JPH11222489A - ホウ素系化合物の製造方法 - Google Patents
ホウ素系化合物の製造方法Info
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- JPH11222489A JPH11222489A JP31295798A JP31295798A JPH11222489A JP H11222489 A JPH11222489 A JP H11222489A JP 31295798 A JP31295798 A JP 31295798A JP 31295798 A JP31295798 A JP 31295798A JP H11222489 A JPH11222489 A JP H11222489A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 光開始剤又は光吸収性消色剤用の高純度のホ
ウ素系化合物の高収率製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｌｉ／Ｍｇ化合物とＲ１−Ｙ１のハロゲ
ン化物と一般式３の化合物を溶媒中で反応させボロネー
ト化合物前駆体を製造し、これとＬｉ／Ｍｇ化合物とＲ
２−Ｙ２のハロゲン化物とを溶媒中で反応させボレイト
金属塩を製造し、これにＺ＋−Ｘ−のオニウムハライド
を加えてイオン交換させる一般式１の化合物の製造方
法。 （Ｒ１とＲ２は相異なり、独立してアルキル、アルケニ
ル、アリール、アラルキル基、複素環基、脂環基を表
す。Ｚ＋はアンモニウム、スルホニウム、オキソスルホ
ニウム、ピリジニウム、ホスホニウム又はヨードニウム
のカチオンを表す。） （Ｒ３〜Ｒ５はアルキルオキシ、アルケニルオキシ、ア
リールオキシ、アラルキルオキシ基、ハロゲンを表
す。）
ウ素系化合物の高収率製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｌｉ／Ｍｇ化合物とＲ１−Ｙ１のハロゲ
ン化物と一般式３の化合物を溶媒中で反応させボロネー
ト化合物前駆体を製造し、これとＬｉ／Ｍｇ化合物とＲ
２−Ｙ２のハロゲン化物とを溶媒中で反応させボレイト
金属塩を製造し、これにＺ＋−Ｘ−のオニウムハライド
を加えてイオン交換させる一般式１の化合物の製造方
法。 （Ｒ１とＲ２は相異なり、独立してアルキル、アルケニ
ル、アリール、アラルキル基、複素環基、脂環基を表
す。Ｚ＋はアンモニウム、スルホニウム、オキソスルホ
ニウム、ピリジニウム、ホスホニウム又はヨードニウム
のカチオンを表す。） （Ｒ３〜Ｒ５はアルキルオキシ、アルケニルオキシ、ア
リールオキシ、アラルキルオキシ基、ハロゲンを表
す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はホウ素系化合物の製
造方法に関し、さらに詳しくは光重合開始剤あるいは光
吸収性消色剤として有用なホウ素系化合物の製造方法に
関する。
造方法に関し、さらに詳しくは光重合開始剤あるいは光
吸収性消色剤として有用なホウ素系化合物の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】前記一般式（１）で表されるホウ素系化
合物の一つであるテトラメチルアンモニウムメチルトリ
フェニルボレイトの製造方法は、トリフェニルボランと
メチルリチウムから得られるリチウムメチルトリフェニ
ルボレイトをテトラメチルアンモニウムブロマイドでイ
オン交換して得る方法が一般に知られている［例えば、
ジャーナル オブ アメリカンケミカルソサエテイ、１
０７巻、（１９８５年）６７１０〜６７１１頁］。
合物の一つであるテトラメチルアンモニウムメチルトリ
フェニルボレイトの製造方法は、トリフェニルボランと
メチルリチウムから得られるリチウムメチルトリフェニ
ルボレイトをテトラメチルアンモニウムブロマイドでイ
オン交換して得る方法が一般に知られている［例えば、
ジャーナル オブ アメリカンケミカルソサエテイ、１
０７巻、（１９８５年）６７１０〜６７１１頁］。
【０００３】また、トリフェニルボランの製造方法は、
金属マグネシウムとボロントリフルオライドジエチルエ
ーテレートとフェニルブロマイドとをジエチルエーテル
中で反応させて得る方法が一般に知られている［例え
ば、ジャーナル オブ オーガニックケミストリー、５
１巻、（１９８６年）４２７〜４３２頁］。
金属マグネシウムとボロントリフルオライドジエチルエ
ーテレートとフェニルブロマイドとをジエチルエーテル
中で反応させて得る方法が一般に知られている［例え
ば、ジャーナル オブ オーガニックケミストリー、５
１巻、（１９８６年）４２７〜４３２頁］。
【０００４】具体的には、上記テトラメチルアンモニウ
ムメチルトリフェニルボレイトの場合、フェニルブロマ
イドをジエチルエーテル中で金属マグネシウムと反応さ
せ、グリニアール試薬を調製した後、これをボロントリ
フルオライドジエチルエーテレートをジエチルエーテル
に溶かした溶液に滴下させる。さらに数時間撹拌させる
ことにより、トリフェニルボランを得る。これを単離す
ることなくメチルリチウムを加え、リチウムメチルトリ
フェニルボレイトとし、これにテトラメチルアンモニウ
ムブロマイドを加え、イオン交換を行うことでテトラメ
チルアンモニウムメチルトリフェニルボレイトが得られ
る。
ムメチルトリフェニルボレイトの場合、フェニルブロマ
イドをジエチルエーテル中で金属マグネシウムと反応さ
せ、グリニアール試薬を調製した後、これをボロントリ
フルオライドジエチルエーテレートをジエチルエーテル
に溶かした溶液に滴下させる。さらに数時間撹拌させる
ことにより、トリフェニルボランを得る。これを単離す
ることなくメチルリチウムを加え、リチウムメチルトリ
フェニルボレイトとし、これにテトラメチルアンモニウ
ムブロマイドを加え、イオン交換を行うことでテトラメ
チルアンモニウムメチルトリフェニルボレイトが得られ
る。
【０００５】アルキルジアルキルボロネート（または、
アリールジアルキルボロネート）の製造法はホウ酸エス
テルとグリニアール試薬または有機リチウムをジエチル
エーテル中で反応させる方法が一般に知られている［例
えば、オーガノメタリクス（１９９３年）、１０５８〜
１０６７頁］。
アリールジアルキルボロネート）の製造法はホウ酸エス
テルとグリニアール試薬または有機リチウムをジエチル
エーテル中で反応させる方法が一般に知られている［例
えば、オーガノメタリクス（１９９３年）、１０５８〜
１０６７頁］。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来の製造方法
による場合、副反応の問題から、グリニアール反応やト
リアリールボランまたはトリアルキルボラン反応の溶媒
は、ジエチルエーテルに限られている［例えば、ジャー
ナル オブ オーガニックケミストリー、５１巻、（１
９８６年）、４２７〜４３２頁］。
による場合、副反応の問題から、グリニアール反応やト
リアリールボランまたはトリアルキルボラン反応の溶媒
は、ジエチルエーテルに限られている［例えば、ジャー
ナル オブ オーガニックケミストリー、５１巻、（１
９８６年）、４２７〜４３２頁］。
【０００７】しかしながら、一般にグリニアール反応は
ジエチルエーテルよりもテトラヒドロフランのほうが起
こりやすく［例えば、基礎有機化学（向山光昭編、丸
善）７９頁］、ジエチルエーテル中でグリニアール反応
が起こりづらいハロゲン化物の場合は、ホウ素系化合物
の最終収率が低くなるといった問題がある。
ジエチルエーテルよりもテトラヒドロフランのほうが起
こりやすく［例えば、基礎有機化学（向山光昭編、丸
善）７９頁］、ジエチルエーテル中でグリニアール反応
が起こりづらいハロゲン化物の場合は、ホウ素系化合物
の最終収率が低くなるといった問題がある。
【０００８】本発明の目的は、このような従来の製造方
法における問題を解消し、光重合開始剤あるいは光吸収
性消色剤として有用な高純度のホウ素系化合物を高収率
で得ることが可能な製造方法を提供することである。
法における問題を解消し、光重合開始剤あるいは光吸収
性消色剤として有用な高純度のホウ素系化合物を高収率
で得ることが可能な製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等はかかる問題
について鋭意研究した結果、特定の出発物質、反応溶媒
および特定の反応工程を用いて行うことにより課題を解
決できることを見いだし、本発明を成すに到った。
について鋭意研究した結果、特定の出発物質、反応溶媒
および特定の反応工程を用いて行うことにより課題を解
決できることを見いだし、本発明を成すに到った。
【００１０】すなわち、本発明は、 １）リチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化合
物、一般式（２）で表されるハロゲン化物、及び一般式
（３）で表される化合物とを溶媒中で反応させボロネー
ト化合物前駆体を製造する第一工程と、リチウムもしく
はマグネシウムまたはそれらの化合物、一般式（４）で
表されるハロゲン化物、及び前記第一工程で得られたボ
ロネート化合物前駆体とを溶媒中で反応させることによ
りボレイト金属塩を製造する第二工程と、前記第二工程
で得られたボレイト金属塩に一般式（５）で表されるオ
ニウムハライドを加えてイオン交換反応をさせる第三工
程とからなることを特徴とする一般式（１）で表される
ホウ素系化合物の製造方法。
物、一般式（２）で表されるハロゲン化物、及び一般式
（３）で表される化合物とを溶媒中で反応させボロネー
ト化合物前駆体を製造する第一工程と、リチウムもしく
はマグネシウムまたはそれらの化合物、一般式（４）で
表されるハロゲン化物、及び前記第一工程で得られたボ
ロネート化合物前駆体とを溶媒中で反応させることによ
りボレイト金属塩を製造する第二工程と、前記第二工程
で得られたボレイト金属塩に一般式（５）で表されるオ
ニウムハライドを加えてイオン交換反応をさせる第三工
程とからなることを特徴とする一般式（１）で表される
ホウ素系化合物の製造方法。
【００１１】一般式（１）；
【化３】
【００１２】（式中Ｒ1 とＲ2 は相異なったものであ
り、Ｒ1 ，Ｒ2 はそれぞれ独立してアルキル基、アルケ
ニル基、アリール基、アラルキル基、複素環基、脂環基
を表す。Ｚ+ はアンモニウムカチオン、スルホニウムカ
チオン、オキソスルホニウムカチオン、ピリジニウムカ
チオン、ホスホニウムカチオン、またはヨードニウムカ
チオンを表す。）
り、Ｒ1 ，Ｒ2 はそれぞれ独立してアルキル基、アルケ
ニル基、アリール基、アラルキル基、複素環基、脂環基
を表す。Ｚ+ はアンモニウムカチオン、スルホニウムカ
チオン、オキソスルホニウムカチオン、ピリジニウムカ
チオン、ホスホニウムカチオン、またはヨードニウムカ
チオンを表す。）
【００１３】一般式（２）； Ｒ1 −Ｙ1
【００１４】（式中Ｒ1 は一般式（１）のＲ1 と同一で
ある。Ｙ1 はハロゲン原子を表す。）
ある。Ｙ1 はハロゲン原子を表す。）
【００１５】一般式（３）
【化４】
【００１６】（式中Ｒ3 、Ｒ4 、およびＲ5 は同じであ
っても異なっていてもよく、それぞれアルキルオキシ
基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキ
ルオキシ基、ハロゲン原子を表し、Ｒ4 とＲ5 とがアル
キルオキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ
基、アラルキルオキシ基の場合は、Ｒ4 とＲ5 とが相互
に結合し、ホウ素原子と共に環状構造を形成していても
よい。）
っても異なっていてもよく、それぞれアルキルオキシ
基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキ
ルオキシ基、ハロゲン原子を表し、Ｒ4 とＲ5 とがアル
キルオキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ
基、アラルキルオキシ基の場合は、Ｒ4 とＲ5 とが相互
に結合し、ホウ素原子と共に環状構造を形成していても
よい。）
【００１７】一般式（４）； Ｒ2 −Ｙ2
【００１８】（式中Ｒ2 は一般式（１）のＲ2 と同一で
ある。Ｙ2 はハロゲン原子を表す。）
ある。Ｙ2 はハロゲン原子を表す。）
【００１９】一般式（５）； Ｚ+ −Ｘ-
【００２０】（式中Ｚ+ は一般式（１）のＺ+ と同一で
ある。Ｘはハロゲン原子を表す。）
ある。Ｘはハロゲン原子を表す。）
【００２１】２）上記１）記載の第一工程において、
（Ａ）リチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化
合物と一般式（２）で表されるハロゲン化物とを溶媒中
で反応させ、これに一般式（３）で表される化合物を加
えて反応させるか、（Ｂ）一般式（３）で表される化合
物に、リチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化
合物と一般式（２）で表されるハロゲン化物とを溶媒中
で反応させたものを加えて反応させるか、（Ｃ）リチウ
ムもしくはマグネシウムまたはそれらの化合物と一般式
（２）で表されるハロゲン化物とを溶媒中で反応させた
ものと、一般式（３）で表される化合物を同時に加えて
反応させるか、あるいは、（Ｄ）一般式（３）で表され
る化合物の存在下で、リチウムもしくはマグネシウムま
たはそれらの化合物と一般式（２）で表されるハロゲン
化物とを溶媒中で反応させることによりボロネート化合
物前駆体を製造することを特徴とする上記１）に記載の
ホウ素系化合物の製造方法。
（Ａ）リチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化
合物と一般式（２）で表されるハロゲン化物とを溶媒中
で反応させ、これに一般式（３）で表される化合物を加
えて反応させるか、（Ｂ）一般式（３）で表される化合
物に、リチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化
合物と一般式（２）で表されるハロゲン化物とを溶媒中
で反応させたものを加えて反応させるか、（Ｃ）リチウ
ムもしくはマグネシウムまたはそれらの化合物と一般式
（２）で表されるハロゲン化物とを溶媒中で反応させた
ものと、一般式（３）で表される化合物を同時に加えて
反応させるか、あるいは、（Ｄ）一般式（３）で表され
る化合物の存在下で、リチウムもしくはマグネシウムま
たはそれらの化合物と一般式（２）で表されるハロゲン
化物とを溶媒中で反応させることによりボロネート化合
物前駆体を製造することを特徴とする上記１）に記載の
ホウ素系化合物の製造方法。
【００２２】３）上記１）あるいは２）に記載の第二工
程において、（Ｅ）リチウムもしくはマグネシウムまた
はそれらの化合物と一般式（４）で表されるハロゲン化
物とを溶媒中で反応させ、これに第一工程で得られたボ
ロネート化合物前駆体を加えて反応させるか、（Ｆ）第
一工程で得られたボロネート化合物前駆体に、リチウム
もしくはマグネシウムまたはそれらの化合物と一般式
（４）で表されるハロゲン化物とを溶媒中で反応させた
ものを加えて反応させるか、（Ｇ）リチウムもしくはマ
グネシウムまたはそれらの化合物と一般式（４）で表さ
れるハロゲン化物とを溶媒中で反応させたものと、第一
工程で得られたボロネート化合物前駆体を同時に加えて
反応させるか、あるいは、（Ｈ）第一工程で得られたボ
ロネート化合物前駆体存在下で、リチウムもしくはマグ
ネシウムまたはそれらの化合物と一般式（４）で表され
るハロゲン化物とを溶媒中で反応させることによりボレ
イト金属塩を製造することを特徴とする上記１）及び
２）に記載のホウ素系化合物の製造方法。
程において、（Ｅ）リチウムもしくはマグネシウムまた
はそれらの化合物と一般式（４）で表されるハロゲン化
物とを溶媒中で反応させ、これに第一工程で得られたボ
ロネート化合物前駆体を加えて反応させるか、（Ｆ）第
一工程で得られたボロネート化合物前駆体に、リチウム
もしくはマグネシウムまたはそれらの化合物と一般式
（４）で表されるハロゲン化物とを溶媒中で反応させた
ものを加えて反応させるか、（Ｇ）リチウムもしくはマ
グネシウムまたはそれらの化合物と一般式（４）で表さ
れるハロゲン化物とを溶媒中で反応させたものと、第一
工程で得られたボロネート化合物前駆体を同時に加えて
反応させるか、あるいは、（Ｈ）第一工程で得られたボ
ロネート化合物前駆体存在下で、リチウムもしくはマグ
ネシウムまたはそれらの化合物と一般式（４）で表され
るハロゲン化物とを溶媒中で反応させることによりボレ
イト金属塩を製造することを特徴とする上記１）及び
２）に記載のホウ素系化合物の製造方法。
【００２３】４）上記１）〜３）の第一工程に用いるリ
チウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化合物が、
金属リチウム、金属マグネシウムまたは有機リチウム化
合物である上記１）〜３）に記載のホウ素系化合物の製
造方法。
チウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化合物が、
金属リチウム、金属マグネシウムまたは有機リチウム化
合物である上記１）〜３）に記載のホウ素系化合物の製
造方法。
【００２４】５）上記１）〜４）に記載の第二工程に用
いるリチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化合
物が、金属リチウム、金属マグネシウムまたは有機リチ
ウム化合物である上記１）〜４）に記載のホウ素系化合
物の製造方法。
いるリチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化合
物が、金属リチウム、金属マグネシウムまたは有機リチ
