JPH11233022A - プラズマディスプレイ装置 - Google Patents
プラズマディスプレイ装置Info
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- JPH11233022A JPH11233022A JP10038354A JP3835498A JPH11233022A JP H11233022 A JPH11233022 A JP H11233022A JP 10038354 A JP10038354 A JP 10038354A JP 3835498 A JP3835498 A JP 3835498A JP H11233022 A JPH11233022 A JP H11233022A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の課題はＰＤＰの発光効率を向上するこ
とが可能な手段を提供することにある。 【解決手段】本発明ではＰＤＰのセル内でプラズマを生
成するガスに紫外線を発生させるガス以外の成分ガスに
比べ質量の小さなガス、もしくは紫外線を発生させるガ
ス以外の成分ガスに比べ原子半径の大きなガスを電子温
度を低下させるガスとして添加する手段を用いる。
とが可能な手段を提供することにある。 【解決手段】本発明ではＰＤＰのセル内でプラズマを生
成するガスに紫外線を発生させるガス以外の成分ガスに
比べ質量の小さなガス、もしくは紫外線を発生させるガ
ス以外の成分ガスに比べ原子半径の大きなガスを電子温
度を低下させるガスとして添加する手段を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イ（以降ＰＤＰとする）装置の放電ガスに関するもの
で、効率向上のため電子温度を低下させるガスに関す
る。
イ（以降ＰＤＰとする）装置の放電ガスに関するもの
で、効率向上のため電子温度を低下させるガスに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】発光効率の高いＰＤＰを実現するために
は、駆動回路によりセルに投入された電力が効率よく紫
外線の生成に使われることが重要である。紫外線を生成
するためには、例えば特開平４-３３２４３０に開示さ
れるように、放電ガスはNe,Xe等の混合ガスを用いるの
が一般的であり、この場合（ａ）電子とXe原子との衝突
によりXeの励起状態を作り、基底状態に戻る際に紫外線
を放射する、または（ｂ）電離したXeすなわちXeイオン
と電子の衝突により電子を捕獲させてXeの励起状態を作
り、基底状態に戻る際に紫外線を放射する、の二つの機
構を考慮する必要がある。
は、駆動回路によりセルに投入された電力が効率よく紫
外線の生成に使われることが重要である。紫外線を生成
するためには、例えば特開平４-３３２４３０に開示さ
れるように、放電ガスはNe,Xe等の混合ガスを用いるの
が一般的であり、この場合（ａ）電子とXe原子との衝突
によりXeの励起状態を作り、基底状態に戻る際に紫外線
を放射する、または（ｂ）電離したXeすなわちXeイオン
と電子の衝突により電子を捕獲させてXeの励起状態を作
り、基底状態に戻る際に紫外線を放射する、の二つの機
構を考慮する必要がある。
【０００３】しかし、前者（ａ）の機構を想定すると紫
外線放射が可能な状態にXeを励起するために必要なエネ
ルギーに比べて、プラズマ中での平均的な電子の運動エ
ネルギーが低いために大部分の電子はXeの励起状態を作
るために役立ってはいなかった。一方、後者（ｂ）の機
構を想定すると電子捕獲を起こす衝突を生ずるエネルギ
ーに比べて、プラズマ中での平均的な電子の運動エネル
ギーが高い（電子温度が高い）ためにXeの励起状態を作
る電子は少数であった。
外線放射が可能な状態にXeを励起するために必要なエネ
ルギーに比べて、プラズマ中での平均的な電子の運動エ
ネルギーが低いために大部分の電子はXeの励起状態を作
るために役立ってはいなかった。一方、後者（ｂ）の機
構を想定すると電子捕獲を起こす衝突を生ずるエネルギ
ーに比べて、プラズマ中での平均的な電子の運動エネル
ギーが高い（電子温度が高い）ためにXeの励起状態を作
る電子は少数であった。
