JPH11233709A - Semiconductor device, its manufacture and electronic equipment - Google Patents

Semiconductor device, its manufacture and electronic equipment

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JPH11233709A
JPH11233709A JP10030696A JP3069698A JPH11233709A JP H11233709 A JPH11233709 A JP H11233709A JP 10030696 A JP10030696 A JP 10030696A JP 3069698 A JP3069698 A JP 3069698A JP H11233709 A JPH11233709 A JP H11233709A
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JP
Japan
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lead
leads
package
semiconductor device
lead frame
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP10030696A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Michiaki Sugiyama
道昭 杉山
Tamaki Wada
環 和田
Toshihiko Usami
俊彦 宇佐見
Masachika Masuda
正親 増田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Akita Electronics Systems Co Ltd
Hitachi Solutions Technology Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi ULSI Systems Co Ltd
Akita Electronics Co Ltd
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Publication date
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Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable narrowing lead pitch by alternately protruding upper step leads and lower step leads from two steps of height on the respective side surfaces of a package, along the lead arrangement direction. SOLUTION: A semiconductor device 1 has an external structure where a plurality of leads 3 are protruded from both side surfaces of a package 2 which is oblong and flat. Lead groups protruded from the respective side surfaces of the package 2 are constituted of upper step leads 4 and lower step leads 5 which are alternately protruded from two steps of height on the side surfaces of the package 2, along the lead arrangement direction. A plurality of the leads 3 protruded from one side surface are arranged protruding in order in a staggered shape, and manufactured so as not to generate interference between the respective leads 3, so that lead pitch of the lead groups can be more narrowed than a lead pitch working marginal value in the work of a lead frame, and the narrowing of lead pitch of the semiconductor device or miniaturization of a semiconductor device due to miniaturization of the package can be realized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置およびそ
の製造方法ならびに電子装置に関し、特にリードピッチ
の狭小化による小型化が図れる半導体装置の製造技術に
適用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, a method of manufacturing the same, and an electronic device. More particularly, the present invention relates to a technology effective when applied to a technology of manufacturing a semiconductor device which can be miniaturized by reducing a lead pitch.

【0002】[0002]

【従来の技術】IC,LSI等半導体装置は、高機能,
高集積化から端子(リード,ピンと呼称されている)は
より多くなっている。
2. Description of the Related Art Semiconductor devices such as ICs and LSIs have high performance,
The number of terminals (referred to as leads and pins) has increased due to the higher integration.

【0003】樹脂封止型の半導体装置は、絶縁樹脂製の
パッケージの周面から複数のリードを突出させる外観形
状になっている。パッケージの内部には半導体チップが
位置するとともに、この半導体チップの電極とリード内
端は電気的に接続する接続手段、たとえば導電性のワイ
ヤで電気的に接続されている。
A resin-sealed semiconductor device has an external shape in which a plurality of leads protrude from the peripheral surface of an insulating resin package. A semiconductor chip is located inside the package, and electrodes of the semiconductor chip and inner ends of the leads are electrically connected by connection means for electrically connecting, for example, conductive wires.

【0004】また、パッケージから突出するリードの形
状はバットリード,ガルウィング,Jリード等となって
いる。
Further, the shape of the lead protruding from the package is a butt lead, gull wing, J lead, or the like.

【0005】一方、樹脂封止型の半導体装置の製造には
リードフレームが使用される。リードフレームは、一般
には短冊状の金属板に並んで所望のリードパターンが複
数直列に配列された構造になっている。リードフレーム
は、薄い金属板をプレスしたりエッチングすることによ
って形成される。
On the other hand, a lead frame is used for manufacturing a resin-sealed semiconductor device. The lead frame generally has a structure in which a plurality of desired lead patterns are arranged in series along a strip-shaped metal plate. The lead frame is formed by pressing or etching a thin metal plate.

【0006】リードフレームの加工については、たとえ
ば、日経BP社発行「日経マイクロデバイス」1988年8
月号、同年8月1日発行、P54〜P60に記載されてい
る。この文献には、リードフレームのプレス限界につい
て記載されている。
For the processing of the lead frame, see, for example, “Nikkei Micro Device” published by Nikkei BP, August 1988.
The monthly issue is published on August 1, the same year, and is described on pages 54 to 60. This document describes the press limit of the lead frame.

【0007】一方、半導体チップの電極数が多い構造の
半導体装置では、その製造に複数枚のリードフレームを
部分的にまたは全体的に重ね合わせた複合リードフレー
ム(二段リードフレーム等)が使用されている。
On the other hand, in a semiconductor device having a structure in which the number of electrodes of a semiconductor chip is large, a composite lead frame (such as a two-step lead frame) in which a plurality of lead frames are partially or wholly overlapped is used for manufacturing the semiconductor device. ing.

【0008】たとえば、特願平5-200485号公報には、二
枚のリードフレームを重ねて、一方のリードフレームの
インナーリード部分を他方のリードフレームのインナー
リード部分に固定して形成した半導体装置の製造技術が
開示されている。すなわち、この構造の半導体装置で
は、インナーリードは2層であり、アウターリードは一
層である。
[0008] For example, Japanese Patent Application No. Hei 5-200585 discloses a semiconductor device in which two lead frames are stacked and the inner lead portion of one lead frame is fixed to the inner lead portion of the other lead frame. Is disclosed. That is, in the semiconductor device having this structure, the inner leads have two layers and the outer leads have one layer.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】リードフレームの打ち
抜き加工においては、たとえば、リードピッチは板厚の
80%程度が、量産における最小の加工寸法である。し
たがって、汎用的に用いられている板厚のリードフレー
ム素材を用いるならば、自ずとリードピッチの最小値は
決定されてしまう。
In the lead frame punching process, for example, the lead pitch is about 80% of the plate thickness, which is the minimum processing size in mass production. Therefore, if a generally used lead frame material having a plate thickness is used, the minimum value of the lead pitch is naturally determined.

【0010】半導体装置の多機能,高集積化により、リ
ード数もより多くなっている。この結果、多ピンに伴っ
てパッケージも大型化し、これら半導体装置を組み込む
電子装置も大型化してしまう。
The number of leads is increasing due to the multifunctionality and high integration of semiconductor devices. As a result, the package size increases with the increase in the number of pins, and the electronic device incorporating these semiconductor devices also increases in size.

【0011】本発明の目的は、リードピッチの狭小化が
達成できる半導体装置の製造技術を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing technique capable of achieving a reduction in lead pitch.

【0012】本発明の他の目的は、電子装置の小型化を
図ることにある。本発明の前記ならびにそのほかの目的
と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあ
きらかになるであろう。
Another object of the present invention is to reduce the size of an electronic device. The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 (1)パッケージと、前記パッケージの内部に位置する
半導体チップと、前記パッケージの内外に亘って並んで
延在する複数のリードと、前記リードの内端と前記半導
体チップの電極を電気的に接続する接続手段とを有する
半導体装置であって、前記パッケージの各側面から突出
するリード群は前記パッケージの側面の二段の高さから
リード配列方向に沿って交互に突出する上段リードと下
段リードとで構成されている。前記上段リードおよび下
段リードの突出長さは一方が長く他方が短くなってい
る。前記上段リードおよび下段リードの突出先端部分に
形成される成形リード部の実装端部の位置は千鳥足状に
配列されている。前記上段リードおよび下段リードの前
記成形リード部の形状は相互に異なっている。前記上段
リードおよび下段リードの成形リード部の形状はバット
リード,ガルウィング,Jリード,Zリードのうちの一
種類乃至二種類の組み合わせになっている。たとえば突
出長さが短い下段リードの成形リード部はJリードとな
り、突出長さの長い上段リードの成形リード部はガルウ
ィングとなっている。また、前記上段リードおよび下段
リードは前記パッケージ内でそれぞれ絶縁性の連結体で
接着連結されている。
The following is a brief description of an outline of typical inventions disclosed in the present application. (1) A package, a semiconductor chip located inside the package, a plurality of leads extending side by side inside and outside the package, and electrically connecting an inner end of the lead and an electrode of the semiconductor chip. A lead group protruding from each side surface of the package, the upper lead and the lower lead protruding alternately along the lead arrangement direction from two levels of height of the side surface of the package. It is composed of One of the protruding lengths of the upper and lower leads is longer and the other is shorter. The positions of the mounting ends of the molded leads formed at the protruding tips of the upper and lower leads are arranged in a staggered manner. The shapes of the formed lead portions of the upper lead and the lower lead are different from each other. The shape of the molded lead portion of the upper lead and the lower lead is a combination of one or two of butt lead, gull wing, J lead, and Z lead. For example, the molded lead portion of the lower lead having a short protruding length is a J lead, and the molded lead portion of the upper lead having a long protruding length is a gull wing. Further, the upper lead and the lower lead are adhesively connected to each other in the package by an insulating connecting body.