ウム化合物である上記１）〜４）に記載のホウ素系化合
物の製造方法。
【００２５】６）上記１）〜５）に記載の第一工程と第
二工程を同一の反応器で連続して行うことを特徴とする
上記１）〜５）に記載のホウ素系化合物の製造方法。
二工程を同一の反応器で連続して行うことを特徴とする
上記１）〜５）に記載のホウ素系化合物の製造方法。
【００２６】７）上記６）に記載の第一工程と第二工程
に用いるリチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの
化合物が金属マグネシウムであり、第二工程に用いる金
属マグネシウムを第一工程に用いる金属マグネシウムと
同時に加えておくことを特徴とする上記６）に記載のホ
ウ素系化合物の製造方法。
に用いるリチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの
化合物が金属マグネシウムであり、第二工程に用いる金
属マグネシウムを第一工程に用いる金属マグネシウムと
同時に加えておくことを特徴とする上記６）に記載のホ
ウ素系化合物の製造方法。
【００２７】８）上記１）〜７）に記載の第一工程に用
いる一般式（３）で表される化合物がホウ酸トリアルキ
ルであることを特徴とする上記１）〜７）に記載のホウ
素系化合物の製造方法。
いる一般式（３）で表される化合物がホウ酸トリアルキ
ルであることを特徴とする上記１）〜７）に記載のホウ
素系化合物の製造方法。
【００２８】９）上記１）〜８）に記載の第二工程に用
いる溶媒がテトラヒドロフランであることを特徴とする
上記１）〜８）に記載のホウ素系化合物の製造方法。
いる溶媒がテトラヒドロフランであることを特徴とする
上記１）〜８）に記載のホウ素系化合物の製造方法。
【００２９】１０）上記１）〜９）に記載の第一工程に
用いる一般式（２）で表されるハロゲン化物のＲ1 が置
換基を有してもよいα−ナフチル基または置換基を有し
てもよいβ−ナフチル基であることを特徴とする上記
１）〜９）に記載のホウ素系化合物の製造方法。
用いる一般式（２）で表されるハロゲン化物のＲ1 が置
換基を有してもよいα−ナフチル基または置換基を有し
てもよいβ−ナフチル基であることを特徴とする上記
１）〜９）に記載のホウ素系化合物の製造方法。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明のホウ素系化合物の製造方
法で製造されるホウ素系化合物を示す前記一般式（１）
式中のＲ1 、Ｒ2 のアルキル基は置換基を有していても
よく、具体的には炭素数１〜１０の置換あるいは無置換
の直鎖あるいは分岐アルキル基が好ましく、例えばそれ
ぞれメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、オクチル、３−メトキシプロピル、４−
クロロブチル、２−ジエチルアミノエチルなどを挙げる
ことができる。前記一般式（１）中のＲ1 、Ｒ2 のアル
ケニル基は置換基を有していてもよく、具体的には炭素
数２〜１２の置換あるいは無置換の直鎖あるいは分岐ア
ルケニル基が好ましく、例えばビニル基、プロペニル
基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテ
ニル基、オクテニル基、ドデセニル基、プレニル基など
を挙げることができる。
法で製造されるホウ素系化合物を示す前記一般式（１）
式中のＲ1 、Ｒ2 のアルキル基は置換基を有していても
よく、具体的には炭素数１〜１０の置換あるいは無置換
の直鎖あるいは分岐アルキル基が好ましく、例えばそれ
ぞれメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、オクチル、３−メトキシプロピル、４−
クロロブチル、２−ジエチルアミノエチルなどを挙げる
ことができる。前記一般式（１）中のＲ1 、Ｒ2 のアル
ケニル基は置換基を有していてもよく、具体的には炭素
数２〜１２の置換あるいは無置換の直鎖あるいは分岐ア
ルケニル基が好ましく、例えばビニル基、プロペニル
基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテ
ニル基、オクテニル基、ドデセニル基、プレニル基など
を挙げることができる。
【００３１】前記一般式（１）式中のＲ1 、Ｒ2 のアリ
ール基は置換基を有していてもよく、具体的には置換あ
るいは無置換のアリール基で、例えばフェニル、トリ
ル、キシリル、４−エチルフェニル、４−ブチルフェニ
ル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、４−メトキシフェ
ニル、４−ジエチルアミノフェニル、２−メトキシフェ
ニル、１−ナフチル、２−ナフチル、６−メトキシ−２
−ナフチル、４−メチル−１−ナフチル、アントラニ
ル、フェナントリル、ピレニルなどを挙げることができ
る。
ール基は置換基を有していてもよく、具体的には置換あ
るいは無置換のアリール基で、例えばフェニル、トリ
ル、キシリル、４−エチルフェニル、４−ブチルフェニ
ル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、４−メトキシフェ
ニル、４−ジエチルアミノフェニル、２−メトキシフェ
ニル、１−ナフチル、２−ナフチル、６−メトキシ−２
−ナフチル、４−メチル−１−ナフチル、アントラニ
ル、フェナントリル、ピレニルなどを挙げることができ
る。
【００３２】前記一般式（１）式中のＲ1 、Ｒ2 のアラ
ルキル基は置換基を有していてもよく、具体的には置換
または無置換のアラルキル基で、例えばベンジル基、フ
ェネチル基、プロピオフェニル基、１−ナフチルメチル
基、２−ナフチルメチル基、４−メトキシベンジル基な
どを挙げることができる。前記一般式（１）式中のＲ
1 、Ｒ2 の複素環基は置換基を有していてもよく、具体
的には置換または無置換の複素環基で、例えばピリジル
基、キノリル基、メチルピリジル基、インドリル基など
を挙げることができる。前記一般式（１）式中のＲ1 、
Ｒ2 の脂環基は置換基を有していてもよく、具体的には
置換または無置換の脂環基で、例えばシクロヘキシル
基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロペンチル基、
シクロヘプチル基などを挙げることができる。
ルキル基は置換基を有していてもよく、具体的には置換
または無置換のアラルキル基で、例えばベンジル基、フ
ェネチル基、プロピオフェニル基、１−ナフチルメチル
基、２−ナフチルメチル基、４−メトキシベンジル基な
どを挙げることができる。前記一般式（１）式中のＲ
1 、Ｒ2 の複素環基は置換基を有していてもよく、具体
的には置換または無置換の複素環基で、例えばピリジル
基、キノリル基、メチルピリジル基、インドリル基など
を挙げることができる。前記一般式（１）式中のＲ1 、
Ｒ2 の脂環基は置換基を有していてもよく、具体的には
置換または無置換の脂環基で、例えばシクロヘキシル
基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロペンチル基、
シクロヘプチル基などを挙げることができる。
【００３３】前記一般式（１）式中のＺ+ でアンモニウ
ムカチオンとは具体的には、例えばテトラメチルアンモ
ニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、
テトラプロピルアンモニウムカチオン、テトラｎ−ブチ
ルアンモニウムカチオン、テトラｎ−ペンチルアンモニ
ウムカチオン、テトラｎ−オクチルアンモニウムカチオ
ン、テトラベンジルアンモニウムカチオン、テトラフェ
ニルアンモニウムカチオン、テトラシクロヘキシルアン
モニウムカチオン、トリフェニルフェナシルアンモニウ
ムカチオン、トリフェニル（４−アミノフェニル）アン
モニウムカチオン、Ｎ−メチルピリジニウムカチオン、
Ｎ−ブチルピリジニウムカチオンなどを挙げることがで
きる。
ムカチオンとは具体的には、例えばテトラメチルアンモ
ニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、
テトラプロピルアンモニウムカチオン、テトラｎ−ブチ
ルアンモニウムカチオン、テトラｎ−ペンチルアンモニ
ウムカチオン、テトラｎ−オクチルアンモニウムカチオ
ン、テトラベンジルアンモニウムカチオン、テトラフェ
ニルアンモニウムカチオン、テトラシクロヘキシルアン
モニウムカチオン、トリフェニルフェナシルアンモニウ
ムカチオン、トリフェニル（４−アミノフェニル）アン
モニウムカチオン、Ｎ−メチルピリジニウムカチオン、
Ｎ−ブチルピリジニウムカチオンなどを挙げることがで
きる。
【００３４】前記一般式（１）式中のＺ+ でスルホニウ
ムカチオンとは具体的には、例えばジメチル−ｔｅｒｔ
−ブチルスルホニウムカチオン、ジメチルベンジルスル
ホニウムカチオン、ジメチル（４−クロロベンジル）ス
ルホニウムカチオン、ジブチル（４−ブロモベンジル）
スルホニウムカチオン、ジメチル（４−シアノベンジ
ル）スルホニウムカチオン、ジメチルフェナシルスルホ
ニウムカチオン、メチル（ジメチルアミノ）（４−トリ
ル）スルホニウムカチオン、トリフェニルスルホニウム
カチオン、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウ
ムカチオンなどを挙げることができる。
ムカチオンとは具体的には、例えばジメチル−ｔｅｒｔ
−ブチルスルホニウムカチオン、ジメチルベンジルスル
ホニウムカチオン、ジメチル（４−クロロベンジル）ス
ルホニウムカチオン、ジブチル（４−ブロモベンジル）
スルホニウムカチオン、ジメチル（４−シアノベンジ
ル）スルホニウムカチオン、ジメチルフェナシルスルホ
ニウムカチオン、メチル（ジメチルアミノ）（４−トリ
ル）スルホニウムカチオン、トリフェニルスルホニウム
カチオン、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウ
ムカチオンなどを挙げることができる。
【００３５】前記一般式（１）式中のＺ+ でオキソスル
ホニウムカチオンとは具体的には、例えばジメチル−ｔ
ｅｒｔ−ブチルオキソスルホニウムカチオン、ジメチル
ベンジルオキソスルホニウムカチオン、ジメチル（４−
クロロベンジル）オキソスルホニウムカチオン、ジブチ
ル（４−ブロモベンジル）オキソスルホニウムカチオ
ン、ジメチル（４−シアノベンジル）オキソスルホニウ
ムカチオン、ジメチルフェナシルオキソスルホニウムカ
チオン、メチル（ジメチルアミノ）（４−トリル）オキ
ソスルホニウムカチオン、トリフェニルオキソスルホニ
ウムカチオン、４−メトキシフェニルジフェニルオキソ
スルホニウムカチオンなどを挙げることができる。
ホニウムカチオンとは具体的には、例えばジメチル−ｔ
ｅｒｔ−ブチルオキソスルホニウムカチオン、ジメチル
ベンジルオキソスルホニウムカチオン、ジメチル（４−
クロロベンジル）オキソスルホニウムカチオン、ジブチ
ル（４−ブロモベンジル）オキソスルホニウムカチオ
ン、ジメチル（４−シアノベンジル）オキソスルホニウ
ムカチオン、ジメチルフェナシルオキソスルホニウムカ
チオン、メチル（ジメチルアミノ）（４−トリル）オキ
ソスルホニウムカチオン、トリフェニルオキソスルホニ
ウムカチオン、４−メトキシフェニルジフェニルオキソ
スルホニウムカチオンなどを挙げることができる。
【００３６】前記一般式（１）式中のＺ+ でホスホニウ
ムカチオンとは具体的には、例えばテトラメチルホスホ
ニウムカチオン、テトラエチルホスホニウムカチオン、
テトラプロピルホスホニウムカチオン、テトラｎ−ブチ
ルホスホニウムカチオン、テトラｎ−ペンチルホスホニ
ウムカチオン、テトラｎ−オクチルホスホニウムカチオ
ン、テトラベンジルホスホニウムカチオン、テトラフェ
ニルホスホニウムカチオン、テトラシクロヘキシルホス
ホニウムカチオン、トリフェニルフェナシルホスホニウ
ムカチオン、トリフェニル（４−アミノフェニル）ホス
ホニウムカチオンなどを挙げることができる。
ムカチオンとは具体的には、例えばテトラメチルホスホ
ニウムカチオン、テトラエチルホスホニウムカチオン、
テトラプロピルホスホニウムカチオン、テトラｎ−ブチ
ルホスホニウムカチオン、テトラｎ−ペンチルホスホニ
ウムカチオン、テトラｎ−オクチルホスホニウムカチオ
ン、テトラベンジルホスホニウムカチオン、テトラフェ
ニルホスホニウムカチオン、テトラシクロヘキシルホス
ホニウムカチオン、トリフェニルフェナシルホスホニウ
ムカチオン、トリフェニル（４−アミノフェニル）ホス
ホニウムカチオンなどを挙げることができる。
【００３７】前記一般式（１）式中のＺ+ でヨードニウ
ムカチオンとは具体的には、例えばジフェニルヨードニ
ウムカチオン、４−ブトキシフェニル（４’−メチルフ
ェニル）ヨードニウムカチオン、ビス（４−アミノフェ
ニル）ヨードニウムカチオン、４，４’−ビス−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニルヨードニウムカチオンなどを挙げる
ことができる。前記一般式（１）式中のＺ+ でピリジニ
ウムカチオンとは具体的には、例えばＮ−メチルピリジ
ニウムカチオン、Ｎ−ブチルピリジニウムカチオンなど
を挙げることができる。
ムカチオンとは具体的には、例えばジフェニルヨードニ
ウムカチオン、４−ブトキシフェニル（４’−メチルフ
ェニル）ヨードニウムカチオン、ビス（４−アミノフェ
ニル）ヨードニウムカチオン、４，４’−ビス−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニルヨードニウムカチオンなどを挙げる
ことができる。前記一般式（１）式中のＺ+ でピリジニ
ウムカチオンとは具体的には、例えばＮ−メチルピリジ
ニウムカチオン、Ｎ−ブチルピリジニウムカチオンなど
を挙げることができる。
【００３８】前記一般式（１）で表されるホウ素系化合
物の例としては具体的には、例えばテトラメチルアンモ
ニウムエチルトリブチルボレイト、テトラｎ−ブチルア
ンモニウムフェネチルトリメチルボレイト、テトラエチ
ルアンモニウムフェニルトリイソブチルボレイト、テト
ラｎ−ブチルアンモニウムフェネチルトリ（４−メチル
フェニル）ボレイト、テトラメチルアンモニウムエチル
トリフェニルボレイト、テトラｎ−ブチルアンモニウム
フェネチルトリ（４−メチルフェニル）ボレイト、テト
ラエチルアンモニウムｎ−オクチルトリ（４，５−ジエ
チルフェニル）ボレイト、テトラｎ−ブチルアンモニウ
ムｎ−ペンチルトリ（４−メトキシフェニル）ボレイ
ト、テトラｎ−オクチルアンモニウムｎ−ブチルトリ
（１−ナフチル）ボレイト、テトラｎ−ブチルアンモニ
ウムｎ−ブチルトリ（２−ナフチル）ボレイト、テトラ
ｎ−ブチルアンモニウムｎ−ブチルトリ（６−メトキシ
−２−ナフチル）ボレイト、テトラｎ−ブチルアンモニ
ウムｎ−ブチルトリ（４−メチル−１−ナフチル）ボレ
イト、テトラエチルアンモニウムｎ−オクチルトリ
（４，５−ジエチルナフチル）ボレイト、テトラｎ−ブ
チルアンモニウムエチルトリアセナフチルボレイト、テ
トラｎ−ブチルアンモニウムトリｎ−ブチルピレニルボ
レイト、テトラｎ−ブチルアンモニウムジｎ−ブチルジ
アントラニルボレイト、Ｎ−メチルピリジニウムｎ−ブ
チルトリフェニルボレイト、トリフェニルスルホニウム
ｎ−ブチルトリ（１−ナフチル）ボレイト、トリフェニ
ルオキソスルホニウムｎ−ブチルトリ（１−ナフチル）
ボレイト、テトラｎ−ブチルホスホニウムｎ−ブチルト
リフェニルボレイト、ジフェニルヨードニウムｎ−ブチ
ルトリフェニルボレイトなどを挙げることができる。
物の例としては具体的には、例えばテトラメチルアンモ
ニウムエチルトリブチルボレイト、テトラｎ−ブチルア
ンモニウムフェネチルトリメチルボレイト、テトラエチ
ルアンモニウムフェニルトリイソブチルボレイト、テト
ラｎ−ブチルアンモニウムフェネチルトリ（４−メチル
フェニル）ボレイト、テトラメチルアンモニウムエチル
トリフェニルボレイト、テトラｎ−ブチルアンモニウム
フェネチルトリ（４−メチルフェニル）ボレイト、テト
ラエチルアンモニウムｎ−オクチルトリ（４，５−ジエ
チルフェニル）ボレイト、テトラｎ−ブチルアンモニウ
ムｎ−ペンチルトリ（４−メトキシフェニル）ボレイ
ト、テトラｎ−オクチルアンモニウムｎ−ブチルトリ
（１−ナフチル）ボレイト、テトラｎ−ブチルアンモニ
ウムｎ−ブチルトリ（２−ナフチル）ボレイト、テトラ
ｎ−ブチルアンモニウムｎ−ブチルトリ（６−メトキシ
−２−ナフチル）ボレイト、テトラｎ−ブチルアンモニ
ウムｎ−ブチルトリ（４−メチル−１−ナフチル）ボレ
イト、テトラエチルアンモニウムｎ−オクチルトリ
（４，５−ジエチルナフチル）ボレイト、テトラｎ−ブ
チルアンモニウムエチルトリアセナフチルボレイト、テ
トラｎ−ブチルアンモニウムトリｎ−ブチルピレニルボ
レイト、テトラｎ−ブチルアンモニウムジｎ−ブチルジ
アントラニルボレイト、Ｎ−メチルピリジニウムｎ−ブ
チルトリフェニルボレイト、トリフェニルスルホニウム
ｎ−ブチルトリ（１−ナフチル）ボレイト、トリフェニ
ルオキソスルホニウムｎ−ブチルトリ（１−ナフチル）
ボレイト、テトラｎ−ブチルホスホニウムｎ−ブチルト
リフェニルボレイト、ジフェニルヨードニウムｎ−ブチ
ルトリフェニルボレイトなどを挙げることができる。
【００３９】前記一般式（２）で表される化合物の例と
しては具体的には、例えばメチルブロマイド、エチルク
ロライド、プロピルクロライド、イソプロピルクロライ
ド、ブチルクロライド、イソブチルブロマイド、ペンチ
ルブロマイド、ヘキシルブロマイド、オクチルクロライ
ド、３−メトキシプロピルブロマイド、ビニルブロマイ
ド、プロペニルブロマイド、ブテニルブロマイド、ペン
テニルブロマイド、ヘキセニルブロマイド、ヘプテニル
