JPH11236244A - Low melting point glass composition for coating electrode and plasma display device - Google Patents
Low melting point glass composition for coating electrode and plasma display deviceInfo
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- JPH11236244A JPH11236244A JP4066698A JP4066698A JPH11236244A JP H11236244 A JPH11236244 A JP H11236244A JP 4066698 A JP4066698 A JP 4066698A JP 4066698 A JP4066698 A JP 4066698A JP H11236244 A JPH11236244 A JP H11236244A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ITO(スズがド
ープされた酸化インジウム)または酸化スズ(フッ素、
アンチモン、等がドープされた酸化スズを含む)等の透
明電極を絶縁被覆するのに適した低融点ガラス組成物、
およびプラズマディスプレイ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ITO (tin-doped indium oxide) or tin oxide (fluorine,
A low-melting glass composition suitable for insulatingly covering a transparent electrode such as antimony, including tin oxide doped with
And a plasma display device.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、薄型の平板型カラー表示装置が注
目を集めている。このような表示装置においては、画像
を形成する画素における表示状態を制御するために各画
素に電極を形成しなくてはならない。画像の質の低下を
防ぐために、このような電極として透明電極が用いられ
ている。透明電極としては、板ガラス表面上に形成され
たITOまたは酸化スズの薄膜が多く用いられる。2. Description of the Related Art In recent years, thin flat panel color display devices have attracted attention. In such a display device, an electrode must be formed in each pixel in order to control the display state of the pixel forming an image. A transparent electrode is used as such an electrode in order to prevent deterioration in image quality. As the transparent electrode, a thin film of ITO or tin oxide formed on the surface of a glass sheet is often used.
【0003】このような透明電極は、特に前記表示装置
においては、精細な画像を実現するために細い線状に加
工される。そして各画素を独自に制御するためには、こ
のような微細に加工された透明電極相互の絶縁性を確保
する必要がある。ところが、板ガラスの表面に水分や板
ガラス中のアルカリ成分が存在する場合、この板ガラス
表面を介して若干の電流が流れる場合がある。このよう
な電流を防止するには、透明電極間に絶縁層を形成する
ことが有効である。また、透明電極間に形成される絶縁
層による画像の質の低下を防ぐためには、絶縁層が透明
であることが好ましい。[0003] Such a transparent electrode is processed into a thin linear shape in order to realize a fine image, particularly in the display device. In order to control each pixel independently, it is necessary to ensure the insulation between the finely processed transparent electrodes. However, when moisture or an alkali component in the sheet glass exists on the surface of the sheet glass, a slight current may flow through the surface of the sheet glass. In order to prevent such a current, it is effective to form an insulating layer between the transparent electrodes. Further, in order to prevent deterioration of image quality due to the insulating layer formed between the transparent electrodes, the insulating layer is preferably transparent.
【0004】このような絶縁層を形成する絶縁材料とし
ては種々のものが知られているが、なかでも、透明であ
り信頼性の高い絶縁材料であるガラス材料が広く用いら
れている。ガラス材料を用いて被覆する方法としては、
スパッタ法等真空下で被膜を形成する方法もあるが、低
融点ガラス粉末を含む低融点ガラス組成物を塗布し焼成
する方法が経済的に好ましい。Various insulating materials for forming such an insulating layer are known, and among them, a glass material which is a transparent and highly reliable insulating material is widely used. As a method of coating using a glass material,
Although there is a method of forming a film under vacuum such as a sputtering method, a method of applying and firing a low-melting glass composition containing a low-melting glass powder is economically preferable.
