JPH11221745A - Chamfer polishing device for semiconductor wafer - Google Patents

Chamfer polishing device for semiconductor wafer

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Publication number
JPH11221745A
JPH11221745A JP2762498A JP2762498A JPH11221745A JP H11221745 A JPH11221745 A JP H11221745A JP 2762498 A JP2762498 A JP 2762498A JP 2762498 A JP2762498 A JP 2762498A JP H11221745 A JPH11221745 A JP H11221745A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
semiconductor wafer
notch
wafer
chamfered surface
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2762498A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Munezane
賢二 宗実
Akihito Yanoo
明仁 矢野尾
Akira Kawaguchi
章 川口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP2762498A priority Critical patent/JPH11221745A/en
Publication of JPH11221745A publication Critical patent/JPH11221745A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To polish all the chamfers of a semiconductor wafer including a notched one efficiently in a chamfer polishing device for semiconductor wafers. SOLUTION: The semiconductor-wafer chamfer polishing device for polishing a chamfer on the circumference of a semiconductor wafer comprises a notch polishing mechanism for polishing a notched chamfer, a front-side polishing mechanism 8 for polishing a chamfer on the front side, a rear-side polishing mechanism 11 for polishing a chamfer on the rear side, a wafer washing mechanism 12 for washing the semiconductor wafer, an unpolished wafer transfer mechanism for transferring an unpolished semiconductor wafer to any one of the notch, front-side and rear-side polishing mechanisms, mechanism-to- mechanism transfer mechanisms 7, 10,..., for transferring semiconductor wafers polished in one polishing mechanism successively to either of the other two polishing mechanisms, and a polished wafer transfer mechanism 55 for transferring a semiconductor wafer with all its chamfers polished to the wafer washing mechanism and further to a storage part after washing.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
周縁に形成された面取り面を研磨する半導体ウェーハの
面取り面研磨装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for polishing a chamfered surface formed on a peripheral edge of a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコンウェーハ等の半導体ウェーハの
周縁に形成された面取り面を食刻加工(エッチング)す
る技術として、CCR(Chemical Corne
r Rounding)加工が知られているが、このC
CR加工を施した場合、面取り面と半導体ウェーハ表裏
面との境界部分に突起が形成される。この突起は微小で
あるが、半導体ウェーハを樹脂製のカセットに収容した
とき、これがカセットに接触してカセットを削り、微小
な削り屑を生じてしまう。この削り屑が半導体ウェーハ
の性能を劣化させる原因となることはいうまでもない。
2. Description of the Related Art As a technique of etching (etching) a chamfered surface formed on a peripheral edge of a semiconductor wafer such as a silicon wafer, a CCR (Chemical Corne) is used.
r Rounding) processing is known.
When CR processing is performed, projections are formed at the boundary between the chamfered surface and the front and back surfaces of the semiconductor wafer. These projections are minute, but when the semiconductor wafer is housed in a resin cassette, the semiconductor wafer comes into contact with the cassette and scrapes the cassette, resulting in minute shavings. It goes without saying that the shavings cause the performance of the semiconductor wafer to deteriorate.

【0003】そこで、CCR加工とは別に半導体ウェー
ハの面取り面にCMP(Chemical Mecha
nical Polishing)加工を施すことが知
られている。このCMP加工は、半導体ウェーハの面取
り面に向けて研磨液を供給しながら研磨布によって研磨
する技術であって、従来、このCMP加工を実施する装
置としては、図31に示すように、研磨布が巻回された
研磨ドラムDを、半導体ウェーハWの面取り面Mに押し
付け回転させることによって研磨を行なっていた。
Therefore, apart from the CCR processing, the chamfered surface of the semiconductor wafer is subjected to CMP (Chemical Mecha).
It is known to perform a process such as a mechanical polishing process. This CMP processing is a technique of polishing with a polishing cloth while supplying a polishing liquid toward a chamfered surface of a semiconductor wafer. Conventionally, as an apparatus for performing this CMP processing, as shown in FIG. The polishing is performed by pressing the polishing drum D around which is wound on the chamfered surface M of the semiconductor wafer W and rotating it.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記C
MP加工装置には、以下のような課題が残されている。
従来、半導体ウェーハには、結晶方向の位置決めのため
にオリフラ(オリエンテーション・フラット)を形成し
たものがよく用いられていたが、近年、面内の有効活用
等の面から、図32に示すように、VノッチV等のノッ
チ部分を形成した半導体ウェーハWが多く用いられるよ
うになった。このため、ノッチ部分における面取り面に
ついても研磨を行う必要が生じたが、上記CMP加工装
置では、半導体ウェーハの周縁における表裏面の面取り
面しか研磨できず、ノッチ部分の奥まで面取り面を研磨
できないという不都合が生じていた。
However, the above C
The following problems remain in the MP processing apparatus.
Conventionally, semiconductor wafers in which an orientation flat (orientation flat) is formed for positioning in a crystal direction are often used. However, in recent years, as shown in FIG. , V notches V and the like, semiconductor wafers W having notches formed thereon have come to be widely used. For this reason, it was necessary to grind the chamfered surface at the notch portion. However, in the CMP processing apparatus, only the chamfered surface of the front and back surfaces at the periphery of the semiconductor wafer could be polished, and the chamfered surface could not be polished to the depth of the notch portion. The inconvenience has occurred.

【0005】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、半導体ウェーハのノッチ部分を含めたすべての面
取り面を効率的に研磨することができる半導体ウェーハ
の面取り面研磨装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problem, and provides a semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus capable of efficiently polishing all chamfered surfaces including notch portions of a semiconductor wafer. With the goal.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
1記載の半導体ウェーハの面取り面研磨装置では、半導
体ウェーハの周縁に形成された面取り面を研磨する半導
体ウェーハの面取り面研磨装置であって、前記半導体ウ
ェーハのノッチ部分の面取り面を研磨するノッチ研磨機
構と、前記半導体ウェーハの表面側の面取り面を研磨す
る表面側研磨機構と、前記半導体ウェーハの裏面側の面
取り面を研磨する裏面側研磨機構と、前記半導体ウェー
ハを洗浄するウェーハ洗浄機構と、未研磨の前記半導体
ウェーハを前記ノッチ研磨機構、前記表面側研磨機構ま
たは前記裏面側研磨機構のいずれか一つの研磨機構に搬
送する未研磨ウェーハ搬送機構と、前記一つの研磨機構
で研磨された半導体ウェーハを他の二つの前記研磨機構
に順次搬送する研磨機構間搬送機構と、すべての面取り
面が研磨された前記半導体ウェーハを前記ウェーハ洗浄
機構に搬送しさらに該機構により洗浄された半導体ウェ
ーハを収納部に搬送して収納する研磨済ウェーハ搬送機
構とを備えている技術が採用される。
The present invention has the following features to attain the object mentioned above. That is, in the semiconductor wafer chamfering polishing device according to claim 1, the semiconductor wafer chamfering surface polishing device for polishing a chamfered surface formed on the periphery of the semiconductor wafer, the notch portion of the semiconductor wafer chamfering surface. A notch polishing mechanism for polishing, a front side polishing mechanism for polishing a chamfered surface on the front side of the semiconductor wafer, a back side polishing mechanism for polishing a chamfered surface on the back side of the semiconductor wafer, and a wafer for cleaning the semiconductor wafer A cleaning mechanism, an unpolished wafer transport mechanism that transports the unpolished semiconductor wafer to any one of the notch polishing mechanism, the front side polishing mechanism or the back side polishing mechanism, and the one polishing mechanism. A transport mechanism between the polishing mechanisms for sequentially transporting the polished semiconductor wafer to the other two polishing mechanisms, and all chamfers There techniques and a polished wafer transfer mechanism for accommodating and transporting a semiconductor wafer that has been cleaned by the polished said transports the semiconductor wafer to the wafer cleaning mechanism further the mechanism housing portion is employed.

【0007】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、未研磨ウェーハ搬送機構により未研磨の半導体ウェ
ーハをノッチ研磨機構に搬送し、ノッチ部分を研磨した
後に研磨機構間搬送機構によって表面研磨機構または裏
面研磨機構の一方の研磨機構に半導体ウェーハを搬送
し、表面側または裏面側の一方の面取り面を研磨した後
に再び研磨機構間搬送機構によって他方の研磨機構に搬
送し、他方の面取り面を研磨する。これら全ての面取り
面の研磨が終了した後、研磨済ウェーハ搬送機構により
研磨済の半導体ウェーハをウェーハ洗浄機構に搬送する
とともに洗浄を行い、この後に再び研磨済ウェーハ搬送
機構により半導体ウェーハを収納部に搬送し収納する。
したがって、半導体ウェーハが各搬送機構により各研磨
機構に順次搬送されるので、半導体ウェーハの各面取り
面が順次研磨され、さらに研磨後に洗浄されて最終的に
収納部に収納されることにより、ノッチ部分を含めた全
ての面取り面の研磨、洗浄および収納が効率的に行われ
る。
In this apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer, an unpolished semiconductor wafer is transported to a notch polishing mechanism by an unpolished wafer transport mechanism, and the notch portion is polished. The semiconductor wafer is transported to one polishing mechanism of the mechanism, one of the chamfered surfaces on the front side or the back side is polished, and then conveyed again to the other polishing mechanism by the inter-polishing mechanism transport mechanism, and the other chamfered surface is polished. After the polishing of all the chamfered surfaces is completed, the polished semiconductor wafer is transported to the wafer cleaning mechanism and cleaned by the polished wafer transport mechanism, and then the semiconductor wafer is again moved to the storage section by the polished wafer transport mechanism. Transport and store.
Therefore, since the semiconductor wafer is sequentially transported to each polishing mechanism by each transport mechanism, each chamfered surface of the semiconductor wafer is sequentially polished, further cleaned after polishing, and finally stored in the storage section, so that the notch portion is formed. Polishing, cleaning, and storing of all chamfered surfaces including are efficiently performed.

【0008】請求項2記載の半導体ウェーハの面取り面
研磨装置では、請求項1記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置において、前記半導体ウェーハのノッチ部分
を所定方向に向けるノッチ位置決め機構を備え、前記未
研磨ウェーハ搬送機構は、未研磨の前記半導体ウェーハ
を前記ノッチ位置決め機構に搬送し該機構で位置決めし
た後に前記ノッチ研磨機構に搬送するように設定されて
いる技術が採用される。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to the first aspect, further comprising a notch positioning mechanism for directing a notch portion of the semiconductor wafer in a predetermined direction. The polishing wafer transport mechanism employs a technique that is configured to transport the unpolished semiconductor wafer to the notch positioning mechanism, position the semiconductor wafer, and then transport the semiconductor wafer to the notch polishing mechanism.

【0009】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、未研磨ウェーハ搬送機構により未研磨の半導体ウェ
ーハをノッチ位置決め機構に搬送し、半導体ウェーハの
回転等を行ってノッチ部分を所定方向に位置決めする。
この後に再び未研磨ウェーハ搬送機構により位置決めさ
れた半導体ウェーハをノッチ研磨機構に搬送する。した
がって、半導体ウェーハはノッチ研磨機構に搬送される
直前に、ノッチ位置決め機構によってノッチ部分の方向
付けが正確に行われるので、ノッチ研磨機構でのノッチ
部分の研磨が正確にかつ良好に行われる。また、研磨時
の研磨液等が半導体ウェーハに付着する前にノッチ部分
の位置決めを行うので、ノッチ位置決め機構に研磨液等
が付着することがない。
In the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer, the unpolished semiconductor wafer is transported to a notch positioning mechanism by an unpolished wafer transport mechanism, and the notch portion is positioned in a predetermined direction by rotating the semiconductor wafer.
Thereafter, the semiconductor wafer positioned by the unpolished wafer transport mechanism is transported to the notch polishing mechanism again. Therefore, just before the semiconductor wafer is conveyed to the notch polishing mechanism, the notch positioning mechanism accurately determines the orientation of the notch portion, so that the notch polishing mechanism can accurately and favorably polish the notch portion. Further, since the notch portion is positioned before the polishing liquid or the like during polishing adheres to the semiconductor wafer, the polishing liquid or the like does not adhere to the notch positioning mechanism.

【0010】なお、この場合において、ノッチ位置決め
機構、ノッチ研磨機構、表面研磨機構、裏面研磨機構、
ウェーハ洗浄機構および収納部を、平面視コ字状に順次
並べて配置することが好ましい。この場合、装置全体を
コンパクトに構成できるとともに、未研磨の半導体ウェ
ーハを導入する部分と収納部に収納された半導体ウェー
ハを取り出す部分とを同じ側面に配することが可能とな
り、半導体ウェーハの取扱いが容易となる。
In this case, a notch positioning mechanism, a notch polishing mechanism, a front surface polishing mechanism, a back surface polishing mechanism,
It is preferable to arrange the wafer cleaning mechanism and the storage section sequentially in a U-shape in plan view. In this case, the entire apparatus can be made compact, and the part for introducing the unpolished semiconductor wafer and the part for taking out the semiconductor wafer stored in the storage part can be arranged on the same side surface. It will be easier.

【0011】請求項3記載の半導体ウェーハの面取り面
研磨装置では、請求項1または2記載の半導体ウェーハ
の面取り面研磨装置において、前記ノッチ研磨機構は、
円盤状または円環状のノッチ用研磨布と、該ノッチ用研
磨布を前記半導体ウェーハの軸線に直交する方向に軸線
を有して回転可能に支持し前記ノッチ部分に研磨液を供
給しながらノッチ用研磨布の周縁部分を当接させるとと
もに回転させて摺動させるノッチ用研磨布駆動機構とを
備えている技術が採用される。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor wafer chamfer polishing apparatus, wherein the notch polishing mechanism comprises:
A disk-shaped or annular notch polishing cloth, and the notch polishing cloth having an axis in a direction orthogonal to the axis of the semiconductor wafer, rotatably supported and supplying a polishing liquid to the notch portion for the notch; A technique including a notch polishing cloth drive mechanism that makes the peripheral edge portion of the polishing cloth abut, rotates, and slides is adopted.

【0012】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、ノッチ研磨機構が円盤状または円環状のノッチ用研
磨布と、該ノッチ用研磨布をノッチ部分に回転摺動させ
るノッチ用研磨布駆動機構とを備えているので、ノッチ
部分の奥まで研磨布を当接させて摺動させることがで
き、ノッチ部分における面取り面全体が良好に研磨され
る。また、ノッチ用研磨布の回転速度を制御することに
より、研磨特性を調整することが可能である。
In the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer, the notch polishing mechanism includes a disc-shaped or annular notch polishing cloth and a notch polishing cloth drive mechanism for rotating and sliding the notch polishing cloth to the notch portion. Since it is provided, the polishing cloth can be brought into contact with the back of the notch portion and slid, so that the entire chamfered surface at the notch portion is polished well. Further, the polishing characteristics can be adjusted by controlling the rotation speed of the notch polishing cloth.

【0013】請求項4記載の半導体ウェーハの面取り面
研磨装置では、請求項1から3のいずれかに記載の半導
体ウェーハの面取り面研磨装置において、前記表面側研
磨機構および前記裏面側研磨機構は、前記半導体ウェー
ハをその円周方向に回転可能に保持するウェーハ回転機
構と、該ウェーハ回転機構に保持された半導体ウェーハ
の面取り面に研磨液を供給しながら面取り面用研磨布を
当接させるとともに摺動可能に支持する面取り面研磨機
構と、前記ウェーハ回転機構に保持された半導体ウェー
ハの外側面に研磨液を供給しながら外側面用研磨布を当
接させるとともに摺動可能に支持する外側面研磨機構と
をそれぞれ備えている技術が採用される。
According to a fourth aspect of the present invention, in the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to any one of the first to third aspects, the front-side polishing mechanism and the rear-side polishing mechanism include: A wafer rotating mechanism for rotatably holding the semiconductor wafer in a circumferential direction thereof, and a polishing cloth for chamfering while contacting a polishing cloth for chamfering while supplying a polishing liquid to the chamfering surface of the semiconductor wafer held by the wafer rotating mechanism. A chamfered surface polishing mechanism movably supported, and an outer surface polishing slidably supported by contacting an outer surface polishing cloth while supplying a polishing liquid to the outer surface of the semiconductor wafer held by the wafer rotating mechanism. And a mechanism having a mechanism.

【0014】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、前記表面側研磨機構および前記裏面側研磨機構が面
取り面研磨機構と外側面研磨機構とをそれぞれ備えてい
るので、面取り面研磨機構で面取り面用研磨布が面取り
面に当接・摺動して面取り面が研磨されるとともに、同
時に、外側面研磨機構によって外側面用研磨布が外側面
に当接・摺動することにより、該外側面も研磨される。
In this apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer, the front-side polishing mechanism and the back-side polishing mechanism each include a chamfered-surface polishing mechanism and an outer-side polishing mechanism. When the polishing cloth abuts and slides on the chamfered surface and the chamfered surface is polished, at the same time, the outer surface polishing mechanism abuts and slides the outer surface polishing cloth on the outer surface, so that the outer surface is also polished. Polished.

【0015】なお、前記面取り面研磨機構は、外周面が
前記面取り面用研磨布で覆われかつ前記半導体ウェーハ
の軸線に対して傾斜した軸線を有して回転可能に支持さ
れた面取り面用研磨ドラムと、該面取り面用研磨ドラム
を回転させる面取り面用ドラム駆動手段とを備え、前記
外側面研磨機構は、外周面が前記外側面用研磨布で覆わ
れかつ前記半導体ウェーハの軸線と平行な軸線をもって
回転可能に支持された外側面用研磨ドラムと、該外側面
用研磨ドラムを回転させる外側面用ドラム駆動手段とを
備えていることが好ましい。
[0015] The chamfering surface polishing mechanism may be configured such that an outer peripheral surface is covered with the chamfering surface polishing cloth and is rotatably supported with an axis inclined with respect to the axis of the semiconductor wafer. A drum, a chamfered surface drum driving means for rotating the chamfered surface polishing drum, wherein the outer surface polishing mechanism has an outer peripheral surface covered with the outer surface polishing cloth and parallel to an axis of the semiconductor wafer. It is preferable to include an outer surface polishing drum rotatably supported with an axis, and an outer surface drum driving means for rotating the outer surface polishing drum.

【0016】この場合では、面取り面研磨機構は、面取
り面用研磨ドラムと、面取り面用ドラム駆動手段とを備
え、外側面研磨機構は、外側面用研磨ドラムと、外側面
用ドラム駆動手段とを備えているので、回転する面取り
面用研磨ドラムおよび外側面用研磨ドラムの外周面がそ
れぞれ半導体ウェーハの面取り面および外側面に当接し
て回転摺動することにより、面取り面用研磨布および外
側面用研磨布で面取り面および外側面がそれぞれ安定か
つ良好に研磨される。また、面取り面および外側面に摺
動する研磨布の速度を面取り面用研磨ドラムおよび外側
面用研磨ドラムの回転速度で容易にかつ個別に調整する
ことができる。
In this case, the chamfering surface polishing mechanism includes a chamfering surface polishing drum and chamfering surface drum driving means, and the outer surface polishing mechanism includes an outer surface polishing drum, and an outer surface drum driving means. The outer peripheral surface of the rotating polishing drum for the chamfered surface and the outer peripheral surface of the polishing drum for the outer surface respectively come into contact with the chamfered surface and the outer surface of the semiconductor wafer and rotate and slide. The chamfered surface and the outer surface are polished stably and favorably with the side surface polishing cloth. Further, the speed of the polishing cloth sliding on the chamfered surface and the outer surface can be easily and individually adjusted by the rotational speed of the polishing drum for the chamfered surface and the polishing drum for the outer surface.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体ウェー
ハの面取り面研磨装置の一実施形態を図1から図30を
参照しながら説明する。これらの図にあって、符号1は
ウェーハ取り出し機構(未研磨ウェーハ搬送機構)、2
はウェーハ位置決めユニット、3はウェーハ搬送機構
(研磨機構間搬送機構)、4はノッチ研磨室、5はノッ
チ研磨機構、6は表面研磨室、7は表面研磨室移送機構
(研磨機構間搬送機構)、8は表面研磨機構、9は裏面
研磨室、10は裏面研磨室移送機構(研磨機構間搬送機
構)、11は裏面研磨機構、12はウェーハ洗浄機構、
13はウェーハ収納機構を示している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a chamfered surface polishing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In these figures, reference numeral 1 denotes a wafer unloading mechanism (unpolished wafer transport mechanism), 2
Is a wafer positioning unit, 3 is a wafer transport mechanism (transport mechanism between polishing mechanisms), 4 is a notch polishing chamber, 5 is a notch polishing mechanism, 6 is a surface polishing chamber, and 7 is a transport mechanism between surface polishing chambers (transport mechanism between polishing mechanisms). , 8 is a front side polishing mechanism, 9 is a back side polishing chamber, 10 is a back side polishing chamber transfer mechanism (transport mechanism between polishing mechanisms), 11 is a back side polishing mechanism, 12 is a wafer cleaning mechanism,
Reference numeral 13 denotes a wafer storage mechanism.