ブロマイド、オクテニルブロマイド、ブロモベンゼン、
ヨードベンゼン、ブロモトルエン、ブロモキシレン、１
−ブロモ−４−エチルベンゼン、１−ブロモ−４−ブチ
ルベンゼン、１−ブロモ−４−ｔｅｒｔブチルベンゼ
ン、１−ブロモ−４−メトキシベンゼン、１−ブロモ−
４−ジエチルアミノベンゼン、１−ブロモ−２−メトキ
シベンゼン、１−ブロモ−ナフタレン、１−ブロモ−４
−メチルナフタレン、ベンジルクロライド、フェネチル
ブロマイド、１−ブロモ−３−フェニルプロパン、１−
（ブロモメチル）ナフタレン、２−（ブロモメチル）ナ
フタレン、２−ブロモ−６−メトキシナフタレン、４−
メトキシベンジルクロライド、シクロヘキシルクロライ
ド、１−クロロ−４−メチルシクロヘキサンなどを挙げ
ることができる。
しては具体的には、例えばメチルブロマイド、エチルク
ロライド、プロピルクロライド、イソプロピルクロライ
ド、ブチルクロライド、イソブチルブロマイド、ペンチ
ルブロマイド、ヘキシルブロマイド、オクチルクロライ
ド、３−メトキシプロピルブロマイド、ビニルブロマイ
ド、プロペニルブロマイド、ブテニルブロマイド、ペン
テニルブロマイド、ヘキセニルブロマイド、ヘプテニル
ブロマイド、オクテニルブロマイド、ブロモベンゼン、
ヨードベンゼン、ブロモトルエン、ブロモキシレン、１
−ブロモ−４−エチルベンゼン、１−ブロモ−４−ブチ
ルベンゼン、１−ブロモ−４−ｔｅｒｔブチルベンゼ
ン、１−ブロモ−４−メトキシベンゼン、１−ブロモ−
４−ジエチルアミノベンゼン、１−ブロモ−２−メトキ
シベンゼン、１−ブロモ−ナフタレン、１−ブロモ−４
−メチルナフタレン、ベンジルクロライド、フェネチル
ブロマイド、１−ブロモ−３−フェニルプロパン、１−
（ブロモメチル）ナフタレン、２−（ブロモメチル）ナ
フタレン、２−ブロモ−６−メトキシナフタレン、４−
メトキシベンジルクロライド、シクロヘキシルクロライ
ド、１−クロロ−４−メチルシクロヘキサンなどを挙げ
ることができる。
【００４０】前記一般式（３）中のＲ3 、Ｒ4 、および
Ｒ5 のアルキルオキシ基は置換基を有していてもよく、
具体的には炭素数１〜１０の置換あるいは無置換の直鎖
あるいは分岐アルキルオキシ基が好ましく、例えばそれ
ぞれメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキ
シ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ペン
チルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチ
ルオキシ、３−メトキシプロポキシ、４−クロロブトキ
シ、２−ジエチルアミノエトキシなどを挙げることがで
きる。前記一般式（３）中のＲ3 、Ｒ4 、およびＲ5 の
アルケニルオキシ基は置換基を有していてもよく、具体
的には炭素数３〜１２の置換あるいは無置換の直鎖ある
いは分岐アルケニルオキシ基が好ましく、例えばプロペ
ニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ
基、ヘキセニルオキシ基、ヘプテニルオキシ基、オクテ
ニルオキシ基、ドデセニルオキシ基、プレニルオキシ基
などを挙げることができる。前記一般式（３）中のＲ
3 、Ｒ4 、およびＲ5 のアリールオキシ基は置換基を有
していてもよく、具体的には置換あるいは無置換のアリ
ールオキシ基で、例えば、フェノキシ、トリルオキシ、
キシリルオキシ、４−エチルフェノキシ、４−ブチルフ
ェノキシ、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ、４−メト
キシフェノキシ、４−ジエチルアミノフェノキシ、２−
メチルフェノキシ、２−メトキシフェノキシ、１−ナフ
トキシ、２−ナフトキシ、４−メチルナフトキシなどを
挙げることができる。前記一般式（３）中のＲ3 、Ｒ
4 、およびＲ5 のアラルキル基は置換基を有していても
よく、具体的には置換または無置換のアラルキルオキシ
基で、例えばベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基、
フェニルプロピルオキシ基、１−ナフチルメチルオキシ
基、２−ナフチルメチルオキシ基、４−メトキシベンジ
ルオキシ基などを挙げることができる。
Ｒ5 のアルキルオキシ基は置換基を有していてもよく、
具体的には炭素数１〜１０の置換あるいは無置換の直鎖
あるいは分岐アルキルオキシ基が好ましく、例えばそれ
ぞれメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキ
シ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ペン
チルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチ
ルオキシ、３−メトキシプロポキシ、４−クロロブトキ
シ、２−ジエチルアミノエトキシなどを挙げることがで
きる。前記一般式（３）中のＲ3 、Ｒ4 、およびＲ5 の
アルケニルオキシ基は置換基を有していてもよく、具体
的には炭素数３〜１２の置換あるいは無置換の直鎖ある
いは分岐アルケニルオキシ基が好ましく、例えばプロペ
ニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ
基、ヘキセニルオキシ基、ヘプテニルオキシ基、オクテ
ニルオキシ基、ドデセニルオキシ基、プレニルオキシ基
などを挙げることができる。前記一般式（３）中のＲ
3 、Ｒ4 、およびＲ5 のアリールオキシ基は置換基を有
していてもよく、具体的には置換あるいは無置換のアリ
ールオキシ基で、例えば、フェノキシ、トリルオキシ、
キシリルオキシ、４−エチルフェノキシ、４−ブチルフ
ェノキシ、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ、４−メト
キシフェノキシ、４−ジエチルアミノフェノキシ、２−
メチルフェノキシ、２−メトキシフェノキシ、１−ナフ
トキシ、２−ナフトキシ、４−メチルナフトキシなどを
挙げることができる。前記一般式（３）中のＲ3 、Ｒ
4 、およびＲ5 のアラルキル基は置換基を有していても
よく、具体的には置換または無置換のアラルキルオキシ
基で、例えばベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基、
フェニルプロピルオキシ基、１−ナフチルメチルオキシ
基、２−ナフチルメチルオキシ基、４−メトキシベンジ
ルオキシ基などを挙げることができる。
【００４１】前記一般式（３）で表される化合物の例と
しては具体的には、例えばホウ酸トリメチル、ホウ酸ト
リエチル、ホウ酸トリｎ−プロピル、ホウ酸トリイソプ
ロピル、ホウ酸トリｎ−ブチル、ホウ酸トリイソブチ
ル、ホウ酸トリｎ−オクチル、ホウ酸ブチルジエチル、
ホウ酸エチルジ（２−フェネチル）、ホウ酸トリフェニ
ル、ホウ酸ジエチル−４−メトキシフェニル、ホウ酸ジ
エチルシクロヘキシル、トリクロロボラン、トリフルオ
ロボラン、ジエトキシクロロボラン、ｎ−ブトキシジク
ロロボランなどを挙げることができる。更に、一般式
（３）のＲ4 とＲ5 とが相互に結合して環内にホウ素原
子と２個の酸素原子を含む環状構造を持った化合物の具
体例としては、２−メトキシ−１，３，２−ジオキサボ
リナン、２−エトキシ−１，３，２−ジオキサボロラ
ン、２−ブトキシ−１，３，２−ジオキサボリナン、２
−フェノキシ−１，３，２−ジオキサボリナン、２−フ
ェノキシ−４，４，６−トリメチル−１，３，２−ジオ
キサボリナン、２−ナフトキシ−１，３，２−ジオキサ
ボリナン、２−メトキシ−１，３，２−ベンゾジオキサ
ボロール、２−エトキシ−１，３，２−ベンゾジオキサ
ボリン等が挙げられる。
しては具体的には、例えばホウ酸トリメチル、ホウ酸ト
リエチル、ホウ酸トリｎ−プロピル、ホウ酸トリイソプ
ロピル、ホウ酸トリｎ−ブチル、ホウ酸トリイソブチ
ル、ホウ酸トリｎ−オクチル、ホウ酸ブチルジエチル、
ホウ酸エチルジ（２−フェネチル）、ホウ酸トリフェニ
ル、ホウ酸ジエチル−４−メトキシフェニル、ホウ酸ジ
エチルシクロヘキシル、トリクロロボラン、トリフルオ
ロボラン、ジエトキシクロロボラン、ｎ−ブトキシジク
ロロボランなどを挙げることができる。更に、一般式
（３）のＲ4 とＲ5 とが相互に結合して環内にホウ素原
子と２個の酸素原子を含む環状構造を持った化合物の具
体例としては、２−メトキシ−１，３，２−ジオキサボ
リナン、２−エトキシ−１，３，２−ジオキサボロラ
ン、２−ブトキシ−１，３，２−ジオキサボリナン、２
−フェノキシ−１，３，２−ジオキサボリナン、２−フ
ェノキシ−４，４，６−トリメチル−１，３，２−ジオ
キサボリナン、２−ナフトキシ−１，３，２−ジオキサ
ボリナン、２−メトキシ−１，３，２−ベンゾジオキサ
ボロール、２−エトキシ−１，３，２−ベンゾジオキサ
ボリン等が挙げられる。
【００４２】前記一般式（４）で表される化合物の例と
しては具体的には、例えばメチルブロマイド、エチルク
ロライド、プロピルクロライド、イソプロピルクロライ
ド、ブチルクロライド、イソブチルブロマイド、ペンチ
ルブロマイド、ヘキシルブロマイド、オクチルクロライ
ド、３−プロピルメトキシブロマイド、ビニルブロマイ
ド、プロペニルブロマイド、ブテニルブロマイド、ペン
テニルブロマイド、ヘキセニルブロマイド、ヘプテニル
ブロマイド、オクテニルブロマイド、ブロモベンゼン、
ヨードベンゼン、ブロモトルエン、ブロモキシレン、１
−ブロモ−４−エチルベンゼン、１−ブロモ−４−ブチ
ルベンゼン、１−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼ
ン、１−ブロモ−４−メトキシベンゼン、１−ブロモ−
４−ジエチルアミノベンゼン、１−ブロモ−２−メトキ
シベンゼン、１−ブロモ−ナフタレン、１−ブロモ−４
−メチルナフタレン、ベンジルクロライド、フェネチル
ブロマイド、１−ブロモ−３−フェニルプロパン、１−
（ブロモメチル）ナフタレン、２−（ブロモメチル）ナ
フタレン、２−ブロモ−６−メトキシナフタレン、４−
メトキシベンジルクロライド、シクロヘキシルクロライ
ド、１−クロロ−４−メチルシクロヘキサンなどを挙げ
ることができる。
しては具体的には、例えばメチルブロマイド、エチルク
ロライド、プロピルクロライド、イソプロピルクロライ
ド、ブチルクロライド、イソブチルブロマイド、ペンチ
ルブロマイド、ヘキシルブロマイド、オクチルクロライ
ド、３−プロピルメトキシブロマイド、ビニルブロマイ
ド、プロペニルブロマイド、ブテニルブロマイド、ペン
テニルブロマイド、ヘキセニルブロマイド、ヘプテニル
ブロマイド、オクテニルブロマイド、ブロモベンゼン、
ヨードベンゼン、ブロモトルエン、ブロモキシレン、１
−ブロモ−４−エチルベンゼン、１−ブロモ−４−ブチ
ルベンゼン、１−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼ
ン、１−ブロモ−４−メトキシベンゼン、１−ブロモ−
４−ジエチルアミノベンゼン、１−ブロモ−２−メトキ
シベンゼン、１−ブロモ−ナフタレン、１−ブロモ−４
−メチルナフタレン、ベンジルクロライド、フェネチル
ブロマイド、１−ブロモ−３−フェニルプロパン、１−
（ブロモメチル）ナフタレン、２−（ブロモメチル）ナ
フタレン、２−ブロモ−６−メトキシナフタレン、４−
メトキシベンジルクロライド、シクロヘキシルクロライ
ド、１−クロロ−４−メチルシクロヘキサンなどを挙げ
ることができる。
【００４３】前記一般式（５）で表されるオニウムハラ
イドの例としては具体的には、例えばテトラメチルアン
モニウムブロマイド、テトラエチルアンモニウムブロマ
イド、テトラプロピルアンモニウムヨージド、テトラｎ
−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラｎ−ペンチル
アンモニウムクロライド、テトラｎ−オクチルアンモニ
ウムブロマイド、テトラベンジルアンモニウムブロマイ
ド、テトラフェニルアンモニウムブロマイド、テトラシ
クロヘキシルアンモニウムブロマイド、Ｎ−メチルピリ
ジニウムクロライド、Ｎ−ブチルピリジニウムブロマイ
ド、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルスルホニウムブロマイ
ド、ジメチルベンジルスルホニウムブロマイド、ジメチ
ル（４−クロロベンジル）スルホニウムブロマイド、ジ
ブチル（４−ブロモベンジル）スルホニウムクロライ
ド、ジメチル（４−シアノベンジル）スルホニウムブロ
マイド、ジメチルフェナシルスルホニウムクロライド、
メチル（ジメチルアミノ）（４−トリル）スルホニウム
ブロマイド、トリフェニルスルホニウムクロライド、４
−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムブロマイ
ド、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルオキソスルホニウムブ
ロマイド、ジメチルベンジルオキソスルホニウムブロマ
イド、ジメチル（４−クロロベンジル）オキソスルホニ
ウムクロライド、ジブチル（４−ブロモベンジル）オキ
ソスルホニウムクロライド、ジメチル（４−シアノベン
ジル）オキソスルホニウムクロライド、ジメチルフェナ
シルオキソスルホニウムクロライド、メチル（ジメチル
アミノ）（４−トリル）オキソスルホニウムクロライ
ド、トリフェニルオキソスルホニウムクロライド、４−
メトキシフェニルジフェニルオキソスルホニウムヨージ
ド、テトラメチルホスホニウムクロライド、テトラエチ
ルホスホニウムクロライド、テトラプロピルホスホニウ
ムクロライド、テトラｎ−ブチルホスホニウムブロマイ
ド、テトラｎ−ペンチルホスホニウムブロマイド、テト
ラｎ−オクチルホスホニウムクロライド、テトラベンジ
ルホスホニウムクロライド、テトラフェニルホスホニウ
ムヨージド、テトラシクロヘキシルホスホニウムブロマ
イド、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、トリフ
ェニルフェナシルホスホニウムクロライド、トリフェニ
ル（４−アミノフェニル）ホスホニウムブロマイド、ジ
フェニルヨードニウムクロライド、４−ブトキシフェニ
ル（４−メチルフェニル）ヨードニウムクロライド、ビ
ス（４−アミノフェニル）ヨードニウムクロライドなど
を挙げることができる。
イドの例としては具体的には、例えばテトラメチルアン
モニウムブロマイド、テトラエチルアンモニウムブロマ
イド、テトラプロピルアンモニウムヨージド、テトラｎ
−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラｎ−ペンチル
アンモニウムクロライド、テトラｎ−オクチルアンモニ
ウムブロマイド、テトラベンジルアンモニウムブロマイ
ド、テトラフェニルアンモニウムブロマイド、テトラシ
クロヘキシルアンモニウムブロマイド、Ｎ−メチルピリ
ジニウムクロライド、Ｎ−ブチルピリジニウムブロマイ
ド、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルスルホニウムブロマイ
ド、ジメチルベンジルスルホニウムブロマイド、ジメチ
ル（４−クロロベンジル）スルホニウムブロマイド、ジ
ブチル（４−ブロモベンジル）スルホニウムクロライ
ド、ジメチル（４−シアノベンジル）スルホニウムブロ
マイド、ジメチルフェナシルスルホニウムクロライド、
メチル（ジメチルアミノ）（４−トリル）スルホニウム
ブロマイド、トリフェニルスルホニウムクロライド、４
−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムブロマイ
ド、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルオキソスルホニウムブ
ロマイド、ジメチルベンジルオキソスルホニウムブロマ
イド、ジメチル（４−クロロベンジル）オキソスルホニ
ウムクロライド、ジブチル（４−ブロモベンジル）オキ
ソスルホニウムクロライド、ジメチル（４−シアノベン
ジル）オキソスルホニウムクロライド、ジメチルフェナ
シルオキソスルホニウムクロライド、メチル（ジメチル
アミノ）（４−トリル）オキソスルホニウムクロライ
ド、トリフェニルオキソスルホニウムクロライド、４−
メトキシフェニルジフェニルオキソスルホニウムヨージ
ド、テトラメチルホスホニウムクロライド、テトラエチ
ルホスホニウムクロライド、テトラプロピルホスホニウ
ムクロライド、テトラｎ−ブチルホスホニウムブロマイ
ド、テトラｎ−ペンチルホスホニウムブロマイド、テト
ラｎ−オクチルホスホニウムクロライド、テトラベンジ
ルホスホニウムクロライド、テトラフェニルホスホニウ
ムヨージド、テトラシクロヘキシルホスホニウムブロマ
イド、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、トリフ
ェニルフェナシルホスホニウムクロライド、トリフェニ
ル（４−アミノフェニル）ホスホニウムブロマイド、ジ
フェニルヨードニウムクロライド、４−ブトキシフェニ
ル（４−メチルフェニル）ヨードニウムクロライド、ビ
ス（４−アミノフェニル）ヨードニウムクロライドなど
を挙げることができる。
【００４４】本発明における第一工程で、リチウムもし
くはマグネシウムまたはそれらの化合物と前記一般式
（２）で表されるハロゲン化物と前記一般式（３）で表
される化合物を溶媒中で反応させて製造されるボロネー
ト化合物前駆体は、下記の一般式（６）および／または
一般式（７）および／または一般式（８）で表される化
合物であると推定される。
くはマグネシウムまたはそれらの化合物と前記一般式
（２）で表されるハロゲン化物と前記一般式（３）で表
