JPH11237395A - Rotary sensor and magnetic detection ic for rotary sensor - Google Patents

Rotary sensor and magnetic detection ic for rotary sensor

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JPH11237395A
JPH11237395A JP10040857A JP4085798A JPH11237395A JP H11237395 A JPH11237395 A JP H11237395A JP 10040857 A JP10040857 A JP 10040857A JP 4085798 A JP4085798 A JP 4085798A JP H11237395 A JPH11237395 A JP H11237395A
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JP
Japan
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hall elements
rotation sensor
rotating body
hall
magnetic detection
Prior art date
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Application number
JP10040857A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideo Seki
英男 関
Kenichi One
健一 大根
Ichiro Ishikawa
一郎 石川
Keiji Miura
啓二 三浦
Hisafumi Tate
尚史 楯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honda Motor Co Ltd
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Honda Motor Co Ltd
Hitachi Cable Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the productivity of a rotary sensor by improving the yield of a Hall element, at the same time by easily arranging the Hall element corresponding to the size, the shape, or the like of a rotator. SOLUTION: A rotary sensor is provided with first and second Hall elements H1 and H2 being arranged near a mission gear and an amplification part 200 for amplifying the difference of output voltages from the first and second Hall elements H1 and H2 on a magnetic detection IC 12. The rotary sensor detects the speed of the mission gear with a plurality of cogs in a circumferential direction. In this case, the first Hall element H1, the second Hall element H2, and the amplification part 200 are separately arranged on a GND substrate 100 consisting of a lead frame, and the first and second Hall elements H1 and H2 and the amplification part 200 are electrically wired for connecting.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、円周方向に複数の
歯を有する回転体の少なくともその回転数を検出する回
転センサ及び回転センサ用磁気検出ICに関し、特に、
回転体の回転に伴って変化する磁束を検出して回転体の
回転速度、回転角等を検出するホール素子を用いた回転
センサ及び回転センサ用磁気検出ICに関する。
The present invention relates to a rotation sensor for detecting at least the number of rotations of a rotating body having a plurality of teeth in a circumferential direction, and a magnetic detection IC for the rotation sensor.
The present invention relates to a rotation sensor and a magnetic sensor IC for a rotation sensor using a Hall element that detects a magnetic flux that changes with the rotation of a rotator to detect a rotation speed, a rotation angle, and the like of the rotator.

【0002】[0002]

【従来の技術】ギア等の回転体に沿って設けられた2つ
のホール素子の出力電圧の差分により、回転体の回転数
を検出することは公知である(例えば特開平6−273
437号公報参照)。
2. Description of the Related Art It is known to detect the number of revolutions of a rotator based on a difference between output voltages of two Hall elements provided along a rotator such as a gear (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-273).
No. 437).

【0003】その具体的構成例として、 (1)同一の半導体基板上に2つのホール素子と、各ホ
ール素子からの検出信号を増幅する増幅部を形成したも
の。 (2)1つの半導体基板上に2つのホール素子を形成
し、これらホール素子からの差電圧を検出するもの(例
えば特開平6−164015号公報参照)。 (3)1つの半導体基板上に2つのホール素子を形成
し、この半導体基板とは別に設けた例えば回路基板に前
記2つのホール素子からの検出信号を増幅する増幅部を
設け、両者を電気的に配線接続したもの(例えば特公昭
64−52789号公報参照)。 などが知られている。
[0003] The specific configuration example is as follows: (1) A structure in which two Hall elements and an amplifying section for amplifying a detection signal from each Hall element are formed on the same semiconductor substrate. (2) A device in which two Hall elements are formed on one semiconductor substrate and a voltage difference between these Hall elements is detected (see, for example, JP-A-6-164015). (3) Two Hall elements are formed on one semiconductor substrate, and an amplifying unit for amplifying a detection signal from the two Hall elements is provided on, for example, a circuit board provided separately from the semiconductor substrate. (See, for example, Japanese Patent Publication No. 64-52789). Etc. are known.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の回
転センサにおいては、検出対象である回転体の大きさや
形状等によって2つのホール素子の間隔を変更する必要
がある。具体的には、2つのホール素子の間隔は、回転
体の歯の間隔によって決定され、差動検出タイプにおい
ては、一般に歯の間隔のほぼ1/2に設定される。
In this type of rotation sensor, it is necessary to change the distance between the two Hall elements according to the size and shape of the rotating body to be detected. Specifically, the distance between the two Hall elements is determined by the distance between the teeth of the rotating body. In the differential detection type, the distance is generally set to approximately の of the distance between the teeth.

【0005】しかしながら、従来の回転センサにおいて
は、1つの半導体基板に2つのホール素子を形成するよ
うにしているため、2つのホール素子の間隔を変更する
場合は、マスクパターンを変更する必要がある。
However, in the conventional rotation sensor, two Hall elements are formed on one semiconductor substrate. Therefore, when changing the interval between the two Hall elements, it is necessary to change the mask pattern. .

【0006】つまり、回転体の大きさや形状に合わせて
多数のマスクパターンを用意し、回転体の大きさや形状
等によって決められた回転センサの種類(大きさ等)毎
に異なったマスクパターンで2つのホール素子を形成し
なければならず、マスクの汎用性が低いという問題があ
る。
That is, a number of mask patterns are prepared in accordance with the size and shape of the rotating body, and different mask patterns are used for different types (sizes and the like) of the rotation sensor determined by the size and shape of the rotating body. One Hall element must be formed, and there is a problem that the versatility of the mask is low.

【0007】また、回転体の歯の間隔は、一般的な半導
体のチップサイズと比較して非常に大きいため、同一の
半導体基板上に2つのホール素子を形成する場合は、1
つのチップのサイズを非常に大きくしなければならず、
1枚のウェハから作製されるチップの数が少なくなる。
Further, since the interval between the teeth of the rotating body is very large as compared with the chip size of a general semiconductor, when two Hall elements are formed on the same semiconductor substrate, 1 is required.
One chip must be very large,
The number of chips manufactured from one wafer is reduced.

【0008】特に、前記(3)の構成においては、大き
なサイズを有するチップ(2つのホール素子が形成され
た半導体チップ)の外部に増幅部が設置される構成とな
ることから、どうしても、2つのホール素子と増幅部間
の配線長が長くなり、ノイズに弱くなるおそれがある。
In particular, in the configuration of (3), since an amplification section is provided outside a chip having a large size (a semiconductor chip on which two Hall elements are formed), it is inevitable that two amplifiers are provided. There is a possibility that the wiring length between the Hall element and the amplifying unit becomes long, and the wiring becomes weak to noise.