【０００４】従って、発光効率の点から必ずしも満足で
きる構成ではなかった。
きる構成ではなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題はＰＤＰ
の発光効率を向上することが可能な手段を提供すること
にある。
の発光効率を向上することが可能な手段を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題に対して本発明
ではＰＤＰのセル内でプラズマを生成するガスに紫外線
を発生させる第一成分ガスと、それ以外の第二成分ガス
を含むものとし、さらに該第二成分ガスに比べ質量の小
さなガス、もしくは該第二成分ガスに比べ原子半径の大
きなガス、もしくは分子ガスを電子温度を低下させるガ
スとして添加する手段を用いる。
ではＰＤＰのセル内でプラズマを生成するガスに紫外線
を発生させる第一成分ガスと、それ以外の第二成分ガス
を含むものとし、さらに該第二成分ガスに比べ質量の小
さなガス、もしくは該第二成分ガスに比べ原子半径の大
きなガス、もしくは分子ガスを電子温度を低下させるガ
スとして添加する手段を用いる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下図１から図６を用い本発明の
実施形態を説明する。
実施形態を説明する。
【０００８】図２は本発明を適用するＰＤＰの構造の一
部を示す分解斜視図であり、前面ガラス基板２１の下面
には透明な共通電極（以降Ｘ電極と称す）２２-１乃至
２２-２と、透明な独立電極（以降Ｙ電極と称す）２３-
１乃至２３-２を付設する。また、Ｘ電極２２-１乃至２
２-２とＹ電極２３-１乃至２３-２には、それぞれＸバ
ス電極２４-１乃至２４-２とＹバス電極２５-１乃至２
５-２を積層付設する。さらに、Ｘ電極２２-１乃至２２
-２、Ｙ電極２３-１乃至２３-２、Ｘバス電極２４-１乃
至２４-２、Ｙバス電極２５-１乃至２５-２を誘電体２
６によって被覆し、ＭｇＯ等の保護層２７を付設する。
部を示す分解斜視図であり、前面ガラス基板２１の下面
には透明な共通電極（以降Ｘ電極と称す）２２-１乃至
２２-２と、透明な独立電極（以降Ｙ電極と称す）２３-
１乃至２３-２を付設する。また、Ｘ電極２２-１乃至２
２-２とＹ電極２３-１乃至２３-２には、それぞれＸバ
ス電極２４-１乃至２４-２とＹバス電極２５-１乃至２
５-２を積層付設する。さらに、Ｘ電極２２-１乃至２２
-２、Ｙ電極２３-１乃至２３-２、Ｘバス電極２４-１乃
至２４-２、Ｙバス電極２５-１乃至２５-２を誘電体２
６によって被覆し、ＭｇＯ等の保護層２７を付設する。
【０００９】一方、背面ガラス基板２８の上面には、Ｘ
電極２２-１乃至２２-２、Ｙ電極２３-１乃至２３-２と
直角に立体交差する電極（以降Ａ電極と称す）２９を付
設し、該Ａ電極２９を誘電体３０によって被覆し、該誘
電体３０の上に隔壁３１をＡ電極２９と平行に設ける。
さらに、隔壁３１の壁面と誘電体３０の上面によって形
成される凹領域のうちＡ電極２９を挟む部分の内側に蛍
光体３２を塗布する。
電極２２-１乃至２２-２、Ｙ電極２３-１乃至２３-２と
直角に立体交差する電極（以降Ａ電極と称す）２９を付
設し、該Ａ電極２９を誘電体３０によって被覆し、該誘
電体３０の上に隔壁３１をＡ電極２９と平行に設ける。
さらに、隔壁３１の壁面と誘電体３０の上面によって形
成される凹領域のうちＡ電極２９を挟む部分の内側に蛍
光体３２を塗布する。
【００１０】図３は図２中の矢印Ｄ１の方向から見たＰ
ＤＰの断面図であり、画素の最小単位であるセル１個を
示している。
ＤＰの断面図であり、画素の最小単位であるセル１個を
示している。
【００１１】図３より、Ａ電極２９は２つの隔壁３１の
中間に位置し前面ガラス基板２１と背面ガラス基板２
８、隔壁３１に囲まれた放電空間３３にはプラズマを生
成するためのガスを充填する。
中間に位置し前面ガラス基板２１と背面ガラス基板２
８、隔壁３１に囲まれた放電空間３３にはプラズマを生
成するためのガスを充填する。
【００１２】尚、放電空間３３は隔壁３１により空間的
に区切られることもあるし、隔壁３１と前面ガラス基板
２１の放電空間側面との間に間隙を設け空間的に連続に
することもある。
