JPH1124107A

JPH1124107A - ディスプレイ及びディスプレイを備えた装置

Info

Publication number: JPH1124107A
Application number: JP19650097A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Otani; 久大谷; Jun Koyama; 潤小山
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1997-07-07
Filing date: 1997-07-07
Publication date: 1999-01-29
Anticipated expiration: 2017-07-07
Also published as: JP3892115B2

Abstract

(57)【要約】【課題】透過型のアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、ブラックマトリクスと画素電極のコンタク
ト部とが接触してしまう問題を回避する。【解決手段】ブラックマトリクスを構成する遮光材料
を顔料を含有させ、遮光性を持たせた樹脂材料１１４で
もって構成する。そしてこの樹脂材料に直接開口１１９
を形成し、そこで画素電極１２０と薄膜トランジスタと
のコンタクトを行わせる。こうすることにより、ブラッ
クマトリクスを金属材料でもって構成していた場合にお
ける画素電極とブラックマトリクスとの接触の問題を解
決することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本明細書で開示する発明は、アク
ティブマトリクス型の液晶ディスプレイの構造に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス型の液晶ディスプ
レイが知られている。これは、マトリクス状に配置され
た各画素に薄膜トランジスタ（ＴＦＴと称される）を配
置した構造を有している。

【０００３】液晶ディスプレイには、反射型と透過型と
の２つの形式がある。一般に透過型の液晶ディスプレイ
においては、画素に周辺部の縁の領域における液晶の配
向不良による表示のぼけを抑制するためにブラックマト
リクス（ＢＭと称される）という遮蔽膜を配置する構成
が必要とされる。

【０００４】ブラックマトリクスには、画素に配置され
るＴＦＴを遮蔽する役割もある。図６に示すのは、従来
の透過型アクティブマトリクスディスプレイの画素部分
の断面、特にＴＦＴが配置されている部分の断面であ
る。

【０００５】図６において、２００と２０２は樹脂膜で
ある。樹脂膜を用いるのは、その表面を平坦にできるか
らである。

【０００６】２０１がブラックマトリクスの一部であ
る。図６においては、ブラックマトリクス２０１はＴＦ
Ｔを遮蔽する役割を有している。

【０００７】２０４はコンタクト用の開口であり、ここ
でＩＴＯ電極２０３がＴＦＴのドレイン電極２０６に開
口２０４を介してコンタクトしている。

【０００８】ブラックマトリクスは遮光性を有する金属
材料でもって構成されている。ブラックマトリクスは、
画素電極２０３と接触してはいけないので、２０５で示
す部分では、多少のマージンをもってパターンが形成さ
れている。

【０００９】この構成においては、ブラックマトリクス
２０１と画素電極２０３との接触が問題となる。といっ
て合わせマージンを大きくとると、ブラックマトリクス
の遮光膜として機能が損なわれてしまう。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本明細書で開示する発
明は、上述するブラックマトリクスと画素電極とが接触
してしまう問題を解決することを課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の一つは、薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに
接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタと前記画
素電極との間に形成された遮光性を有する樹脂材料でな
る膜と、を有し、前記樹脂材料でなる膜には、前記画素
電極と前記薄膜トランジスタとを接続するための開口
と、画素に対応する領域に形成された開口と、が形成さ
れていることを特徴とするディスプレイである。

【００１２】上記構成の具体的な例を図５に示す。図５
には、薄膜トランジスタの不純物領域にドレイン電極１
１０（容量を構成する一方の導電膜パターン）が接続さ
れ、さらにこの電極１１０に画素電極１２０が開口１１
９において接続されている。

【００１３】１１４が遮光性を有する樹脂膜であり、こ
の樹脂膜に形成された開口１１９において、薄膜トラン
ジスタの不純物領域にコンタクトした電極１１０に画素
電極１２０がコンタクトしている。結果として、画素電
極１２０は薄膜トランジスタの不純物領域に接続（電気
的に接続）された状態となっている。