【0009】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、ホール素子の歩留まりを向上させること
ができ、しかも、回転体の大きさや形状等に応じたホー
ル素子の配置を例えば後工程におけるダイボンディング
工程で容易に行うことができ、回転センサの生産性の向
上を図ることができる回転センサ及び回転センサ用磁気
検出ICを提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such a problem, and can improve the yield of Hall elements, and furthermore, the arrangement of the Hall elements in accordance with the size and shape of the rotating body is, for example, described later. An object of the present invention is to provide a rotation sensor and a magnetic detection IC for the rotation sensor, which can be easily performed in a die bonding step in the process and can improve the productivity of the rotation sensor.

【0010】また、本発明の他の目的は、前記条件に加
えて、ノイズの混入を抑圧することができ、検出精度の
向上を図ることができる回転センサ及び回転センサ用磁
気検出ICを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a rotation sensor and a magnetic detection IC for a rotation sensor which can suppress noise contamination and improve detection accuracy in addition to the above conditions. It is in.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、円周方向に複
数の歯を有する回転体の少なくともその回転数を検出す
る回転センサにおいて、前記回転体に近接して配置され
た2つのホール素子と、前記2つのホール素子からの出
力電圧の差を増幅する増幅部とを有し、リードフレーム
からなる基板上に、前記2つのホール素子と前記増幅部
とをそれぞれ個別に配置し、前記2つのホール素子と前
記増幅部とを電気的に配線接続して構成する。
According to the present invention, there is provided a rotation sensor for detecting at least the number of rotations of a rotating body having a plurality of teeth in a circumferential direction, wherein two Hall elements arranged close to the rotating body are provided. And an amplifying unit for amplifying a difference between output voltages from the two Hall elements, wherein the two Hall elements and the amplifying unit are individually arranged on a substrate formed of a lead frame, and The two Hall elements and the amplifying unit are electrically connected to each other by wiring.

【0012】即ち、2つのホール素子と増幅部をそれぞ
れ別体に構成して、基板上に個別に配置する。
That is, the two Hall elements and the amplifying unit are separately formed, and are individually arranged on the substrate.

【0013】この場合、2つのホール素子の配置方法と
しては、例えば前記回転体の回転方向に沿った方向に所
定間隔をおいて配置する方法が有効であり、特に、回転
体がヘリカルギアである場合においては、前記配置に加
えて、前記回転体のヘリカル角に応じて配置することが
望ましい。
In this case, as a method of arranging the two Hall elements, for example, a method of arranging them at predetermined intervals in a direction along the rotation direction of the rotator is effective. In particular, the rotator is a helical gear. In some cases, in addition to the above arrangement, it is desirable to arrange according to the helical angle of the rotating body.

【0014】このように、本発明に係る回転センサにお
いては、1つの半導体基板上に1つのホール素子を形成
することから、マスクパターンは、回転体の大きさや形
状等によって決められた回転センサの種類(大きさ等)
に依存せず、1つのマスクパターンで済み、汎用性に富
む。また、半導体基板に回転体の歯の間隔に応じたデッ
ドスペースを設ける必要がなくなり、1枚のウェハで作
製されるチップの数を増やすことができる。
As described above, in the rotation sensor according to the present invention, since one Hall element is formed on one semiconductor substrate, the mask pattern is determined by the size and shape of the rotating body. Type (size, etc.)
A single mask pattern suffices, irrespective of the variability. Further, it is not necessary to provide a dead space in the semiconductor substrate according to the interval between the teeth of the rotating body, so that the number of chips manufactured on one wafer can be increased.

【0015】また、例えば後工程(チップを最終製品と
して組立て、選別/検査するまでの工程)におけるダイ
ボンディング工程において、2つのホール素子を基板上
に配置する際に、回転体の大きさや形状等に応じた間隔
で配置することができるため、前工程(ウェハ内にIC
パターンを作るまでの製造工程)の共通化を図ることが
でき、回転センサの生産性の向上を有効に図ることがで
きる。
In a die bonding process in a subsequent process (a process from assembling a chip as a final product to selecting / inspection), when arranging two Hall elements on a substrate, the size, shape, etc. Can be arranged at intervals according to the previous process (IC in the wafer)
It is possible to standardize the manufacturing process until the pattern is formed, and it is possible to effectively improve the productivity of the rotation sensor.

【0016】また、本発明は、円周方向に複数の歯を有
する回転体の少なくともその回転数を検出する回転セン
サに用いられ、該回転体に近接して配置される回転セン
サ用磁気検出ICにおいて、2つのホール素子と該2つ
のホール素子の出力電圧の差を増幅する増幅部とを有
し、リードフレームからなる基板上に前記2つのホール
素子と前記増幅部とをそれぞれ個別に配置し、前記2つ
のホール素子と前記増幅部とを互いに電気的に接続した
状態でモールド樹脂により封止して構成する。
Further, the present invention is used for a rotation sensor for detecting at least the number of rotations of a rotating body having a plurality of teeth in a circumferential direction, and a magnetic detection IC for a rotation sensor disposed close to the rotating body. Wherein two Hall elements and an amplifier for amplifying a difference between output voltages of the two Hall elements are provided, and the two Hall elements and the amplifier are individually arranged on a substrate formed of a lead frame. The two Hall elements and the amplifier are sealed with a mold resin in a state where they are electrically connected to each other.

【0017】これにより、ホール素子を作成するための
マスクパターンは、回転体の大きさや形状等によって決
められた回転センサの種類(大きさ等)に依存せず、1
つのマスクパターンで済み、汎用性に富む。また、半導
体基板に回転体の歯の間隔に応じたデッドスペースを設
ける必要がなくなり、1枚のウェハで作製されるチップ
の数を増やすことができる。
Thus, the mask pattern for forming the Hall element is not dependent on the type (size or the like) of the rotation sensor determined by the size or shape of the rotating body.
It requires only one mask pattern, and is versatile. Further, it is not necessary to provide a dead space in the semiconductor substrate according to the interval between the teeth of the rotating body, so that the number of chips manufactured on one wafer can be increased.

【0018】また、例えば後工程のダイボンディング工
程において、2つのホール素子を基板上に配置する際
に、回転体の大きさや形状等に応じた間隔で配置するこ
とができるため、前工程の共通化を図ることができ、回
転センサの生産性の向上を有効に図ることができる。
Further, for example, in the subsequent die bonding step, when the two Hall elements are arranged on the substrate, they can be arranged at intervals according to the size and shape of the rotating body. Therefore, the productivity of the rotation sensor can be effectively improved.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る回転センサを
例えば自動車のオートマチックトランスミッションにお
けるミッションギアの回転速度や回転数等を検出する回
転センサに適用した実施の形態例(以下、単に実施の形
態に係る回転センサと記す)を図1〜図17を参照しな
がら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment in which a rotation sensor according to the present invention is applied to, for example, a rotation sensor for detecting a rotation speed and a rotation speed of a transmission gear in an automatic transmission of an automobile (hereinafter simply referred to as an embodiment). Will be described with reference to FIGS. 1 to 17.