に区切られることもあるし、隔壁３１と前面ガラス基板
２１の放電空間側面との間に間隙を設け空間的に連続に
することもある。
【００１３】図４は図２中の矢印Ｄ２の方向からみたＰ
ＤＰの断面図であり、２個のセルを示している。各セル
の境界は概略点線で示す位置である。
ＤＰの断面図であり、２個のセルを示している。各セル
の境界は概略点線で示す位置である。
【００１４】図４より、各セルの間には隔壁等が存在し
ないため、Ｙ電極２３-１とＡ電極２９との間の放電に
よって生じた荷電粒子はＹ電極２３-１に隣接するＹ電
極２３-２側へ移動する可能性がある。また、隣接する
Ｙ電極同士の誤放電の可能性もある。これら要因によっ
て書き込み放電時に隣接A電極上の電荷を消去し隣接電
極の書き込みを阻害することもある。
ないため、Ｙ電極２３-１とＡ電極２９との間の放電に
よって生じた荷電粒子はＹ電極２３-１に隣接するＹ電
極２３-２側へ移動する可能性がある。また、隣接する
Ｙ電極同士の誤放電の可能性もある。これら要因によっ
て書き込み放電時に隣接A電極上の電荷を消去し隣接電
極の書き込みを阻害することもある。
【００１５】図５は図２に示したＰＤＰに１枚の画を表
示するのに要する１フィールド期間の動作を示す図であ
り、１フィールド期間（a）は複数のサブフィールド４
１乃至４８に分割され、各サブフィールドは（b）に示
すように予備放電期間４９、発光セルを規定する書き込
み放電期間５０、発光表示期間５１からなる。波形５２
は従来技術による書き込み放電期間５０に於ける１本の
Ａ電極に印加する電圧波形、波形５３はＸ電極に印加す
る電圧波形、５４、５５はＹ電極のｉ番目と（ｉ＋１）
番目に印加する電圧波形であり、それぞれの電圧をＶ
０，Ｖ１，Ｖ２（Ｖ）とする。
示するのに要する１フィールド期間の動作を示す図であ
り、１フィールド期間（a）は複数のサブフィールド４
１乃至４８に分割され、各サブフィールドは（b）に示
すように予備放電期間４９、発光セルを規定する書き込
み放電期間５０、発光表示期間５１からなる。波形５２
は従来技術による書き込み放電期間５０に於ける１本の
Ａ電極に印加する電圧波形、波形５３はＸ電極に印加す
る電圧波形、５４、５５はＹ電極のｉ番目と（ｉ＋１）
番目に印加する電圧波形であり、それぞれの電圧をＶ
０，Ｖ１，Ｖ２（Ｖ）とする。
【００１６】図５より、Ｙ電極のｉ行目にスキャンパル
ス５６が印加された時、Ａ電極２９との交点に位置する
セルで書き込み放電が起こる。
ス５６が印加された時、Ａ電極２９との交点に位置する
セルで書き込み放電が起こる。
【００１７】又、Ｙ電極のｉ行目にスキャンパルス５６
が印加された時、Ａ電極２９がグランド電位であれば書
き込み放電は起こらず、そのセルは非発光セルとなる。
が印加された時、Ａ電極２９がグランド電位であれば書
き込み放電は起こらず、そのセルは非発光セルとなる。
【００１８】このように、書き込み放電期間５０に於い
てＹ電極にはスキャンパルスが１回印加され、Ａ電極２
９にはスキャンパルスに対応して発光セルではＶ０、非
発光セルではグランド電位となる。
てＹ電極にはスキャンパルスが１回印加され、Ａ電極２
９にはスキャンパルスに対応して発光セルではＶ０、非
発光セルではグランド電位となる。
【００１９】以上、本発明を適用するＰＤＰ構成の一例
を示した。
を示した。
【００２０】図１は本発明の実施例を示した図であり、
プラズマ中に於ける荷電粒子の動きを模式的に表してい
る。
プラズマ中に於ける荷電粒子の動きを模式的に表してい
る。
【００２１】図１中で１は電子温度を冷却するガス分子
又は原子、２は正イオン、３は電子、４は第一成分の中
性ガス分子又は原子、５は第二成分の中性ガス分子又は
原子である。ここで、正イオンは電離により正に荷電さ
れたイオンである。
又は原子、２は正イオン、３は電子、４は第一成分の中
性ガス分子又は原子、５は第二成分の中性ガス分子又は
原子である。ここで、正イオンは電離により正に荷電さ
れたイオンである。
【００２２】又、電子温度を冷却するガス分子又は原子
１、正イオン２、電子３より伸びる矢印は、各々の粒子
の移動速度の大小を線の長さで表現したものであり、電
子温度を冷却するガス分子又は原子１と正イオン２から
伸びる矢印に比べ電子３から伸びる矢印は長く示されて