【００１４】また、樹脂膜１１４には、薄膜トランジス
タと画素電極１２０とを接続するための開口１１９の他
に画素に対応する領域に形成した開口１１６（図３参
照）が形成されている。

【００１５】こうした構成を採用することで、図５
（Ｂ）の１２２で示される部分において、画素電極１２
０とブラックマトリクスとして機能する樹脂膜１１４と
の形成マージンやショートの問題に関する懸念を排除し
た透過型の液晶ディスプレイを得ることができる。

【００１６】本明細書において画素というのは、表示に
際してパネルを透過する光の光学変調に寄与する領域の
ことをいう。画面面積に対する画素の総面積の割合が開
口率となる。画素とならない領域の例としては、配線、
薄膜トランジスタの閉める領域、ブラックマトリクスに
よって遮蔽される領域を挙げることができる。

【００１７】上記構成においては、図３に示されるよう
に樹脂膜１１４に開口１１５を形成し、この部分に補助
容量を形成する。また開口１１５は、ＴＦＴの上方（活
性層の上方）に形成される。こうすることで、大容量の
補助容量を形成することができ、しかも画素の開口率を
低下させない構成とすることができる。

【００１８】開口１１５は、薄膜トランジスタの活性層
の少なくとも一部の領域に重なった領域に形成すること
が好ましい。そして、補助容量の他方の電極を構成する
容量線１１７（図４参照）を薄膜トランジスタの活性層
の大部分に重なるようにして形成することが好ましい。

【００１９】ここでいう大部分というのは、面積比率で
５０％以上、好ましくは７５％以上であることをいう。
この面積比率が大きい方が開口率を高める上では好まし
い。

【００２０】このような構成とすることで、補助容量を
形成した場合に問題となる開口率の低下を抑制すること
ができる。

【００２１】また、この構成では、薄膜トランジスタの
不純物領域（ドレイン領域）１０４（図１参照）に接続
されたドレイン電極１１０と容量線１１７との間の誘電
体膜１１３を薄く、また誘電率の高い材料とすることが
できるので、高い容量を確保することができる。

【００２２】以上の構成は、そのような構成を有するデ
ィスプレイを備えた装置としても有用なものとなる。即
ち、高開口率であるが故に高い画質を備えたディスプレ
イを備えた携帯情報端末等の装置として構成も発明に含
まれる。

【００２３】

【発明の実施の形態】図５の１１４で示されるように層
間絶縁膜の一部を遮光性の樹脂材料でもって構成する。
この樹脂層１１４は図４に示されるように画素領域を取
り囲むようにパターニングされ、ブラックマトリクスと
して機能する。

【００２４】この構成では、ブラックマトリクス１１４
に直接開口を形成し、そこで画素電極１２０のコンタク
トが形成される。こうすることで従来において必要とさ
れていた画素電極のコンタクト用の開口部におけるブラ
ックマトリクスとの位置合わせマージンを省くことがで
きる。

【００２５】また、従来技術において問題となっていた
画素電極とブラックマトリクスとの接触によるショート
の問題を懸念する必要がないものとすることができる。

【００２６】図５に示す構成では、図３に示すようにブ
ラックマトリクスとなるパターン１１４の画素電極が設
けられる領域１１６と補助容量が設けられる領域１１５
とでパターンが設けられていない構造となっている。

【００２７】特に１１５で示される領域には、ブラック
マトリクスを構成する樹脂材料が設けられておらず、こ
の部分で補助容量が形成される構造となっている。この
補助容量は、画素ＴＦＴの上部に形成される。