【0005】特に、最近大型平面カラーディスプレイと
して期待されているプラズマディスプレイ表示装置(前
面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画形成され
ており、セル中でプラズマ放電を発生させることにより
画像を形成する表示装置)の前面基板においては、前記
透明電極をプラズマから保護するプラズマ耐久性に優れ
たガラス被覆層が必須である。そのようなガラス被覆層
は、従来より、ガラス粉末を含有するガラス組成物をガ
ラス基板上に塗布し、焼成することにより形成されてい
る。In particular, a plasma display device (a cell is defined by a front substrate, a rear substrate, and a partition wall) which is expected to be a large flat color display recently, and an image is formed by generating a plasma discharge in the cell. In the front substrate of the display device), a glass coating layer having excellent plasma durability for protecting the transparent electrode from plasma is essential. Conventionally, such a glass coating layer is formed by applying a glass composition containing a glass powder on a glass substrate and firing the glass composition.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従来のガラス組成物を
ガラス基板上に塗布し、焼成することにより形成される
ガラス被覆層には、透明性が低い、という課題があっ
た。本発明は、以上のような課題を解決する、電極被覆
用低融点ガラス組成物およびプラズマディスプレイ装置
の提供を目的とする。The glass coating layer formed by applying a conventional glass composition on a glass substrate and firing the glass composition has a problem of low transparency. An object of the present invention is to provide a low-melting-point glass composition for electrode coating and a plasma display device that solve the above problems.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、積算ふるい下
10%径が1.5μm以下、50%径が0.5〜5.0
μm、積算ふるい下90%径が10.0μm以下、であ
る粒度を有し、軟化点が480℃より低い低融点ガラス
の粉末を含有する、電極被覆用低融点ガラス組成物、お
よび、前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画
形成されているプラズマディスプレイ装置において、軟
化点が480℃より低い低融点ガラスからなるガラス層
であって、該ガラス層に存在する直径10μm以上の泡
の数が該ガラス層表面1mm2 あたり50個以下である
ガラス層により、前面基板のガラス基板上に設けられた
電極を被覆したプラズマディスプレイ装置、および、前
面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画形成され
ているプラズマディスプレイ装置において、軟化点が4
80℃より低い低融点ガラスにより前面基板のガラス基
板上に設けられた電極が被覆され、波長550nmの光
の透過率が70%以上である前面基板を用いるプラズマ
ディスプレイ装置、を提供する。According to the present invention, the 10% diameter under the integrated sieve is 1.5 μm or less, and the 50% diameter is 0.5 to 5.0.
Low melting glass composition for electrode coating, having a particle size of μm, a 90% diameter under an integrated sieve of 10.0 μm or less, and a powder of a low melting glass having a softening point lower than 480 ° C., and a front substrate In a plasma display device in which cells are defined by a back substrate and partition walls, the number of bubbles having a diameter of 10 μm or more in a glass layer made of a low melting point glass having a softening point lower than 480 ° C. A plasma display device in which an electrode provided on a glass substrate of a front substrate is coated with a glass layer of 50 or less per 1 mm 2 of the surface of the glass layer, and cells are formed by the front substrate, the rear substrate, and the partition walls. Plasma display device has a softening point of 4
Provided is a plasma display device using a front substrate in which an electrode provided on a glass substrate of the front substrate is covered with a low-melting glass lower than 80 ° C. and a transmittance of light having a wavelength of 550 nm is 70% or more.