【0014】このような半導体装置は、以下の方法によ
って製造される。半導体チップを搭載するタブを有しイ
ンナーリードの先端が前記タブの周縁に近接する下段リ
ードフレームと、前記下段リードフレームに重ねて固定
された際少なくとも一部のインナーリードの先端が前記
下段リードフレームのタブ上方に位置しかつアウターリ
ードが前記下段リードフレームのアウターリードの上方
でずれて配置されるように構成された上段リードフレー
ムを用意する工程と、前記下段リードフレームのタブ上
に半導体チップを固定する工程と、前記半導体チップの
電極と前記下段リードフレームの各リードを電気的に接
続する工程と、前記下段リードフレーム上に上段リード
フレームを重ねて一部で固定して二段リードフレームを
作製する工程と、前記半導体チップの電極と前記上段リ
ードフレームの各リードを電気的に接続する工程と、前
記タブ,前記半導体チップ,前記接続手段およびリード
先端部分を絶縁性の樹脂で被ってパッケージを形成する
工程と、前記二段リードフレームの不要部分を切断除去
する工程と、前記パッケージから突出するリードを所定
の形状に成形する工程とを有し、前記二段リードフレー
ムは前記パッケージの各側面から突出するリード群が前
記パッケージの側面の二段の高さからリード配列方向に
沿って交互に突出する上段リードと下段リードとなるよ
うに形成しておくとともに、リード成形時には前記上段
リードおよび下段リードの突出長さが交互に長と短にな
るように成形し、かつ突出先端部分に形成される成形リ
ード部の実装端部の位置が千鳥足状の配列になるように
成形する。前記上段リードおよび下段リードの前記成形
リード部の形状は相互に異なるようにリード成形する。
前記リード成形では、前記上段リードの突出長さを長く
し突出先端の成形リード部はガルウィングに成形し、前
記下段リードの突出長さを短くし突出先端の成形リード
部はJリードに成形する。前記下段リードフレームと上
段リードフレームの固定は絶縁性の連結体で接着連結す
る。
Such a semiconductor device is manufactured by the following method. A lower lead frame having a tab on which a semiconductor chip is mounted, the tip of the inner lead being close to the peripheral edge of the tab, and the tip of at least a part of the inner lead being fixed to the lower lead frame in an overlapping manner; Preparing an upper lead frame that is located above the tab and the outer leads are configured to be displaced above the outer leads of the lower lead frame; anda semiconductor chip on the tab of the lower lead frame. Fixing, electrically connecting the electrodes of the semiconductor chip and the respective leads of the lower lead frame, overlapping the upper lead frame on the lower lead frame and partially fixing the two-stage lead frame. Manufacturing step, electrically connecting the electrodes of the semiconductor chip and the respective leads of the upper lead frame. Forming a package by covering the tab, the semiconductor chip, the connection means, and the tip of the lead with an insulating resin; cutting and removing an unnecessary portion of the two-stage lead frame; Forming a lead projecting from the package into a predetermined shape, wherein the two-stage lead frame is such that a group of leads projecting from each side surface of the package is arranged in a lead arrangement direction from a two-stage height of the side surface of the package. The upper lead and the lower lead are formed so as to alternately protrude along the upper lead and the lower lead. At the time of forming the lead, the upper lead and the lower lead are formed so that the protruding length becomes alternately longer and shorter. Molding is performed so that the positions of the mounting ends of the molding leads formed in the portions are in a staggered arrangement. The leads are formed such that the shapes of the forming leads of the upper lead and the lower lead are different from each other.
In the lead forming, the protruding length of the upper lead is made longer and the forming lead portion at the protruding tip is formed into a gull wing, and the protruding length of the lower lead is shortened and the forming lead portion at the protruding tip is formed as a J lead. The lower lead frame and the upper lead frame are fixedly bonded to each other by an insulating connecting member.

【0015】前記半導体装置を組み込んだ電子装置は以
下の構成になる。パッケージと、前記パッケージの内部
に位置する半導体チップと、前記パッケージの内外に亘
って並んで延在する複数のリードと、前記リードの内端
と前記半導体チップの電極を電気的に接続する接続手段
とを有する半導体装置を実装した電子装置であって、前
記半導体装置における前記パッケージの各側面から突出
するリード群は、前記パッケージの側面の二段の高さか
らリード配列方向に沿って交互に突出する上段リードと
下段リードとで構成され、かつ前記上段リードおよび下
段リードの突出長さは一方が長く他方が短くなり、前記
上段リードおよび下段リードの突出先端部分に形成され
る成形リード部の実装端部の位置は千鳥足状に配列され
ている。前記上段リードおよび下段リードの前記成形リ
ード部の形状は相互に異なっている。前記上段リードは
突出長さが長くガルウィングになり、前記下段リードは
突出長さが短くJリードになっている。
An electronic device incorporating the semiconductor device has the following configuration. A package, a semiconductor chip located inside the package, a plurality of leads extending side by side inside and outside the package, and connection means for electrically connecting an inner end of the lead and an electrode of the semiconductor chip. Wherein the lead group projecting from each side surface of the package in the semiconductor device alternately protrudes along the lead arrangement direction from a two-stage height of the package side surface. Mounting a molded lead portion formed at the protruding tip portions of the upper and lower leads, one of which is longer and the other has a shorter length. The end positions are arranged in a staggered pattern. The shapes of the formed lead portions of the upper lead and the lower lead are different from each other. The upper lead has a long gull wing and the lower lead has a short protrusion and a J lead.

【0016】前記(1)の手段によれば、(a)パッケ
ージの各側面の二段の高さから上段リードおよび下段リ
ードを交互に突出させるとともに、前記上段リードおよ
び下段リードの突出長さをそれぞれ長短とし、かつ成形
リード部の実装端部の位置を千鳥足状に配列して両リー
ドが干渉しないように製造することから、リードフレー
ムの加工におけるリードピッチ加工限界値よりもリード
群のリードピッチを狭小化できることになり、半導体装
置のリードピッチの狭小化が図れる。この結果、半導体
装置においては、同一寸法パッケージでの多ピン化また
は同一ピン数でのパッケージの小型化が図れることにな
る。
According to the above means (1), (a) the upper lead and the lower lead are alternately projected from the two heights of each side surface of the package, and the projecting length of the upper lead and the lower lead is determined. Since the length of each lead is short and long, and the positions of the mounting ends of the molded leads are arranged in a staggered manner so that both leads do not interfere with each other, the lead pitch of the lead group is greater than the lead pitch processing limit value in lead frame processing. Can be reduced, and the lead pitch of the semiconductor device can be reduced. As a result, in the semiconductor device, it is possible to increase the number of pins in a package of the same size or downsize the package with the same number of pins.

【0017】(b)半導体装置のリードピッチの狭小化
が図れることから、この半導体装置を組み込んだ電子装
置では、半導体装置のパッケージ寸法を小さくした場合
には、半導体装置の実装面積の縮小化が図れ電子装置の
小型化を図ることができる。
(B) Since the lead pitch of the semiconductor device can be narrowed, in an electronic device incorporating this semiconductor device, when the package size of the semiconductor device is reduced, the mounting area of the semiconductor device can be reduced. The size of the electronic device can be reduced.

【0018】(c)半導体装置のリードピッチの狭小化
が図れることから、この半導体装置を組み込んだ電子装
置では、リード(ピン)数の多い半導体装置を組み込む
ことができ、電子装置の高機能化等が図れることにな
る。
(C) Since the lead pitch of the semiconductor device can be narrowed, a semiconductor device having a large number of leads (pins) can be incorporated in an electronic device incorporating the semiconductor device, and the electronic device has high functionality. And so on.

【0019】(d)半導体装置のリードの実装端部は千
鳥足状に配列されていることから、実装状態での接合材
同士の接触による不良が発生しなくなり、電子装置の信
頼性が高くなる。
(D) Since the mounting ends of the leads of the semiconductor device are arranged in a staggered manner, no failure occurs due to the contact between the bonding materials in the mounted state, and the reliability of the electronic device is improved.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In all the drawings for describing the embodiments of the present invention, components having the same functions are denoted by the same reference numerals, and their repeated description will be omitted.

【0021】図1乃至図14は本発明の一実施形態(実
施形態1)である半導体装置およびその半導体装置を組
み込んだ電子装置に係わる図である。
FIGS. 1 to 14 are diagrams relating to a semiconductor device according to an embodiment (Embodiment 1) of the present invention and an electronic device incorporating the semiconductor device.

【0022】本実施形態1の半導体装置1は、図1乃至
図3に示すように、外観的には細長偏平のパッケージ2
の両側面から複数のリード3を突出させる構造になって
いる。前記パッケージ2の各側面から突出するリード群
は、前記パッケージ2の側面の二段の高さからリード配
列方向に沿って交互に突出する上段リード4と下段リー
ド5とで構成されている。すなわち、一側面から突出す
る複数のリード3は千鳥足状に順次突出する構造になっ
ている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the semiconductor device 1 according to the first embodiment has an elongated flat package 2 in appearance.
The structure is such that a plurality of leads 3 protrude from both side surfaces. The lead group protruding from each side surface of the package 2 is composed of an upper lead 4 and a lower lead 5 which protrude alternately from the two heights of the side surface of the package 2 along the lead arrangement direction. That is, the plurality of leads 3 protruding from one side surface are sequentially protruded in a staggered manner.

【0023】また、前記上段リード4および下段リード
5の突出長さは、一方が長く他方が短くなっている。前
記突出長さは、図3に示すように、パッケージ2から水
平方向に直線的に延在する端(突出端)までの長さであ
り、たとえば、上段リード4では突出長さはhとなり長
く、下段リード5の突出長さはgとなり短く長くなって
いる。すなわち、上段リード4および下段リード5は長
または短になっている。
The protruding lengths of the upper lead 4 and the lower lead 5 are longer on one side and shorter on the other. The protruding length is a length from the package 2 to an end (protruding end) extending linearly in the horizontal direction, as shown in FIG. The projecting length of the lower lead 5 is g, which is short and long. That is, the upper lead 4 and the lower lead 5 are longer or shorter.