【００２８】こういう構成を採用することで、透過型の
液晶表示装置において、大きな容量を形成でき、しかも
画素の開口率の低下を抑制したものとすることができ
る。

【００２９】

【実施例】

〔実施例１〕本実施例では、透過型のアクティブマトリ
クス型液晶パネルを構成するＴＦＴ基板側の作製工程を
示す。

【００３０】ＴＦＴ基板側というのは、アクティブマト
リクス回路や周辺駆動回路が設けられた基板側のことで
ある。

【００３１】図１〜図５に本実施例の作製工程を示す。
なお、各図において、上側の図の点線で切った断面が下
側に示されている。

【００３２】まず図１（Ｂ）に示すようにガラス基板１
００上に結晶性珪素膜でなる活性層１０１を形成する。
ここでは活性層１０１の膜厚を５０ｎｍとする。

【００３３】なお、図１において図１（Ａ）のＡ−Ａ’
で切った断面が図１（Ｂ）である。

【００３４】ガラス基板は、その表面に酸化珪素膜や酸
化窒化珪素膜等の下地膜が成膜されているものを用いて
もよい。また、基板としては、石英基板や絶縁膜が成膜
された半導体基板を用いてもよい。（これら本明細書に
開示する発明に利用できる基板を総称して絶縁表面を有
する基板と称する）

【００３５】結晶性珪素膜の作製方法としては以下のよ
うな例を挙げることができる。まず、非晶質珪素膜を減
圧熱ＣＶＤ法で成膜する。次にレーザー光の照射を行う
ことにより、この非晶質珪素膜を結晶化させ、結晶性珪
素膜とする。

【００３６】結晶性珪素膜を得たら、それをパターニン
グして活性層のパターン１０１を形成する。

【００３７】活性層パターン１０１を形成したら、ゲイ
ト絶縁膜として機能する酸化珪素膜１０２をプラズマＣ
ＶＤ法により、１００ｎｍの厚さに成膜する。

【００３８】さらにタングステンシリサイド材料を用い
てゲイト電極１０３（ゲイト配線）を形成する。

【００３９】ゲイト電極を構成する材料としては、各種
シリサイド材料、アルミニウム、タンタル、さらにはそ
れらの膜の積層膜等を用いることができる。

【００４０】ゲイト電極１０５を形成したら、ゲイト電
極のパターンをマスクとして不純物イオンの注入を行
う。

【００４１】この工程は、以下の２種類の方法を用いる
ことができる。

【００４２】（１）イオン注入法と称される方法。これ
は、質量分離を行って、ドーパントの選別を行い、選別
されたドーパント元素を加速注入する方法である。

【００４３】（２）プラズマドーピング法と呼ばれる方
法。これは、質量分離を行わなず、プラズマ中から引き
出されたイオン化したドーパント元素を加速注入する方
法。

【００４４】このドーピング工程において、図１（Ａ）
の活性層パターン１０１の露呈した領域にドーピングが
行われる。

【００４５】ここでは、Ｎチャネル型のＴＦＴを作製す
るためにＮ型を付与する不純物のドーピングを行う。こ
こではＮ型を付与する不純物として燐（Ｐ）を用いる。

【００４６】もしＰチャネル型のＴＦＴを作製するので
あれば、Ｐ型を付与する不純物のドーピングを行う。Ｐ
型を付与する不純物としては、ボロン（Ｂ）を挙げるこ
とができる。

【００４７】ドーピングが終了したらレーザー光の照射
を行い、ドーパントの活性化と被ドーピング領域の結晶
性の回復とを行う。

【００４８】こうして図１（Ｂ）に示す状態を得る。こ
の状態では、１０４と１０６の領域が不純物領域とな
る。特に１０４の領域がＴＦＴのドレイン領域となる。
また、１０５の領域はチャネル領域となる。

【００４９】図１（Ｂ）の状態を上面から見たものを図
１（Ａ）に示す。

【００５０】本実施例に示すＴＦＴは、ゲイト配線１０
３が活性層１０１を３ヶ所で横切っている。このゲイト
配線１０３が横切った部分の活性層の領域がチャネル領
域となる。チャネル領域の一つは、図１（Ｂ）の１０５
で示される領域である。

