JPH1045423A - Plasma display device - Google Patents
Plasma display deviceInfo
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- JPH1045423A JPH1045423A JP8220519A JP22051996A JPH1045423A JP H1045423 A JPH1045423 A JP H1045423A JP 8220519 A JP8220519 A JP 8220519A JP 22051996 A JP22051996 A JP 22051996A JP H1045423 A JPH1045423 A JP H1045423A
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- plasma display
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- display device
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- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】プラズマディスプレイ装置には、ＤＣ型
とＡＣ型の２種類が存在する。2. Description of the Related Art There are two types of plasma display devices, a DC type and an AC type.
【０００３】図１は、ＤＣ型プラズマディスプレイ装置
を示す部分断面図である。ＤＣ型プラズマディスプレイ
装置１０は、一定の間隔をおいて対向して設けられた前
面ガラス基板１１と、背面ガラス基板１２を備えてい
る。FIG. 1 is a partial sectional view showing a DC plasma display device. The DC-type plasma display device 10 includes a front glass substrate 11 and a rear glass substrate 12 provided to face each other at a predetermined interval.
【０００４】前面ガラス基板１１は、内側面にカソード
（陰極）１３が形成され、一方、背面ガラス基板１２の
内側面には、アノード（陽極）１４と補助アノード１５
が形成されており、絶縁体１６を介して蛍光体１７を備
えたリブ１８が立設されている。そして前面ガラス基板
１１と、背面ガラス基板１２で囲まれた内部には、Ｈｅ
−Ｘｅガス１９が封入されている。尚、２０は、抵抗を
示し、２１は、アノード母線を示している。The front glass substrate 11 has a cathode (cathode) 13 formed on the inner surface thereof, while an anode (anode) 14 and an auxiliary anode 15 are formed on the inner surface of the rear glass substrate 12.
Are formed, and a rib 18 provided with a phosphor 17 is provided upright via an insulator 16. The interior surrounded by the front glass substrate 11 and the rear glass substrate 12 contains He.
-Xe gas 19 is sealed. Incidentally, reference numeral 20 denotes a resistance, and reference numeral 21 denotes an anode bus.
【０００５】また図２は、ＡＣ型プラズマディスプレイ
装置を示す部分断面図である。このＡＣ型プラズマディ
スプレイ装置２２も、一定の間隔をおいて対向して設け
られた前面ガラス基板２３と、背面ガラス基板２４を備
えている。FIG. 2 is a partial sectional view showing an AC type plasma display device. This AC type plasma display device 22 also includes a front glass substrate 23 and a rear glass substrate 24 provided to face each other at a predetermined interval.
【０００６】前面ガラス基板２３は、内側面に表示電極
２５を備え、この表示電極２５は、誘電体層２６によっ
て埋設され、この誘電体層２６の表面には、ＭｇＯ膜２
７が形成されている。また背面ガラス基板２４の内側面
には、アドレス電極２８が形成されている。前面ガラス
基板２３の内側面のＭｇＯ膜２７と、背面ガラス基板２
４の内側面との間には、背面ガラス基板２４から立設し
たリブ２９が形成されている。このリブ２９は、表面に
蛍光体３０を備えている。前面ガラス基板２３と、背面
ガラス基板２４で囲まれた内部には、Ｎｅ−Ｘｅガス３
１が封入されている。The front glass substrate 23 has a display electrode 25 on the inner surface thereof. The display electrode 25 is buried by a dielectric layer 26, and the surface of the dielectric layer 26 has an MgO film 2
7 are formed. An address electrode 28 is formed on the inner surface of the back glass substrate 24. MgO film 27 on the inner surface of front glass substrate 23 and rear glass substrate 2
A rib 29 erected from the rear glass substrate 24 is formed between the inner surface 4 and the inner surface of the substrate 4. The rib 29 has a phosphor 30 on the surface. Ne-Xe gas 3 is contained in the inside surrounded by the front glass substrate 23 and the rear glass substrate 24.
1 is enclosed.
