JP6283434B2 - Polishing equipment - Google Patents

Polishing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP6283434B2
JP6283434B2 JP2017032907A JP2017032907A JP6283434B2 JP 6283434 B2 JP6283434 B2 JP 6283434B2 JP 2017032907 A JP2017032907 A JP 2017032907A JP 2017032907 A JP2017032907 A JP 2017032907A JP 6283434 B2 JP6283434 B2 JP 6283434B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
polishing
tape
stage
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017032907A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2017132034A (en
Inventor
関 正也
正也 関
哲二 戸川
哲二 戸川
正行 中西
正行 中西
尚起 松田
尚起 松田
吉田 篤史
篤史 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of JP2017132034A publication Critical patent/JP2017132034A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6283434B2 publication Critical patent/JP6283434B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Description

本発明は、半導体ウェハなどの基板の周縁部を研磨する研磨装置に関し、特に研磨テープを基板の周縁部に押し当てて該周縁部を研磨する研磨装置に関する。   The present invention relates to a polishing apparatus that polishes a peripheral portion of a substrate such as a semiconductor wafer, and more particularly to a polishing device that polishes the peripheral portion by pressing a polishing tape against the peripheral portion of the substrate.

半導体デバイスの製造における歩留まり向上の観点から、基板の表面状態の管理が近年注目されている。半導体デバイスの製造工程では、種々の材料がシリコンウェハ上に成膜される。このため、基板の周縁部には不要な膜や表面荒れが形成される。近年では、基板の周縁部のみをアームで保持して基板を搬送する方法が一般的になってきている。このような背景のもとでは、周縁部に残存した不要な膜が種々の工程を経ていく間に剥離して基板に形成されたデバイスに付着し、歩留まりを低下させてしまう。そこで、基板の周縁部に形成された不要な膜を除去するために、研磨装置を用いて基板の周縁部が研磨される。   From the viewpoint of improving the yield in the manufacture of semiconductor devices, management of the surface state of the substrate has recently attracted attention. In the manufacturing process of a semiconductor device, various materials are formed on a silicon wafer. For this reason, an unnecessary film | membrane and surface roughness are formed in the peripheral part of a board | substrate. In recent years, a method of conveying a substrate while holding only the peripheral edge of the substrate with an arm has become common. Under such a background, an unnecessary film remaining on the peripheral edge peels off during various steps and adheres to the device formed on the substrate, thereby reducing the yield. Therefore, in order to remove an unnecessary film formed on the peripheral portion of the substrate, the peripheral portion of the substrate is polished using a polishing apparatus.

この種の研磨装置は、研磨テープの研磨面を基板の周縁部に摺接させることで基板の周縁部を研磨する。ここで、本明細書では、基板の周縁部を、基板の最外周に位置するベベル部と、このベベル部の半径方向内側に位置するトップエッジ部およびボトムエッジ部とを含む領域として定義する。   This type of polishing apparatus polishes the peripheral portion of the substrate by bringing the polishing surface of the polishing tape into sliding contact with the peripheral portion of the substrate. Here, in this specification, the peripheral part of a board | substrate is defined as an area | region including the bevel part located in the outermost periphery of a board | substrate, and the top edge part and bottom edge part located in the radial inside of this bevel part.

図1(a)および図1(b)は、基板の周縁部を示す拡大断面図である。より詳しくは、図1(a)はいわゆるストレート型の基板の断面図であり、図1(b)はいわゆるラウンド型の基板の断面図である。図1(a)の基板Wにおいて、ベベル部は、上側傾斜部(上側ベベル部)P、下側傾斜部(下側ベベル部)Q、および側部(アペックス)Rから構成される基板Wの最外周面(符号Bで示す)である。図1(b)の基板Wにおいては、ベベル部は、基板Wの最外周面を構成する、湾曲した断面を有する部分(符号Bで示す)である。トップエッジ部は、ベベル部Bよりも半径方向内側に位置する領域であって、かつデバイスが形成される領域Dよりも半径方向外側に位置する平坦部E1である。ボトムエッジ部は、トップエッジ部とは反対側に位置し、ベベル部Bよりも半径方向内側に位置する平坦部E2である。これらトップエッジ部E1およびボトムエッジ部E2は、総称してニアエッジ部と呼ばれることもある。   FIG. 1A and FIG. 1B are enlarged cross-sectional views showing the peripheral edge of the substrate. More specifically, FIG. 1A is a cross-sectional view of a so-called straight substrate, and FIG. 1B is a cross-sectional view of a so-called round substrate. In the substrate W of FIG. 1A, the bevel portion is formed of an upper inclined portion (upper bevel portion) P, a lower inclined portion (lower bevel portion) Q, and a side portion (apex) R. This is the outermost peripheral surface (indicated by reference sign B). In the substrate W of FIG. 1B, the bevel portion is a portion (indicated by B) that forms the outermost peripheral surface of the substrate W and has a curved cross section. The top edge portion is a flat portion E1 which is a region located radially inward of the bevel portion B and located radially outside the region D where the device is formed. The bottom edge portion is a flat portion E2 located on the opposite side of the top edge portion and located radially inward of the bevel portion B. The top edge portion E1 and the bottom edge portion E2 may be collectively referred to as a near edge portion.

従来の研磨装置では、研磨ヘッドにより研磨テープを基板の周縁部に押圧することで該周縁部を研磨する(例えば、特許文献1参照)。基板のトップエッジ部を研磨するときは、図2に示すように、研磨ヘッド300および研磨テープ301を傾けた状態で研磨ヘッド300により研磨テープ301を基板のトップエッジ部に押し付ける。   In a conventional polishing apparatus, the peripheral portion is polished by pressing a polishing tape against the peripheral portion of the substrate with a polishing head (see, for example, Patent Document 1). When the top edge portion of the substrate is polished, as shown in FIG. 2, the polishing head 300 presses the polishing tape 301 against the top edge portion of the substrate while the polishing head 300 and the polishing tape 301 are inclined.

しかしながら、研磨テープを傾けた状態で基板の周縁部を研磨した結果、図3に示すように、デバイス層の端面は斜めになってしまう。このような斜めの端面を有するデバイス層は、SOI(Silicon on Insulator)基板の製造工程において次のような問題を生じさせる。SOI基板は、デバイス基板とシリコン基板とを貼り合わせることで製造される。より具体的には、図4(a)および図4(b)に示すように、デバイス基板W1とシリコン基板W2とを貼り合わせ、図4(c)に示すように、デバイス基板W1をその裏面からグラインダーで研削することで、図4(d)に示すようなSOI基板を得る。   However, as a result of polishing the peripheral edge of the substrate with the polishing tape tilted, the end face of the device layer is inclined as shown in FIG. Such a device layer having an oblique end face causes the following problems in the manufacturing process of an SOI (Silicon on Insulator) substrate. The SOI substrate is manufactured by bonding a device substrate and a silicon substrate. More specifically, as shown in FIG. 4A and FIG. 4B, the device substrate W1 and the silicon substrate W2 are bonded together, and as shown in FIG. Then, an SOI substrate as shown in FIG. 4D is obtained by grinding with a grinder.

図4(d)に示すように、デバイス層は斜めの端面を有しているため、デバイス層は鋭角の端部を有することとなる。このような鋭角の端部は容易に破損しやすく、その破片がパーティクルとしてデバイス層の表面に付着するおそれがある。デバイス層に付着したパーティクルはデバイスに欠陥を生じさせ、歩留まりを低下させてしまう。   As shown in FIG. 4D, since the device layer has an oblique end surface, the device layer has an end portion with an acute angle. Such acute-angled end portions are easily damaged, and the fragments may adhere to the surface of the device layer as particles. Particles adhering to the device layer cause defects in the device and reduce the yield.

特許文献2には、直角な部材を用いて研磨テープを基板の周縁部に押し当てる研磨装置が開示されている。しかしながら、研磨テープはある程度の厚みと硬さを有するために、微視的なレベルでは研磨テープは直角な部材に沿って直角には曲がらず、ある程度の丸みを帯びる。結果として、デバイス層の端面は斜めになってしまう。   Patent Document 2 discloses a polishing apparatus that presses a polishing tape against a peripheral portion of a substrate using a right-angle member. However, since the polishing tape has a certain thickness and hardness, at a microscopic level, the polishing tape does not bend at right angles along a right-angled member, and is rounded to some extent. As a result, the end surface of the device layer is inclined.

さらに、研磨テープを介して基板に加えられる研磨荷重により研磨中に基板が撓んだり研磨テープの位置がずれたりして、結果としてデバイス層の斜面が斜めに研磨されることがある。特許文献4には、外周部支持機構から噴射される液体の押圧力と研磨機構の押圧力とを釣り合わせることで、基板を本来の位置に維持する研磨装置が開示されている。しかしながら、この外周部支持機構は研磨テープに対応する位置に配置されており、これらの押圧力が不釣り合いとなったときに互いの押圧力を調整して基板Wを初期位置に戻すため、基板が不均一に研磨されることがある。その結果として、デバイス層の端面が垂直に研磨されないことがあった。   Further, the substrate may be bent during polishing or the position of the polishing tape may be displaced due to a polishing load applied to the substrate via the polishing tape, and as a result, the slope of the device layer may be polished obliquely. Patent Document 4 discloses a polishing apparatus that maintains the substrate in its original position by balancing the pressing force of the liquid ejected from the outer peripheral support mechanism and the pressing force of the polishing mechanism. However, this outer peripheral portion support mechanism is disposed at a position corresponding to the polishing tape, and when these pressing forces are unbalanced, the mutual pressing force is adjusted to return the substrate W to the initial position. May be unevenly polished. As a result, the end face of the device layer may not be polished vertically.

特開2002−126981号公報JP 2002-126981 A 特開平8−97111号公報JP-A-8-97111 特開平4−85827号公報JP-A-4-85827 特開2009−208214号公報JP 2009-208214 A 特開2001−205549号公報JP 2001-205549 A

本発明は、上述した従来の問題点を解決するためになされたもので、基板の周縁部を研磨して直角な断面形状を形成することができる研磨装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described conventional problems, and an object of the present invention is to provide a polishing apparatus that can polish a peripheral portion of a substrate to form a perpendicular cross-sectional shape.

