JPH11230784A - Optical encoder - Google Patents
Optical encoderInfo
- Publication number
- JPH11230784A JPH11230784A JP2979098A JP2979098A JPH11230784A JP H11230784 A JPH11230784 A JP H11230784A JP 2979098 A JP2979098 A JP 2979098A JP 2979098 A JP2979098 A JP 2979098A JP H11230784 A JPH11230784 A JP H11230784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- light
- receiving surface
- optical encoder
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Optical Transform (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体受光素子を
用いた光学式エンコーダに関する。The present invention relates to an optical encoder using a semiconductor light receiving element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の光学式エンコーダは、特開平６−
１７４４９４号公報に記載されている。この光学式エン
コーダは、光源から出射された光を複数の開口を有する
可動部材を介して受光する受光面上に開口膜が形成され
た半導体受光素子を備えている。可動部材を移動させる
と、開口膜を介して半導体受光素子の受光面に入射する
光が断続的に変化して受光素子からパルス信号が出力さ
れる。このパルス数をカウンタ等で計測すれば、可動部
材の移動量を測定することができる。2. Description of the Related Art A conventional optical encoder is disclosed in
No. 174494. The optical encoder includes a semiconductor light receiving element having an aperture film formed on a light receiving surface that receives light emitted from a light source via a movable member having a plurality of apertures. When the movable member is moved, light incident on the light receiving surface of the semiconductor light receiving element via the aperture film changes intermittently, and a pulse signal is output from the light receiving element. If the number of pulses is measured by a counter or the like, the amount of movement of the movable member can be measured.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光学式エンコーダにおいては、半導体受光素子の受
光面側に光電変換を行うＰＮ接合が設けられているた
め、このＰＮ接合にバイアス電圧を加えるためのバイア
ス電圧印加用電極を受光面側に形成し、且つ、このバイ
アス電極印加用電極に電圧を供給するためのワイヤ配線
を受光面側に設けなくてはならない。光学式エンコーダ
の分解能は、受光面と可動部材との間の間隔が狭いほど
向上させることができる。しかしながら、従来の光学式
エンコーダにおいてはワイヤ配線等を配置するため、例
えば高さ０．５ｍｍ、横方向１ｍｍ程度の空間が必要で
あり、この間隔を狭めて分解能を向上させることができ
ない。However, in the above-mentioned conventional optical encoder, since a PN junction for performing photoelectric conversion is provided on the light receiving surface side of the semiconductor light receiving element, a bias voltage is applied to this PN junction. Must be formed on the light receiving surface side, and wire wiring for supplying a voltage to the bias electrode applying electrode must be provided on the light receiving surface side. The resolution of the optical encoder can be improved as the distance between the light receiving surface and the movable member is smaller. However, in the conventional optical encoder, a space of, for example, about 0.5 mm in height and about 1 mm in the horizontal direction is required for disposing the wire wiring and the like.
【０００４】また、受光面上の開口膜以外の領域はバイ
アス印加用電極や配線等のため、遮光を施すことが困難
であり、ノイズを十分に抑制することができない。製造
工程を増加させれば十分に遮光を行うこともできるが、
このような場合には工程数の増加から歩留まりが減少す
る。Further, it is difficult to shield light from areas other than the aperture film on the light receiving surface due to bias application electrodes and wiring, and noise cannot be sufficiently suppressed. If the number of manufacturing processes is increased, it is possible to sufficiently shield light,
In such a case, the yield decreases due to an increase in the number of steps.
【０００５】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たものであり、その性能を向上可能な光学式エンコーダ
を提供することを目的とする。[0005] The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an optical encoder capable of improving its performance.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る光学式エンコーダは、光源から出射さ
れた光を開口を有する可動部材を介して受光する受光面
上に遮光性の材料からなる開口膜が形成された半導体受
光素子を備える光学式エンコーダであって、半導体受光
素子は受光面とは反対側の面側にＰＮ接合を有し、ＰＮ
接合を構成するＰ型及びＮ型半導体層に設けられた電極
は導電性バンプを介して外部に接続されていることを特
徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, an optical encoder according to the present invention comprises a light-shielding material on a light-receiving surface for receiving light emitted from a light source through a movable member having an opening. An optical encoder including a semiconductor light receiving element having an aperture film formed of a semiconductor light receiving element, wherein the semiconductor light receiving element has a PN junction on a surface side opposite to a light receiving surface, and has a PN junction.
Electrodes provided on the P-type and N-type semiconductor layers forming the junction are connected to the outside via conductive bumps.
【０００７】光源から出射された光は、開口を有する可
動部材及び開口膜を順次介して半導体受光素子の受光面
に入射する。光の入射に応じて半導体受光素子内で発生
した電子及び正孔は、受光面と反対側に形成されたＰＮ
接合における電界にしたがって、そのＰ型及びＮ型半導
体層内を流れ、これに設けられた電極及び導電性バンプ
を介して外部に取り出される。開口を有する可動部材が
移動すると、光源から出射された光は、開口膜を介して
受光面に断続的に入射するので、導電性バンプからは断
続的な電気信号がパルス的に出力され、そのパルス数を
カウントすれば、開口を有する可動部材の移動量を計測
することができる。開口を有する可動部材が直線的に移
動するものであれば、可動部材の直線移動量を計測する
ことができ、回転運動するものであれば、可動部材の回
転量を計測することができる。The light emitted from the light source is incident on the light receiving surface of the semiconductor light receiving element through the movable member having the opening and the opening film sequentially. The electrons and holes generated in the semiconductor light receiving element in response to the light incidence are generated by the PN formed on the side opposite to the light receiving surface.
According to the electric field at the junction, it flows through the P-type and N-type semiconductor layers and is taken out through electrodes and conductive bumps provided on the P-type and N-type semiconductor layers. When the movable member having the opening moves, the light emitted from the light source intermittently enters the light receiving surface via the opening film, so that an intermittent electric signal is output from the conductive bump in a pulsed manner. By counting the number of pulses, the amount of movement of the movable member having the opening can be measured. If the movable member having the opening moves linearly, the linear movement amount of the movable member can be measured. If the movable member has a rotational movement, the rotation amount of the movable member can be measured.