【0008】本発明者らは、透明電極を絶縁被覆するガ
ラス被覆層について鋭意研究を重ねた結果、ガラス被覆
層の透明性がガラス被覆層中の泡に大きく左右されるこ
とを見出した。さらに、ガラス被覆層中の泡が、ガラス
組成物焼成時にガラスから発生するものではなく、焼成
前のガラス粉末の塗布層中に存在するガラス粒子間の空
隙が、焼成時のガラス粒子の軟化流動にともない球形に
なったものであることを見出し、本発明に至った。The present inventors have conducted intensive studies on a glass coating layer for insulatingly coating a transparent electrode, and as a result, have found that the transparency of the glass coating layer is greatly affected by bubbles in the glass coating layer. Furthermore, bubbles in the glass coating layer are not generated from the glass during firing of the glass composition, and voids between the glass particles existing in the coating layer of the glass powder before firing are caused by the softening flow of the glass particles during firing. The present inventors have found that the shape has become spherical with the completion of the present invention.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】本明細書でいう積算ふるい下10
%径D10は、粒度分布を表わす体積基準・積算分布曲線
の10%に相当する粒子径である。また、50%径D50
は、粒度分布を表わす体積基準・積算分布曲線の50%
に相当する粒子径である。また、積算ふるい下90%径
D90は、粒度分布を表わす体積基準・積算分布曲線の9
0%に相当する粒子径である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The integrated sieve below 10
% Diameter D 10 represent respectively the particle diameters is the particle diameter corresponding to 10% of the volume-based, cumulative distribution curve representing the particle size distribution. Also, 50% diameter D 50
Is 50% of the volume-based / integrated distribution curve representing the particle size distribution
Is the particle diameter. The 90% diameter D 90 under the integrated sieve is 9% of the volume-based / integrated distribution curve representing the particle size distribution.
The particle diameter is equivalent to 0%.
【0010】本明細書でいう低融点ガラスは、軟化点が
620℃以下のガラスであり、低融点ガラス粉末は、こ
のような低融点ガラスの粉末である。本明細書でいう低
融点ガラス組成物は、低融点ガラス粉末、印刷性を付与
するための有機ビヒクル、等からなる。The low-melting glass referred to in the present specification is a glass having a softening point of 620 ° C. or less, and the low-melting glass powder is a powder of such a low-melting glass. The low-melting glass composition referred to in the present specification comprises low-melting glass powder, an organic vehicle for imparting printability, and the like.
【0011】本発明の、電極被覆用低融点ガラス組成物
は、D10が1.5μm以下、D50が0.5〜5.0μ
m、D90が10.0μm以下、である粒度の低融点ガラ
ス粉末を含有する。D10が1.5μmより大、またはD
50が5.0μmより大、またはD90が10.0μmより
大、である場合、低融点ガラス組成物を塗布して形成し
た塗布層中の低融点ガラス粉末のガラス粒子間の空隙が
増加し、その結果焼成によって形成されたガラス被覆層
中の泡が増加する。なお、低融点ガラス粉末の塗布層の
ガラス粒子間の空隙が増加する原因は、ガラス粒子径の
増大およびガラス粒子の充填率の低下である。また、D
50が0.5μmより小である場合、低融点ガラスの粉砕
に要する時間が過大となり、コストが増加する。[0011] of the present invention, for covering electrodes low melting point glass composition, D 10 is 1.5μm or less, D 50 is 0.5~5.0μ
m, D 90 contains a low-melting glass powder particle size is less, 10.0 [mu] m. D 10 is greater than 1.5 μm, or D
When 50 is larger than 5.0 μm or D 90 is larger than 10.0 μm, the gap between the glass particles of the low melting point glass powder in the coating layer formed by applying the low melting point glass composition increases. As a result, bubbles in the glass coating layer formed by firing increase. In addition, the cause of the increase in the gap between the glass particles in the coating layer of the low-melting glass powder is an increase in the glass particle diameter and a decrease in the filling rate of the glass particles. Also, D
If 50 is smaller than 0.5 μm, the time required for pulverizing the low-melting glass becomes too long, and the cost increases.
【0012】電極を形成するガラス基板としては、50
〜350℃の平均線膨張係数(以下、熱膨張係数とい
う。)αが80×10-7〜90×10-7/℃であるガラ
ス基板が広く用いられている。このような場合、ガラス
基板との膨張特性をマッチングさせガラス基板のそりや
強度の低下を防止するために、低融点ガラス組成物の低
融点ガラス粉末としては、αが70×10-7〜90×1
0-7/℃のものを用いることが好ましい。As a glass substrate on which electrodes are formed, 50
Glass substrates having an average linear expansion coefficient (hereinafter, referred to as a thermal expansion coefficient) α of 80350 ° C. and 80 × 10 -7 to 90 × 10 -7 / ° C. are widely used. In such a case, as the low melting point glass powder of the low melting point glass composition, α is 70 × 10 −7 to 90 to match the expansion characteristics with the glass substrate and to prevent the warpage and strength of the glass substrate. × 1
It is preferable to use one having 0 -7 / ° C.