上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、基板を保持し、回転させる基板保持部と、研磨テープを支持する複数のガイドローラと、前記研磨テープの縁部を前記基板の周縁部に対して上から押し当てる押圧部材を有する研磨ヘッドとを備え、前記複数のガイドローラは、研磨テープが前記基板の接線方向と平行に延び、かつ前記研磨テープの研磨面が前記基板の表面と平行となるように配置されており、前記基板保持部は、前記基板を保持する保持ステージと、該保持ステージによって保持された前記基板の周縁部下面の全体を支持するサポートステージとを備え、前記サポートステージは、前記保持ステージと一体に回転し、前記保持ステージは、前記サポートステージに対して相対的に上下方向に移動可能であることを特徴とする研磨装置である。 In order to achieve the above-described object, according to one embodiment of the present invention, a substrate holding portion that holds and rotates a substrate, a plurality of guide rollers that support the polishing tape, and an edge portion of the polishing tape is connected to a peripheral edge of the substrate. A polishing head having a pressing member that presses against a portion from above, wherein the plurality of guide rollers have a polishing tape extending parallel to a tangential direction of the substrate, and a polishing surface of the polishing tape is a surface of the substrate The substrate holding unit includes a holding stage that holds the substrate, and a support stage that supports the entire lower surface of the peripheral edge of the substrate held by the holding stage, the support stage is rotated integrally with the holding stage, the holding stage, and being movable relative vertical direction with respect to the support stage It is a polishing apparatus that.

発明の好ましい態様は、前記保持ステージは、真空吸引により前記基板の下面を保持するように構成され、前記サポートステージは、前記基板の周縁部の下面全体を支持する支持面を有していることを特徴とする。
本発明の一態様は、基板を保持し、回転させる基板保持部と、研磨テープを支持する複数のガイドローラと、前記研磨テープの縁部を前記基板の周縁部に対して上から押し当てる押圧部材を有する研磨ヘッドとを備え、前記複数のガイドローラは、研磨テープが前記基板の接線方向と平行に延び、かつ前記研磨テープの研磨面が前記基板の表面と平行となるように配置されており、前記基板保持部は、前記基板を保持する保持ステージと、該保持ステージによって保持された前記基板の周縁部下面の全体を支持するサポートステージとを備え、前記サポートステージは、前記保持ステージと一体に回転し、前記サポートステージは、逆円錐台形を有していることを特徴とする研磨装置である
本発明の好ましい態様は、前記サポートステージは、環状の上面を有し、前記環状の上面は、前記基板の周縁部下面を支持する支持面を構成していることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記サポートステージの最外周端と前記基板の最外周端とは略一致することを特徴とする。
本発明の一態様は、基板を保持し、回転させる基板保持部と、研磨具を前記基板の周縁部に対して押し当てる研磨ヘッドとを備え、前記基板保持部は、前記基板を保持する保持ステージと、該保持ステージによって保持された前記基板の周縁部下面の全体を支持するサポートステージとを備え、前記サポートステージは、前記保持ステージと一体に回転し、前記保持ステージは、前記サポートステージに対して相対的に上下方向に移動可能であ
ることを特徴とする研磨装置である。
本発明の好ましい態様は、前記サポートステージは、逆円錐台形を有していることを特徴とする。
In a preferred aspect of the present invention, the holding stage is configured to hold the lower surface of the substrate by vacuum suction, and the support stage has a support surface that supports the entire lower surface of the peripheral edge of the substrate. It is characterized by that.
One embodiment of the present invention includes a substrate holding portion that holds and rotates a substrate, a plurality of guide rollers that support the polishing tape, and a pressure that presses the edge of the polishing tape against the peripheral portion of the substrate from above. A polishing head having a member, and the plurality of guide rollers are arranged such that the polishing tape extends in parallel with the tangential direction of the substrate and the polishing surface of the polishing tape is parallel to the surface of the substrate. The substrate holding unit includes a holding stage that holds the substrate and a support stage that supports the entire lower surface of the peripheral edge of the substrate held by the holding stage, and the support stage includes: The polishing apparatus rotates integrally, and the support stage has an inverted frustoconical shape.
In a preferred aspect of the present invention, the support stage has an annular upper surface, and the annular upper surface constitutes a support surface that supports the lower surface of the peripheral edge of the substrate.
In a preferred aspect of the present invention, the outermost peripheral end of the support stage substantially coincides with the outermost peripheral end of the substrate.
One embodiment of the present invention includes a substrate holding portion that holds and rotates a substrate, and a polishing head that presses a polishing tool against a peripheral portion of the substrate, and the substrate holding portion holds the substrate. A stage and a support stage that supports the entire lower surface of the peripheral edge of the substrate held by the holding stage, the support stage rotates integrally with the holding stage, and the holding stage is attached to the support stage. Can move relatively up and down
This is a polishing apparatus.
In a preferred aspect of the present invention, the support stage has an inverted frustoconical shape.

本発明の一参考例は、基板を保持し、回転させる基板保持部と、研磨テープを支持する複数のガイドローラと、前記研磨テープの縁部を前記基板の周縁部に対して上から押し当てる押圧部材を有する研磨ヘッドとを備え、前記複数のガイドローラは、研磨テープが前記基板の接線方向と平行に延び、かつ前記研磨テープの研磨面が前記基板の表面と平行となるように配置されており、前記研磨ヘッドは、前記研磨テープの水平方向の移動を制限するテープストッパーを有し、前記テープストッパーは、前記基板の半径方向において前記研磨テープの外側に配置されていることを特徴とする研磨装置である。   In one embodiment of the present invention, a substrate holding unit that holds and rotates a substrate, a plurality of guide rollers that support the polishing tape, and an edge of the polishing tape are pressed against the peripheral edge of the substrate from above. A polishing head having a pressing member, and the plurality of guide rollers are arranged such that the polishing tape extends in parallel with the tangential direction of the substrate and the polishing surface of the polishing tape is parallel to the surface of the substrate. The polishing head has a tape stopper for restricting horizontal movement of the polishing tape, and the tape stopper is disposed outside the polishing tape in the radial direction of the substrate. Polishing apparatus.

上記参考例の好ましい態様は、前記研磨ヘッドは、前記研磨テープの研磨面に近接して配置されたテープカバーをさらに有することを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記テープカバーと前記押圧部材との間には、前記研磨テープの厚さよりも大きい隙間があることを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記研磨ヘッドは、前記押圧部材に固定された突起部材と、前記突起部材の水平方向の動きを受け止めるサイドストッパーとを有し、前記サイドストッパーは、前記基板の半径方向において前記突起部材の外側に配置されていることを特徴とする。
In a preferred aspect of the above reference example, the polishing head further includes a tape cover disposed in proximity to a polishing surface of the polishing tape.
In a preferred aspect of the above reference example, there is a gap larger than the thickness of the polishing tape between the tape cover and the pressing member.
In a preferred aspect of the above reference example, the polishing head includes a protruding member fixed to the pressing member, and a side stopper that receives a horizontal movement of the protruding member, and the side stopper is a radius of the substrate. It is arranged outside the protruding member in the direction.

本発明の他の参考例は、基板を保持し、回転させる基板保持部と、前記基板の周縁部を研磨する少なくとも1つの研磨ユニットとを備え、前記研磨ユニットは、前記基板の周縁部に対して研磨テープを上から押し当てる押圧部材を有する研磨ヘッドと、前記研磨ヘッドに前記研磨テープを供給し、前記研磨ヘッドから前記研磨テープを回収するテープ供給回収機構と、前記研磨ヘッドを前記基板の半径方向に移動させる第1の移動機構と、前記テープ供給回収機構を前記基板の半径方向に移動させる第2の移動機構とを備え、前記テープ供給回収機構は、前記研磨テープを支持する複数のガイドローラを有し、該複数のガイドローラは、前記研磨テープが前記基板の接線方向と平行に延び、かつ前記研磨テープの研磨面が前記基板の表面と平行となるように配置されることを特徴とする研磨装置である。   Another reference example of the present invention includes a substrate holding unit that holds and rotates a substrate, and at least one polishing unit that polishes a peripheral portion of the substrate, and the polishing unit corresponds to the peripheral portion of the substrate. A polishing head having a pressing member that presses the polishing tape from above, a tape supply and recovery mechanism that supplies the polishing tape to the polishing head, and collects the polishing tape from the polishing head; and A first moving mechanism for moving in the radial direction; and a second moving mechanism for moving the tape supply / recovery mechanism in the radial direction of the substrate, wherein the tape supply / recovery mechanism includes a plurality of members that support the polishing tape. A plurality of guide rollers, wherein the polishing tape extends parallel to a tangential direction of the substrate, and the polishing surface of the polishing tape is flat with the surface of the substrate. A polishing apparatus characterized by being arranged such that.

上記参考例の好ましい態様は、前記研磨ユニットを前記基板の接線方向に移動させる研磨ユニット移動機構をさらに備えたことを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記研磨テープの縁部の位置を検出するテープエッジ検出センサをさらに備えたことを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記第1の移動機構は、前記押圧部材を所定の研磨位置に移動させ、前記第2の移動機構は、前記テープエッジ検出センサにより検出された前記研磨テープの端部の位置に基づき、前記研磨テープの縁部が前記研磨位置にある前記押圧部材の縁部に一致するように前記研磨テープ供給回収機構を移動させること特徴とする。
In a preferred aspect of the above reference example, a polishing unit moving mechanism for moving the polishing unit in a tangential direction of the substrate is further provided.
In a preferred aspect of the above reference example, a tape edge detection sensor for detecting the position of the edge of the polishing tape is further provided.
In a preferred aspect of the above reference example, the first moving mechanism moves the pressing member to a predetermined polishing position, and the second moving mechanism detects an end of the polishing tape detected by the tape edge detection sensor. The polishing tape supply and recovery mechanism is moved based on the position of the part so that the edge of the polishing tape coincides with the edge of the pressing member at the polishing position.

上記参考例の好ましい態様は、前記押圧部材は、鉛直方向に延びる貫通孔を有し、前記貫通孔は真空ラインに接続されていることを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記研磨ユニットを複数備えたことを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記研磨ヘッドは、前記押圧部材の鉛直方向の位置を検出する位置センサを備えたことを特徴とする。
In a preferred aspect of the above reference example, the pressing member has a through hole extending in the vertical direction, and the through hole is connected to a vacuum line.
A preferred embodiment of the above reference example is characterized in that a plurality of the polishing units are provided.
In a preferred aspect of the above reference example, the polishing head includes a position sensor that detects a vertical position of the pressing member.

本発明の他の参考例は、基板を回転させ、基板の接線方向と平行に延びる研磨テープを、その研磨面が前記基板の表面と平行になるように前記基板の周縁部の上方に配置し、押圧部材により前記研磨テープを前記基板の周縁部に対して上から押し当てて前記基板の周縁部を研磨することを特徴とする研磨方法である。   In another reference example of the present invention, the substrate is rotated, and a polishing tape extending parallel to the tangential direction of the substrate is disposed above the peripheral edge of the substrate so that the polishing surface is parallel to the surface of the substrate. The polishing method is characterized by polishing the peripheral edge of the substrate by pressing the polishing tape against the peripheral edge of the substrate from above with a pressing member.

