極４となり、その可動電極４に
対向する絶縁基板の表面に固定電極５が形成される。

【０００３】これにより、可動電極４と固定電極５の間
には、距離に応じた静電容量が発生する。さらに絶縁基
板２には、固定電極５の中央に開口する圧力導入孔７が
形成されている。そしてこの圧力導入孔７を介して圧力
測定媒体を圧力室６内に供給するようにしている。これ
により、ダイアフラム３が膨らんで、電極間距離が変位
し、電極間の静電容量も変化する。この静電容量の変化
量は、可動電極４側は、シリコン基板１の表面から取り
出すことができ、また、固定電極５は、その固定電極５
と同時に形成した引出線８を介して取り出すようになっ
ている。そしてこの引出線８は、絶縁基板２の接合側表
面に形成され、その先端は、半導体基板１の外部まで延
長形成されている。

【０００４】一方、上記構成のセンサチップは、それ単
体で取り扱うことも可能であるが、通常は各種回路基板
上に実装することを考慮し、パッケージ化されている。
一例を示すと、図１３のようなものがある。同図に示す
ように、上部開放した箱状のパッケージ１２を用意し、
そのパッケージ１２内に圧力センサ１０を装着して一体
化することによりパッケージングを行う。ここでパッケ
ージ１２は、その底面中央に貫通孔１２ａが形成されて
おり、パッケージ１２の底面外側には、上記貫通孔１２
ａにつながるようにして圧力導入管１３が下方突出状態
で一体に形成されている。そして、圧力センサ１０を実
装する場合には、その圧力センサ１０の圧力導入孔７
と、パッケージ１２の貫通孔１２ａが対向するように位
置合わせを行う。そして、係る状態でダイボンディング
樹脂１４を介して、圧力センサ１０とパッケージ１２と
が接着一体化されている。

【０００５】この時、ダイボンディング樹脂１４は、貫
通孔１２ａ（圧力センサ１０の圧力導入孔７）の周囲を
囲むようにして塗布されており、気密性が確保される。
つまり、圧力導入管１３を介して供給される圧力は、圧
力センサ１０とパッケージ１２の底面との間でもれるこ
となくそのまますべて圧力導入孔７を介して圧力室６に
供給され、精度のよい測定が行われる。

【０００６】さらに、各電極の取り出しは、パッケージ
１２の上方所定位置に配置したリード端子１６ａと、圧
力センサ１０に設けた引出線８に連続するパッド１５ａ
をボンディングワイヤ１７で接続し、また、可動電極４
と導通するパッド１５ｂとリード端子１６ａとをボンデ
ィングワイヤ１７を用いて接続することにより行ってい
る。

【０００７】上記の構成をとると、圧力導入管１３にチ
ューブなどを装着することになるので、さらに圧力導入
管１３の下方にチューブを引き回すための空間が必要と
なり、高さ方向に非常に大きな空間が必要となる。さら
には、圧力導入孔７は直線状でしかも圧力室６に直接開
口する構造となっているので、その圧力導入孔７を介し
て圧力室６内に外部のごみ等が侵入するおそれが高くな
る。

【０００８】そこで、圧力導入経路を実装基板と平行な
方向にしたいという要求がある。ただし、絶縁基板２は
ガラス等の硬い材料が使用されているので、圧力導入孔
７の形状を水平方向に延びるように加工するのは困難で
ある。したがって、図１４に示すように、パッケージ１
２の形状を工夫することにより、上記の要求を満たすこ
とが考えられる。

【０００９】つまり、パッケージ１２の底部内に縦断面
が略Ｌ字状にした圧力導入経路１８を設け、その圧力導
入経路１８を介してパッケージ１２の底部に形成した開
口１２ａと圧力導入管１６とを連結するようにしてい
る。この様に、縦断面形状を略Ｌ字型とすることで、圧
力導入管１３′をパッケージ１２の側面に突出するよう
に形成することができる。これにより、その圧力導入管
１３′に装着するチューブは実装基板の表面に沿うよう
に引き回すことができるので、高さ方向を低く抑える
（薄くする）ことができる。さらに、この様に圧力導入
経路の全長を長くするとともに、その途中で経路を曲げ
ているので、圧力室６内へごみ等が侵入する可能性が低
減される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】図１４に示す構造のも
のでは、ごみ等が圧力室６内に侵入することを防げるも
のの、パッケージ１２の底部に形成する圧力導入経路１
８を縦断面形状が略Ｌ字型のように途中で曲げた形状と
するのは煩雑である。