【0018】本実施形態の半導体ウェーハの面取り面研
磨装置は、図1に示すように、半導体ウェーハWを取り
出し用カセットC1から取り出すウェーハ取り出し機構
1と、該ウェーハ取り出し機構1から取り出された半導
体ウェーハWの位置決めを行うウェーハ位置決めユニッ
ト2と、該ウェーハ位置決めユニット2で位置決めされ
た半導体ウェーハWを搬送して半導体ウェーハWのVノ
ッチ、表面側および裏面側の各研磨工程に送るウェーハ
搬送機構3と、ノッチ研磨室4において半導体ウェーハ
WのVノッチを研磨するノッチ研磨機構5とを備えてい
る。
As shown in FIG. 1, the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to the present embodiment includes a wafer removal mechanism 1 for removing a semiconductor wafer W from a removal cassette C1, and a semiconductor wafer removed from the wafer removal mechanism 1. A wafer positioning unit 2 for positioning W, a wafer transfer mechanism 3 for transferring the semiconductor wafer W positioned by the wafer positioning unit 2 and sending the semiconductor wafer W to each of the V-notch, front side and back side polishing processes of the semiconductor wafer W; And a notch polishing mechanism 5 for polishing a V notch of the semiconductor wafer W in the notch polishing chamber 4.

【0019】また、本実施形態の半導体ウェーハの面取
り面研磨装置は、Vノッチ研磨後にウェーハ搬送機構3
で搬送される半導体ウェーハWを表面側の研磨が行われ
る表面研磨室6へ移送し研磨後にウェーハ搬送機構3へ
と戻す表面研磨室移送機構7と、表面研磨室6において
半導体ウェーハWの表面側を研磨する表面研磨機構8
と、表面側が研磨され再びウェーハ搬送機構3で搬送さ
れる半導体ウェーハWを裏面側の研磨が行われる裏面研
磨室9へ移送し研磨後にウェーハ搬送機構3へと戻す裏
面研磨室移送機構10と、裏面研磨室9において半導体
ウェーハWの裏面側を研磨する裏面研磨機構11とを備
えている。
Further, the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to the present embodiment employs a wafer transfer mechanism 3 after V-notch polishing.
A surface polishing chamber transfer mechanism 7 for transferring the semiconductor wafer W conveyed to the surface polishing chamber 6 where the front side polishing is performed and returning the semiconductor wafer W to the wafer transfer mechanism 3 after polishing, and the front side of the semiconductor wafer W in the surface polishing chamber 6 Polishing mechanism 8 for polishing the surface
A backside polishing chamber transfer mechanism 10 for transferring the semiconductor wafer W whose front side is polished and transferred again by the wafer transfer mechanism 3 to the backside polishing chamber 9 where the backside polishing is performed, and returning to the wafer transfer mechanism 3 after polishing; A backside polishing mechanism 11 is provided for polishing the backside of the semiconductor wafer W in the backside polishing chamber 9.

【0020】さらに、本実施形態の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置は、裏面側が研磨され再びウェーハ搬送
機構3で搬送される半導体ウェーハWを洗浄するウェー
ハ洗浄機構12と、該ウェーハ洗浄機構12で洗浄され
た半導体ウェーハWを収納用カセット(収納部)C2に
収納するウェーハ収納機構13と、前記各機構に電気的
に接続されこれらを制御する操作制御部14とを備えて
いる。なお、取り出し用カセットC1、ウェーハ位置決
めユニット2、ノッチ研磨機構5、表面研磨機構8、裏
面研磨機構11、ウェーハ洗浄機構12および収納用カ
セットC2は、平面視コ字状に順次並べて配置されてい
る。
Further, the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to the present embodiment includes a wafer cleaning mechanism 12 for cleaning a semiconductor wafer W whose back side is polished and conveyed again by the wafer conveyance mechanism 3, and a cleaning by the wafer cleaning mechanism 12. A wafer storage mechanism 13 for storing the semiconductor wafers W stored in a storage cassette (storage unit) C2, and an operation control unit 14 electrically connected to each of the above mechanisms and controlling them. Note that the take-out cassette C1, the wafer positioning unit 2, the notch polishing mechanism 5, the front surface polishing mechanism 8, the back surface polishing mechanism 11, the wafer cleaning mechanism 12, and the storage cassette C2 are sequentially arranged in a U-shape in plan view. .

【0021】前記ウェーハ取り出し機構1は、図1およ
び図2に示すように、基台20の上面に載置された取り
出し用カセットC1と、基台20に設けられ取り出し用
カセットC1から半導体ウェーハWを取り出し用ハンド
21で吸着し一枚づつ取り出してウェーハ位置決めユニ
ット2へと移載するローダーユニット22とを備えてい
る。
As shown in FIGS. 1 and 2, the wafer take-out mechanism 1 includes a take-out cassette C1 mounted on the upper surface of the base 20, and a semiconductor wafer W from the take-out cassette C1 provided on the base 20. And a loader unit 22 for picking up the wafers one by one, taking them out one by one, and transferring them to the wafer positioning unit 2.

【0022】前記取り出し用カセットC1は、収納され
ている複数の半導体ウェーハWが水平状態となるように
載置され、各半導体ウェーハWを取り出す方向がローダ
ーユニット22に向かうように設置される。また、前記
ローダーユニット22は、取り出し用ハンド21を水平
状態に配し、該取り出し用ハンド21は、水平方向に回
転可能とされるとともに半径方向に進退可能とされ、さ
らに上下動可能に支持されている。
The unloading cassette C1 is placed so that a plurality of stored semiconductor wafers W are placed in a horizontal state, and the unloading cassette C1 is installed so that the unloading direction of each semiconductor wafer W is directed to the loader unit 22. Further, the loader unit 22 arranges the picking hand 21 in a horizontal state, and the picking hand 21 is rotatable in a horizontal direction and movable in a radial direction, and is supported so as to be able to move up and down. ing.

【0023】前記ウェーハ位置決めユニット2は、図3
から図5に示すように、取り出し用カセットC1に隣接
して基台20に設けられ、取り出し用カセットC1から
取り出された半導体ウェーハWをローダーユニット22
から受け取り、載置台23上でセンタリング(芯出し)
およびVノッチVの方向決めを行うものである。
The wafer positioning unit 2 is shown in FIG.
As shown in FIG. 5 to FIG. 5, the semiconductor wafer W taken out of the take-out cassette C1 is provided on the base 20 adjacent to the take-out cassette C1.
And centering (centering) on the mounting table 23
And the direction of the V notch V is determined.

【0024】ウェーハ位置決めユニット2は、載置台2
3上の半導体ウェーハWの芯出しを行うセンタリング機
構25と、載置台23を回転させる載置台回転機構26
と、VノッチVの方向決めを行うノッチ位置決め機構2
7とを備えている。載置台回転機構26は、複数の支持
柱24によって支持され、これら支持柱24に接続され
た図示しない駆動源により支持柱24とともに上下動可
能とされている。
The wafer positioning unit 2 includes a mounting table 2
A centering mechanism 25 for centering the semiconductor wafer W on the mounting table 3 and a mounting table rotating mechanism 26 for rotating the mounting table 23
Notch positioning mechanism 2 for determining the direction of V notch V
7 is provided. The mounting table rotation mechanism 26 is supported by a plurality of support columns 24, and can be moved up and down together with the support columns 24 by a driving source (not shown) connected to these support columns 24.

【0025】前記センタリング機構25は、水平状態の
平板部28上に周縁部に周方向に等間隔に配された複数
の押圧機構29と、これら押圧機構29と押圧用連結部
材30で連結された回転可能なリング部材31とを備え
ている。前記押圧機構29は、平板部28上に固定され
た支持軸部材32と、平板部28の中心に対して半径方
向に移動可能に支持軸部材32に支持されたスライド部
材33とを備え、該スライド部材33は、上部に回転可
能な円筒状押圧部材34が垂直な軸線をもって取り付け
られている。
The centering mechanism 25 is connected to a plurality of pressing mechanisms 29 which are arranged at equal intervals in the circumferential direction on the periphery of the flat plate portion 28 in a horizontal state, and these pressing mechanisms 29 are connected to the pressing connecting members 30. And a rotatable ring member 31. The pressing mechanism 29 includes a support shaft member 32 fixed on the flat plate portion 28, and a slide member 33 supported by the support shaft member 32 movably in a radial direction with respect to the center of the flat plate portion 28. The slide member 33 has a rotatable cylindrical pressing member 34 attached to the upper portion thereof with a vertical axis.

【0026】また、前記リング部材31は、平板部28
上に平板部28の中心と同軸に回転可能に設けられ、周
方向に等間隔に複数の押圧用連結部材30の一端が連結
されている。これら押圧用連結部材30の他端は、それ
ぞれ対応する押圧機構29に連結されている。リング部
材31は、下面に同軸に配されたリングギヤ35に固定
され、該リングギヤ35は、駆動用ギヤ36に噛み合っ
ている。該駆動用ギヤ36には、平板部28の下面に取
り付けられたリング回転用モータ37の回転軸が固定さ
れており、該リング回転用モータ37の駆動により、駆
動用ギヤ36、リングギヤ35およびリング部材31が
回転させられる。
The ring member 31 has a flat plate portion 28.
One end of a plurality of pressing connection members 30 is provided on the upper side so as to be rotatable coaxially with the center of the flat plate portion 28, and at equal intervals in the circumferential direction. The other end of each of the pressing connecting members 30 is connected to a corresponding pressing mechanism 29. The ring member 31 is fixed to a ring gear 35 coaxially arranged on the lower surface, and the ring gear 35 is engaged with a driving gear 36. A rotating shaft of a ring rotating motor 37 attached to the lower surface of the flat plate portion 28 is fixed to the driving gear 36. The driving gear 36, the ring gear 35 and the ring gear 35 are driven by the driving of the ring rotating motor 37. The member 31 is rotated.

【0027】すなわち、リング部材31が回転すること
によって、各押圧用連結部材30に連結された複数の押
圧機構29の円筒状押圧部材34が半径方向内側に向か
って同様に移動することとなる。
That is, as the ring member 31 rotates, the cylindrical pressing members 34 of the plurality of pressing mechanisms 29 connected to the respective pressing connecting members 30 similarly move radially inward.

【0028】前記載置台回転機構26は、平板部28下
面に垂下状態に固定された支持板38に固定された円筒
部支持部材39と、該円筒部支持部材39に垂直状態に
固定された円筒部40と、該円筒部40の下部に固定さ
れた載置台回転用モータ41と、該載置台回転用モータ
41の回転軸に接続され円筒部40内に挿通された回転
軸部材42とを備えている。載置台23は、回転軸部材
42の先端に同軸に取り付けられており、載置台回転用
モータ41の回転により、回転軸部材42を介して回転
可能となっている。
The table rotating mechanism 26 includes a cylindrical support member 39 fixed to a support plate 38 fixed to the lower surface of the flat plate portion 28 in a hanging state, and a cylindrical member fixed to the cylindrical support member 39 in a vertical state. A mounting table rotating motor 41 fixed to a lower portion of the cylindrical section 40; and a rotating shaft member 42 connected to the rotating shaft of the mounting table rotating motor 41 and inserted into the cylindrical section 40. ing. The mounting table 23 is coaxially attached to the tip of the rotating shaft member 42, and is rotatable via the rotating shaft member 42 by the rotation of the mounting table rotating motor 41.

【0029】また、載置台回転機構26には、載置台2
3に載せられた半導体ウェーハWを吸着する載置台用吸
着手段43も備えている。該載置台用吸着手段43は、
円筒部40の側部に一端が接続された接続管44を備
え、該接続管44は、他端が図示しない真空ポンプ等に
接続されている。接続管44の一端は、さらに円筒部4
0内部の接続孔(図示略)を介して、載置台23上面に
開口端を有する複数の載置台吸着孔23aに接続されて
いる。すなわち、載置台23上の半導体ウェーハWは、
真空ポンプ等によって載置台吸着孔23aに吸着され固
定される。
The mounting table rotating mechanism 26 includes the mounting table 2.
The mounting table suction means 43 for sucking the semiconductor wafer W placed on the mounting table 3 is also provided. The mounting table suction means 43 includes:
A connection pipe 44 having one end connected to the side of the cylindrical portion 40 is provided, and the other end of the connection pipe 44 is connected to a vacuum pump or the like (not shown). One end of the connection pipe 44 is further connected to the cylindrical portion 4.
The mounting table 23 is connected to a plurality of mounting table suction holes 23a having open ends on the upper surface of the mounting table 23 through connection holes (not shown). That is, the semiconductor wafer W on the mounting table 23
It is sucked and fixed to the mounting table suction hole 23a by a vacuum pump or the like.

【0030】前記ノッチ位置決め機構27は、平板部2
8の外縁部の一部に設けられたノッチ用押圧シリンダ4
5と、ノッチ検出センサ46とを備えている。ノッチ用
押圧シリンダ45は、載置台23の半径方向に移動可能
なノッチ用ピストン部45aを有し、ノッチ用ピストン
部45aの先端上部には、位置決め突起部45bが取り
付けられている。該位置決め突起部45bは、先端を載
置台23の半径方向内側に向けて配され、先端の断面形
状がVノッチVと同様のV字状とされている。すなわ
ち、位置決め突起部45bが、VノッチVに差し込まれ
ることにより、VノッチVの位置決めを確認すると共に
方向決めが行われる。
The notch positioning mechanism 27 includes a flat plate portion 2
Press cylinder 4 for notch provided on a part of the outer edge portion 8
5 and a notch detection sensor 46. The notch pressing cylinder 45 has a notch piston 45a that can move in the radial direction of the mounting table 23, and a positioning protrusion 45b is attached to the upper end of the notch piston 45a. The positioning projection 45b is disposed with its tip directed radially inward of the mounting table 23, and has a V-shaped cross section at the tip similar to the V notch V. That is, by inserting the positioning projection 45b into the V notch V, the positioning of the V notch V is confirmed and the direction is determined.

【0031】また、ノッチ検出センサ46は、位置決め
突起部45bから周方向に所定角度離れた位置の上方お
よび下方に配された発光側光ファイバ47および受光側
光ファイバ(図示せず)を備えている。発光側光ファイ
バ47は、内部に導波されたレーザ光等をその先端から
下方の受光側光ファイバに投射するものであり、受光側
光ファイバは、発光側光ファイバ47からの光を内部に
導波させて図示しない受光素子により検出するものであ
る。
The notch detection sensor 46 includes a light-emitting side optical fiber 47 and a light-receiving side optical fiber (not shown) disposed above and below a position spaced apart from the positioning projection 45b by a predetermined angle in the circumferential direction. I have. The light-emitting side optical fiber 47 projects laser light or the like guided therein to the lower light-receiving side optical fiber from its tip, and the light-receiving side optical fiber receives light from the light-emitting side optical fiber 47 inside. The light is guided and detected by a light receiving element (not shown).

【0032】すなわち、発光側光ファイバ47および受
光側光ファイバの先端は、載置台23上でセンタリング
された半導体ウェーハWの外周縁の直上および直下にそ
れぞれ一致させて配され、半導体ウェーハWが回転して
VノッチVが発光側光ファイバ47の直下に移動した場
合にのみ、発光側光ファイバ47からの光が受光側光フ
ァイバ内に導波されて検出されVノッチVがこの位置を
通過したことが検知される。
That is, the tips of the light-emitting side optical fiber 47 and the light-receiving side optical fiber are disposed so as to coincide with and just above the outer peripheral edge of the semiconductor wafer W centered on the mounting table 23, respectively. Only when the V notch V moves directly below the light emitting side optical fiber 47, light from the light emitting side optical fiber 47 is guided into the light receiving side optical fiber and detected, and the V notch V passes through this position. Is detected.

【0033】前記ウェーハ搬送機構3は、図1、図6お
よび図10に示すように、ウェーハ位置決めユニット2
によって位置決めされた半導体ウェーハWを第1受け渡
し部48でノッチ研磨機構5および表面研磨室移送機構
7に受け渡す第1搬送部49と、半導体ウェーハWのV
ノッチVおよび表面側の研磨後に半導体ウェーハWを表
面研磨室移送機構7から第1受け渡し部48で受け取っ
て第2受け渡し部50へ移送する第2搬送部51と、第
2受け渡し部50で半導体ウェーハWを反転させる反転
ユニット52と、該反転ユニット52によって反転され
た半導体ウェーハWを受け取って第3受け渡し部53で
裏面研磨室移送機構10に受け渡す第3搬送部54と、
裏面研磨機構11によって裏面側が研磨された半導体ウ
ェーハWを裏面研磨室移送機構10から受け取ってウェ
ーハ洗浄機構12およびウェーハ収納機構13に受け渡
すアンローダーユニット(研磨済ウェーハ搬送機構)5
5とから構成されている。前記第1〜第3搬送部49、
51、54およびアンローダーユニット55は、基台2
0上にコ字状に順次配されている。
As shown in FIGS. 1, 6, and 10, the wafer transfer mechanism 3
The first transfer part 49 for transferring the semiconductor wafer W positioned by the first transfer part 48 to the notch polishing mechanism 5 and the surface polishing chamber transfer mechanism 7 at the first transfer part 48, and the V of the semiconductor wafer W
After the polishing of the notch V and the front side, the semiconductor wafer W is received by the first transfer unit 48 from the surface polishing chamber transfer mechanism 7 and transferred to the second transfer unit 50, and the semiconductor wafer W is transferred by the second transfer unit 50. A reversing unit 52 for reversing W, a third transfer unit 54 for receiving the semiconductor wafer W inverted by the reversing unit 52 and transferring the semiconductor wafer W to the back surface polishing chamber transfer mechanism 10 at a third transfer unit 53;
An unloader unit (polished wafer transfer mechanism) 5 that receives the semiconductor wafer W whose back side has been polished by the back side polishing mechanism 11 from the back side polishing chamber transfer mechanism 10 and transfers it to the wafer cleaning mechanism 12 and the wafer storage mechanism 13.
And 5. The first to third transport units 49,
51, 54 and the unloader unit 55
It is sequentially arranged in a U-shape on 0.

【0034】前記第1搬送部49は、図1、図6および
図7に示すように、先端部に形成された吸着溝56aで
半導体ウェーハWを吸着して支持する第1ハンド56
と、該第1ハンド56をウェーハ位置決めユニット2と
第1受け渡し部48との間で水平移動可能に支持する第
1ロッドレスシリンダ57と、第1ハンド56を上下動
可能に支持する第1上下動シリンダ58と、第1ハンド
56の吸着溝56a、第1ロッドレスシリンダ57およ
び第1上下動シリンダ58にそれぞれ個別に接続された
吸引用・圧縮空気供給用の各配管を束ねた第1配管部5
9とを備えているを備えている。
As shown in FIGS. 1, 6 and 7, the first transfer section 49 is provided with a first hand 56 for sucking and supporting the semiconductor wafer W by a suction groove 56a formed at the tip end.
A first rodless cylinder 57 that supports the first hand 56 so as to be able to move horizontally between the wafer positioning unit 2 and the first transfer unit 48; A first cylinder in which a suction cylinder and a suction air supply pipe connected individually to the suction groove 56a of the first hand 56, the first rodless cylinder 57, and the first vertical movement cylinder 58 are bundled; Part 5
9 is provided.

【0035】前記第1ロッドレスシリンダ57は、基台
20上に立設された柱部材60に水平状態に固定された
第1梁部材61に支持されており、ウェーハ位置決めユ
ニット2の上方から第1受け渡し部48の上方まで配さ
れている。第1ロッドレスシリンダ57の第1可動部6
2は、垂下状態に支持され、その下部には、第1上下動
部63が上下動可能に支持されている。また、該第1上
下動部63の下端には、第1ハンド56の基端部が固定
されている。
The first rodless cylinder 57 is supported by a first beam member 61 fixed to a column member 60 erected on the base 20 in a horizontal state. It is arranged up to the upper part of the one transfer part 48. First movable part 6 of first rodless cylinder 57
2 is supported in a hanging state, and a lower part thereof is supported by a first vertically movable part 63 so as to be vertically movable. In addition, a base end of the first hand 56 is fixed to a lower end of the first vertically moving unit 63.

【0036】すなわち、第1上下動部63は、第1可動
部62に設置された第1上下動シリンダ58によって第
1ハンド56とともに上下させられる。また、第1可動
部62は、第1ロッドレスシリンダ57と平行して設け
られた第1ガイド部64に水平移動可能に支持されてい
る。前記第1ハンド56は、先端部分が略円弧状に形成
され、第1ロッドレスシリンダ57の延在方向に対して
斜め方向に水平状態に延在して設置されている。
That is, the first vertically moving section 63 is moved up and down together with the first hand 56 by the first vertically moving cylinder 58 installed in the first movable section 62. Further, the first movable portion 62 is supported by a first guide portion 64 provided in parallel with the first rodless cylinder 57 so as to be horizontally movable. The first hand 56 has a distal end portion formed in a substantially arc shape, and is installed so as to extend horizontally in a direction oblique to the extending direction of the first rodless cylinder 57.