上記参考例の好ましい態様は、前記研磨テープを前記基板の周縁部に押し当てながら、前記研磨テープを前記基板の接線方向に揺動させることを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記押圧部材の縁部と前記研磨テープの縁部とを一致させた状態で、前記研磨テープを前記基板の周縁部に押し当てることを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記押圧部材と前記研磨テープとを真空吸引により互いに固定した状態で、前記研磨テープを前記基板の周縁部に押し当てることを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記押圧部材の鉛直方向の位置に基づいて前記基板の周縁部の研磨を終了すること特徴とする。
In a preferred aspect of the above reference example, the polishing tape is swung in a tangential direction of the substrate while pressing the polishing tape against a peripheral edge of the substrate.
In a preferred aspect of the above reference example, the polishing tape is pressed against the peripheral edge of the substrate in a state where the edge of the pressing member and the edge of the polishing tape are aligned.
In a preferred aspect of the above reference example, the polishing tape is pressed against the peripheral edge of the substrate in a state where the pressing member and the polishing tape are fixed to each other by vacuum suction.
In a preferred aspect of the above reference example, the polishing of the peripheral edge of the substrate is terminated based on the vertical position of the pressing member.

本発明によれば、基板の周縁部下面を支えるサポートステージを設けることにより、基板が撓むことを防止することができる。したがって、研磨テープの縁部で基板の周縁部を研磨して、直角な断面形状を形成することができる。   According to the present invention, it is possible to prevent the substrate from being bent by providing the support stage that supports the lower surface of the peripheral edge of the substrate. Accordingly, the peripheral edge of the substrate can be polished with the edge of the polishing tape to form a right-angle cross-sectional shape.

上記参考例によれば、テープストッパーを設けることにより、研磨テープが基板の外側に逃げることを防止することができる。したがって、研磨テープの縁部で基板の周縁部を研磨して、直角な断面形状を形成することができる。   According to the above reference example, by providing the tape stopper, it is possible to prevent the polishing tape from escaping to the outside of the substrate. Accordingly, the peripheral edge of the substrate can be polished with the edge of the polishing tape to form a right-angle cross-sectional shape.

さらに上記参考例によれば、研磨テープの研磨面を基板の周縁部に対して上から押圧することにより、基板のトップエッジ部を研磨する。基板の研磨中は、研磨テープの縁部が基板に押し当てられるので、研磨された部分の断面形状を直角にすることができる。さらに、本発明によれば、研磨ヘッドと研磨テープは独立に移動可能であるので、研磨テープの縁部が研磨ヘッドの押圧部材の縁部に一致するように、研磨テープの幅に依存して決定される距離だけ研磨テープを移動させることが可能である。したがって、研磨ヘッドは、押圧部材の縁部が研磨テープの縁部に一致した状態で研磨テープを基板に対して押し付けることが可能であり、直角な研磨断面形状を形成することができる。   Further, according to the above reference example, the top edge portion of the substrate is polished by pressing the polishing surface of the polishing tape against the peripheral portion of the substrate from above. During polishing of the substrate, the edge of the polishing tape is pressed against the substrate, so that the cross-sectional shape of the polished portion can be set to a right angle. Further, according to the present invention, since the polishing head and the polishing tape can be moved independently, the edge of the polishing tape depends on the width of the polishing tape so that it matches the edge of the pressing member of the polishing head. It is possible to move the polishing tape by a determined distance. Therefore, the polishing head can press the polishing tape against the substrate in a state where the edge of the pressing member coincides with the edge of the polishing tape, and can form a right-angle polishing cross-sectional shape.

図1(a)および図1(b)は、基板の周縁部を示す拡大断面図である。FIG. 1A and FIG. 1B are enlarged cross-sectional views showing the peripheral edge of the substrate. 基板の周縁部を研磨する従来の方法を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the conventional method of grind | polishing the peripheral part of a board | substrate. 図2に示す方法により研磨された基板の断面図である。It is sectional drawing of the board | substrate grind | polished by the method shown in FIG. 図4(a)乃至図4(d)は、SOI基板の製造工程を説明するための図である。4A to 4D are views for explaining a manufacturing process of the SOI substrate. 本発明の一実施形態に係る研磨装置を示す平面図である。1 is a plan view showing a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図5のF−F線断面図である。It is the FF sectional view taken on the line of FIG. 図6の矢印Gで示す方向から見た図である。It is the figure seen from the direction shown by the arrow G of FIG. 研磨ヘッドおよび研磨テープ供給回収機構の平面図である。It is a top view of a polishing head and a polishing tape supply and recovery mechanism. 研磨ヘッドおよび研磨テープ供給回収機構の正面図である。It is a front view of a polishing head and a polishing tape supply and recovery mechanism. 図9に示すH−H線断面図である。It is the HH sectional view taken on the line shown in FIG. 図9に示す研磨テープ供給回収機構の側面図である。FIG. 10 is a side view of the polishing tape supply / recovery mechanism shown in FIG. 9. 図9に示す研磨ヘッドを矢印Iで示す方向から見た縦断面図である。FIG. 10 is a longitudinal sectional view of the polishing head shown in FIG. 9 viewed from a direction indicated by an arrow I. 位置センサおよびドグを上から見た図である。It is the figure which looked at the position sensor and the dog from the top. 所定の研磨位置に移動された研磨ヘッドおよび研磨テープ供給回収機構を示す図である。It is a figure which shows the grinding | polishing head and the grinding | polishing tape supply / recovery mechanism which were moved to the predetermined grinding | polishing position. 研磨位置にある押圧部材、研磨テープ、および基板を横方向から見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the pressing member in a grinding | polishing position, a grinding | polishing tape, and a board | substrate from the horizontal direction. 押圧部材により研磨テープを基板に押し付けている状態を示す図である。It is a figure which shows the state which has pressed the polishing tape against the board | substrate with the press member. 図17(a)は、研磨位置にある研磨テープおよび押圧部材を基板の径方向から見た図であり、図17(b)は、押圧部材の下面が研磨テープの上面に接触している状態を示す図であり、図17(c)は、押圧部材が研磨テープを基板に対して上から押し付けている状態を示す図である。FIG. 17A is a view of the polishing tape and the pressing member in the polishing position as viewed from the radial direction of the substrate, and FIG. 17B is a state in which the lower surface of the pressing member is in contact with the upper surface of the polishing tape. FIG. 17C is a diagram illustrating a state in which the pressing member presses the polishing tape against the substrate from above. 研磨テープにより研磨されている基板の周縁部を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the peripheral part of the board | substrate currently grind | polished with the polishing tape. 研磨された基板の周縁部の断面形状を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross-sectional shape of the peripheral part of the grind | polished board | substrate. 図20(a)乃至図20(c)は、研磨テープの縁部を検出するときの動作を説明する図である。FIG. 20A to FIG. 20C are diagrams for explaining the operation when the edge of the polishing tape is detected. 基板が研磨装置に搬入される様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a board | substrate is carried in in a grinding | polishing apparatus. 研磨ユニットが退避位置に移動される様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a grinding | polishing unit is moved to a retracted position. 基板が保持ステージに保持される様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a board | substrate is hold | maintained at a holding stage. 基板が研磨装置から搬出される様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a board | substrate is carried out from a grinding | polishing apparatus. 複数の研磨ユニットを備えた研磨装置を示す平面図である。It is a top view which shows the grinding | polishing apparatus provided with the some grinding | polishing unit. トップエッジ研磨ユニットとベベル研磨ユニットとを備えた研磨装置を示す平面図である。It is a top view which shows the grinding | polishing apparatus provided with the top edge grinding | polishing unit and the bevel grinding | polishing unit. 図26に示す研磨装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the polisher shown in FIG. 図27に示す研磨ヘッドの拡大図である。FIG. 28 is an enlarged view of the polishing head shown in FIG. 27. 図28に示す押圧部材の正面図である。It is a front view of the pressing member shown in FIG. 図29に示す押圧部材の側面図である。FIG. 30 is a side view of the pressing member shown in FIG. 29. 図29のJ−J線断面図である。It is the JJ sectional view taken on the line of FIG. ベベル研磨ユニットが基板のベベル部を研磨している様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the bevel grinding | polishing unit is grind | polishing the bevel part of a board | substrate. ベベル研磨ユニットが基板のトップエッジ部を研磨している様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the bevel grinding | polishing unit is grind | polishing the top edge part of a board | substrate. ベベル研磨ユニットが基板のボトムエッジ部を研磨している様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the bevel grinding | polishing unit is grind | polishing the bottom edge part of a board | substrate. 図35(a)は、押圧部材により研磨テープを基板に押し付けた結果、基板が撓んでいる状態を示す図であり、図35(b)は、図35(a)に示す状態で研磨された基板の断面図である。FIG. 35A is a diagram showing a state where the substrate is bent as a result of pressing the polishing tape against the substrate by the pressing member, and FIG. 35B is polished in the state shown in FIG. It is sectional drawing of a board | substrate. サポートステージを備えた基板保持部を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the board | substrate holding part provided with the support stage. サポートステージの斜視図である。It is a perspective view of a support stage. 保持ステージとその上面に保持された基板が、サポートステージに対して相対的に上昇した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the holding stage and the board | substrate hold | maintained on the upper surface raised relatively with respect to the support stage. 研磨テープに水平方向の荷重が加わる状態を示す図である。It is a figure which shows the state in which the load of a horizontal direction is added to an abrasive tape. テープストッパーが設けられた実施形態を示す図である。It is a figure which shows embodiment provided with the tape stopper. 研磨テープが水平方向の荷重を受けてゆがんだ状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the abrasive tape received and received the load of the horizontal direction. テープストッパーおよびテープカバーが設けられた実施形態を示す図である。It is a figure which shows embodiment with which the tape stopper and the tape cover were provided. 押圧部材の外側への動きを制限する移動制限機構が設けられた実施形態を示す図である。It is a figure which shows embodiment provided with the movement restriction | limiting mechanism which restrict | limits the outward movement of a press member. 図36に示す実施形態と図43に示す実施形態とを組み合わせた例を示す図である。It is a figure which shows the example which combined embodiment shown in FIG. 36 and embodiment shown in FIG. 研磨モジュールを含む複数の基板処理モジュールを備えた基板処理装置を示す上面図である。It is a top view which shows the substrate processing apparatus provided with the some substrate processing module containing a grinding | polishing module.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図5は、本発明の一実施形態に係る研磨装置を示す平面図であり、図6は、図5のF−F線断面図であり、図7は、図6の矢印Gで示す方向から見た図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
5 is a plan view showing a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a sectional view taken along line FF in FIG. 5, and FIG. 7 is from the direction indicated by arrow G in FIG. FIG.