される化合物を溶媒中で反応させて製造されるボロネー
ト化合物前駆体は、下記の一般式（６）および／または
一般式（７）および／または一般式（８）で表される化
合物であると推定される。
【００４５】一般式（６）；
【化５】
【００４６】（式中Ｒ1 は一般式（１）のＲ1 と同一で
ある。Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 は、それぞれ一般式（３）のＲ
3 、Ｒ4 、Ｒ5 と同一である。Ｍ1 はリチウム原子また
はマグネシウム原子を表す。）
ある。Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 は、それぞれ一般式（３）のＲ
3 、Ｒ4 、Ｒ5 と同一である。Ｍ1 はリチウム原子また
はマグネシウム原子を表す。）
【００４７】一般式（７）；
【化６】
【００４８】（式中Ｒ1 は一般式（１）のＲ1 と同一で
ある。Ｒ3 、Ｒ4 は、それぞれ一般式（３）のＲ3 、Ｒ
4 と同一である。Ｍ1 はリチウム原子またはマグネシウ
ム原子を表す。）
ある。Ｒ3 、Ｒ4 は、それぞれ一般式（３）のＲ3 、Ｒ
4 と同一である。Ｍ1 はリチウム原子またはマグネシウ
ム原子を表す。）
【００４９】一般式（８）；
【化７】
【００５０】（式中Ｒ1 は一般式（１）のＲ1 と同一で
ある。Ｒ3 は、それぞれ一般式（３）のＲ3 と同一であ
る。Ｍ1 はリチウム原子またはマグネシウム原子を表
す。）
ある。Ｒ3 は、それぞれ一般式（３）のＲ3 と同一であ
る。Ｍ1 はリチウム原子またはマグネシウム原子を表
す。）
【００５１】前記一般式（６）〜（８）で表されるボロ
ネート化合物前駆体の例としては具体的に、例えばリチ
ウムエチルトリエトキシボレイト、リチウムフェネチル
トリイソプロポキシボレイト、リチウムフェニルトリｎ
−ブトキシボレイト、リチウムフェネチルトリエトキシ
ボレイト、マグネシウムビス（エチルトリイソプロポキ
シボレイト）、マグネシウムビス（フェネチルトリエト
キシボレイト）、マグネシウムビス（ｎ−オクチルトリ
ｎ−ブトキシボレイト）、マグネシウムビス（ｎ−ペン
チルトリエトキシボレイト）、マグネシウムビス（ピレ
ニルトリエトキシボレイト）、リチウムジフェニルジエ
トキシボレイト、マグネシウムビス（ジアントラニルジ
ｎ−ブトキシボレイト）、リチウムトリ（１−ナフチ
ル）エトキシボレイト、リチウムトリフェニルｎ−ブト
キシボレイト、マグネシウムビス（トリ（２−ナフチ
ル）イソプロポキシボレイト）、リチウムエチルトリク
ロロボレイト、リチウムトリ（１−ナフチル）フルオロ
ボレイトなどを挙げることができる。
ネート化合物前駆体の例としては具体的に、例えばリチ
ウムエチルトリエトキシボレイト、リチウムフェネチル
トリイソプロポキシボレイト、リチウムフェニルトリｎ
−ブトキシボレイト、リチウムフェネチルトリエトキシ
ボレイト、マグネシウムビス（エチルトリイソプロポキ
シボレイト）、マグネシウムビス（フェネチルトリエト
キシボレイト）、マグネシウムビス（ｎ−オクチルトリ
ｎ−ブトキシボレイト）、マグネシウムビス（ｎ−ペン
チルトリエトキシボレイト）、マグネシウムビス（ピレ
ニルトリエトキシボレイト）、リチウムジフェニルジエ
トキシボレイト、マグネシウムビス（ジアントラニルジ
ｎ−ブトキシボレイト）、リチウムトリ（１−ナフチ
ル）エトキシボレイト、リチウムトリフェニルｎ−ブト
キシボレイト、マグネシウムビス（トリ（２−ナフチ
ル）イソプロポキシボレイト）、リチウムエチルトリク
ロロボレイト、リチウムトリ（１−ナフチル）フルオロ
ボレイトなどを挙げることができる。
【００５２】本発明における第二工程で、リチウムもし
くはマグネシウムまたはそれらの化合物と一般式（４）
で表されるハロゲン化物と前記第一工程で得られたボロ
ネート化合物前駆体を溶媒中で反応させることにより製
造されるボレイト金属塩は、下記一般式（９）で表され
る化合物であると推定される。
くはマグネシウムまたはそれらの化合物と一般式（４）
で表されるハロゲン化物と前記第一工程で得られたボロ
ネート化合物前駆体を溶媒中で反応させることにより製
造されるボレイト金属塩は、下記一般式（９）で表され
る化合物であると推定される。
【００５３】一般式（９）；
【化８】
【００５４】（式中Ｒ1 およびＲ2 は一般式（１）のＲ
1 およびＲ2 と同一である。Ｍ2 はリチウム原子または
マグネシウム原子を表す。）
1 およびＲ2 と同一である。Ｍ2 はリチウム原子または
マグネシウム原子を表す。）
【００５５】前記一般式（９）で表されるボレイト金属
塩の例としては具体的には、例えばリチウムエチルトリ
ブチルボレイト、リチウムフェネチルトリメチルボレイ
ト、リチウムフェニルトリイソブチルボレイト、リチウ
ムフェネチルトリ（４−メチルフェニル）ボレイト、リ
チウムエチルトリフェニルボレイト、マグネシウムビス
（フェネチルトリ（４−メチルフェニル）ボレイト）、
マグネシウムビス（ｎ−オクチルトリ（４，５−ジエチ
ルフェニル）ボレイト）、マグネシウムビス（ｎ−ペン
チルトリ（４−メトキシフェニル）ボレイト）、リチウ
ムｎ−ブチルトリ（１−ナフチル）ボレイト、マグネシ
ウムビス（ｎ−ブチルトリ（２−ナフチル）ボレイ
ト）、マグネシウムビス（ｎ−ブチルトリ（４−メチル
ナフチル）ボレイト）、リチウムｎ−オクチルトリ
（４，５−ジエチルナフチル）ボレイト、マグネシウム
ビス（エチルトリアセナフチルボレイト）などを挙げる
ことができる。
塩の例としては具体的には、例えばリチウムエチルトリ
ブチルボレイト、リチウムフェネチルトリメチルボレイ
ト、リチウムフェニルトリイソブチルボレイト、リチウ
ムフェネチルトリ（４−メチルフェニル）ボレイト、リ
チウムエチルトリフェニルボレイト、マグネシウムビス
（フェネチルトリ（４−メチルフェニル）ボレイト）、
マグネシウムビス（ｎ−オクチルトリ（４，５−ジエチ
ルフェニル）ボレイト）、マグネシウムビス（ｎ−ペン
チルトリ（４−メトキシフェニル）ボレイト）、リチウ
ムｎ−ブチルトリ（１−ナフチル）ボレイト、マグネシ
ウムビス（ｎ−ブチルトリ（２−ナフチル）ボレイ
ト）、マグネシウムビス（ｎ−ブチルトリ（４−メチル
ナフチル）ボレイト）、リチウムｎ−オクチルトリ
（４，５−ジエチルナフチル）ボレイト、マグネシウム
ビス（エチルトリアセナフチルボレイト）などを挙げる
ことができる。
【００５６】本発明で使用するリチウムもしくはマグネ
シウムまたはそれらの化合物は、金属リチウム、金属マ
グネシウム、有機または無機リチウム化合物、有機また
は無機マグネシウム化合物であり、具体的には例えば金
属リチウム、金属マグネシウム、メチルリチウム、エチ
ルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ブチルマグネシウ
ム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化フェニルマグ
ネシウム、ジエチルマグネシウム、塩化マグネシウム／
ヨウ化カリウムの組み合わせ等が挙げられる。
シウムまたはそれらの化合物は、金属リチウム、金属マ
グネシウム、有機または無機リチウム化合物、有機また
は無機マグネシウム化合物であり、具体的には例えば金
属リチウム、金属マグネシウム、メチルリチウム、エチ
ルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ブチルマグネシウ
ム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化フェニルマグ
ネシウム、ジエチルマグネシウム、塩化マグネシウム／
ヨウ化カリウムの組み合わせ等が挙げられる。
【００５７】本発明で使用する溶媒としては具体的に
は、例えばジエチルエーテル、ｎ−ブチルエチルエーテ
ル、ジｎ−プロピルエーテル、ジイソプロピルエーテ
ル、ジｎ−ブチルエーテル、１，２−ジメトキシエタ
ン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどのエ
ーテル系溶媒や、ヘキサン、シクロヘキサンなどの炭化
水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香
族系溶媒が挙げられるが、これらの中でも、ジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、ヘキサン、トルエンが好
ましく使用できる。
は、例えばジエチルエーテル、ｎ−ブチルエチルエーテ
ル、ジｎ−プロピルエーテル、ジイソプロピルエーテ
ル、ジｎ−ブチルエーテル、１，２−ジメトキシエタ
ン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどのエ
ーテル系溶媒や、ヘキサン、シクロヘキサンなどの炭化
水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香
族系溶媒が挙げられるが、これらの中でも、ジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、ヘキサン、トルエンが好
ましく使用できる。
【００５８】本発明においては、前記一般式（１）で表
されるホウ素系化合物は次の第一工程〜第三工程で製造
される。 （第一工程） リチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化合物
（以下、必要によりＬｉ化合物と称す）と一般式（２）
で表されるハロゲン化物［以下、必要により（２）化合
物と称す］とを溶媒中で反応させ、これに一般式（３）
で表される化合物［以下、必要により（３）化合物と称
す］を加えて反応させるか、 （３）化合物に、Ｌｉ化合物と（２）化合物とを溶媒
中で反応させたものを加えて反応させるか、 Ｌｉ化合物と（２）化合物とを溶媒中で反応させたも
のと、（３）化合物とを同時に加えて反応させるか、 （３）化合物存在下で、Ｌｉ化合物と（２）化合物と
を溶媒中で反応させることによりボロネート化合物前駆
体を製造する工程。 （第二工程） Ｌｉ化合物と一般式（４）で表されるハロゲン化物
［以下、必要により（４）化合物と称す］とを溶媒中で
反応させ、第一工程で得られたボロネート化合物前駆体
の溶液を加えて反応させるか、 第一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶液
に、Ｌｉ化合物と（４）化合物とを溶媒中で反応させた
ものを加えて反応させるか、 Ｌｉ化合物と（４）化合物とを溶媒中で反応させたも
のと、第一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶
液を同時に加えて反応させるか、 第一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶液存
在下で、Ｌｉ化合物と（４）化合物とを溶媒中で反応さ
せることによりボレイト金属塩を製造する工程。 （第三工程）第二工程で得られたボレイト金属塩に一般
式（５）で表されるオニウムハライド［以下、必要によ
り（５）化合物と称す］を加えてイオン交換反応させて
一般式（１）で表されるホウ素系化合物［以下、必要に
より（１）化合物と称す］を製造する工程。
されるホウ素系化合物は次の第一工程〜第三工程で製造
される。 （第一工程） リチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化合物
（以下、必要によりＬｉ化合物と称す）と一般式（２）
で表されるハロゲン化物［以下、必要により（２）化合
物と称す］とを溶媒中で反応させ、これに一般式（３）
で表される化合物［以下、必要により（３）化合物と称
す］を加えて反応させるか、 （３）化合物に、Ｌｉ化合物と（２）化合物とを溶媒
中で反応させたものを加えて反応させるか、 Ｌｉ化合物と（２）化合物とを溶媒中で反応させたも
のと、（３）化合物とを同時に加えて反応させるか、 （３）化合物存在下で、Ｌｉ化合物と（２）化合物と
を溶媒中で反応させることによりボロネート化合物前駆
体を製造する工程。 （第二工程） Ｌｉ化合物と一般式（４）で表されるハロゲン化物
［以下、必要により（４）化合物と称す］とを溶媒中で
反応させ、第一工程で得られたボロネート化合物前駆体
の溶液を加えて反応させるか、 第一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶液
に、Ｌｉ化合物と（４）化合物とを溶媒中で反応させた
ものを加えて反応させるか、 Ｌｉ化合物と（４）化合物とを溶媒中で反応させたも
のと、第一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶
液を同時に加えて反応させるか、 第一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶液存
在下で、Ｌｉ化合物と（４）化合物とを溶媒中で反応さ
せることによりボレイト金属塩を製造する工程。 （第三工程）第二工程で得られたボレイト金属塩に一般
式（５）で表されるオニウムハライド［以下、必要によ
り（５）化合物と称す］を加えてイオン交換反応させて
一般式（１）で表されるホウ素系化合物［以下、必要に
より（１）化合物と称す］を製造する工程。
【００５９】具体的には、例えば第一工程においてＬｉ
化合物として金属マグネシウムを用いた場合は、上記の
、、、のいずれかの方法を用いてボロネート化
合物前駆体を製造できる。また第一工程において、Ｌｉ
化合物として金属リチウムまたは有機リチウム化合物を
用いた場合は、上記の、、のいずれかの方法を用
いてボロネート化合物前駆体を製造できる。
化合物として金属マグネシウムを用いた場合は、上記の
、、、のいずれかの方法を用いてボロネート化
合物前駆体を製造できる。また第一工程において、Ｌｉ
化合物として金属リチウムまたは有機リチウム化合物を
用いた場合は、上記の、、のいずれかの方法を用
いてボロネート化合物前駆体を製造できる。
【００６０】また、第二工程において、Ｌｉ化合物とし
て金属マグネシムを用いた場合は、上記の、、、
のいずれかの方法を用いてボレイト金属塩を製造でき
る。また第二工程においてＬｉ化合物として金属リチウ
ムまたは有機リチウム化合物を用いた場合は、上記の
、、のいずれかの方法を用いてボレイト金属塩を
製造できる。
て金属マグネシムを用いた場合は、上記の、、、
のいずれかの方法を用いてボレイト金属塩を製造でき
る。また第二工程においてＬｉ化合物として金属リチウ
ムまたは有機リチウム化合物を用いた場合は、上記の
、、のいずれかの方法を用いてボレイト金属塩を
製造できる。
【００６１】本発明における第一工程は具体的には、例
えば以下のように進めることができる。第一工程におい
て、Ｌｉ化合物として金属マグネシウムを用いてボロネ
ート化合物前駆体を製造する反応の例を具体的に説明す
る。この場合上記、、、の反応は、グリニアー
ル試薬を調製する反応である。金属マグネシウムに
（２）化合物のエーテル系溶液を少量加え、撹拌してい
くとやがて反応温度が上昇し、反応（グリニアール反
応）が開始する。反応が起こりづらい時は開始剤として
ヨウ素、ヨウ化メチルなどを加えてもよい。反応温度は
用いる溶媒の沸点付近であることが望ましく、この温度
を保つように（２）化合物のエーテル系溶液を加えてい
く。
えば以下のように進めることができる。第一工程におい
て、Ｌｉ化合物として金属マグネシウムを用いてボロネ
ート化合物前駆体を製造する反応の例を具体的に説明す
る。この場合上記、、、の反応は、グリニアー
ル試薬を調製する反応である。金属マグネシウムに
（２）化合物のエーテル系溶液を少量加え、撹拌してい
くとやがて反応温度が上昇し、反応（グリニアール反
応）が開始する。反応が起こりづらい時は開始剤として
ヨウ素、ヨウ化メチルなどを加えてもよい。反応温度は
用いる溶媒の沸点付近であることが望ましく、この温度
を保つように（２）化合物のエーテル系溶液を加えてい
く。
【００６２】例えば、テトラヒドロフラン中では６７〜
７２℃付近で反応させるように（２）化合物のテトラヒ
ドロフラン溶液を加えていくことが望ましい。（２）化
合物のエーテル系溶液を加えた後、さらに室温〜溶媒の
沸点付近で、３０分〜２０時間程度撹拌させ反応を完了
させる。ここで調製された化合物がグリニアール試薬で
ある。上記の反応の場合は、このグリニアール試薬に
（３）化合物の溶液（好ましくは、グリニアール反応の
溶媒と同じ溶媒を用いた溶液）を反応温度が−１００℃
〜溶媒の沸点付近となるように加え、加えた後も−１０
０℃〜溶媒の沸点付近で３０分〜２０時間程度反応させ
ることで第一工程が終了する。上記の反応の場合は、
（３）化合物の溶液（好ましくは、グリニアール反応の
溶媒と同じ溶媒を用いた溶液）にグリニアール試薬を反
応温度が−１００℃〜溶媒の沸点付近となるように加
え、加えた後も−１００℃〜溶媒の沸点付近で３０分〜
２０時間程度反応させることで第一工程が終了する。上
記の反応の場合は、グリニアール試薬と、（３）化合
物の溶液（好ましくは、グリニアール反応の溶媒と同じ
溶媒を用いた溶液）を反応温度が−１００℃〜溶媒の沸
点付近となるように同時に加え、加えた後も−１００℃
〜溶媒の沸点付近で３０分〜２０時間程度反応させるこ
とで第一工程が終了する。上記の反応の場合は、例え
ば、金属マグネシウムと（３）化合物に（２）化合物の
エーテル系溶液を少量加え、撹拌していくとやがて反応
温度が上昇し、反応が開始する。反応が起こりづらい時
は開始剤としてヨウ素、ヨウ化メチルなどを加えてもよ
い。反応温度は用いる溶媒の沸点付近であることが望ま
しく、この温度を保つように（２）化合物のエーテル系
溶液を加えていく。例えば、テトラヒドロフラン中では
６７〜７２℃付近で反応させるように（２）化合物のテ