【0037】前記第2搬送部51は、先端部に形成され
た複数の吸着孔65aで半導体ウェーハWを吸着して支
持する第2ハンド65と、該第2ハンド65を第1受け
渡し部48と第2受け渡し部50との間で水平移動可能
に支持する第2ロッドレスシリンダ66と、第2ハンド
65を上下動可能に支持する第2上下動シリンダ(図示
せず)と、第2ハンド65の吸着孔65a、第2ロッド
レスシリンダ66および第2上下動シリンダにそれぞれ
個別に接続された吸引用・圧縮空気供給用の各配管を束
ねた第2配管部68とを備えている。
The second transfer section 51 includes a second hand 65 that suctions and supports the semiconductor wafer W by a plurality of suction holes 65a formed at the tip end, and a second transfer section 48 that transfers the second hand 65 to the first transfer section 48. A second rodless cylinder 66 that supports the second hand 65 so as to be able to move horizontally with the second transfer unit 50; a second vertical movement cylinder (not shown) that supports the second hand 65 so that the second hand 65 can move up and down; , A second rodless cylinder 66, and a second pipe section 68 which bundles respective pipes for suction and compressed air supply which are individually connected to the second vertically moving cylinder.

【0038】前記第2ロッドレスシリンダ66は、基台
20上に立設された2つの柱部材60に第1梁部材61
より高く水平状態に固定された第2梁部材69に支持さ
れており、第1受け渡し部48の上方から第2受け渡し
部50の上方まで、すなわち第1ロッドレスシリンダ5
7と平面視で直交する方向に配されている。第2ロッド
レスシリンダ66の第2可動部70は、垂下状態に支持
され、その下部には、第2上下動部71が上下動可能に
支持されている。また、該第2上下動部71の下端に
は、第2ハンド65の基端部が固定されている。
The second rodless cylinder 66 includes a first beam member 61 and two column members 60 erected on the base 20.
It is supported by a second beam member 69 fixed in a higher and horizontal state, and extends from above the first transfer portion 48 to above the second transfer portion 50, that is, the first rodless cylinder 5.
7 are arranged in a direction orthogonal to the plane view. The second movable portion 70 of the second rodless cylinder 66 is supported in a hanging state, and a second vertically moving portion 71 is supported below the second movable portion 70 so as to be vertically movable. Further, a base end of the second hand 65 is fixed to a lower end of the second vertical moving unit 71.

【0039】すなわち、第2上下動部71は、第2可動
部70に設置された第2上下動シリンダによって第2ハ
ンド65とともに上下させられる。また、第2可動部7
0は、第2ロッドレスシリンダ66と平行して設けられ
た第2ガイド部72に水平移動可能に支持されている。
前記第2ハンド65は、T字状に形成され、第2ロッド
レスシリンダ66の延在方向に平面視で直交する方向に
水平状態に延在して設置されている。
That is, the second vertically moving section 71 is moved up and down together with the second hand 65 by the second vertically moving cylinder installed on the second movable section 70. Also, the second movable part 7
Numeral 0 is horizontally supported by a second guide portion 72 provided in parallel with the second rodless cylinder 66.
The second hand 65 is formed in a T shape, and is installed so as to extend in a horizontal state in a direction orthogonal to the extending direction of the second rodless cylinder 66 in a plan view.

【0040】前記反転ユニット52は、図1に示すよう
に、第2受け渡し部50を挟んで第2ロッドレスシリン
ダ66と対向する位置に配された反転用アクチュエータ
73と、該反転用アクチュエータ73の回転軸に基端を
固定し第2受け渡し部50上に水平状態に延在する回転
可能な反転用ハンド74とを備えている。
As shown in FIG. 1, the reversing unit 52 includes a reversing actuator 73 disposed at a position facing the second rodless cylinder 66 with the second transfer portion 50 interposed therebetween. A rotatable reversing hand 74 having a base end fixed to the rotating shaft and extending horizontally on the second transfer section 50 is provided.

【0041】前記第3搬送部54は、先端部に形成され
た複数の吸着孔75aで半導体ウェーハWを吸着して支
持する第3ハンド75と、該第3ハンド75を第2受け
渡し部50と第3受け渡し部53との間で水平移動可能
に支持する第3ロッドレスシリンダ76と、第3ハンド
75を上下動可能に支持する第3上下動シリンダ(図示
せず)と、第3ハンド75の吸着孔75a、第3ロッド
レスシリンダ76および第3上下動シリンダにそれぞれ
個別に接続された吸引用・圧縮空気供給用の各配管を束
ねた第3配管部78とを備えている。
The third transfer section 54 includes a third hand 75 that suctions and supports the semiconductor wafer W by a plurality of suction holes 75 a formed at the tip end, and a third hand 75 that transfers the third hand 75 to the second transfer section 50. A third rodless cylinder 76 which supports the third hand 75 so as to be able to move horizontally with the third transfer portion 53, a third vertical movement cylinder (not shown) which supports the third hand 75 so as to be vertically movable, and a third hand 75 , A third rodless cylinder 76, and a third pipe section 78 which bundles respective pipes for suction and compressed air supply which are individually connected to the third vertical cylinder.

【0042】前記第3ロッドレスシリンダ76は、第2
梁部材69に支持されており、第2受け渡し部50の上
方から第3受け渡し部53の上方まで、すなわち第2ロ
ッドレスシリンダ66と平行に配されている。第3ロッ
ドレスシリンダ76の第3可動部79は、垂下状態に支
持され、その下部には、第3上下動部80が上下動可能
に支持されている。また、該第3上下動部80の下端に
は、第3ハンド75の基端部が固定されている。
The third rodless cylinder 76 is
It is supported by the beam member 69 and is arranged from above the second transfer portion 50 to above the third transfer portion 53, that is, in parallel with the second rodless cylinder 66. The third movable part 79 of the third rodless cylinder 76 is supported in a hanging state, and a third vertically moving part 80 is supported below the third movable part 79 so as to be vertically movable. Further, a base end of a third hand 75 is fixed to a lower end of the third vertically moving unit 80.

【0043】すなわち、第3上下動部80は、第3可動
部79に設置された第3上下動シリンダによって第3ハ
ンド75とともに上下させられる。また、第3可動部7
9は、第3ロッドレスシリンダ76と平行して設けられ
た第2ガイド部72に水平移動可能に支持されている。
前記第3ハンド75は、T字状に形成され、第3ロッド
レスシリンダ76の延在方向に平面視で直交する方向に
水平状態に延在して設置されている。
That is, the third vertically moving section 80 is moved up and down together with the third hand 75 by the third vertically moving cylinder installed in the third movable section 79. Also, the third movable part 7
9 is supported by a second guide portion 72 provided in parallel with the third rodless cylinder 76 so as to be horizontally movable.
The third hand 75 is formed in a T shape, and is installed so as to extend in a horizontal state in a direction perpendicular to the extending direction of the third rodless cylinder 76 in a plan view.

【0044】前記アンローダーユニット55は、基台2
0上に立設された柱部材60に水平状態に固定されたア
ンローダー用梁部材81に垂下状態に支持されており、
該アンローダー用梁部材81に取り付けられた水平方向
移動装置82によってアンローダー用梁部材81の延在
方向、すなわち第3ロッドレスシリンダ76の延在方向
に平面視で直交する方向に沿って第3受け渡し部53、
ウェーハ洗浄機構12およびウェーハ収納機構13の間
を移動可能とされている。
The unloader unit 55 includes the base 2
0 is supported in a hanging state by an unloader beam member 81 fixed horizontally to the column member 60 erected on
The horizontal moving device 82 attached to the unloader beam member 81 moves the unloader beam member 81 along the extending direction of the unloader beam member 81, that is, in the direction orthogonal to the extending direction of the third rodless cylinder 76 in plan view. 3 delivery part 53,
It is movable between the wafer cleaning mechanism 12 and the wafer storage mechanism 13.

【0045】前記水平方向移動装置82の側面には、垂
下状態にアンローダーガイド83が支持され、該アンロ
ーダーガイド83にはハンド揺動回転部84が上下動可
能に支持されている。該ハンド揺動回転部84には、L
字状のアンローダー用ハンド85の基端が取り付けら
れ、該アンローダー用ハンド85が第3ロッドレスシリ
ンダ76の延在方向と平行な水平軸線を中心に揺動可能
に支持されている。
An unloader guide 83 is supported on a side surface of the horizontal moving device 82 in a hanging state, and a hand swinging rotating portion 84 is supported on the unloader guide 83 so as to be vertically movable. The hand swing rotation unit 84 has
A base end of a U-shaped unloader hand 85 is attached, and the unloader hand 85 is supported swingably about a horizontal axis parallel to the extending direction of the third rodless cylinder 76.

【0046】また、ハンド揺動回転部84は、アンロー
ダー用ハンド85を揺動させる揺動用ロータリーアクチ
ュエータと、ハンド揺動回転部84自体を上下動させる
上下動用ロータリーアクチュエータとを備えている。
The hand swing rotation section 84 includes a swing rotary actuator for swinging the unloading hand 85 and a vertical movement rotary actuator for vertically moving the hand swing rotation section 84 itself.

【0047】前記アンローダー用ハンド85は、先端部
に図示しない吸引手段に接続された複数の吸着孔85a
が形成され、これら吸着孔85aによって第3受け渡し
部53に移送された半導体ウェーハWを吸着して支持す
るものである。このアンローダー用ハンド85は、揺動
用ロータリーアクチュエータによって、その先端部が水
平状態および垂直状態になるように揺動可能である。
The unloader hand 85 has a plurality of suction holes 85a connected to suction means (not shown) at its tip.
Are formed to suck and support the semiconductor wafer W transferred to the third transfer section 53 by the suction holes 85a. The unloader hand 85 can be swung by a swing rotary actuator so that the tip end thereof is in a horizontal state and a vertical state.

【0048】前記第1受け渡し部48、第2受け渡し部
50および第3受け渡し部53は、図1および図6に示
すように、順次一方向に並べられて配されている。第1
受け渡し部48は、第1搬送部49に隣接して設けら
れ、表面研磨室移送機構7を挟んで表面研磨室6に対向
して位置している。なお、第1受け渡し部48の下方に
は、ノッチ研磨室4が設けられている。
The first transfer section 48, the second transfer section 50 and the third transfer section 53 are arranged in one direction as shown in FIGS. 1 and 6. First
The transfer section 48 is provided adjacent to the first transport section 49 and is located opposite the surface polishing chamber 6 with the surface polishing chamber transfer mechanism 7 interposed therebetween. The notch polishing chamber 4 is provided below the first transfer section 48.

【0049】また、前記第3受け渡し部53は、アンロ
ーダーユニット55に隣接して設けられ、裏面研磨室移
送機構10を挟んで裏面研磨室9に対向して位置してい
る。第2受け渡し部50は、第1受け渡し部48と第3
受け渡し部53の間に設けられ、少なくとも半導体ウェ
ーハWが反転可能な深さに設定されている。
The third transfer section 53 is provided adjacent to the unloader unit 55 and is located opposite the back polishing chamber 9 with the back polishing chamber transfer mechanism 10 interposed therebetween. The second transfer unit 50 is connected to the first transfer unit 48 and the third transfer unit 48.
It is provided between the transfer parts 53 and is set to a depth at which the semiconductor wafer W can be inverted at least.

【0050】前記表面研磨室移送機構7は、図2および
図11に示すように、第1受け渡し部48、ノッチ研磨
室4および表面研磨室6において半導体ウェーハWをそ
れぞれ上方から吸着状態に支持する一対のウェーハ吸着
盤90と、これらウェーハ吸着盤90を上下動かつ回転
可能にそれぞれ支持する一対の吸着盤支持部(ウェーハ
回転機構)91と、これら吸着盤支持部91を第1受け
渡し部48と表面研磨室6との間に立設された回転可能
な旋回軸部材92で支持するとともに該旋回軸部材92
を中心に旋回させる旋回機構93とを備えている。すな
わち、一対のウェーハ吸着盤90は、旋回軸部材92を
中心に対称な位置に配されている。
As shown in FIGS. 2 and 11, the surface polishing chamber transfer mechanism 7 supports the semiconductor wafer W from above in the first transfer section 48, the notch polishing chamber 4, and the surface polishing chamber 6 in a suction state. A pair of wafer suction disks 90, a pair of suction disk support portions (wafer rotating mechanisms) 91 for vertically supporting and rotating the wafer suction disks 90, respectively; It is supported by a rotatable pivot member 92 erected between the surface polishing chamber 6 and the pivot member 92.
And a turning mechanism 93 for turning around the center. That is, the pair of wafer suction disks 90 are arranged at symmetrical positions about the pivot shaft member 92.

【0051】一方、前記裏面研磨室移送機構10は、第
3受け渡し部53および裏面研磨室9において半導体ウ
ェーハWをそれぞれ上方から吸着状態に支持する一対の
ウェーハ吸着盤90と、これらウェーハ吸着盤90を上
下動かつ回転可能にそれぞれ支持する一対の吸着盤支持
部91と、これら吸着盤支持部91を第3受け渡し部5
3と裏面研磨室9との間に立設された回転可能な旋回軸
部材92を中心に旋回させる旋回機構93とを備えてい
る。
On the other hand, the back surface polishing chamber transfer mechanism 10 comprises a pair of wafer suction disks 90 for supporting the semiconductor wafers W from above in the third transfer section 53 and the back surface polishing chamber 9, respectively, and a pair of the wafer suction disks 90. And a pair of suction-disc supporting portions 91 for vertically and rotatably supporting the suction-disc supporting portions 91, respectively.
A turning mechanism 93 for turning around a rotatable turning shaft member 92 erected between the rear surface polishing chamber 9 and the rear polishing chamber 9 is provided.

【0052】前記旋回機構93は、旋回軸部材92を回
転させる旋回用ロータリーアクチュエータ94と、旋回
軸部材92を挿通状態に回転可能に支持する筒状支持部
材95とを備えている。前記旋回用ロータリーアクチュ
エータ94は、表面研磨室6または裏面研磨室9の下方
にそれぞれ設置されるとともに回転駆動軸96に固定さ
れた連結ギヤ97が旋回軸部材92の下部に固定された
下部ギヤ98に噛み合わされている。前記筒状支持部材
95は、基台20に貫通状態に支持されている。
The turning mechanism 93 includes a turning rotary actuator 94 for turning the turning shaft member 92 and a cylindrical support member 95 for rotatably supporting the turning shaft member 92 in an inserted state. The turning rotary actuator 94 is provided below the front-side polishing chamber 6 or the back-side polishing chamber 9, and a lower gear 98 in which a connecting gear 97 fixed to a rotation drive shaft 96 is fixed to a lower portion of the turning shaft member 92. Are engaged. The cylindrical support member 95 is supported by the base 20 in a penetrating state.

【0053】前記旋回軸部材92の下端には、半径方向
外方に延在する棒状の旋回ストッパ99が固定されると
ともに、基台20の上板裏面には、旋回位置決め部10
0が所定位置の2箇所(1箇所図示せず)に固定されて
いる。該旋回位置決め部100は、旋回ストッパ99の
先端部が所定量旋回して停止する位置、すなわちウェー
ハ吸着盤90が、第1受け渡し部48の上部または表面
研磨室6の上部まで旋回する場合、および第3受け渡し
部53の上部または裏面研磨室9の上部まで旋回する場
合にそれぞれ相当する位置に設けられている。
A rod-shaped turning stopper 99 extending outward in the radial direction is fixed to the lower end of the turning shaft member 92, and a turning positioning portion 10 is provided on the back surface of the upper plate of the base 20.
0 is fixed at two predetermined positions (one position is not shown). The turning positioning unit 100 is provided at a position where the tip end of the turning stopper 99 turns and stops by a predetermined amount, that is, when the wafer suction disk 90 turns to the upper part of the first transfer part 48 or the upper part of the surface polishing chamber 6, and It is provided at a position corresponding to a case where the turning is performed to the upper portion of the third transfer portion 53 or the upper portion of the back surface polishing chamber 9.

【0054】前記旋回軸部材92の上端には、円筒部材
101が軸線を同じくして固定されている。該円筒部材
101の外周面には、上下方向に延在して配された一対
の吸着盤昇降用エアシリンダ102が互いに円筒部材1
01の軸線に対して対称な位置に設けられている。これ
ら吸着盤昇降用エアシリンダ102は、上部に固定され
たシリンダ部102aと該シリンダ部102a内から上
下方向に進退可能とされたシリンダロッド部102bと
を備えている。該シリンダロッド部102bに先端部に
は、吸着盤支持部91が固定されている。
A cylindrical member 101 is fixed to the upper end of the turning shaft member 92 so as to have the same axis. On the outer peripheral surface of the cylindrical member 101, a pair of suction-disc lifting / lowering air cylinders 102 arranged in the up-down direction is disposed on the cylindrical member 1 with each other.
It is provided at a position symmetrical with respect to the axis 01. Each of the suction-disc lifting and lowering air cylinders 102 includes a cylinder portion 102a fixed to an upper portion and a cylinder rod portion 102b that can move up and down in the cylinder portion 102a. At the tip of the cylinder rod portion 102b, a suction disk supporting portion 91 is fixed.

【0055】該吸着盤支持部91は、その上部に吸着盤
回転モータ103が固定され、該吸着盤回転モータ10
3の回転駆動軸に接続されその回転数を減速する減速機
(図示せず)と、該減速機によって減速されたウェーハ
吸着盤90の回転角を検出する回転角検出センサ(図示
せず)と、減速機の回転軸に接続され上下方向の軸線を
中心として回転可能に支持された支持ロッド104とを
備えている。該支持ロッド104は、図示しない吸引手
段に接続され上下に貫通する接続孔(図示せず)が内部
に形成されている。
The suction disk support section 91 has a suction disk rotation motor 103 fixed on the upper portion thereof.
A speed reducer (not shown) connected to the rotary drive shaft 3 for reducing the number of rotations; a rotation angle detection sensor (not shown) for detecting the rotation angle of the wafer suction disk 90 decelerated by the speed reducer; And a support rod 104 connected to the rotation shaft of the speed reducer and rotatably supported about a vertical axis. The support rod 104 has a connection hole (not shown) formed therein which is connected to suction means (not shown) and penetrates vertically.

【0056】前記ウェーハ吸着盤90は、支持ロッド1
04の下端に上面が固定され、軸線を同じくして吸着盤
回転モータ103の回転によって回転可能とされてい
る。また、ウェーハ吸着盤90は、吸着する半導体ウェ
ーハWより所定量小さな径に設定された円盤状に形成さ
れ、図2に示すように、水切り性を高めるために略円錐
形状とされている。さらに、ウェーハ吸着盤90の下面
には、真空ポンプ等に接続された吸引孔(図示せず)が
形成されている。
The wafer suction disk 90 is provided with a support rod 1
An upper surface is fixed to a lower end of the suction tube 04 and is rotatable by the rotation of the suction disk rotating motor 103 along the same axis. Further, the wafer suction disk 90 is formed in a disk shape having a diameter smaller than the semiconductor wafer W to be sucked by a predetermined amount, and has a substantially conical shape as shown in FIG. Further, a suction hole (not shown) connected to a vacuum pump or the like is formed on the lower surface of the wafer suction disk 90.

【0057】前記ノッチ研磨室4は、図12から図15
に示すように、表面研磨室移送機構7に対して表面研磨
室6の反対側に配置され、ノッチ研磨室側板110、ノ
ッチ研磨室天板111、ノッチ研磨室シャッタ112お
よびノッチ研磨室底板113とから構成されている。該
ノッチ研磨室底板113は、中央部に向かって傾斜状態
に設定され、その最下部には、研磨時に使用された研磨
液を排水するノッチ研磨液排水孔110aが形成されて
いる。
The notch polishing chamber 4 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 3, the notch polishing chamber side plate 110, the notch polishing chamber top plate 111, the notch polishing chamber shutter 112, and the notch polishing chamber bottom plate 113 are disposed on the opposite side of the surface polishing chamber 6 with respect to the surface polishing chamber transfer mechanism 7. It is composed of The bottom plate 113 of the notch polishing chamber is set to be inclined toward the center, and a notch polishing liquid drain hole 110a for draining the polishing liquid used at the time of polishing is formed at the lowermost portion.

【0058】前記ノッチ研磨室天板111は、ノッチ研
磨室4の上方を覆って配され、その中央部には、半導体
ウェーハWの外径より若干大きく設定された内径を有す
る円形のノッチ用天板開口部111aが形成されてい
る。また、ノッチ研磨室天板111は、一側のノッチ研
磨室側板110の上部に水平方向に伸縮可能に支持され
た一対のシャッタ用エアシリンダ114を備え、これら
シャッタ用エアシリンダ114のシリンダロッド114
a先端部にはシャッタ連結部材115を介して一対の板
状のノッチ研磨室シャッタ112がそれぞれ固定されて
いる。
The notch polishing chamber top plate 111 is disposed so as to cover the upper portion of the notch polishing chamber 4, and has a circular notch top having an inner diameter set slightly larger than the outer diameter of the semiconductor wafer W at the center thereof. A plate opening 111a is formed. The notch polishing chamber top plate 111 includes a pair of shutter air cylinders 114 supported on the upper side of the notch polishing chamber side plate 110 so as to be able to expand and contract in the horizontal direction.
A pair of plate-shaped notch polishing chamber shutters 112 are fixed to the distal end portion via a shutter connecting member 115, respectively.