本実施形態に係る研磨装置は、研磨対象物である基板Wを水平に保持し、回転させる基板保持部3を備えている。図5においては、基板保持部3が基板Wを保持している状態を示している。基板保持部3は、基板Wの下面を真空吸引により保持する保持ステージ4と、保持ステージ4の中央部に連結された中空シャフト5と、この中空シャフト5を回転させるモータM1とを備えている。基板Wは、基板Wの中心が中空シャフト5の軸心と一致するように保持ステージ4の上に載置される。保持ステージ4は、隔壁20とベースプレート21によって形成された研磨室22内に配置されている。   The polishing apparatus according to this embodiment includes a substrate holding unit 3 that horizontally holds and rotates a substrate W that is an object to be polished. FIG. 5 shows a state where the substrate holder 3 holds the substrate W. The substrate holding unit 3 includes a holding stage 4 that holds the lower surface of the substrate W by vacuum suction, a hollow shaft 5 that is connected to the center of the holding stage 4, and a motor M 1 that rotates the hollow shaft 5. . The substrate W is placed on the holding stage 4 so that the center of the substrate W coincides with the axis of the hollow shaft 5. The holding stage 4 is disposed in a polishing chamber 22 formed by a partition wall 20 and a base plate 21.

中空シャフト5は、ボールスプライン軸受(直動軸受)6によって上下動自在に支持されている。保持ステージ4の上面には溝4aが形成されており、この溝4aは、中空シャフト5を通って延びる連通路7に連通している。連通路7は中空シャフト5の下端に取り付けられたロータリジョイント8を介して真空ライン9に接続されている。連通路7は、処理後の基板Wを保持ステージ4から離脱させるための窒素ガス供給ライン10にも接続されている。これらの真空ライン9と窒素ガス供給ライン10を切り替えることによって、基板Wを保持ステージ4の上面に保持し、離脱させる。   The hollow shaft 5 is supported by a ball spline bearing (linear motion bearing) 6 so as to be movable up and down. A groove 4 a is formed on the upper surface of the holding stage 4, and this groove 4 a communicates with a communication path 7 extending through the hollow shaft 5. The communication path 7 is connected to a vacuum line 9 via a rotary joint 8 attached to the lower end of the hollow shaft 5. The communication path 7 is also connected to a nitrogen gas supply line 10 for detaching the processed substrate W from the holding stage 4. By switching between the vacuum line 9 and the nitrogen gas supply line 10, the substrate W is held on the upper surface of the holding stage 4 and separated.

中空シャフト5は、この中空シャフト5に連結されたプーリーp1と、モータM1の回転軸に取り付けられたプーリーp2と、これらプーリーp1,p2に掛けられたベルトb1を介してモータM1によって回転される。ボールスプライン軸受6は、中空シャフト5がその長手方向へ自由に移動することを許容する軸受である。ボールスプライン軸受6は円筒状のケーシング12に固定されている。したがって、中空シャフト5は、ケーシング12に対して上下に直線移動が可能であり、中空シャフト5とケーシング12は一体に回転する。中空シャフト5は、エアシリンダ(昇降機構)15に連結されており、エアシリンダ15によって中空シャフト5および保持ステージ4が上昇および下降できるようになっている。   The hollow shaft 5 is rotated by the motor M1 via a pulley p1 connected to the hollow shaft 5, a pulley p2 attached to the rotation shaft of the motor M1, and a belt b1 hung on the pulleys p1 and p2. . The ball spline bearing 6 is a bearing that allows the hollow shaft 5 to freely move in the longitudinal direction thereof. The ball spline bearing 6 is fixed to a cylindrical casing 12. Therefore, the hollow shaft 5 can move linearly up and down with respect to the casing 12, and the hollow shaft 5 and the casing 12 rotate integrally. The hollow shaft 5 is connected to an air cylinder (elevating mechanism) 15, and the hollow shaft 5 and the holding stage 4 can be raised and lowered by the air cylinder 15.

ケーシング12と、その外側に同心上に配置された円筒状のケーシング14との間にはラジアル軸受18が介装されており、ケーシング12は軸受18によって回転自在に支持されている。このような構成により、基板保持部3は、基板Wをその中心軸まわりに回転させ、かつ基板Wをその中心軸に沿って上昇下降させることができる。   A radial bearing 18 is interposed between the casing 12 and a cylindrical casing 14 disposed concentrically on the outside thereof, and the casing 12 is rotatably supported by the bearing 18. With such a configuration, the substrate holding unit 3 can rotate the substrate W around its central axis and raise and lower the substrate W along its central axis.

基板保持部3に保持された基板Wの半径方向外側には、基板Wの周縁部を研磨する研磨ユニット25が配置されている。この研磨ユニット25は、研磨室22の内部に配置されている。図7に示すように、研磨ユニット25の全体は、設置台27の上に固定されている。この設置台27はアームブロック28を介して研磨ユニット移動機構30に連結されている。   A polishing unit 25 for polishing the peripheral edge of the substrate W is disposed outside the substrate W held in the substrate holding part 3 in the radial direction. The polishing unit 25 is disposed inside the polishing chamber 22. As shown in FIG. 7, the entire polishing unit 25 is fixed on the installation table 27. The installation table 27 is connected to the polishing unit moving mechanism 30 via the arm block 28.

研磨ユニット移動機構30は、アームブロック28をスライド自在に保持するボールねじ機構31と、このボールねじ機構31を駆動するモータ32と、ボールねじ機構31とモータ32とを連結する動力伝達機構33とを備えている。動力伝達機構33は、プーリーおよびベルトなどから構成されている。モータ32を作動させると、ボールねじ機構31がアームブロック28を図7の矢印で示す方向に動かし、研磨ユニット25全体が基板Wの接線方向に移動する。この研磨ユニット移動機構30は、研磨ユニット25を所定の振幅および所定の速度で揺動させるオシレーション機構としても機能する。   The polishing unit moving mechanism 30 includes a ball screw mechanism 31 that slidably holds the arm block 28, a motor 32 that drives the ball screw mechanism 31, and a power transmission mechanism 33 that connects the ball screw mechanism 31 and the motor 32. It has. The power transmission mechanism 33 includes a pulley and a belt. When the motor 32 is operated, the ball screw mechanism 31 moves the arm block 28 in the direction indicated by the arrow in FIG. 7 and the entire polishing unit 25 moves in the tangential direction of the substrate W. The polishing unit moving mechanism 30 also functions as an oscillation mechanism that swings the polishing unit 25 at a predetermined amplitude and a predetermined speed.

研磨ユニット25は、研磨テープ38を用いて基板Wの周縁部を研磨する研磨ヘッド50と、研磨テープ38を研磨ヘッド50に供給し、かつ研磨ヘッド50から回収する研磨テープ供給回収機構70を備えている。研磨ヘッド50は、研磨テープ38の研磨面を基板Wの周縁部に上から押し当てて基板Wのトップエッジ部を研磨するトップエッジ研磨ヘッドである。   The polishing unit 25 includes a polishing head 50 that polishes the peripheral portion of the substrate W using the polishing tape 38, and a polishing tape supply and recovery mechanism 70 that supplies the polishing tape 38 to the polishing head 50 and collects it from the polishing head 50. ing. The polishing head 50 is a top edge polishing head that presses the polishing surface of the polishing tape 38 against the peripheral edge of the substrate W from above to polish the top edge portion of the substrate W.

図8は研磨ヘッド50および研磨テープ供給回収機構70の平面図であり、図9は研磨ヘッド50および研磨テープ供給回収機構70の正面図であり、図10は図9に示すH−H線断面図であり、図11は図9に示す研磨テープ供給回収機構70の側面図であり、図12は図9に示す研磨ヘッド50を矢印Iで示す方向から見た縦断面図である。   8 is a plan view of the polishing head 50 and the polishing tape supply / recovery mechanism 70, FIG. 9 is a front view of the polishing head 50 and the polishing tape supply / recovery mechanism 70, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line HH shown in FIG. 11 is a side view of the polishing tape supply / recovery mechanism 70 shown in FIG. 9, and FIG. 12 is a longitudinal sectional view of the polishing head 50 shown in FIG.

設置台27の上には、基板Wの半径方向と平行に延びる2つの直動ガイド40A,40Bが配置されている。研磨ヘッド50と直動ガイド40Aとは、連結ブロック41Aを介して連結されている。さらに、研磨ヘッド50は、該研磨ヘッド50を直動ガイド40Aに沿って(すなわち、基板Wの半径方向に)移動させるモータ42Aおよびボールねじ43Aに連結されている。より具体的には、ボールねじ43Aは連結ブロック41Aに固定されており、モータ42Aは設置台27に支持部材44Aを介して固定されている。モータ42Aは、ボールねじ43Aのねじ軸を回転させるように構成されており、これにより、連結ブロック41Aおよびこれに連結された研磨ヘッド50は直動ガイド40Aに沿って移動される。モータ42A、ボールねじ43A、および直動ガイド40Aは、基板保持部3に保持された基板Wの半径方向に研磨ヘッド50を移動させる第1の移動機構を構成する。   Two linear motion guides 40 </ b> A and 40 </ b> B extending in parallel with the radial direction of the substrate W are arranged on the installation table 27. The polishing head 50 and the linear motion guide 40A are connected via a connection block 41A. Further, the polishing head 50 is connected to a motor 42A and a ball screw 43A that move the polishing head 50 along the linear motion guide 40A (that is, in the radial direction of the substrate W). More specifically, the ball screw 43A is fixed to the connection block 41A, and the motor 42A is fixed to the installation base 27 via the support member 44A. The motor 42A is configured to rotate the screw shaft of the ball screw 43A, whereby the connecting block 41A and the polishing head 50 connected thereto are moved along the linear guide 40A. The motor 42 </ b> A, the ball screw 43 </ b> A, and the linear motion guide 40 </ b> A constitute a first moving mechanism that moves the polishing head 50 in the radial direction of the substrate W held by the substrate holding unit 3.

同様に、研磨テープ供給回収機構70と直動ガイド40Bとは、連結ブロック41Bを介して連結されている。さらに、研磨テープ供給回収機構70は、該研磨テープ供給回収機構70を直動ガイド40Bに沿って(すなわち、基板Wの半径方向に)移動させるモータ42Bおよびボールねじ43Bに連結されている。より具体的には、ボールねじ43Bは連結ブロック41Bに固定されており、モータ42Bは設置台27に支持部材44Bを介して固定されている。モータ42Bは、ボールねじ43Bのねじ軸を回転させるように構成されており、これにより、連結ブロック41Bおよびこれに連結された研磨テープ供給回収機構70は直動ガイド40Bに沿って移動される。モータ42B、ボールねじ43B、および直動ガイド40Bは、基板保持部3に保持された基板Wの半径方向に研磨テープ供給回収機構70を移動させる第2の移動機構を構成する。   Similarly, the polishing tape supply / recovery mechanism 70 and the linear motion guide 40B are coupled via a coupling block 41B. Further, the polishing tape supply / recovery mechanism 70 is connected to a motor 42B and a ball screw 43B that move the polishing tape supply / recovery mechanism 70 along the linear motion guide 40B (that is, in the radial direction of the substrate W). More specifically, the ball screw 43B is fixed to the connection block 41B, and the motor 42B is fixed to the installation base 27 via the support member 44B. The motor 42B is configured to rotate the screw shaft of the ball screw 43B, whereby the connecting block 41B and the polishing tape supply / recovery mechanism 70 connected thereto are moved along the linear motion guide 40B. The motor 42 </ b> B, the ball screw 43 </ b> B, and the linear motion guide 40 </ b> B constitute a second moving mechanism that moves the polishing tape supply / recovery mechanism 70 in the radial direction of the substrate W held by the substrate holding unit 3.