トラヒドロフラン溶液を加えていくことが望ましい。
（２）化合物のエーテル系溶液を加えた後、さらに室温
〜溶媒の沸点付近で、３０分〜２０時間程度反応させる
ことで第一工程が終了する。
７２℃付近で反応させるように（２）化合物のテトラヒ
ドロフラン溶液を加えていくことが望ましい。（２）化
合物のエーテル系溶液を加えた後、さらに室温〜溶媒の
沸点付近で、３０分〜２０時間程度撹拌させ反応を完了
させる。ここで調製された化合物がグリニアール試薬で
ある。上記の反応の場合は、このグリニアール試薬に
（３）化合物の溶液（好ましくは、グリニアール反応の
溶媒と同じ溶媒を用いた溶液）を反応温度が−１００℃
〜溶媒の沸点付近となるように加え、加えた後も−１０
０℃〜溶媒の沸点付近で３０分〜２０時間程度反応させ
ることで第一工程が終了する。上記の反応の場合は、
（３）化合物の溶液（好ましくは、グリニアール反応の
溶媒と同じ溶媒を用いた溶液）にグリニアール試薬を反
応温度が−１００℃〜溶媒の沸点付近となるように加
え、加えた後も−１００℃〜溶媒の沸点付近で３０分〜
２０時間程度反応させることで第一工程が終了する。上
記の反応の場合は、グリニアール試薬と、（３）化合
物の溶液（好ましくは、グリニアール反応の溶媒と同じ
溶媒を用いた溶液）を反応温度が−１００℃〜溶媒の沸
点付近となるように同時に加え、加えた後も−１００℃
〜溶媒の沸点付近で３０分〜２０時間程度反応させるこ
とで第一工程が終了する。上記の反応の場合は、例え
ば、金属マグネシウムと（３）化合物に（２）化合物の
エーテル系溶液を少量加え、撹拌していくとやがて反応
温度が上昇し、反応が開始する。反応が起こりづらい時
は開始剤としてヨウ素、ヨウ化メチルなどを加えてもよ
い。反応温度は用いる溶媒の沸点付近であることが望ま
しく、この温度を保つように（２）化合物のエーテル系
溶液を加えていく。例えば、テトラヒドロフラン中では
６７〜７２℃付近で反応させるように（２）化合物のテ
トラヒドロフラン溶液を加えていくことが望ましい。
（２）化合物のエーテル系溶液を加えた後、さらに室温
〜溶媒の沸点付近で、３０分〜２０時間程度反応させる
ことで第一工程が終了する。
【００６３】第一工程において、Ｌｉ化合物として金属
リチウムを用いてボロネート化合物前駆体を製造する反
応の例を具体的に説明する。前記のようにＬｉ化合物と
して金属リチウムを用い、そして（２）化合物を用いて
上記、、のいずれかの方法を用いて製造できる。
溶媒はジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエ
ーテル系溶媒やヘキサン、シクロヘキサンなどの溶媒を
使用できる。この場合は一般に反応は不活性ガス下、−
１００℃〜室温付近で行われる。具体的には金属リチウ
ムに上記のような溶媒を加え、これに（２）化合物溶液
を加える。反応温度は用いる（２）化合物、溶媒によっ
て異なる。例えばジエチルエーテル中での金属リチウム
とブロモベンゼンとの反応は、反応温度が−７８〜−７
０℃となるようにブロモベンゼンのジエチルエーテル溶
液を加えていくことが望ましい。（２）化合物の溶液を
加えた後、さらに−１００℃〜室温付近で３０分〜２０
時間程度撹拌させ有機リチウム化合物を調製する。有機
リチウム化合物のいくつかはヘキサン溶液、シクロヘキ
サン溶液、ジエチルエーテル溶液などの溶液状態で市販
されており、容易に入手することができ、本発明におい
ては上記のように有機リチウム化合物を調製するかわり
に、市販の有機リチウム化合物を用いてもよい。
リチウムを用いてボロネート化合物前駆体を製造する反
応の例を具体的に説明する。前記のようにＬｉ化合物と
して金属リチウムを用い、そして（２）化合物を用いて
上記、、のいずれかの方法を用いて製造できる。
溶媒はジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエ
ーテル系溶媒やヘキサン、シクロヘキサンなどの溶媒を
使用できる。この場合は一般に反応は不活性ガス下、−
１００℃〜室温付近で行われる。具体的には金属リチウ
ムに上記のような溶媒を加え、これに（２）化合物溶液
を加える。反応温度は用いる（２）化合物、溶媒によっ
て異なる。例えばジエチルエーテル中での金属リチウム
とブロモベンゼンとの反応は、反応温度が−７８〜−７
０℃となるようにブロモベンゼンのジエチルエーテル溶
液を加えていくことが望ましい。（２）化合物の溶液を
加えた後、さらに−１００℃〜室温付近で３０分〜２０
時間程度撹拌させ有機リチウム化合物を調製する。有機
リチウム化合物のいくつかはヘキサン溶液、シクロヘキ
サン溶液、ジエチルエーテル溶液などの溶液状態で市販
されており、容易に入手することができ、本発明におい
ては上記のように有機リチウム化合物を調製するかわり
に、市販の有機リチウム化合物を用いてもよい。
【００６４】そして、上記の反応の場合は、この有機
リチウム化合物に（３）化合物を上記の溶媒（好ましく
はエーテル系溶媒）に溶かした溶液を反応温度が−１０
０℃〜室温付近となるように加え、加えた後も−１００
℃〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応させることで
第一工程が終了する。上記の反応の場合は、（３）化
合物を上記の溶媒（好ましくはエーテル系溶媒）に溶か
した溶液に有機リチウム化合物を反応温度が−１００℃
〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応させることで第
一工程が終了する。上記の反応の場合は、有機リチウ
ム化合物と、（３）化合物を上記の溶媒（好ましくはエ
ーテル系溶媒）に溶かした溶液を反応温度が−１００℃
〜室温付近となるように同時に加え、加えた後も−１０
０℃〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応させること
で第一工程が終了する。
リチウム化合物に（３）化合物を上記の溶媒（好ましく
はエーテル系溶媒）に溶かした溶液を反応温度が−１０
０℃〜室温付近となるように加え、加えた後も−１００
℃〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応させることで
第一工程が終了する。上記の反応の場合は、（３）化
合物を上記の溶媒（好ましくはエーテル系溶媒）に溶か
した溶液に有機リチウム化合物を反応温度が−１００℃
〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応させることで第
一工程が終了する。上記の反応の場合は、有機リチウ
ム化合物と、（３）化合物を上記の溶媒（好ましくはエ
ーテル系溶媒）に溶かした溶液を反応温度が−１００℃
〜室温付近となるように同時に加え、加えた後も−１０
０℃〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応させること
で第一工程が終了する。
【００６５】次に、第一工程においてＬｉ化合物として
有機リチウム化合物を用いてボロネート化合物前駆体を
製造する反応の例を具体的に説明する。上記のようにＬ
ｉ化合物として有機リチウム化合物を用い、そして
（２）化合物を用いて、上記、、のいずれかの方
法を用いて製造できる。有機リチウム化合物としては上
記溶液状態の市販品も使用できる。この場合、反応の溶
媒はジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエー
テル系溶媒やヘキサン、シクロヘキサンなどの溶媒を使
用できる。一般に反応は不活性ガス下、−１００℃〜室
温付近で行われる。有機リチウム化合物溶液に、（２）
化合物の溶液を反応温度が−１００℃〜室温付近となる
ように加え有機リチウム化合物を調製する。反応温度は
用いる（２）化合物、溶媒によって異なる。例えばジエ
チルエーテル中でのｎ−ブチルリチウムと１−ブロモ
２，５−ジメチルベンゼンとの反応は、−７８〜−１０
℃で反応させるように１−ブロモ２，５−ジメチルベン
ゼンのジエチルエーテル溶液を加えていくことが望まし
い。（２）化合物の溶液を加えた後、さらに−１００℃
〜室温付近で３０分〜２０時間程度撹拌させ有機リチウ
ム化合物を調製する。また、（２）化合物の溶液に有機
リチウム化合物を同様な条件で加えても有機リチウム化
合物を調製することができる。
有機リチウム化合物を用いてボロネート化合物前駆体を
製造する反応の例を具体的に説明する。上記のようにＬ
ｉ化合物として有機リチウム化合物を用い、そして
（２）化合物を用いて、上記、、のいずれかの方
法を用いて製造できる。有機リチウム化合物としては上
記溶液状態の市販品も使用できる。この場合、反応の溶
媒はジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエー
テル系溶媒やヘキサン、シクロヘキサンなどの溶媒を使
用できる。一般に反応は不活性ガス下、−１００℃〜室
温付近で行われる。有機リチウム化合物溶液に、（２）
化合物の溶液を反応温度が−１００℃〜室温付近となる
ように加え有機リチウム化合物を調製する。反応温度は
用いる（２）化合物、溶媒によって異なる。例えばジエ
チルエーテル中でのｎ−ブチルリチウムと１−ブロモ
２，５−ジメチルベンゼンとの反応は、−７８〜−１０
℃で反応させるように１−ブロモ２，５−ジメチルベン
ゼンのジエチルエーテル溶液を加えていくことが望まし
い。（２）化合物の溶液を加えた後、さらに−１００℃
〜室温付近で３０分〜２０時間程度撹拌させ有機リチウ
ム化合物を調製する。また、（２）化合物の溶液に有機
リチウム化合物を同様な条件で加えても有機リチウム化
合物を調製することができる。
【００６６】そして、上記の反応の場合は、この有機
リチウム化合物に（３）化合物を上記のような溶媒（好
ましくは、エーテル系溶媒）に溶かした溶液を反応温度
が−１００℃〜室温付近となるように加え、加えた後も
−１００℃〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応させ
ることで第一工程が終了する。上記の反応の場合は、
（３）化合物を上記の溶媒（好ましくは、エーテル系溶
媒）に溶かした溶液に有機リチウム化合物を反応温度が
−１００℃〜室温付近となるように加え、加えた後も−
１００℃〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応させる
ことで第一工程が終了する。上記の反応の場合は、有
機リチウム化合物と、（３）化合物を上記の溶媒（好ま
しくはエーテル系溶媒）に溶かした溶液を反応温度が−
１００℃〜室温付近となるように同時に加え、加えた後
も−１００℃〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応さ
せることで第一工程が終了する。
リチウム化合物に（３）化合物を上記のような溶媒（好
ましくは、エーテル系溶媒）に溶かした溶液を反応温度
が−１００℃〜室温付近となるように加え、加えた後も
−１００℃〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応させ
ることで第一工程が終了する。上記の反応の場合は、
（３）化合物を上記の溶媒（好ましくは、エーテル系溶
媒）に溶かした溶液に有機リチウム化合物を反応温度が
−１００℃〜室温付近となるように加え、加えた後も−
１００℃〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応させる
ことで第一工程が終了する。上記の反応の場合は、有
機リチウム化合物と、（３）化合物を上記の溶媒（好ま
しくはエーテル系溶媒）に溶かした溶液を反応温度が−
１００℃〜室温付近となるように同時に加え、加えた後
も−１００℃〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応さ
せることで第一工程が終了する。
【００６７】本発明における第二工程は、第一工程に引
き続いて、具体的には例えば以下のように進めることが
できる。第二工程において、Ｌｉ化合物として金属マグ
ネシウムを用いてボレイト金属塩を製造する反応の例を
具体的に説明する。この場合前記、、、の反応
は、グリニアール試薬を調製する反応である。（２）化
合物のエーテル系溶液の代わりに（４）化合物のエーテ
ル系溶液を用いる以外は、金属マグネシウムと（２）化
合物のエーテル系溶液からグリニアール試薬を調製した
と同様にしてグリニアール試薬を調製する。
き続いて、具体的には例えば以下のように進めることが
できる。第二工程において、Ｌｉ化合物として金属マグ
ネシウムを用いてボレイト金属塩を製造する反応の例を
具体的に説明する。この場合前記、、、の反応
は、グリニアール試薬を調製する反応である。（２）化
合物のエーテル系溶液の代わりに（４）化合物のエーテ
ル系溶液を用いる以外は、金属マグネシウムと（２）化
合物のエーテル系溶液からグリニアール試薬を調製した
と同様にしてグリニアール試薬を調製する。
【００６８】上記の反応の場合は、このグリニアール
試薬に第一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶
液を反応温度が−１００℃〜溶媒の沸点付近となるよう
に加え、加えた後も−１００℃〜溶媒の沸点付近で３０
分〜２０時間程度反応させることで第二工程が終了す
る。上記の反応の場合は、第一工程で得られたボロネ
ート化合物前駆体の溶液にグリニアール試薬を反応温度
が−１００℃〜溶媒の沸点付近となるように加え、加え
た後も−１００℃〜溶媒の沸点付近で３０分〜２０時間
程度反応させることで第二工程が終了する。上記の反
応の場合は、グリニアール試薬と、第一工程で得られた
ボロネート化合物前駆体の溶液を反応温度が−１００℃
〜溶媒の沸点付近となるように同時に加え、加えた後も
−１００℃〜溶媒の沸点付近で３０分〜２０時間程度反
応させることで第二工程が終了する。上記の反応の場
合は、例えば金属マグネシウムと第一工程で得られたボ
ロネート化合物前駆体の溶液に（４）化合物のエーテル
系溶液を少量加え、撹拌していくとやがて反応温度が上
昇し、反応が開始する。反応が起こりづらい時は開始剤
としてヨウ素、ヨウ化メチルなどを加えてもよい。反応
温度は用いる溶媒の沸点付近であることが望ましく、こ
の温度を保つように（４）化合物のエーテル系溶液を加
えていく。例えば、テトラヒドロフラン中では６７〜７
２℃付近で反応させるように（４）化合物のテトラヒド
ロフラン溶液を加えていくことが望ましい。（４）化合
物のエーテル系溶液を加えた後、さらに室温〜溶媒の沸
点付近で、３０分〜２０時間程度反応させることで第二
工程が終了する。
試薬に第一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶
液を反応温度が−１００℃〜溶媒の沸点付近となるよう
に加え、加えた後も−１００℃〜溶媒の沸点付近で３０
分〜２０時間程度反応させることで第二工程が終了す
る。上記の反応の場合は、第一工程で得られたボロネ
ート化合物前駆体の溶液にグリニアール試薬を反応温度
が−１００℃〜溶媒の沸点付近となるように加え、加え
た後も−１００℃〜溶媒の沸点付近で３０分〜２０時間
程度反応させることで第二工程が終了する。上記の反
応の場合は、グリニアール試薬と、第一工程で得られた
ボロネート化合物前駆体の溶液を反応温度が−１００℃
〜溶媒の沸点付近となるように同時に加え、加えた後も
−１００℃〜溶媒の沸点付近で３０分〜２０時間程度反
応させることで第二工程が終了する。上記の反応の場
合は、例えば金属マグネシウムと第一工程で得られたボ
ロネート化合物前駆体の溶液に（４）化合物のエーテル
系溶液を少量加え、撹拌していくとやがて反応温度が上
昇し、反応が開始する。反応が起こりづらい時は開始剤
としてヨウ素、ヨウ化メチルなどを加えてもよい。反応
温度は用いる溶媒の沸点付近であることが望ましく、こ
の温度を保つように（４）化合物のエーテル系溶液を加
えていく。例えば、テトラヒドロフラン中では６７〜７
２℃付近で反応させるように（４）化合物のテトラヒド
ロフラン溶液を加えていくことが望ましい。（４）化合
物のエーテル系溶液を加えた後、さらに室温〜溶媒の沸
点付近で、３０分〜２０時間程度反応させることで第二
工程が終了する。
【００６９】第二工程において、Ｌｉ化合物として金属
リチウムを用いてボレイト金属塩を製造する反応の例を
具体的に説明する。前記のようにＬｉ化合物として金属
リチウムを用い、そして（４）化合物を用いて、上記
、、のいずれかの方法を用いて製造できる。溶媒
はジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル系溶媒やヘキサン、シクロヘキサンの溶媒を使用でき
る。この場合は一般に反応は不活性ガス下、−１００℃
〜室温付近で行われる。具体的には金属リチウムに上記
の溶媒を加え、これに（２）化合物溶液を加える代わり
に（４）化合物溶液を加える以外は（２）化合物溶液を
用いて有機リチウム化合物を調製した場合と同様にして
有機リチウム化合物を調製する。上記のように有機リチ
ウム化合物を調製する代わりに市販の有機リチウム化合
物溶液を用いてもよい。そして上記の反応の場合は、
この有機リチウム化合物に第一工程で得られたボロネー
ト化合物前駆体の溶液を反応温度が−１００℃〜室温付
近となるように加え、加えた後も−１００℃〜室温付近
で、３０分〜２０時間程度反応させることで第二工程が
終了する。上記の反応の場合は、第一工程で得られた
ボロネート化合物前駆体の溶液に、有機リチウム化合物
を反応温度が−１００℃〜室温付近で３０分〜２０時間
程度反応させることで第二工程が終了する。上記の反
応の場合は、有機リチウム化合物と、第一工程で得られ
たボロネート化合物前駆体の溶液を反応温度が−１００