【０００８】本光学式エンコーダにおいては、受光面と
は反対側の面側にＰＮ接合を形成するため、従来受光面
に設けられていた電極及び配線を、反対側の面に設ける
ことができ、可動部材を受光面に近接させて分解能を向
上させることができる。本光学式エンコーダにおいて
は、電極を反対側の面に設けると同時に、反対側の面の
ワイヤ配線となるべきものを導電性バンプとして電極を
外部に接続しているので、分解能を向上させると同時に
機器を小型化することができる。なお、導電性バンプ
は、電極に接続されているので、外部から導電性バンプ
を介して当該電極にバイアス電圧を印加することができ
る。In this optical encoder, since a PN junction is formed on the surface opposite to the light receiving surface, the electrodes and wirings conventionally provided on the light receiving surface can be provided on the opposite surface. The resolution can be improved by bringing the movable member close to the light receiving surface. In this optical encoder, the electrodes are provided on the opposite surface, and at the same time, the electrodes which are to be wire wiring on the opposite surface are connected to the outside as conductive bumps. Equipment can be miniaturized. Since the conductive bump is connected to the electrode, a bias voltage can be externally applied to the electrode via the conductive bump.
【０００９】また、この電極は受光面とは反対側の面に
形成すればよいため、受光面の開口膜の開口以外の領域
は全て遮光することができる。このように遮光を行った
場合には、迷光の入射によるノイズの発生を抑制するこ
とができる。Further, since this electrode may be formed on the surface opposite to the light receiving surface, all regions other than the opening of the aperture film on the light receiving surface can be shielded from light. When the light is shielded as described above, it is possible to suppress the generation of noise due to the incidence of stray light.
【００１０】また、受光面と開口膜との間には反射防止
膜が介在していることが好ましい。反射防止膜は、受光
面で反射した後、可動部材で反射して受光面に再度入射
する２次入射光、所謂戻り光の入射を抑制することがで
きる。Preferably, an antireflection film is interposed between the light receiving surface and the aperture film. The antireflection film can suppress the incidence of secondary incident light, that is, so-called return light, which is reflected on the movable member after being reflected on the light receiving surface and re-entering the light receiving surface.
【００１１】さらに、半導体受光素子は、隣接する一方
の前記半導体層と同一の導電型の半導体からなるアキュ
ムレーション層を前記受光面側に備えることが好まし
い。このアキュムレーション層は半導体受光素子の受光
面側におけるキャリアの消滅を抑制することができる。Further, the semiconductor light receiving element preferably has an accumulation layer made of a semiconductor of the same conductivity type as one of the adjacent semiconductor layers on the light receiving surface side. This accumulation layer can suppress the disappearance of carriers on the light receiving surface side of the semiconductor light receiving element.
【００１２】また、可動部材又は開口膜の開口は、規則
的に配列された複数のスリットであることが好ましい。
すなわち、１つの開口の面積を減少させると半導体受光
素子の受光光量が減少し、また、増加させるとエンコー
ダの分解能が低下する。そこで、開口を規則的に配列さ
れたスリットとすると、複数のスリットを透過する全光
量を増加させつつ、可動部材の移動量の分解能を向上さ
せることができる。The opening of the movable member or the opening film is preferably a plurality of regularly arranged slits.
That is, if the area of one opening is reduced, the amount of light received by the semiconductor light receiving element is reduced, and if the area is increased, the resolution of the encoder is reduced. Therefore, if the openings are slits arranged regularly, it is possible to improve the resolution of the amount of movement of the movable member while increasing the total amount of light transmitted through the plurality of slits.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に係る光学式エ
ンコーダについて説明する。同一要素又は同一機能を有
する要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明
は省略する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An optical encoder according to an embodiment will be described below. The same reference numerals are used for the same elements or elements having the same functions, and overlapping descriptions are omitted.
【００１４】図１は、実施の形態に係る光学式エンコー
ダ１を一部破断して示す斜視図である。光学式エンコー
ダ１は、円形のベース基板２の外縁から立設した外周円
筒形の側壁３を有する筒状ハウジングを備えている。筒
状ハウジング内には、その中心軸位置に配置された回転
軸４を支持するベアリング５及び６が配置されている。
回転軸４には円形の回転板（可動部材）７が固定されて
おり、回転軸４をその軸回りに回転させると、回転板７
が回転軸４に垂直な平面内で回転する。FIG. 1 is a perspective view showing an optical encoder 1 according to an embodiment, partially cut away. The optical encoder 1 includes a cylindrical housing having an outer peripheral cylindrical side wall 3 erected from an outer edge of a circular base substrate 2. Bearings 5 and 6 for supporting the rotating shaft 4 arranged at the center axis position are arranged in the cylindrical housing.
A circular rotating plate (movable member) 7 is fixed to the rotating shaft 4, and when the rotating shaft 4 is rotated around its axis, the rotating plate 7
Rotate in a plane perpendicular to the rotation axis 4.
【００１５】回転板７の上方には、コリメータレンズ８
及び光源９が配置されている。光源９から出射された光
は、コリメータレンズ８によって平行光とされ、回転板
７の所定領域上に投影される。回転板７には複数の開口
が円周方向に沿って規則的に形成され、これらの開口は
回転板７の回転に伴って上記所定領域を順次通過する。
回転板７の上記所定領域の下方には複数の開口を有する
開口膜１３（図２参照）が受光面上に形成された受光素
子１０が配置されている。したがって、光源９から出射
された光は、回転板７の開口を介して受光素子１０上に
入射し、回転板７が回転した場合には、複数の開口内を
順次光が通過するので受光素子１０の受光面上には断続
的に光が入射する。なお、回転板７の開口及び受光面に
設けられた開口膜１３の開口は、規則的に配列された複
数のスリットであるが、これらは円形や楕円形の開口と
することもできる。Above the rotary plate 7, a collimator lens 8
And a light source 9. The light emitted from the light source 9 is collimated by the collimator lens 8 and projected onto a predetermined area of the rotating plate 7. A plurality of openings are regularly formed in the rotating plate 7 along the circumferential direction, and these openings sequentially pass through the predetermined region as the rotating plate 7 rotates.