【0020】本実施の形態に係る回転センサ10は、図
1に示すように、磁束の変化に応じた検出信号を出力す
る例えば2つのホール素子H1及びH2(図2参照)及
びこれら2つのホール素子H1及びH2の出力電圧の差
を増幅する増幅部200(図2参照)とを内蔵した磁気
検出IC12と、該磁気検出IC12の各ホール素子H
1及びH2に対して磁束を印加するための磁気回路14
と、前記磁気検出IC12と磁気回路14を収容するハ
ウジング16を有して構成されている。
As shown in FIG. 1, the rotation sensor 10 according to the present embodiment outputs, for example, two Hall elements H1 and H2 (see FIG. 2) for outputting a detection signal corresponding to a change in magnetic flux, and these two Hall elements. A magnetic detection IC 12 having a built-in amplification unit 200 (see FIG. 2) for amplifying a difference between output voltages of the elements H1 and H2, and each Hall element H of the magnetic detection IC 12
Magnetic circuit 14 for applying magnetic flux to H1 and H2
And a housing 16 that houses the magnetic detection IC 12 and the magnetic circuit 14.

【0021】ハウジング16は、合成樹脂にて構成さ
れ、トランスミッションケース18内に壁20の孔22
を通じて挿入される円筒状の第1のハウジング部材24
と、該第1のハウジング部材24の後部からトランスミ
ッションケース18の壁20に沿って一方に延在する円
筒状の第2のハウジング部材26と、前記第1のハウジ
ング部材24の後部からトランスミッションケース18
の壁20に沿って他方に延在する取付け部材28を一体
に有する。
The housing 16 is made of a synthetic resin, and a hole 22 of a wall 20 is formed in the transmission case 18.
Cylindrical first housing member 24 inserted through
A cylindrical second housing member 26 extending to one side along a wall 20 of the transmission case 18 from a rear portion of the first housing member 24, and a transmission case 18 from a rear portion of the first housing member 24;
Integrally has a mounting member 28 extending to the other side along the wall 20.

【0022】前記第1のハウジング部材24の先端部
は、金属製のキャップ30が例えばかしめ加工によって
固着されるようになっている。
A metal cap 30 is fixed to the distal end of the first housing member 24 by, for example, caulking.

【0023】このハウジング16は、磁気検出IC12
及び磁気回路14を収容するための凹部32と、磁気検
出IC12からの電気信号を外部に取り出すための出力
端子板36と外部の回路系とを接続するためのカップリ
ング部(凹部)38とを有する。
The housing 16 is provided with the magnetic detection IC 12
And a coupling portion (recess) 38 for connecting an output terminal plate 36 for taking out an electric signal from the magnetic detection IC 12 to the outside and an external circuit system. Have.

【0024】前記凹部32は、第1のハウジング部材2
4の先端から後部に向かって形成され、カップリング部
38は、第2のハウジング部材26の先端から第1のハ
ウジング部材24の後部に向かって形成されている。
The recess 32 is provided in the first housing member 2.
The coupling portion 38 is formed from the front end of the second housing member 26 to the rear portion of the first housing member 24.

【0025】取付け部材28は、その中央部分に、該回
転センサ10をトランスミッションケース18の壁20
にねじ止めするためのボルト部材(図示せず)が挿通さ
れる貫通孔40が形成されている。
The rotation sensor 10 is mounted on the wall 20 of the transmission case 18 at the center thereof.
There is formed a through hole 40 through which a bolt member (not shown) for screwing is inserted.

【0026】また、前記ハウジング16は、第1のハウ
ジング部材24の外周面のうち、トランスミッションケ
ース18における壁20の孔22の内壁面と接する部分
に第1のOリング50を取り付けるための第1の環状溝
52が形成され、キャップ30と接する面に第2のOリ
ング54を取り付けるための第2の環状溝56が形成さ
れている。
The housing 16 has a first O-ring 50 for attaching a first O-ring 50 to a portion of the outer peripheral surface of the first housing member 24 which is in contact with the inner wall surface of the hole 22 of the wall 20 of the transmission case 18. Are formed, and a second annular groove 56 for attaching the second O-ring 54 is formed on the surface in contact with the cap 30.

【0027】磁気回路14は、磁束を発生する磁石60
と該磁石60から発生した磁束を磁気検出IC12に導
くためのヨーク62を有して構成されている。そして、
第1のハウジング部材24の凹部32内に、磁気回路1
4を構成するヨーク62と磁石60の順に挿入され、該
磁石60の前面、即ち、キャップ30と対向する位置に
磁気検出IC12が挿入されるようになっている。
The magnetic circuit 14 includes a magnet 60 for generating a magnetic flux.
And a yoke 62 for guiding the magnetic flux generated from the magnet 60 to the magnetic detection IC 12. And
The magnetic circuit 1 is provided in the recess 32 of the first housing member 24.
The magnetic detection IC 12 is inserted in the order of the yoke 62 and the magnet 60 that make up the magnet 4, and the front surface of the magnet 60, that is, the position facing the cap 30.

【0028】従って、トランスミッションケース18内
のミッションギア64が回転することによって、磁気検
出IC12の2つのホール素子H1及びH2に印加され
る磁束が変化し、各ホール素子H1及びH2からは、例
えば図5Aに示すように、ミッションギア64の回転速
度に応じた周波数を有する交流信号(電圧信号)Vi1
及びVi2が出力されることになる。
Therefore, when the transmission gear 64 in the transmission case 18 rotates, the magnetic flux applied to the two Hall elements H1 and H2 of the magnetic detection IC 12 changes, and from the Hall elements H1 and H2, for example, As shown in FIG. 5A, an AC signal (voltage signal) Vi1 having a frequency corresponding to the rotation speed of the transmission gear 64
And Vi2 are output.

【0029】一方、磁気検出IC12は、例えば図2に
示すように、リードフレームからなるGND基板100
上に第1のホール素子H1と第2のホール素子H2と増
幅部200がそれぞれ個別に実装され、更に、前記GN
D基板100と3本の端子102、104及び106を
含む回路素子全体がモールド樹脂108によって封止さ
れて構成されている。従って、このモールド樹脂108
からは3本の端子102、104及び106が導出され
た形態となっている。
On the other hand, as shown in FIG. 2, for example, the magnetic detection IC 12 is a GND substrate 100 made of a lead frame.
The first Hall element H1, the second Hall element H2, and the amplifying unit 200 are individually mounted thereon, and the GN
The entire circuit element including the D substrate 100 and the three terminals 102, 104 and 106 is sealed with a mold resin 108. Therefore, this molding resin 108
, Three terminals 102, 104 and 106 are led out.

【0030】これら3本の端子102、104及び10
6のうち、中央の端子104がGND端子であり、図2
上、左側の端子102が例えば電源端子であり、残りの
端子106が出力端子とされている。これら3本の端子
102、104及び106と出力端子板36(図1参
照)とはそれぞれ半田付けにて電気的に接続されるよう
になっている。
These three terminals 102, 104 and 10
6, the terminal 104 at the center is a GND terminal, and FIG.
The upper and left terminals 102 are, for example, power terminals, and the remaining terminals 106 are output terminals. The three terminals 102, 104, and 106 are electrically connected to the output terminal board 36 (see FIG. 1) by soldering.