いる。
１、正イオン２、電子３より伸びる矢印は、各々の粒子
の移動速度の大小を線の長さで表現したものであり、電
子温度を冷却するガス分子又は原子１と正イオン２から
伸びる矢印に比べ電子３から伸びる矢印は長く示されて
いる。
【００２３】図１に於ける矢印の長短、および電子温度
を冷却するガス分子又は原子１の存在による効果を図６
を用い以下に説明する。
を冷却するガス分子又は原子１の存在による効果を図６
を用い以下に説明する。
【００２４】図６は本発明の実施例の一実例を示すため
のモデルＰＤＰの一セルを示した図であり、６０は放電
電極、６１は誘電体、６２はプラズマを生成するための
ガスが充填された放電空間である。
のモデルＰＤＰの一セルを示した図であり、６０は放電
電極、６１は誘電体、６２はプラズマを生成するための
ガスが充填された放電空間である。
【００２５】尚、図６の場合簡単のため放電電極６０が
対向した形状の例を示している。
対向した形状の例を示している。
【００２６】ここで、電極６０と電極６１の間の距離を
１００[μｍ]、電極の大きさを50[μｍ]×50[μｍ]、電
極間に加える電圧を１００[Ｖ]、ガス組成は第一成分の
Ｘｅ５[％] （第二成分Neベース）、ガス圧は３００[Ｔ
ｏｒｒ]、とした場合の常温下の実験環境に於いて、印
加電圧による外部電界方向にＮｅイオンが有する移動速
度は1.7×103[m/s]程度、又同様に電子が有する移動速
度は1.7×105[m/s]程度となる。一方、Xeのイオンの移
動速度はイオンの質量が電子の質量の約１０００倍であ
ることと、 Xeの質量から、Ｎｅイオンと同程度以下と
考えられる。
１００[μｍ]、電極の大きさを50[μｍ]×50[μｍ]、電
極間に加える電圧を１００[Ｖ]、ガス組成は第一成分の
Ｘｅ５[％] （第二成分Neベース）、ガス圧は３００[Ｔ
ｏｒｒ]、とした場合の常温下の実験環境に於いて、印
加電圧による外部電界方向にＮｅイオンが有する移動速
度は1.7×103[m/s]程度、又同様に電子が有する移動速
度は1.7×105[m/s]程度となる。一方、Xeのイオンの移
動速度はイオンの質量が電子の質量の約１０００倍であ
ることと、 Xeの質量から、Ｎｅイオンと同程度以下と
考えられる。
【００２７】以上の内容により、図１中で粒子の移動速
度を表す矢印は、電子温度を冷却するガス分子又は原子
１とイオン２から伸びるものは短く、電子３から伸びる
ものは長く表示されることになる。
度を表す矢印は、電子温度を冷却するガス分子又は原子
１とイオン２から伸びるものは短く、電子３から伸びる
ものは長く表示されることになる。
【００２８】次に電子温度を冷却するガス分子又は原子
１の存在による効果について図６に挿入して描いた電子
３と中性原子または分子（電子温度を冷却するガス分子
又は原子１）の衝突状況を用いて説明する。
１の存在による効果について図６に挿入して描いた電子
３と中性原子または分子（電子温度を冷却するガス分子
又は原子１）の衝突状況を用いて説明する。
【００２９】ここで、紫外線を発生させる原子は第一成
分のXeであり、第二成分の原子をNeとし、第一成分より
存在比率（濃度）が高いものとする。このとき、電子温
度を冷却（低下）させるガスとして、上記第二成分Neよ
り質量の小さなHeもしくはH2が選ばれている。電界によ
り加速された電子３（電界方向に動くとして描く）と中
性原子の衝突を考える。ここでは中性原子を電離もしく
は励起するするだけのエネルギを持たない場合、すなわ
ち弾性衝突を行う場合が多い（弾性衝突の確率が高
い）。
分のXeであり、第二成分の原子をNeとし、第一成分より
存在比率（濃度）が高いものとする。このとき、電子温
度を冷却（低下）させるガスとして、上記第二成分Neよ
り質量の小さなHeもしくはH2が選ばれている。電界によ
り加速された電子３（電界方向に動くとして描く）と中
性原子の衝突を考える。ここでは中性原子を電離もしく
は励起するするだけのエネルギを持たない場合、すなわ
ち弾性衝突を行う場合が多い（弾性衝突の確率が高
い）。
【００３０】電子とNe（原子量20.179）との弾性衝突で
は、電子速度は殆ど変わらず、電子の運動エネルギの損
失の割合は衝突直前の0.01%である。しかるに電子と上