【０００７】一般にこれらのプラズマディスプレイ装置
のガラス基板としては、建築窓用ソーダライムガラス板
が使用され、このガラス基板表面への電極の焼き付け、
誘電体層、リブ及び蛍光体の形成は、５００〜６００℃
の高温で行われる。また前面ガラス基板と背面ガラス基
板をシーリングフリットで接着する時の温度も５００〜
６００℃の高温で行われる。In general, a soda lime glass plate for an architectural window is used as a glass substrate of these plasma display devices, and electrodes are baked on the surface of the glass substrate.
The formation of the dielectric layer, ribs and phosphor is performed at 500 to 600 ° C.
Done at high temperatures. In addition, the temperature when bonding the front glass substrate and the rear glass substrate with a sealing frit is also 500 to
It is performed at a high temperature of 600 ° C.
【０００８】そのためプラズマディスプレイ装置に用い
られるガラス基板には、次のような特性を満足すること
が要求される。Therefore, a glass substrate used in a plasma display device is required to satisfy the following characteristics.
【０００９】５００〜６００℃、特に５７０℃以上の
温度で熱処理する際の熱収縮が小さく、ガラス基板の表
面への電極や絶縁ペーストのパターン合わせを正確に行
えるようにするため、歪点が５７０℃以上であること。The heat shrinkage at the time of heat treatment at a temperature of 500 to 600 ° C., especially 570 ° C. or more, is small, and the strain point is set to 570 in order to make it possible to accurately align the pattern of the electrode or the insulating paste on the surface of the glass substrate. ℃ or more.
【００１０】熱膨張係数が、ガラス基板上に塗布され
る絶縁ペーストやシーリングフリットのそれと整合して
いるため、反りが発生しないこと。つまり７５〜９５×
１０ -7／℃の熱膨張係数を有すること。A coefficient of thermal expansion is applied to a glass substrate.
To match that of insulating paste or sealing frit
Warpage does not occur. That is, 75-95 ×
10 -7/ ° C.
【００１１】ネサ膜等の薄膜電極と、ガラス中のアル
カリ成分が反応すると、電極材料の電気抵抗値が変化し
てしまうため、ガラスの体積抵抗率が、１５０℃で１０
10Ω・ｃｍ以上と高く、アルカリ成分が薄膜電極と反応
しないこと。When a thin film electrode such as a Nesa film reacts with an alkali component in the glass, the electrical resistance of the electrode material changes, so that the glass has a volume resistivity of 10 ° C. at 150 ° C.
It is as high as 10 Ω · cm or more, and the alkali component does not react with the thin film electrode.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】建築窓用ソーダライム
ガラスは、約８９×１０-7／℃の熱膨張係数を有してお
り、これをプラズマディスプレイ装置の基板として用い
ても、反りは発生しないが、歪点が５００℃程度と低い
ため、これ以上の温度、特に５７０℃以上の温度で熱処
理する際の熱収縮が大きいという欠点を有している。The soda-lime glass for architectural windows has a thermal expansion coefficient of about 89 × 10 −7 / ° C., and even when this is used as a substrate of a plasma display device, warpage occurs. However, since the strain point is as low as about 500 ° C., there is a drawback that the heat shrinkage is large when the heat treatment is performed at a higher temperature, especially at a temperature of 570 ° C. or higher.
【００１３】またソーダライムガラスは、体積抵抗率が
比較的低く、しかも化学的耐久性に乏しいため、長期間
の保管、使用によって表面に焼けが発生し、プラズマデ
ィスプレイ装置の画面表示が見辛くなるという欠点を有
し、さらに長期間に亙って電子線が照射されると、着色
しやすいという欠点を有している。[0013] Soda lime glass has a relatively low volume resistivity and poor chemical durability, so that its surface is burned by long-term storage and use, making it difficult to see the screen display of the plasma display device. In addition, it has a disadvantage that when it is irradiated with an electron beam for a long period of time, it tends to be colored.
【００１４】また特開平３−４０９３３号には、熱収縮
が小さく、体積抵抗率の高いプラズマディスプレイ装置
に使用するガラス基板が提案されている。JP-A-3-40933 proposes a glass substrate to be used for a plasma display device having a small heat shrinkage and a high volume resistivity.