【００１１】また、図１３，図１４に示すいずれのパッ
ケージング構造のものでも、固定電極５の電気信号及び
可動電極４の電気信号を外部に取り出すために、ボンデ
ィングワイヤ１７を用いていたため、係る作業が煩雑で
ある。

【００１２】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題点を解
決し、センサ内部へのごみの侵入を防止しつつ、パッケ
ージングを容易に行うことのできる静電容量型圧力セン
サ及びそのパッケージ構造を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係る静電容量型圧力センサでは、片面に
固定電極が形成された絶縁基板と、ダイアフラムが設け
られた半導体基板と、支持基板とを順次接合して一体化
され、前記絶縁基板に厚さ方向を貫通して圧力導入孔が
形成され、前記支持基板の前記絶縁基板との接合面に溝
が設けられ、前記溝は前記圧力導入孔の形成位置を含む
ように形成されるようにした（請求項１）。

【００１４】請求項１に記載するように、支持基板の絶
縁基板との接合面に凹部が設けられることにより、絶縁
基板と支持基板とが接合した状態で、両基板の間に圧力
測定対象媒体を圧力導入孔にまで導くための通路が形成
される。係る通路は圧力導入孔に対して異なる方向に形
成されるので、圧力導入孔と通路によって構成される圧
力導入経路は、その途中で折れ曲がるため、ごみなどの
侵入を阻止しやすい形状となる。また、支持基板には、
接合面に溝を形成するだけでよいので、製造は容易に行
える。そして、支持基板と絶縁基板を接続するのも簡単
に行える。よって、ごみの侵入を阻止しやすい形状の圧
力導入経路を簡単に構成できる。

【００１５】そして好ましくは、前記溝は、その中間部
分に異物の侵入を阻止するトラップ部を設けることであ
る（請求項２）。このトラップ部としては、例えば、中
間部分の溝の幅を狭くしたり、蛇行などさせたり、途中
に仕切壁を設けて複数の通路（スリット）に分離する
（これも部分的に見れば溝の幅を狭くすることになる
が、全体の空気の通路可能な流路の面積は広くとれるの
で、好ましい）などの構造をはかれる。

【００１６】また、本発明に係る静電容量型圧力センサ
のパッケージ構造では、上記構成の静電容量型圧力セン
サと、その静電容量型圧力センサの一部を符合状態で装
着するパッケージと、前記パッケージに取り付けた可動
電極用リード端子及び固定電極用リード端子とを備え、
前記両リード端子と、前記静電容量型圧力センサの所定
位置とを接触させることにより、対応する電極との導通
を図るように構成した（請求項３）。

【００１７】本発明によれば、パッケージに静電容量型
圧力センサが取り付けられた状態で、固定電極用リード
端子が固定電極と電気的に接続し、可動電極用リード線
が可動電極と電気的に接続するので、従来のように固定
電極，可動電極の電気信号を引き出すためにワイヤをボ
ンディングする必要がなくなり、センサを容易にパッケ
ージングすることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明に係る静電容量型圧力セン
サの実施の形態を詳述する。図１は本発明に係る静電容
量型圧力センサの第１の実施の形態を示している。圧力
を検出し、その圧力に応じた信号を出力するといった圧
力センサとしての基本的な機能・構造は、従来のものと
同様である。すなわち、ダイアフラム３を備えた半導体
基板１と絶縁基板２とを陽極接合することにより、ダイ
アフラム３と絶縁基板２との間に圧力室６を形成する。
そして、その圧力室６を挟んで対向するダイアフラム３
の表面が可動電極４となり、絶縁基板２の表面が固定電
極５となる。また、その固定電極５に連続して引出線８
が形成されその引出線８の先端は、絶縁基板２の露出表
面に至る。さらに、絶縁基板２には、厚さ方向に貫通す
る圧力導入孔７が形成され、その圧力導入孔７の一端は
圧力室６に開口している。また、引出線８と対向する半
導体基板１の接合面には凹溝９が形成され、半導体基板
１４ひいては可動電極と引出線８が短絡するのを抑制し
ている。もちろんこの凹溝９による空間には、ポリイミ
ド樹脂等を充填することにより、絶縁性を図りつつ密封
し、圧力室６内を密閉するようにしている。