記のHe（原子量4.0026）との弾性衝突では、衝突後の電
子の速度は上記より小さく、電子の運動エネルギの損失
の割合は衝突直前の0.055%と大きくなる。このことはHe
を含ませることにより電子の平均運動エネルギが低下、
すなわち電子温度が冷却されることを意味している。こ
の様に電子温度を低下させることにより電子がXeの正イ
オンと衝突する際に電子が捕獲されてXeの励起状態とな
る確率が増え、従って紫外発光が増え、発光効率が増大
する。電子温度を冷却する分子にH2（分子量2.0158）が
選ばれているとすれば、電子との弾性衝突で電子の運動
エネルギの損失の割合は衝突直前の0.109%で、解離した
Ｈとの衝突では0.217%と更に大きく、電子温度の冷却が
進み、発光効率は増加する。もし第二成分をHeとしてい
る場合であってもH2は電子温度冷却に用いうる。
は、電子速度は殆ど変わらず、電子の運動エネルギの損
失の割合は衝突直前の0.01%である。しかるに電子と上
記のHe（原子量4.0026）との弾性衝突では、衝突後の電
子の速度は上記より小さく、電子の運動エネルギの損失
の割合は衝突直前の0.055%と大きくなる。このことはHe
を含ませることにより電子の平均運動エネルギが低下、
すなわち電子温度が冷却されることを意味している。こ
の様に電子温度を低下させることにより電子がXeの正イ
オンと衝突する際に電子が捕獲されてXeの励起状態とな
る確率が増え、従って紫外発光が増え、発光効率が増大
する。電子温度を冷却する分子にH2（分子量2.0158）が
選ばれているとすれば、電子との弾性衝突で電子の運動
エネルギの損失の割合は衝突直前の0.109%で、解離した
Ｈとの衝突では0.217%と更に大きく、電子温度の冷却が
進み、発光効率は増加する。もし第二成分をHeとしてい
る場合であってもH2は電子温度冷却に用いうる。
【００３１】本実施例において電子温度を冷却するガス
を添加する割合は全ガス圧Ptに対する分ガス圧PCの割合
αで示し、α＝ PC／Pt＜10％が望ましい。特に本効果
だけを顕著に出すためにはα＜1％が望ましい。
を添加する割合は全ガス圧Ptに対する分ガス圧PCの割合
αで示し、α＝ PC／Pt＜10％が望ましい。特に本効果
だけを顕著に出すためにはα＜1％が望ましい。
【００３２】次に、第一成分、第二成分は上記と同じX
e、Neとし、電子温度を冷却（低下）させるガスとし
て、上記第二成分Neより原子半径の大きなArが選ばれて
いる例を示す。電子温度を冷却（低下）させるガスを含
まない場合、電子の平均自由行程は近似的にNeの中の値
1.795μmであるが、若しArの中に電子が有ると仮定する
とAr原子半径が大きいため電子の平均自由行程は0.905
μmと小さくなる。これは電子が電界で加速される以前
に衝突で方向を変えるので電界によってエネルギを得に
くいことに相当するので電子の平均エネルギは低下、電
子温度は冷却される。すなわち,上記第一成分、第二成
分からなる放電ガスにArを含ませ、その濃度を高める
程、電子温度は冷却され、電子がXeの正イオンと衝突す
る際に電子が捕獲されてXeの励起状態となる確率が増
え、従って紫外発光が増え、発光効率が増大する。Kr中
とすると電子の平均自由行程は0.6939μmとさらに小さ
く、電子温度の冷却は一層促進され、発光効率が増大す
る。第二成分をHeの場合、電子温度の冷却にはNeでも良
い。
e、Neとし、電子温度を冷却（低下）させるガスとし
て、上記第二成分Neより原子半径の大きなArが選ばれて
いる例を示す。電子温度を冷却（低下）させるガスを含
まない場合、電子の平均自由行程は近似的にNeの中の値
1.795μmであるが、若しArの中に電子が有ると仮定する
とAr原子半径が大きいため電子の平均自由行程は0.905
μmと小さくなる。これは電子が電界で加速される以前
に衝突で方向を変えるので電界によってエネルギを得に
くいことに相当するので電子の平均エネルギは低下、電
子温度は冷却される。すなわち,上記第一成分、第二成
分からなる放電ガスにArを含ませ、その濃度を高める
程、電子温度は冷却され、電子がXeの正イオンと衝突す
る際に電子が捕獲されてXeの励起状態となる確率が増
え、従って紫外発光が増え、発光効率が増大する。Kr中