【００５１】この構造では、活性層中にチャネル領域が
３ヶ所設けられる。このような構造は、等価的に３つの
ＴＦＴが直列に接続されたものと見ることができる。

【００５２】次に図２（Ｂ）に示すように層間絶縁膜と
して窒化珪素膜１０７を２００ｎｍの厚さにプラズマＣ
ＶＤ法でもって成膜する。

【００５３】そして、アクリル樹脂膜１０８をスピンコ
ート法でもって成膜する。アクリル樹脂膜は表面が平坦
化されるように成膜する。またその膜厚は、最小の部分
で７００ｎｍとなるようにする。（図２（Ｂ））

【００５４】次にコンタクトホール１０９を形成する。
そして図示しない金属膜を成膜し、それをパターニング
することにより、１１０で示すパターンと１１１で示す
パターンとを形成する。

【００５５】パターン１１０と１１１とを構成する金属
膜は、８０ｎｍ厚のチタン膜と４００ｎｍ厚のアルミニ
ウム膜と８０ｎｍ厚のチタン膜とを積層したものを用い
る。なお、各膜はスパッタ法で成膜する。

【００５６】ここで、１１０のパターンは、ＴＦＴのド
レイン領域にコンタクト用の開口１０９でコンタクトし
たドレイン電極である。このパターン１１０は、後に補
助容量の一方の電極として機能する。また、ＴＦＴを遮
光する遮光膜としても機能する。

【００５７】１１１のパターンは、ソース線であり、Ｔ
ＦＴのソース領域にコンタクト用の開口１１２でコンタ
クトしている。このソース線１１１に画素に供給する信
号電圧が供給される。

【００５８】ソース線１１１は、ゲイト線１０３と組と
なってアクティブマトリクス領域に格子状に配置され
る。

【００５９】図２において、図２（Ａ）のＢ−Ｂ’で切
った断面が図２（Ｂ）に示されている。

【００６０】図２に示す状態を得たら、図３（Ｂ）に示
すように窒化珪素膜１１３を５０ｎｍの厚さにプラズマ
ＣＶＤ法でもって成膜する。

【００６１】さらに黒い顔料を含有させた図示しないア
クリル樹脂膜を成膜する。そして、この樹脂膜をパター
ニングすることにより、図３の１１４で示すパターンを
形成する。

【００６２】樹脂膜パターン１１４は、ブラックマトリ
クスとして機能する樹脂膜である。この樹脂膜パターン
１１４には、画素電極が形成される部分１１６と補助容
量が形成される部分１１５に開口が形成され、その部分
で窒化珪素膜１１３が露呈している。（その部分のパタ
ーンが抜かれている）

【００６３】ブラックマトリクスとして機能する樹脂膜
１１４は、後に形成される画素電極の周縁の縁に一部重
なるように形成される。

【００６４】次に図示しないチタン膜を４００ｎｍの厚
さに成膜する。そしてその膜をパターニングすることに
より、１１７で示すパターンを形成する。（図４）

【００６５】この１１７で示すパターンは、容量線であ
り、ソース線１１１に平行に（形成される層が異なる
が）形成される。そして各画素において、画素ＴＦＴの
ドレイン電極１１０を一方の電極とし、この容量線を他
方の電極として、補助容量が形成される。この窒化珪素
膜１１３がこの補助容量の誘電体膜となる。

【００６６】図４の樹脂膜１１４に形成される開口部１
１５において、ドレイン電極１１０と容量線パターン１
１７とは、窒化珪素膜１１３を介して補助容量を形成し
ている。

【００６７】この補助容量は、ＴＦＴが設けられた領域
上にほぼ重なって形成されるので、画素の開口率の低下
を防ぐことができる。また、この補助容量によって画素
ＴＦＴが遮光される構造となる。

【００６８】なお、図４（Ａ）のＤ−Ｄ’で切った断面
が図４（Ｂ）で示される。

【００６９】次に図５に示されるように第２のアクリル
樹脂膜１１８を成膜する。そして、開口１１９を形成
し、さらに図示しないＩＴＯ膜を成膜する。そしてこの
ＩＴＯ膜をパターニングして、１２０及び１２１で示さ
れるパターンを形成する。

