JPH11224838A - 温度検出素子を有するウェーハ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来、温度検出素子をウェーハに取り付ける
作業は、困難であった。 【解決手段】 本発明の温度検出素子を有するウェーハ
は、ウェーハ面の任意の箇所に窪みまたは孔を形成し、
この窪みまたは孔内に温度分布を測定する熱電対の先端
部を挿入し、固着する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は温度検出素子を有す
るウェーハ、特に、温度分布を測定する温度検出素子を
有するウェーハに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、炉内に装入したウェーハの温度
分布は均一であることが必要であり、この温度分布を測
定するには、熱電対等の温度検出素子をウェーハの表面
に貼付し、または沿わせて行なっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】然しながら、温度検出
素子のウェーハへの取付け作業は難しく、炉内の任意の
断面位置における温度分布を測定する場合には、熱電対
を測定しようとする位置に移動させる必要があり、特に
多数の温度測定点を必要とする場合には、多くの時間が
掛かっていた。

【０００４】更に熱電対の移動のあと測定結果が安定す
るまでには時間が掛かる等の欠点があった。

【０００５】また、一般的には、炉内の正確な温度を測
定するには熱電対の位置設定が微妙で難しく、ウェーハ
面に温度検出素子を取り付けた場合の測定値との間に差
異が生じる。従って、これらの測定値の差異を補正する
必要があるなど面倒な作業が行なわれていた。

【０００６】更に、炉の任意断面における温度分布の均
一性がウェーハ面内温度の均一性に直結する。即ち、ウ
ェーハの温度分布の均一性は、炉内雰囲気、例えば炉内
ガスの対流等によっても影響されるが、炉の任意断面に
おける温度を測定した場合、実際のウェーハの温度との
差がわからなければ、正確な温度制御はできない。

【０００７】本発明のはこの様な問題を解決したもので
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の温度検出素子を
有するウェーハは、ウェーハ面の任意の箇所に窪みを形
成し、この窪み内に温度分布を測定する熱電対の先端部
を挿入し、固着したことを特徴とする。

【０００９】本発明の温度検出素子を有するウェーハ
は、ウェーハ面の任意の箇所に孔を形成し、この孔内に
温度分布を測定する熱電対の先端部を挿入し、固着した
ことを特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下図面によって本発明の実施例
を説明する。

【００１１】本発明においては図１及び図２に示すよう
に、あらかじめ、ウェーハ１の面の任意の測定点（１〜
３０点）に小さい窪み２を設け、この窪み２に熱電対３
の先端部を差し込んで、例えばアルミナ系の無機接着剤
４で固着する。

【００１２】熱電対３は、シース型でも素線でも良く、
その種類は使用温度や雰囲気によって自由に選択でき
る。また、Ｒ型の素線を使用すれば１２００℃まで使用
することができる。

【００１３】上記窪み２は図３に示すように孔５であっ
ても良い。

【００１４】上記ウェーハ１の材質は、主にＳｉ，Ｓｉ
Ｃ，Ａｌ₂ Ｏ₃ 等であり、どの材質においても熱電対３
の取り付けは可能である。

【００１５】なお、ウェーハ１を支持するサセプタなど
にも同様の方法で熱電対３を取り付けることができる。

【００１６】

【発明の効果】上記のように本発明によればウェーハ１
の面にあけた窪みまたは孔２に熱電対３の感熱部を埋込
んだ構造としたので、低温から高温（−１０〜１２００
℃）までの測定が可能であるため、半導体プロセスの温
度バイアス値を決めることが可能となる等大きな利益が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の温度検出素子を有するウェーハにおけ
るウェーハの平面図である。

【図２】図１に示す温度検出素子を有するウェーハの断
面図である。

【図３】本発明の温度検出素子を有するウェーハの他の
実施例における断面図である。

【符号の説明】

１ ウェーハ ２ 窪み ３ 熱電対 ４ 無機接着剤 ５ 孔

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェーハ面の任意の箇所に窪みを形成
   し、この窪み内に温度分布を測定する熱電対の先端部を
   挿入し、固着したことを特徴とする温度検出素子を有す
   るウェーハ。
2. 【請求項２】 ウェーハ面の任意の箇所に孔を形成し、
   この孔内に温度分布を測定する熱電対の先端部を挿入
   し、固着したことを特徴とする温度検出素子を有するウ
   ェーハ。