【００１５】ところが特開平３−４０９３３号のガラス
基板は、ＣａＯを比較的多量に含有するため、ガラスが
失透しやすく、ガラスを板状に精度良く成形するのが困
難である。すなわちガラスが失透しやすいと、失透物の
発生を抑えるため溶融温度を高くする必要があるが、溶
融温度を高くすると、成形時のガラスが軟らかくなる。
その結果、ガラス板の表面にうねりが発生したり、寸法
精度が低下しやすくなり、高い表面精度や寸法精度が要
求されるプラズマディスプレイ装置の基板として使用す
ることが不可能となる。However, the glass substrate disclosed in JP-A-3-40933 contains CaO in a relatively large amount, so that the glass is easily devitrified, and it is difficult to form the glass into a plate with high precision. That is, if the glass is easily devitrified, it is necessary to increase the melting temperature in order to suppress the generation of the devitrified material. However, if the melting temperature is increased, the glass at the time of molding becomes soft.
As a result, undulation occurs on the surface of the glass plate, and the dimensional accuracy is apt to be reduced, so that the glass plate cannot be used as a substrate of a plasma display device requiring high surface accuracy and dimensional accuracy.
【００１６】さらにＣａＯ量が多いと、ガラスの耐フッ
酸性が低下するため好ましくない。すなわちプラズマデ
ィスプレイ装置の回路を形成する際に、各種のフッ酸に
より処理を受けることがあるが、ガラス基板に十分な耐
フッ酸性が備わっていないと、フッ酸がガラス基板を侵
食してその表面を白濁させることがある。Further, when the CaO content is too large, the hydrofluoric acid resistance of the glass is undesirably reduced. That is, when forming a circuit of a plasma display device, the substrate may be treated with various types of hydrofluoric acid.However, if the glass substrate does not have sufficient hydrofluoric acid resistance, the hydrofluoric acid erodes the glass substrate and the surface thereof is eroded. May become cloudy.
【００１７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、その目的とするところは、歪点が高く、失透し難
いため各種の方法で容易に成形することが可能であり、
７５〜９５×１０-7／℃の熱膨張係数を有し、電子線に
よって着色し難く、体積抵抗率が高く、化学的耐久性及
び耐フッ酸性に優れたガラス基板を用いたプラズマディ
スプレイ装置を提供することである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object a high strain point and low devitrification, so that it can be easily formed by various methods.
A plasma display device using a glass substrate having a thermal expansion coefficient of 75 to 95 × 10 −7 / ° C., being difficult to be colored by an electron beam, having a high volume resistivity, and having excellent chemical durability and hydrofluoric acid resistance. To provide.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマディス
プレイ装置は、一対のガラス基板と、ガラス基板の内側
面に配置された電極と、ガラス基板内に配置され、電極
の放電によって発光する蛍光体とを備えたプラズマディ
スプレイ装置において、前記ガラス基板が、重量百分率
で、ＳｉＯ2 ５０％以上、Ａｌ2 Ｏ3 ４．５％以
上、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ １０〜２７％、
ＣａＯ ２．９％以下、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2 Ｏ
２５％以下の組成を有し、Ｎａ2 Ｏ／（Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2
Ｏ）＝０．１５〜０．７であることを特徴とする。According to the present invention, there is provided a plasma display apparatus comprising: a pair of glass substrates; an electrode disposed on an inner surface of the glass substrate; and a phosphor disposed in the glass substrate and emitting light by discharging the electrodes. a plasma display device including the door, said glass substrate, in weight percent, SiO 2 50% or more, Al 2 O 3 4.5% or more, MgO + CaO + SrO + BaO 10~27%,
CaO 2.9% or less, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O
It has a composition of 25% or less, and contains Na 2 O / (Na 2 O + K 2
O) = 0.15 to 0.7.
【００１９】[0019]
【作用】以下、本発明で使用するガラス基板の各成分を
上記のように限定した理由を説明する。The reasons for limiting the components of the glass substrate used in the present invention as described above will be described below.