℃〜室温付近となるように同時に加え、加えた後も−１
００℃〜室温付近で、３０分〜２０時間程度反応させる
ことで第二工程が終了する。
リチウムを用いてボレイト金属塩を製造する反応の例を
具体的に説明する。前記のようにＬｉ化合物として金属
リチウムを用い、そして（４）化合物を用いて、上記
、、のいずれかの方法を用いて製造できる。溶媒
はジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル系溶媒やヘキサン、シクロヘキサンの溶媒を使用でき
る。この場合は一般に反応は不活性ガス下、−１００℃
〜室温付近で行われる。具体的には金属リチウムに上記
の溶媒を加え、これに（２）化合物溶液を加える代わり
に（４）化合物溶液を加える以外は（２）化合物溶液を
用いて有機リチウム化合物を調製した場合と同様にして
有機リチウム化合物を調製する。上記のように有機リチ
ウム化合物を調製する代わりに市販の有機リチウム化合
物溶液を用いてもよい。そして上記の反応の場合は、
この有機リチウム化合物に第一工程で得られたボロネー
ト化合物前駆体の溶液を反応温度が−１００℃〜室温付
近となるように加え、加えた後も−１００℃〜室温付近
で、３０分〜２０時間程度反応させることで第二工程が
終了する。上記の反応の場合は、第一工程で得られた
ボロネート化合物前駆体の溶液に、有機リチウム化合物
を反応温度が−１００℃〜室温付近で３０分〜２０時間
程度反応させることで第二工程が終了する。上記の反
応の場合は、有機リチウム化合物と、第一工程で得られ
たボロネート化合物前駆体の溶液を反応温度が−１００
℃〜室温付近となるように同時に加え、加えた後も−１
００℃〜室温付近で、３０分〜２０時間程度反応させる
ことで第二工程が終了する。
【００７０】次に、第二工程においてＬｉ化合物として
有機リチウム化合物を用いてボレイト金属塩を製造する
反応の例を具体的に説明する。上記のようにＬｉ化合物
として有機リチウム化合物を用い、そして（４）化合物
を用いて、上記、、のいずれかの方法を用いて製
造できる。有機リチウム化合物は上記のように溶液状態
で市販されており、容易に入手することができる。この
場合反応溶媒はジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
などのエーテル系溶媒やヘキサン、シクロヘキサンなど
を使用できる。（４）化合物溶液を用いる以外は有機リ
チウム化合物溶液（市販品も使用できる）と（２）化合
物溶液から有機リチウム化合物を調製した場合と同様に
して有機リチウム化合物を調製することができる。そし
て上記の反応の場合は、この有機リチウム化合物に第
一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶液を反応
温度が−１００℃〜室温付近となるように加え、加えた
後も−１００℃〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応
させることで第二工程が終了する。上記の反応の場合
は、第一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶液
に有機リチウム化合物を反応温度が−１００℃〜室温付
近となるように加え、加えた後も−１００℃〜室温付近
で３０分〜２０時間程度反応させることで第二工程が終
了する。上記の反応の場合は、有機リチウム化合物
と、第一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶液
を反応温度が−１００℃〜室温付近となるように同時に
加え、加えた後も−１００℃〜室温付近で３０分〜２０
時間程度反応させることで第二工程が終了する。
有機リチウム化合物を用いてボレイト金属塩を製造する
反応の例を具体的に説明する。上記のようにＬｉ化合物
として有機リチウム化合物を用い、そして（４）化合物
を用いて、上記、、のいずれかの方法を用いて製
造できる。有機リチウム化合物は上記のように溶液状態
で市販されており、容易に入手することができる。この
場合反応溶媒はジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
などのエーテル系溶媒やヘキサン、シクロヘキサンなど
を使用できる。（４）化合物溶液を用いる以外は有機リ
チウム化合物溶液（市販品も使用できる）と（２）化合
物溶液から有機リチウム化合物を調製した場合と同様に
して有機リチウム化合物を調製することができる。そし
て上記の反応の場合は、この有機リチウム化合物に第
一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶液を反応
温度が−１００℃〜室温付近となるように加え、加えた
後も−１００℃〜室温付近で３０分〜２０時間程度反応
させることで第二工程が終了する。上記の反応の場合
は、第一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶液
に有機リチウム化合物を反応温度が−１００℃〜室温付
近となるように加え、加えた後も−１００℃〜室温付近
で３０分〜２０時間程度反応させることで第二工程が終
了する。上記の反応の場合は、有機リチウム化合物
と、第一工程で得られたボロネート化合物前駆体の溶液
を反応温度が−１００℃〜室温付近となるように同時に
加え、加えた後も−１００℃〜室温付近で３０分〜２０
時間程度反応させることで第二工程が終了する。
【００７１】本発明における第三工程は、第二工程に引
き続いて、具体的には例えば以下のように進めることが
できる。第二工程終了後の反応液に水と適当な有機溶媒
（好ましくは、酢酸エチルやジエチルエーテル）を加え
て反応物を分配させ、水相に（５）化合物を１．２〜５
等量加え、激しく撹拌し、第二工程で得られたボレイト
金属塩のカチオン部をイオン交換させる。さらに１〜２
回水洗し、有機相のみを減圧留去する。残査にジエチル
エーテル、ヘキサン、メタノールなどの溶媒を加え、析
出物を濾取し、ジエチルエーテルやヘキサンなどの溶媒
でよく洗浄することで、（１）化合物を得ることができ
る。
き続いて、具体的には例えば以下のように進めることが
できる。第二工程終了後の反応液に水と適当な有機溶媒
（好ましくは、酢酸エチルやジエチルエーテル）を加え
て反応物を分配させ、水相に（５）化合物を１．２〜５
等量加え、激しく撹拌し、第二工程で得られたボレイト
金属塩のカチオン部をイオン交換させる。さらに１〜２
回水洗し、有機相のみを減圧留去する。残査にジエチル
エーテル、ヘキサン、メタノールなどの溶媒を加え、析
出物を濾取し、ジエチルエーテルやヘキサンなどの溶媒
でよく洗浄することで、（１）化合物を得ることができ
る。
【００７２】従来の製造方法によると、例えば（１）化
合物がテトラメチルアンモニウムメチル（４−メチルフ
ェニル）ボレイトの場合、トリ（４−メチルフェニル）
ボランを製造する際に、副反応としてテトラ（４−メチ
ルフェニル）ボレイトが副生し、純度を下げる可能性が
あるが、本発明によるとこの副反応の可能性はなく、高
純度のホウ素系化合物が得られる。
合物がテトラメチルアンモニウムメチル（４−メチルフ
ェニル）ボレイトの場合、トリ（４−メチルフェニル）
ボランを製造する際に、副反応としてテトラ（４−メチ
ルフェニル）ボレイトが副生し、純度を下げる可能性が
あるが、本発明によるとこの副反応の可能性はなく、高
純度のホウ素系化合物が得られる。
【００７３】
【実施例】以下実施例により本発明をさらに詳細に説明
するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り本発明は実施例
に限定されるものではない。 （実施例１）テトラｎ−ブチルホスホニウムメチルトリ
（４−メチルフェニル）ボレイトの製造例を示す。 （第一工程）金属マグネシウム１．００ｇ（４１．１ｍ
ｍｏｌ）にヨウ素を１０ｍｇとジエチルエーテル１０ｍ
ｌを加え、これに窒素雰囲気下、メチルブロマイドの
２．０Ｍジエチルエーテル溶液を１５．０ｍｌ（３０．
０ｍｍｏｌ）を反応温度が−２０〜−１０℃になるよう
に滴下し、さらに−１０〜０℃で２時間撹拌させた。こ
れにホウ酸トリエチル４．３８ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）
を−７８〜−７０℃で加え、さらに室温で２時間撹拌さ
せた。 （第二工程）金属マグネシウム３．００ｇ（１２３ｍｍ
ｏｌ）にヨウ素を３０ｍｇとテトラヒドロフラン３０ｍ
ｌを加え、これに窒素雰囲気下、４−ブロモトルエン１
６．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン６０
ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が６７〜７２℃になる
ように滴下し、さらに、３０〜５０℃で２時間撹拌させ
た。これに第一工程の反応液を同温度で加え、さらに３
０〜５０℃で２時間撹拌させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、ジエチル
エーテルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少し
ずつ加えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２
４０ｍｌ、０．２Ｍテトラｎ−ブチルホスホニウムブロ
マイド水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、
濃縮した。残渣にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、
析出した固体を濾取し、白色固体の目的物１３．１ｇ
（収率７８％）を得た。この白色固体のマススペクトル
を測定したところ、アニオン部が２９９、カチオン部が
２５９で理論値と一致していた。また元素分析の測定に
より、目的物の構造を確認した。この結果を表１に示し
た。
するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り本発明は実施例
に限定されるものではない。 （実施例１）テトラｎ−ブチルホスホニウムメチルトリ
（４−メチルフェニル）ボレイトの製造例を示す。 （第一工程）金属マグネシウム１．００ｇ（４１．１ｍ
ｍｏｌ）にヨウ素を１０ｍｇとジエチルエーテル１０ｍ
ｌを加え、これに窒素雰囲気下、メチルブロマイドの
２．０Ｍジエチルエーテル溶液を１５．０ｍｌ（３０．
０ｍｍｏｌ）を反応温度が−２０〜−１０℃になるよう
に滴下し、さらに−１０〜０℃で２時間撹拌させた。こ
れにホウ酸トリエチル４．３８ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）
を−７８〜−７０℃で加え、さらに室温で２時間撹拌さ
せた。 （第二工程）金属マグネシウム３．００ｇ（１２３ｍｍ
ｏｌ）にヨウ素を３０ｍｇとテトラヒドロフラン３０ｍ
ｌを加え、これに窒素雰囲気下、４−ブロモトルエン１
６．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン６０
ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が６７〜７２℃になる
ように滴下し、さらに、３０〜５０℃で２時間撹拌させ
た。これに第一工程の反応液を同温度で加え、さらに３
０〜５０℃で２時間撹拌させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、ジエチル
エーテルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少し
ずつ加えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２
４０ｍｌ、０．２Ｍテトラｎ−ブチルホスホニウムブロ
マイド水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、
濃縮した。残渣にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、
析出した固体を濾取し、白色固体の目的物１３．１ｇ
（収率７８％）を得た。この白色固体のマススペクトル
を測定したところ、アニオン部が２９９、カチオン部が
２５９で理論値と一致していた。また元素分析の測定に
より、目的物の構造を確認した。この結果を表１に示し
た。
【００７４】（実施例２）テトラメチルアンモニウムｎ
−ブチルトリｎ−オクチルボレイトの製造例を示す。 （第一工程）ホウ酸トリエチル４．３８ｇ（３０．０ｍ
ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍｌに溶かした溶液
に、窒素雰囲気下、ｎ−ブチルリチウムの１．５９Ｍヘ
キサン溶液１８．８ｍｌ（３０．０ｍｍｏｌ）を−７８
〜−７０℃で加え、さらに室温で２時間撹拌させた。 （第二工程）金属マグネシウム３．００ｇ（１２３ｍｍ
ｏｌ）に窒素雰囲気下、１−クロロオクタン１４．７ｇ
（１００ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル６０ｍｌに溶か
した溶液を滴下し、グリニアール試薬を調製した。この
グリニアール試薬を、第一工程の反応液に、反応温度が
５０℃を越えないように滴下させた。さらに３０〜５０
℃で２時間撹拌させることにより、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、ジエチル
エーテルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少し
ずつ加えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２
４０ｍｌ、０．２Ｍテトラメチルアンモニウムブロマイ
ド水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、濃縮
した。残渣にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、析出
した固体を濾取し、白色固体の目的物１１．７ｇ（収率
８１％）を得た。この白色固体のマススペクトルを測定
したところ、アニオン部が４０７、カチオン部が７４で
理論値と一致していた。また元素分析の測定により、目
的物の構造を確認した。この結果を表１に示した。
−ブチルトリｎ−オクチルボレイトの製造例を示す。 （第一工程）ホウ酸トリエチル４．３８ｇ（３０．０ｍ
ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍｌに溶かした溶液
に、窒素雰囲気下、ｎ−ブチルリチウムの１．５９Ｍヘ
キサン溶液１８．８ｍｌ（３０．０ｍｍｏｌ）を−７８
〜−７０℃で加え、さらに室温で２時間撹拌させた。 （第二工程）金属マグネシウム３．００ｇ（１２３ｍｍ
ｏｌ）に窒素雰囲気下、１−クロロオクタン１４．７ｇ
（１００ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル６０ｍｌに溶か
した溶液を滴下し、グリニアール試薬を調製した。この
グリニアール試薬を、第一工程の反応液に、反応温度が
５０℃を越えないように滴下させた。さらに３０〜５０
℃で２時間撹拌させることにより、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、ジエチル
エーテルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少し
ずつ加えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２
４０ｍｌ、０．２Ｍテトラメチルアンモニウムブロマイ
ド水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、濃縮
した。残渣にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、析出
した固体を濾取し、白色固体の目的物１１．７ｇ（収率
８１％）を得た。この白色固体のマススペクトルを測定
したところ、アニオン部が４０７、カチオン部が７４で
理論値と一致していた。また元素分析の測定により、目
的物の構造を確認した。この結果を表１に示した。
【００７５】（実施例３）テトラｎ−ブチルアンモニウ
ムｎ−ブチルトリ（４−ｔｅｔｒ−ブチルフェニル）ボ
レイトの製造例を示す。 （第一工程）ホウ酸トリエチル４．３８ｇ（３０．０ｍ
ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍｌに溶かした溶液
に、窒素雰囲気下、ｎ−ブチルリチウムの１．５９Ｍヘ
キサン溶液１８．８ｍｌ（３０．０ｍｍｏｌ）を−７８
〜−７０℃で加え、さらに室温で２時間撹拌させた。 （第二工程）第一工程終了後の反応液に、金属マグネシ
ウム３．００ｇ（１２３ｍｍｏｌ）とヨウ素３０ｍｇを
加え、これに窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−ｔｅｒｔ
−ブチルベンゼン２１．１ｇ（１００ｍｍｏｌ）をテト
ラヒドロフラン６０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が
６７〜７２℃になるように滴下し、さらに３０〜５０℃
で２時間撹拌させることにより、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、ジエチル
エーテルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少し