A light receiving element 10 having an aperture film 13 (see FIG. 2) having a plurality of openings formed on a light receiving surface is disposed below the predetermined area of the rotating plate 7. Therefore, the light emitted from the light source 9 is incident on the light receiving element 10 through the opening of the rotating plate 7, and when the rotating plate 7 is rotated, the light sequentially passes through the plurality of openings. Light is intermittently incident on the light receiving surface 10. The opening of the rotating plate 7 and the opening of the opening film 13 provided on the light receiving surface are a plurality of regularly arranged slits, but these may be circular or elliptical openings.
【００１６】この時、受光素子１０からは光の入射に応
じて断続的な電気信号がパルス的に出力され、受光素子
１０とともに回路基板ＳＢ上に載置されたカウンタ１１
でそのパルス数をカウントすれば、回転板７の回転量に
応じた信号がカウンタ１１から出力され、この回転量を
計測することができる。なお、受光素子１０を単独でパ
ッケージ内に収容し、パッケージごとエンコーダのハウ
ジング内に配置してもよい。At this time, an intermittent electric signal is output from the light receiving element 10 in a pulsed manner in accordance with the incidence of light, and the counter 11 mounted on the circuit board SB together with the light receiving element 10
By counting the number of pulses, a signal corresponding to the amount of rotation of the rotating plate 7 is output from the counter 11, and the amount of rotation can be measured. Note that the light receiving element 10 may be housed alone in a package, and may be disposed together with the package in the housing of the encoder.
【００１７】図２は図１に示した受光素子１０のＩ−Ｉ
矢印断面図である。まず、受光素子１０の構造について
説明する。FIG. 2 is a sectional view of the light-receiving element 10 shown in FIG.
It is arrow sectional drawing. First, the structure of the light receiving element 10 will be described.
【００１８】受光素子１０は、光源９から出射された光
を回転板７の開口を介して受光する受光面を有する半導
体受光素子１２と、受光面上に形成された遮光材料から
なる開口膜１３とを備える。開口膜１３は、開口群形成
領域Ａ及びこれ以外の領域である遮光領域Ｄを有し、厚
み約１μｍのＡｌ、反射率の小さい黒色樹脂や光感光性
黒色樹脂（ホトレジスト）等からなる。開口膜１３は、
開口としてのスリットＳの形成されていない領域に入射
した光を遮光し、スリットＳに入射した光を透過させ
る。また、開口膜１３としてＡｌやＣｒの低反射多層膜
を用いてもよい。The light receiving element 10 includes a semiconductor light receiving element 12 having a light receiving surface for receiving the light emitted from the light source 9 through the opening of the rotating plate 7, and an opening film 13 formed on the light receiving surface and made of a light shielding material. And The aperture film 13 has an aperture group formation area A and a light shielding area D, which is another area, and is made of Al having a thickness of about 1 μm, a black resin having a low reflectance, a photosensitive black resin (photoresist), or the like. The opening film 13
Light incident on a region where the slit S as an opening is not formed is shielded, and light incident on the slit S is transmitted. Further, a low-reflection multilayer film of Al or Cr may be used as the opening film 13.
【００１９】開口膜１３の開口としてのスリット群Ｓ
は、回転板７のスリット群と同一の幅及びピッチで設け
られている。なお、回転板７及び開口膜１３の開口を、
ピッチを揃えて規則的に配列された複数のスリット形状
としたのは、単に１つの開口の面積を減少させると半導
体受光素子１２の受光光量が減少し、また、増加させる
とエンコーダの分解能が低下するためである。回転板７
及び開口膜１３の開口は、規則的に配列されたスリット
であるので、複数のスリットを透過する全光量を増加さ
せつつ、回転板７の位置分解能を向上させることができ
る。Slit group S as opening of opening film 13
Are provided with the same width and pitch as the slit group of the rotating plate 7. Note that the openings of the rotating plate 7 and the opening film 13 are
The reason why the plurality of slits are regularly arranged at the same pitch is that if the area of one opening is simply reduced, the amount of light received by the semiconductor light receiving element 12 is reduced, and if the area is increased, the resolution of the encoder is reduced. To do that. Rotating plate 7
Since the openings of the aperture film 13 are regularly arranged slits, the positional resolution of the rotating plate 7 can be improved while increasing the total amount of light transmitted through the plurality of slits.
【００２０】半導体受光素子１２は、受光面とは反対側
の面側に、ＰＮ接合１２ｊを有する。なお、以下の説明
においては、半導体表面の研磨状態に拘わらず、この受
光面とは反対側の面を裏面とする。ＰＮ接合１２ｊを構
成するＰ型半導体層１２ｐ及びＮ型半導体層（基板）１
２ｎには、それぞれ電気的に導通した電極１１２ｐ、１
１２ｎ’が設けられており、金属バンプ（導電性バン
プ）ＭＢを介して外部に接続されている。The semiconductor light receiving element 12 has a PN junction 12j on the surface opposite to the light receiving surface. In the following description, the surface opposite to the light receiving surface is referred to as the back surface regardless of the polishing state of the semiconductor surface. P-type semiconductor layer 12p and N-type semiconductor layer (substrate) 1 forming PN junction 12j
2n are electrically connected electrodes 112p, 1p, respectively.
12n 'is provided and connected to the outside via a metal bump (conductive bump) MB.
【００２１】詳説すれば、シリコン（Ｓｉ）ならなる高
抵抗（数百〜数ｋΩ・ｃｍ）のＮ型半導体基板１２ｎの
裏面側には、裏面からＰ型不純物が添加されてなる拡散
深さ１μｍの低抵抗Ｐ型半導体層１２ｐが形成されてお
り、これらの界面がＰＮ接合１２ｊを構成している。Ｐ
Ｎ接合１２ｊは、開口群形成領域Ａの直下に位置する領
域に形成されている。なお、Ｎ型半導体基板１２ｎは高
抵抗であるため、電極１１２ｐ、１１２ｎ’への低逆バ
イアスの印加によって容易に空乏層が広がり、寄生容量
を低減して素子間のクロストークを減少させることがで
きる。また、Ｎ型半導体基板１２ｎの厚さは３００〜４
００μｍであり、受光面から入射した赤外光等の光がＰ
Ｎ接合１２ｊに到達できる。More specifically, a diffusion depth of 1 μm formed by adding a P-type impurity from the back surface is provided on the back surface of an N-type semiconductor substrate 12 n having high resistance (several hundreds to several kΩ · cm) made of silicon (Si). Are formed, and the interface between them forms a PN junction 12j. P
The N junction 12j is formed in a region located immediately below the opening group formation region A. Since the N-type semiconductor substrate 12n has a high resistance, the depletion layer can be easily expanded by applying a low reverse bias to the electrodes 112p and 112n ', and the parasitic capacitance can be reduced to reduce crosstalk between elements. it can. The thickness of the n-type semiconductor substrate 12n is 300 to 4
And the light such as infrared light incident from the light receiving surface is P
The N junction 12j can be reached.