【００７０】１２０及び１２１のＩＴＯパターンは、図
５（Ａ）に示されるように上下に隣合う画素電極のパタ
ーンである。ＩＴＯ以外には、一般に透明導電膜と称さ
れる透過性の導電膜を用いることができる。

【００７１】なお、図５において、（Ａ）のＥ−Ｅ’で
切った断面が図５（Ｂ）である。

【００７２】本実施例では、図５（Ｂ）の１２２で示す
部分において、画素電極１２０のコンタクト開口１１９
がブラックマトリクスを構成する樹脂膜１１４に直接形
成される構造となっている。

【００７３】こうすることで、コンタクト部におけるブ
ラックマトリクス１１４と画素電極１２０とを合わせマ
ージン等を考慮する必要がないものとすることができ
る。

【００７４】また、画素電極とブラックマトリクスとが
ショートしてしまうような問題もない。

【００７５】本実施例では、透過型の液晶パネルでブラ
ックマトリクスとして絶縁性の樹脂材料を用い、画素電
極のコンタクト部の開口をこの樹脂材料に直接形成して
いるので、画素電極とＴＦＴとのコンタクト部における
位置合わせマージンの問題や画素電極とブラックマトリ
クスとのショートの問題を回避することができる。

【００７６】また、ブラックマトリクスを構成する樹脂
膜に、（１）画素電極のＴＦＴへのコンタクト用の開口（２）画素電極部分に対応する領域の開口（３）補助容量を形成するための開口を形成することにより、透過型の液晶パネルとすること
ができる。

【００７７】また、ＴＦＴの上方に重なるようにして補
助容量を形成することで、画素の開口率を最大限高める
ことができる。即ち、補助容量を設けることで発生する
画素の開口率の低下を抑制することができる。

【００７８】〔実施例２〕本実施例は、実施例１に示す
構成において、ＴＦＴの構造をボトムゲイト型とした場
合の例を示す。

【００７９】図７に本実施例の構造を示す。図７におい
て、（Ａ）のＥ−Ｅ’で切った断面を（Ｂ）に示す。

【００８０】図７において、図１と同じ符号が付与され
ている部分は、実施例１に示すものと同じである。

【００８１】図７に示す構成で特徴とするのは、ＴＦＴ
をボトムゲイト型のものとした点である。

【００８２】ボトムゲイト型のＴＦＴは、ゲイト電極７
０３を覆ってゲイト絶縁膜７０２が設けられ、さらに一
導電型とされた不純物領域７０２と７０４、さらにチャ
ネル領域となる７０５が形成された活性層が設けられた
構造を有している。

【００８３】活性層のパターンは、実施例１に示したも
のと同様なものとなっている。即ち、図１の１０１で示
すものであるような形状を有し、ゲイト線が３ヶ所で交
差し、その部分でチャネル領域が形成されているような
構造を有している。

【００８４】本実施例においては、不純物領域を不純物
イオンのドーピングによって形成したものとなってい
る。

【００８５】〔実施例３〕本実施例では、発明を利用し
た装置の例を示す。図８（Ａ）に示すのは、携帯型の情
報処理端末である。この情報処理端末は、本体２００１
にアクティブマトリクス型の液晶ディスプレイまたはア
クティブマトリクス型のＥＬディスプレイ、集積化回
路、さらに外部から情報を取り込むためのカメラ部２０
０２を備えている。

【００８６】カメラ部２００２には、受像部２００３と
操作スイッチ２００４が配置されている。

【００８７】情報処理端末は、今後益々その携帯性を向
上させるために薄く、また軽くなるもと考えられてい
る。

【００８８】このような構成においては、アクティブマ
トリクス型のディスプレイ２００５が形成された基板上
周辺駆動回路や演算回路や記憶回路がＴＦＴでもって集
積化されることが好ましい。