ずつ加えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２
４０ｍｌ、０．２Ｍテトラｎ−ブチルアンモニウムブロ
マイド水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、
濃縮した。残渣にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、
析出した固体を濾取し、白色固体の目的物１７．７ｇ
（収率８３％）を得た。この白色固体のマススペクトル
を測定したところ、アニオン部が４６７、カチオン部が
２４２で理論値と一致していた。また元素分析の測定に
より、目的物の構造を確認した。この結果を表１に示し
た。
ムｎ−ブチルトリ（４−ｔｅｔｒ−ブチルフェニル）ボ
レイトの製造例を示す。 （第一工程）ホウ酸トリエチル４．３８ｇ（３０．０ｍ
ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍｌに溶かした溶液
に、窒素雰囲気下、ｎ−ブチルリチウムの１．５９Ｍヘ
キサン溶液１８．８ｍｌ（３０．０ｍｍｏｌ）を−７８
〜−７０℃で加え、さらに室温で２時間撹拌させた。 （第二工程）第一工程終了後の反応液に、金属マグネシ
ウム３．００ｇ（１２３ｍｍｏｌ）とヨウ素３０ｍｇを
加え、これに窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−ｔｅｒｔ
−ブチルベンゼン２１．１ｇ（１００ｍｍｏｌ）をテト
ラヒドロフラン６０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が
６７〜７２℃になるように滴下し、さらに３０〜５０℃
で２時間撹拌させることにより、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、ジエチル
エーテルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少し
ずつ加えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２
４０ｍｌ、０．２Ｍテトラｎ−ブチルアンモニウムブロ
マイド水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、
濃縮した。残渣にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、
析出した固体を濾取し、白色固体の目的物１７．７ｇ
（収率８３％）を得た。この白色固体のマススペクトル
を測定したところ、アニオン部が４６７、カチオン部が
２４２で理論値と一致していた。また元素分析の測定に
より、目的物の構造を確認した。この結果を表１に示し
た。
【００７６】（実施例４）テトラｎ−ブチルアンモニウ
ムｎ−ブチルトリ（４−メチル−１−ナフチル）ボレイ
トの製造例を示す。 （第一工程）金属マグネシウム１．００ｇ（４１．１ｍ
ｍｏｌ）にヨウ素を１０ｍｇとテトラヒドロフラン１０
ｍｌを加え、これに窒素雰囲気下、ｎ−ブチルブロマイ
ド４．１１ｇ（３０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２
０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が６７〜７２℃にな
るように滴下し、さらに室温で２時間撹拌させた。これ
にホウ酸トリエチル４．３８ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）を
−７８〜−７０℃で加え、さらに室温で２時間撹拌させ
た。 （第二工程）第一工程終了後の反応液に、金属マグネシ
ウム３．００ｇ（１２３ｍｍｏｌ）とヨウ素３０ｍｇを
加え、これに窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−メチルナ
フタレン２２．１ｇ（１００ｍｍｏｌ）をテトラヒドロ
フラン６０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が６７〜７
２℃になるように滴下し、さらに３０〜５０℃で２時間
撹拌させることにより、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、酢酸エチ
ルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少しずつ加
えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２４０ｍ
ｌ、０．２Ｍテトラｎ−ブチルアンモニウムブロマイド
水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、濃縮し
た。残渣にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、析出し
た固体を濾取し、白色固体の目的物１７．０ｇ（収率７
７％）を得た。この化合物のマススペクトルを測定した
ところ、アニオン部が４９１、カチオン部が２４２で理
論値と一致していた。また元素分析の測定により、目的
物の構造を確認した。この結果を表１に示した。
ムｎ−ブチルトリ（４−メチル−１−ナフチル）ボレイ
トの製造例を示す。 （第一工程）金属マグネシウム１．００ｇ（４１．１ｍ
ｍｏｌ）にヨウ素を１０ｍｇとテトラヒドロフラン１０
ｍｌを加え、これに窒素雰囲気下、ｎ−ブチルブロマイ
ド４．１１ｇ（３０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２
０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が６７〜７２℃にな
るように滴下し、さらに室温で２時間撹拌させた。これ
にホウ酸トリエチル４．３８ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）を
−７８〜−７０℃で加え、さらに室温で２時間撹拌させ
た。 （第二工程）第一工程終了後の反応液に、金属マグネシ
ウム３．００ｇ（１２３ｍｍｏｌ）とヨウ素３０ｍｇを
加え、これに窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−メチルナ
フタレン２２．１ｇ（１００ｍｍｏｌ）をテトラヒドロ
フラン６０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が６７〜７
２℃になるように滴下し、さらに３０〜５０℃で２時間
撹拌させることにより、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、酢酸エチ
ルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少しずつ加
えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２４０ｍ
ｌ、０．２Ｍテトラｎ−ブチルアンモニウムブロマイド
水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、濃縮し
た。残渣にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、析出し
た固体を濾取し、白色固体の目的物１７．０ｇ（収率７
７％）を得た。この化合物のマススペクトルを測定した
ところ、アニオン部が４９１、カチオン部が２４２で理
論値と一致していた。また元素分析の測定により、目的
物の構造を確認した。この結果を表１に示した。
【００７７】（実施例５）テトラｎ−ブチルアンモニウ
ムｎ−ブチルトリ（４−メチル−１−ナフチル）ボレイ
トの製造例を示す。 （第一工程）金属マグネシウム４．００ｇ（１６４ｍｍ
ｏｌ）にヨウ素を１０ｍｇとホウ酸トリエチル４．３８
ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン１０ｍｌ
を加え、これに窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−メチル
ナフタレン１９．９ｇ（９０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロ
フラン６０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が６７〜７
２℃になるように滴下し、さらに３０〜５０℃で２時間
撹拌させた。 （第二工程）第一工程終了後の反応液に、ヨウ素１０ｍ
ｇを加え、これに窒素雰囲気下、ノルマルブチルブロマ
イド４．１１ｇ（３０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン
２０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が６７〜７２℃に
なるように滴下し、さらに３０〜５０℃で２時間撹拌さ
せることにより、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、酢酸エチ
ルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少しずつ加
えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２４０ｍ
ｌ、０．２Ｍテトラｎ−ブチルアンモニウムブロマイド
水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、濃縮し
た。残査にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、析出し
た固体を濾取し白色固体の目的物１７．７ｇ（収率８０
％）を得た。この化合物のマススペクトルを測定したと
ころ、アニオン部が４９１、カチオン部が２４２で理論
値と一致していた。また元素分析の測定により、目的物
の構造を確認した。この結果を表１に示した。
ムｎ−ブチルトリ（４−メチル−１−ナフチル）ボレイ
トの製造例を示す。 （第一工程）金属マグネシウム４．００ｇ（１６４ｍｍ
ｏｌ）にヨウ素を１０ｍｇとホウ酸トリエチル４．３８
ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン１０ｍｌ
を加え、これに窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−メチル
ナフタレン１９．９ｇ（９０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロ
フラン６０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が６７〜７
２℃になるように滴下し、さらに３０〜５０℃で２時間
撹拌させた。 （第二工程）第一工程終了後の反応液に、ヨウ素１０ｍ
ｇを加え、これに窒素雰囲気下、ノルマルブチルブロマ
イド４．１１ｇ（３０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン
２０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が６７〜７２℃に
なるように滴下し、さらに３０〜５０℃で２時間撹拌さ
せることにより、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、酢酸エチ
ルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少しずつ加
えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２４０ｍ
ｌ、０．２Ｍテトラｎ−ブチルアンモニウムブロマイド
水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、濃縮し
た。残査にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、析出し
た固体を濾取し白色固体の目的物１７．７ｇ（収率８０
％）を得た。この化合物のマススペクトルを測定したと
ころ、アニオン部が４９１、カチオン部が２４２で理論
値と一致していた。また元素分析の測定により、目的物
の構造を確認した。この結果を表１に示した。
【００７８】（実施例６）テトラｎ−ブチルアンモニウ
ムｎ−ブチルトリ（４−メチル−１−ナフチル）ボレイ
トの製造例を示す。 （第一工程）金属マグネシウム４．００ｇ（１６４ｍｍ
ｏｌ）にヨウ素を１０ｍｇと１．０Ｍ三塩化ホウ素のヘ
キサン溶液３０．０ｍｌ（３０．０ｍｍｏｌ）とテトラ
ヒドロフラン１０ｍｌを加え、これに窒素雰囲気下、１
−ブロモ−４−メチルナフタレン１９．９ｇ（９０ｍｍ
ｏｌ）をテトラヒドロフラン６０ｍｌに溶かした溶液
を、反応温度が６７〜７２℃になるように滴下し、さら
に３０〜５０℃で２時間撹拌させた。 （第二工程）第一工程終了後の反応液に、ヨウ素１０ｍ
ｇを加え、これに窒素雰囲気下、ｎ−ブチルブロマイド
４．１１ｇ（３０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０
ｍｌに溶かした溶液を反応温度が６７〜７２℃になるよ
うに滴下し、さらに３０〜５０℃で２時間撹拌させるこ
とにより、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、酢酸エチ
ルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少しずつ加
えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２４０ｍ
ｌ、０．２Ｍテトラｎ−ブチルアンモニウムブロマイド
水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、濃縮し
た。残査にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、析出し
た固体を濾取し、白色固体の目的物１６．５ｇ（収率７
５％）を得た。この化合物のマススペクトルを測定した
ところ、アニオン部が４９１、カチオン部が２４２で理
論値と一致していた。また元素分析の測定により、目的
物の構造を確認した。この結果を表１に示した。
ムｎ−ブチルトリ（４−メチル−１−ナフチル）ボレイ
トの製造例を示す。 （第一工程）金属マグネシウム４．００ｇ（１６４ｍｍ
ｏｌ）にヨウ素を１０ｍｇと１．０Ｍ三塩化ホウ素のヘ
キサン溶液３０．０ｍｌ（３０．０ｍｍｏｌ）とテトラ
ヒドロフラン１０ｍｌを加え、これに窒素雰囲気下、１
−ブロモ−４−メチルナフタレン１９．９ｇ（９０ｍｍ
ｏｌ）をテトラヒドロフラン６０ｍｌに溶かした溶液
を、反応温度が６７〜７２℃になるように滴下し、さら
に３０〜５０℃で２時間撹拌させた。 （第二工程）第一工程終了後の反応液に、ヨウ素１０ｍ
ｇを加え、これに窒素雰囲気下、ｎ−ブチルブロマイド
４．１１ｇ（３０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０
ｍｌに溶かした溶液を反応温度が６７〜７２℃になるよ
うに滴下し、さらに３０〜５０℃で２時間撹拌させるこ
とにより、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、酢酸エチ
ルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少しずつ加
えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２４０ｍ
ｌ、０．２Ｍテトラｎ−ブチルアンモニウムブロマイド
水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、濃縮し
た。残査にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、析出し
た固体を濾取し、白色固体の目的物１６．５ｇ（収率７
５％）を得た。この化合物のマススペクトルを測定した
ところ、アニオン部が４９１、カチオン部が２４２で理
論値と一致していた。また元素分析の測定により、目的
物の構造を確認した。この結果を表１に示した。
【００７９】（実施例７）テトラエチルアンモニウムフ
ェニルトリ（２、５−ジメチルフェニル）ボレイトの製
造例を示す。 （第一工程）金属マグネシウム１．００ｇ（４１．１ｍ
ｍｏｌ）にヨウ素を１０ｍｇとテトラヒドロフラン１０
ｍｌを加え、これに窒素雰囲気下、フェニルブロマイド
４．７１ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン
２０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が６８〜７２℃に
なるように滴下し、さらに３０〜５０℃で２時間撹拌さ
せて、グリニアール試薬を調製した。このグリニアール
試薬を、ホウ酸トリエチル４．３８ｇ（３０．０ｍｍｏ
ｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍｌに溶かした溶液に−
７８〜−７０℃で加え、さらに室温で２時間撹拌させ
た。 （第二工程）金属リチウム０．９ｇ（１２９ｍｍｏｌ）
にジエチルエーテルを３０ｍｌを加え、これに窒素雰囲
気下、１−ブロモ２、５−ジメチルベンゼン１８．３ｇ
（１００ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル６０ｍｌに溶か
した溶液を反応温度が−７５〜−６５℃になるように滴