【００２２】Ｎ型半導体基板１２ｎの裏面側には、裏面
からＮ型不純物が添加されてなる拡散深さ１μｍの低抵
抗Ｎ型半導体層１２ｎ’がＰ型半導体層１２ｐと所定間
隔離隔してこれを囲むように形成されている。Ｎ型半導
体層１２ｎ’はカソードとなるとともに、複数のＰ型半
導体層１２ｐを同一基板内に形成する場合にはアイソレ
ーション層として機能する。On the back surface of the N-type semiconductor substrate 12n, a low-resistance N-type semiconductor layer 12n 'having a diffusion depth of 1 μm and doped with N-type impurities from the back surface is separated from the P-type semiconductor layer 12p by a predetermined distance. Is formed so as to surround the. The N-type semiconductor layer 12n 'functions as a cathode, and also functions as an isolation layer when a plurality of P-type semiconductor layers 12p are formed in the same substrate.
【００２３】Ｎ型半導体基板１２ｎの裏面上には、Ｓｉ
Ｏ2からなる絶縁膜１２ｉが形成されている。Ｐ型半導
体層１２ｐ及びＮ型半導体層１２ｎ’の露出表面は、絶
縁膜１２ｉのコンタクトホール内に位置し、電極１１２
ｐ、１１２ｎ’が接触し、電極１１２ｐ、１１２ｎ’は
金属バンプＭＢが溶着されている。電極１１２ｐ、１１
２ｎ’の材料としては、金属バンプＭＢとの接着力の強
いものが選択される。金属バンプＭＢの材料としては半
田、インジウム、Ａｕ、これらの混合物、導電性樹脂を
用いることができる。金属バンプＭＢに半田を使った場
合には、接着力を考慮してＣｒＡｕを用いることが好ま
しい。また、電気特性の観点からは半導体との接触材料
はＡｌが好ましいので、本例の電極１１２ｐ、１１２
ｎ’はＡｌ／ＣｕＣｒ構造を有するものとし、金属バン
プＭＢは半田からなるものとする。On the back surface of the N-type semiconductor substrate 12n, Si
An insulating film 12i made of O 2 is formed. The exposed surfaces of the P-type semiconductor layer 12p and the N-type semiconductor layer 12n 'are located in the contact holes of the insulating film 12i.
The metal bumps MB are welded to the electrodes 112p and 112n '. Electrodes 112p, 11
As the material of 2n ', a material having a strong adhesive force to the metal bump MB is selected. As the material of the metal bump MB, solder, indium, Au, a mixture thereof, or a conductive resin can be used. When solder is used for the metal bump MB, it is preferable to use CrAu in consideration of adhesive strength. Further, from the viewpoint of electrical characteristics, the contact material with the semiconductor is preferably Al, so that the electrodes 112p, 112
n ′ has an Al / CuCr structure, and the metal bump MB is made of solder.
【００２４】電極１１２ｐ、１１２ｎ’は、金属バンプ
ＭＢを介して半導体チップ搭載用ＰＷＢ基板１４の表面
に形成されたＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕ構造等からなる配線パタ
ーン１４ｍに接続されている。半導体チップ載置用基板
１４は、ＰＷＢ以外にもセラミック、フレキシブル基板
等も使用できる。The electrodes 112p and 112n 'are connected to a wiring pattern 14m having an Au / Ni / Cu structure and the like formed on the surface of the semiconductor chip mounting PWB substrate 14 via metal bumps MB. As the semiconductor chip mounting substrate 14, a ceramic, flexible substrate or the like can be used other than PWB.
【００２５】配線パターン１４ｍは、半導体チップ載置
用配線基板１４のビアホールを通して裏面に設けられた
半田バンプ１４ｂに接続されており、図１に示した回路
基板ＳＢ上の配線上にマウントして加熱するだけで、接
触して接続される。なお、この基板１４はパッケージの
一部分をなすこともできる。また、金属バンプＭＢを介
してチップ搭載基板のリード端子から出力信号を取り出
す構成としてもよい。The wiring pattern 14m is connected to the solder bump 14b provided on the back surface through the via hole of the wiring board 14 for mounting a semiconductor chip, and is mounted on the wiring on the circuit board SB shown in FIG. Just touch and connect. Note that the substrate 14 may form a part of a package. Further, a configuration may be adopted in which an output signal is taken out from a lead terminal of the chip mounting board via the metal bump MB.
【００２６】半導体基板１２ｎの受光面側には基板１２
ｎと同一の導電型の低抵抗Ｎ型半導体からなるアキュム
レーション層１２ａが形成されている。アキュムレーシ
ョン層１２ａの不純物濃度は１０17ｃｍ-3であり、基板
１２ｎとともに所謂ハイロー接合を構成し、半導体受光
素子１２の受光面側におけるキャリアの消滅を抑制す
る。なお、アキュムレーション層１２ａの厚みは、開口
膜１３を透過した光がこれを通過できるように約０．５
μｍ程度に薄く形成してある。アキュムレーション層１
２ａ上には厚さ０．１μｍのＳｉＮｘ（窒化シリコン）
からなる反射防止膜１２ｒ、遮光用開口膜１３が順次形
成されている。反射防止膜１２ｒの材料は、ＳｉＯ2や
従来から知られる他の反射防止膜材料の組み合わせでも
よい。反射防止膜１２ｒは、受光面で反射した後に回転
板７で反射して受光面に再度入射する２次入射光の入射
を抑制する。さらに、遮光用開口膜１３上及び半導体受
光素子１２の側面は、光透過性の樹脂被覆材料１５によ
って覆われている。樹脂被覆材料１５の厚みは、受光面
上にワイヤ配線がないため、０．５ｍｍ以下であって、
好ましくは１０μｍ以下の厚みとすることができる。な
お、基板１４と半導体受光素子１２との間の隙間は樹脂
１６で充填されている。樹脂接着剤１６はエポキシ樹脂
等の絶縁性の材料からなり、基板１４上の配線１４ｍを
保護するとともに、半導体受光素子１２を基板１４によ
り強固に固定する。On the light receiving surface side of the semiconductor substrate 12n, the substrate 12
An accumulation layer 12a made of a low-resistance N-type semiconductor having the same conductivity type as n is formed. The impurity concentration of the accumulation layer 12a is 10 17 cm −3 , and forms a so-called high-low junction with the substrate 12n to suppress the disappearance of carriers on the light receiving surface side of the semiconductor light receiving element 12. The thickness of the accumulation layer 12a is set to about 0.5 so that light transmitted through the aperture film 13 can pass therethrough.