【0024】前記上段リード4および下段リード5の突
出先端部分に形成される成形リード部4a,5aの形状
は相互に異なっている。たとえば、上段リード4の成形
リード部4aの形状はガルウィングとなり、下段リード
5の成形リード部5aの形状はJリードになっている。
すなわち、上段リード4のアウターリード4cはガルウ
ィング型、下段リード5のアウターリード5cはJリー
ド型になっている。
The shapes of the formed lead portions 4a and 5a formed at the protruding tips of the upper lead 4 and the lower lead 5 are different from each other. For example, the shape of the molded lead portion 4a of the upper lead 4 is a gull wing, and the shape of the molded lead portion 5a of the lower lead 5 is a J lead.
That is, the outer lead 4c of the upper lead 4 is a gull-wing type, and the outer lead 5c of the lower lead 5 is a J-lead type.

【0025】ガルウィングではリード3の突出端の延長
線側に実装端部4bが位置し、Jリードではリード3の
突出端の内側に実装端部5bが位置する結果、上段リー
ド4および下段リード5の実装端部4b,5bの配列
は、千鳥足状になる(図1参照)。
In the gull wing, the mounting end 4b is located on the extension side of the protruding end of the lead 3, and in the J lead, the mounting end 5b is located inside the protruding end of the lead 3, so that the upper lead 4 and the lower lead 5 are located. The arrangement of the mounting ends 4b and 5b is staggered (see FIG. 1).

【0026】なお、前記上段リード4および下段リード
5の突出長さが異なることから、突出端の配列も上方か
ら見ると千鳥足状となっている。これにより、成形リー
ド部の形状が同一でも実装端部の配列は千鳥足状にな
る。
Since the protruding lengths of the upper lead 4 and the lower lead 5 are different, the arrangement of the protruding ends is also staggered when viewed from above. As a result, the arrangement of the mounting ends becomes staggered even if the shapes of the molding leads are the same.

【0027】図1は本実施形態1の半導体装置1を実装
した実装構造、すなわち電子装置10の一部を示す斜視
図である。また、図4は電子装置10の実装基板11に
おける半導体装置1搭載用のフットプリント12を示す
模式図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a mounting structure in which the semiconductor device 1 of the first embodiment is mounted, that is, a part of an electronic device 10. FIG. 4 is a schematic view showing a footprint 12 for mounting the semiconductor device 1 on a mounting board 11 of the electronic device 10.

【0028】フットプリント12は前記半導体装置1の
実装端部4b,5bに対応することから千鳥足状の配列
になる。
Since the footprints 12 correspond to the mounting ends 4b and 5b of the semiconductor device 1, the footprints 12 are arranged in a staggered pattern.

【0029】図3に示すように、前記実装端部4b,5
bは、半田13を介して実装基板11のフットプリント
12に固定(実装)されている。
As shown in FIG. 3, the mounting ends 4b, 5
b is fixed (mounted) to the footprint 12 of the mounting board 11 via the solder 13.

【0030】本実施形態1では、成形リード部4a,5
aはガルウィング,Jリードにしてあるが、他の型(形
状)の組み合わせでもよい。すなわち、バットリード,
ガルウィング,Jリード,Zリードのうちの一種類乃至
二種類の組み合わせにすればよい。しかし、この場合で
も、前記実装部分で半田ブリッジによって隣接するリー
ドがショートしないように千鳥足状の配列にする必要が
ある。
In the first embodiment, the molding leads 4a, 5
Although a is a gull wing and a J-lead, a combination of other types (shapes) may be used. That is, butt lead,
One or two types of gull wings, J leads and Z leads may be used. However, even in this case, it is necessary to form a staggered arrangement so that adjacent leads are not short-circuited by the solder bridge in the mounting portion.

【0031】半導体装置1は、図2および図3に示すよ
うに、パッケージ2内にタブ6を有し、このタブ6上に
半導体チップ7が図示しない接合材によって固定される
構造ともなっている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the semiconductor device 1 has a tab 6 in the package 2 and a semiconductor chip 7 is fixed on the tab 6 by a bonding material (not shown).

【0032】前記下段リード5のインナーリード5dの
先端は前記タブ6の周縁に近接している。また、上段リ
ード4の一部のインナーリード4dの先端は前記半導体
チップ7の上方に延在し、一部のインナーリード4dの
先端は前記半導体チップ7の周縁の上方に位置してい
る。
The tip of the inner lead 5 d of the lower lead 5 is close to the periphery of the tab 6. The tip of a part of the inner lead 4d of the upper lead 4 extends above the semiconductor chip 7, and the tip of the part of the inner lead 4d is located above the peripheral edge of the semiconductor chip 7.

【0033】また、前記リード3(上段リード4,下段
リード5)の内端(インナーリード4d,5dの内端)
と、前記半導体チップ7の図示しない電極は、接続手段
によって電気的に接続されている。すなわち、具体的に
は導電性のワイヤ9で接続されている。電気的接続手段
は他の構成でもよい。
The inner ends of the leads 3 (the upper leads 4 and the lower leads 5) (the inner ends of the inner leads 4d and 5d).
And the electrodes (not shown) of the semiconductor chip 7 are electrically connected by connecting means. That is, they are specifically connected by conductive wires 9. The electrical connection means may have another configuration.

【0034】また、前記パッケージ2内において二段に
亘って延在するリード3(インナーリード4d,5d)
は、絶縁性の連結体8で接着連結されている。たとえ
ば、前記連結体8は、表面が粘着性となる絶縁性の樹脂
テープで形成されている。
Also, leads 3 (inner leads 4d, 5d) extending in two steps in the package 2
Are bonded and connected by an insulating connecting body 8. For example, the connecting body 8 is formed of an insulating resin tape having a sticky surface.

【0035】ここで、図3および図4に示すように、実
装に係わるリードやフットプリント等の各部の寸法の一
例を挙げる。
Here, as shown in FIGS. 3 and 4, an example of dimensions of each part such as a lead and a footprint related to mounting will be described.

【0036】フットプリント12は、半導体装置1のパ
ッケージ2の両側にそれぞれ二列にフットプリント12
を並べるように配置され、一方の列に対して、他方の列
は半分のピッチ(a)でずれるように配置されて千鳥足
状に並ぶ。したがって、bの寸法は一列のフットプリン
ト12のピッチaの半分になる。aを0.30mmにす
ると、bは0.15mmになる。
The footprints 12 are arranged in two rows on both sides of the package 2 of the semiconductor device 1, respectively.
Are arranged side by side, and the other row is arranged so as to be displaced at a half pitch (a) with respect to one row, and is arranged in a staggered manner. Therefore, the dimension of b is half of the pitch a of the footprints 12 in one row. If a is 0.30 mm, b becomes 0.15 mm.

【0037】フットプリント12の長さは、ガルウィン
グリードに対してはe(=0.95mm)となり、Jリ
ードに対してはd(=1.50mm)になっている。
The length of the footprint 12 is e (= 0.95 mm) for the gull wing lead and d (= 1.50 mm) for the J lead.

【0038】フットプリント12の幅は、ガルウィング
リードおよびJリードに対して同一であり、c(=0.
30mm)になっている。
The width of the footprint 12 is the same for the gull wing lead and the J lead, and c (= 0.
30 mm).

【0039】また、千鳥足状に配列される相互に斜め方
向に位置するフットプリント12間の距離fは0.30
mmになっている。
The distance f between the footprints 12 arranged in a zigzag pattern and located in the oblique direction is 0.30.
mm.

【0040】また、上段リード4の突出長さhは0.4
0mm、下段リード5の突出長さgは0.20mmであ
る。
The protruding length h of the upper lead 4 is 0.4
0 mm, and the protruding length g of the lower lead 5 is 0.20 mm.

【0041】このような各部の寸法によって、フットプ
リント12間の距離が最小0.30mm離れることによ
って、実装時半田ブリッジの発生を防止するようになっ
ている。
Due to the size of each part, the distance between the footprints 12 is at least 0.30 mm apart, thereby preventing the occurrence of a solder bridge at the time of mounting.

【0042】つぎに、本実施形態1の半導体装置1の製
造方法について説明する。半導体装置1の製造において
は、図6に示す下段リードフレーム30と、図7に示す
上段リードフレーム40が使用される。これらの主・上
段リードフレーム30,40は、半導体装置の製造の途
中で重ねて連結されて図8乃至図10に示すような二段
リードフレーム20として使用される。
Next, a method of manufacturing the semiconductor device 1 according to the first embodiment will be described. In manufacturing the semiconductor device 1, a lower lead frame 30 shown in FIG. 6 and an upper lead frame 40 shown in FIG. 7 are used. These main and upper lead frames 30 and 40 are overlapped and connected during the manufacture of the semiconductor device and used as a two-stage lead frame 20 as shown in FIGS.