【0013】本発明の電極被覆用低融点ガラス組成物
は、これをガラス基板上に塗布し、焼成することにより
ガラス被覆層を形成するものであるが、焼成は620℃
以下の焼成温度でおこなうことが好ましい。The low-melting glass composition for coating an electrode of the present invention forms a glass coating layer by coating it on a glass substrate and firing it.
It is preferable to carry out at the following firing temperature.
【0014】本発明の電極被覆用低融点ガラス組成物と
しては、酸化物基準の重量%表示で、 PbO :52〜68%、 B2 O3 :14〜28%、 ZnO : 5〜23%、 SiO2 : 0〜 5%、 Al2 O3 : 0〜 8%、 SnO2 : 0〜 5%、 から実質的になる低融点ガラスの粉末を用いることが好
ましい。The low-melting glass composition for coating an electrode according to the present invention includes, as oxide-based weight percents, PbO: 52 to 68%, B 2 O 3 : 14 to 28%, ZnO: 5 to 23%, SiO 2: 0~ 5%, Al 2 O 3: 0~ 8%, SnO 2: 0~ 5%, it is preferable to use a powder of low melting glass consisting essentially of.
【0015】PbOはガラスを低融点化するために必須
な成分であり、52〜68%含有することが好ましい。
含有量が52%未満では、ガラスの軟化点が高くなり、
620℃以下での焼成では充分透明な層の形成が困難と
なる。好ましくは53%以上である。一方、含有量が6
8%超では、低融点ガラスの熱膨張係数が大きくなりす
ぎ、またガラス層が黄色に着色する傾向が生じる場合が
ある。好ましくは64%以下である。PbO is an essential component for lowering the melting point of glass, and is preferably contained in an amount of 52 to 68%.
If the content is less than 52%, the softening point of the glass becomes high,
Baking at 620 ° C. or lower makes it difficult to form a sufficiently transparent layer. It is preferably at least 53%. On the other hand, when the content is 6
If it exceeds 8%, the coefficient of thermal expansion of the low-melting glass becomes too large, and the glass layer tends to be colored yellow. Preferably it is 64% or less.
【0016】B2 O3 はPbO系低融点ガラスを安定な
ガラスとする成分であり、14〜28%含有することが
好ましい。含有量が14%未満では、低融点ガラスが焼
成中に結晶化して透明性を損ねるおそれがある。また、
相対的に含有されるPbOの量が多くなり低融点ガラス
の熱膨張係数が大きくなるおそれがある。含有量が28
%超では、相対的に含有されるPbO量が少なくなり低
融点ガラスの軟化点が高くなるおそれがある。B 2 O 3 is a component that makes the PbO-based low melting glass a stable glass, and preferably contains 14 to 28%. If the content is less than 14%, the low-melting glass may crystallize during firing and impair transparency. Also,
There is a possibility that the amount of PbO contained relatively becomes large and the thermal expansion coefficient of the low melting point glass becomes large. Content is 28
%, The content of PbO is relatively reduced, and the softening point of the low-melting glass may increase.
【0017】ZnOは低融点ガラスの熱膨張係数を小さ
くするための成分であり、5〜23%含有することが好
ましい。含有量が5%未満では低融点ガラスの熱膨張係
数が大きくなるおそれがある。好ましくは9%以上であ
る。含有量が23%超では低融点ガラスが焼成中に結晶
化して透明性を損ねるおそれがある。好ましくは21%
以下である。ZnO is a component for reducing the thermal expansion coefficient of the low-melting glass, and is preferably contained at 5 to 23%. If the content is less than 5%, the coefficient of thermal expansion of the low-melting glass may increase. It is preferably at least 9%. If the content is more than 23%, the low-melting glass may crystallize during firing and may impair transparency. Preferably 21%
It is as follows.