【0031】ここで、2つのホール素子H1及びH2の
位置関係は、例えば図3に示すように、ミッションギア
64の山部64aが一方のホール素子H1に対向したと
き、他方のホール素子H2に前記山部64aに隣接する
谷部64bがほぼ対向するような位置関係となってい
る。即ち、第1のホール素子H1と第2のホール素子H
2との間隔Pがミッションギア64における歯のピッチ
のほぼ1/2となるように設定されている。従って、図
5Aに示すように、2つのホール素子H1及びH2から
出力される電圧信号Vi1及びVi2は互いに逆相とさ
れた波形となる。
Here, the positional relationship between the two Hall elements H1 and H2 is, for example, as shown in FIG. 3, when the peak 64a of the transmission gear 64 faces one Hall element H1 and the other Hall element H2. The valleys 64b adjacent to the ridges 64a have a positional relationship such that they are substantially opposed to each other. That is, the first Hall element H1 and the second Hall element H
2 is set so that the pitch P between the gears 2 is approximately 2 of the tooth pitch of the transmission gear 64. Therefore, as shown in FIG. 5A, the voltage signals Vi1 and Vi2 output from the two Hall elements H1 and H2 have waveforms that are out of phase with each other.

【0032】なお、合成樹脂製のハウジング16は、出
力端子板36がハウジング16の内部に封入されるよう
にインサート成形にて作製されるようになっている。
The housing 16 made of synthetic resin is manufactured by insert molding so that the output terminal plate 36 is sealed in the housing 16.

【0033】図4に示すように、磁気検出IC12に実
装される増幅部200は、電源Vcc(例えば+5V)
が電源端子102を通じて供給される電源ライン202
と、2つのホール素子H1及びH2から出力された交流
信号Vi1とVi2(図5A参照)をそれぞれ所定のゲ
インにて増幅する2つの増幅器204及び206と、こ
れら増幅器204及び206からの増幅交流信号aVi
1及びaVi2との差分をとり、その差分を所定のゲイ
ンにて増幅して偏差信号Vd(図5B参照)とする差動
増幅器208と、該差動増幅器208からの偏差信号V
dと基準電圧(例えば接地電圧)とを比較して後段のト
ランジスタ回路(増幅器212)を動作させるためのト
リガパルス信号Pvに整形するトリガ回路210と、該
トリガ回路210からのトリガパルス信号Pvを増幅し
て出力信号Vo(図5C参照)とする例えばオープンコ
レクタ型の増幅器212とを有する。なお、前記トリガ
回路210としては、コンパレータやシュミットトリガ
回路等を用いることができる。
As shown in FIG. 4, the amplifying section 200 mounted on the magnetic detection IC 12 has a power supply Vcc (for example, +5 V).
Power supply line 202 supplied through power supply terminal 102
And two amplifiers 204 and 206 for amplifying AC signals Vi1 and Vi2 (see FIG. 5A) output from the two Hall elements H1 and H2 with predetermined gains, respectively, and amplified AC signals from these amplifiers 204 and 206. aVi
1 and aVi2, a differential amplifier 208 that amplifies the difference with a predetermined gain to obtain a difference signal Vd (see FIG. 5B), and a difference signal Vd from the differential amplifier 208.
A trigger circuit 210 that compares d with a reference voltage (for example, a ground voltage) and shapes it into a trigger pulse signal Pv for operating a transistor circuit (amplifier 212) at a subsequent stage; and a trigger pulse signal Pv from the trigger circuit 210. It has, for example, an open-collector-type amplifier 212 that amplifies the output signal Vo (see FIG. 5C). Note that a comparator, a Schmitt trigger circuit, or the like can be used as the trigger circuit 210.

【0034】ここで、磁気検出IC12の作製方法の一
例を図2、図6〜図9を参照しながら説明する。まず、
図6に示すように、半導体チップの前工程にて2種類の
半導体チップ(第1のホール素子H1及び第2のホール
素子H2並びに増幅部200を作製する。
Here, an example of a method of manufacturing the magnetic detection IC 12 will be described with reference to FIGS. First,
As shown in FIG. 6, two types of semiconductor chips (a first Hall element H1, a second Hall element H2, and an amplifier 200) are manufactured in a process before the semiconductor chip.

【0035】その後、図7に示すように、第1のホール
素子H1、第2のホール素子H2及び増幅部200をリ
ードフレーム220のダイ222にボンディングする
(ダイボンディング工程)。このダイボンディング工程
では、ダイ222に対する第1及び第2のホール素子H
1及びH2と増幅部200の固着位置を例えばレーザ光
による位置決め装置を用いて決定し、各ホール素子H
1、H2及び増幅部200を銀エポキシペーストを用い
てダイ222上に固着する。
Thereafter, as shown in FIG. 7, the first Hall element H1, the second Hall element H2, and the amplifier 200 are bonded to the die 222 of the lead frame 220 (die bonding step). In this die bonding step, the first and second Hall elements H
1 and H2 are fixed to the amplifying section 200 using, for example, a positioning device using a laser beam.
1, H2 and the amplification unit 200 are fixed on the die 222 using a silver epoxy paste.

【0036】後に3本の端子102、104及び106
となるフレーム部分224、226及び228はタイバ
ー230によって固定されている。これは、前記のダイ
ボンディング工程や次のワイヤボンディング工程並びに
樹脂モールド工程にて前記端子となるフレーム部分22
4、226及び228が離散しないようにするためであ
る。
Later, three terminals 102, 104 and 106
Frame portions 224, 226 and 228 are fixed by tie bars 230. This is because the frame portion 22 serving as the terminal in the die bonding step, the next wire bonding step, and the resin molding step is used.
4, 226 and 228 are not dispersed.

【0037】その後、図2に示すように、ワイヤボンデ
ィング工程に投入して、第1のホール素子H1と増幅部
200の各端子間、第2のホール素子H2と増幅部20
0の各端子間、第1のホール素子H1とダイ222間、
第2のホール素子H2とダイ222間、増幅部200と
ダイ222間、増幅部200と各フレーム部分224、
226及び228間をワイヤ232(アルミニウムや金
等によるワイヤ)で電気的に配線接続する。
Thereafter, as shown in FIG. 2, the semiconductor device is put into a wire bonding step, in which the first Hall element H1 is connected to each terminal of the amplifier 200, and the second Hall element H2 is connected to the amplifier 20.
0, between the first Hall element H1 and the die 222,
Between the second Hall element H2 and the die 222, between the amplifier 200 and the die 222, between the amplifier 200 and each frame portion 224,
The wires 226 and 228 are electrically connected by wires 232 (wires of aluminum, gold, or the like).