【００１９】なお、可動電極４の取出電極（パッド１５
ｂ）として、従来の例では半導体基板１の上面に直接形
成していたが、本形態では、絶縁基板２の露出表面に引
出線２３を別途形成し、その一端を半導体基板１に接続
させている。この点では図示した従来例と相違するもの
の、係る構成のものも従来から存在している。

【００２０】ここで、本形態では、絶縁基板２の下面に
半導体からなる支持基板２０を陽極接合により一体化し
ている。係る支持基板２０は絶縁基板２と同一の平面形
状に形成されている。そして、支持基板２０の接合面に
は、溝２２が形成されている。係る溝２２の一端は支持
基板２０の端部に位置し、溝２２の他端は接合状態で絶
縁基板２に設けた圧力導入孔７と対向するようにしてい
る。

【００２１】このようにすると、支持基板２０単体で見
た場合には、溝２２は上部開放した１本の帯状であるた
め簡単に形成することができ、絶縁基板２に接合した状
態では、溝２２の開放部分が絶縁基板２で閉塞されるた
め１本の管となる。そして、溝２２の配置方向は、支持
基板２０の表面に沿っているため、絶縁基板２に形成し
た圧力導入孔７の配置方向と直交する方向となる。

【００２２】従って、圧力室６は、圧力導入孔７から溝
２２を介して外部と連通することになるので、測定圧力
媒体を溝２２の開口２２ａから供給することにより圧力
室６に導入させることができる。そして、図から明らか
なように、溝２２と圧力導入孔７からなる圧力導入経路
が、その途中で進路を９０度曲げているので、圧力室６
内へのごみの侵入を抑止できる。

【００２３】図２は本発明に係る静電容量型圧力センサ
の第２の実施の形態を示している。同図に示すように、
本形態では第１の実施の形態において説明した静電容量
型圧力センサの構造を基本として、固定電極５の電気信
号を支持基板２０を介して引き出す構造としている。

【００２４】すなわち、圧力導入孔７を一種のスルーホ
ールとしても使用することにより、固定電極５を支持基
板２０側に引き出すようにしている。具体的には、圧力
導入孔７の内周面に導体２５を付着させるとともに、そ
の導体２５の下端を支持基板２０の接合面に形成した導
体膜２６に接続される。これにより、導体２５の圧力室
６側は、固定電極５に接続されているので、固定電極５
は、導体２５，導体膜２６を介して支持基板２０に導通
される。

【００２５】よって、この圧力センサ１０をパッケージ
ングする際に、例えば支持基板２０をリード端子等に接
触することにより、ワイヤボンディングする必要がなく
なり、圧力センサのパッケージング工程を簡単なものと
することができる。さらには、第１の実施の形態のよう
に固定電極５に連続する引出線８が不要となるので、凹
溝９及びそれを封止する樹脂が要らなくなる。その結
果、半導体基板１と絶縁基板２との接合面を完全に面接
触させることができ、圧力室６内の気密性がより向上す
る。

【００２６】また、本発明に係る静電容量型圧力センサ
の第１，第２の実施の形態において、支持基板を＜１０
０＞シリコンを用いて形成することにより、圧力導入通
路となる溝２２を容易に形成することができる。つま
り、シリコン基板の表面（接合面となる部分）が（１０
０）面とすると、係る（１００）面が基板表面と垂直方
向にエッチングされていき、エッチングレートの遅い
（１１１）面が現れるとその＜１１１＞面方向にはエッ
チングされない。よって、表面が（１００）面とする
と、その表面に対して所定の傾斜面が（１１１）面とな
るので、エッチングが進むに連れて露出する（１００）
面の面積が小さくなり、（１１１）面が増大する。そし
て、最終的に（１００）が消失すると、露出面はすべて
（１１１）となるので、エッチングが終了する。つま
り、溝の形成領域以外の面をマスクし一定時間以上ウエ
ットエッチングを行うことにより、図３に示すような縦
断面が三角形状の溝２２を簡単に製造することができ
る。