【0018】SiO2 は必須成分ではないが、PbO系
低融点ガラスを安定なガラスとするために加えうる。5
%超ではガラスの軟化点が高くなり、低融点ガラスの焼
成中の結晶化を促進し、透明性を損ねるおそれがある。
また、相対的に含有されるPbOの量が多くなり低融点
ガラスの熱膨張係数が大きくなるおそれがある。Although SiO 2 is not an essential component, it can be added to make the PbO-based low-melting glass stable. 5
%, The softening point of the glass increases, which promotes crystallization of the low-melting glass during firing, and may impair transparency.
Further, the amount of PbO relatively contained may increase, and the coefficient of thermal expansion of the low-melting glass may increase.
【0019】Al2 O3 は必須成分ではないが、PbO
系低融点ガラスを安定なガラスとするために加えること
ができる。8%超では低融点ガラスの焼成中の結晶化を
促進し、透明性を損ねるおそれがある。Although Al 2 O 3 is not an essential component, PbO
The low-melting glass can be added to make the glass stable. If it exceeds 8%, crystallization of the low-melting glass during sintering is promoted, and the transparency may be impaired.
【0020】SnO2 は必須成分ではないが、ガラス中
に残留したカーボンを酸化しガラスの着色を防止するた
めに加えることができる。5%超では低融点ガラスの粘
度が増大して気泡の浮上が困難となり、透明性を損ねる
おそれがある。Although SnO 2 is not an essential component, it can be added to oxidize carbon remaining in the glass and prevent coloring of the glass. If it exceeds 5%, the viscosity of the low-melting glass increases, making it difficult for air bubbles to float, which may impair transparency.
【0021】上記のガラス組成においては、これらの成
分の他にも、低融点ガラスの熱膨張係数や化学的耐久
性、軟化点、透明性、ガラスの安定性を調整するため
に、MgO、CaO、SrO、BaO、La2 O3 、T
iO2 、ZrO2 、CeO2 等を本発明の効果を損しな
い範囲(好ましくはそれぞれ低融点ガラス組成中の10
%以下)で適宜含有させうる。また、Li2 O、Na2
O、K2 O等のアルカリ金属酸化物やF等のハロゲン成
分もガラスの軟化点を低下させる成分として、電気的特
性等を阻害しない範囲(好ましくはそれぞれ低融点ガラ
ス組成中の10%以下)で加えてもよい。In the above glass composition, in addition to these components, MgO, CaO is used to adjust the thermal expansion coefficient, chemical durability, softening point, transparency, and stability of the low melting glass. , SrO, BaO, La 2 O 3 , T
iO 2 , ZrO 2 , CeO 2, etc. are set in a range that does not impair the effects of the present invention (preferably each of 10
% Or less). Li 2 O, Na 2
Alkali metal oxides such as O and K 2 O, and halogen components such as F are components that lower the softening point of the glass and do not impair the electrical characteristics and the like (preferably 10% or less of the low melting point glass composition). May be added.
【0022】本発明のプラズマディスプレイ装置におい
ては、軟化点が480℃より低い低融点ガラスからな
り、該低融点ガラスに存在する直径10μm以上の泡が
該低融点ガラス層表面1mm2 あたり50個以下である
低融点ガラス層によって、前面基板のガラス基板上の電
極を被覆する。In the plasma display device of the present invention, the low melting point glass is made of low melting point glass having a softening point lower than 480 ° C., and bubbles having a diameter of 10 μm or more exist in the low melting point glass at 50 or less per mm 2 of the low melting point glass layer surface. The electrode on the glass substrate of the front substrate is covered with the low melting point glass layer.