【0043】下段リードフレーム30および上段リード
フレーム40は、厚さ0.15〜0.1mm程度の鉄−
ニッケル合金板あるいは銅合金板をプレスによって所望
パターンに打ち抜いた形状となっている。また、下段リ
ードフレーム30および上段リードフレーム40のリー
ドフレーム枠31,41の外形寸法は同一になり、二段
リードフレーム20にした場合、取扱いに支障を来さな
い形状になっている。
The lower lead frame 30 and the upper lead frame 40 are made of iron and have a thickness of about 0.15 to 0.1 mm.
It has a shape obtained by punching a nickel alloy plate or a copper alloy plate into a desired pattern by pressing. In addition, the outer dimensions of the lead frame frames 31 and 41 of the lower lead frame 30 and the upper lead frame 40 are the same, and when the two-stage lead frame 20 is used, it has a shape that does not hinder handling.

【0044】リードフレーム枠31,41は、図6およ
び図7に示すように、一対の平行に延在する外枠32,
42と、この一対の外枠32,42を連結し外枠32,
42に直交する方向に延在する一対の内枠33,43と
によって形成される枠構造となっている。
As shown in FIGS. 6 and 7, a pair of parallel extending outer frames 32, 41 are provided for the lead frame frames 31, 41.
42 and the pair of outer frames 32, 42
It has a frame structure formed by a pair of inner frames 33 and 43 extending in a direction orthogonal to 42.

【0045】前記下段リードフレーム30の中央には矩
形状のタブ(支持板)6が配置され、前記上段リードフ
レーム40の中央にはタブは設けられず、空間領域44
になっている。
A rectangular tab (support plate) 6 is arranged at the center of the lower lead frame 30, and no tab is provided at the center of the upper lead frame 40,
It has become.

【0046】すなわち、本実施形態1の二段リードフレ
ーム20において、下段リードフレーム30にはタブ6
が存在し、上段リードフレーム40にはタブが存在しな
いことも本発明の特徴の一つである。
That is, in the two-stage lead frame 20 of the first embodiment, the tab 6
Is present, and one of the features of the present invention is that the upper lead frame 40 has no tab.

【0047】下段リードフレーム30の中央のタブ6
は、一般のリードフレームの場合と同様に外枠32から
延在するタブ吊りリード35によって支持されている。
タブ吊りリード35の外端部分は、応力吸収効果を目的
として二股に別れて外枠32に連なっている。また、前
記タブ6は一段低く形成されている。
The tab 6 at the center of the lower lead frame 30
Are supported by tab suspension leads 35 extending from the outer frame 32 as in the case of a general lead frame.
The outer end portion of the tab suspension lead 35 is bifurcated and connected to the outer frame 32 for the purpose of stress absorption. The tab 6 is formed one step lower.

【0048】一方、前記内枠33,43から枠中央に向
かって複数のリード3が延在している。上段リードフレ
ーム40のリード3は、二段リードフレーム20になっ
た状態で上段になることから上段リード4とも呼称す
る。これに対して、下段リードフレーム30のリード3
は、二段リードフレーム20になった状態で下段になる
ことから下段リード5とも呼称する。
On the other hand, a plurality of leads 3 extend from the inner frames 33 and 43 toward the center of the frame. The lead 3 of the upper lead frame 40 is also referred to as the upper lead 4 because it becomes the upper lead in the state of the two-stage lead frame 20. On the other hand, the lead 3 of the lower lead frame 30
Is also referred to as the lower lead 5 because it becomes the lower stage in the state of the two-stage lead frame 20.

【0049】内枠33,43から突出したリード3は、
それぞれ所定箇所までは外枠32,42に平行に延在す
るが、その後は屈曲し、下段リードフレーム30の場合
ではタブ6の周縁に先端を近接させるように延在してい
る。
The leads 3 projecting from the inner frames 33, 43
Each of them extends parallel to the outer frames 32 and 42 up to predetermined positions, but thereafter bends, and in the case of the lower lead frame 30, extends so that the leading end approaches the periphery of the tab 6.

【0050】また、上段リードフレーム40の場合で
は、一部は前記タブ6の上方に延在する。また、残りは
前記タブ6の周縁に近接した位置の上方に延在してい
る。多くはタブ6の上方に延在して、前記タブ6上に固
定された半導体チップ7上に延在する。
In the case of the upper lead frame 40, a part extends above the tab 6. The rest extends above a position close to the periphery of the tab 6. Many extend above the tub 6 and extend above the semiconductor chip 7 fixed on the tub 6.

【0051】また、前記タブ6の上方に先端を位置させ
るリード3は、その途中部分が一段高く屈曲し、スプリ
ング性が付与されている。これらタブ6上に延在するリ
ード3の先端は、タブ6上に固定される半導体チップ7
の電極位置から外れるようになっている。
The lead 3 whose distal end is located above the tab 6 has an intermediate portion bent one step higher to provide a spring property. The tips of the leads 3 extending on the tabs 6 are connected to semiconductor chips 7 fixed on the tabs 6.
From the electrode position.

【0052】上段リードフレーム40におけるリードへ
のワイヤボンディングは、ワイヤボンディング時、各リ
ードは抑え片で弾力的に押し下げられる。ワイヤボンデ
ィングは、半導体チップ7の表面に押し付けられたリー
ド、またはワイヤボンディング装置のステージに設けら
れた突出した支持ピンに支持されたリードに対して行わ
れる。
In the wire bonding to the leads in the upper lead frame 40, at the time of the wire bonding, each lead is elastically pushed down by a holding piece. The wire bonding is performed on the leads pressed against the surface of the semiconductor chip 7 or the leads supported on the protruding support pins provided on the stage of the wire bonding apparatus.

【0053】また、相互に平行に延在するリード部分に
おいて、各リード3はダム36,46によって連結され
ている。このダム36,46は、前記内枠33,43に
平行に配置されるとともに外れの部分は外枠32,42
に連結されている。このダム36,46は、トランスフ
ァモールドによってパッケージ2を形成する際、溶けた
樹脂の流出を防止するダムとして作用する。
In the lead portions extending in parallel with each other, the leads 3 are connected by dams 36 and 46. The dams 36, 46 are arranged in parallel with the inner frames 33, 43, and the outer portions are outer frames 32, 42.
It is connected to. These dams 36 and 46 function as dams for preventing the melted resin from flowing out when the package 2 is formed by transfer molding.

【0054】なお、前記トランスファモールドによって
封止される領域内に延在するリード部分をインナーリー
ド4d,5dと呼称し、前記リード外に延在するリード
部分をアウターリード4c,5cと呼称する。
The leads extending into the region sealed by the transfer mold are referred to as inner leads 4d and 5d, and the leads extending outside the leads are referred to as outer leads 4c and 5c.

【0055】前記下段リードフレーム30および上段リ
ードフレーム40は、溶接や絶縁性の連結体で接着連結
されて二段リードフレーム20になる。
The lower lead frame 30 and the upper lead frame 40 are bonded to each other by welding or an insulating connecting member to form the two-stage lead frame 20.

【0056】本実施形態1では、図9に示すように、絶
縁性の連結体8によって内枠33,43およびインナー
リード4d,5d部分が接着連結される。連結体8は、
たとえば、表面が粘着性となる絶縁性の樹脂テープであ
る。
In the first embodiment, as shown in FIG. 9, the inner frames 33 and 43 and the inner leads 4d and 5d are adhesively connected by an insulating connecting body 8. The connecting body 8 is
For example, an insulating resin tape having a sticky surface.

【0057】また、前記外枠32,42には、下段リー
ドフレーム30および上段リードフレーム40の搬送や
位置決めに使用する複数種類のパターンのガイド孔3
7,47が設けられている。
The outer frames 32 and 42 have guide holes 3 of a plurality of types of patterns used for transporting and positioning the lower lead frame 30 and the upper lead frame 40.
7, 47 are provided.

【0058】なお、下段リードフレーム30および上段
リードフレーム40は、図では、説明の便宜上リード3
の数を大幅に少なくしてあるが、実際には百数十〜二百
数十と多い。
Note that the lower lead frame 30 and the upper lead frame 40 are shown in FIG.
Although the number is greatly reduced, it is actually as large as one hundred and several hundred to several hundred.

【0059】つぎに、前記下段リードフレーム30およ
び上段リードフレーム40を用いた半導体装置の製造に
ついて説明する。
Next, the manufacture of a semiconductor device using the lower lead frame 30 and the upper lead frame 40 will be described.

【0060】半導体装置1は、図5のフローチャートに
示すように、上・下段リードフレーム用意(ステップ1
01)、下段リードフレームにダイボンディング(ステ
ップ102)、下段リードフレームにワイヤボンディン
グ(ステップ103)、上・下段リードフレーム連結
(ステップ104)、上段リードフレームにワイヤボン
ディング(ステップ105)、モールド(ステップ10
6)、ダム切断(ステップ107)、はんだメッキ(ス
テップ108)、リード成形〔下段リードフレーム〕
(ステップ109)、リード成形〔上段リードフレー
ム〕(ステップ110)の各工程を経て製造される。
As shown in the flowchart of FIG. 5, the semiconductor device 1 prepares upper and lower lead frames (step 1).
01), die bonding to the lower lead frame (step 102), wire bonding to the lower lead frame (step 103), connection of the upper and lower lead frames (step 104), wire bonding to the upper lead frame (step 105), and molding (step 102). 10
6), dam cutting (step 107), solder plating (step 108), lead molding (lower lead frame)
(Step 109) and lead molding (upper lead frame) (Step 110).