【0038】その後、図8に示すように、前記ダイ22
2に回路素子(各ホール素子H1、H2及び増幅部20
0)が実装されたリードフレーム220を樹脂モールド
工程に投入して、ダイ222と3本の端子となるフレー
ム部分224、226及び228を含む回路素子(第1
及び第2のホール素子H1及びH2並びに増幅部20
0)全体をモールド樹脂108によって封止する。
Thereafter, as shown in FIG.
2. Circuit elements (each Hall element H1, H2 and amplifying unit 20)
0) is mounted in a resin molding process, and a die 222 and a circuit element (frame 1) including frame portions 224, 226, and 228 serving as three terminals are formed.
And the second Hall elements H1 and H2 and the amplifier 20
0) The whole is sealed with a mold resin 108.

【0039】その後、切断工程に投入してリードフレー
ム220のうち、端子となるフレーム部分224、22
6及び228を切断する。切断位置は、例えば図8にお
いて二点鎖線Lで示すように、タイバー230からやや
モールド樹脂108寄りの位置である。もちろん、前記
タイバー230をフレーム部分224、226及び22
8の長さ方向に沿って切断するようにしてもよい。この
切断工程を踏むことによって、図9に示すように、モー
ルド樹脂108から3本の端子102、104及び10
6が導出された形態の磁気検出IC12が作製されるこ
とになる。この時点で、図2に示すように、前記ダイ2
22は、GND端子104につながるGND基板100
として機能することになる。
Thereafter, the lead frame 220 is put into a cutting step, and the frame portions 224 and 22 serving as terminals of the lead frame 220 are formed.
6 and 228 are cut. The cutting position is, for example, a position slightly closer to the mold resin 108 from the tie bar 230 as shown by a two-dot chain line L in FIG. Of course, the tie bar 230 is connected to the frame portions 224, 226 and 22.
8 may be cut along the length direction. By performing this cutting process, as shown in FIG.
The magnetic detection IC 12 of the form from which the reference numeral 6 is derived is manufactured. At this point, as shown in FIG.
22 is a GND substrate 100 connected to the GND terminal 104
Will function as

【0040】このように、本実施の形態に係る回転セン
サ10においては、2つのホール素子H1及びH2と増
幅部200をそれぞれ別体に構成して、GND基板10
0上に個別に配置するようにしたので、1つの半導体基
板に対して1つのホール素子を形成するという構成を採
用することができる。その結果、マスクパターンは、ミ
ッションギア64の大きさや形状等によって決められた
回転センサ10の種類(大きさ等)に依存せず、1つの
マスクパターンで済み、汎用性に富むこととなる。
As described above, in the rotation sensor 10 according to the present embodiment, the two Hall elements H1 and H2 and the amplifying section 200 are separately formed, and the GND substrate 10
Since the individual Hall elements are individually arranged on the semiconductor substrate, a configuration in which one Hall element is formed for one semiconductor substrate can be adopted. As a result, the mask pattern does not depend on the type (size, etc.) of the rotation sensor 10 determined by the size, shape, and the like of the transmission gear 64, and only one mask pattern suffices, resulting in high versatility.

【0041】また、半導体基板にミッションギア64の
歯の間隔に応じたデッドスペースを設ける必要がなくな
り、1枚のウェハで作製されるチップ(ホール素子)の
数を増やすことができる。
Further, it is not necessary to provide a dead space in the semiconductor substrate in accordance with the interval between the teeth of the transmission gear 64, so that the number of chips (Hall elements) manufactured on one wafer can be increased.

【0042】また、例えば後工程(チップを最終製品と
して組立て、選別/検査するまでの工程)におけるダイ
ボンディング工程において、2つのホール素子H1及び
H2をダイ222上に配置する際に、ミッションギア6
4の大きさや形状等に応じた間隔で配置することができ
るため、前工程(ウェハ内にICパターンを作るまでの
製造工程)の共通化を図ることができ、回転センサ10
の生産性の向上を有効に図ることができる。
In a die bonding process in a subsequent process (a process from assembling a chip as a final product to selecting / inspection), when disposing the two Hall elements H1 and H2 on the die 222, the transmission gear 6
4 can be arranged at intervals according to the size, shape, etc. of the rotation sensor 10.
Can be effectively improved.

【0043】次に、本実施の形態に係る回転センサ10
による効果を比較例と比較しながら説明する。比較例
は、例えば図10に示すように、1つの半導体チップ4
00に2つのホール素子H1及びH2を形成したもので
ある。
Next, the rotation sensor 10 according to the present embodiment
The effect of the present invention will be described in comparison with a comparative example. In the comparative example, for example, as shown in FIG.
In this example, two Hall elements H1 and H2 are formed at 00.

【0044】まず、検出対象のミッションギア64の構
成が平歯車であって、そのサイズが小さい場合、比較例
においては、図10に示すように、半導体チップ400
にミッションギア64における歯のピッチのほぼ1/2
に相当するデッドスペース402を設ける必要があり、
その分、1枚のウェハから取り出せる半導体チップの数
が少なくなり、歩留まりの低下を招来させるという問題
がある。
First, when the configuration of the transmission gear 64 to be detected is a spur gear and its size is small, in the comparative example, as shown in FIG.
About 1/2 of the tooth pitch of the transmission gear 64
It is necessary to provide a dead space 402 corresponding to
As a result, there is a problem that the number of semiconductor chips that can be taken out from one wafer is reduced, and the yield is reduced.

【0045】一方、本実施の形態に係る回転センサ10
では、図11に示すように、第1のホール素子H1が形
成された半導体チップ404と第2のホール素子H2が
形成された半導体チップ406とを分離するようにして
いるため、半導体チップ404及び406に比較例のよ
うなデッドスペース402を設ける必要がなくなり、1
枚のウェハから取り出せる半導体チップ404及び40
6の数を大幅に増やすことができ、生産性の向上を図る
ことができる。
On the other hand, the rotation sensor 10 according to the present embodiment
In FIG. 11, as shown in FIG. 11, the semiconductor chip 404 on which the first Hall element H1 is formed is separated from the semiconductor chip 406 on which the second Hall element H2 is formed. There is no need to provide a dead space 402 in the 406 as in the comparative example.
Semiconductor chips 404 and 40 that can be taken out of a single wafer
6 can be greatly increased, and productivity can be improved.

【0046】次に、検出対象のミッションギア64の構
成が平歯車であって、そのサイズが大きい場合、比較例
においては、図12に示すように、半導体チップ400
に非常に大きなデッドスペース408を設ける必要があ
り、2つのホール素子H1及びH2が形成された半導体
チップ400のサイズが必然的に大きくなる。
Next, when the configuration of the transmission gear 64 to be detected is a spur gear and its size is large, in the comparative example, as shown in FIG.
It is necessary to provide a very large dead space 408, and the size of the semiconductor chip 400 on which the two Hall elements H1 and H2 are formed inevitably increases.