It is formed as thin as about μm. Accumulation layer 1
0.1 μm thick SiNx (silicon nitride) on 2a
An anti-reflection film 12r and a light-shielding opening film 13 are sequentially formed. Material of the antireflection film 12r may be a combination of other anti-reflective coating material known from the SiO 2 and prior art. The anti-reflection film 12r suppresses the incidence of secondary incident light that is reflected on the rotating plate 7 after being reflected on the light receiving surface and is again incident on the light receiving surface. Further, the light-shielding opening film 13 and the side surface of the semiconductor light receiving element 12 are covered with a light-transmitting resin coating material 15. The thickness of the resin coating material 15 is 0.5 mm or less because there is no wire wiring on the light receiving surface,
Preferably, the thickness can be 10 μm or less. The gap between the substrate 14 and the semiconductor light receiving element 12 is filled with the resin 16. The resin adhesive 16 is made of an insulating material such as an epoxy resin, protects the wiring 14m on the substrate 14, and firmly fixes the semiconductor light receiving element 12 to the substrate 14.
【００２７】次に、本受光素子１０の動作について説明
する。図１に示した光源９から出射された光は、回転板
７及び開口膜１３の開口を順次介して半導体受光素子１
２の受光面上にスリット像として投影される。半導体受
光素子１２のＰ型半導体層１２ｐ及びＮ型半導体層１２
ｎ，１２ｎ’には、半田バンプ１４ｂ、配線パターン１
４ｍ、金属バンプＭＢ、及び電極１１２ｐ，１１２ｎ’
を介して逆バイアス電圧が印加される。逆バイアス電圧
の印加によって、ＰＮ接合１２ｊから不純物濃度の低い
Ｎ型半導体基板１２ｎ内部に向かって空乏層が広がる。Next, the operation of the light receiving element 10 will be described. Light emitted from the light source 9 shown in FIG. 1 passes through the rotating plate 7 and the opening of the aperture film 13 in order, and
2 is projected as a slit image on the light receiving surface 2. P-type semiconductor layer 12p and N-type semiconductor layer 12 of semiconductor light receiving element 12
n, 12n ', the solder bump 14b, the wiring pattern 1
4m, metal bump MB, and electrodes 112p, 112n '
, A reverse bias voltage is applied. The application of the reverse bias voltage causes the depletion layer to expand from the PN junction 12j to the inside of the N-type semiconductor substrate 12n having a low impurity concentration.
【００２８】光の入射に応じて半導体受光素子１２内で
発生した電子及び正孔は、受光面と反対側に形成された
ＰＮ接合１２ｊにおける空乏層内の電界にしたがって、
そのＰ型半導体層１２ｐ及びＮ型半導体層１２ｎ，１２
ｎ’内を流れ、これに設けられた電極１１２ｐ，１１２
ｎ’及び金属バンプＭＢを介して外部に取り出される。The electrons and holes generated in the semiconductor light receiving element 12 in response to the incidence of light are changed according to the electric field in the depletion layer in the PN junction 12j formed on the side opposite to the light receiving surface.
The P-type semiconductor layer 12p and the N-type semiconductor layers 12n, 12
n ′, the electrodes 112p, 112
It is extracted outside through n ′ and the metal bump MB.
【００２９】回転板７が回転すると、光源９から出射さ
れた光は、開口膜１３を介して受光面に断続的に入射す
るので、金属バンプＭＢからは、スリットの幅、ピッチ
及び回転板７の回転周期に応じた断続的な電気信号がパ
ルス的に出力され、そのパルス数がカウンタ１１でカウ
ントされることにより、回転板７の回転量（回転角）が
計測される。なお、この電気信号は必要に応じて増幅器
によって増幅する。When the rotating plate 7 rotates, the light emitted from the light source 9 intermittently enters the light receiving surface via the aperture film 13. An intermittent electric signal corresponding to the rotation cycle of the pulse signal is output in pulses, and the number of pulses is counted by the counter 11, whereby the rotation amount (rotation angle) of the rotating plate 7 is measured. This electric signal is amplified by an amplifier as needed.
【００３０】本光学式エンコーダ１においては、受光面
とは反対側の面にＰＮ接合１２ｊを形成するため、従来
受光面に設けられていた電極及び配線を、反対側の面に
設けることができ、回転板７を受光面に近接させて分解
能を向上させることができる。また、電極１１２ｐ、１
１２ｎ’は、受光面とは反対側の面側に形成すればよい
ため、開口膜１３の開口以外の領域の受光面は、開口膜
１３によって全て遮光することができる。このように遮
光を行った場合には、迷光の入射によるノイズの発生を
抑制することができる。In the present optical encoder 1, since the PN junction 12j is formed on the surface opposite to the light receiving surface, the electrodes and wirings conventionally provided on the light receiving surface can be provided on the opposite surface. The resolution can be improved by bringing the rotating plate 7 close to the light receiving surface. The electrodes 112p, 1
Since 12n 'may be formed on the surface opposite to the light receiving surface, the light receiving surface in the area other than the opening of the opening film 13 can be entirely shielded from light by the opening film 13. When the light is shielded as described above, it is possible to suppress the generation of noise due to the incidence of stray light.
【００３１】図３（ａ）〜図３（ｆ）は、半導体受光素
子１２の製造方法について説明するための説明図であ
る。半導体受光素子１２は、以下のようにして製造す
る。FIGS. 3A to 3F are explanatory views for explaining a method of manufacturing the semiconductor light receiving element 12. FIG. The semiconductor light receiving element 12 is manufactured as follows.