【００２７】また、溝２２の形状としては、１本の直線
状としてもよいし、その他の適宜の形状としてもよい。
一例を示すと、図４のように、溝２２の開口部２２ａに
対し、中間部分２２ｂを少し狭くし、さらにその中間部
分２２ｂに溝２２の配置方向に沿って平行に２本の仕切
壁２２ｃを形成することにより、その両側にスリット２
２ｄを形成するように構成できる。これにより、中間部
分２２ｂで一段狭くなることによりごみの侵入を阻止で
き、さらに、スリット２２ｄを設けることにより、その
ごみの侵入の阻止率が向上する。

【００２８】さらにまた、図５（Ａ）に示すように、通
路を蛇行させるようにしたり、或いは、同図（Ｂ）に示
すように、単純に中間部分２２ｂ′の幅を大きく狭める
ことにより、溝２２の奥までごみ等が侵入しないように
している。これにより、圧力室６内へのごみ等の侵入を
可及的に抑制できるようになる。

【００２９】図６，図７は、本発明に係る静電容量型圧
力センサのパッケージ構造の第１の実施の形態を示して
いる。本形態では、図１に示す圧力センサ１０をパッケ
ージ３０内に実装することにより構成されている。すな
わち、パッケージ３０は、上部開放した筐体からなり、
その底面に一段低くなった凹部３１が形成されている。
この凹部３１内に圧力センサ１０の絶縁基板２と支持基
板２０の突出部分（半導体基板１が存在しない部分）が
符合するようになっている。そして、この凹部３１の底
面中央に貫通孔３１ａが形成されている。また、パッケ
ージ３０の底面外側には、上記貫通孔３１ａに連続する
ようにして圧力導入管３２が突出形成されている。

【００３０】そして、係るパッケージ３０の凹部３１内
に圧力センサ１０の絶縁基板２，支持基板２０を挿入す
る。この時、凹部３１の内形状と、圧力センサ１０の挿
入部分の外形上とを略一致させているので簡単に位置合
わせしつつ挿入できる。そして、その挿入した状態で
は、凹部３１の貫通孔３１ａと、圧力センサ１０の圧力
導入経路を構成する溝２２とが対向するようにしてい
る。そして、この様に圧力センサ１０を凹部３１の底面
に接触させた状態で両者をダイボンディング樹脂３３に
て密封固定する。このダイボンディング樹脂３３は、貫
通孔３１ａ，溝２２の開口を閉塞しないようにし、かつ
その周囲を全周にわたって塗布することにより、気密性
を確保しつつ圧力センサ１０とパッケージ３０を一体化
している。

【００３１】さらに、図７を見ると明らかなように、パ
ッケージ３０には、水平方向に延びる２本のリード端子
３５ａ，３５ｂを設けており、圧力センサ１０を凹部３
１内に符合させて装着した状態では、その圧力センサ１
０に設けた固定電極５と接続される引出線８の先端がリ
ード端子３５ａと接触し、可動電極４と導通する引出線
２３の先端がリード端子３５ｂと接触する。

【００３２】そして、このリード端子３５ａ，３５ｂ
は、先端３５ａ′，３５ｂ′がパッケージ３０の凹部３
１の内壁面に位置されており、その先端３５ａ′，３５
ｂ′が、凹部３１の内壁面と圧力センサ１０の絶縁基板
２との間で挟み込まれることにより、対応する引出線
８，２３と密着するようになっている。この時、リード
端子３５ａ，３５ｂにバネ性を持たせておくことによ
り、導電性樹脂などを用いることなく電気的に導通を図
ることができる。もちろん、導電性樹脂を用いてリード
端子３５ａ，３５ｂと各引出線８，２３を確実に固定す
るようにしてもよい。

【００３３】図８は、本発明に係る静電容量型圧力セン
サのパッケージ構造の第２の実施の形態を示している。
本実施の形態では、装着する圧力センサ１０の構造を第
１の実施の形態のものと異ならせたため、それに応じて
一部を修正している。つまり、第１の実施の形態では、
絶縁基板２の露出表面に固定電極用と可動電極用の２本
の引出線を設けたが、本実施の形態では、従来例と同様
に、引出線８は固定電極５と連続するもののみ形成し、
可動電極４との導通は、半導体基板１の表面から行うよ
うにしている。