【0059】前記シャッタ連結部材115には、貫通孔
が形成され、該貫通孔にはノッチ研磨室天板111に設
けられたガイド棒116が挿通状態とされている。すな
わち、シャッタ連結部材115、ガイド棒116にガイ
ドされて水平移動可能に支持されている。これらのノッ
チ研磨室シャッタ112は、ノッチ研磨室天板111に
沿ってノッチ研磨室4を覆って配されるとともに、シャ
ッタ用エアシリンダ114の伸縮によって開閉可能にノ
ッチ研磨室天板111に支持されている。
A through-hole is formed in the shutter connecting member 115, and a guide rod 116 provided on the top plate 111 of the notch polishing chamber is inserted into the through-hole. That is, it is supported by the shutter connecting member 115 and the guide bar 116 so as to be horizontally movable. These notch polishing chamber shutters 112 are arranged so as to cover the notch polishing chamber 4 along the notch polishing chamber top plate 111, and are supported by the notch polishing chamber top plate 111 so that they can be opened and closed by expansion and contraction of a shutter air cylinder 114. ing.

【0060】また、一対のノッチ研磨室シャッタ112
は、互いに対向する内縁部に半円状の切欠部112aが
形成され、閉口時に支持ロッド104の径より若干大き
な内径を有する円形の開口部が中央部に形成される。な
お、表面研磨室6と第1受け渡し部48との間および裏
面研磨室9と第3受け渡し部53との間には、中間部天
板117がそれぞれ設けられている。
A pair of notch polishing chamber shutters 112
A semicircular notch 112a is formed at the inner edges facing each other, and a circular opening having an inner diameter slightly larger than the diameter of the support rod 104 is formed at the center at the time of closing. An intermediate top plate 117 is provided between the front polishing chamber 6 and the first transfer section 48 and between the back polishing chamber 9 and the third transfer section 53, respectively.

【0061】前記ノッチ研磨機構5は、図12から図1
7に示すように、ノッチ研磨室4内でウェーハ吸着盤9
0によって保持状態の半導体ウェーハWの側方に配され
かつ半導体ウェーハWの表裏面と平行な軸線を有して回
転可能に支持されたノッチ用研磨ホイール120と、ノ
ッチ用研磨ホイール120を回転駆動するホイール回転
駆動部(ノッチ用研磨布駆動機構)121と、該ホイー
ル回転駆動部121をノッチ用研磨ホイール120とと
もに上下に揺動させるホイール揺動駆動部122と、研
磨時に研磨液をノッチ用研磨ホイール120に供給する
とともに半導体ウェーハWのVノッチVにも供給するノ
ッチ用研磨液供給手段123とを備えている。
The notch polishing mechanism 5 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 7, the wafer suction disk 9
0, a notch polishing wheel 120 that is disposed on the side of the semiconductor wafer W in a holding state and that is rotatably supported with an axis parallel to the front and back surfaces of the semiconductor wafer W, and rotationally drives the notch polishing wheel 120. Wheel rotation drive unit (notch polishing cloth drive mechanism) 121, a wheel swing drive unit 122 that swings the wheel rotation drive unit 121 up and down together with the notch polishing wheel 120, and a polishing liquid for polishing the notch during polishing. Notch polishing liquid supply means 123 is also provided for supplying to the wheel 120 and also supplying to the V notch V of the semiconductor wafer W.

【0062】前記ホイール揺動駆動部122は、基台2
0に揺動部支持板124で固定され、該揺動部支持板1
24に回転軸を水平状態に固定された揺動用モータ12
5と、該揺動用モータ125の回転軸に固定された回転
駆動部支持板126と、該回転駆動部支持板126に一
端が連結されたノッチ押圧用シリンダ127と、回転駆
動部支持板126に半径方向に移動可能に支持されると
ともにノッチ押圧用シリンダ127の先端が連結された
連結支持部材128とを備えている。
The wheel swing drive unit 122 includes the base 2
0 by a swing portion support plate 124, and the swing portion support plate 1
A swinging motor 12 having a rotating shaft fixed to a horizontal state at 24;
5, a rotation drive unit support plate 126 fixed to the rotation shaft of the swing motor 125, a notch pressing cylinder 127 having one end connected to the rotation drive unit support plate 126, and a rotation drive unit support plate 126. A connection support member 128 that is supported movably in the radial direction and to which the tip of the notch pressing cylinder 127 is connected.

【0063】前記ホイール回転駆動部121は、連結支
持部材128の先端に揺動用モータ125の回転軸に平
行状態に固定された円筒本体129と、該円筒本体12
9の後端に固定された回転用モータ130と、該回転用
モータ130の回転軸に後端が接続され円筒本体129
内に回転可能に挿入されたホイール用軸部材131とを
備えて、該ホイール用軸部材131の先端にはノッチ用
研磨ホイール120が取り付けられている。
The wheel rotation drive section 121 includes a cylindrical body 129 fixed to the end of a connecting support member 128 in a state parallel to the rotation axis of the swing motor 125, and a cylindrical body 12.
9, a rotary motor 130 fixed to the rear end, and a cylindrical body 129 having a rear end connected to the rotation shaft of the rotary motor 130.
And a wheel shaft member 131 rotatably inserted therein. A notch polishing wheel 120 is attached to the tip of the wheel shaft member 131.

【0064】また、ホイール回転駆動部121は、ノッ
チ研磨室側板110に開けられた駆動部挿入孔110a
からノッチ研磨室4内に突出状態に配され、駆動部挿入
孔110aの周囲と円筒本体129との間には、円筒本
体129の外周部分を覆うベローズ等の円筒本体カバー
132が取り付けられ、研磨液のホイール回転駆動部1
21への付着およびノッチ研磨室4外への飛散を防止し
ている。
The wheel rotation drive section 121 has a drive section insertion hole 110 a formed in the notch polishing chamber side plate 110.
A cylindrical body cover 132 such as a bellows, which covers an outer peripheral portion of the cylindrical body 129, is attached between the periphery of the driving portion insertion hole 110 a and the cylindrical body 129 so as to protrude into the notch polishing chamber 4. Liquid wheel rotation drive unit 1
21 and scattering outside the notch polishing chamber 4 is prevented.

【0065】前記ノッチ用研磨ホイール120は、ホイ
ール用軸部材131の先端に固定された固定部材133
と、該固定部材133に取り付けられホイール用軸部材
131と同軸に配されたホイール本体134と、該ホイ
ール本体134の一部を除いてホイール本体134を覆
うように配されたホイールカバー135とを備えてい
る。ホイール本体134の外周部には、リング状のノッ
チ用研磨布136が取り付けられ、該ノッチ用研磨布1
36は、ホイール本体134の外縁から所定量突出する
ようにホイール本体134の外径より大径に設定されて
いる。
The notch polishing wheel 120 includes a fixing member 133 fixed to the tip of a wheel shaft member 131.
A wheel body 134 attached to the fixing member 133 and arranged coaxially with the wheel shaft member 131, and a wheel cover 135 arranged to cover the wheel body 134 except for a part of the wheel body 134. Have. A ring-shaped notch polishing cloth 136 is attached to an outer peripheral portion of the wheel body 134.
The diameter 36 is set to be larger than the outer diameter of the wheel body 134 so as to protrude from the outer edge of the wheel body 134 by a predetermined amount.

【0066】前記ノッチ用研磨液供給手段123は、外
部の図示しない研磨液供給源に接続されノッチ研磨室側
板110からノッチ用研磨布136に向けて配された研
磨液供給ノズル123aを備えている。すなわち、研磨
時に、研磨液供給ノズル123aの先端からノッチ用研
磨布136に向けて研磨液が噴出されて、ノッチ用研磨
布136およびVノッチVに供給されるように設定され
ている。
The notch polishing liquid supply means 123 is provided with a polishing liquid supply nozzle 123a connected to an external polishing liquid supply source (not shown) and arranged from the notch polishing chamber side plate 110 to the notch polishing cloth 136. . That is, at the time of polishing, the polishing liquid is ejected from the tip of the polishing liquid supply nozzle 123a toward the notch polishing cloth 136, and is supplied to the notch polishing cloth 136 and the V notch V.

【0067】なお、ノッチ研磨室4の下部には、円筒本
体129と平行な回転可能なノッチ研磨布カバー用軸部
材137が配設され、該ノッチ研磨布カバー用軸部材1
37の中央部分にノッチ研磨布カバー138がその端部
で固定されている。すなわち、ノッチ研磨布カバー用軸
部材137を回転させることにより、受け部材138を
回転させることができる。
In the lower part of the notch polishing chamber 4, a rotatable notch polishing cloth cover shaft member 137 parallel to the cylindrical body 129 is provided.
A notch polishing cloth cover 138 is fixed to a central portion of 37 at its end. That is, the receiving member 138 can be rotated by rotating the shaft member 137 for the notch polishing cloth cover.

【0068】前記表面研磨室6および前記裏面研磨室9
は、図1、図18および図20に示すように、旋回軸部
材92に対して第1受け渡し部48および第3受け渡し
部53の反対側にそれぞれ配置され、面取り面研磨室側
板140、面取り面研磨室天板141および面取り面研
磨室シャッタ142等から構成されている。
The front polishing chamber 6 and the back polishing chamber 9
As shown in FIGS. 1, 18 and 20, are disposed on the opposite sides of the first transfer portion 48 and the third transfer portion 53 with respect to the pivot shaft member 92, respectively. The polishing chamber includes a top plate 141, a chamfered surface polishing chamber shutter 142, and the like.

【0069】前記面取り面研磨室天板141は、表面研
磨室6および裏面研磨室9の上方をそれぞれ覆って配さ
れ、その中央部には、ウェーハ吸着盤90に吸着された
半導体ウェーハWの外径より若干大きく設定された内径
を有する円形のノッチ研磨室天板111と同様に面取り
面天板開口部141aが形成されている。また、面取り
面研磨室天板141は、周縁部が上方に突出し上面を囲
むように形成されている。
The top plate 141 of the chamfered surface polishing chamber is disposed so as to cover the upper side of the front surface polishing chamber 6 and the rear surface polishing chamber 9, respectively. A chamfered top plate opening 141a is formed similarly to the circular notch polishing chamber top plate 111 having an inner diameter set slightly larger than the diameter. Further, the chamfered surface polishing chamber top plate 141 is formed such that the peripheral edge portion protrudes upward and surrounds the upper surface.

【0070】面取り面研磨室シャッタ142は、面取り
面研磨室天板141に沿って表面研磨室6および裏面研
磨室9をそれぞれ覆って配されるとともに、開閉可能に
面取り面研磨室天板141に支持されている。これらの
面取り面研磨室シャッタ142は、ノッチ研磨室シャッ
タ112と同様に、互いに対向する内縁部に半円状の切
欠部(図示せず)が形成され、閉口時に支持ロッド10
4の径より若干大きな内径を有する円形の開口部が中央
部に形成される。
The chamfered surface polishing chamber shutter 142 is disposed along the chamfered surface polishing room top plate 141 so as to cover the front surface polishing room 6 and the back surface polishing room 9, respectively, and is opened and closed on the chamfered surface polishing room top plate 141. Supported. Similar to the notch polishing chamber shutter 112, these chamfered surface polishing chamber shutters 142 have semicircular notches (not shown) formed at inner edges facing each other, and support rods 10 when closed.
A circular opening having an inner diameter slightly larger than the diameter of 4 is formed in the center.

【0071】なお、面取り面研磨室天板141には、ノ
ッチ研磨室4と同様に、面取り面研磨室シャッタ142
を開閉する機構が設けられている。また、表面研磨室6
と第1受け渡し部48との間および裏面研磨室9と第3
受け渡し部53との間にも、中間部天板がそれぞれ設け
られている。
Incidentally, similarly to the notch polishing chamber 4, the chamfered polishing chamber shutter 142 is provided on the top plate 141 of the chamfered polishing chamber.
There is provided a mechanism for opening and closing. In addition, the surface polishing chamber 6
Between the first transfer section 48 and the back polishing chamber 9 and the third
An intermediate top plate is also provided between the transfer unit 53 and the transfer unit 53.

【0072】前記表面研磨機構8および前記裏面研磨機
構11は、図18から図23に示すように、面取り面研
磨機構149Aとして、表面研磨室6内および裏面研磨
室9内でそれぞれウェーハ吸着盤90によって保持状態
の半導体ウェーハWの側方に配され半導体ウェーハWの
軸線に対して傾斜した軸線を有して回転可能に支持され
た面取り面用研磨ドラム150Aと、面取り面用研磨ド
ラム150Aを回転駆動するとともに移動させる面取り
面用ドラム駆動手段151Aと、研磨時に研磨液を面取
り面用研磨ドラム150A上に供給するとともに半導体
ウェーハWの面取り面Mにも供給する面取り面用研磨液
供給手段(図示せず)とをそれぞれ備えている。
As shown in FIGS. 18 to 23, the front-side polishing mechanism 8 and the back-side polishing mechanism 11 serve as a chamfered-surface polishing mechanism 149A in the front-side polishing chamber 6 and the rear-side polishing chamber 9, respectively. The polishing drum 150A for the chamfered surface, which is disposed on the side of the semiconductor wafer W in the holding state, is rotatably supported with an axis inclined with respect to the axis of the semiconductor wafer W, and the polishing drum 150A for the chamfered surface is rotated. Driving means 151A for driving and moving the chamfering surface, and a polishing liquid supplying means for the chamfering surface which supplies the polishing liquid onto the polishing drum 150A for the chamfering and also supplies the polishing liquid to the chamfering surface M of the semiconductor wafer W during polishing (FIG. (Not shown).

【0073】また、前記表面研磨機構8および前記裏面
研磨機構11は、外側面研磨機構149Bとして、表面
研磨室6内および裏面研磨室9内でそれぞれウェーハ吸
着盤90によって保持状態の半導体ウェーハWを挟んで
面取り面用研磨ドラム150Aと対向する位置に配され
かつ半導体ウェーハWの軸線と平行な軸線、すなわち垂
直方向の軸線をもって回転可能に支持された外側面用研
磨ドラム150Bと、外側面用研磨ドラム150Bを回
転駆動するとともに移動させる外側面用ドラム駆動手段
151Bと、研磨時に研磨液を外側面用研磨ドラム15
0B上に供給するとともに半導体ウェーハWの外側面S
にも供給する外側面用研磨液供給手段(図示せず)とを
それぞれ備えている。
The front-side polishing mechanism 8 and the back-side polishing mechanism 11 serve as an outer-side polishing mechanism 149B for holding the semiconductor wafer W held by the wafer suction disk 90 in the front-side polishing chamber 6 and the rear-side polishing chamber 9, respectively. An outer surface polishing drum 150B disposed at a position opposite to the chamfering surface polishing drum 150A and rotatably supported by an axis parallel to the axis of the semiconductor wafer W, that is, a vertical axis; An outer surface drum driving means 151B for rotating and moving the drum 150B, and a polishing liquid for polishing the outer surface during the polishing.
0B and the outer surface S of the semiconductor wafer W
And an outside surface polishing liquid supply means (not shown) for supplying the polishing liquid to the outside.

【0074】前記面取り面用ドラム駆動手段151A
は、面取り面用研磨ドラム150Aをその軸線方向に進
退移動させる面取り面用直動ユニット部153Aと、該
面取り面用直動ユニット部153Aに揺動可能に支持さ
れ面取り面用研磨ドラム150Aを先端部に回転可能に
支持する面取り面用ドラム支持部154Aとを備えてい
る。
The drum driving means 151A for the chamfered surface
Is a linear motion unit 153A for the chamfered surface for moving the polishing drum 150A for the chamfered surface in the axial direction, and the polishing drum 150A for the chamfered surface is swingably supported by the linear motion unit 153A for the chamfered surface. And a drum support portion 154A for a chamfer surface rotatably supported by the portion.

【0075】前記面取り面用直動ユニット部153A
は、第1受け渡し部48と表面研磨室6との間および第
3受け渡し部53と裏面研磨室9との間にそれぞれ配さ
れ、基台20上に固定され半導体ウェーハWの軸線に対
して所定角度で傾斜したガイド155および回転軸先端
に取り付けたカムフォロワ200を回転させるカムフォ
ロワ回転用モータ156を有したユニット本体157
と、ガイド155でユニット本体157にガイド155
に沿って移動可能に連結された直動部158とを備えて
いる。すなわち、カムフォロワ回転用モータ156を駆
動して、図23に示すように、カムフォロワ200をカ
ムフォロワ回転用モータ156の回転中心Cを中心に回
転させると、直動部158に設けられた溝158aの中
をカムフォロワ200が回転することにより直動部15
8がガイド155に沿って揺動するように設定されてい
る。
The linear motion unit 153A for the chamfered surface
Are disposed between the first transfer part 48 and the front-side polishing chamber 6 and between the third transfer part 53 and the back-side polishing chamber 9, and are fixed on the base 20 and predetermined with respect to the axis of the semiconductor wafer W. Unit body 157 having guide 155 inclined at an angle and cam follower rotation motor 156 for rotating cam follower 200 attached to the tip of the rotating shaft.
And the guide 155 is attached to the unit body 157 by the guide 155.
And a linearly moving portion 158 movably connected along. That is, when the cam follower rotation motor 156 is driven to rotate the cam follower 200 around the rotation center C of the cam follower rotation motor 156 as shown in FIG. The rotation of the cam follower 200 causes the linear
8 is set to swing along the guide 155.

【0076】前記面取り面用ドラム支持部154Aは、
面取り面用研磨ドラム150Aを半導体ウェーハWの下
面側の面取り面Mに押圧状態に当接させ面取り面Mの周
方向に向けて摺動可能に支持するように設定されてい
る。すなわち、面取り面用ドラム支持部154Aは、略
T字状に形成され直動部158に設けられた揺動用軸部
159に揺動可能に支持された揺動腕部160と、該揺
動腕部160の基端に設置されたドラム回転用モータ1
61とを備えている。
The drum support 154A for chamfered surface
The polishing drum 150 </ b> A for the chamfer surface is set so as to abut against the chamfer surface M on the lower surface side of the semiconductor wafer W in a pressed state and slidably supported in the circumferential direction of the chamfer surface M. That is, the drum support portion 154A for the chamfered surface is formed in a substantially T-shape, and is pivotally supported by a pivot shaft portion 159 provided in the linear portion 158, and the pivot arm 160 Drum rotation motor 1 installed at the base end of section 160
61.

【0077】前記揺動腕部160は、中間の突出部16
0aに貫通孔160bが形成され、揺動用軸部159が
貫通孔160bに挿通されて揺動可能に支持されてい
る。また、揺動腕部160の先端には、ドラム支持軸部
162を内挿して回転可能に支持する腕部円筒部160
cが面取り面用ドラム支持部154Aの直動方向に軸線
を有して設けられている。
The oscillating arm 160 is attached to the intermediate projection 16.
A through-hole 160b is formed in Oa, and a swing shaft portion 159 is inserted through the through-hole 160b and supported to be swingable. At the tip of the swing arm 160, an arm cylindrical part 160 that rotatably supports the drum support shaft 162 by interposing the drum support shaft 162.
c is provided with an axis in the direction of direct movement of the drum support portion 154A for a chamfered surface.

【0078】前記ドラム支持軸部162は、半導体ウェ
ーハWの軸線に対して所定角度(面取り面Mにほぼ平行
となる角度)傾斜して配され、基端にドラム側プーリー
163が固定されているとともに先端に面取り面用研磨
ドラム150Aが同軸に取り付けられている。そして、
ドラム回転用モータ161の回転軸にはモータ側プーリ
ー164が固定され、該モータ側プーリー164とドラ
ム側プーリー163とに無端状ベルト165が巻回され
ている。
The drum support shaft portion 162 is disposed at a predetermined angle (an angle substantially parallel to the chamfered surface M) with respect to the axis of the semiconductor wafer W, and a drum-side pulley 163 is fixed to a base end. At the same time, a polishing drum 150A for a chamfered surface is coaxially mounted at the tip. And
A motor-side pulley 164 is fixed to a rotation shaft of the drum rotation motor 161, and an endless belt 165 is wound around the motor-side pulley 164 and the drum-side pulley 163.

【0079】前記面取り面用直動ユニット部153Aと
揺動腕部160の基端側とは、支持部材166a、16
6bを介して斜め上下方向に配された2つの揺動用エア
シリンダ167で連結されている。すなわち、これら揺
動用エアシリンダ167を伸縮させることにより、揺動
用軸部159を中心に面取り面用ドラム支持部154A
を斜め上下方向に揺動させることができ、面取り面用研
磨ドラム150Aを半導体ウェーハWの下面側から面取
り面Mに所定の押圧力で当接させることができる。
The linear motion unit 153A for the chamfered surface and the base end of the swing arm 160 are connected to the support members 166a and 166a.
6b, they are connected by two swinging air cylinders 167 arranged obliquely in the vertical direction. That is, by expanding and contracting the swinging air cylinder 167, the chamfered drum support 154 </ b> A around the swinging shaft 159.
Can be swung diagonally up and down, and the polishing drum 150A for the chamfered surface can be brought into contact with the chamfered surface M from the lower surface side of the semiconductor wafer W with a predetermined pressing force.