【００８９】さらに高微細な表示を明るい画面でしかも
低消費電力で実現するため、より高い開口率を有したア
クティブマトリクス型表示装置が必要とされる。

【００９０】このような要求を満たす液晶表示装置とし
て、他の実施例で示すような構成を採用することは有用
である。

【００９１】図８（Ｂ）に示すのは、ヘッドマウントデ
ィスプレイである。この装置は、アクティブマトリクス
型の液晶ディスプレイやＥＬディスプレイ２１０２を本
体２１０１に備えている。また、本体２１０１は、バン
ド２１０３で頭に装着できるようになっている。

【００９２】図８（Ｃ）に示すのは、カーナビゲーショ
ン装置である。この装置は、本体２２０１に液晶表示装
置２２０２と操作スイッチ２２０３を備え、アンテナ２
２０４で受診した信号によって、地理情報等を表示する
機能を有している。

【００９３】図８（Ｄ）に示すのは、携帯電話である。
この装置は、本体２３０１にアクティブマトリクス型の
液晶表示装置２３０４、操作スイッチ２３０５、音声入
力部２３０３、音声出力部２３０２、アンテナ２３０６
を備えている。

【００９４】また、最近は、（Ａ）に示す携帯型情報処
理端末と（Ｄ）に示す携帯電話とを組み合わせたような
構成も商品化されている。

【００９５】図８（Ｅ）に示すのは、携帯型のビデオカ
メラである。これは、本体２４０１に受像部２４０６、
音声入力部２４０３、操作スイッチ２４０４、アクティ
ブマトリクス型の液晶ディスプレイ２４０２、バッテリ
ー２４０５を備えている。

【００９６】ここでは、液晶表示装置としては、透過型
のものを用いることとなる。

【００９７】〔発明に関するその他の構成に関して〕本
明細書で開示する発明においては、ＴＦＴの形式として
特に限定されるものではない。また、活性層を構成する
半導体の種類やその結晶性に関しても特に限定されるも
のではない。

【００９８】また、ＬＤＤ技術やオフセット技術、さら
にはチャネルドーピング技術等の改良技術を備えたＴＦ
Ｔであってもよい。これは、必要に応じて適時選択する
ことができる。

【００９９】また本明細書で開示する発明は、透過型の
アクティブマトリクス型液晶ディスプレイであれば利用
することができ、周辺駆動回路が外付け型であるか内蔵
型であるかは問われない。

【０１００】

【発明の効果】本明細書で開示する発明を採用すること
により、金属材料でなるＢＭと画素電極とが接触してし
まう問題を解決することができる。また作製工程を簡略
化することができる。

【０１０１】そして高い開口率を有し、しかも高い生産
歩留りを有する透過型の液晶ディスプレイを得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明を利用したアクティブマトリクス型液晶
ディスプレイの画素領域の作製工程を示す図。