【0023】該低融点ガラス層に存在する直径10μm
以上の泡の数が該低融点ガラス層表面1mm2 あたり5
0個以下である理由は、次のとおりである。すなわち、
直径が10μm以上の泡の数が該低融点ガラス層表面1
mm2 あたり50個より大きくなるとガラス層の光透過
率が低下し、プラズマディスプレイ装置の画質が低下す
る。また、ガラス中に存在する泡は絶縁破壊の大きな要
因であり、ガラス層の耐電圧特性が低下する。The diameter of the low melting point glass layer is 10 μm.
The number of the above bubbles is 5 per 1 mm 2 of the surface of the low-melting glass layer.
The reason why the number is zero or less is as follows. That is,
The number of bubbles having a diameter of 10 μm or more is the low melting point glass layer surface 1
If the number is larger than 50 per mm 2, the light transmittance of the glass layer is reduced, and the image quality of the plasma display device is reduced. In addition, bubbles existing in the glass are a major cause of dielectric breakdown, and the withstand voltage characteristics of the glass layer are reduced.
【0024】本発明の他のプラズマディスプレイ装置に
おいては、前面基板のガラス基板上に設けられた電極
が、軟化点が480℃より低い低融点ガラスにより被覆
され、波長550nmの光の透過率が70%以上である
前面基板を用いる。このような前面基板を用いることに
より、プラズマディスプレイ装置の画質の低下を防止で
きる。In another plasma display device of the present invention, an electrode provided on a glass substrate as a front substrate is covered with a low melting point glass having a softening point lower than 480 ° C., and has a transmittance of 70 nm at a wavelength of 550 nm. % Or more. By using such a front substrate, it is possible to prevent a decrease in image quality of the plasma display device.
【0025】本発明のプラズマディスプレイ装置におい
ては、前面基板のガラス基板上に設けられた透明電極等
の電極上に本発明の電極被覆用低融点ガラス組成物を塗
布後、焼成することにより、透明性が高いガラス被覆層
を形成できる。In the plasma display device of the present invention, the low-melting glass composition for coating an electrode of the present invention is applied to an electrode such as a transparent electrode provided on a glass substrate as a front substrate, and then fired to obtain a transparent material. A glass coating layer having high properties can be formed.
【0026】[0026]
【実施例】表1に示すような組成(重量%)となるよう
に、酸化鉛、無水ホウ酸、酸化亜鉛、ケイ砂、酸化アル
ミニウム、酸化第二スズを混合し、1300℃の白金ル
ツボ中で1時間溶融し、薄板状ガラスに成形した後、ボ
ールミルで粉砕し、低融点ガラス粉末を得た。低融点ガ
ラス粉末の粒度D10、D50、D90、および示差熱分析計
で測定した軟化点(℃)を表1に示す。また、低融点ガ
ラス粉末を成形後、500℃で10分間焼成して得た焼
成体を直径5mm、長さ2cmの円柱状に加工し、熱膨
張計で50〜350℃の熱膨張係数α(単位:×10-7
/℃)を測定した(表1のα)。EXAMPLE Lead oxide, boric anhydride, zinc oxide, silica sand, aluminum oxide, and stannic oxide were mixed so as to have a composition (% by weight) as shown in Table 1, and the mixture was placed in a platinum crucible at 1300 ° C. For 1 hour, formed into a thin glass sheet, and then pulverized with a ball mill to obtain a low-melting glass powder. Table 1 shows the particle sizes D 10 , D 50 , D 90 and the softening point (° C.) of the low-melting glass powder measured by a differential thermal analyzer. Further, after molding the low melting point glass powder, the fired body obtained by firing at 500 ° C. for 10 minutes is processed into a columnar shape having a diameter of 5 mm and a length of 2 cm, and a thermal expansion coefficient α of 50 to 350 ° C. Unit: × 10 -7
/ ° C) (α in Table 1).