【0080】前記外側面用ドラム駆動手段151Bは、
外側面用研磨ドラム150Bをその軸線方向に進退移動
させる外側面用直動ユニット部153Bと、該外側面用
直動ユニット部153Bに揺動可能に支持され外側面用
研磨ドラム150Bを先端部に回転可能に支持する外側
面用ドラム支持部154Bとを備えている。
The drum driving means 151B for the outer surface includes:
An outer-side linear motion unit 153B for moving the outer-surface polishing drum 150B in the axial direction, and an outer-surface polishing drum 150B pivotally supported by the outer-surface linear motion unit 153B. And an outer surface drum supporting portion 154B rotatably supported.

【0081】前記外側面用ドラム駆動手段151Bは、
面取り面用ドラム駆動手段151Aの面取り面用直動ユ
ニット部153Aが半導体ウェーハWの軸線に対して所
定角度だけ傾斜した方向に面取り面用ドラム支持部15
4Aを移動可能に支持しているのに対して、外側面用ド
ラム駆動手段151Bの外側面用直動ユニット部153
Bが半導体ウェーハWの軸線と平行する方向、すなわち
垂直方向に外側面用ドラム支持部154Bを移動可能に
支持している点で異なる。
The drum driving means 151B for the outer surface includes:
The linear drive unit 153A for the chamfered surface of the drum drive means 151A for the chamfered surface is inclined in a direction inclined by a predetermined angle with respect to the axis of the semiconductor wafer W.
4A movably supports the outer surface linear drive unit 153 of the outer surface drum driving means 151B.
B is different in that it supports the outer surface drum support 154B movably in a direction parallel to the axis of the semiconductor wafer W, that is, in a vertical direction.

【0082】すなわち、外側面用直動ユニット部153
Bは、面取り面用直動ユニット部153Aに対してガイ
ド155の方向が垂直方向に配されている点で異なる
が、他の部材構成は同様である。また、外側面用研磨ド
ラム150Bおよび外側面用ドラム支持部154Bは、
面取り面用研磨ドラム150Aおよび面取り面用ドラム
支持部154Aと同様の部材構成を備えており、垂直方
向に配されたガイド155によって、垂直方向に移動可
能に設置されたものである。
That is, the outer-side linear motion unit 153
B differs in that the direction of the guide 155 is arranged in the vertical direction with respect to the linear motion unit 153A for the chamfered surface, but the other components are the same. In addition, the outer surface polishing drum 150B and the outer surface drum support portion 154B
It has the same member configuration as the polishing drum 150A for chamfering surface and the drum support portion 154A for chamfering surface, and is installed movably in the vertical direction by a guide 155 arranged in the vertical direction.

【0083】したがって、外側面用直動ユニット部15
3Bと外側面用ドラム支持部154Bとを連結する2つ
の揺動用エアシリンダ167は、水平方向に配され、こ
れら揺動用エアシリンダ167を伸縮させることによ
り、揺動用軸部159を中心に外側面用ドラム支持部1
54Bを水平方向に揺動させることができ、外側面用研
磨ドラム150Bを半導体ウェーハWの側方から外側面
Sに所定の押圧力で当接させることができる。
Therefore, the outer-side linear motion unit 15
The two swinging air cylinders 167 connecting the 3B and the outer surface drum supporting portion 154B are arranged in a horizontal direction, and by expanding and contracting these swinging air cylinders 167, the outer surface around the swinging shaft portion 159 is centered. Drum support 1
The outer surface polishing drum 150B can be brought into contact with the outer surface S from the side of the semiconductor wafer W with a predetermined pressing force.

【0084】前記面取り面用研磨ドラム150Aおよび
外側面用研磨ドラム150Bは、図18および図21に
示すように、ドラム支持軸部162の先端部に設けられ
た取付用フランジ168に軸線を同じくして固定される
アルミニウム合金等のホイール本体134、該ホイール
本体134の外周面を覆って巻回、固定させた帯状の面
取り面用研磨布169Aおよび外側面用研磨布169B
とを備えている。面取り面用研磨布169Aおよび外側
面用研磨布169Bは、繊維の向きが一定でない不織布
で形成されたものである。
As shown in FIGS. 18 and 21, the grinding drum 150A for the chamfered surface and the grinding drum 150B for the outer surface have the same axis as the mounting flange 168 provided at the tip of the drum support shaft 162. Wheel body 134 of an aluminum alloy or the like to be fixed and fixed, a belt-shaped polishing cloth 169A for a chamfered surface and a polishing cloth 169B for an outer surface wound and fixed around the outer peripheral surface of the wheel body 134
And The polishing cloth 169A for the chamfered surface and the polishing cloth 169B for the outer surface are formed of a nonwoven fabric in which the directions of the fibers are not constant.

【0085】前記ウェーハ洗浄機構12は、図1、図
9、図10および図24に示すように、第2受け渡し部
50に隣接して配置され、洗浄槽170と、該洗浄槽1
70内で2つの円筒状スクラバ171によって半導体ウ
ェーハWを挟んで回転させながら洗浄するスクラバユニ
ット172と、洗浄槽170内に配された半導体ウェー
ハWを回転可能に支持するウェーハ回転支持機構173
とを備えている。
As shown in FIGS. 1, 9, 10 and 24, the wafer cleaning mechanism 12 is disposed adjacent to the second transfer section 50, and includes a cleaning tank 170 and the cleaning tank 1
A scrubber unit 172 for cleaning the semiconductor wafer W while rotating the semiconductor wafer W between two cylindrical scrubbers 171 in the 70, and a wafer rotation support mechanism 173 for rotatably supporting the semiconductor wafer W disposed in the cleaning tank 170.
And

【0086】前記洗浄槽170は、その上部に洗浄槽天
板174が設置され、該洗浄槽天板174には、洗浄槽
開閉板175が開閉可能に設けられている。洗浄槽天板
174には、水平方向に伸縮可能に設置された開閉板用
エアシリンダ176が設置され、該開閉板用エアシリン
ダ176によって洗浄槽開閉板175が開閉制御され
る。
The washing tank 170 is provided with a washing tank top plate 174 at an upper portion thereof, and the washing tank top plate 174 is provided with a washing tank opening / closing plate 175 so as to be openable and closable. An opening / closing plate air cylinder 176 is installed on the washing tank top plate 174 so as to be able to expand and contract in the horizontal direction, and the opening / closing of the washing tank opening / closing plate 175 is controlled by the opening / closing plate air cylinder 176.

【0087】前記スクラバユニット172は、洗浄槽1
70内に水平状態に互いに平行して配され回転かつ互い
の対向方向に移動可能な一対の円筒状スクラバ171
と、これら円筒状スクラバ171を移動かつ回転駆動す
るスクラバ駆動機構177とを備えている。前記円筒状
スクラバ171は、スポンジ状の多孔性材料で形成さ
れ、内部を流通する洗浄液が外周面からしみ出し可能で
あるとともに、挟持する半導体ウェーハWの表面を傷つ
けないような柔軟性を備えている。なお、円筒状スクラ
バ171の先端は、洗浄される半導体ウェーハWの中央
部分に位置するように配されている。
The scrubber unit 172 includes the cleaning tank 1
A pair of cylindrical scrubbers 171 which are arranged in parallel in the horizontal direction within 70 and are rotatable and movable in the direction opposite to each other.
And a scrubber drive mechanism 177 for moving and rotating these cylindrical scrubbers 171. The cylindrical scrubber 171 is formed of a sponge-like porous material, and has such a flexibility that a cleaning liquid flowing inside can be exuded from an outer peripheral surface and does not damage the surface of the semiconductor wafer W to be sandwiched. I have. The tip of the cylindrical scrubber 171 is disposed so as to be located at the center of the semiconductor wafer W to be cleaned.

【0088】前記スクラバ駆動機構177は、洗浄槽1
70の第3受け渡し部53側の外側面にスクラバ駆動用
モータ178を備え、該スクラバ駆動用モータ178の
回転軸には、スクラバ用モータ側プーリー179がアン
ローダーユニット55側に突出させて取り付けられてい
る。また、洗浄槽170のアンローダーユニット55側
の外側面には、水平方向に伸縮可能なスクラバ用押圧エ
アシリンダ180が設けられ、該スクラバ用押圧エアシ
リンダ180の上方には、一対のスクラバ揺動軸部18
1が外側面に水平方向に軸線を有して回転可能に支持さ
れている。
The scrubber driving mechanism 177 is provided in the cleaning tank 1
A scrubber drive motor 178 is provided on the outer surface of the 70 on the third transfer portion 53 side, and a scrubber motor side pulley 179 is attached to the rotation shaft of the scrubber drive motor 178 so as to protrude toward the unloader unit 55 side. ing. On the outer surface of the cleaning tank 170 on the unloader unit 55 side, a scrubber pressing air cylinder 180 that can expand and contract in the horizontal direction is provided. Above the scrubber pressing air cylinder 180, a pair of scrubber swinging Shaft 18
1 is rotatably supported on the outer surface with an axis in the horizontal direction.

【0089】前記一対のスクラバ揺動軸部181には、
それぞれ対向状態に噛み合う一対のギヤ部材182が取
り付けられ、これらギヤ部材182には、それぞれ上方
に延在するスクラバ連結部材183A、183Bが下部
が固定されている。これらスクラバ連結部材183A、
183Bの一方は、その下端を下方に突出させて取り付
けられており、下端とスクラバ用押圧エアシリンダ18
0の先端とが連結されている。
The pair of scrubber swing shafts 181 have
A pair of gear members 182 that mesh with each other in a facing state are attached, and scrubber connecting members 183A and 183B that extend upward are fixed to the gear members 182, respectively. These scrubber connecting members 183A,
One of the 183B has its lower end protruding downward, and is attached to the lower end.
0 is connected to the front end.

【0090】さらに、スクラバ連結部材183A、18
3Bの上部には、洗浄水の流通孔184aが内部に形成
され水平な軸線をもって配されたスクラバ軸部材184
が洗浄槽170内に突出して回転可能に支持されてい
る。なお、流通孔184aは、図示しない洗浄水供給源
に接続されている。これらスクラバ軸部材184は、そ
れぞれ洗浄槽170の外側面に形成された挿入孔170
aから内部の中間部分までに突出して配され、先端側に
円筒状スクラバ171を外挿するスクラバ取付筒部18
5を備えている。
Further, the scrubber connecting members 183A, 183
In the upper part of 3B, a scrubber shaft member 184 in which a flow hole 184a for washing water is formed and arranged with a horizontal axis.
Are protruded into the cleaning tank 170 and are rotatably supported. The circulation hole 184a is connected to a cleaning water supply source (not shown). Each of the scrubber shaft members 184 has an insertion hole 170 formed in the outer surface of the cleaning tank 170.
a, a scrubber mounting cylindrical portion 18 which protrudes from the inner portion to the inside and which extrapolates the cylindrical scrubber 171 on the distal end side.
5 is provided.

【0091】該スクラバ取付筒部185は、内外を貫通
する複数の貫通孔185aが形成され、内部の流通孔1
84aを流れる洗浄水を内側から円筒状スクラバ171
に供給できるようにされている。なお、各挿入孔170
aの外周部分と各スクラバ取付筒部185の基端部分と
の間には、スクラバ軸部材184を覆うようにベローズ
等の軸部材カバー186がそれぞれ設けられており、洗
浄水および研磨液が挿入孔170aから外部への飛散を
防止している。
The scrubber mounting cylinder portion 185 has a plurality of through holes 185a penetrating inside and outside, and the inside of the through hole 1 is formed.
The washing water flowing through 84a is supplied from inside to a cylindrical scrubber 171.
Can be supplied. In addition, each insertion hole 170
A shaft member cover 186 such as a bellows is provided between the outer peripheral portion of FIG. 1A and the base end portion of each scrubber mounting cylindrical portion 185 so as to cover the scrubber shaft member 184. Scattering to the outside from the hole 170a is prevented.

【0092】また、一対のスクラバ軸部材184の基端
部は、スクラバ連結部材183A、183Bから外方に
突出状態とされ、一対のスクラバ側プーリー187がそ
れぞれ取り付けられている。そして、一方のスクラバ側
プーリー187に隣接して、水平な軸線を有したベルト
用ローラ188がローラ支持部材189に回転可能に取
り付けられている。
The base ends of the pair of scrubber shaft members 184 project outward from the scrubber connecting members 183A and 183B, and a pair of scrubber side pulleys 187 are attached thereto. A belt roller 188 having a horizontal axis is rotatably attached to a roller support member 189 adjacent to one scrubber side pulley 187.

【0093】前記スクラバ用モータ側プーリー179、
一対のスクラバ側プーリー187およびベルト用ローラ
188には、スクラバ用無端状ベルト190が巻回さ
れ、スクラバ駆動用モータ178の回転駆動力が一対の
円筒状スクラバ171に伝達されるように設定されてい
る。したがって、スクラバ用押圧エアシリンダ180を
伸縮させることによって、これに連結された一方のスク
ラバ連結部材183Aが揺動するとともに、噛み合った
ギヤ部材182によって他方のスクラバ連結部材183
Bを逆方向に揺動させることができる。これによって、
一対の円筒状スクラバ171を互いに接近・離間させる
ことができる。
The motor side pulley 179 for the scrubber,
An endless belt 190 for a scrubber is wound around a pair of scrubber-side pulleys 187 and a belt roller 188, and is set so that the rotational driving force of a scrubber drive motor 178 is transmitted to a pair of cylindrical scrubbers 171. I have. Therefore, by expanding and contracting the scrubber pressing air cylinder 180, one scrubber connecting member 183A connected thereto is swung, and the other scrubber connecting member 183 is engaged by the meshed gear member 182.
B can be swung in the opposite direction. by this,
The pair of cylindrical scrubbers 171 can be moved toward and away from each other.

【0094】前記ウェーハ回転支持機構173は、スク
ラバ駆動用モータ178と反対側の洗浄槽170外側面
から、洗浄槽170内部に水平状態に突出して配された
複数のウェーハ回転支持部材191を備えている。これ
らウェーハ回転支持部材191は、前記外側面に形成さ
れた挿通孔170bから内部に挿入され、前記外側面の
外側に設けられた立設支持部材192に固定、支持され
ている。
The wafer rotation support mechanism 173 includes a plurality of wafer rotation support members 191 which are horizontally disposed inside the cleaning tank 170 from the outer surface of the cleaning tank 170 opposite to the scrubber driving motor 178. I have. These wafer rotation support members 191 are inserted into through holes 170b formed in the outer surface, and are fixed and supported by standing support members 192 provided outside the outer surface.

【0095】ウェーハ回転支持部材191の先端には、
水平方向に軸線を有した支持ローラ191aが回転可能
に支持されており、該支持ローラ191aの外周縁に
は、半導体ウェーハWの外縁部分を支持する溝が形成さ
れている。各支持ローラ191aは、アンローダーユニ
ット55によって洗浄槽170に投入される半導体ウェ
ーハWの外縁部分を支持できるように、周方向に間隔を
あけてそれぞれ配されている。
At the tip of the wafer rotation support member 191,
A support roller 191a having an axis in the horizontal direction is rotatably supported, and a groove for supporting an outer edge portion of the semiconductor wafer W is formed on an outer peripheral edge of the support roller 191a. Each support roller 191a is arranged at intervals in the circumferential direction so that the outer edge portion of the semiconductor wafer W put into the cleaning tank 170 by the unloader unit 55 can be supported.

【0096】前記ウェーハ収納機構13は、図9、図2
5および図26に示すように、ウェーハ洗浄機構12に
隣接して設けられ、収納用カセットC2を入れる水槽部
193と、該水槽部193に隣接され水槽部193内の
収納用カセットC2を昇降させるカセット昇降装置19
4とを備えている。該カセット昇降装置194は、基台
20に立設された昇降用エアシリンダ195と、該昇降
用エアシリンダ195のピストン部195aに固定され
収納用カセットC2の載置して支持するカセット支持部
196とを備えている。
9 and FIG.
As shown in FIG. 5 and FIG. 26, a water tank section 193 provided adjacent to the wafer cleaning mechanism 12 for storing the storage cassette C2, and the storage cassette C2 adjacent to the water tank section 193 and in the water tank section 193 are raised and lowered. Cassette lifting device 19
4 is provided. The cassette lifting / lowering device 194 includes a lifting / lowering air cylinder 195 erected on the base 20 and a cassette supporting portion 196 fixed to the piston portion 195a of the lifting / lowering air cylinder 195 for mounting and supporting the storage cassette C2. And

【0097】なお、本実施形態の面取り面研磨装置は、
図27に示すように、周囲が取り外しおよび開閉可能な
パネル等で覆われているとともに、操作制御部14が前
面に設置されている。
The chamfering surface polishing apparatus of the present embodiment
As shown in FIG. 27, the periphery is covered with a detachable and openable panel or the like, and an operation control unit 14 is installed on the front.

【0098】次に、本発明に係る半導体ウェーハの面取
り面研磨装置の一実施形態における半導体ウェーハの面
取り面研磨方法について、〔ウェーハ取り出し工程〕、
〔ウェーハ位置決め工程〕、〔表面研磨工程〕、〔ウェ
ーハ反転工程〕、〔裏面研磨工程〕、〔ウェーハ洗浄工
程〕および〔ウェーハ収納工程〕とに分けて説明する。
Next, a method for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer in one embodiment of the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to the present invention will be described.
[Wafer positioning step], [Surface polishing step], [Wafer inversion step], [Backside polishing step], [Wafer cleaning step], and [Wafer storage step] will be described separately.

【0099】〔ウェーハ取り出し工程〕まず、研磨処理
前の半導体ウェーハWを入れた取り出し用カセットC1
を、半導体ウェーハWの表面が下方に向くようにして基
台20上の所定位置にセットする。
[Wafer Take-Out Step] First, a take-out cassette C1 containing a semiconductor wafer W before polishing processing is placed.
Is set at a predetermined position on the base 20 such that the surface of the semiconductor wafer W faces downward.

【0100】ローダーユニット22を駆動して、取り出
し用ハンド21を上下動させるとともに取り出し用カセ
ットC1に伸ばすとともに所定の半導体ウェーハWの上
部に移動させ、半導体ウェーハWを吸着保持する。吸着
後、取り出し用カセットC1から半導体ウェーハWを取
り出すとともに、取り出し用ハンド21を移動させて、
半導体ウェーハWをウェーハ位置決めユニット2の載置
台23上に移送する。
The loader unit 22 is driven to move the pick-up hand 21 up and down, extend to the pick-up cassette C1 and move to the upper part of the predetermined semiconductor wafer W, and hold the semiconductor wafer W by suction. After the suction, the semiconductor wafer W is taken out from the take-out cassette C1, and the take-out hand 21 is moved,
The semiconductor wafer W is transferred onto the mounting table 23 of the wafer positioning unit 2.

【0101】〔ウェーハ位置決め工程〕取り出し用ハン
ド21の吸着を解除して、半導体ウェーハWを載置台2
3上に載置する。次に、ウェーハ位置決めユニット2を
駆動して、載置台23上の半導体ウェーハWの芯出しお
よびVノッチVの方向決めを行い、半導体ウェーハWを
所定の向きに位置決めする。
[Wafer Positioning Step] The suction of the unloading hand 21 is released, and the semiconductor wafer W is placed on the mounting table 2.
Place on 3 Next, the wafer positioning unit 2 is driven to center the semiconductor wafer W on the mounting table 23 and determine the direction of the V notch V, thereby positioning the semiconductor wafer W in a predetermined direction.

【0102】すなわち、センタリング機構25のリング
回転用モータ37を駆動させて、リング部材31を回転
させることにより、連結された各押圧機構29の円筒状
押圧部材34が半径方向内方に移動して半導体ウェーハ
Wの外縁部分を押圧し、半導体ウェーハWの中心を載置
台23の中心に一致させてセンタリングが行われる。
That is, by driving the ring rotation motor 37 of the centering mechanism 25 and rotating the ring member 31, the cylindrical pressing members 34 of the connected pressing mechanisms 29 move radially inward. The outer edge portion of the semiconductor wafer W is pressed, and centering is performed such that the center of the semiconductor wafer W coincides with the center of the mounting table 23.

【0103】さらに、センタリング後に、載置台用吸着
手段43によって載置台吸着孔23aで半導体ウェーハ
Wを吸着して、載置台23上に保持する。そして、載置
台回転機構26の載置台回転用モータ41を駆動して、
載置台23を回転させることにより、半導体ウェーハW
を回転させる。
Further, after centering, the semiconductor wafer W is sucked by the mounting table suction hole 23 a by the mounting table suction means 43 and is held on the mounting table 23. Then, by driving the mounting table rotating motor 41 of the mounting table rotating mechanism 26,
By rotating the mounting table 23, the semiconductor wafer W
To rotate.