【0061】すなわち、図6に示す(図9参照)よう
に、前記下段リードフレーム30のタブ6上に常用のダ
イボンディング方法で半導体チップ7を固定する(ステ
ップ102)。
That is, as shown in FIG. 6 (see FIG. 9), the semiconductor chip 7 is fixed on the tab 6 of the lower lead frame 30 by a conventional die bonding method (step 102).

【0062】つぎに、図6に示す(図9参照)ように、
ワイヤボンディングを行って、下段リードフレーム30
の各インナーリード5dの先端部分と、前記半導体チッ
プ7の図示しない各電極を導電性のワイヤ9で接続する
(ステップ103)。
Next, as shown in FIG. 6 (see FIG. 9),
By performing wire bonding, the lower lead frame 30
The tips of the inner leads 5d are connected to the respective electrodes (not shown) of the semiconductor chip 7 with the conductive wires 9 (step 103).

【0063】つぎに、図8および図9に示すように、下
段リードフレーム30に上段リードフレーム40を重ね
るとともに、両リードフレームを連結体8を介して連結
する(ステップ104)。
Next, as shown in FIGS. 8 and 9, the upper lead frame 40 is overlaid on the lower lead frame 30, and both lead frames are connected via the connector 8 (step 104).

【0064】連結体8は、たとえば、表面が粘着性とな
る絶縁性の樹脂テープからなり、前記下段リードフレー
ム30および上段リードフレーム40の内枠33,43
間およびインナーリード4d,5d間が接着連結され
る。
The connecting body 8 is made of, for example, an insulating resin tape having an adhesive surface, and the inner frames 33 and 43 of the lower lead frame 30 and the upper lead frame 40.
The space between the inner leads 4d and 5d is adhesively connected.

【0065】つぎに、図10および図11に示すよう
に、ワイヤボンディングを行って、前記上段リードフレ
ーム40のインナーリード4dの先端部分と、前記タブ
6上に固定された半導体チップ7の図示しない各電極を
導電性のワイヤ9で接続する(ステップ105)。
Next, as shown in FIGS. 10 and 11, wire bonding is carried out, and the tip of the inner lead 4d of the upper lead frame 40 and the semiconductor chip 7 fixed on the tab 6 are not shown. Each electrode is connected by a conductive wire 9 (step 105).

【0066】このワイヤボンディングの際、図12
(a)に示すように、上段リードフレーム40の上段リ
ード4のインナーリード4dの先端部分は、タブ6に固
定された半導体チップ7の表面よりも数十〜数百μm程
度浮いた状態になっていることから、図12(b)に示
すように抑え片50を降下させて、上段リード4の浮い
たインナーリード4dの先端を半導体チップ7の表面
や、ワイヤボンディング装置のステージ51に設けた支
持ピン52の上面に弾力的に接触させ、この状態でワイ
ヤボンディングを行う。これにより、上段リード4のイ
ンナーリード4dの先端部分にワイヤ9が確実に接続さ
れることになる。
At the time of this wire bonding, FIG.
As shown in FIG. 5A, the tip of the inner lead 4 d of the upper lead 4 of the upper lead frame 40 is in a state of floating by several tens to several hundreds μm from the surface of the semiconductor chip 7 fixed to the tab 6. Therefore, as shown in FIG. 12B, the holding piece 50 is lowered, and the tip of the floating inner lead 4d of the upper lead 4 is provided on the surface of the semiconductor chip 7 or the stage 51 of the wire bonding apparatus. The upper surface of the support pin 52 is elastically contacted, and wire bonding is performed in this state. Thus, the wire 9 is securely connected to the tip of the inner lead 4d of the upper lead 4.

【0067】図12(c)は抑え片50を上昇させて上
段リード4のインナーリード4dの押し下げを解除した
状態を示す。
FIG. 12C shows a state in which the pressing piece 50 is lifted and the pressing down of the inner lead 4 d of the upper lead 4 is released.

【0068】つぎに、図13に示すように、組立が終了
した二段リードフレーム20をトランスファモールド装
置のモールド金型60に型締めして封止を行う。モール
ド金型60は、下型61と、上型62とからなり、それ
ぞれのパーティング面に窪んだキャビティ63,64を
有している。
Next, as shown in FIG. 13, the assembled two-stage lead frame 20 is clamped to a mold 60 of a transfer molding apparatus to seal it. The molding die 60 includes a lower die 61 and an upper die 62, and has cavities 63 and 64 depressed in respective parting surfaces.

【0069】また、前記二段リードフレーム20におけ
るリード列は、下段リードフレーム30と上段リードフ
レーム40のリード3によって構成されることから、図
14に示すように千鳥足状の配列構成になり、モールド
金型60の上・下型62,61のパーティング面の形状
も、千鳥足状配列のリード3(上段リード4,下段リー
ド5)をクランプしかつ樹脂の洩れを防止することか
ら、凸歯65と凹歯66を交互に配列した構成になる。
Further, since the lead rows in the two-stage lead frame 20 are constituted by the leads 3 of the lower lead frame 30 and the upper lead frame 40, they are arranged in a staggered arrangement as shown in FIG. The shape of the parting surfaces of the upper and lower dies 62 and 61 of the mold 60 is also such that the convex teeth 65 can clamp the leads 3 (upper lead 4 and lower lead 5) in a staggered arrangement and prevent leakage of resin. And the concave teeth 66 are alternately arranged.

【0070】下型61と上型62とでは、凸歯65と凹
歯66の配列は半ピッチずれ、上段リード4または下段
リード5を凸歯65の先端面65aと、凹歯66の凹状
の窪み内面66aで挟み込むようになっている。
In the lower mold 61 and the upper mold 62, the arrangement of the convex teeth 65 and the concave teeth 66 is shifted by a half pitch, and the upper lead 4 or the lower lead 5 is displaced by the distal end surface 65 a of the convex teeth 65 and the concave form of the concave teeth 66. It is designed to be sandwiched between the recess inner surfaces 66a.

【0071】また、上段リード4と下段リード5との間
に所定の寸法を有する構成になっていることから、凸歯
65と凹歯66との間は斜面67になっている。
Since the upper lead 4 and the lower lead 5 have a predetermined dimension, a slope 67 is formed between the convex teeth 65 and the concave teeth 66.

【0072】樹脂モールド時には、二段リードフレーム
20を上・下型62,61間に型締めした後、型締めに
よって形成されたモールド空間(キャビティ63,64
によって形成される空間)に、図示しないゲートから溶
けた絶縁性のレジンを圧入してトランスファモールドを
行い、タブ6,半導体チップ7,ワイヤ9,連結体8お
よび上・下段リード4,5のインナーリード4d,5d
を被うパッケージ2を形成する(ステップ106)。
At the time of resin molding, the two-stage lead frame 20 is clamped between the upper and lower dies 62, 61, and then the mold space (cavities 63, 64) formed by the clamping is formed.
The space is formed by press-fitting an insulative resin melted from a gate (not shown) and performing transfer molding, and the tab 6, the semiconductor chip 7, the wire 9, the connecting body 8, and the inner leads of the upper and lower leads 4 and 5 are formed. Lead 4d, 5d
Is formed (step 106).

【0073】つぎに、二段リードフレーム20をモール
ド金型60から取り出し、図示しない切断型で二段リー
ドフレーム20のダム36,46を切断除去する(ステ
ップ107)。
Next, the two-stage lead frame 20 is removed from the mold 60, and the dams 36 and 46 of the two-stage lead frame 20 are cut and removed by a cutting die (not shown) (step 107).

【0074】つぎに、図示しない電界メッキ装置で二段
リードフレーム20のパッケージ2から突出するリード
部分にはんだメッキを施す(ステップ108)。
Next, solder plating is applied to the lead portions of the two-stage lead frame 20 projecting from the package 2 by an electric field plating device (not shown) (step 108).

【0075】つぎに、図示しないリード成形型を使用し
てリード成形を行う。たとえば、リード成形は下段リー
ドフレーム30の下段リード5(リード3)を成形(ス
テップ109)した後、上段リードフレーム40の上段
リード4(リード3)を成形(ステップ110)する。
Next, lead molding is performed using a lead molding die (not shown). For example, in the lead forming, after forming the lower lead 5 (lead 3) of the lower lead frame 30 (step 109), the upper lead 4 (lead 3) of the upper lead frame 40 is formed (step 110).

【0076】なお、リード成形は、二段リードフレーム
20の千鳥足状配列のうリード3に対応させた金型で一
度に成形するようにしてもよい。
The lead may be formed at a time by a mold corresponding to the staggered leads 3 of the two-stage lead frame 20.

【0077】リード成形は、それぞれその成形形状は選
択できるが、本発明では、実装時の上段リード4および
下段リード5の実装端部4b,5bが千鳥足状配列にな
るようにする。
In the lead forming, the forming shape can be selected, but in the present invention, the mounting ends 4b, 5b of the upper lead 4 and the lower lead 5 at the time of mounting are arranged in a staggered arrangement.