【００３２】まず、図３（ａ）に示すように、両面研磨
された厚さ３００〜４００μｍ、基板抵抗１ｋΩ・ｃｍ
のＮ型シリコン半導体基板１２ｎを用意する。First, as shown in FIG. 3 (a), both sides are polished to a thickness of 300 to 400 μm, and the substrate resistance is 1 kΩ · cm.
N-type silicon semiconductor substrate 12n is prepared.
【００３３】次に、図３（ｂ）に示すように、通常のフ
ォトリソグラフィ技術及び拡散源としてＢＮを用いたフ
ォトダイオード製造拡散プロセスにより、絶縁膜１２
ｉ’をマスクとして基板裏面側に拡散深さ１μｍ程度の
Ｐ型半導体層１２ｐを形成する。Next, as shown in FIG. 3B, the insulating film 12 is formed by a usual photolithography technique and a photodiode manufacturing diffusion process using BN as a diffusion source.
Using i ′ as a mask, a P-type semiconductor layer 12p with a diffusion depth of about 1 μm is formed on the back surface of the substrate.
【００３４】さらに、図３（ｃ）に示すように、通常の
フォトリソグラフィ技術及び拡散源としてＰＯＣｌ3を
用いたフォトダイオード製造拡散プロセスにより、拡散
深さ約１μｍのＮ型半導体層１２ｎを形成する。しかる
後、この裏面上にＳｉＯ2などの絶縁膜（保護膜）１２
ｉを形成する。Further, as shown in FIG. 3C, an N-type semiconductor layer 12n having a diffusion depth of about 1 μm is formed by a usual photolithography technique and a photodiode manufacturing diffusion process using POCl 3 as a diffusion source. . Thereafter, an insulating film (protective film) 12 such as SiO 2 is formed on the back surface.
form i.
【００３５】さらに、図３（ｄ）に示すように、受光面
側にイオン注入法を用いて、基板１２ｎと同一導電型で
あって厚さ０．１μｍ程度の高濃度アキュムレーション
層１２ａを形成し、しかる後、ランプアニールを行って
不純物の活性化を行う。Further, as shown in FIG. 3D, a high-concentration accumulation layer 12a of the same conductivity type as the substrate 12n and a thickness of about 0.1 μm is formed on the light receiving surface side by ion implantation. Thereafter, lamp annealing is performed to activate the impurities.
【００３６】次に、図３（ｅ）に示すように、アキュム
レーション層１２ａ上にＬＰＣＶＤ（減圧化学的気相堆
積）法を用いて、厚さ１００〜１５０ｎｍのＳｉ3Ｎ4か
らなる反射防止膜１２ｒを形成する。この厚みはエンコ
ーダに使用される光源（ＬＥＤ、ＬＤ）により最適化す
る。Next, as shown in FIG. 3E, an anti-reflection film made of Si 3 N 4 having a thickness of 100 to 150 nm is formed on the accumulation layer 12a by LPCVD (low pressure chemical vapor deposition). 12r is formed. This thickness is optimized by the light source (LED, LD) used for the encoder.
【００３７】次に、図３（ｆ）に示すように、絶縁膜１
２ｉの、Ｐ型半導体層１２ｐ及びＮ型半導体層１２ｎ’
に対応する部分をエッチングにより除去してコンタクト
ホールを形成し、コンタクトホール内にＣｒＡｕ或いは
Ａｌ／ＣｕＣｒからなる電極１１２ｐ，１１２ｎ’を形
成する。さらに、半導体基板１２ｎの受光面側の反射防
止膜１２ｒ上に１μｍの厚みのＡｌ膜を蒸着によって形
成し、これをフォトリソグラフィ技術を用いてパターニ
ングすることにより開口膜１３を形成する。最後に、こ
れを金属バンプＭＢを介して半導体チップ載置用基板１
４に固定し、基板１４と半導体受光素子１２との間の隙
間を樹脂１６で充填し、樹脂被覆材料１５を素子にスプ
レーコーティングすることにより、図２に示した受光素
子１０が完成する。Next, as shown in FIG.
2i, the P-type semiconductor layer 12p and the N-type semiconductor layer 12n '
Are removed by etching to form contact holes, and electrodes 112p and 112n 'made of CrAu or Al / CuCr are formed in the contact holes. Further, an Al film having a thickness of 1 μm is formed on the antireflection film 12r on the light receiving surface side of the semiconductor substrate 12n by vapor deposition, and is patterned by photolithography to form the opening film 13. Finally, the semiconductor chip is placed on the semiconductor chip mounting substrate 1 via the metal bumps MB.
4, the gap between the substrate 14 and the semiconductor light receiving element 12 is filled with a resin 16 and the element is spray-coated with a resin coating material 15 to complete the light receiving element 10 shown in FIG.
【００３８】なお、上記実施の形態では、スリット群の
形成領域が一箇所であるものについて説明したが、これ
は複数であってもよい。In the above embodiment, the case where the formation area of the slit group is one is described, but the number of the slit group may be plural.
【００３９】図４は、２つのスリット群形成領域Ａ，Ｂ
を有する受光素子の平面図である。個々のスリット群形
成領域Ａ，Ｂ内のＰ型半導体層１２ｐは、アイソレーシ
ョン層１２ｎ’によって電気的に隔離されている。すな
わち、ＰＮ接合１２ｊはＮ型半導体基板１２ｎの表面の
複数の領域Ａ，Ｂ内に、Ｐ型の不純物を添加することに
よって形成される。領域Ａ，Ｂは、領域Ａ，Ｂと導電型
の異なるＮ型のアイソレーション層１２ａによって囲ま
れ、隣接する領域Ａ，Ｂから互いに電気的に隔離されて
いる。スリット群形成領域Ａ，Ｂの各スリットの長手方
向は、略同一点に向かっており、スリット群形成領域Ａ
の各スリットの延長線上にはスリット群形成領域Ｂの各
スリットが位置しないように配置されている。FIG. 4 shows two slit group forming areas A and B.
It is a top view of the light receiving element which has. The P-type semiconductor layers 12p in the individual slit group formation regions A and B are electrically isolated by an isolation layer 12n '. That is, the PN junction 12j is formed by adding a P-type impurity to the plurality of regions A and B on the surface of the N-type semiconductor substrate 12n. The regions A and B are surrounded by an N-type isolation layer 12a having a different conductivity type from the regions A and B, and are electrically isolated from the adjacent regions A and B. The longitudinal directions of the slits in the slit group forming areas A and B are substantially the same, and the slit group forming areas A
The slits of the slit group formation area B are arranged so as not to be located on the extension of each slit.