【0104】このとき、半導体ウェーハWのVノッチV
が、ちょうどノッチ検出センサ46の発光側光ファイバ
47の直下にきたとき、受光側光ファイバ内に発光側光
ファイバ47の光が導波されて、VノッチVが検出され
る。VノッチVが検知されると、その時点から周方向に
おける発光側光ファイバ47と位置決め突起部45bと
の間の角度に相当する回転角度だけ載置台23を回転さ
せることにより、VノッチVがちょうど位置決め突起部
45bに対向する位置で半導体ウェーハWの回転を停止
させる。
At this time, the V notch V of the semiconductor wafer W
Is just below the light emitting side optical fiber 47 of the notch detection sensor 46, the light of the light emitting side optical fiber 47 is guided into the light receiving side optical fiber, and the V notch V is detected. When the V notch V is detected, the mounting table 23 is rotated by a rotation angle corresponding to the angle between the light-emitting side optical fiber 47 and the positioning protrusion 45b in the circumferential direction from that point, so that the V notch V is just The rotation of the semiconductor wafer W is stopped at a position facing the positioning protrusion 45b.

【0105】この状態で、ノッチ用押圧シリンダ45を
操作して、ノッチ用ピストン部45aを伸ばすととも
に、位置決め突起部45bの先端をVノッチVに差し込
んで位置決めができたかを確認すると共に正確に方向決
めを行う。
In this state, the notch pressing cylinder 45 is operated to extend the notch piston 45a, and the tip of the positioning projection 45b is inserted into the V notch V to check whether positioning has been completed and to accurately determine the direction. Make a decision.

【0106】〔Vノッチ研磨工程〕半導体ウェーハWの
位置決めおよび方向決めが終了した時点で、載置台用吸
着手段43による吸着をしたまま上昇し、第1上下動シ
リンダ58によって第1ハンド56を上昇させるととも
に半導体ウェーハWをその上面に吸着溝56aで吸着し
て保持した後、載置台用吸着手段46による吸着を解除
する。そして、第1ロッドレスシリンダ57によって第
1受け渡し部48の上方へと第1ハンド56を水平移動
して半導体ウェーハWを第1受け渡し部48へ移送す
る。
[V Notch Polishing Step] When the positioning and orientation of the semiconductor wafer W is completed, the semiconductor wafer W is raised while being suctioned by the mounting table suction means 43, and the first hand 56 is raised by the first vertically moving cylinder 58. At the same time, the semiconductor wafer W is sucked and held on the upper surface by the suction groove 56a, and then the suction by the mounting table suction means 46 is released. Then, the first hand 56 is horizontally moved by the first rodless cylinder 57 above the first transfer unit 48 to transfer the semiconductor wafer W to the first transfer unit 48.

【0107】この状態において、予め第1受け渡し部4
8の上方に位置させたウェーハ吸着盤90を、吸着盤昇
降用エアシリンダ102によって吸着盤支持部91とと
もに下降させ、半導体ウェーハW上に当接させる。この
とき、第1ハンド56の吸着を解除し半導体ウェーハW
を解放するとともに、ウェーハ吸着盤90によって半導
体ウェーハWを、軸線を同じくして吸着保持する。
In this state, the first transfer section 4
The wafer suction plate 90 positioned above the wafer 8 is lowered together with the suction plate supporting portion 91 by the suction disk lifting / lowering air cylinder 102 and is brought into contact with the semiconductor wafer W. At this time, the suction of the first hand 56 is released and the semiconductor wafer W is released.
Is released, and the semiconductor wafer W is suction-held by the wafer suction board 90 with the same axis.

【0108】そして、ノッチ研磨室4のノッチ研磨室シ
ャッタ112を、シャッタ用エアシリンダ114の作動
によってスライドさせ、ノッチ研磨室天板111のノッ
チ用天板開口部111aを開口させる。ノッチ用天板開
口部111aが開いた状態で、吸着盤昇降用エアシリン
ダ102によってウェーハ吸着盤90を下降させ、ノッ
チ研磨室4内の所定位置に配される。このとき、ウェー
ハ吸着盤90に保持状態の半導体ウェーハWの向きは、
VノッチVがノッチ研磨機構5のノッチ用研磨ホイール
120に対向状態に配される。
Then, the notch polishing chamber shutter 112 of the notch polishing chamber 4 is slid by the operation of the shutter air cylinder 114 to open the notch top plate opening 111a of the notch polishing chamber top plate 111. With the notch top plate opening 111a opened, the wafer suction disk 90 is lowered by the suction disk lifting / lowering air cylinder 102, and is disposed at a predetermined position in the notch polishing chamber 4. At this time, the direction of the semiconductor wafer W held on the wafer suction disk 90 is
The V notch V is arranged to face the notch polishing wheel 120 of the notch polishing mechanism 5.

【0109】さらに、この状態で、ノッチ研磨室シャッ
タ112を、再びシャッタ用エアシリンダ114の作動
によってスライドさせ、ノッチ研磨室天板111のノッ
チ用天板開口部111aを閉じる。このとき、支持ロッ
ド104が、互いに当接したノッチ研磨室シャッタ11
2の切欠部112aで形成された円形の開口部内に配さ
れる。
Further, in this state, the notch polishing chamber shutter 112 is slid again by the operation of the shutter air cylinder 114, and the notch top plate opening 111a of the notch polishing chamber top plate 111 is closed. At this time, the notch polishing chamber shutter 11
It is arranged in a circular opening formed by the two notches 112a.

【0110】次に、 ノッチ用研磨液供給手段123を
作動させて、研磨液供給ノズル123aから研磨液をノ
ッチ用研磨布136に供給する。そして、回転用モータ
130を駆動させて、ノッチ用研磨ホイール120を回
転させながら、ノッチ押圧用シリンダ127を短縮させ
ることにより、ホイール回転駆動部121を半導体ウェ
ーハW側に移動させ、ノッチ用研磨ホイール120のノ
ッチ用研磨布136をVノッチVに所定の押圧力で当接
させる。このようにノッチ用研磨布136をVノッチV
に押圧させた状態で研磨を行う。
Next, the notch polishing liquid supply means 123 is operated to supply the polishing liquid to the notch polishing cloth 136 from the polishing liquid supply nozzle 123a. The notch polishing wheel 120 is moved to the semiconductor wafer W side by shortening the notch pressing cylinder 127 while rotating the notch polishing wheel 120 by driving the rotation motor 130, and moving the notch polishing wheel 120. The 120 notch polishing cloth 136 is brought into contact with the V notch V with a predetermined pressing force. Thus, the notch polishing cloth 136 is
Is polished in a state where it is pressed.

【0111】さらに、このとき、揺動用モータ125を
駆動することにより、ホイール回転駆動部121を上下
に揺動させ、VノッチVを中心にノッチ用研磨布136
を上下に揺動させる。これによって、VノッチV内側の
表面側および裏面側における角部も研磨される。
Further, at this time, by driving the rocking motor 125, the wheel rotation drive unit 121 is rocked up and down, and the notch polishing cloth 136 is centered on the V notch V.
Rock up and down. Thereby, the corners on the front side and the back side inside the V notch V are also polished.

【0112】〔表面研磨工程〕VノッチVを研磨した
後、ノッチ研磨室シャッタ112をスライドさせてノッ
チ研磨室天板111のノッチ用天板開口部111aを開
口させる。そして、半導体ウェーハWを保持したウェー
ハ吸着盤90を吸着盤昇降用エアシリンダ102によっ
てノッチ研磨室天板111の上方まで上昇させる。
[Surface Polishing Step] After polishing the V notch V, the notch polishing chamber shutter 112 is slid to open the notch top plate opening 111a of the notch polishing chamber top plate 111. Then, the wafer suction disk 90 holding the semiconductor wafer W is raised to a position above the top plate 111 of the notch polishing chamber by the air cylinder 102 for lifting and lowering the suction disk.

【0113】この状態で、旋回用ロータリーアクチュエ
ータ94を駆動させて旋回軸部材92を180゜回転さ
せるとともにウェーハ吸着盤90を180゜旋回させ、
表面研磨室6の上方に位置させる。そして、表面研磨室
6の面取り面研磨室シャッタ142をスライドさせ、面
取り面研磨室天板141の面取り面天板開口部141a
を開口させる。
In this state, the turning rotary actuator 94 is driven to rotate the turning shaft member 180 by 180 °, and the wafer suction disk 90 is turned by 180 °.
It is located above the surface polishing chamber 6. Then, the chamfered surface polishing chamber shutter 142 of the surface polishing chamber 6 is slid, and the chamfered surface polishing plate opening 141a of the chamfered surface polishing chamber top plate 141 is moved.
To open.

【0114】面取り面天板開口部141aが開いた状態
で、吸着盤昇降用エアシリンダ102によってウェーハ
吸着盤90を下降させ、表面研磨室6内の所定位置に配
される。さらに、この状態で、面取り面研磨室シャッタ
142を再びスライドさせ、面取り面天板開口部141
aを閉じる。このとき、支持ロッド104が、互いに当
接した面取り面研磨室シャッタ142の切欠部で形成さ
れた円形の開口部内に配される。
With the opening 141a of the chamfered top plate open, the wafer suction plate 90 is lowered by the suction plate lifting air cylinder 102, and is disposed at a predetermined position in the surface polishing chamber 6. Further, in this state, the chamfered surface polishing chamber shutter 142 is slid again, and the chamfered surface top plate opening 141 is moved.
Close a. At this time, the support rod 104 is disposed in a circular opening formed by a cutout portion of the chamfered surface polishing chamber shutter 142 that abuts on each other.

【0115】次に、面取り面研磨機構149Aにおい
て、揺動用エアシリンダ167を短縮させて揺動腕部1
60の先端側を上方に揺動させ、所定角度で傾斜された
面取り面用研磨ドラム150Aの面取り面用研磨布16
9Aを、図28に示すように、下方から保持状態の半導
体ウェーハWの表面側の面取り面Mに所定の押圧力で当
接させる。
Next, in the chamfered surface polishing mechanism 149A, the swinging air cylinder 167 is shortened so that the swinging arm 1
60 is swung upward, and the polishing cloth 16 for the chamfered surface of the polishing drum 150A for the chamfered surface inclined at a predetermined angle.
As shown in FIG. 28, the 9A is brought into contact with the chamfered surface M on the front surface side of the semiconductor wafer W in a holding state from below with a predetermined pressing force.

【0116】一方、外側面研磨機構149Bにおいて、
揺動用エアシリンダ167を短縮させて揺動腕部160
の先端側を上方に揺動させ、所定角度で傾斜された外側
面用研磨ドラム150Bの外側面用研磨布169Bを、
図29に示すように、側方から保持状態の半導体ウェー
ハWの外側面Sに所定の押圧力で当接させる。この状態
で、面取り面研磨液供給手段を駆動させて、研磨液を面
取り面用研磨布169Aおよび外側面用研磨布169B
上に供給する。
On the other hand, in the outer surface polishing mechanism 149B,
By shortening the swinging air cylinder 167, the swinging arm 160
Of the outer surface polishing cloth 169B of the outer surface polishing drum 150B inclined at a predetermined angle,
As shown in FIG. 29, the semiconductor wafer W is brought into contact with the outer surface S of the semiconductor wafer W in a holding state from a side with a predetermined pressing force. In this state, the polishing liquid supply means is driven so that the polishing liquid is supplied to the polishing cloth 169A for the chamfered surface and the polishing cloth 169B for the outer surface.
Supply on top.

【0117】そして、面取り面研磨機構149Aにおい
て、ドラム回転用モータ161を駆動させ、無端状ベル
ト165を介して面取り面用研磨ドラム150Aを所定
の回転速度で回転させ、面取り面用研磨布169Aを面
取り面Mの周方向に向けて摺動させることにより、表面
側の面取り面Mの研磨を行う。一方、外側面研磨機構1
49Bにおいて、ドラム回転用モータ161を駆動さ
せ、無端状ベルト165を介して外側面用研磨ドラム1
50Bを所定の回転速度で回転させ、外側面用研磨布1
69Bを外側面Sの周方向に向けて摺動させることによ
り、外側面Sの研磨を行う。
Then, in the chamfered surface polishing mechanism 149A, the drum rotation motor 161 is driven to rotate the chamfered surface polishing drum 150A at a predetermined rotation speed via the endless belt 165, and the chamfered surface polishing cloth 169A is rotated. The chamfered surface M on the front side is polished by sliding in the circumferential direction of the chamfered surface M. On the other hand, the outer surface polishing mechanism 1
At 49B, the drum rotation motor 161 is driven to drive the outer surface polishing drum 1 via the endless belt 165.
50B is rotated at a predetermined rotation speed, and the outer surface polishing cloth 1
The outer surface S is polished by sliding the 69B in the circumferential direction of the outer surface S.

【0118】また、同時に、吸着盤回転モータ103を
駆動させ、ウェーハ吸着盤90とともに半導体ウェーハ
Wを回転させる。このとき、吸着盤回転モータ103の
回転は減速機によって所定回転速度に設定されるととも
に、ウェーハ吸着盤90の回転角が回転角検出センサに
よって検出される。さらに、面取り面用直動ユニット部
153Aのカムフォロワ回転用モータ156および外側
面用直動ユニット部153Bのカムフォロワ回転用モー
タ156を駆動して、面取り面用研磨ドラム150Aお
よび外側面用研磨ドラム150Bをそれぞれの軸線方向
に所定量だけ進退移動させる。
At the same time, the suction disk rotating motor 103 is driven to rotate the semiconductor wafer W together with the wafer suction disk 90. At this time, the rotation of the suction disk rotating motor 103 is set to a predetermined rotation speed by a speed reducer, and the rotation angle of the wafer suction disk 90 is detected by a rotation angle detection sensor. Further, the cam follower rotation motor 156 of the chamfering surface linear motion unit 153A and the cam follower rotation motor 156 of the outer surface linear motion unit 153B are driven to drive the chamfering surface polishing drum 150A and the outer surface polishing drum 150B. It is moved back and forth by a predetermined amount in each axis direction.

【0119】すなわち、前記面取り面用研磨ドラム15
0Aおよび外側面用研磨ドラム150Bは、面取り面用
直動ユニット部153Aおよび外側面用直動ユニット部
153Bによって、それぞれの軸線方向に所定量移動さ
れ、面取り面用研磨布169Aおよび外側面用研磨布1
69Bの外周面における広い範囲で研磨することによっ
て、偏摩耗が防止でき、面取り面用研磨ドラム150A
および外側面用研磨布169Bの長寿命化が図られてい
る。
That is, the polishing drum 15 for chamfering
0A and the outer surface polishing drum 150B are moved by a predetermined amount in the respective axial directions by the chamfer surface linear motion unit 153A and the outer surface linear motion unit 153B, and the chamfer surface polishing cloth 169A and the outer surface polishing are performed. Cloth 1
By polishing over a wide range on the outer peripheral surface of the 69B, uneven wear can be prevented, and the polishing drum 150A for chamfering can be used.
In addition, the life of the outer surface polishing cloth 169B is extended.

【0120】したがって、面取り面用研磨ドラム150
A、面取り面用ドラム駆動手段151Aおよび面取り面
用研磨液供給手段は、半導体ウェーハWの面取り面Mに
研磨液を供給しながら面取り面用研磨布169Aを押圧
状態に当接させて弾性変形させるとともに、該面取り面
用研磨布169Aを面取り面Mの周方向に沿って摺動可
能に支持する面取り面研磨機構として機能する。
Therefore, the grinding drum 150 for the chamfered surface
A, the chamfered surface drum driving unit 151A and the chamfered surface polishing liquid supply unit supply the polishing liquid to the chamfered surface M of the semiconductor wafer W and cause the chamfered surface polishing cloth 169A to abut against the pressed state to be elastically deformed. At the same time, it functions as a chamfered surface polishing mechanism for supporting the chamfered surface polishing cloth 169A slidably along the circumferential direction of the chamfered surface M.

【0121】また、外側面用研磨ドラム150B、外側
面用ドラム駆動手段151Bおよび面取り面用研磨液供
給手段は、半導体ウェーハWの外側面Sに研磨液を供給
しながら外側面用研磨布169Bを押圧状態に当接させ
て弾性変形させるとともに、該外側面用研磨布169B
を外側面Sの周方向に沿って摺動可能に支持する外側面
研磨機構として機能する。
The outer surface polishing drum 150B, the outer surface drum driving means 151B and the chamfering surface polishing liquid supply means supply the outer surface polishing cloth 169B while supplying the polishing liquid to the outer surface S of the semiconductor wafer W. The outer surface polishing cloth 169B is brought into contact with the pressed state and elastically deformed.
Functions as an outer surface polishing mechanism that slidably supports the outer surface S along the circumferential direction of the outer surface S.

【0122】表面側の面取り面Mと外側面Sとを研磨し
た後、表面研磨室6における面取り面研磨室シャッタ1
42をスライドさせて、面取り面天板開口部141aを
開口させる。そして、半導体ウェーハWを保持したウェ
ーハ吸着盤90を、吸着盤昇降用エアシリンダ102に
よって面取り面研磨室天板141の上方まで上昇させ
る。
After polishing the chamfered surface M and the outer surface S on the front side, the chamfered surface polishing chamber shutter 1 in the surface polishing chamber 6
Slide 42 to open the chamfered top plate opening 141a. Then, the wafer suction disk 90 holding the semiconductor wafer W is raised to above the chamfered surface polishing chamber top plate 141 by the suction disk lifting air cylinder 102.

【0123】なお、表面研磨室6において一方のウェー
ハ吸着盤90に保持された半導体ウェーハWの表面側の
面取り面Mが研磨されている間に、他方のウェーハ吸着
盤90は、前記ウェーハ取り出し工程および前記ウェー
ハ位置決め工程を経て第1受け渡し部48に搬送された
別の半導体ウェーハWを、一方のウェーハ吸着盤90と
同様にして吸着保持している。
While the chamfered surface M on the front side of the semiconductor wafer W held by the one wafer suction plate 90 in the surface polishing chamber 6 is being polished, the other wafer suction plate 90 performs the wafer removal process. Further, another semiconductor wafer W transported to the first transfer section 48 through the wafer positioning step is suction-held in the same manner as the one wafer suction board 90.

【0124】この状態で、旋回用ロータリーアクチュエ
ータ94を駆動して旋回軸部材92を回転させ、一方お
よび他方のウェーハ吸着盤90をそれぞれ180゜旋回
させる。すなわち、一方のウェーハ吸着盤90に保持さ
れた半導体ウェーハWは、再び第1受け渡し部48の上
方に移送されるとともに、他方のウェーハ吸着盤90に
保持された半導体ウェーハWは、表面研磨室6の上方に
移送され一方のウェーハ吸着盤90に保持された半導体
ウェーハWと同様に表面側の面取り面Mの研磨が行われ
る。
In this state, the rotation rotary actuator 94 is driven to rotate the rotation shaft member 92, and the one and the other wafer suction disks 90 are respectively rotated by 180 °. That is, the semiconductor wafer W held on one wafer suction disk 90 is transported again above the first transfer unit 48, and the semiconductor wafer W held on the other wafer suction disk 90 is moved to the surface polishing chamber 6. The upper chamfered surface M is polished in the same manner as the semiconductor wafer W transferred above and held by the one wafer suction disk 90.

【0125】〔ウェーハ反転工程〕表面研磨済みの半導
体ウェーハWを第1受け渡し部48の上方に移送した
後、第2ハンド65を第2上下動シリンダ67でウェー
ハ吸着盤90より低い位置に設定するとともに、第1受
け渡し部48のウェーハ吸着盤90の下方に第2ロッド
レスシリンダ66によって水平移動させる。
[Wafer Reversing Step] After the semiconductor wafer W whose surface has been polished is transferred above the first transfer section 48, the second hand 65 is set at a position lower than the wafer suction disk 90 by the second vertical movement cylinder 67. At the same time, it is horizontally moved by the second rodless cylinder 66 below the wafer suction plate 90 of the first transfer section 48.

【0126】この状態で、ウェーハ吸着盤90を下降さ
せるとともに半導体ウェーハWを第2ハンド65上に載
置する。このとき、ウェーハ吸着盤90の吸着を解除し
て半導体ウェーハWを開放するとともに、第2ハンド6
5の吸着孔65aで半導体ウェーハWの下面、すなわち
表面側を吸着して半導体ウェーハWを保持する。
In this state, the wafer suction plate 90 is lowered and the semiconductor wafer W is placed on the second hand 65. At this time, the suction of the wafer suction disk 90 is released to release the semiconductor wafer W, and the second hand 6
The lower surface of the semiconductor wafer W, that is, the front surface side is sucked by the suction holes 65a of No. 5 to hold the semiconductor wafer W.

【0127】次に、半導体ウェーハWを保持した第2ハ
ンド65を、第2ロッドレスシリンダ66によって第2
受け渡し部50へと水平移動する。このとき、第2ハン
ド65から反転ユニット52の反転用ハンド74に半導
体ウェーハWを受け渡し、第2ハンド65を退避させた
後に、反転用アクチュエータ73を駆動して反転用ハン
ド74を延在方向を軸線として180゜回転させる。
Next, the second hand 65 holding the semiconductor wafer W is moved by the second rodless cylinder 66 to the second hand 65.
It moves horizontally to the transfer unit 50. At this time, the semiconductor wafer W is transferred from the second hand 65 to the reversing hand 74 of the reversing unit 52, and after retreating the second hand 65, the reversing actuator 73 is driven to move the reversing hand 74 in the extending direction. Rotate 180 ° as the axis.