【0078】また、下段リード5の突出長さgを小さく
し、上段リード4の突出長さhを長くする。突出長さが
異なることによって、この突出端の位置配列も千鳥足状
配列になる。したがって、上段リード4および下段リー
ド5を共に同一形状にリード成形しても実装端部4b,
5bの配列は千鳥足状配列になる。
Further, the protrusion length g of the lower lead 5 is reduced, and the protrusion length h of the upper lead 4 is increased. Due to the different protruding lengths, the position arrangement of the protruding ends also becomes a staggered arrangement. Therefore, even if both the upper lead 4 and the lower lead 5 are formed into the same shape, the mounting ends 4b,
The arrangement of 5b is a staggered arrangement.

【0079】本実施形態1では、千鳥足状配列の配列間
隔を広くするため、上段リード4はガルウィングとし、
下段リード5はJリードとしてある。これにより、図1
および図2に示すような半導体装置1が製造される。
In the first embodiment, the upper lead 4 is formed as a gull wing in order to widen the arrangement interval of the staggered arrangement.
The lower lead 5 is a J lead. As a result, FIG.
And the semiconductor device 1 as shown in FIG. 2 is manufactured.

【0080】本実施形態1の半導体装置およびその半導
体装置を組み込んだ電子装置によれば以下の効果を奏す
る。 (1)パッケージ2の各側面の二段の高さから上段リー
ド4および下段リード5を交互に突出させるとともに、
前記上段リード4および下段リード5の突出長さをそれ
ぞれ長短とし、かつ成形リード部4a,5aの実装端部
4b,5bの位置を千鳥足状に配列して両リードが干渉
しないように製造することから、リードフレームの加工
におけるリードピッチ加工限界値よりもリード群のリー
ドピッチを狭小化できることになり、半導体装置1のリ
ードピッチの狭小化が図れる。
According to the semiconductor device of the first embodiment and the electronic device incorporating the semiconductor device, the following effects can be obtained. (1) The upper leads 4 and the lower leads 5 are alternately protruded from the two heights of each side surface of the package 2, and
The projecting length of the upper lead 4 and the lower lead 5 is set to be longer and shorter respectively, and the positions of the mounting ends 4b, 5b of the molded leads 4a, 5a are arranged in a staggered manner so that the two leads do not interfere with each other. Therefore, the lead pitch of the lead group can be narrower than the lead pitch processing limit value in the processing of the lead frame, and the lead pitch of the semiconductor device 1 can be narrowed.

【0081】(2)上記(1)により、半導体装置1に
おいては、同一寸法パッケージでの多ピン化または同一
ピン数でのパッケージの小型化が図れることになる。
(2) According to the above (1), in the semiconductor device 1, the number of pins in a package of the same size or the size of the package with the same number of pins can be reduced.

【0082】(3)上記(2)により、半導体装置1の
リードピッチの狭小化が図れることから、この半導体装
置1を組み込んだ電子装置10では、半導体装置1のパ
ッケージ寸法を小さくした場合には、半導体装置1の実
装面積の縮小化が図れ電子装置10の小型を図ることが
できる。
(3) Since the lead pitch of the semiconductor device 1 can be reduced by the above (2), in the electronic device 10 incorporating the semiconductor device 1, when the package size of the semiconductor device 1 is reduced, In addition, the mounting area of the semiconductor device 1 can be reduced, and the size of the electronic device 10 can be reduced.

【0083】(4)上記(2)により、半導体装置1の
リードピッチの狭小化が図れることから、この半導体装
置1を組み込んだ電子装置10では、リード(ピン)数
の多い半導体装置1を組み込むことができ、電子装置1
0の高機能化等が図れることになる。
(4) Since the lead pitch of the semiconductor device 1 can be narrowed by the above (2), the electronic device 10 incorporating the semiconductor device 1 incorporates the semiconductor device 1 having a large number of leads (pins). Electronic device 1
It is possible to improve the functionality of the device.

【0084】(5)半導体装置1のリード3(上段リー
ド4,下段リード5)の実装端部4b,5bは千鳥足状
に配列されていることから、実装状態でのはんだ等の接
合材同士の接触による不良が発生しなくなり、電子装置
10の信頼性が高くなる。
(5) Since the mounting ends 4b and 5b of the leads 3 (the upper lead 4 and the lower lead 5) of the semiconductor device 1 are arranged in a staggered manner, the bonding material such as solder in the mounted state is not used. Failure due to contact does not occur, and the reliability of the electronic device 10 increases.

【0085】(実施形態2)図15は本発明の他の実施
形態(実施形態2)である半導体装置の製造に用いるモ
ールド金型60の一部を示す模式的断面図である。
(Embodiment 2) FIG. 15 is a schematic sectional view showing a part of a mold 60 used for manufacturing a semiconductor device according to another embodiment (Embodiment 2) of the present invention.

【0086】本実施形態2では、モールド金型60の下
型61および上型62の凸歯65および凹歯66におい
ては、凹歯66の凹状の窪み内面66aの両内側面を、
窪み内面66aの底面に対して垂直面とし、この垂直面
がそのまま凸歯65の側面を構成するようにしてあるこ
とから、上段リード4の側面の延長上に下段リード5の
側面が略一致するようになり、千鳥足状配列のリード3
(上段リード4および下段リード5)のリードピッチが
前記実施形態1に比較してより小さくできることにな
る。
In the second embodiment, in the convex teeth 65 and the concave teeth 66 of the lower mold 61 and the upper mold 62 of the mold 60, both inner surfaces of the concave inner surface 66a of the concave tooth 66 are
The side surface of the lower lead 5 substantially coincides with the extension of the side surface of the upper lead 4 because the vertical surface is a vertical surface with respect to the bottom surface of the recess inner surface 66a, and this vertical surface forms the side surface of the convex tooth 65 as it is. And staggered lead 3
The lead pitch of the (upper lead 4 and lower lead 5) can be made smaller than in the first embodiment.

【0087】この結果、半導体装置のリードピッチのさ
らなる狭小化が達成できることになる。
As a result, it is possible to further reduce the lead pitch of the semiconductor device.

【0088】(実施形態3)図16は本発明の他の実施
形態(実施形態3)である半導体装置の一部を示す拡大
断面図である。
(Embodiment 3) FIG. 16 is an enlarged sectional view showing a part of a semiconductor device according to another embodiment (Embodiment 3) of the present invention.

【0089】本実施形態3の半導体装置1では、パッケ
ージ2の内部で上段リード4と下段リード5を連結しな
い構造である。
The semiconductor device 1 according to the third embodiment has a structure in which the upper lead 4 and the lower lead 5 are not connected inside the package 2.

【0090】本実施形態3の半導体装置1は、図示はし
ないが、前記実施形態1で使用する下段リードフレーム
30と上段リードフレーム40をそのリードフレーム枠
31,41部分でスポット溶接で一体化して二段リード
フレーム20とし、この二段リードフレーム20を用い
て製造したものである。
Although not shown, the semiconductor device 1 of the third embodiment integrates the lower lead frame 30 and the upper lead frame 40 used in the first embodiment by spot welding at the lead frame frames 31 and 41. The two-stage lead frame 20 is used and manufactured using the two-stage lead frame 20.

【0091】本実施形態3では、連結体8を使用しない
ことから、部品点数の削減と、連結体8による張り合わ
せの手間が省け、簡単なスポット溶接で二段リードフレ
ーム20を形成できることから、半導体装置1の製造コ
ストの低減が達成できる。
In the third embodiment, since the connecting body 8 is not used, the number of parts can be reduced, the labor for bonding by the connecting body 8 can be omitted, and the two-step lead frame 20 can be formed by simple spot welding. Reduction of the manufacturing cost of the device 1 can be achieved.

【0092】また、二段リードフレーム20の製造にお
いて、下段リードフレーム30と上段リードフレーム4
0との間に連結体を介在させないことから、二段リード
フレーム20の厚さを連結体を使用しない分だけ薄くで
き、その結果パッケージ2の薄型化が可能になり、半導
体装置1の薄型化が達成できる。
In manufacturing the two-stage lead frame 20, the lower lead frame 30 and the upper lead frame 4
Since no connecting body is interposed between the two lead frames, the thickness of the two-stage lead frame 20 can be reduced by the amount not using the connecting body. As a result, the package 2 can be made thinner, and the semiconductor device 1 can be made thinner. Can be achieved.

【0093】これにより、半導体装置1の実装高さが低
くなり、電子装置10の薄型化も達成できる。
As a result, the mounting height of the semiconductor device 1 is reduced, and the electronic device 10 can be made thinner.

【0094】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
前記実施形態では、上段リード4と下段リード5はガル
ウィングとJリードとの組み合わせとしたが、他の組み
合わせでもよい。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be variously modified without departing from the gist thereof. Needless to say, for example,
In the above embodiment, the upper lead 4 and the lower lead 5 are a combination of a gull wing and a J lead, but may be another combination.

【0095】たとえば、図17は半導体装置の上段リー
ド4と下段リード5のアウターリードの組み合わせ例を
示す図である。
For example, FIG. 17 is a diagram showing an example of a combination of the outer lead of the upper lead 4 and the lower lead 5 of the semiconductor device.

【0096】組み合わせはA〜Fの6種類が示されてい
る。上段が千鳥足状配列の外側のアウターリードの形状
であり、突出長さの長い上段リード4の形状である。
The six combinations A to F are shown. The upper stage is the shape of the outer lead on the outer side of the staggered arrangement, and is the shape of the upper stage lead 4 having a long protruding length.