【００３４】これに伴い、パッケージ３０に取りつける
リード端子３６ａ，３６ｂの位置を異ならせている。具
体的には、可動電極４用のリード端子３６ｂをパッケー
ジ３０の凹部３１よりも上方所定位置に設置し、半導体
基板１の表面に接触するようにしている。なお、固定電
極５用のリード端子３６ａは、第１の実施の形態におけ
るリード端子３５ａと同様である。そして、本形態で
は、各リード端子３６ａ，３６ｂを導電性樹脂３７を用
いて確実に固定を図るようにしている点でも第１の実施
の形態と相違する。

【００３５】なお、その他の構成並びに作用効果は、上
記した第１の実施の形態と同様であるので、同一符号を
付し、その詳細な説明を省略する。

【００３６】図９は、本発明に係る静電容量型圧力セン
サのパッケージ構造の第３の実施の形態を示している。
本実施の形態は、上記した各実施の形態と相違して、パ
ッケージ４０の側方から圧力測定媒体を供給するような
構造としている。すなわち、パッケージ４０の側面下側
に貫通孔４０ａを設け、その貫通孔４０ａに連続して側
方外側に突出するように圧力導入管４２を設けている。

【００３７】そして、圧力センサ１０は、支持基板２０
を底面側になるようにパッケージ４０内に挿入する。そ
して、支持基板２０がパッケージ４０の底面に接した状
態では、支持基板２０に設けた溝２２とパッケージ４０
に設けた貫通孔３０ａとが対向するように位置合わわさ
れている。そして圧力センサ４０は接着剤などにより固
定される。さらに本形態は、パッケージ４０の側壁上端
に内側に突出する突出部４３が形成され、その突出部４
３と半導体基板１０とが接触し上方への離脱を抑制する
ように機能する。

【００３８】さらに本形態におけるリード電極４５ａ，
４５ｂは、それぞれパッケージ４０の内壁面に沿って形
成され、固定電極用のリード端子４５ａは、導電性樹脂
４６により引出線８の先端に接続されている。また、可
動電極用のリード端子４５ｂは、半導体基板１の側面に
密着することにより接続されている。

【００３９】係る構成にすると、圧力導入管４２をパッ
ケージ４０の側方にさせることができるので、パッケー
ジ全体の高さを低く抑えることができるとともに、圧力
導入管４２にチューブを装着することを考えると、さら
に小型・薄型化ができる。

【００４０】図１０は、本発明に係る静電容量型圧力セ
ンサのパッケージ構造の第４の実施の形態を示してい
る。本実施の形態は、上記した各実施の形態と相違し
て、実装する圧力センサの形態を異ならせている。つま
り、固定電極５の外部取り出しを支持基板２０側から行
うようにした圧力センサの第２の実施の形態のものを適
用している。すなわち、パッケージ５０の底部に形成し
た凹部５１内に圧力センサ１０の絶縁基板２と支持基板
２０を挿入し、ボンディング樹脂５３で接着一体化す
る。これにより、パッケージ５０の底面外側に形成した
圧力導入管５２を介して供給される圧力測定対象媒体
は、そのまま溝２２から圧力導入孔７を介して圧力室６
に供給される。

【００４１】そして、リード端子５５ａ，５５ｂは、そ
れぞれパッケージ５０の内壁面に実装され、リード端子
５５ａは支持基板２０の下面に導電性樹脂５６を介して
接着され、リード端子５５ｂは半導体基板１の上面に導
電性樹脂５６を介して接着される。これにより、ボンデ
ィングワイヤを用いることなくリード端子と各電極とを
導通させることができる。

【００４２】図１１は、本発明に係る静電容量型圧力セ
ンサのパッケージ構造の第５の実施の形態を示してい
る。本実施の形態は、第４の実施の形態と同様に、支持
基板２０側から固定電極５の配線の引き出しを行うタイ
プのもので、パッケージング構造としては第３の実施の
形態を基本とする。

【００４３】つまり、第３の実施の形態では、リード端
子４５ａを固定電極５の引出線と接続するようにした
が、本実施の形態では導電性樹脂４６を用いて支持基板
２０と特に接着するようにしている。なお、その他の構
成並びに作用効果は、上記した各実施の形態（特に第３
の実施の形態）と同様であるので、同一符号を伏しその
詳細な説明を省略する。