図12に示すように、研磨ヘッド50は、研磨テープ38を基板Wに対して押し付ける押圧部材51と、押圧部材51を保持する押圧部材ホルダー52と、この押圧部材ホルダー52(および押圧部材51)を押し下げるアクチュエータとしてのエアシリンダ53とを備えている。エアシリンダ53は、保持部材55に保持されている。さらに、保持部材55は、鉛直方向に延びる直動ガイド54を介してリフト機構としてのエアシリンダ56に連結されている。図示しない気体供給源から空気などの気体がエアシリンダ56に供給されると、エアシリンダ56は保持部材55を押し上げる。これにより、保持部材55、エアシリンダ53、押圧部材ホルダー52、および押圧部材51は、直動ガイド54に沿って持ち上げられる。   As shown in FIG. 12, the polishing head 50 includes a pressing member 51 that presses the polishing tape 38 against the substrate W, a pressing member holder 52 that holds the pressing member 51, and the pressing member holder 52 (and the pressing member 51). And an air cylinder 53 as an actuator that pushes down. The air cylinder 53 is held by a holding member 55. Further, the holding member 55 is connected to an air cylinder 56 as a lift mechanism via a linear motion guide 54 extending in the vertical direction. When a gas such as air is supplied to the air cylinder 56 from a gas supply source (not shown), the air cylinder 56 pushes up the holding member 55. Accordingly, the holding member 55, the air cylinder 53, the pressing member holder 52, and the pressing member 51 are lifted along the linear motion guide 54.

エアシリンダ56は、連結ブロック41Aに固定された据付部材57に固定されている。据付部材57と押圧部材ホルダー52とは、鉛直方向に延びる直動ガイド58を介して連結されている。エアシリンダ53により押圧部材ホルダー52を押し下げると、押圧部材51は直動ガイド58に沿って下方に移動し、研磨テープ38を基板Wの周縁部に対して押し付ける。押圧部材51は、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)のなどの樹脂、ステンレス鋼などの金属、またはSiC(炭化ケイ素)などのセラミックから形成されている。   The air cylinder 56 is fixed to an installation member 57 fixed to the connection block 41A. The installation member 57 and the pressing member holder 52 are connected via a linear guide 58 extending in the vertical direction. When the pressing member holder 52 is pushed down by the air cylinder 53, the pressing member 51 moves downward along the linear motion guide 58 and presses the polishing tape 38 against the peripheral edge of the substrate W. The pressing member 51 is made of a resin such as PEEK (polyether ether ketone), a metal such as stainless steel, or a ceramic such as SiC (silicon carbide).

押圧部材51には、鉛直方向に延びる複数の貫通孔51aを有しており、この貫通孔51aには真空ライン60が接続されている。真空ライン60には、図示しない弁が設けられており、弁を開くことにより押圧部材51の貫通孔51a内に真空が形成されるようになっている。押圧部材51が研磨テープ38の上面に接触した状態で貫通孔51aに真空が形成されると、研磨テープ38の上面は押圧部材51の下面に保持される。なお、押圧部材51の貫通孔51aは1つであってもよい。   The pressing member 51 has a plurality of through holes 51a extending in the vertical direction, and a vacuum line 60 is connected to the through holes 51a. The vacuum line 60 is provided with a valve (not shown), and a vacuum is formed in the through hole 51a of the pressing member 51 by opening the valve. When a vacuum is formed in the through hole 51 a in a state where the pressing member 51 is in contact with the upper surface of the polishing tape 38, the upper surface of the polishing tape 38 is held on the lower surface of the pressing member 51. The pressing member 51 may have one through hole 51a.

押圧部材ホルダー52、エアシリンダ53、保持部材55、エアシリンダ56、および据付部材57は、ボックス62内に収容されている。押圧部材ホルダー52の下部はボックス62の底部から突出しており、押圧部材ホルダー52の下部に押圧部材51が取り付けられている。ボックス62内には、押圧部材51の鉛直方向の位置を検出する位置センサ63が配置されている。この位置センサ63は、据付部材57に取り付けられている。押圧部材ホルダー52には、センサターゲットとしてのドグ64が設けられており、位置センサ63はドグ64の鉛直方向の位置から押圧部材51の鉛直方向の位置を検出するようになっている。   The pressing member holder 52, the air cylinder 53, the holding member 55, the air cylinder 56, and the installation member 57 are accommodated in the box 62. The lower part of the pressing member holder 52 protrudes from the bottom of the box 62, and the pressing member 51 is attached to the lower part of the pressing member holder 52. A position sensor 63 for detecting the vertical position of the pressing member 51 is disposed in the box 62. The position sensor 63 is attached to the installation member 57. The pressing member holder 52 is provided with a dog 64 as a sensor target, and the position sensor 63 detects the vertical position of the pressing member 51 from the vertical position of the dog 64.

図13は、位置センサ63およびドグ64を上から見た図である。位置センサ63は、投光部63Aと受光部63Bとを有している。ドグ64が押圧部材ホルダー52(および押圧部材51)とともに下降すると、投光部63Aから発せられた光の一部がドグ64によって遮られる。したがって、受光部63Bによって受光される光の量からドグ64の位置、すなわち押圧部材51の鉛直方向の位置を検出することができる。なお、図13に示す位置センサ63はいわゆる透過型の光学式センサであるが、他のタイプの位置センサを用いてもよい。   FIG. 13 is a view of the position sensor 63 and the dog 64 as seen from above. The position sensor 63 includes a light projecting unit 63A and a light receiving unit 63B. When the dog 64 is lowered together with the pressing member holder 52 (and the pressing member 51), a part of the light emitted from the light projecting portion 63A is blocked by the dog 64. Therefore, the position of the dog 64, that is, the position of the pressing member 51 in the vertical direction can be detected from the amount of light received by the light receiving unit 63B. The position sensor 63 shown in FIG. 13 is a so-called transmission type optical sensor, but other types of position sensors may be used.

研磨テープ供給回収機構70は、研磨テープ38を供給する供給リール71と、研磨テープ38を回収する回収リール72とを備えている。供給リール71および回収リール72は、それぞれテンションモータ73,74に連結されている。これらテンションモータ73,74は、所定のトルクを供給リール71および回収リール72に与えることにより、研磨テープ38に所定のテンションをかけることができるようになっている。   The polishing tape supply / recovery mechanism 70 includes a supply reel 71 for supplying the polishing tape 38 and a recovery reel 72 for recovering the polishing tape 38. The supply reel 71 and the recovery reel 72 are connected to tension motors 73 and 74, respectively. The tension motors 73 and 74 can apply a predetermined tension to the polishing tape 38 by applying a predetermined torque to the supply reel 71 and the recovery reel 72.

供給リール71と回収リール72との間には、研磨テープ送り機構76が設けられている。この研磨テープ送り機構76は、研磨テープ38を送るテープ送りローラ77と、研磨テープ38をテープ送りローラ77に対して押し付けるニップローラ78と、テープ送りローラ77を回転させるテープ送りモータ79とを備えている。研磨テープ38はニップローラ78とテープ送りローラ77との間に挟まれている。テープ送りローラ77を図9の矢印で示す方向に回転させることにより、研磨テープ38は供給リール71から回収リール72に送られる。   A polishing tape feed mechanism 76 is provided between the supply reel 71 and the recovery reel 72. The polishing tape feeding mechanism 76 includes a tape feeding roller 77 that feeds the polishing tape 38, a nip roller 78 that presses the polishing tape 38 against the tape feeding roller 77, and a tape feeding motor 79 that rotates the tape feeding roller 77. Yes. The polishing tape 38 is sandwiched between the nip roller 78 and the tape feed roller 77. The polishing tape 38 is fed from the supply reel 71 to the collection reel 72 by rotating the tape feed roller 77 in the direction indicated by the arrow in FIG.

テンションモータ73,74およびテープ送りモータ79は、基台81に設置されている。この基台81は連結ブロック41Bに固定されている。基台81は、供給リール71および回収リール72から研磨ヘッド50に向かって延びる2本の支持アーム82,83を有している。支持アーム82,83には、研磨テープ38を支持する複数のガイドローラ84A,84B,84C,84D,84Eが取り付けられている。研磨テープ38はこれらのガイドローラ84A〜84Eにより、研磨ヘッド50を囲むように案内される。   The tension motors 73 and 74 and the tape feed motor 79 are installed on the base 81. The base 81 is fixed to the connection block 41B. The base 81 has two support arms 82 and 83 extending from the supply reel 71 and the recovery reel 72 toward the polishing head 50. A plurality of guide rollers 84A, 84B, 84C, 84D, and 84E that support the polishing tape 38 are attached to the support arms 82 and 83. The polishing tape 38 is guided by these guide rollers 84A to 84E so as to surround the polishing head 50.

研磨テープ38の延びる方向は、上から見たときに、基板Wの半径方向に対して垂直である。研磨ヘッド50の下方に位置する2つのガイドローラ84D,84Eは、研磨テープ38の研磨面が基板Wの表面(上面)と平行となるように研磨テープ38を支持している。さらに、これら2つのガイドローラ84D,84Eの間にある研磨テープ38は、基板Wの接線方向と平行に延びている。研磨テープ38と基板Wとの間には、鉛直方向において隙間が形成されている。   The extending direction of the polishing tape 38 is perpendicular to the radial direction of the substrate W when viewed from above. The two guide rollers 84D and 84E located below the polishing head 50 support the polishing tape 38 so that the polishing surface of the polishing tape 38 is parallel to the surface (upper surface) of the substrate W. Further, the polishing tape 38 between the two guide rollers 84D and 84E extends in parallel with the tangential direction of the substrate W. A gap is formed between the polishing tape 38 and the substrate W in the vertical direction.