【0047】そのため、1枚のウェハから取り出せる半
導体チップ400の数が大幅に減少し、回転センサ10
の生産性が低下することになる。即ち、比較例において
は、ミッションギア64の大きさによって生産性が左右
されるという弊害がある。しかも、このサイズの大きな
半導体チップ400の近傍に増幅部200を設置する必
要から、磁気検出IC12の全体構成が非常に大きくな
るという問題もある。
As a result, the number of semiconductor chips 400 that can be taken out from one wafer is greatly reduced.
Productivity will decrease. That is, in the comparative example, there is a problem that the productivity is affected by the size of the transmission gear 64. In addition, since the amplifying unit 200 needs to be installed near the large semiconductor chip 400, there is a problem that the entire configuration of the magnetic detection IC 12 becomes very large.

【0048】一方、本実施の形態に係る回転センサ10
では、図13に示すように、第1のホール素子H1が形
成された半導体チップ404と第2のホール素子H2が
形成された半導体チップ406に大きなデッドスペース
408(図12参照)を設ける必要がなくなり、しか
も、これら半導体チップ404及び406を増幅部20
0を間に挟んで設置することができるため、磁気検出I
C12のサイズの小型化に非常に有利になる。また、各
半導体チップ404及び406と増幅部200間に配線
されるワイヤの長さも短くすることができ、その分、ノ
イズの混入を少なくすることが可能となり、検出精度を
向上させることができる。また、回転センサ10の生産
性がミッションギア64の大きさに左右されないという
利点もある。
On the other hand, the rotation sensor 10 according to the present embodiment
Then, as shown in FIG. 13, it is necessary to provide a large dead space 408 (see FIG. 12) in the semiconductor chip 404 on which the first Hall element H1 is formed and the semiconductor chip 406 on which the second Hall element H2 is formed. And these semiconductor chips 404 and 406 are
0 can be installed with the magnetic detection I
This is very advantageous for reducing the size of C12. Further, the length of the wire wired between each of the semiconductor chips 404 and 406 and the amplifying unit 200 can be shortened, so that the noise can be reduced, and the detection accuracy can be improved. Another advantage is that the productivity of the rotation sensor 10 is not affected by the size of the transmission gear 64.

【0049】次に、検出対象のミッションギア64の構
成がはすば歯車(ヘリカルギア)である場合、第1のホ
ール素子H1と第2のホール素子H2の設置位置は、水
平方向(平歯車の場合の設置位置で決まる方向)に対し
てヘリカル角θほど傾ける必要がある。
Next, when the configuration of the mission gear 64 to be detected is a helical gear (helical gear), the installation positions of the first Hall element H1 and the second Hall element H2 are set in the horizontal direction (spur gear). In this case, it is necessary to incline the helical angle θ with respect to the direction determined by the installation position.

【0050】比較例では、1つの半導体チップ400に
2つのホール素子H1及びH2を形成するようにしてい
るため、特別にヘリカル角θほど傾けたマスクパターン
を作製することが考えられるが、経済的な面を考慮する
と、図14に示すように、樹脂モールドされた後の磁気
検出IC12をヘリカル角θだけ傾けるという方法を採
用する方が有利である。
In the comparative example, since two Hall elements H1 and H2 are formed in one semiconductor chip 400, it is conceivable to prepare a mask pattern inclined at a helical angle θ, but it is economical. In consideration of such aspects, as shown in FIG. 14, it is more advantageous to adopt a method in which the magnetic detection IC 12 after resin molding is inclined by the helical angle θ.

【0051】しかし、出力端子板36(図1参照)をイ
ンサート成形してハウジング16を作製している関係か
ら、出力端子板36の位置を自由に変更することができ
ないため、ハウジング16も磁気検出IC12に合わせ
てヘリカル角θほど傾ける必要があり、これによって、
カップリング部38もヘリカル角θほど傾くことにな
る。
However, since the housing 16 is manufactured by insert molding the output terminal board 36 (see FIG. 1), the position of the output terminal board 36 cannot be freely changed. It is necessary to incline by helical angle θ in accordance with IC12,
The coupling part 38 is also inclined by the helical angle θ.

【0052】この場合、特に、自動車のトランスミッシ
ョンのような狭い空間で、様々なヘリカルギアが存在
し、しかも、カップリング部38の向きを自由に設定で
きない機構に適用する際に非常に不便になるという問題
がある。
In this case, it is very inconvenient especially when the present invention is applied to a mechanism in which various helical gears exist in a narrow space such as an automobile transmission and the direction of the coupling portion 38 cannot be freely set. There is a problem.

【0053】一方、本実施の形態に係る回転センサ10
においては、図15に示すように、ダイボンディング時
に、第1及び第2のホール素子H1及びH2をそれぞれ
独自に設置することができるため、ダイ222(GND
基板100)の方向を変更することなく、即ち、3本の
端子102、104及び106の導出方向を変更するこ
となく、第1及び第2のホール素子H1及びH2をヘリ
カル角θに応じて容易に設置することができる。
On the other hand, the rotation sensor 10 according to the present embodiment
In FIG. 15, as shown in FIG. 15, the first and second Hall elements H1 and H2 can be independently installed at the time of die bonding, so that the die 222 (GND)
The first and second Hall elements H1 and H2 can be easily changed in accordance with the helical angle θ without changing the direction of the substrate 100), that is, without changing the lead-out directions of the three terminals 102, 104 and 106. Can be installed in

【0054】図15の例において、第1及び第2のホー
ル素子H1及びH2の各設置点を結ぶ線を設置ラインm
と定義し、検出対象が平歯車である場合の設置ラインを
特に水平ラインnとして定義したとき、水平ラインnと
設置ラインmとのなす角がヘリカル角θとなるように第
1及び第2のホール素子H1及びH2がダイ222(G
ND基板100)に設置されることになる。
In the example of FIG. 15, a line connecting the installation points of the first and second Hall elements H1 and H2 is indicated by an installation line m.
When the installation line when the detection target is a spur gear is particularly defined as a horizontal line n, the first and second angles are set so that the angle between the horizontal line n and the installation line m becomes the helical angle θ. The Hall elements H1 and H2 are connected to the die 222 (G
ND substrate 100).

【0055】従って、自動車のトランスミッションのよ
うな狭い空間で、様々なヘリカルギアが存在し、しか
も、カップリング部38の向きを自由に設定できない機
構にも容易に適用させることができ、利便性の面でも有
利になる。
Therefore, the present invention can be easily applied to a mechanism in which various helical gears exist in a narrow space such as an automobile transmission, and the direction of the coupling portion 38 cannot be freely set. This is also advantageous.