【0097】また、下段が千鳥足状配列の内側のアウタ
ーリードの形状であり、突出長さの短い下段リード5の
形状である。
The lower stage is the shape of the outer lead inside the staggered arrangement, and is the shape of the lower stage lead 5 having a short protruding length.

【0098】Aタイプは共にバットリードの組合せ、B
タイプは上段リード4をバットリードとし下段リード5
をJリードとした組合せ、Cタイプは上段リード4をガ
ルウィングとし下段リード5をバットリードとした組合
せ、Dタイプは上段リード4をガルウィングとし下段リ
ード5をJリードとした組合せ、Eタイプは上段リード
4をZリード(この名称は形状から付した)とし下段リ
ード5をバットリードとした組合せ、Fタイプは上段リ
ード4をZリードとし下段リード5をJリードとした組
合せである。
A type is a combination of butt leads, B type
For the type, the upper lead 4 is a butt lead and the lower lead 5
Is a combination with the upper lead 4 as the gull wing and the lower lead 5 as the butt lead. The D type is a combination with the upper lead 4 as the gull wing and the lower lead 5 as the J lead. The E type is an upper lead. The combination 4 is a Z lead (this name is given from the shape) and the lower lead 5 is a butt lead. The F type is a combination where the upper lead 4 is a Z lead and the lower lead 5 is a J lead.

【0099】本発明は矩形のパッケージの各辺(4辺)
からリードを突出させる所謂QFP(Quad Flat Packag
e )にも適用できる。本発明は少なくとも半導体装置お
よび電子装置の製造技術には適用できる。
The present invention relates to each side (four sides) of a rectangular package.
So-called QFP (Quad Flat Packag)
e) is also applicable. The present invention can be applied at least to the technology for manufacturing semiconductor devices and electronic devices.

【0100】[0100]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 (1)パッケージの各側面の二段の高さから上段リード
および下段リードを交互に突出させるとともに、前記上
段リードおよび下段リードの突出長さをそれぞれ長短と
し、かつ成形リード部の実装端部の位置を千鳥足状に配
列して両リードが干渉しないように製造することから、
リードフレームの加工におけるリードピッチ加工限界値
よりもリード群のリードピッチを狭小化できることにな
り、半導体装置のリードピッチの狭小化、またはパッケ
ージの小型化による半導体装置の小型化が図れる。 (2)半導体装置の小型化によってこの半導体装置を組
み込んだ電子装置の小型化を図ることができる。 (3)半導体装置のリードピッチの狭小化が図れること
から、この半導体装置を組み込んだ電子装置では、リー
ド(ピン)数の多い半導体装置を組み込むことができ、
電子装置の高機能化等が図れる。 (4)半導体装置のリードの実装端部は千鳥足状に配列
されていることから、実装状態での接合材同士の接触に
よる不良が発生しなくなり、電子装置の信頼性が高くな
る。
The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. (1) The upper lead and the lower lead are alternately projected from the two heights of each side surface of the package, the projecting lengths of the upper lead and the lower lead are lengthened and shortened, respectively, and the mounting end of the molded lead portion is formed. Since the positions are arranged in a staggered manner and manufactured so that both leads do not interfere,
The lead pitch of the lead group can be narrower than the lead pitch processing limit value in the processing of the lead frame, and the lead pitch of the semiconductor device can be narrowed, or the semiconductor device can be downsized by downsizing the package. (2) By downsizing the semiconductor device, the size of the electronic device incorporating the semiconductor device can be reduced. (3) Since the lead pitch of the semiconductor device can be reduced, an electronic device incorporating this semiconductor device can incorporate a semiconductor device having a large number of leads (pins).
It is possible to enhance the functions of the electronic device. (4) Since the mounting ends of the leads of the semiconductor device are arranged in a zigzag pattern, no failure occurs due to the contact between the bonding materials in the mounted state, and the reliability of the electronic device is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態(実施形態1)である電子
装置の一部を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a part of an electronic device according to an embodiment (Embodiment 1) of the present invention.

【図2】本実施形態1の半導体装置を示す断面図であ
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the semiconductor device of the first embodiment.

【図3】本実施形態1の半導体装置の一部を示す拡大断
面図である。
FIG. 3 is an enlarged sectional view showing a part of the semiconductor device according to the first embodiment.

【図4】本実施形態1の電子装置の実装基板におけるフ
ットプリントを示す模式図である。
FIG. 4 is a schematic diagram showing a footprint on a mounting board of the electronic device of the first embodiment.

【図5】本実施形態1の半導体装置の製造方法の一部を
示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart illustrating a part of the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment;

【図6】本実施形態1の半導体装置の製造に用いる下段
リードフレームを示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a lower lead frame used for manufacturing the semiconductor device of the first embodiment.

【図7】本実施形態1の半導体装置の製造に用いる上段
リードフレームを示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing an upper lead frame used for manufacturing the semiconductor device of the first embodiment.

【図8】前記下段リードフレームと上段リードフレーム
が一体化された二段リードフレームの平面図である。
FIG. 8 is a plan view of a two-stage lead frame in which the lower lead frame and the upper lead frame are integrated.

【図9】前記二段リードフレームの断面図である。FIG. 9 is a sectional view of the two-stage lead frame.

【図10】前記二段リードフレームにワイヤボンディン
グが施された状態を示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing a state in which wire bonding has been performed on the two-stage lead frame.

【図11】前記二段リードフレームにワイヤボンディン
グが施された状態を示す断面図である。
FIG. 11 is a sectional view showing a state in which wire bonding has been performed on the two-stage lead frame.

【図12】前記二段リードフレームにおける上段リード
フレームのリードと半導体チップの電極をワイヤボンデ
ィングする状態を示す断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a state where the leads of the upper lead frame and the electrodes of the semiconductor chip in the two-stage lead frame are wire-bonded.

【図13】本実施形態1の半導体装置の製造におけるト
ランスファモールド状態を示す断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a transfer mold state in manufacturing the semiconductor device of the first embodiment.

【図14】本実施形態1の半導体装置の製造に用いるモ
ールド金型の一部を示す模式的断面図である。
FIG. 14 is a schematic sectional view showing a part of a mold used for manufacturing the semiconductor device of the first embodiment.

【図15】本発明の他の実施形態(実施形態2)である
半導体装置の製造に用いるモールド金型の一部を示す模
式的断面図である。
FIG. 15 is a schematic sectional view showing a part of a mold used for manufacturing a semiconductor device according to another embodiment (Embodiment 2) of the present invention.

【図16】本発明の他の実施形態(実施形態3)である
半導体装置の一部を示す拡大断面図である。
FIG. 16 is an enlarged sectional view showing a part of a semiconductor device according to another embodiment (Embodiment 3) of the present invention.

【図17】本発明の他の実施形態である半導体装置のア
ウターリードの組み合わせ例を示す図である。
FIG. 17 is a diagram showing an example of a combination of outer leads of a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体装置、2…パッケージ、3…リード、4…上
段リード、4a…成形リード部、4b…実装端部、4c
…アウターリード、4d…インナーリード、5…下段リ
ード、5a…成形リード部、5b…実装端部、5c…ア
ウターリード、5d…インナーリード、6…タブ、7…
半導体チップ、8…連結体、9…ワイヤ、10…電子装
置、11…実装基板、12…フットプリント、13…半
田、20…二段リードフレーム、30…下段リードフレ
ーム、31,40…上段リードフレーム、41…リード
フレーム枠、32,42…外枠、33,43…内枠、3
5…タブ吊りリード、36,46…ダム、37,47…
ガイド孔、44…空間領域、50…抑え片、51…ステ
ージ、52…支持ピン、60…モールド金型、61…下
型、62…上型、63,64…キャビティ、65…凸
歯、65a…先端面、66…凹歯、66a…窪み内面、
67…斜面。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor device, 2 ... Package, 3 ... Lead, 4 ... Upper lead, 4a ... Molded lead part, 4b ... Mounting end part, 4c
... Outer lead, 4d ... Inner lead, 5 ... Lower lead, 5a ... Molded lead part, 5b ... Mounting end part, 5c ... Outer lead, 5d ... Inner lead, 6 ... Tab, 7 ...
Semiconductor chip, 8 linked body, 9 wire, 10 electronic device, 11 mounting board, 12 footprint, 13 solder, 20 double lead frame, 30 lower lead frame, 31 and 40 upper lead Frame, 41: Lead frame, 32, 42: Outer frame, 33, 43: Inner frame, 3
5 ... tab suspension lead, 36, 46 ... dam, 37, 47 ...
Guide hole, 44: Spatial area, 50: Retaining piece, 51: Stage, 52: Support pin, 60: Mold, 61: Lower mold, 62: Upper mold, 63, 64: Cavity, 65: Convex tooth, 65a ... tip surface, 66 ... concave tooth, 66a ... hollow inner surface,
67 ... Slope.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 道昭 東京都国分寺市東恋ケ窪三丁目1番地1 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリン グ株式会社内 (72)発明者 和田 環 東京都国分寺市東恋ケ窪三丁目1番地1 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリン グ株式会社内 (72)発明者 宇佐見 俊彦 秋田県南秋田郡天王町天王字長沼64 アキ タ電子株式会社内 (72)発明者 増田 正親 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Michiaki Sugiyama 3-1-1, Higashi Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo Within Hitachi Ultra LSE Engineering Co., Ltd. 3-chome 1-1 Hitachi Ultra-SII Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Toshihiko Usami 64 Nagano, Tenno-cho, Tenno-cho, Minamiakita-gun, Akita Akita Electronics Co., Ltd. (72) Inventor Masachika Masuda 5-20-1, Josuihonmachi, Kodaira-shi, Tokyo In the semiconductor division of Hitachi, Ltd.