【００２０】ＳｉＯ2 は、ガラスのネットワークフォー
マーであり、ガラスの歪点を高めるという作用を有する
ため、５０％以上含有させる。ただしＳｉＯ2 量が多す
ぎると、熱膨張係数が小さくなりすぎて、ガラス基板に
塗布される絶縁ペーストやシーリングフリットの熱膨張
係数（７５〜９５×１０-7／℃）と整合し難くなるた
め、６５％までに抑えることが好ましい。Since SiO 2 is a glass network former and has an effect of increasing the strain point of glass, it is contained in an amount of 50% or more. However, if the amount of SiO 2 is too large, the coefficient of thermal expansion becomes too small, and it is difficult to match the coefficient of thermal expansion (75 to 95 × 10 −7 / ° C.) of the insulating paste or sealing frit applied to the glass substrate. , 65%.
【００２１】Ａｌ2 Ｏ3 も、ガラスの歪点を高めるとい
う作用を有するため、４．５％以上含有させる。ただし
Ａｌ2 Ｏ3 量が多すぎると、ガラスが失透しやすく、成
形が困難となるため、１５％までに抑えることが好まし
い。[0021] Al 2 O 3 also, because it has an effect of enhancing the strain point of the glass, is contained more than 4.5%. However, if the amount of Al 2 O 3 is too large, the glass is apt to be devitrified and molding becomes difficult.
【００２２】ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯといっ
たＲＯ（アルカリ土類金属酸化物）は、ガラスを溶融し
やすくすると共に熱膨張係数を制御するという作用を有
するため、合量で１０％以上含有させる。しかしながら
これらの成分の合量が、２７％より多くなると、ガラス
が失透しやすくなるため好ましくない。RO (alkaline earth metal oxide) such as MgO, CaO, SrO, and BaO has an effect of easily melting glass and controlling a coefficient of thermal expansion, and is therefore contained in a total amount of 10% or more. However, if the total amount of these components is more than 27%, the glass tends to be devitrified, which is not preferable.
【００２３】ただしＣａＯ量が、２．９％より多くなる
と、ガラスが失透しやすくなると共に、ガラスの耐フッ
酸性も低下し、フッ酸で処理された際に白濁しやすくな
るため好ましくない。However, if the CaO content is more than 2.9%, the glass is liable to be devitrified, the hydrofluoric acid resistance of the glass is also reduced, and the glass tends to be clouded when treated with hydrofluoric acid.
【００２４】Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ及びＫ2 ＯといったＲ
2 Ｏ（アルカリ金属酸化物）は、熱膨張係数を制御する
という作用を有しているが、合量で２５％より多くなる
と、歪点が低くなりすぎると共に、体積抵抗率が低下す
るため好ましくない。R such as Li 2 O, Na 2 O and K 2 O
2 O (alkali metal oxide) has an effect of controlling the coefficient of thermal expansion. However, if the total amount is more than 25%, the strain point becomes too low and the volume resistivity decreases, so that it is preferable. Absent.
【００２５】またＮａ2 Ｏ／（Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ）の値
が、０．１５〜０．７の範囲外になると、化学的耐久性
と体積抵抗率が低下すると共に、電子線によって着色し
やすくなる、すなわち電子線による耐ブラウニング特性
が低下するため好ましくない。When the value of Na 2 O / (Na 2 O + K 2 O) is out of the range of 0.15 to 0.7, the chemical durability and the volume resistivity are reduced, and the coloration by the electron beam is caused. This is not preferable because the resistance to browning due to electron beams decreases.
【００２６】さらに本発明では、上記成分以外にも、ガ
ラスの化学的耐久性を向上させる目的でＺｒＯ2 を１０
％以下、ガラスの紫外線による着色を防止する目的でＴ
ｉＯ2 を５％以下、清澄剤としてＡｓ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ
3 、ＳＯ3 、Ｃｌ等の成分を１％以下、着色剤としてＦ
ｅ2 Ｏ3 、ＣｏＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｅＯ2 等の
成分を１％以下含有させることが可能である。Further, in the present invention, in addition to the above components, ZrO 2 is added to the glass for the purpose of improving the chemical durability of the glass.