【００４４】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る静電容量型
圧力センサでは、圧力測定対象ガスを導入するための圧
力導入孔の開口側に支持基板を接合し、係る支持基板の
絶縁基板との接合面に凹溝を形成することによって、係
る支持基板と絶縁基板間に、圧力導入孔と垂直方向にの
びる圧力導入通路が形成される。よって、圧力導入孔と
圧力導入通路によって、圧力測定対象ガスの通る経路
は、断面形状が略Ｌ字型となる。圧力測定対象ガスの通
る距離を長くすることができるので、圧力測定対象ガス
に含まれているごみ等がセンサ内部に侵入することを可
及的に妨ぐことができる。そして、センサをパッケージ
ングするときにパッケージ底面に断面形状が略Ｌ字型の
圧力導入経路を形成する必要がなくなるので、センサの
パッケージングを容易に行うことができる。

【００４５】また、支持基板に凹溝を形成するだけなの
で、パッケージングされたセンサを低くすることがで
き、センサのパッケージ構造を小型にすることができ
る。

【００４６】また、係るセンサをパッケージングする際
には、予めパッケージにリード端子を設けることによっ
て、センサにおける固定電極，可動電極の引き出し線を
ワイヤボンディングする作業の必要がなくなり、より容
易にセンサをパッケージングすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は本発明に係る静電容量型圧力センサの
第１の実施の形態を説明するための図である。（Ｂ）は
そのＢ−Ｂ断面図である。

【図２】本発明に係る静電容量型圧力センサの第２の実
施の形態を説明するための図である。

【図３】＜１００＞シリコンに対してエッチングを行っ
たときの状況を説明するための図である。

【図４】（Ａ）は本発明に係る静電容量型圧力センサに
おける凹の平面形状の１例を示す図である。（Ｂ）はそ
の側面図である。

【図５】本発明に係る静電容量型圧力センサにおける凹
平面形状の他の例を示す図である。

【図６】本発明に係る静電容量型圧力センサのパッケー
ジ構造の第１の実施の形態を説明するための図である。

【図７】本発明に係る静電容量型圧力センサのパッケー
ジ構造の第２の実施の形態を説明するための図である。

【図８】本発明に係る静電容量型圧力センサのパッケー
ジ構造の第３の実施の形態を説明するための図である。

【図９】図８に示すセンサを９０度異なる方向から見た
断面図である。

【図１０】本発明に係る静電容量型圧力センサのパッケ
ージ構造の第４の実施の形態を説明するための図であ
る。

【図１１】本発明に係る静電容量型圧力センサのパッケ
ージ構造の第５の実施の形態を説明するための図であ
る。

【図１２】（Ａ）は従来の静電容量型圧力センサの構造
を説明するための図である。（Ｂ）はその平面図であ
る。

【図１３】（Ａ）は従来の静電容量型圧力センサのパッ
ケージ構造を説明するための図である。（Ｂ）はその平
面図である。

【図１４】（Ａ）は従来の他の静電容量型圧力センサの
パッケージ構造を説明するための図である。（Ｂ）はそ
の平面図である。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ 絶縁基板 ３ ダイアフラム ４ 可動電極 ５ 固定電極 ６ 圧力室 ７ 圧力導入孔 ２０ 支持基板 ２２ 凹溝（圧力導入通路） ３０，４０，５０ パッケージ ３５ａ，３６ａ，４５ａ，５５ａ 固定電極用リード線 ３５ｂ，３６ｂ，４５ｂ，５５ｂ 可動電極用リード線

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 片面に固定電極が形成された絶縁基板
   と、ダイアフラムが設けられた半導体基板とが接合さ
   れ、 前記絶縁基板の反対面に支持基板が接合されて一体化さ
   れ、 前記絶縁基板に厚さ方向を貫通して圧力導入孔が形成さ
   れ、 前記支持基板の前記絶縁基板との接合面に溝が設けら
   れ、 前記溝は前記圧力導入孔の形成位置を含むように形成さ
   れたことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
2. 【請求項２】 前記溝は、その中間部分に異物の侵入を
   阻止するトラップ部を設けたことを特徴とする請求項１
   に記載の静電容量型圧力センサ。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の静電容量型圧
   力センサと、 その静電容量型圧力センサの一部を符合状態で装着する
   パッケージと、 前記パッケージに取り付けた可動電極用リード端子及び
   固定電極用リード端子とを備え、 前記両リード端子と、前記静電容量型圧力センサの所定
   位置とを接触させることにより、対応する電極との導通
   を図るようにしたことを特徴とする静電容量型圧力セン
   サのパッケージ構造。