研磨装置は、研磨テープ38の縁部の位置を検出するテープエッジ検出センサ100をさらに備えている。テープエッジ検出センサ100は、上述した位置センサ63と同様に、透過型の光学式センサである。テープエッジ検出センサ100は、投光部100Aと受光部100Bとを有している。投光部100Aは、図8に示すように、設置台27に固定されており、受光部100Bは、図6に示すように、研磨室22を形成するベースプレート21に固定されている。このテープエッジ検出センサ100は、受光部100Bによって受光される光の量から研磨テープ38の縁部の位置を検出するように構成されている。   The polishing apparatus further includes a tape edge detection sensor 100 that detects the position of the edge of the polishing tape 38. The tape edge detection sensor 100 is a transmissive optical sensor, similar to the position sensor 63 described above. The tape edge detection sensor 100 includes a light projecting unit 100A and a light receiving unit 100B. As shown in FIG. 8, the light projecting unit 100A is fixed to the installation base 27, and the light receiving unit 100B is fixed to the base plate 21 forming the polishing chamber 22, as shown in FIG. The tape edge detection sensor 100 is configured to detect the position of the edge of the polishing tape 38 from the amount of light received by the light receiving unit 100B.

基板Wを研磨するときは、図14に示すように、研磨ヘッド50および研磨テープ供給回収機構70は、モータ42A,42Bおよびボールねじ43A,43Bによりそれぞれ所定の研磨位置にまで移動される。研磨位置にある研磨テープ38は、基板Wの接線方向に延びている。図15は、研磨位置にある押圧部材51、研磨テープ38、および基板Wを横方向から見た模式図である。図15に示すように、研磨テープ38は、基板Wの周縁部の上方に位置し、さらに研磨テープ38の上方に押圧部材51が位置する。図16は、押圧部材51により研磨テープ38を基板Wに押し付けている状態を示す図である。図16に示すように、研磨位置にある押圧部材51の縁部と研磨テープ38の縁部は一致している。すなわち、押圧部材51の縁部と研磨テープ38の縁部が一致するように、研磨ヘッド50および研磨テープ供給回収機構70がそれぞれ独立に研磨位置に移動される。   When polishing the substrate W, as shown in FIG. 14, the polishing head 50 and the polishing tape supply / recovery mechanism 70 are moved to predetermined polishing positions by the motors 42A and 42B and the ball screws 43A and 43B, respectively. The polishing tape 38 in the polishing position extends in the tangential direction of the substrate W. FIG. 15 is a schematic view of the pressing member 51, the polishing tape 38, and the substrate W in the polishing position as viewed from the lateral direction. As shown in FIG. 15, the polishing tape 38 is positioned above the peripheral edge of the substrate W, and the pressing member 51 is positioned above the polishing tape 38. FIG. 16 is a view showing a state in which the polishing tape 38 is pressed against the substrate W by the pressing member 51. As shown in FIG. 16, the edge of the pressing member 51 in the polishing position and the edge of the polishing tape 38 coincide. That is, the polishing head 50 and the polishing tape supply / recovery mechanism 70 are independently moved to the polishing position so that the edge of the pressing member 51 and the edge of the polishing tape 38 coincide.

次に、上述のように構成された研磨装置の研磨動作について説明する。以下に説明する研磨装置の動作は、図5に示す動作制御部11によって制御される。基板Wは、その表面に形成されている膜(例えば、デバイス層)が上を向くように基板保持部3に保持され、さらに基板Wの中心周りに回転される。回転する基板Wの中心には、図示しない液体供給機構から液体(例えば、純水)が供給される。研磨ヘッド50の押圧部材51および研磨テープ38は、図15に示すように、それぞれ所定の研磨位置にまで移動される。   Next, the polishing operation of the polishing apparatus configured as described above will be described. The operation of the polishing apparatus described below is controlled by the operation control unit 11 shown in FIG. The substrate W is held by the substrate holding unit 3 so that a film (for example, a device layer) formed on the surface thereof faces upward, and is further rotated around the center of the substrate W. A liquid (for example, pure water) is supplied to the center of the rotating substrate W from a liquid supply mechanism (not shown). The pressing member 51 and the polishing tape 38 of the polishing head 50 are each moved to a predetermined polishing position as shown in FIG.

図17(a)は、研磨位置にある研磨テープ38および押圧部材51を基板Wの径方向から見た図を示している。図17(a)に示す押圧部材51は、エアシリンダ56(図12参照)により持ち上げられた状態にあり、押圧部材51は研磨テープ38の上方に位置している。次に、エアシリンダ56の動作を停止させてそのピストンロッドを下げ、図17(b)に示すように、押圧部材51は、その下面が研磨テープ38の上面に接触するまで下降される。この状態で真空ライン60を介して押圧部材51の貫通孔51aに真空を形成し、研磨テープ38を押圧部材51の下面に保持させる。研磨テープ38を保持したまま、押圧部材51はエアシリンダ53(図12参照)により下降され、図17(c)に示すように、押圧部材51は、研磨テープ38の研磨面を基板Wの周縁部に所定の研磨荷重で押し付ける。研磨荷重は、エアシリンダ53に供給する気体の圧力により調整することができる。   FIG. 17A shows a view of the polishing tape 38 and the pressing member 51 in the polishing position as viewed from the radial direction of the substrate W. FIG. The pressing member 51 shown in FIG. 17A is lifted by the air cylinder 56 (see FIG. 12), and the pressing member 51 is located above the polishing tape 38. Next, the operation of the air cylinder 56 is stopped and its piston rod is lowered, and the pressing member 51 is lowered until its lower surface comes into contact with the upper surface of the polishing tape 38 as shown in FIG. In this state, a vacuum is formed in the through hole 51 a of the pressing member 51 through the vacuum line 60, and the polishing tape 38 is held on the lower surface of the pressing member 51. While holding the polishing tape 38, the pressing member 51 is lowered by the air cylinder 53 (see FIG. 12), and the pressing member 51 uses the polishing surface of the polishing tape 38 as the peripheral edge of the substrate W as shown in FIG. Press against the part with a predetermined polishing load. The polishing load can be adjusted by the pressure of the gas supplied to the air cylinder 53.

回転する基板Wと、研磨テープ38との摺接により、基板Wの周縁部が研磨される。基板Wの研磨レートを上げるために、基板Wの研磨中に研磨ユニット移動機構30により研磨テープ38を基板Wの接線方向に沿って揺動させてもよい。研磨中は、回転する基板Wの中心部に液体(例えば純水)が供給され、基板Wは水の存在下で研磨される。基板Wに供給された液体は、遠心力により基板Wの上面全体に広がり、これにより基板Wに形成されたデバイスに研磨屑が付着してしまうことが防止される。上述したように、研磨中は、研磨テープ38は、真空吸引により押圧部材51に保持されているので、研磨テープ38と押圧部材51との位置がずれることが防止される。したがって、研磨位置および研磨形状を安定させることができる。さらに、研磨荷重を大きくしても、研磨テープ38と押圧部材51との位置がずれることがないため、研磨時間を短縮することができる。   The peripheral portion of the substrate W is polished by sliding contact between the rotating substrate W and the polishing tape 38. In order to increase the polishing rate of the substrate W, the polishing tape 38 may be swung along the tangential direction of the substrate W by the polishing unit moving mechanism 30 during polishing of the substrate W. During polishing, a liquid (for example, pure water) is supplied to the central portion of the rotating substrate W, and the substrate W is polished in the presence of water. The liquid supplied to the substrate W spreads over the entire upper surface of the substrate W due to centrifugal force, thereby preventing polishing dust from adhering to the device formed on the substrate W. As described above, during polishing, the polishing tape 38 is held by the pressing member 51 by vacuum suction, so that the positions of the polishing tape 38 and the pressing member 51 are prevented from shifting. Therefore, the polishing position and the polishing shape can be stabilized. Furthermore, even if the polishing load is increased, the polishing tape 38 and the pressing member 51 are not displaced from each other, so that the polishing time can be shortened.

研磨テープ38は上から押圧部材51により押されるので、基板Wのトップエッジ部(図1(a)および図1(b)参照)を研磨することができる。図18は、研磨テープ38により研磨されている基板Wの周縁部を示す拡大図である。図18に示すように、研磨テープ38の縁部と押圧部材51の縁部とが一致した状態で、研磨テープ38の縁部を含む平坦部が、基板Wの周縁部に押し当てられる。研磨テープ38の縁部は直角な角部であり、この直角な縁部が押圧部材51の縁部により基板Wの周縁部に上から押圧される。したがって、図19に示すように、研磨された基板Wの断面形状を直角とすることができる。すなわち、基板Wの表面に対して垂直なデバイス層の端面を形成することができる。   Since the polishing tape 38 is pressed from above by the pressing member 51, the top edge portion (see FIGS. 1A and 1B) of the substrate W can be polished. FIG. 18 is an enlarged view showing the peripheral portion of the substrate W being polished by the polishing tape 38. As shown in FIG. 18, the flat portion including the edge of the polishing tape 38 is pressed against the peripheral edge of the substrate W in a state where the edge of the polishing tape 38 and the edge of the pressing member 51 are aligned. The edge of the polishing tape 38 is a right-angled corner, and this right-angled edge is pressed from above onto the peripheral edge of the substrate W by the edge of the pressing member 51. Accordingly, as shown in FIG. 19, the cross-sectional shape of the polished substrate W can be set to a right angle. That is, the end face of the device layer perpendicular to the surface of the substrate W can be formed.

基板Wの研磨中の押圧部材51の鉛直方向の位置は、位置センサ63により検出される。したがって、押圧部材51の鉛直方向の位置から研磨終点を検出することができる。例えば、押圧部材51の鉛直方向の位置が所定の目標位置に達したときに、基板Wの周縁部の研磨を終了することができる。この所定の目標位置は、目標とする研磨量に従って決定される。   The position in the vertical direction of the pressing member 51 during polishing of the substrate W is detected by the position sensor 63. Therefore, the polishing end point can be detected from the vertical position of the pressing member 51. For example, when the vertical position of the pressing member 51 reaches a predetermined target position, the polishing of the peripheral portion of the substrate W can be finished. This predetermined target position is determined according to the target polishing amount.