% Or less, to prevent the glass from being colored by ultraviolet rays.
5% or less of iO 2 , As 2 O 3 and Sb 2 O as fining agents
1% or less of components such as 3 , SO 3 and Cl, and F as a coloring agent
Components such as e 2 O 3 , CoO, Cr 2 O 3 , NiO, and CeO 2 can be contained at 1% or less.
【００２７】[0027]
【実施例】以下、本発明のプラズマディスプレイ装置を
実施例に基づいて詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a plasma display device according to the present invention will be described in detail based on embodiments.
【００２８】表１は、実施例のガラス基板（試料Ｎｏ．
１〜７）と、比較例のガラス基板（試料Ｎｏ．８〜１
０）を示すものである。因に試料Ｎｏ．１０は、一般の
建築窓用ソーダライムガラスである。Table 1 shows the glass substrate (sample No.
1 to 7) and the glass substrate of the comparative example (Sample Nos. 8 to 1)
0). Note that the sample No. Numeral 10 is a soda lime glass for general architectural windows.
【００２９】[0029]
【表１】 [Table 1]
【００３０】表１の各試料は、次のようにして調製し
た。Each sample in Table 1 was prepared as follows.
【００３１】まず表中のガラス組成となるように原料を
調合し、これを白金坩堝に入れた後、電気炉中で１４５
０〜１５５０℃の温度で４時間溶融し、この溶融ガラス
をカーボン上に流し出して板状に成形した。次いで、こ
のガラス板の両面を光学研磨することによってガラス基
板を作製した。First, raw materials were prepared so as to have the glass composition shown in the table, and this was put in a platinum crucible.
It was melted at a temperature of 0 to 1550 ° C. for 4 hours, and the molten glass was poured out onto carbon and formed into a plate. Next, a glass substrate was produced by optically polishing both surfaces of the glass plate.
【００３２】こうして得られた各試料について、歪点、
液相温度、熱膨張係数、体積抵抗率、化学的耐久性、電
子線ブラウニングの有無及び耐フッ酸性を調べ、表１に
示した。For each sample thus obtained, the strain point,
The liquidus temperature, thermal expansion coefficient, volume resistivity, chemical durability, presence / absence of electron beam browning and hydrofluoric acid resistance were examined.
【００３３】表１から明らかなように、実施例であるＮ
ｏ．１〜７の各試料は、歪点が５７２℃以上であるた
め、熱収縮が小さいことが明らかである。またいずれの
試料も、液相温度が１０５０℃以下であるため、失透し
難いものと考えられ、熱膨張係数が８０〜８９×１０-7
／℃であり、絶縁ペーストやシーリングフリットのそれ
と整合していた。As is clear from Table 1, the N
o. Since each of the samples 1 to 7 has a strain point of 572 ° C. or higher, it is clear that the heat shrinkage is small. In addition, since all of the samples have a liquidus temperature of 1050 ° C. or less, it is considered that the liquidus temperature hardly devitrifies, and the thermal expansion coefficient is 80 to 89 × 10 −7.
/ ° C, which was consistent with that of the insulating paste and sealing frit.
【００３４】さらにこれらの試料は、１５０℃における
体積抵抗率が１０11.4以上と高く、化学的耐久性に優
れ、電子線による着色が認められず、耐フッ酸性も良好
であった。Further, these samples had a high volume resistivity at 150 ° C. of 10 11.4 or more, had excellent chemical durability, did not show coloring by electron beams, and had good hydrofluoric acid resistance.