とすると電子の平均自由行程は0.6939μmとさらに小さ
く、電子温度の冷却は一層促進され、発光効率が増大す
る。第二成分をHeの場合、電子温度の冷却にはNeでも良
い。
【００３３】本実施例において電子温度を冷却するガス
を添加する割合は全ガス圧Ptに対する分ガス圧PCの割合
αで示し、α＝ PC／Pt＜10％が望ましい。特に本効果
だけを顕著に出すためにはα＜1％が望ましい。
を添加する割合は全ガス圧Ptに対する分ガス圧PCの割合
αで示し、α＝ PC／Pt＜10％が望ましい。特に本効果
だけを顕著に出すためにはα＜1％が望ましい。
【００３４】また、電子温度を冷却（低下）させるガス
として分子ガスを用いる方法もある。この場合、電界で
加速された電子はガス分子と非弾性衝突を行う。その結
果、電子の運動エネルギの一部は分子の内部エネルギ
（振動、回転のエネルギ）にも移動し、電子温度は効率
良く冷却される。この様に電子温度を低下させることに
より電子がXeの正イオンと衝突する際に電子が捕獲され
てXeの励起状態となる確率が増え、従って紫外発光が増
え、発光効率が増大する。添加する分子ガスとしては、
CO2、N2、O2、CF4、SF6のいずれか、またはこれ等の混
合ガスである。
として分子ガスを用いる方法もある。この場合、電界で
加速された電子はガス分子と非弾性衝突を行う。その結
果、電子の運動エネルギの一部は分子の内部エネルギ
（振動、回転のエネルギ）にも移動し、電子温度は効率
良く冷却される。この様に電子温度を低下させることに
より電子がXeの正イオンと衝突する際に電子が捕獲され
てXeの励起状態となる確率が増え、従って紫外発光が増
え、発光効率が増大する。添加する分子ガスとしては、
CO2、N2、O2、CF4、SF6のいずれか、またはこれ等の混
合ガスである。
【００３５】本実施例において電子温度を冷却するガス
を添加する割合は全ガス圧Ptに対する分ガス圧PCの割合
αで示し、α＝ PC／Pt＜1％が望ましい。特に本効果だ
けを顕著に出すためにはα＜0.1％が望ましい。
を添加する割合は全ガス圧Ptに対する分ガス圧PCの割合
αで示し、α＝ PC／Pt＜1％が望ましい。特に本効果だ
けを顕著に出すためにはα＜0.1％が望ましい。
【００３６】以上、ＡＣ型のＰＤＰを一例に説明した
が、ＤＣ型のＰＤＰについても同様に適用可能である。
が、ＤＣ型のＰＤＰについても同様に適用可能である。
【００３７】
【発明の効果】本発明により、ＰＤＰの発光効率を向上
することが可能となる。
することが可能となる。
【図１】本発明の実施例を示した図
【図２】本発明のプラズマディスプレイパネルの構造の
一部を示す分解斜視図
一部を示す分解斜視図
【図３】図２中の矢印Ｄ１の方向から見たプラズマディ
スプレイパネルの断面図
スプレイパネルの断面図
【図４】図２中の矢印Ｄ２の方向から見たプラズマディ
スプレイパネルの断面図
スプレイパネルの断面図
【図５】１枚の画を構成する１フィールド期間の動作を
示した図
示した図
【図６】本発明の実施例の一実例を示すためのモデルＰ
ＤＰの一セルを示した図
ＤＰの一セルを示した図
１…電子温度を冷却するガス分子又は原子 ２…イオン ３…電子 ２１…前面ガラス基板 ２２-１乃至２２-２…Ｘ電極 ２３-１乃至２３-４８０…Ｙ電極 ２４-１乃至２４-２…Ｘバス電極 ２５-１乃至２５-２…Ｙバス電極 ２６…誘電体 ２７…保護層 ２８…背面ガラス基板 ２９…Ａ電極 ３０…誘電体 ３１…隔壁 ３２…蛍光体 ３３…放電空間 ４１乃至４８、４１-１乃至４８-１、４１-２乃至４８-
２…サブフィールド ４９、４９-１、４９-２…予備放電期間 ５０、５０-１、５０-２…書き込み放電期間 ５１…発光表示期間 ５２…１本のＡ電極に印加する電圧波形 ５３…Ｘ電極に印加する電圧波形 ５４…Ｙ電極のｉ番目に印加する電圧波形 ５５…Ｙ電極のｉ＋１番目に印加する電圧波形 ５６…Ｙ電極のｉ行目に印加されるスキャンパルス ５７…Ｙ電極のｉ＋１行目に印加されるスキャンパルス ６０…放電電極 ６１…誘電体 ６２…放電空間