【0027】前記低融点ガラス粉末100gを、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテルアセテートにエチル
セルロースを7重量%溶解した有機ビヒクル25gと混
練し、ペースト状インクを作製した。100 g of the low-melting glass powder was kneaded with 25 g of an organic vehicle in which 7% by weight of ethyl cellulose was dissolved in diethylene glycol monobutyl ether acetate to prepare a paste ink.
【0028】次に、膜厚が200nmで幅が0.5mm
のITO透明電極を形成した大きさ75mm×50m
m、厚み2.8mmのソーダライムガラスのガラス基板
を用意し、透明電極上の48mm×24mmの部分に該
ペースト状インクを均一にスクリーン印刷後、120℃
で10分間乾燥した。このガラス基板を昇温速度10℃
/分で表1に示す焼成温度(℃)に加熱し、さらにその
温度に10分間維持することにより、焼成した。焼成後
の低融点ガラス層の膜厚(μm)を測定した(表1の低
融点ガラス層膜厚)。焼成後のガラス基板の光透過率お
よび泡数を次の方法により測定した。結果を表1に示
す。Next, a film thickness of 200 nm and a width of 0.5 mm
75mm x 50m with ITO transparent electrodes
m, a glass substrate of soda lime glass having a thickness of 2.8 mm was prepared, and the paste-like ink was uniformly screen-printed on a 48 mm × 24 mm portion on the transparent electrode, and then heated at 120 ° C.
For 10 minutes. This glass substrate was heated at a rate of 10 ° C.
Per minute to the calcination temperature (° C.) shown in Table 1 and calcination by maintaining the temperature for 10 minutes. The thickness (μm) of the low-melting glass layer after firing was measured (low-melting glass layer thickness in Table 1). The light transmittance and the number of bubbles of the fired glass substrate were measured by the following methods. Table 1 shows the results.
【0029】光透過率:(株)日立製作所製の自記録分
光光度計U−3500(積分球型)を用いて波長550
nmの光の透過率を測定。サンプルのない状態を100
%とし、ガラス基板上に低融点ガラス粉末を焼成したサ
ンプルの透過率(%)を測定した。70%以上あれば合
格である。 泡数:低融点ガラス層を光学顕微鏡(透過光)を用いて
倍率500で写真撮影をおこない、得られた写真中の泡
をカウントし、ガラス層の表面1mm×1mmあたりの
泡数(個/mm2 )を求める。Light transmittance: 550 wavelength using a self-recording spectrophotometer U-3500 (integrating sphere type) manufactured by Hitachi, Ltd.
Measure the transmittance of light in nm. 100 without sample
%, And the transmittance (%) of a sample obtained by firing a low melting point glass powder on a glass substrate was measured. If it is 70% or more, it passes. Number of bubbles: A photograph of the low-melting glass layer was taken at a magnification of 500 using an optical microscope (transmitted light), the number of bubbles in the obtained photograph was counted, and the number of bubbles per 1 mm × 1 mm surface of the glass layer (pieces / mm 2 ).
【0030】[0030]
【表1】 [Table 1]
【0031】[0031]
【発明の効果】以上のように本発明の低融点ガラス組成
物は、ITO等の透明電極等各種電極の特性を低下させ
ることなく透明な絶縁層であるガラス被覆層を形成でき
るため、平面ディスプレイ用途に好適である。また、本
発明のプラズマディスプレイ装置においては、前面基板
のガラス基板上に設けられた透明電極等の各種電極を被
覆する、ガラス被覆層による画質の低下はない。As described above, the low melting glass composition of the present invention can form a glass coating layer which is a transparent insulating layer without deteriorating the characteristics of various electrodes such as a transparent electrode such as ITO. Suitable for use. Further, in the plasma display device of the present invention, the image quality is not deteriorated by the glass coating layer that covers various electrodes such as the transparent electrode provided on the glass substrate of the front substrate.