【００３５】それに対し、比較例であるＮｏ．８の試料
は、液相温度が１２００℃と高いことから、失透しやす
く、成形し難いものと考えられ、また耐フッ酸性に劣っ
ていた。Ｎｏ．９の試料は、体積抵抗率が低いため、ア
ルカリ成分が薄膜電極と反応しやすいものと考えられ、
また化学的耐久性が悪く、電子線によって若干着色し
た。Ｎｏ．１０の試料は、歪点と体積抵抗率が低く、ま
た化学的耐久性に劣っていた。さらにこの試料は、電子
線によって若干着色し、耐フッ酸性にも劣っていた。On the other hand, the comparative example No. Sample No. 8 had a high liquidus temperature of 1200 ° C., and was considered to be easily devitrified and difficult to mold, and was inferior to hydrofluoric acid resistance. No. Since the sample of No. 9 has a low volume resistivity, it is considered that the alkali component easily reacts with the thin film electrode,
Further, it had poor chemical durability and was slightly colored by an electron beam. No. Sample No. 10 had a low strain point and low volume resistivity, and was inferior in chemical durability. Further, this sample was slightly colored by an electron beam, and was inferior to hydrofluoric acid resistance.
【００３６】尚、表中の歪点は、ＡＳＴＭ Ｃ３３６−
７１の方法に基づいて測定し、液相温度は、白金ボート
に２９７〜５００μｍの粒径を有するガラス粉末を入
れ、温度勾配炉に４８時間保持した後の失透観察によっ
て求めたものである。The strain points in the table are based on ASTM C336-
The liquidus temperature was measured based on the method of No. 71, and the liquidus temperature was determined by putting glass powder having a particle size of 297 to 500 μm in a platinum boat and observing devitrification after holding the glass powder in a temperature gradient furnace for 48 hours.
【００３７】また熱膨張係数は、ディラトメーターによ
って３０〜３８０℃における平均熱膨張係数を測定した
ものである。The coefficient of thermal expansion is obtained by measuring the average coefficient of thermal expansion at 30 to 380 ° C. using a dilatometer.
【００３８】化学的耐久性は、ＪＩＳ Ｒ ３５０２に
基づいてアルカリ溶出量を調べたものであり、アルカリ
溶出量が多いほど、化学的耐久性に劣ることになる。ま
た電子線ブラウニングは、電子線照射源として、ＥＭＸ
（エレクトロンマイクロプロープメーレイアナライザ
ー）を用い、２５ＫＶの印加電圧で、３×１０-3μＡ／
ｃｍ2 の電流密度の電子ビームをＡｌ蒸着をしたガラス
試料に３０分間照射した後、各ガラス試料の着色の有無
を目視で観察した。The chemical durability is obtained by examining the alkali elution amount based on JIS R 3502. The greater the alkali elution amount, the lower the chemical durability. Also, electron beam browning uses EMX as an electron beam irradiation source.
(Electron microprobe Meyle analyzer) at an applied voltage of 25 KV and 3 × 10 −3 μA /
After irradiating an electron beam having a current density of cm 2 on the Al-deposited glass samples for 30 minutes, each glass sample was visually observed for coloring.
【００３９】さらに耐フッ酸性は、各試料を２５℃に保
持された２０重量％フッ酸２０重量％硫酸のフツ硫酸水
溶液に１分間浸漬した後、ガラス基板の表面状態を目視
で観察することによって評価したものであり、ガラス基
板の表面に著しい白濁が認められたものを×、変化の少
なかったものを○とした。Further, the resistance to hydrofluoric acid is determined by immersing each sample in an aqueous solution of 20% by weight of hydrofluoric acid and 20% by weight of sulfuric acid at 25 ° C. for 1 minute, and then visually observing the surface condition of the glass substrate. The evaluation was as follows. A case where remarkable white turbidity was recognized on the surface of the glass substrate was evaluated as x, and a case where the change was small was evaluated as ○.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上のように本発明のプラズマディスプ
レイ装置に用いるガラス基板は、５７０℃以上の温度で
熱処理しても熱収縮が少なく、７５〜９５×１０-7／℃
の熱膨張係数を有し、体積抵抗率が高い。As described above, the glass substrate used in the plasma display device of the present invention has a small thermal shrinkage even when heat-treated at a temperature of 570 ° C. or more, and is 75 to 95 × 10 −7 / ° C.
And a high volume resistivity.