【００４０】図５は、スリット群形成領域Ａ，Ｂの、回
転板７の円周方向に沿った移動量（角度）に対するスリ
ットの開口位置（受光光量で示す）との関係を示す図で
ある。スリット群形成領域Ａの各スリットの延長線上に
はスリット群形成領域Ｂの各スリットが位置しないよう
に配置され、且つ、スリット群形成領域Ｂの各スリット
は、領域Ａ内の特定の近接するスリットのいずれか一方
に近い方に配置されている。FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the amount of movement (angle) of the rotating plate 7 in the circumferential direction of the slit group forming areas A and B and the position of the slit opening (indicated by the amount of received light). . Each slit of the slit group forming area B is arranged so as not to be located on an extension of each slit of the slit group forming area A, and each slit of the slit group forming area B is a specific adjacent slit in the area A. Are arranged closer to either one of them.
【００４１】この場合、回転板７を正転させた場合と、
逆転させた場合とでは、領域Ａ、Ｂから出力される信号
のパターンが異なるため、領域Ａ、Ｂから出力される信
号を計測することによって、回転の向きを判別すること
ができる。なお、３つ以上のスリット群形成領域を同一
の基板内に形成してもよい。In this case, when the rotating plate 7 is rotated forward,
Since the patterns of the signals output from the areas A and B are different from those in the case where the rotation is reversed, the direction of rotation can be determined by measuring the signals output from the areas A and B. Note that three or more slit group formation regions may be formed in the same substrate.
【００４２】以上、説明したように、上記実施の形態に
係る光学式エンコーダは、光源９から出射された光を開
口を有する可動部材７を介して受光する受光面上に遮光
性材料からなる開口膜１３が形成された半導体受光素子
１２を備える光学式エンコーダであって、半導体受光素
子１２は受光面とは反対側の面側にＰＮ接合１２ｊを有
し、ＰＮ接合１２ｊを構成するＰ型及びＮ型半導体層１
２ｐ，１２ｎに設けられた電極１１２ｐ，１１２ｎ’は
導電性バンプＭＢを介して外部に接続されている。As described above, the optical encoder according to the above-described embodiment has an opening made of a light-shielding material on a light receiving surface for receiving the light emitted from the light source 9 through the movable member 7 having the opening. An optical encoder including a semiconductor light receiving element 12 on which a film 13 is formed, wherein the semiconductor light receiving element 12 has a PN junction 12j on a surface side opposite to a light receiving surface, and a P-type and a PN junction 12j. N-type semiconductor layer 1
The electrodes 112p and 112n 'provided on 2p and 12n are connected to the outside via conductive bumps MB.
【００４３】なお、上記可動部材７は回転運動をするも
のであって、可動部材７の回転角を計測することができ
たが、可動部材が直線的に移動するものであれば、可動
部材の直線移動量を計測することができる。The movable member 7 performs a rotational movement, and the rotation angle of the movable member 7 can be measured. However, if the movable member moves linearly, the movable member 7 can rotate. The linear movement amount can be measured.
【００４４】また、上記半導体受光素子はＮ型半導体基
板を使用したが、Ｐ型半導体基板を用いても同様の効果
が得られることは言うまでもない。Although the semiconductor light receiving element uses an N-type semiconductor substrate, it goes without saying that a similar effect can be obtained by using a P-type semiconductor substrate.
【００４５】[0045]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明に係る光
学式エンコーダは、半導体受光素子が受光面とは反対側
の面側にＰＮ接合を有し、ＰＮ接合を構成するＰ型及び
Ｎ型半導体層に設けられた電極は導電性バンプを介して
外部に接続されているので、その性能を向上させること
ができる。As described above, in the optical encoder according to the present invention, the semiconductor light receiving element has the PN junction on the surface side opposite to the light receiving surface, and the P type and the N type constituting the PN junction are provided. Since the electrodes provided on the mold semiconductor layer are connected to the outside via the conductive bumps, the performance thereof can be improved.
【図１】光学式エンコーダ１を一部破断して示す斜視
図。FIG. 1 is a perspective view showing an optical encoder 1 partially broken away.
【図２】図１に示した半導体受光素子１２のＩ−Ｉ矢印
断面図。FIG. 2 is a sectional view of the semiconductor light receiving element 12 shown in FIG.
【図３】受光素子１０の製造方法について説明するため
の説明図。FIG. 3 is an explanatory diagram for describing a method for manufacturing the light receiving element 10.
【図４】２つのスリット群形成領域Ａ，Ｂを有する受光
素子の平面図。FIG. 4 is a plan view of a light receiving element having two slit group forming regions A and B.
【図５】スリット群形成領域Ａ，Ｂの、回転板７の円周
方向に沿った移動量（角度）に対するスリットの開口位
置（受光光量で示す）との関係を示す図。FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the amount of movement (angle) of the slit group forming areas A and B along the circumferential direction of the rotating plate 7 and the opening position of the slit (indicated by the amount of received light).
１・・・光学式エンコーダ、９・・・光源、７・・・可動部材、
１３・・・開口膜、１２・・・半導体受光素子、１２ｊ・・・Ｐ
Ｎ接合、１２ｐ・・・Ｐ型半導体領域、１２ｎ・・・Ｎ型半導
体層、１１２ｐ，１１２ｎ’・・・電極、ＭＢ・・・導電性バ
ンプ。1 ... optical encoder, 9 ... light source, 7 ... movable member,
13 ... opening film, 12 ... semiconductor light receiving element, 12j ... P
N-junction, 12p ... P-type semiconductor region, 12n ... N-type semiconductor layer, 112p, 112n '... electrode, MB ... conductive bump.