【0056】これとは逆に、図16に示すように、検出
対象のミッションギア64の構成が平歯車である場合
に、第1及び第2のホール素子H1及びH2の設置ライ
ンmを水平ラインnに対して任意の角度φに設定して第
1及び第2のホール素子H1及びH2をダイ222(G
ND基板100)に設置したときを考える。
On the contrary, as shown in FIG. 16, when the configuration of the transmission gear 64 to be detected is a spur gear, the installation line m of the first and second Hall elements H1 and H2 is changed to a horizontal line. n and an arbitrary angle φ with respect to n, the first and second Hall elements H1 and H2 are connected to the die 222 (G
Consider the case where it is installed on the ND substrate 100).

【0057】この場合、図17に示すように、磁気検出
IC12を取り付ける際に、前記設置ラインmが水平ラ
インnと一致するように磁気検出IC12を傾けて取り
付けられることになる。このとき、3本の端子102、
104及び106は、ダイ222上における設置ライン
mと水平ラインnとのなす角φだけ傾いた状態で導出さ
れることになる。
In this case, as shown in FIG. 17, when the magnetic detection IC 12 is mounted, the magnetic detection IC 12 is mounted at an angle so that the installation line m coincides with the horizontal line n. At this time, three terminals 102,
104 and 106 are derived in a state where they are inclined by the angle φ between the installation line m and the horizontal line n on the die 222.

【0058】つまり、第1及び第2のホール素子H1及
びH2のダイ222へのボンディング時に3本の端子1
02、104及び106の導出方向を自由に決定させる
ことができることになるため、回転センサ10の設置条
件に応じて3本の端子102、104及び106の導出
方向、即ち、カップリング部38の傾きを自由にレイア
ウトすることが可能となり、回転センサ10の組立て性
が飛躍的に向上することになる。
That is, when bonding the first and second Hall elements H1 and H2 to the die 222, three terminals 1
02, 104, and 106 can be freely determined, so that the directions in which the three terminals 102, 104, and 106 are derived, that is, the inclination of the coupling unit 38, depend on the installation conditions of the rotation sensor 10. Can be freely laid out, and the assemblability of the rotation sensor 10 is dramatically improved.

【0059】なお、この発明に係る回転センサ及び回転
センサ用磁気検出ICは、上述の実施の形態に限らず、
この発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り
得ることはもちろんである。
It should be noted that the rotation sensor and the magnetic sensor IC for the rotation sensor according to the present invention are not limited to the above-described embodiment.
Of course, various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る回転
センサによれば、リードフレームからなる基板上に、2
つのホール素子と増幅部とをそれぞれ個別に配置し、前
記2つのホール素子と前記増幅部とを電気的に配線接続
するようにしたので、ホール素子の歩留まりを向上させ
ることができ、しかも、回転体の大きさや形状等に応じ
たホール素子の配置を例えば後工程におけるダイボンデ
ィング工程で容易に行うことができ、回転センサの生産
性の向上を図ることができる。
As described above, according to the rotation sensor according to the present invention, the substrate having the lead frame
Since the two Hall elements and the amplifying unit are individually arranged and the two Hall elements and the amplifying unit are electrically connected to each other, the yield of the Hall elements can be improved, and the rotation speed can be improved. The arrangement of the Hall elements according to the size, shape, and the like of the body can be easily performed in, for example, a die bonding step in a later step, and the productivity of the rotation sensor can be improved.

【0061】また、本発明は、前記構成において、前記
2つのホール素子を、前記回転体の回転方向に沿った方
向に所定間隔をおいて配置するようにしたので、平歯車
の歯を検出する上で各ホール素子と増幅部間の配線長を
最適なものとすることができ、ノイズの混入を最小限に
抑えることが可能となる。
Further, according to the present invention, in the above configuration, the two Hall elements are arranged at a predetermined interval in a direction along the rotation direction of the rotating body, so that the teeth of the spur gear are detected. As described above, the wiring length between each Hall element and the amplifying unit can be optimized, and it is possible to minimize the mixing of noise.

【0062】また、本発明は、前記構成において、前記
回転体がヘリカルギアである場合に、前記2つのホール
素子を、前記回転体の回転方向に沿った方向に所定間隔
をおき、かつ、前記回転体のヘリカル角に応じて配置す
るようにしたので、ヘリカルギアの回転数を高精度に検
出することが可能となる。
Further, according to the present invention, in the above configuration, when the rotating body is a helical gear, the two Hall elements are arranged at a predetermined interval in a direction along a rotating direction of the rotating body, and Since the arrangement is made in accordance with the helical angle of the rotating body, it is possible to detect the rotation speed of the helical gear with high accuracy.

【0063】次に、本発明に係る回転センサ用磁気検出
ICによれば、リードフレームからなる基板上に2つの
ホール素子と増幅部とをそれぞれ個別に配置し、前記2
つのホール素子と前記増幅部とを互いに電気的に接続し
た状態でモールド樹脂により封止するようにしたので、
ホール素子の歩留まりを向上させることができ、しか
も、回転体の大きさや形状等に応じたホール素子の配置
を例えば後工程におけるダイボンディング工程で容易に
行うことができ、回転センサの生産性の向上を図ること
ができる。
Next, according to the magnetic detection IC for a rotation sensor according to the present invention, two Hall elements and an amplifying section are individually arranged on a substrate made of a lead frame, and
Since the three Hall elements and the amplifying unit are electrically connected to each other and sealed with a mold resin,
The yield of the Hall element can be improved, and the Hall element can be easily arranged in accordance with the size and shape of the rotating body, for example, in a die bonding step in a later step, thereby improving the productivity of the rotation sensor. Can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本実施の形態に係る回転センサの構成を示す断
面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a rotation sensor according to the present embodiment.

【図2】磁気検出ICの構成を一部破断して示す図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the magnetic detection IC with a part cut away.

【図3】2つのホール素子の配置関係を示す説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing an arrangement relationship between two Hall elements.

【図4】磁気検出ICに実装される回路素子(第1及び
第2のホール素子並びに増幅部)の構成を示す回路図で
ある。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of circuit elements (first and second Hall elements and an amplifier) mounted on the magnetic detection IC.

【図5】図5Aは磁気検出ICの2つのホール素子から
出力される交流信号を示す波形図であり、図5Bは差動
増幅器から出力される偏差信号を示す波形図であり、図
5Cは増幅器から出力される出力信号を示す波形図であ
る。
5A is a waveform diagram showing an AC signal output from two Hall elements of the magnetic detection IC, FIG. 5B is a waveform diagram showing a deviation signal output from the differential amplifier, and FIG. FIG. 3 is a waveform diagram showing an output signal output from the amplifier.

【図6】半導体チップの前工程にて作製される2種類の
半導体チップ(第1及び第2のホール素子並びに増幅
部)を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing two types of semiconductor chips (first and second Hall elements and an amplifying unit) manufactured in a process preceding the semiconductor chip.

【図7】ダイボンディング工程を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory view showing a die bonding step.

【図8】樹脂モールド工程を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory view showing a resin molding step.

【図9】リードフレームを切断して磁気検出ICとした
状態を示す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a state in which a lead frame is cut into a magnetic detection IC.