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パッケージと、前記パッケージの内部に
位置する半導体チップと、前記パッケージの内外に亘っ
て並んで延在する複数のリードと、前記リードの内端と
前記半導体チップの電極を電気的に接続する接続手段と
を有する半導体装置であって、前記パッケージの各側面
から突出するリード群は前記パッケージの側面の二段の
高さからリード配列方向に沿って交互に突出する上段リ
ードと下段リードとで構成されていることを特徴とする
半導体装置。
1. A package, a semiconductor chip located inside the package, a plurality of leads extending side by side inside and outside the package, and an inner end of the lead and an electrode of the semiconductor chip electrically connected to each other. A lead group protruding from each side surface of the package, wherein an upper lead and a lower stage protruding alternately along a lead arrangement direction from two heights of side surfaces of the package. A semiconductor device comprising a lead.
【請求項2】 前記上段リードおよび下段リードの突出
長さは一方が長く他方が短くなっていることを特徴とす
る請求項1に記載の半導体装置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein one of the projecting lengths of the upper lead and the lower lead is longer and the other is shorter.
【請求項3】 前記上段リードおよび下段リードの突出
先端部分に形成される成形リード部の実装端部の位置は
千鳥足状に配列されていることを特徴とする請求項1ま
たは請求項2に記載の半導体装置。
3. A staggered position of mounting ends of molded leads formed at protruding tips of the upper lead and the lower lead. Semiconductor device.
【請求項4】 前記上段リードおよび下段リードの前記
成形リード部の形状は相互に異なっていることを特徴と
する請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導
体装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the shapes of the upper and lower leads are different from each other.
【請求項5】 前記上段リードおよび下段リードの成形
リード部の形状はバットリード,ガルウィング,Jリー
ド,Zリードのうちの一種類乃至二種類の組み合わせに
なっていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のい
ずれか1項に記載の半導体装置。
5. The molded lead portion of the upper lead and the lower lead has a shape of one or two of a butt lead, a gull wing, a J lead, and a Z lead. The semiconductor device according to claim 4.
【請求項6】 前記上段リードおよび下段リードは前記
パッケージ内でそれぞれ絶縁性の連結体で接着連結され
ていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれ
か1項に記載の半導体装置。
6. The semiconductor device according to claim 1, wherein the upper lead and the lower lead are adhesively connected to each other in the package by an insulating connecting member. .
【請求項7】 半導体チップを搭載するタブを有しイン
ナーリードの先端が前記タブの周縁に近接する下段リー
ドフレームと、前記下段リードフレームに重ねて固定さ
れた際少なくとも一部のインナーリードの先端が前記下
段リードフレームのタブ上方に位置しかつアウターリー
ドが前記下段リードフレームのアウターリードの上方で
ずれて配置されるように構成された上段リードフレーム
を用意する工程と、前記下段リードフレームのタブ上に
半導体チップを固定する工程と、前記半導体チップの電
極と前記下段リードフレームの各リードを電気的に接続
する工程と、前記下段リードフレーム上に上段リードフ
レームを重ねて一部で固定して二段リードフレームを作
製する工程と、前記半導体チップの電極と前記上段リー
ドフレームの各リードを電気的に接続する工程と、前記
タブ,前記半導体チップ,前記接続手段およびリード先
端部分を絶縁性の樹脂で被ってパッケージを形成する工
程と、前記二段リードフレームの不要部分を切断除去す
る工程と、前記パッケージから突出するリードを所定の
形状に成形する工程とを有し、前記二段リードフレーム
は前記パッケージの各側面から突出するリード群が前記
パッケージの側面の二段の高さからリード配列方向に沿
って交互に突出する上段リードと下段リードとなるよう
に形成しておくとともに、リード成形時には前記上段リ
ードおよび下段リードの突出長さが交互に長と短になる
ように成形し、かつ突出先端部分に形成される成形リー
ド部の実装端部の位置が千鳥足状の配列になるように成
形することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. A lower lead frame having a tab on which a semiconductor chip is mounted and a leading end of an inner lead being close to a peripheral edge of the tab, and a leading end of at least a part of the inner lead when fixed to the lower lead frame in an overlapping manner. Preparing an upper lead frame, wherein the upper lead frame is located above the tab of the lower lead frame and the outer leads are displaced above the outer lead of the lower lead frame; and Fixing the semiconductor chip on the upper part, electrically connecting the electrodes of the semiconductor chip and the respective leads of the lower lead frame, and partially fixing the upper lead frame on the lower lead frame. A step of fabricating a two-stage lead frame; Electrically connecting the leads, forming the package by covering the tab, the semiconductor chip, the connection means, and the tip of the lead with an insulating resin, and cutting and removing an unnecessary portion of the two-stage lead frame. And forming the leads protruding from the package into a predetermined shape, wherein the two-stage lead frame has a plurality of leads protruding from each side surface of the package at a two-stage height of the side surface of the package. From the upper lead and the lower lead that alternately protrude along the direction of the lead arrangement from the lead. Wherein the mounting ends of the forming leads formed at the protruding tip portions are formed so as to have a staggered arrangement. Production method.
【請求項8】 前記上段リードおよび下段リードの前記
成形リード部の形状は相互に異なるようにリード成形す
ることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造
方法。
8. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 7, wherein the upper and lower leads are formed so that the shapes of the formed leads are different from each other.
【請求項9】 前記上段リードおよび下段リードの前記
成形リード部の形状はバットリード,ガルウィング,J
リード,Zリードのうちの一種類乃至二種類の組み合わ
せになるようにリード成形することを特徴とする請求項
7または請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
9. The shape of the molded lead portion of the upper lead and the lower lead is a bat lead, a gull wing,
9. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 7, wherein the lead is formed so as to be a combination of one or two of a lead and a Z lead.
【請求項10】 前記二段リードフレームは前記パッケ
ージが形成される領域のリード部分で絶縁性の連結体を
介して接着連結しておくことを特徴とする請求項7乃至
請求項9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方
法。
10. The semiconductor device according to claim 7, wherein the two-stage lead frame is bonded and connected via an insulating connector at a lead portion in a region where the package is formed. 2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
【請求項11】 パッケージと、前記パッケージの内部
に位置する半導体チップと、前記パッケージの内外に亘
って並んで延在する複数のリードと、前記リードの内端
と前記半導体チップの電極を電気的に接続する接続手段
とを有する半導体装置を実装した電子装置であって、前
記半導体装置における前記パッケージの各側面から突出
するリード群は、前記パッケージの側面の二段の高さか
らリード配列方向に沿って交互に突出する上段リードと
下段リードとで構成され、かつ前記上段リードおよび下
段リードの突出長さは一方が長く他方が短くなり、前記
上段リードおよび下段リードの突出先端部分に形成され
る成形リード部の実装端部の位置は千鳥足状に配列され
ていることを特徴とする電子装置。
11. A package, a semiconductor chip located inside the package, a plurality of leads extending side by side inside and outside the package, and electrically connecting an inner end of the lead and an electrode of the semiconductor chip. An electronic device mounted with a semiconductor device having connection means for connecting to the semiconductor device, wherein a lead group projecting from each side surface of the package in the semiconductor device is arranged in a lead arrangement direction from a two-stage height of the side surface of the package. The upper lead and the lower lead are formed at the protruding tip portions of the upper and lower leads, one of which is longer and the other of which is shorter. An electronic device, wherein the positions of the mounting ends of the molding leads are arranged in a staggered manner.
【請求項12】 前記上段リードおよび下段リードの前
記成形リード部の形状は相互に異なっていることを特徴
とする請求項11に記載の電子装置。
12. The electronic device according to claim 11, wherein the shapes of the molded leads of the upper lead and the lower lead are different from each other.
【請求項13】 前記上段リードおよび下段リードの成
形リード部の形状はバットリード,ガルウィング,Jリ
ード,Zリードのうちの一種類乃至二種類の組み合わせ
になっていることを特徴とする請求項11または請求項
12に記載の電子装置。
13. The molded lead portion of the upper lead and the lower lead has a combination of one or two of a bat lead, a gull wing, a J lead, and a Z lead. Alternatively, the electronic device according to claim 12.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008124228A (en) * 2006-11-13 2008-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2010145137A (en) * 2008-12-16 2010-07-01 Epson Toyocom Corp Sensor device
US8544323B2 (en) 2008-12-16 2013-10-01 Seiko Epson Corporation Sensor device
US11415624B2 (en) 2019-01-31 2022-08-16 Yamaichi Electronics Co., Ltd. Socket for inspection

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008124228A (en) * 2006-11-13 2008-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2010145137A (en) * 2008-12-16 2010-07-01 Epson Toyocom Corp Sensor device
US8544323B2 (en) 2008-12-16 2013-10-01 Seiko Epson Corporation Sensor device
US8701485B2 (en) 2008-12-16 2014-04-22 Seiko Epson Corporation Sensor device
US11415624B2 (en) 2019-01-31 2022-08-16 Yamaichi Electronics Co., Ltd. Socket for inspection

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