JPH11233409A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents

レジストパターンの形成方法

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Publication number
JPH11233409A
JPH11233409A JP10031454A JP3145498A JPH11233409A JP H11233409 A JPH11233409 A JP H11233409A JP 10031454 A JP10031454 A JP 10031454A JP 3145498 A JP3145498 A JP 3145498A JP H11233409 A JPH11233409 A JP H11233409A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist pattern
wafer
resist
forming
held
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10031454A
Other languages
English (en)
Inventor
Eisuke Hotta
英輔 堀田
Hiromichi Saito
弘道 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Engineering Corp
Original Assignee
NKK Corp
Nippon Kokan Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NKK Corp, Nippon Kokan Ltd filed Critical NKK Corp
Priority to JP10031454A priority Critical patent/JPH11233409A/ja
Publication of JPH11233409A publication Critical patent/JPH11233409A/ja
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】フォト処理時間を短縮することを課題とする。 【解決手段】ウェハ１上にレジスト２を塗布する工程
と、露光装置の内部環境を室温より高温に保持した状態
で露光する工程と、現像してレジストパターン４を形成
する工程とを具備することを特徴とするレジストパター
ンの形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジストパターン
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウェハへのレジストパターンは、
図３に示すような各工程を経て形成されている。即ち、
まずコーターでウェハを加熱(a) し、レジストを塗布
(b) した後、加熱(c) を行う。次に、露光装置を用いて
露光(d) を行う。つづいて、デベロッパーで現像前に加
熱(e) を行った後、室温に戻し、ひきつづき現像(f) を
行い、加熱(g) を行ってパターンを焼き固める。
【０００３】下記表１は、従来のレジストパターンの形
成における各工程とウェハ温度との関係を示したもので
ある。また、図５は、表１に基づいて従来のレジストパ
ターンの形成における経過時間と温度との関係を示した
ものである。
【０００４】
【表１】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のレジ
ストパターンの形成において、露光装置の内部は室温と
ほぼ同一の温度に制御されていた。しかるに、図３から
明らかのように、フォト工程１回の中で４度の加熱
（(a) 、(C) 、(e) 、(g) ）を行うため、フォト処理時
間の短縮が困難であった。
【０００６】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、ウェハ上に感光材料を塗布した後、露光装置の
内部環境を室温より高温に保持した状態で露光すること
により、フォト処理時間を短縮可能なレジストパターン
の形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェハ上に感
光材料を塗布する工程と、露光装置の内部環境を室温よ
り高温に保持した状態で露光する工程と、現像する工程
とを具備することを特徴とするレジストパターンの形成
方法である。
【０００８】本発明において、露光装置の内部環境は大
体９０℃〜１１０℃に保持することが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るレジストパタ
ーンの形成方法について図１及び図２を参照して説明す
る。ここで、図１はレジストパターンの形成方法を工程
順に示す断面図である。また、図２は同形成方法をブロ
ック図で示したものである。
【００１０】まず、ウェハを加熱(a) した後、コーター
で回転するウェハ１上にスピンコート法によりレジスト
２を塗布(b) した（図１（Ａ）参照）。次に、露光装置
（ステッパー）の内部を高温にした状態で露光(c) を行
い、レチクルの回路パターン３をレジスト２に転写した
（図１（Ｂ）参照）。つづいて、デベロッパーで現像
(d) を行った後、加熱(e) を行い、露光部のレジストを
除去し、レジストパターン４を形成した（図１（Ｃ）参
照）。
【００１１】こうしたレジストパターンの形成方法によ
れば、露光装置内部でのウェハを室温よりも高い温度に
保持するため、レジストコート後（露光前）及び現像前
（露光後）のウェハ加熱を不要にできる。その結果、フ
ォト処理時間を短縮することができる。
【００１２】事実、本発明方法により、下記表２の工程
順に沿ってレジストパターンを形成したところ、図４に
示すような経過時間とウェハ温度との関係が得られた。
図４より、図５の従来方法と比べてレジストパターンの
形成に要する時間を短縮することが確認できた。
【００１３】
【表２】 なお、上記実施例では、露光時のウェハ温度を１００℃
にした場合について述べたが、これに限らず、大体９０
℃〜１１０℃程度であれば、上記実施例と同様な効果が
期待できる。
【００１４】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、ウェ
ハ上に感光材料を塗布した後、露光装置の内部環境を室
温より高温に保持した状態で露光することにより、フォ
ト処理時間を短縮可能なレジストパターンの形成方法を
提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るレジストパターンの形
成方法を工程順に示す断面図である。
【図２】本発明に係るレジストパターンの形成方法を工
程順に示すブロック図を示す。
【図３】従来に係るレジストパターンの形成方法を工程
順に示すブロック図を示す。
【図４】本発明のレジストパターンの形成方法における
経過時間とウェハ温度との関係を示す特性図。
【図５】従来のレジストパターンの形成方法における経
過時間とウェハ温度との関係を示す特性図。
【符号の説明】
１…ウェハ、 ２…レジスト、 ３…回路パターン、 ４…レジストパターン。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェハ上に感光材料を塗布する工程と、
    露光装置の内部環境を室温より高温に保持した状態で露
    光する工程と、現像する工程とを具備することを特徴と
    するレジストパターンの形成方法。
  2. 【請求項２】 露光装置の内部環境を９０℃〜１１０℃
    に保持することを特徴とする請求項１記載のレジストパ
    ターンの形成方法。
JP10031454A 1998-02-13 1998-02-13 レジストパターンの形成方法 Pending JPH11233409A (ja)

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