下し、さらに同温度で２時間撹拌させた。これを第一工
程終了後の反応液に、反応温度が５℃を越えないように
滴下させた。さらに０〜５℃で２時間撹拌させることに
より、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで上がったら、ジエチル
エーテルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少し
ずつ加えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２
４０ｍｌ、０．２Ｍテトラエチルアンモニウムブロマイ
ド水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、濃縮
した。残査にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、析出
した固体を濾取し、白色固体の目的物１０．２ｇ（収率
６４％）を得た。このもののマススペクトルを測定した
ところ、アニオン部が４０３、カチオン部が１３０で理
論値と一致していた。また元素分析の測定により、目的
物の構造を確認した。この結果を表１に示した。
ェニルトリ（２、５−ジメチルフェニル）ボレイトの製
造例を示す。 （第一工程）金属マグネシウム１．００ｇ（４１．１ｍ
ｍｏｌ）にヨウ素を１０ｍｇとテトラヒドロフラン１０
ｍｌを加え、これに窒素雰囲気下、フェニルブロマイド
４．７１ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン
２０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が６８〜７２℃に
なるように滴下し、さらに３０〜５０℃で２時間撹拌さ
せて、グリニアール試薬を調製した。このグリニアール
試薬を、ホウ酸トリエチル４．３８ｇ（３０．０ｍｍｏ
ｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍｌに溶かした溶液に−
７８〜−７０℃で加え、さらに室温で２時間撹拌させ
た。 （第二工程）金属リチウム０．９ｇ（１２９ｍｍｏｌ）
にジエチルエーテルを３０ｍｌを加え、これに窒素雰囲
気下、１−ブロモ２、５−ジメチルベンゼン１８．３ｇ
（１００ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル６０ｍｌに溶か
した溶液を反応温度が−７５〜−６５℃になるように滴
下し、さらに同温度で２時間撹拌させた。これを第一工
程終了後の反応液に、反応温度が５℃を越えないように
滴下させた。さらに０〜５℃で２時間撹拌させることに
より、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで上がったら、ジエチル
エーテルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少し
ずつ加えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２
４０ｍｌ、０．２Ｍテトラエチルアンモニウムブロマイ
ド水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、濃縮
した。残査にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、析出
した固体を濾取し、白色固体の目的物１０．２ｇ（収率
６４％）を得た。このもののマススペクトルを測定した
ところ、アニオン部が４０３、カチオン部が１３０で理
論値と一致していた。また元素分析の測定により、目的
物の構造を確認した。この結果を表１に示した。
【００８０】（実施例８）テトラｎ−ブチルアンモニウ
ムｎ−ブチルトリ（４−ｔｅｔｒ−ブチルフェニル）ボ
レイトの製造例を示す。 （第一工程）２−ブトキシ−１、３、２−ジオキサボリ
ナン４．７４ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフ
ラン２０ｍｌに溶かした溶液に、窒素雰囲気下、ｎ−ブ
チルリチウムの１．５９Ｍヘキサン溶液１８．８ｍｌ
（３０．０ｍｍｏｌ）を−７８〜−７０℃で加え、さら
に室温で２時間撹拌させた。 （第二工程）第一工程終了後の反応液に、金属マグネシ
ウム３．００ｇ（１２３ｍｍｏｌ）とヨウ素３０ｍｇを
加え、これに窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−ｔｅｒｔ
−ブチルベンゼン２１．１ｇ（１００ｍｍｏｌ）をテト
ラヒドロフラン６０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が
６７〜７２℃になるように滴下し、さらに３０〜５０℃
で２時間撹拌させることにより、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、ジエチル
エーテルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少し
ずつ加えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２
４０ｍｌ、０．２Ｍテトラｎ−ブチルアンモニウムブロ
マイド水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、
濃縮した。残渣にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、
析出した固体を濾取し、白色固体の目的物１７．３ｇ
（収率８１％）を得た。この白色固体のマススペクトル
を測定したところ、アニオン部が４６７、カチオン部が
２４２で理論値と一致していた。また元素分析の測定に
より、目的物の構造を確認した。この結果を表１に示し
た。
ムｎ−ブチルトリ（４−ｔｅｔｒ−ブチルフェニル）ボ
レイトの製造例を示す。 （第一工程）２−ブトキシ−１、３、２−ジオキサボリ
ナン４．７４ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフ
ラン２０ｍｌに溶かした溶液に、窒素雰囲気下、ｎ−ブ
チルリチウムの１．５９Ｍヘキサン溶液１８．８ｍｌ
（３０．０ｍｍｏｌ）を−７８〜−７０℃で加え、さら
に室温で２時間撹拌させた。 （第二工程）第一工程終了後の反応液に、金属マグネシ
ウム３．００ｇ（１２３ｍｍｏｌ）とヨウ素３０ｍｇを
加え、これに窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−ｔｅｒｔ
−ブチルベンゼン２１．１ｇ（１００ｍｍｏｌ）をテト
ラヒドロフラン６０ｍｌに溶かした溶液を、反応温度が
６７〜７２℃になるように滴下し、さらに３０〜５０℃
で２時間撹拌させることにより、反応を完結させた。 （第三工程）反応液が室温にまで下がったら、ジエチル
エーテルを６００ｍｌ加え、次いで水１５０ｍｌを少し
ずつ加えていった。反応液を分液ロートに移液し、水２
４０ｍｌ、０．２Ｍテトラｎ−ブチルアンモニウムブロ
マイド水溶液１８０ｍｌ、水２４０ｍｌの順で洗浄後、
濃縮した。残渣にジエチルエーテルを６００ｍｌ加え、
析出した固体を濾取し、白色固体の目的物１７．３ｇ
（収率８１％）を得た。この白色固体のマススペクトル
を測定したところ、アニオン部が４６７、カチオン部が
２４２で理論値と一致していた。また元素分析の測定に
より、目的物の構造を確認した。この結果を表１に示し
た。
【００８１】
【表１】
【００８２】
【発明の効果】本発明のホウ素系化合物の製造方法によ
り、従来の方法で製造した場合と比べ、光開始剤あるい
は光吸収性消色剤として有用な高純度のホウ素系化合物
を高収率で得ることができる。
り、従来の方法で製造した場合と比べ、光開始剤あるい
は光吸収性消色剤として有用な高純度のホウ素系化合物
を高収率で得ることができる。
Claims (10)
- 【請求項１】 リチウムもしくはマグネシウムまたはそ
れらの化合物、一般式（２）で表されるハロゲン化物、
及び一般式（３）で表される化合物とを溶媒中で反応さ
せボロネート化合物前駆体を製造する第一工程と、 リチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化合物と
一般式（４）で表されるハロゲン化物と前記第一工程で
得られたボロネート化合物前駆体とを溶媒中で反応させ
ることにより、ボレイト金属塩を製造する第二工程と、 前記第二工程で得られたボレイト金属塩に一般式（５）
で表されるオニウムハライドを加えてイオン交換反応を
させる第三工程とからなることを特徴とする一般式
（１）で表されるホウ素系化合物の製造方法。 一般式（１）； 【化１】 （式中Ｒ1 とＲ2 は相異なったものであり、Ｒ1 ，Ｒ2
はそれぞれ独立して、アルキル基、アルケニル基、アリ
ール基、アラルキル基、複素環基、脂環基を表す。Ｚ+
はアンモニウムカチオン、スルホニウムカチオン、オキ
ソスルホニウムカチオン、ピリジニウムカチオン、ホス
ホニウムカチオン、またはヨードニウムカチオンを表
す。） 一般式（２）； Ｒ1 −Ｙ1 （式中Ｒ1 は一般式（１）のＲ1 と同一である。Ｙ1 は
ハロゲン原子を表す。） 一般式（３）； 【化２】 （式中Ｒ3 、Ｒ4 、およびＲ5 は同じであっても異なっ
ていてもよく、それぞれアルキルオキシ基、アルケニル
オキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、ハ
ロゲン原子を表し、Ｒ4 とＲ5 とがアルキルオキシ基、
アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオ
キシ基の場合は、Ｒ4 とＲ5 とが相互に結合し、ホウ素
原子と共に環状構造を形成していてもよい。） 一般式（４）； Ｒ2 −Ｙ2 （式中Ｒ2 は一般式（１）のＲ2 と同一である。Ｙ2 は
ハロゲン原子を表す。） 一般式（５）； Ｚ+ −Ｘ- （式中Ｚ+ は一般式（１）のＺ+ と同一である。Ｘはハ
ロゲン原子を表す。） - 【請求項２】 前記第一工程において、（Ａ）リチウム
もしくはマグネシウムまたはそれらの化合物と一般式
（２）で表されるハロゲン化物とを溶媒中で反応させ、
これに一般式（３）で表される化合物を加えて反応させ
るか、（Ｂ）一般式（３）で表される化合物に、リチウ
ムもしくはマグネシウムまたはそれらの化合物と一般式
（２）で表されるハロゲン化物とを溶媒中で反応させた
ものを加えて反応させるか、（Ｃ）リチウムもしくはマ
グネシウムまたはそれらの化合物と一般式（２）で表さ
れるハロゲン化物とを溶媒中で反応させたものと、一般
式（３）で表される化合物を同時に加えて反応させる
か、あるいは、（Ｄ）一般式（３）で表される化合物存
在下で、リチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの
化合物と一般式（２）で表されるハロゲン化物とを溶媒
中で反応させることにより、ボロネート化合物前駆体を
製造することを特徴とする、請求項１記載のホウ素系化
合物の製造方法。 - 【請求項３】 第二工程において、（Ｅ）リチウムもし
くはマグネシウムまたはそれらの化合物と一般式（４）
で表されるハロゲン化物とを溶媒中で反応させ、これに
第一工程で得られたボロネート化合物前駆体を加えて反
応させるか、（Ｆ）第一工程で得られたボロネート化合
物前駆体に、リチウムもしくはマグネシウムまたはそれ
らの化合物と一般式（４）で表されるハロゲン化物とを
溶媒中で反応させたものを加えて反応させるか、（Ｇ）
リチウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化合物と
一般式（４）で表されるハロゲン化物とを溶媒中で反応
させたものと、第一工程で得られたボロネート化合物前
駆体を同時に加えて反応させるか、あるいは、（Ｈ）第
一工程で得られたボロネート化合物前駆体存在下で、リ
チウムもしくはマグネシウムまたはそれらの化合物と一
般式（４）で表されるハロゲン化物とを溶媒中で反応さ
せることにより、ボレイト金属塩を製造することを特徴
とする、請求項１または２に記載のホウ素系化合物の製
造方法。 - 【請求項４】 第一工程に用いるリチウムもしくはマグ
ネシウムまたはそれらの化合物が、金属リチウム、金属
マグネシウムまたは有機リチウム化合物である、請求項
１〜３のいずれかに記載のホウ素系化合物の製造方法。 - 【請求項５】 第二工程に用いるリチウムもしくはマグ
ネシウムまたはそれらの化合物が、金属リチウム、金属
マグネシウムまたは有機リチウム化合物である、請求項
１〜４のいずれかに記載のホウ素系化合物の製造方法。 - 【請求項６】 第一工程と第二工程を同一の反応器で連
続して行うことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか
に記載のホウ素系化合物の製造方法。 - 【請求項７】 第一工程と第二工程に用いるリチウムも
しくはマグネシウムまたはそれらの化合物が金属マグネ
シウムであり、第二工程に用いる金属マグネシウムを第
一工程に用いる金属マグネシウムと同時に加えておくこ
とを特徴とする、請求項６に記載のホウ素系化合物の製
造方法。 - 【請求項８】 第一工程に用いる一般式（３）で表され
る化合物がホウ酸トリアルキルであることを特徴とす
る、請求項１〜７のいずれかに記載のホウ素系化合物の
製造方法。 - 【請求項９】 第二工程に用いる溶媒がテトラヒドロフ
ランであることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか
に記載のホウ素系化合物の製造方法。 - 【請求項１０】 第一工程に用いる一般式（２）で表さ
れるハロゲン化物のＲ1 が置換基を有してもよいα−ナ
フチル基または置換基を有してもよいβ−ナフチル基で
あることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載
のホウ素系化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31295798A JPH11222489A (ja) | 1997-11-12 | 1998-11-04 | ホウ素系化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-310926 | 1997-11-12 | ||
| JP31092697 | 1997-11-12 | ||
| JP31295798A JPH11222489A (ja) | 1997-11-12 | 1998-11-04 | ホウ素系化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11222489A true JPH11222489A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=26566514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31295798A Pending JPH11222489A (ja) | 1997-11-12 | 1998-11-04 | ホウ素系化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11222489A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100680428B1 (ko) | 2003-09-29 | 2007-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
| KR100680403B1 (ko) | 2003-10-06 | 2007-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
| KR100680427B1 (ko) | 2003-07-30 | 2007-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
| KR20190082775A (ko) * | 2016-11-09 | 2019-07-10 | 코베스트로 도이칠란트 아게 | 트리아릴-유기 보레이트를 제조하는 방법 |
-
1998
- 1998-11-04 JP JP31295798A patent/JPH11222489A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100680427B1 (ko) | 2003-07-30 | 2007-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
| KR100680428B1 (ko) | 2003-09-29 | 2007-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
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| KR20190082775A (ko) * | 2016-11-09 | 2019-07-10 | 코베스트로 도이칠란트 아게 | 트리아릴-유기 보레이트를 제조하는 방법 |
| US11242360B2 (en) | 2016-11-09 | 2022-02-08 | Covestro Deutschland Ag | Process for the manufacturing of triaryl-organo borates |
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