２…サブフィールド ４９、４９-１、４９-２…予備放電期間 ５０、５０-１、５０-２…書き込み放電期間 ５１…発光表示期間 ５２…１本のＡ電極に印加する電圧波形 ５３…Ｘ電極に印加する電圧波形 ５４…Ｙ電極のｉ番目に印加する電圧波形 ５５…Ｙ電極のｉ＋１番目に印加する電圧波形 ５６…Ｙ電極のｉ行目に印加されるスキャンパルス ５７…Ｙ電極のｉ＋１行目に印加されるスキャンパルス ６０…放電電極 ６１…誘電体 ６２…放電空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横山 敦史 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所家電・情報メディア事業本 部内 (72)発明者 水田 尊久 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所家電・情報メディア事業本 部内 (72)発明者 石垣 正治 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所家電・情報メディア事業本 部内 (72)発明者 旗野 嘉彦 東京都目黒区大岡山２−12−１東京工業大 学内
Claims (11)
- 【請求項１】プラズマを発生させる手段と、該プラズマ
により紫外線を発生させる手段と、該紫外線により可視
光を発生させる手段を具備し、更に該プラズマを発生さ
せるためのガスを少なくとも構成要素の一部としたプラ
ズマディスプレイ装置に於いて、 該プラズマを発生させるガスの構成要素の少なくとも一
部に該紫外線を発生させるガス（原子または分子）およ
び電子温度を低下させるガスを含むことを特徴とするプ
ラズマディスプレイ装置。 - 【請求項２】請求項１に記載のプラズマディスプレイ装
置に於いて、該紫外線を発生させるガスを第一成分と
し、それ以外に第二成分ガスを含み、さらに該第二成分
ガスに比べ質量の小さなガスを電子温度を低下させるガ
スとして含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装
置。 - 【請求項３】請求項１に記載のプラズマディスプレイ装
置に於いて、該紫外線を発生させるガスを第一成分と
し、それ以外に第二成分ガスを含み、さらに該第二成分
ガスに比べ原子半径の大きなガスを電子温度を低下させ
るガスとして含むことを特徴とするプラズマディスプレ
イ装置。 - 【請求項４】請求項１に記載のプラズマディスプレイ装
置に於いて、該電子温度を低下させるガスとして分子ガ
スを含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 【請求項５】請求項１ないし４に記載のプラズマディス
プレイ装置に於いて、該紫外線を発生させるガスがXeで
あることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 【請求項６】請求項２に記載のプラズマディスプレイ装
置に於いて、該電子温度を低下させるガスがHe、H2のい
ずれか、またはこれ等の混合ガスであることを特徴とす
るプラズマディスプレイ装置。 - 【請求項７】請求項６に記載のプラズマディスプレイ装
置に於いて、該電子温度を低下させるガスの分圧をPCと
し、該プラズマを発生させるためのガスの全圧をPtとし
たとき、α＝ PC／Pt＜10％であることを特徴とするプ
ラズマディスプレイ装置。 - 【請求項８】請求項３に記載のプラズマディスプレイ装
置に於いて、該電子温度を低下させるガスがNe、Ar、Kr
のいずれか、またはこれ等の混合ガスであることを特徴
とするプラズマディスプレイ装置。 - 【請求項９】請求項８に記載のプラズマディスプレイ装
置に於いて、該電子温度を低下させるガスの分圧をPCと
し、該プラズマを発生させるためのガスの全圧をPtとし
たとき、α＝ PC／Pt＜10％であることを特徴とするプ
ラズマディスプレイ装置。 - 【請求項１０】請求項４に記載のプラズマディスプレイ
装置に於いて、該電子温度を低下させる分子ガスがCO
2、N2、O2、CF4、SF6のいずれか、またはこれ等の混合
ガスであることを特徴とするプラズマディスプレイ装
置。 - 【請求項１１】請求項１０に記載のプラズマディスプレ
イ装置に於いて、該電子温度を低下させる分子ガスの分
圧をPCとし、該プラズマを発生させるためのガスの全圧
をPtとしたとき、α＝ PC／Pt＜10％であることを特徴
とするプラズマディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10038354A JPH11233022A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | プラズマディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10038354A JPH11233022A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | プラズマディスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233022A true JPH11233022A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12522956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10038354A Pending JPH11233022A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | プラズマディスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233022A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322507A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP2007080607A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2007188764A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP2007273103A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hitachi Ltd | プラズマディスプレイパネル及びそれを備えた画像表示装置 |
| US7948180B2 (en) | 2005-07-08 | 2011-05-24 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and plasma display panel device with reduced driving voltage |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP10038354A patent/JPH11233022A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2005109464A1 (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネル |
| US7462985B2 (en) | 2004-05-10 | 2008-12-09 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| US7948180B2 (en) | 2005-07-08 | 2011-05-24 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and plasma display panel device with reduced driving voltage |
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| JP4742872B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2011-08-10 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
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