Claims (5)
動部材を介して受光する受光面上に遮光性材料からなる
開口膜が形成された半導体受光素子を備える光学式エン
コーダであって、前記半導体受光素子は前記受光面とは
反対側の面側にＰＮ接合を有し、前記ＰＮ接合を構成す
るＰ型及びＮ型半導体層に設けられた電極は導電性バン
プを介して外部に接続されていることを特徴とする光学
式エンコーダ。1. An optical encoder comprising: a semiconductor light receiving element having an opening film made of a light-shielding material formed on a light receiving surface for receiving light emitted from a light source via a movable member having an opening; The semiconductor light receiving element has a PN junction on a surface opposite to the light receiving surface, and electrodes provided on P-type and N-type semiconductor layers constituting the PN junction are connected to the outside via conductive bumps. An optical encoder, comprising:
域は、全て遮光されていることを特徴とする請求項１に
記載の光学式エンコーダ。2. The optical encoder according to claim 1, wherein an area of the light receiving surface other than the opening of the aperture film is entirely shielded from light.
防止膜が介在していることを特徴とする請求項１に記載
の光学式エンコーダ。3. The optical encoder according to claim 1, wherein an antireflection film is interposed between the light receiving surface and the aperture film.
前記半導体層と同一の導電型の半導体からなるアキュム
レーション層を前記受光面側に備えることを特徴とする
請求項１に記載の光学式エンコーダ。4. The optical encoder according to claim 1, wherein the semiconductor light receiving element includes an accumulation layer made of a semiconductor of the same conductivity type as one of the adjacent semiconductor layers on the light receiving surface side. .
規則的に配列された複数のスリットであることを特徴と
する請求項１に記載の光学式エンコーダ。5. The opening of the movable member or the opening film,
The optical encoder according to claim 1, wherein the optical encoder comprises a plurality of slits arranged regularly.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2979098A JPH11230784A (en) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | Optical encoder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2979098A JPH11230784A (en) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | Optical encoder |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11230784A true JPH11230784A (en) | 1999-08-27 |
Family
ID=12285801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2979098A Pending JPH11230784A (en) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | Optical encoder |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11230784A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017058239A (en) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | ハイデンハイン株式会社 | Optical rotary encoder |
| JP2021170018A (en) * | 2017-06-15 | 2021-10-28 | 株式会社ミツトヨ | Light receiver and photoelectric encoder having the same |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712571A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | Toshiba Corp | Semiconductor photodetector |
| JPS57164585A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Toshiba Corp | Photosemiconductor device |
| JPS61220348A (en) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Hamamatsu Photonics Kk | Evaluation of semiconductor treatment process and apparatus for the same |
| JPS63215084A (en) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Toshiba Corp | Semiconductor photodetector |
| JPH01292869A (en) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Victor Co Of Japan Ltd | Photodiode array |
| JPH04181784A (en) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Canon Inc | Semiconductor element and manufacture thereof |
| JPH06174494A (en) * | 1992-12-09 | 1994-06-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | Encoder |
| JPH07254726A (en) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | Semiconductor optical detector |
| JPH08316519A (en) * | 1995-05-15 | 1996-11-29 | Fujitsu Ltd | Infrared ray detector |
| WO1997023897A2 (en) * | 1995-12-21 | 1997-07-03 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Opto-electronic sensor component |
| JPH09223816A (en) * | 1996-02-16 | 1997-08-26 | Hamamatsu Photonics Kk | Semiconductor photo detector |
-
1998
- 1998-02-12 JP JP2979098A patent/JPH11230784A/en active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712571A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | Toshiba Corp | Semiconductor photodetector |
| JPS57164585A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Toshiba Corp | Photosemiconductor device |
| JPS61220348A (en) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Hamamatsu Photonics Kk | Evaluation of semiconductor treatment process and apparatus for the same |
| JPS63215084A (en) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Toshiba Corp | Semiconductor photodetector |
| JPH01292869A (en) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Victor Co Of Japan Ltd | Photodiode array |
| JPH04181784A (en) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Canon Inc | Semiconductor element and manufacture thereof |
| JPH06174494A (en) * | 1992-12-09 | 1994-06-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | Encoder |
| JPH07254726A (en) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | Semiconductor optical detector |
| JPH08316519A (en) * | 1995-05-15 | 1996-11-29 | Fujitsu Ltd | Infrared ray detector |
| WO1997023897A2 (en) * | 1995-12-21 | 1997-07-03 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Opto-electronic sensor component |
| JPH09223816A (en) * | 1996-02-16 | 1997-08-26 | Hamamatsu Photonics Kk | Semiconductor photo detector |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017058239A (en) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | ハイデンハイン株式会社 | Optical rotary encoder |
| JP2021170018A (en) * | 2017-06-15 | 2021-10-28 | 株式会社ミツトヨ | Light receiver and photoelectric encoder having the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9577121B2 (en) | Tetra-lateral position sensing detector | |
| JP3601761B2 (en) | Light receiving element and method of manufacturing the same | |
| US7470966B2 (en) | Photodiode with controlled current leakage | |
| JP5405512B2 (en) | Semiconductor light detection element and radiation detection apparatus | |
| JP2005045073A (en) | Backface incident photo detection element | |
| JP2005051080A (en) | Backside incident photodetector and its manufacturing method | |
| US7768086B2 (en) | Backside-illuminated photodetector | |
| JP2003007993A (en) | Photodetector | |
| JPH0888393A (en) | Semiconductor photodetection device and its manufacture | |
| JPH0799782B2 (en) | Semiconductor photodetector | |
| CN1768429B (en) | Photodiode array and production method thereof, and radiation detector | |
| US20070158708A1 (en) | Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector | |
| JP4220817B2 (en) | Photodiode array, method of manufacturing the same, and radiation detector | |
| JPH11230784A (en) | Optical encoder | |
| JP3778406B2 (en) | Photo sensor and image sensor | |
| JP2002319669A (en) | Backside incident type photodiode and photodiode array | |
| CN100372131C (en) | Semiconductor position sensor | |
| JP4444715B2 (en) | Optical displacement measuring device | |
| JP3836935B2 (en) | Semiconductor position detector | |
| EP2347444B1 (en) | Wavelength selective electromagnetic radiation detector using pores as photonic crystal | |
| JP2004028666A (en) | Photoelectric encoder and method of manufacturing light receiving array | |
| JP4334716B2 (en) | Semiconductor light receiving element and manufacturing method thereof | |
| JP2024098906A (en) | Light-receiving element and photodetector | |
| JP2004028667A (en) | Photoelectric encoder and method of manufacturing scale | |
| JPH02284478A (en) | Photoelectric conversion device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041026 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041026 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060314 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080218 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080318 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080519 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080703 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080708 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080822 |