【図２】発明を利用したアクティブマトリクス型液晶
ディスプレイの画素領域の作製工程を示す図。

【図３】発明を利用したアクティブマトリクス型液晶
ディスプレイの画素領域の作製工程を示す図。

【図４】発明を利用したアクティブマトリクス型液晶
ディスプレイの画素領域の作製工程を示す図。

【図５】発明を利用したアクティブマトリクス型液晶
ディスプレイの画素領域の作製工程を示す図。

【図６】従来の技術におけるアクティブマトリクス型
液晶ディスプレイの画素領域を示す図。

【図７】発明を利用したアクティブマトリクス型液晶
ディスプレイの画素領域の作製工程を示す図。

【図８】発明を利用した装置の例を示す図。

【符号の説明】

１００ガラス基板１０１活性層パターン１０２ゲイト絶縁膜１０３ゲイト電極（ゲイト配線）（活性層との
交差部がゲイト電極）１０４不純物領域（導電型を付与された領域）１０５チャネル領域１０６不純物領域（導電型を付与された領域）１０７窒化珪素膜（層間絶縁膜）１０８アクリル樹脂膜（層間絶縁膜）１０９コンタクト用の開口１１０ドレイン電極（補助容量の一方の電極）１１１ソース線１１２ＴＦＴのソース領域とソース線とのコン
タクト１１３窒化珪素膜（補助容量の誘電体膜）１１４顔料含有のアクリル樹脂膜でなるブラッ
クマトリクス１１５補助容量用の開口（アクリル樹脂膜に形
成された開口）１１６画素領域に形成された開口１１７容量線（補助容量の他方の電極）１１８アクリル樹脂膜（層間絶縁膜）１１９画素電極のコンタクト用の開口１２０画素電極１２１画素電極１２２コンタクト開口部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に形成され
た遮光性を有する樹脂材料でなる膜と、を有し、前記樹脂材料でなる膜には、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを接続するため
の開口と、画素に対応する領域に形成された開口と、が形成されていることを特徴とするディスプレイ。
【請求項２】薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に形成され
た遮光性を有する樹脂材料でなる膜と、を有し、前記樹脂材料でなる膜には、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを接続するため
の開口と、画素に対応する領域に形成された開口と、補助容量が形成される領域に形成された開口と、が形成されていることを特徴とするディスプレイ。
【請求項３】請求項１または請求項２において、ディスプレイは透過型の液晶ディスプレイであることを
特徴とするディスプレイ。
【請求項４】請求項１または請求項２において、樹脂材
料がブラックマトリクスとして機能することを特徴とす
るディスプレイ。
【請求項５】請求項２において、補助容量が形成される
領域に形成された開口は、薄膜トランジスタの上方に形
成されることを特徴とするディスプレイ。
【請求項６】請求項２において、補助容量が形成される
領域に形成された開口は、薄膜トランジスタの活性層の
少なくとも一部に重なった領域に形成されることを特徴
とする液晶ディスプレイ。
【請求項７】請求項２において、補助容量は、補助容量が形成される領域に形成された開
口内において、画素電極にコンタクトしている導電膜と
該導電膜上に絶縁膜を介して設けられた容量線との間に
形成されたものであることを特徴とする液晶ディスプレ
イ。
【請求項８】請求項７において、容量線は、薄膜トランジスタの活性層の大部分に重なっ
た領域に形成されることを特徴とする液晶ディスプレ
イ。
【請求項９】薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に形成され
た遮光性を有する樹脂材料でなる膜と、を有し、前記樹脂材料でなる膜には、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを接続するため
の開口と、画素に対応する領域に形成された開口と、が形成されていることを特徴とするディスプレイを用い
た装置。
【請求項１０】薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に形成され
た遮光性を有する樹脂材料でなる膜と、を有し、前記樹脂材料でなる膜には、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを接続するため
の開口と、画素に対応する領域に形成された開口と、補助容量が形成される領域に形成された開口と、が形成されていることを特徴とするディスプレイを用い
た装置。
【請求項１１】請求項９または請求項１０において、ディスプレイは透過型の液晶ディスプレイであることを
特徴とするディスプレイを用いた装置。
【請求項１２】請求項９または請求項１０において、樹脂材料がブラックマトリクスとして機能することを特
徴とするディスプレイを用いた装置。
【請求項１３】請求項１０において、補助容量が形成さ
れる領域に形成された開口は、ＴＦＴの上方に形成され
ることを特徴とする液晶ディスプレイを用いた装置。
【請求項１４】請求項１０において、補助容量が形成さ
れる領域に形成された開口は、ＴＦＴの少なくも一部に
重なった領域に形成されることを特徴とする液晶ディス
プレイを用いた装置。
【請求項１５】請求項１０において、補助容量は、補助容量が形成される領域に形成された開
口内において、画素電極にコンタクトしている導電膜と
該導電膜上に絶縁膜を介して設けられた容量線との間に
形成されたものであることを特徴とする液晶ディスプレ
イ。
【請求項１６】請求項１５において、容量線は、薄膜トランジスタの活性層の大部分に重なっ
た領域に形成されることを特徴とする液晶ディスプレ
イ。