基板Wの研磨が終了すると、エアシリンダ53への気体の供給が停止され、これにより押圧部材51が図17(b)に示す位置にまで上昇する。同時に、研磨テープ38の真空吸引が停止される。さらに、押圧部材51はエアシリンダ56により図17(a)に示す位置にまで上昇される。そして、研磨ヘッド50および研磨テープ供給回収機構70は、図8に示す退避位置に移動される。研磨された基板Wは、基板保持部3によって上昇され、図示しない搬送機構のハンドによって研磨室22の外に搬出される。次の基板の研磨が始まる前に、研磨テープ38はテープ送り機構76により所定の距離だけ供給リール71から回収リール72に送られる。これにより、新しい研磨面が次の基板の研磨に使用される。研磨テープ38が研磨屑により目詰まりをしていると推定されるときは、研磨テープ38を所定の距離だけ送った後、研磨された基板Wを新しい研磨面で再び研磨してもよい。研磨テープ38の目詰まりは、例えば、研磨時間および研磨荷重から推定することができる。研磨テープ38をテープ送り機構76により所定の速度で送りながら、基板Wを研磨してもよい。この場合は、研磨テープ38を真空吸引により保持する必要はない。さらに、研磨テープ38を真空吸引により保持したまま、テープ送り機構76で研磨テープ38を送ることも可能である。   When the polishing of the substrate W is completed, the supply of gas to the air cylinder 53 is stopped, whereby the pressing member 51 is raised to the position shown in FIG. At the same time, the vacuum suction of the polishing tape 38 is stopped. Further, the pressing member 51 is raised by the air cylinder 56 to the position shown in FIG. Then, the polishing head 50 and the polishing tape supply / recovery mechanism 70 are moved to the retracted position shown in FIG. The polished substrate W is raised by the substrate holding unit 3 and carried out of the polishing chamber 22 by a hand of a transport mechanism (not shown). Before the polishing of the next substrate starts, the polishing tape 38 is fed from the supply reel 71 to the recovery reel 72 by a predetermined distance by the tape feeding mechanism 76. As a result, the new polishing surface is used for polishing the next substrate. When it is estimated that the polishing tape 38 is clogged with polishing debris, the polished substrate W may be polished again with a new polishing surface after the polishing tape 38 is fed a predetermined distance. The clogging of the polishing tape 38 can be estimated from, for example, the polishing time and the polishing load. The substrate W may be polished while the polishing tape 38 is fed at a predetermined speed by the tape feeding mechanism 76. In this case, it is not necessary to hold the polishing tape 38 by vacuum suction. Further, the polishing tape 38 can be fed by the tape feeding mechanism 76 while the polishing tape 38 is held by vacuum suction.

研磨テープ38は、細長い帯状の研磨具である。研磨テープ38の幅は基本的にはその全長に亘って一定であるが、研磨テープ38の部分によってはその幅に若干のばらつきがあることがある。このため、研磨位置にある研磨テープ38の縁部の位置が基板ごとに異なるおそれがある。一方、研磨位置にある押圧部材51の位置は、常に一定である。そこで、研磨テープ38の縁部を押圧部材51の縁部に合わせるために、研磨位置に移動される前に、研磨テープ38の縁部の位置が上述のテープエッジ検出センサ100により検出される。   The polishing tape 38 is an elongated strip-shaped polishing tool. The width of the polishing tape 38 is basically constant over its entire length, but there may be some variation in the width depending on the portion of the polishing tape 38. For this reason, there exists a possibility that the position of the edge part of the polishing tape 38 in a grinding | polishing position may differ for every board | substrate. On the other hand, the position of the pressing member 51 in the polishing position is always constant. Therefore, in order to align the edge of the polishing tape 38 with the edge of the pressing member 51, the position of the edge of the polishing tape 38 is detected by the above-described tape edge detection sensor 100 before being moved to the polishing position.

図20(a)乃至図20(c)は、研磨テープ38の縁部を検出するときの動作を説明する図である。基板Wの研磨に先立って、研磨テープ38は、図20(a)に示す退避位置から、図20(b)に示すテープエッジ検出位置に移動される。このテープエッジ検出位置において、テープエッジ検出センサ100により、研磨テープ38の基板側の縁部の位置が検出される。そして、図20(c)に示すように、研磨テープ38の縁部が押圧部材51の縁部と一致するように、研磨テープ38が研磨位置に移動される。研磨テープ38は研磨ヘッド50とは独立に移動可能であるので、研磨テープ38の幅に依存して変わりうる距離だけ研磨テープ38を移動させることが可能である。   FIG. 20A to FIG. 20C are diagrams for explaining the operation when the edge of the polishing tape 38 is detected. Prior to polishing the substrate W, the polishing tape 38 is moved from the retracted position shown in FIG. 20A to the tape edge detection position shown in FIG. At the tape edge detection position, the position of the edge of the polishing tape 38 on the substrate side is detected by the tape edge detection sensor 100. Then, as shown in FIG. 20C, the polishing tape 38 is moved to the polishing position so that the edge of the polishing tape 38 coincides with the edge of the pressing member 51. Since the polishing tape 38 can move independently of the polishing head 50, the polishing tape 38 can be moved by a distance that can vary depending on the width of the polishing tape 38.

研磨位置にある押圧部材51の縁部の位置は予め動作制御部11(図5参照)に記憶されている。したがって、動作制御部11は、検出された研磨テープ38の縁部の位置と、押圧部材51の縁部の位置とから、研磨テープ38の縁部が押圧部材51の縁部に一致するための研磨テープ38の移動距離を算出することができる。このように、検出された研磨テープ38の縁部の位置に基づいて研磨テープ38の移動距離が決定されるので、研磨テープ38の幅のばらつきによらず、常に研磨テープ38の縁部を押圧部材51の縁部に合わせることができる。その結果、研磨テープ38の縁部で直角な断面形状を基板Wに形成することができる。   The position of the edge of the pressing member 51 at the polishing position is stored in advance in the operation control unit 11 (see FIG. 5). Therefore, the operation control unit 11 uses the detected edge position of the polishing tape 38 and the detected edge position of the pressing member 51 so that the edge of the polishing tape 38 matches the edge of the pressing member 51. The moving distance of the polishing tape 38 can be calculated. In this way, since the moving distance of the polishing tape 38 is determined based on the detected position of the edge of the polishing tape 38, the edge of the polishing tape 38 is always pressed regardless of the width variation of the polishing tape 38. It can be aligned with the edge of the member 51. As a result, a cross-sectional shape perpendicular to the edge of the polishing tape 38 can be formed on the substrate W.

図5乃至図7に示すように、隔壁20は、基板Wを研磨室22に搬入および搬出するための搬送口20aを備えている。搬送口20aは、水平に延びる切り欠きとして形成されている。この搬送口20aは、シャッター23により閉じることが可能となっている。図21に示すように、研磨される基板Wは、シャッター23が開かれた状態で、搬送機構のハンド105により搬送口20aから研磨室22内に搬入される。図22に示すように、基板Wが研磨ユニット25にぶつからないように、研磨ユニット25は上述した研磨ユニット移動機構30により退避位置まで移動される。   As shown in FIGS. 5 to 7, the partition wall 20 includes a transfer port 20 a for carrying the substrate W into and out of the polishing chamber 22. The conveyance port 20a is formed as a notch extending horizontally. The transport port 20 a can be closed by a shutter 23. As shown in FIG. 21, the substrate W to be polished is carried into the polishing chamber 22 from the transfer port 20a by the hand 105 of the transfer mechanism with the shutter 23 opened. As illustrated in FIG. 22, the polishing unit 25 is moved to the retracted position by the above-described polishing unit moving mechanism 30 so that the substrate W does not hit the polishing unit 25.

基板Wが研磨室22内に搬入されると、図23に示すように、エアシリンダ15が作動して保持ステージ4が上昇し、基板Wは保持ステージ4の上面に保持される。その後、保持ステージ4は、基板Wとともに所定の研磨位置まで下降する。図6は基板Wが研磨位置にあることを示している。そして、研磨ユニット25は、図22に示す退避位置から図7に示す基板研磨位置にまで移動し、上述したように基板Wを研磨する。基板Wの研磨中は、搬送口20aはシャッター23により閉じられる。   When the substrate W is carried into the polishing chamber 22, as shown in FIG. 23, the air cylinder 15 operates to raise the holding stage 4, and the substrate W is held on the upper surface of the holding stage 4. Thereafter, the holding stage 4 moves down to a predetermined polishing position together with the substrate W. FIG. 6 shows that the substrate W is in the polishing position. Then, the polishing unit 25 moves from the retracted position shown in FIG. 22 to the substrate polishing position shown in FIG. 7, and polishes the substrate W as described above. During polishing of the substrate W, the transfer port 20 a is closed by the shutter 23.

基板Wの研磨が終了すると、研磨ユニット25は、上述した研磨ユニット移動機構30により図22に示す退避位置まで再び移動される。その後、ハンド105が研磨室22内に進入する。さらに、保持ステージ4は基板Wとともに、図23に示す基板搬送位置まで再び上昇する。ハンド105は基板Wを把持し、図24に示すように基板Wを研磨室22から搬出する。このように、ハンド105に把持された基板Wは、水平な状態を保ちながら、搬送口20aを通って研磨室22内を横切ることが可能となっている。   When the polishing of the substrate W is completed, the polishing unit 25 is moved again to the retracted position shown in FIG. 22 by the polishing unit moving mechanism 30 described above. Thereafter, the hand 105 enters the polishing chamber 22. Further, the holding stage 4 rises again together with the substrate W to the substrate transfer position shown in FIG. The hand 105 holds the substrate W and carries the substrate W out of the polishing chamber 22 as shown in FIG. As described above, the substrate W held by the hand 105 can cross the polishing chamber 22 through the transfer port 20a while maintaining a horizontal state.

図25は、上述のように構成された研磨ユニットを複数備えた研磨装置を示す平面図である。この研磨装置では、研磨室22内に第1の研磨ユニット25Aおよび第2の研磨ユニット25Bが設けられている。これら2つの研磨ユニット25A,25Bの配置は、基板保持部3に保持された基板Wに関して対称である。第1の研磨ユニット25Aは第1の研磨ユニット移動機構(図示せず)により移動可能となっており、第2の研磨ユニット25Bは第2の研磨ユニット移動機構(図示せず)により移動可能となっている。これら第1および第2の研磨ユニット移動機構は、上述の研磨ユニット移動機構30と同様の構成を有している。   FIG. 25 is a plan view showing a polishing apparatus including a plurality of polishing units configured as described above. In this polishing apparatus, a first polishing unit 25A and a second polishing unit 25B are provided in the polishing chamber 22. The arrangement of these two polishing units 25 </ b> A and 25 </ b> B is symmetrical with respect to the substrate W held by the substrate holding unit 3. The first polishing unit 25A can be moved by a first polishing unit moving mechanism (not shown), and the second polishing unit 25B can be moved by a second polishing unit moving mechanism (not shown). It has become. These first and second polishing unit moving mechanisms have the same configuration as the polishing unit moving mechanism 30 described above.

第1の研磨ユニット25Aと第2の研磨ユニット25Bでは、異なるタイプの研磨テープを使用することができる。例えば、第1の研磨ユニット25Aで基板Wの粗研磨を行い、第2の研磨ユニット25Bで基板Wの仕上げ研磨をすることができる。   Different types of polishing tape can be used in the first polishing unit 25A and the second polishing unit 25B. For example, the first polishing unit 25A can perform rough polishing of the substrate W, and the second polishing unit 25B can perform final polishing of the substrate W.