Claims (5)
50%径が0.5〜5.0μm、積算ふるい下90%径
が10.0μm以下、である粒度を有し、軟化点が48
0℃より低い低融点ガラスの粉末を含有する、電極被覆
用低融点ガラス組成物。1. A 10% diameter under an integrated sieve is 1.5 μm or less,
The particle size is such that the 50% diameter is 0.5 to 5.0 μm, the 90% diameter under the integrated sieve is 10.0 μm or less, and the softening point is 48.
A low-melting glass composition for coating an electrode, comprising a low-melting glass powder lower than 0 ° C.
表示で、 PbO :52〜68%、 B2 O3 :14〜28%、 ZnO : 5〜23%、 SiO2 : 0〜 5%、 Al2 O3 : 0〜 8%、 SnO2 : 0〜 5%、 から実質的になる請求項1記載の電極被覆用低融点ガラ
ス組成物。2. The composition of the low-melting glass has a weight percentage based on oxides.
In view, PbO: 52~68%, B 2 O 3: 14~28%, ZnO: 5~23%, SiO 2: 0~ 5%, Al 2 O 3: 0~ 8%, SnO 2: 0~ The low melting glass composition for electrode coating according to claim 1, which is substantially 5%.
が区画形成されているプラズマディスプレイ装置におい
て、軟化点が480℃より低い低融点ガラスからなるガ
ラス層であって、該ガラス層に存在する直径10μm以
上の泡の数が該ガラス層表面1mm2 あたり50個以下
であるガラス層により、前面基板のガラス基板上に設け
られた電極を被覆しているプラズマディスプレイ装置。3. A glass layer made of a low-melting glass having a softening point lower than 480 ° C. in a plasma display device in which cells are defined by a front substrate, a rear substrate and partition walls. A plasma display device in which an electrode provided on a glass substrate as a front substrate is covered with a glass layer in which the number of bubbles having a size of 10 μm or more is 50 or less per 1 mm 2 of the surface of the glass layer.
が区画形成されているプラズマディスプレイ装置におい
て、前面基板のガラス基板上に設けられた電極が、軟化
点が480℃より低い低融点ガラスにより被覆され、波
長550nmの光の透過率が70%以上である前面基板
を用いるプラズマディスプレイ装置。4. In a plasma display device in which cells are defined by a front substrate, a rear substrate and partition walls, electrodes provided on a glass substrate of the front substrate are covered with a low-melting glass having a softening point lower than 480 ° C. And a plasma display device using a front substrate having a transmittance of light having a wavelength of 550 nm of 70% or more.
ガラス組成物を焼成して得られる低融点ガラスにより前
面基板のガラス基板上に設けられた電極が被覆され、波
長550nmの光の透過率が70%以上である前面基板
を用いるプラズマディスプレイ装置。5. An electrode provided on a glass substrate of a front substrate is coated with a low-melting glass obtained by firing the low-melting glass composition for electrode coating according to claim 1 or 2, and a light having a wavelength of 550 nm is coated. A plasma display device using a front substrate having a transmittance of 70% or more.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4066698A JPH11236244A (en) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | Low melting point glass composition for coating electrode and plasma display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4066698A JPH11236244A (en) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | Low melting point glass composition for coating electrode and plasma display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11236244A true JPH11236244A (en) | 1999-08-31 |
Family
ID=12586865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4066698A Withdrawn JPH11236244A (en) | 1998-02-23 | 1998-02-23 | Low melting point glass composition for coating electrode and plasma display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11236244A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1321899C (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-20 | 浙江大学 | Process of preparing nano zinc oxide on SiO2 surface |
CN100369841C (en) * | 2005-05-06 | 2008-02-20 | 湖南省天博瓷业有限公司 | Method for preparing glaze in bright red for ceramics at intermediate temperature |
JP2008303075A (en) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Central Glass Co Ltd | Insulating coating material |
-
1998
- 1998-02-23 JP JP4066698A patent/JPH11236244A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100369841C (en) * | 2005-05-06 | 2008-02-20 | 湖南省天博瓷业有限公司 | Method for preparing glaze in bright red for ceramics at intermediate temperature |
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A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060801 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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