【0128】反転後、第3ハンド75を、第3上下動シ
リンダ77および第3ロッドレスシリンダ76によって
第2受け渡し部50へ移動し、反転用ハンド74から半
導体ウェーハをWを受け取るとともに、吸着孔75aに
よって半導体ウェーハWの下面、すなわち裏面側を上面
で吸着して保持する第3ハンド75は、半導体ウェーハ
Wを吸着した後、第3受け渡し部53へと第3ロッドレ
スシリンダ76によって水平移動される。
After the reversing, the third hand 75 is moved to the second transfer section 50 by the third vertically moving cylinder 77 and the third rodless cylinder 76 to receive the semiconductor wafer W from the reversing hand 74 and to hold the suction hole. The third hand 75, which holds the lower surface of the semiconductor wafer W by suction at the upper surface, ie, the back surface side, by suctioning the semiconductor wafer W, is horizontally moved to the third transfer portion 53 by the third rodless cylinder 76. You.

【0129】〔裏面研磨工程〕第3ハンド75が第3受
け渡し部53に配された後、予め第3受け渡し部53の
上方に位置させた裏面研磨室移送機構10のウェーハ吸
着盤90を、下降させるとともに第3ハンド75上の半
導体ウェーハWの上面に当接させる。このとき、第3ハ
ンド75の吸着を解除して半導体ウェーハWを開放する
とともに、裏面研磨室移送機構10のウェーハ吸着盤9
0で半導体ウェーハWの上面、すなわち表面側を吸着し
て半導体ウェーハWを保持する。
[Back Grinding Step] After the third hand 75 is placed in the third transfer part 53, the wafer suction plate 90 of the back-surface polishing chamber transfer mechanism 10 previously positioned above the third transfer part 53 is lowered. At the same time, it is brought into contact with the upper surface of the semiconductor wafer W on the third hand 75. At this time, the suction of the third hand 75 is released to release the semiconductor wafer W, and the wafer suction disk 9 of the backside polishing chamber transfer mechanism 10 is moved.
At 0, the upper surface of the semiconductor wafer W, that is, the front surface side is sucked to hold the semiconductor wafer W.

【0130】この後、表面研磨工程と同様に、裏面研磨
室移送機構10によって、裏面を下方に向けて保持した
半導体ウェーハWを裏面研磨室9内へと移送し、裏面側
の外縁部全周の面取り面Mおよび外側面Sの研磨を行
う。そして、裏面側の面取り面Mの研磨が終了した後、
表面研磨工程と同様に、裏面研磨室移送機構10のウェ
ーハ吸着盤90に保持状態の半導体ウェーハWは、再び
第3受け渡し部53の上方に移送される。
Thereafter, similarly to the front-surface polishing step, the semiconductor wafer W whose rear surface is held downward is transferred into the rear-surface polishing room 9 by the rear-surface polishing chamber transfer mechanism 10, and the entire periphery of the outer edge portion on the rear surface is removed. Of the chamfered surface M and the outer surface S are performed. Then, after the polishing of the chamfered surface M on the back side is completed,
Similarly to the front surface polishing step, the semiconductor wafer W held on the wafer suction disk 90 of the back surface polishing chamber transfer mechanism 10 is transferred again above the third transfer unit 53.

【0131】なお、表面研磨工程と同様に、裏面研磨室
9において一方のウェーハ吸着盤90に保持された半導
体ウェーハWの裏面側の面取り面Mが研磨されている間
に、他方のウェーハ吸着盤90は、前記表面研磨工程お
よび前記ウェーハ反転工程を経て第3受け渡し部53に
搬送された別の半導体ウェーハWを、一方のウェーハ吸
着盤90と同様にして吸着保持している。
In the same manner as in the front surface polishing step, while the chamfered surface M on the back surface side of the semiconductor wafer W held on one wafer suction plate 90 in the back surface polishing chamber 9 is being polished, the other wafer suction plate is polished. 90 sucks and holds another semiconductor wafer W transferred to the third transfer unit 53 through the surface polishing step and the wafer reversing step in the same manner as the one wafer suction disk 90.

【0132】この状態で、旋回用ロータリーアクチュエ
ータ94を駆動して旋回軸部材92を回転させ、一方お
よび他方のウェーハ吸着盤90をそれぞれ180゜旋回
させる。すなわち、一方のウェーハ吸着盤90に保持さ
れた半導体ウェーハWは、再び第3受け渡し部53の上
方に移送されるとともに、他方のウェーハ吸着盤90に
保持された半導体ウェーハWは、裏面研磨室9の上方に
移送され一方のウェーハ吸着盤90に保持された半導体
ウェーハWと同様に裏面側の面取り面Mの研磨が行われ
る。
In this state, the rotation rotary actuator 94 is driven to rotate the rotation shaft member 92, and the one and the other wafer suction disks 90 are respectively rotated by 180 °. That is, the semiconductor wafer W held by the one wafer suction disk 90 is transported again above the third transfer section 53, and the semiconductor wafer W held by the other wafer suction disk 90 is moved to the back surface polishing chamber 9 As in the case of the semiconductor wafer W transferred above and held by one of the wafer suction plates 90, the chamfered surface M on the back side is polished.

【0133】〔ウェーハ洗浄工程〕裏面研磨済みの半導
体ウェーハWを第3受け渡し部53の上方に移送した
後、予め第3受け渡し部53に配したアンローダーユニ
ット55のアンローダー用ハンド85上に半導体ウェー
ハWを載置する。このとき、ウェーハ吸着盤90の吸着
を解除して半導体ウェーハWを開放するとともに、アン
ローダー用ハンド85の吸着孔85aで半導体ウェーハ
Wを吸着して保持する。
[Wafer Cleaning Step] After the semiconductor wafer W whose back surface has been polished is transferred above the third transfer section 53, the semiconductor wafer W is placed on the unloader hand 85 of the unloader unit 55 previously arranged in the third transfer section 53. The wafer W is placed. At this time, the suction of the wafer suction disk 90 is released to release the semiconductor wafer W, and the semiconductor wafer W is sucked and held by the suction holes 85a of the unloader hand 85.

【0134】半導体ウェーハWを保持したアンローダー
用ハンド85を、水平方向移動装置82および上下動用
ロータリーアクチュエータを駆動させて、洗浄槽170
の上方へ移動させる。さらに、揺動用ロータリーアクチ
ュエータを駆動して、アンローダー用ハンド85を揺動
させて先端部を下方に向け、保持している半導体ウェー
ハWを水平状態から垂直状態にする。このとき、半導体
ウェーハWが、平面視において一対の円筒状スクラバ1
71の中間位置に配される。
The unloader hand 85 holding the semiconductor wafer W is driven by the horizontal moving device 82 and the rotary actuator for up and down movement, and the cleaning tank 170 is moved.
To move upward. Further, the swing rotary actuator is driven to swing the unloader hand 85 so that the tip is directed downward, and the held semiconductor wafer W is changed from the horizontal state to the vertical state. At this time, the semiconductor wafer W is placed on the pair of cylindrical scrubbers 1 in plan view.
71 is disposed at an intermediate position.

【0135】次に、上下動用ロータリーアクチュエータ
によってアンローダー用ハンド85を下げて、半導体ウ
ェーハWを洗浄槽170内に入れるとともに一対の円筒
状スクラバ171の間に挿入する。さらに、半導体ウェ
ーハWを、吸着を解除してアンローダー用ハンド85か
ら解放することにより、複数の支持ローラ191aによ
って回転可能に支持させる。
Next, the unloader hand 85 is lowered by the rotary actuator for vertical movement, and the semiconductor wafer W is put into the cleaning tank 170 and inserted between the pair of cylindrical scrubbers 171. Further, the semiconductor wafer W is released from the unloader hand 85 by releasing the suction and is rotatably supported by the plurality of support rollers 191a.

【0136】この状態で、スクラバユニット172を駆
動させて半導体ウェーハWの洗浄を行う。すなわち、ま
ず、スクラバ用押圧エアシリンダ180を伸長させるこ
とにより、一対のスクラバ連結部材183A、183B
を、互いに先端が近づくように回転させる。このとき、
これらスクラバ連結部材183A、183Bに取り付け
られた一対の円筒状スクラバ171が互いに近接すると
ともに、その間に半導体ウェーハWを挟んだ状態とされ
る。
In this state, the scrubber unit 172 is driven to clean the semiconductor wafer W. That is, first, the pair of scrubber connecting members 183A and 183B are extended by extending the scrubber pressing air cylinder 180.
Are rotated so that the tips approach each other. At this time,
A pair of cylindrical scrubbers 171 attached to these scrubber connecting members 183A and 183B are brought close to each other and the semiconductor wafer W is sandwiched therebetween.

【0137】そして、スクラバ駆動用モータ178を駆
動させ、スクラバ用無端状ベルト190を介して一対の
円筒状スクラバ171を互いに反対方向に回転させる。
このとき、同時に、洗浄水を、洗浄水供給源からスクラ
バ軸部材184の流通孔184aおよびスクラバ取付筒
部185の貫通孔185aを介して円筒状スクラバ17
1の外側に噴出させる。すなわち、半導体ウェーハW
は、円筒状スクラバ171からの洗浄水と円筒状スクラ
バ171との接触によって、スクラブ洗浄されて研磨液
等が除去されるとともに、半径方向片側を円筒状スクラ
バ171に挟持されているため、円筒状スクラバ171
の回転によって回転し、全周に亙って洗浄される。
Then, the scrubber driving motor 178 is driven to rotate the pair of cylindrical scrubbers 171 in opposite directions via the scrubber endless belt 190.
At this time, at the same time, the cleaning water is supplied from the cleaning water supply source through the circulation hole 184a of the scrubber shaft member 184 and the through hole 185a of the scrubber mounting cylinder 185.
Spout outside of 1. That is, the semiconductor wafer W
Since the cleaning water from the cylindrical scrubber 171 and the cylindrical scrubber 171 come into contact with each other, scrub cleaning is performed to remove polishing liquid and the like, and one side in the radial direction is sandwiched by the cylindrical scrubber 171. Scrubber 171
And is washed over the entire circumference.

【0138】〔ウェーハ収納工程〕洗浄終了後、スクラ
バ用押圧エアシリンダ180を短縮させることにより、
一対の円筒状スクラバ171を互いに離間させ、その間
に挟持されていた半導体ウェーハWを解放する。そし
て、半導体ウェーハWを、アンローダー用ハンド85の
吸着孔85aに再び吸着させて、アンローダー用ハンド
85に保持する。
[Wafer Storage Step] After the cleaning, the pressing air cylinder 180 for the scrubber is shortened,
The pair of cylindrical scrubbers 171 are separated from each other, and the semiconductor wafer W sandwiched therebetween is released. Then, the semiconductor wafer W is sucked again into the suction holes 85 a of the unloader hand 85 and held by the unloader hand 85.

【0139】次に、半導体ウェーハWを垂直状態で保持
したアンローダー用ハンド85を、上昇させるととも
に、水槽部193の上方所定位置まで水平移動させる。
そして、アンローダー用ハンド85を再び下げるととも
に、水槽部193内の収納用カセットC2の所定位置に
半導体ウェーハWを移送するとともに、吸着を解除して
載置することにより収納が完了する。
Next, the unloader hand 85 holding the semiconductor wafer W in a vertical state is raised and horizontally moved to a predetermined position above the water tank section 193.
Then, the unloader hand 85 is lowered again, the semiconductor wafer W is transferred to a predetermined position of the storage cassette C2 in the water tank portion 193, and the storage is completed by releasing the suction and mounting the semiconductor wafer W.

【0140】上記各工程によって所定枚数の半導体ウェ
ーハWが収納用カセットC2に収納された後、該収納用
カセットC2が載置されたカセット支持部196を昇降
用エアシリンダ195によって上昇させ、収納用カセッ
トC2を水槽部193上部に配する。この後、半導体ウ
ェーハWは収納用カセットC2ごと水槽部193から取
り出されて次工程へと移送される。
After a predetermined number of semiconductor wafers W are stored in the storage cassette C2 by the above-described steps, the cassette support portion 196 on which the storage cassette C2 is mounted is raised by the air cylinder 195 for lifting and lowering. The cassette C2 is arranged above the water tank unit 193. Thereafter, the semiconductor wafer W is taken out of the water tank section 193 together with the storage cassette C2 and transferred to the next step.

【0141】この半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
は、半導体ウェーハWが各搬送機構により各研磨機構に
順次搬送されるので、半導体ウェーハWの各面取り面M
が順次研磨され、さらに研磨後に洗浄されて最終的に収
納用カセットC2に収納されることにより、VノッチV
を含めた全ての面取り面Mの研磨、洗浄および収納が効
率的に行われる。
In this apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer, the semiconductor wafer W is sequentially transferred to each polishing mechanism by each transfer mechanism.
Are sequentially polished, further cleaned after polishing, and finally stored in the storage cassette C2, so that the V notch V
The polishing, cleaning and storage of all the chamfered surfaces M including the above are efficiently performed.

【0142】また、半導体ウェーハWはノッチ研磨機構
5に搬送される直前に、ノッチ位置決め機構27によっ
てVノッチVの方向付けが正確に行われるので、ノッチ
研磨機構5でのVノッチVの研磨が正確にかつ良好に行
われる。そして、研磨時の研磨液等が半導体ウェーハW
に付着する前にVノッチVの位置決めを行うので、ノッ
チ位置決め機構27に研磨液等が付着することがない。
Since the V notch V is accurately oriented by the notch positioning mechanism 27 immediately before the semiconductor wafer W is transferred to the notch polishing mechanism 5, polishing of the V notch V by the notch polishing mechanism 5 is performed. Performed accurately and well. Then, a polishing liquid or the like during polishing is applied to the semiconductor wafer W.
Since the V-notch V is positioned before the V-notch is attached, no polishing liquid or the like adheres to the notch positioning mechanism 27.

【0143】さらに、ノッチ研磨機構5が円環状のノッ
チ用研磨布136と、ノッチ用研磨布136をVノッチ
Vに回転摺動させるホイール回転駆動部121とを備え
ているので、VノッチVの奥まで研磨布を当接させて摺
動させることができ、VノッチVにおける面取り面Mの
全体が良好に研磨される。
Further, the notch polishing mechanism 5 includes an annular notch polishing cloth 136 and a wheel rotation drive unit 121 for rotating and sliding the notch polishing cloth 136 to the V notch V. The polishing cloth can be slid by contacting the polishing cloth to the back, and the entire chamfered surface M at the V notch V is polished well.

【0144】そして、面取り面研磨機構149Aと、吸
着盤支持部91に保持された半導体ウェーハWの外側面
Sに研磨液を供給しながら外側面用研磨布169Bを当
接させるとともに、該外側面用研磨布169Bを外側面
Sの周方向に摺動可能に支持する外側面研磨機構149
Bとを備えているので、面取り面研磨機構149Aで面
取り面Mが研磨されるとともに、同時に、外側面研磨機
構149Bによって外側面用研磨布169Bが外側面S
に当接・摺動することにより、該外側面Sも研磨され
る。
Then, the outer surface polishing cloth 169B is brought into contact with the chamfered surface polishing mechanism 149A while supplying a polishing liquid to the outer surface S of the semiconductor wafer W held by the suction disk supporting portion 91. Surface polishing mechanism 149 that supports the polishing cloth 169B for sliding in the circumferential direction of the outer surface S.
B, the chamfered surface polishing mechanism 149A polishes the chamfered surface M, and at the same time, the outer surface polishing pad 169B causes the outer surface polishing cloth 169B to be polished by the outer surface S.
The outer surface S is also polished by abutting and sliding on the outer surface S.

【0145】さらに、面取り面研磨機構149Aは、面
取り面用研磨ドラム150Aと、面取り面用ドラム駆動
手段151Aとを備え、外側面研磨機構149Bは、外
側面用研磨ドラム150Bと、外側面用ドラム駆動手段
151Bとを備えているので、回転する面取り面用研磨
ドラム150Aおよび外側面用研磨ドラム150Bの外
周面がそれぞれ半導体ウェーハWの面取り面Mおよび外
側面Sに当接して回転摺動することにより、面取り面用
研磨布169Aおよび外側面用研磨布169Bで面取り
面Mおよび外側面Sがそれぞれ安定かつ良好に研磨され
る。
Further, the chamfered surface polishing mechanism 149A includes a chamfered surface polishing drum 150A and a chamfered surface drum driving means 151A, and the outer surface polishing mechanism 149B includes an outer surface polishing drum 150B and an outer surface drum. Since the driving means 151B is provided, the outer peripheral surfaces of the rotating polishing drum 150A for the chamfer surface and the outer polishing surface 150B for the outer surface come into contact with the chamfer surface M and the outer surface S of the semiconductor wafer W to rotate and slide. Thereby, the chamfered surface M and the outer surface S are polished stably and satisfactorily with the chamfered surface polishing cloth 169A and the outer side surface polishing cloth 169B, respectively.

【0146】なお、面取り面研磨機構149Aによっ
て、面取り面用研磨布169Aを面取り面Mの周方向に
摺動させて研磨を行ったが、図30に示すように、当該
周方向に直交する方向に面取り面用研磨布169Aを摺
動させて研磨を行うと、図30の(b)に示すように、
面取り面Mの凹凸の平坦化が不十分になるとともに、周
方向に微視的な波打ちが残ってしまう現象が生じる。
The polishing was performed by sliding the polishing cloth 169A for the chamfered surface in the circumferential direction of the chamfered surface M by the chamfered surface polishing mechanism 149A, as shown in FIG. When the polishing is performed by sliding the polishing cloth 169A for chamfering, as shown in FIG.
A phenomenon occurs in which the flattening of the unevenness of the chamfered surface M becomes insufficient and microscopic undulations remain in the circumferential direction.

【0147】このように凹凸の平坦化が十分でないと、
半導体ウェーハのハンドリング時において、半導体ウェ
ーハを滑らせたときに、凹凸部分が引っかかって欠け易
くなるとともに、面粗度が低くなるために微小なゴミが
付着し易いという問題が生じてしまう。これに対して、
本実施形態では、面取り面Mの周方向に摺動させて研磨
を行うので、図30の(c)に示すように、面取り面M
の凹凸がほぼ滑らかに平坦化され、上記の周方向におけ
る波打ち現象も生じ難いという利点がある。特に、大口
径の半導体ウェーハにおける面取り面研磨において、周
方向に直交する方向に面取り面用研磨布を摺動させるよ
り、周方向に面取り面用研磨布を摺動させる方が上記効
果による良好な平坦性を得ることができる。
As described above, if the unevenness is not sufficiently flattened,
At the time of handling the semiconductor wafer, when the semiconductor wafer is slid, there is a problem that the uneven portion is caught and easily chipped, and the surface roughness is low, so that fine dust easily adheres. On the contrary,
In the present embodiment, the polishing is performed by sliding in the circumferential direction of the chamfered surface M. Therefore, as shown in FIG.
This has the advantage that the unevenness of the surface is almost flattened smoothly and the above-mentioned waving phenomenon in the circumferential direction hardly occurs. In particular, in polishing a chamfered surface in a large diameter semiconductor wafer, sliding the chamfered surface polishing cloth in the circumferential direction is more preferable than sliding the chamfered surface polishing cloth in a direction perpendicular to the circumferential direction due to the above effect. Flatness can be obtained.

【0148】なお、本発明は、次のような実施形態をも
含むものである。 (1)それぞれ一つの面取り面用研磨ドラム150Aお
よび外側面用研磨ドラム150Bによって半導体ウェー
ハWを研磨したが、複数の面取り面用研磨ドラムまたは
外側面用研磨ドラムを採用しても構わない。この場合、
面取り面用研磨ドラムおよび外側面用研磨ドラムの数が
多いほど円周方向の各研磨ドラム、すなわち各研磨布の
間隔が狭くなるので、半導体ウェーハの全周の面取り面
および外周面を研磨するのに必要な半導体ウェーハの回
転角度が小さくなり、加工時間をより短縮させることが
できる。
The present invention also includes the following embodiments. (1) Although the semiconductor wafer W is polished by one polishing drum 150A for the chamfered surface and the polishing drum 150B for the outer surface, a plurality of polishing drums for the chamfered surface or the outer surface may be employed. in this case,
The greater the number of the polishing drums for the chamfered surface and the outer surface, the smaller the distance between the respective polishing drums in the circumferential direction, that is, the respective polishing cloths. The rotation angle of the semiconductor wafer required for the process is reduced, and the processing time can be further reduced.