【００４１】また本発明におけるガラス基板は、失透し
難いため、一般にガラス板の成形方法として知られてい
るフロート法、フュージョン法、ロールアウト法等のい
ずれの方法によっても製造することが可能である。Further, since the glass substrate in the present invention is hardly devitrified, it can be manufactured by any method such as a float method, a fusion method and a roll-out method which are generally known as a method for forming a glass plate. is there.
【００４２】さらに本発明におけるガラス基板は、化学
的耐久性に優れているため、長期間に亙って保管、使用
しても表面に焼けが発生し難く、また電子線によって着
色し難く、しかも耐フッ酸性に優れているため、回路を
形成する際に、フッ酸を使用しても、ガラスが侵食され
ることはない。Further, since the glass substrate of the present invention has excellent chemical durability, it does not easily burn on its surface even when stored and used for a long period of time, and is hardly colored by an electron beam. Since it is excellent in hydrofluoric acid resistance, even when hydrofluoric acid is used in forming a circuit, the glass is not eroded.
【図１】ＤＣ型プラズマディスプレイ装置を示す部分断
面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a DC plasma display device.
【図２】ＡＣ型プラズマディスプレイ装置を示す部分断
面図である。FIG. 2 is a partial sectional view showing an AC type plasma display device.
１０ ＤＣ型プラズマディスプレイ装置 １１、２３ 前面ガラス基板 １２、２４ 背面ガラス基板 １３ カソード １４ アノード １７、３０ 蛍光体 ２２ ＡＣ型プラズマディスプレイ装置 ２５ 表示電極 ２８ アドレス電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 DC type plasma display apparatus 11, 23 Front glass substrate 12, 24 Back glass substrate 13 Cathode 14 Anode 17, 30 Phosphor 22 AC type plasma display apparatus 25 Display electrode 28 Address electrode
Claims (1)
面に配置された電極と、ガラス基板内に配置され、電極
の放電によって発光する蛍光体とを備えたプラズマディ
スプレイ装置において、前記ガラス基板が、重量百分率
で、ＳｉＯ2５０％以上、Ａｌ2 Ｏ3 ４．５％以上、
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ１０〜２７％、ＣａＯ
２．９％以下、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ ２５％
以下の組成を有し、Ｎａ2 Ｏ／（Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ）＝
０．１５〜０．７であることを特徴とするプラズマディ
スプレイ装置。1. A plasma display device comprising: a pair of glass substrates; an electrode disposed on an inner surface of the glass substrate; and a phosphor disposed in the glass substrate and emitting light by discharging the electrodes. , By weight percentage, SiO 2 50% or more, Al 2 O 3 4.5% or more,
MgO + CaO + SrO + BaO10-27%, CaO
2.9% or less, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O 25%
It has the following composition, and Na 2 O / (Na 2 O + K 2 O) =
A plasma display device having a ratio of 0.15 to 0.7.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8220519A JPH1045423A (en) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | Plasma display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8220519A JPH1045423A (en) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | Plasma display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1045423A true JPH1045423A (en) | 1998-02-17 |
Family
ID=16752295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8220519A Pending JPH1045423A (en) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | Plasma display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1045423A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268304B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-07-31 | Asahi Glass Company Ltd. | Plate glass and substrate glass for electronics |
| US6297182B1 (en) | 1998-08-11 | 2001-10-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Glass for a substrate |
| JP2003054984A (en) * | 2001-08-13 | 2003-02-26 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Glass substrate for flat panel display unit |
| JP2003335547A (en) * | 2002-05-20 | 2003-11-25 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Glass substrate for flat panel display equipment |
| JP2006244870A (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Manufacturing method for glass spacer for flat panel display device, and the glass spacer |
| JP2006347803A (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Glass substrate for flat panel display |
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| JP2013063910A (en) * | 2012-12-25 | 2013-04-11 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Glass substrate for solar cell |
| CN111233320A (en) * | 2019-11-21 | 2020-06-05 | 中国科学院微电子研究所 | Glass for plasma display and manufacturing method thereof |
-
1996
- 1996-08-01 JP JP8220519A patent/JPH1045423A/en active Pending
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