【図10】検出対象のミッションギアの構成が平歯車で
あって、そのサイズが小さい場合の比較例における回路
素子の配置例を示す説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing an example of arrangement of circuit elements in a comparative example when the configuration of a transmission gear to be detected is a spur gear and the size is small.

【図11】検出対象のミッションギアの構成が平歯車で
あって、そのサイズが小さい場合の本実施の形態の磁気
検出ICにおける回路素子の配置例を示す説明図であ
る。
FIG. 11 is an explanatory diagram showing an example of the arrangement of circuit elements in the magnetic detection IC of the present embodiment when the configuration of the transmission gear to be detected is a spur gear and its size is small.

【図12】検出対象のミッションギアの構成が平歯車で
あって、そのサイズが大きい場合の比較例における回路
素子の配置例を示す説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing an example of arrangement of circuit elements in a comparative example in a case where the configuration of a transmission gear to be detected is a spur gear and its size is large.

【図13】検出対象のミッションギアの構成が平歯車で
あって、そのサイズが大きい場合の本実施の形態の磁気
検出ICにおける回路素子の配置例を示す説明図であ
る。
FIG. 13 is an explanatory diagram showing an example of the arrangement of circuit elements in the magnetic detection IC according to the present embodiment when the configuration of the transmission gear to be detected is a spur gear and its size is large.

【図14】検出対象のミッションギアの構成がはすば歯
車(ヘリカルギア)である場合において、比較例に係る
磁気検出ICを取り付ける際の状態を一部破断して示す
説明図である。
FIG. 14 is an explanatory view showing a state in which a magnetic detection IC according to a comparative example is mounted in a partially broken state when a configuration of a transmission gear to be detected is a helical gear (helical gear).

【図15】検出対象のミッションギアの構成がはすば歯
車(ヘリカルギア)である場合において、本実施の形態
に係る磁気検出ICを取り付ける際の状態を一部破断し
て示す説明図である。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing a state in which the magnetic detection IC according to the present embodiment is mounted in a partially broken state when the configuration of the transmission gear to be detected is a helical gear (helical gear). .

【図16】検出対象のミッションギアの構成が平歯車で
ある場合において、設置ラインを水平ラインに対して任
意の角度とした場合のダイへの回路素子の配置例を示す
説明図である。
FIG. 16 is an explanatory diagram showing an example of the arrangement of circuit elements on a die when the installation line is at an arbitrary angle with respect to the horizontal line when the configuration of the transmission gear to be detected is a spur gear.

【図17】検出対象のミッションギアの構成を平歯車と
した場合であって、端子の導出方向を任意の角度とした
場合に、磁気検出ICを取り付ける際の状態を一部破断
して示す説明図である。
FIG. 17 is an explanatory view showing a case where a configuration of a transmission gear to be detected is a spur gear, and a state in which a magnetic detection IC is attached is partially cut away when a terminal is drawn out at an arbitrary angle. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…回転センサ 12…磁気検
出IC 14…磁気回路 16…ハウジ
ング 18…トランスミッションケース 64…ミッシ
ョンギア 100…GND基板 102…電源
端子 104…GND端子 106…出力
端子 108…モールド樹脂 200…増幅
部 232…ワイヤ H1、H2…
ホール素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Rotation sensor 12 ... Magnetic detection IC 14 ... Magnetic circuit 16 ... Housing 18 ... Transmission case 64 ... Transmission gear 100 ... GND board 102 ... Power supply terminal 104 ... GND terminal 106 ... Output terminal 108 ... Mold resin 200 ... Amplification part 232 ... Wire H1, H2 ...
Hall element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 一郎 埼玉県和光市中央1丁目4番1号 株式会 社本田技術研究所内 (72)発明者 三浦 啓二 埼玉県和光市中央1丁目4番1号 株式会 社本田技術研究所内 (72)発明者 楯 尚史 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Ichiro Ishikawa 1-4-1 Chuo, Wako-shi, Saitama Pref. Inside Honda R & D Co., Ltd. (72) Keiji Miura 1-4-1 Chuo, Wako-shi, Saitama Inside the Honda R & D Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】円周方向に複数の歯を有する回転体の少な
くともその回転数を検出する回転センサにおいて、 前記回転体に近接して配置された2つのホール素子と、 前記2つのホール素子からの出力電圧の差を増幅する増
幅部とを有し、 リードフレームからなる基板上に、前記2つのホール素
子と前記増幅部とがそれぞれ個別に配置され、 前記2つのホール素子と前記増幅部とが電気的に配線接
続された構造を有することを特徴とする回転センサ。
1. A rotation sensor for detecting at least the number of rotations of a rotating body having a plurality of teeth in a circumferential direction, comprising: two Hall elements arranged close to the rotating body; An amplification unit for amplifying a difference between the output voltages of the two Hall elements and the amplification unit, respectively, on a substrate formed of a lead frame; Has a structure in which is electrically connected by wiring.
【請求項2】請求項1記載の回転センサにおいて、 前記2つのホール素子は、前記回転体の回転方向に沿っ
た方向に所定間隔をおいて配置されていることを特徴と
する回転センサ。
2. The rotation sensor according to claim 1, wherein the two Hall elements are arranged at a predetermined interval in a direction along a rotation direction of the rotator.
【請求項3】請求項1記載の回転センサにおいて、 前記回転体がヘリカルギアである場合に、 前記2つのホール素子は、前記回転体の回転方向に沿っ
た方向に所定間隔をおき、かつ、前記回転体のヘリカル
角に応じて配置されていることを特徴とする回転セン
サ。
3. The rotation sensor according to claim 1, wherein when the rotating body is a helical gear, the two Hall elements are spaced from each other by a predetermined distance in a direction along a rotating direction of the rotating body. A rotation sensor, which is arranged according to a helical angle of the rotating body.
【請求項4】円周方向に複数の歯を有する回転体の少な
くともその回転数を検出する回転センサに用いられ、該
回転体に近接して配置される回転センサ用磁気検出IC
であって、 2つのホール素子と、 前記2つのホール素子の出力電圧の差を増幅する増幅部
とを有し、 リードフレームからなる基板上に前記2つのホール素子
と前記増幅部とがそれぞれ個別に配置され、 前記2つのホール素子と前記増幅部とが互いに電気的に
接続された状態でモールド樹脂により封止されているこ
とを特徴とする回転センサ用磁気検出IC。
4. A magnetic sensor IC for a rotation sensor which is used in a rotation sensor for detecting at least the number of rotations of a rotating body having a plurality of teeth in a circumferential direction, and which is arranged close to the rotating body.
It has two Hall elements and an amplifying part for amplifying a difference between output voltages of the two Hall elements, and the two Hall elements and the amplifying part are individually provided on a substrate formed of a lead frame. Wherein the two Hall elements and the amplifying unit are sealed with a mold resin while being electrically connected to each other.
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