【0149】(2)上記実施形態では、面取り面用およ
び外周面用研磨液供給手段によって、面取り面用研磨ド
ラム150Aおよび外側面用研磨ドラム150Bに研磨
液を供給しながら研磨を行ったが、面取り面用研磨ドラ
ムおよび外側面用研磨ドラムを、研磨液が貯留された研
磨液槽に浸した状態で研磨を行っても構わない。
(2) In the above embodiment, the polishing is performed while the polishing liquid is supplied to the polishing drum 150A for the chamfered surface and the polishing drum 150B for the outer surface by the polishing liquid supply means for the chamfered surface and the outer peripheral surface. The polishing may be performed in a state where the polishing drum for the chamfered surface and the polishing drum for the outer surface are immersed in a polishing liquid tank in which a polishing liquid is stored.

【0150】(3)上記実施形態では、表面研磨室6お
よび裏面研磨室9のウェーハ吸着盤90、面取り面用研
磨ドラム150Aおよび外側面用研磨ドラム150Bを
それぞれ所定の方向に回転させて研磨を行ったが、いず
れも逆方向に回転可能とされており、適宜これらの回転
方向を組み合わせることができるように設定されてい
る。
(3) In the above embodiment, polishing is performed by rotating the wafer suction plate 90, the chamfering surface polishing drum 150A, and the outer surface polishing drum 150B of the front surface polishing chamber 6 and the back surface polishing chamber 9 in predetermined directions. However, they are all rotatable in the opposite directions, and are set so that these rotation directions can be appropriately combined.

【0151】(4)面取り面用研磨ドラム150A、外
側面用研磨ドラム150Bおよびウェーハ吸着盤90の
回転速度は、適宜所定速度に設定可能とされており、ウ
ェーハ吸着盤90に吸着された半導体ウェーハWの回転
速度を、当接する面取り面用研磨ドラム150Aまたは
外側面用研磨ドラム150Bの回転速度より高速に設定
しても低速に設定しても構わない。
(4) The rotating speed of the polishing drum 150A for the chamfered surface, the polishing drum 150B for the outer surface, and the wafer suction disk 90 can be set to a predetermined speed as appropriate. The rotation speed of W may be set to be higher or lower than the rotation speed of the polishing drum 150A for the chamfered surface or the polishing drum 150B for the outer surface to be brought into contact.

【0152】(5)ノッチ用研磨布136の回転速度お
よび回転方向は、適宜所定速度および方向に設定可能と
されており、VノッチVにおける面取り面の研磨特性を
調整することが可能である。 (6)リング状のノッチ用研磨布136を用いたが、円
盤状のノッチ用研磨布を採用しても構わない。
(5) The rotating speed and rotating direction of the notch polishing cloth 136 can be set to predetermined speeds and directions as appropriate, and the polishing characteristics of the chamfered surface at the V notch V can be adjusted. (6) Although the ring-shaped notch polishing cloth 136 is used, a disc-shaped notch polishing cloth may be used.

【0153】[0153]

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。 (1)請求項1記載の半導体ウェーハの面取り面研磨装
置によれば、半導体ウェーハが未研磨ウェーハ搬送機構
および研磨機構間搬送機構によりノッチ研磨機構、表面
研磨機構および裏面研磨機構に順次搬送されるので、半
導体ウェーハの各面取り面が順次研磨され、さらに研磨
後に研磨済ウェーハ搬送機構によりウェーハ洗浄機構に
搬送、洗浄されて最終的に収納部に収納されることによ
り、ノッチ部分を含めた全ての面取り面の研磨、洗浄お
よび収納を効率的に行うことができる。
According to the present invention, the following effects can be obtained. (1) According to the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus of the first aspect, the semiconductor wafer is sequentially conveyed to the notch polishing mechanism, the front surface polishing mechanism, and the back surface polishing mechanism by the unpolished wafer conveyance mechanism and the inter-polishing mechanism conveyance mechanism. Therefore, each chamfered surface of the semiconductor wafer is sequentially polished, and further polished, transported to a wafer cleaning mechanism by a polished wafer transport mechanism, washed and finally stored in a storage section, and all the notch portions are included. Polishing, cleaning and storage of the chamfered surface can be performed efficiently.

【0154】(2)請求項2記載の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置によれば、ノッチ部分を所定方向に向け
るノッチ位置決め機構を備え、未研磨ウェーハ搬送機構
が半導体ウェーハをノッチ位置決め機構に搬送し位置決
めした後にノッチ研磨機構に搬送するように設定されて
いるので、半導体ウェーハはノッチ研磨機構に搬送され
る直前に、ノッチ位置決め機構によってノッチ部分の方
向付けが正確に行われ、ノッチ研磨機構でのノッチ部分
の研磨を正確にかつ良好に行うことができる。また、研
磨時の研磨液等が半導体ウェーハに付着する前にノッチ
部分の位置決めを行うので、ノッチ位置決め機構に研磨
液等が付着することがなく、研磨液による影響を考慮す
る必要がないという利点がある。
(2) According to the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to the second aspect, there is provided a notch positioning mechanism for directing a notch portion in a predetermined direction, and the unpolished wafer transport mechanism transports the semiconductor wafer to the notch positioning mechanism. Since the semiconductor wafer is set to be transferred to the notch polishing mechanism after positioning, the notch positioning mechanism accurately directs the notch portion just before the semiconductor wafer is transferred to the notch polishing mechanism. Polishing of the notch portion can be performed accurately and favorably. In addition, since the notch portion is positioned before the polishing liquid or the like adheres to the semiconductor wafer during polishing, the polishing liquid or the like does not adhere to the notch positioning mechanism, and there is no need to consider the influence of the polishing liquid. There is.

【0155】(3)請求項3記載の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置によれば、ノッチ研磨機構が円盤状また
は円環状のノッチ用研磨布と、該ノッチ用研磨布をノッ
チ部分に回転摺動させるノッチ用研磨布駆動機構とを備
えているので、ノッチ部分の奥まで研磨布を当接させて
摺動させることができ、ノッチ部分における面取り面全
体を良好に研磨することができる。また、ノッチ用研磨
布の回転速度を制御することにより、研磨特性を調整す
ることができる。
(3) According to the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to the third aspect, the notch polishing mechanism has a disk-shaped or annular notch polishing cloth, and the notch polishing cloth is rotated and slid on the notch portion. Since a notch polishing cloth driving mechanism is provided, the polishing cloth can be brought into contact with the back of the notch and slid, and the entire chamfered surface at the notch can be polished satisfactorily. Further, the polishing characteristics can be adjusted by controlling the rotation speed of the notch polishing cloth.

【0156】(4)請求項4記載の半導体ウェーハの面
取り面研磨装置によれば、前記表面側研磨機構および前
記裏面側研磨機構が面取り面研磨機構と外側面研磨機構
とをそれぞれ備えているので、面取り面研磨機構および
外側面研磨機構で同時に面取り面および外周面を滑らか
に形成するとともに良好な面粗度が得られ、半導体ウェ
ーハの加工精度を高めて製造時の歩留まりや半導体ウェ
ーハの特性の劣化を抑制することができる。
(4) According to the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to the fourth aspect, the front side polishing mechanism and the rear side polishing mechanism include a chamfered surface polishing mechanism and an outer side surface polishing mechanism, respectively. , The chamfered surface polishing mechanism and the outer surface polishing mechanism simultaneously form the chamfered surface and the outer peripheral surface smoothly and obtain good surface roughness, improve the processing accuracy of the semiconductor wafer, and improve the yield during manufacturing and the characteristics of the semiconductor wafer. Deterioration can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の一実施形態を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of an apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to the present invention.

【図2】 図1のX−X線矢視断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG.

【図3】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の一実施形態におけるウェーハ位置決めユニットの
平面図である。
FIG. 3 is a plan view of a wafer positioning unit in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図4】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の一実施形態におけるウェーハ位置決めユニットの
正面図である。
FIG. 4 is a front view of a wafer positioning unit in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図5】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の一実施形態におけるウェーハ位置決めユニットの
側面図である。
FIG. 5 is a side view of a wafer positioning unit in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図6】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の一実施形態におけるウェーハ搬送機構を示す平面
図である。
FIG. 6 is a plan view showing a wafer transfer mechanism in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図7】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の一実施形態におけるウェーハ搬送機構の第1搬送
部を示す側面図である。
FIG. 7 is a side view showing a first transfer section of a wafer transfer mechanism in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図8】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の一実施形態におけるウェーハ搬送機構を示す正面
図である。
FIG. 8 is a front view showing a wafer transfer mechanism in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図9】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研磨
装置の一実施形態におけるウェーハ搬送機構のアンロー
ダーユニットを示す一部断面を含んだ側面図である。
FIG. 9 is a side view including a partial cross section showing an unloader unit of the wafer transfer mechanism in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図10】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態におけるアンローダーユニットおよ
びウェーハ洗浄機構を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing an unloader unit and a wafer cleaning mechanism in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図11】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態における表面研磨室移送機構および
裏面研磨室移送機構を示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a front surface polishing chamber transfer mechanism and a rear surface polishing chamber transfer mechanism in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図12】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態におけるノッチ研磨室を示す平面図
である。
FIG. 12 is a plan view showing a notch polishing chamber in an embodiment of a chamfering surface polishing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention.

【図13】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態におけるノッチ研磨室を示す正面図
である。
FIG. 13 is a front view showing a notch polishing chamber in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図14】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態におけるノッチ研磨室を示す一部を
拡大した断面図である。
FIG. 14 is a partially enlarged cross-sectional view showing a notch polishing chamber in an embodiment of a chamfering surface polishing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention.

【図15】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態におけるノッチ研磨機構を示す断面
平面図である。
FIG. 15 is a cross-sectional plan view showing a notch polishing mechanism in one embodiment of the chamfered surface polishing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention.

【図16】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態におけるノッチ研磨室内のノッチ用
研磨ドラムの位置を示す説明図である。
FIG. 16 is an explanatory view showing a position of a notch polishing drum in a notch polishing chamber in one embodiment of a chamfering surface polishing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention.

【図17】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態におけるノッチ研磨機構を示す正面
図である。
FIG. 17 is a front view showing a notch polishing mechanism in one embodiment of a chamfered surface polishing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention.

【図18】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態における面取り面研磨機構および外
側面研磨機構を示す一部断面を含む平面図である。
FIG. 18 is a plan view including a partial cross-section showing a chamfered surface polishing mechanism and an outer surface polishing mechanism in an embodiment of the semiconductor wafer chamfered surface polishing apparatus according to the present invention.

【図19】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態における面取り面研磨機構および外
側面研磨機構の配置を示す正面図である。
FIG. 19 is a front view showing an arrangement of a chamfered surface polishing mechanism and an outer surface polishing mechanism in an embodiment of the semiconductor wafer chamfered surface polishing apparatus according to the present invention.

【図20】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態における面取り面研磨機構を示す側
面図である。
FIG. 20 is a side view showing a chamfered surface polishing mechanism in an embodiment of the semiconductor wafer chamfered surface polishing apparatus according to the present invention.

【図21】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態における外側面研磨機構を示す側面
図である。
FIG. 21 is a side view showing an outer surface polishing mechanism in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図22】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態における外側面研磨機構を示す正面
図である。
FIG. 22 is a front view showing an outer surface polishing mechanism in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図23】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態におけるカムフォロワ、直動部に設
けられた溝およびカムフォロワ回転用モータの回転中心
との位置関係を示す説明図である。
FIG. 23 is an explanatory diagram showing a positional relationship between a cam follower, a groove provided in a linearly moving portion, and a rotation center of a cam follower rotating motor in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図24】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態におけるウェーハ洗浄機構を示す側
面図である。
FIG. 24 is a side view showing a wafer cleaning mechanism in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図25】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態におけるアンローダーユニットおよ
びウェーハ収納機構を示す断面図である。
FIG. 25 is a sectional view showing an unloader unit and a wafer accommodating mechanism in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図26】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態におけるウェーハ洗浄機構およびウ
ェーハ収納機構を示す一部を破断した平面図である。
FIG. 26 is a partially cutaway plan view showing a wafer cleaning mechanism and a wafer storage mechanism in one embodiment of the semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus according to the present invention.

【図27】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態を示す外観斜視図である。
FIG. 27 is an external perspective view showing one embodiment of a chamfered surface polishing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention.

【図28】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態における面取り面の研磨を説明する
ための概略断面図である。
FIG. 28 is a schematic cross-sectional view for explaining polishing of a chamfered surface in an embodiment of a chamfered surface polishing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention.

【図29】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態における外側面の研磨を説明するた
めの概略断面図である。
FIG. 29 is a schematic cross-sectional view for explaining polishing of an outer surface in a chamfered surface polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図30】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の一実施形態における研磨方向と他の研磨方向と
による面取り面の研磨状態を説明するための断面図であ
る。
FIG. 30 is a cross-sectional view for explaining a polishing state of a chamfered surface in a polishing direction and another polishing direction in an embodiment of a semiconductor wafer chamfered surface polishing apparatus according to the present invention.

【図31】 本発明に係る半導体ウェーハの面取り面研
磨装置の従来例における面取り面の研磨を説明するため
の概略断面図である。
FIG. 31 is a schematic cross-sectional view for explaining polishing of a chamfered surface in a conventional example of the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to the present invention.

【図32】 Vノッチが形成された半導体ウェーハを示
す平面図である。
FIG. 32 is a plan view showing a semiconductor wafer in which a V notch is formed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウェーハ取り出し機構(未研磨ウェーハ搬送機構) 3 ウェーハ搬送機構(研磨機構間搬送機構) 5 ノッチ研磨機構 7 表面研磨室移送機構(研磨機構間搬送機構) 8 表面研磨機構 10 裏面研磨室移送機構(研磨機構間搬送機構) 11 裏面研磨機構 12 ウェーハ洗浄機構 27 ノッチ位置決め機構 55 アンローダーユニット(研磨済ウェーハ搬送機
構) 91 吸着盤支持部(ウェーハ回転機構) 121 ホイール回転駆動部(ノッチ用研磨布駆動機
構) 136 ノッチ用研磨布 149A 面取り面研磨機構 149B 外側面研磨機構 150A 面取り面用研磨ドラム 150B 外側面用研磨ドラム 151A 面取り面用ドラム駆動手段 151B 外側面用ドラム駆動手段 169A 面取り面用研磨布 169B 外側面用研磨布 C2 収納用カセット(収納部) M 面取り面 S 外側面 V Vノッチ W 半導体ウェーハ
REFERENCE SIGNS LIST 1 wafer removal mechanism (unpolished wafer transport mechanism) 3 wafer transport mechanism (transfer mechanism between polishing mechanisms) 5 notch polishing mechanism 7 surface polishing chamber transport mechanism (transfer mechanism between polishing mechanisms) 8 surface polishing mechanism 10 back polishing chamber transport mechanism ( (Transfer mechanism between polishing mechanisms) 11 Backside polishing mechanism 12 Wafer cleaning mechanism 27 Notch positioning mechanism 55 Unloader unit (polished wafer transport mechanism) 91 Adsorber support unit (wafer rotating mechanism) 121 Wheel rotation driving unit (notch polishing cloth drive) Mechanism) 136 notch polishing cloth 149A chamfering surface polishing mechanism 149B outer surface polishing mechanism 150A chamfering surface polishing drum 150B outer side polishing drum 151A chamfering surface drum driving means 151B outer surface drum driving means 169A chamfering surface polishing cloth 169B Polishing cloth for outer surface C2 Set (storage unit) M chamfered surface S outer surface V V notch W semiconductor wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川口 章 兵庫県朝来郡生野町口銀谷字猪野々985番 地1 三菱マテリアル株式会社生野製作所 内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Akira Kawaguchi 985 Ino No. 1, Ginya, Ikuno-cho, Asago-gun, Hyogo Prefecture 1 Ikuno Works, Mitsubishi Materials Corporation

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェーハの周縁に形成された面取
り面を研磨する半導体ウェーハの面取り面研磨装置であ
って、 前記半導体ウェーハのノッチ部分の面取り面を研磨する
ノッチ研磨機構と、 前記半導体ウェーハの表面側の面取り面を研磨する表面
側研磨機構と、 前記半導体ウェーハの裏面側の面取り面を研磨する裏面
側研磨機構と、 前記半導体ウェーハを洗浄するウェーハ洗浄機構と、 未研磨の前記半導体ウェーハを前記ノッチ研磨機構、前
記表面側研磨機構または前記裏面側研磨機構のいずれか
一つの研磨機構に搬送する未研磨ウェーハ搬送機構と、 前記一つの研磨機構で研磨された半導体ウェーハを他の
二つの前記研磨機構に順次搬送する研磨機構間搬送機構
と、 すべての面取り面が研磨された前記半導体ウェーハを前
記ウェーハ洗浄機構に搬送しさらに該機構により洗浄さ
れた半導体ウェーハを収納部に搬送して収納する研磨済
ウェーハ搬送機構とを備えていることを特徴とする半導
体ウェーハの面取り面研磨装置。
1. A semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus for polishing a chamfered surface formed on a peripheral edge of a semiconductor wafer, comprising: a notch polishing mechanism for polishing a chamfered surface of a notch portion of the semiconductor wafer; A front side polishing mechanism for polishing a chamfered surface on a front side, a back side polishing mechanism for polishing a chamfered surface on a back side of the semiconductor wafer, a wafer cleaning mechanism for cleaning the semiconductor wafer, and the unpolished semiconductor wafer. The notch polishing mechanism, the unpolished wafer transport mechanism for transporting to any one of the front side polishing mechanism or the back side polishing mechanism, and the semiconductor wafer polished by the one polishing mechanism to the other two An inter-polishing mechanism transport mechanism for sequentially transporting the semiconductor wafer to the polishing mechanism; Chamfer polishing apparatus of a semiconductor wafer, comprising and a polished wafer transfer mechanism for accommodating and transporting a semiconductor wafer that has been cleaned by the transport further the mechanism to the cleaning mechanism in the storage unit.
【請求項2】 請求項1記載の半導体ウェーハの面取り
面研磨装置において、 前記半導体ウェーハのノッチ部
分を所定方向に向けるノッチ位置決め機構を備え、 前記未研磨ウェーハ搬送機構は、未研磨の前記半導体ウ
ェーハを前記ノッチ位置決め機構に搬送し該機構で位置
決めした後に前記ノッチ研磨機構に搬送するように設定
されていることを特徴とする半導体ウェーハの面取り面
研磨装置。
2. The apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to claim 1, further comprising: a notch positioning mechanism for directing a notch portion of the semiconductor wafer in a predetermined direction; A chamfered surface polishing apparatus for a semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer is set to be conveyed to the notch positioning mechanism, positioned by the mechanism, and then conveyed to the notch polishing mechanism.
【請求項3】 請求項1または2記載の半導体ウェーハ
の面取り面研磨装置において、 前記ノッチ研磨機構は、円盤状または円環状のノッチ用
研磨布と、 該ノッチ用研磨布を前記半導体ウェーハの軸線に直交す
る方向に軸線を有して回転可能に支持し前記ノッチ部分
に研磨液を供給しながらノッチ用研磨布の周縁部分を当
接させるとともに回転させて摺動させるノッチ用研磨布
駆動機構とを備えていることを特徴とする半導体ウェー
ハの面取り面研磨装置。
3. The apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the notch polishing mechanism includes a disk-shaped or annular notch polishing cloth, and the notch polishing cloth is an axis of the semiconductor wafer. A notch polishing cloth driving mechanism that rotatably supports the notch portion while supplying the polishing liquid to the notch portion while rotating and supporting the notch portion while having an axis in a direction perpendicular to the notch portion and rotating and sliding. An apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer, comprising:
【請求項4】 請求項1から3のいずれかに記載の半導
体ウェーハの面取り面研磨装置において、 前記表面側研磨機構および前記裏面側研磨機構は、前記
半導体ウェーハをその円周方向に回転可能に保持するウ
ェーハ回転機構と、 該ウェーハ回転機構に保持された半導体ウェーハの面取
り面に研磨液を供給しながら面取り面用研磨布を当接さ
せるとともに摺動可能に支持する面取り面研磨機構と、 前記ウェーハ回転機構に保持された半導体ウェーハの外
側面に研磨液を供給しながら外側面用研磨布を当接させ
るとともに摺動可能に支持する外側面研磨機構とをそれ
ぞれ備えていることを特徴とする半導体ウェーハの面取
り面研磨装置。
4. The apparatus for chamfering a chamfered surface of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the front side polishing mechanism and the rear side polishing mechanism rotatably rotate the semiconductor wafer in a circumferential direction thereof. A wafer rotating mechanism for holding, a chamfered surface polishing mechanism for abutting a slidable chamfering surface polishing cloth while supplying a polishing liquid to the chamfered surface of the semiconductor wafer held by the wafer rotating mechanism, and slidably supporting the semiconductor wafer; And an outer surface polishing mechanism that slidably supports the outer surface polishing cloth while supplying the polishing liquid to the outer surface of the semiconductor wafer held by the wafer rotating mechanism. Semiconductor wafer chamfer polishing machine.
JP2762498A 1998-02-09 1998-02-09 Chamfer polishing device for semiconductor wafer Withdrawn JPH11221745A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6840841B2 (en) 2002-01-15 2005-01-11 Speedfam Co., Ltd. Wafer edge polishing system
US7559825B2 (en) 2006-12-21 2009-07-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method of polishing a semiconductor wafer

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