図26は、トップエッジ部を研磨することができる上述の研磨ユニット25(以下、トップエッジ研磨ユニットという)と、ベベル部(図1(a)および図1(b)の符号B参照)を研磨することができるベベル研磨ユニット110とを備えた研磨装置を示す平面図である。図27は、図26に示す研磨装置の縦断面図である。   FIG. 26 shows polishing of the above-described polishing unit 25 (hereinafter referred to as a top edge polishing unit) capable of polishing the top edge portion, and a bevel portion (see reference numeral B in FIGS. 1A and 1B). It is a top view which shows the grinding | polishing apparatus provided with the bevel grinding | polishing unit 110 which can do. 27 is a longitudinal sectional view of the polishing apparatus shown in FIG.

図26および図27に示すように、ベベル研磨ユニット110は、基板Wのベベル部に研磨テープ123を押し当てて該ベベル部を研磨する研磨ヘッド組立体111と、この研磨ヘッド組立体111に研磨テープ123を供給する研磨テープ供給回収機構112とを備えている。研磨ヘッド組立体111は、研磨室22の内部に配置され、研磨テープ供給回収機構112は、研磨室22の外に配置されている。   As shown in FIGS. 26 and 27, the bevel polishing unit 110 includes a polishing head assembly 111 that presses the polishing tape 123 against the bevel portion of the substrate W to polish the bevel portion, and polishes the polishing head assembly 111. A polishing tape supply / recovery mechanism 112 for supplying the tape 123 is provided. The polishing head assembly 111 is disposed inside the polishing chamber 22, and the polishing tape supply / recovery mechanism 112 is disposed outside the polishing chamber 22.

研磨テープ供給回収機構112は、研磨テープ123を研磨ヘッド組立体111に供給する供給リール124と、基板Wの研磨に使用された研磨テープ123を回収する回収リール125とを備えている。供給リール124および回収リール125にはモータ129,129がそれぞれ連結されている(図26には、供給リール124に連結されたモータ129のみを示す)。それぞれのモータ129,129は、供給リール124および回収リール125に所定のトルクを与え、研磨テープ123に所定のテンションを掛けることができるようになっている。   The polishing tape supply / recovery mechanism 112 includes a supply reel 124 that supplies the polishing tape 123 to the polishing head assembly 111 and a recovery reel 125 that recovers the polishing tape 123 used for polishing the substrate W. Motors 129 and 129 are connected to the supply reel 124 and the recovery reel 125, respectively (only the motor 129 connected to the supply reel 124 is shown in FIG. 26). Each of the motors 129 and 129 can apply a predetermined torque to the supply reel 124 and the recovery reel 125 and apply a predetermined tension to the polishing tape 123.

研磨ヘッド組立体111は、研磨テープ123を基板Wの周縁部に当接させるための研磨ヘッド131を備えている。研磨テープ123は、研磨テープ123の研磨面が基板Wを向くように研磨ヘッド131に供給される。研磨テープ123は、隔壁20に設けられた開口部20bを通して供給リール124から研磨ヘッド131へ供給され、使用された研磨テープ123は開口部20bを通って回収リール125に回収される。   The polishing head assembly 111 includes a polishing head 131 for bringing the polishing tape 123 into contact with the peripheral edge of the substrate W. The polishing tape 123 is supplied to the polishing head 131 so that the polishing surface of the polishing tape 123 faces the substrate W. The polishing tape 123 is supplied from the supply reel 124 to the polishing head 131 through the opening 20b provided in the partition wall 20, and the used polishing tape 123 is recovered into the recovery reel 125 through the opening 20b.

研磨ヘッド131はアーム135の一端に固定され、アーム135は、基板Wの接線方向に平行な回転軸Ctまわりに回転自在に構成されている。アーム135の他端はプーリーp3,p4およびベルトb2を介してモータ138に連結されている。モータ138が時計回りおよび反時計回りに所定の角度だけ回転することで、アーム135が軸Ctまわりに所定の角度だけ回転する。本実施形態では、モータ138、アーム135、プーリーp3,p4、およびベルトb2によって、基板Wの表面に対して研磨ヘッド131を傾斜させるチルト機構が構成されている。   The polishing head 131 is fixed to one end of an arm 135, and the arm 135 is configured to be rotatable around a rotation axis Ct parallel to the tangential direction of the substrate W. The other end of the arm 135 is connected to the motor 138 via pulleys p3 and p4 and a belt b2. When the motor 138 rotates clockwise and counterclockwise by a predetermined angle, the arm 135 rotates about the axis Ct by a predetermined angle. In the present embodiment, the motor 138, the arm 135, the pulleys p3 and p4, and the belt b2 constitute a tilt mechanism that tilts the polishing head 131 with respect to the surface of the substrate W.

チルト機構は、移動台140に搭載されている。移動台140は、直動ガイド141を介してベースプレート21に移動自在に連結されている。直動ガイド141は、基板保持部3に保持された基板Wの半径方向に沿って直線的に延びており、移動台140は基板Wの半径方向に直線的に移動可能になっている。移動台140にはベースプレート21を貫通する連結板143が取り付けられ、連結板143にはリニアアクチュエータ145がジョイント146を介して連結されている。リニアアクチュエータ145はベースプレート21に直接または間接的に固定されている。   The tilt mechanism is mounted on the movable table 140. The moving table 140 is movably connected to the base plate 21 via a linear guide 141. The linear motion guide 141 extends linearly along the radial direction of the substrate W held by the substrate holding unit 3, and the moving table 140 is linearly movable in the radial direction of the substrate W. A connecting plate 143 that passes through the base plate 21 is attached to the moving table 140, and a linear actuator 145 is connected to the connecting plate 143 via a joint 146. The linear actuator 145 is fixed directly or indirectly to the base plate 21.

リニアアクチュエータ145としては、エアシリンダや位置決め用モータとボールねじとの組み合わせなどを採用することができる。このリニアアクチュエータ145および直動ガイド141によって、研磨ヘッド131を基板Wの半径方向に直線的に移動させる移動機構が構成されている。すなわち、移動機構は直動ガイド141に沿って研磨ヘッド131を基板Wへ近接および離間させるように動作する。一方、研磨テープ供給回収機構112はベースプレート21に固定されている。   As the linear actuator 145, an air cylinder or a combination of a positioning motor and a ball screw can be employed. The linear actuator 145 and the linear guide 141 constitute a moving mechanism that linearly moves the polishing head 131 in the radial direction of the substrate W. That is, the moving mechanism operates so that the polishing head 131 approaches and separates from the substrate W along the linear motion guide 141. On the other hand, the polishing tape supply / recovery mechanism 112 is fixed to the base plate 21.

図28は図27に示す研磨ヘッド131の拡大図である。図28に示すように、研磨ヘッド131は、研磨テープ123の研磨面を基板Wに対して所定の力で押圧する押圧機構150を備えている。また、研磨ヘッド131は、研磨テープ123を供給リール124から回収リール125へ送るテープ送り機構151を備えている。研磨ヘッド131は複数のガイドローラ153A,153B,153C,153D,153E,153F,153Gを有しており、これらのガイドローラは基板Wの接線方向と直交する方向に研磨テープ123が進行するように研磨テープ123をガイドする。   FIG. 28 is an enlarged view of the polishing head 131 shown in FIG. As shown in FIG. 28, the polishing head 131 includes a pressing mechanism 150 that presses the polishing surface of the polishing tape 123 against the substrate W with a predetermined force. Further, the polishing head 131 includes a tape feeding mechanism 151 that sends the polishing tape 123 from the supply reel 124 to the recovery reel 125. The polishing head 131 has a plurality of guide rollers 153A, 153B, 153C, 153D, 153E, 153F, and 153G, and these guide rollers cause the polishing tape 123 to advance in a direction orthogonal to the tangential direction of the substrate W. The polishing tape 123 is guided.

研磨ヘッド131に設けられたテープ送り機構151は、テープ送りローラ151aと、ニップローラ151bと、テープ送りローラ151aを回転させるモータ151cとを備えている。モータ151cは研磨ヘッド131の側面に設けられ、モータ151cの回転軸にテープ送りローラ151aが取り付けられている。ニップローラ151bはテープ送りローラ151aに隣接して配置されている。ニップローラ151bは、図28の矢印NFで示す方向(テープ送りローラ151aに向かう方向)に力を発生するように図示しない機構で支持されており、テープ送りローラ151aを押圧するように構成されている。   The tape feeding mechanism 151 provided in the polishing head 131 includes a tape feeding roller 151a, a nip roller 151b, and a motor 151c that rotates the tape feeding roller 151a. The motor 151c is provided on the side surface of the polishing head 131, and a tape feed roller 151a is attached to the rotating shaft of the motor 151c. The nip roller 151b is disposed adjacent to the tape feed roller 151a. The nip roller 151b is supported by a mechanism (not shown) so as to generate a force in a direction indicated by an arrow NF in FIG. 28 (a direction toward the tape feed roller 151a), and is configured to press the tape feed roller 151a. .

モータ151cが図28に示す矢印方向に回転すると、テープ送りローラ151aが回転して研磨テープ123を供給リール124から研磨ヘッド131を経由して回収リール125へ送る。ニップローラ151bはそれ自身の軸まわりに回転することができるように構成されている。   When the motor 151c rotates in the direction of the arrow shown in FIG. 28, the tape feed roller 151a rotates to feed the polishing tape 123 from the supply reel 124 to the recovery reel 125 via the polishing head 131. The nip roller 151b is configured to be able to rotate around its own axis.

押圧機構150は、研磨テープ123の裏面側に配置された押圧部材155と、この押圧部材155を基板Wの周縁部に向かって移動させるエアシリンダ156とを備えている。エアシリンダ156へ供給する気体の圧力を制御することによって、基板Wへの研磨荷重が調整される。   The pressing mechanism 150 includes a pressing member 155 disposed on the back side of the polishing tape 123 and an air cylinder 156 that moves the pressing member 155 toward the peripheral edge of the substrate W. By controlling the pressure of the gas supplied to the air cylinder 156, the polishing load on the substrate W is adjusted.

図29は、図28に示す押圧部材155の正面図であり、図30は、図29に示す押圧部材155の側面図であり、図31は、図29のJ−J線断面図である。図29乃至図31に示すように、押圧部材155は、その前面に形成された2つの突起部161a,161bを有している。これらの突起部161a,161bは、レールのような形状を有しており、並列に配置されている。突起部161a,161bは、基板Wの周方向に沿って湾曲している。より具体的には、突起部161a,161bは、基板Wの曲率と実質的に同じ曲率を有する円弧形状を有している。   29 is a front view of the pressing member 155 shown in FIG. 28, FIG. 30 is a side view of the pressing member 155 shown in FIG. 29, and FIG. 31 is a sectional view taken along line JJ in FIG. As shown in FIGS. 29 to 31, the pressing member 155 has two protrusions 161 a and 161 b formed on the front surface thereof. These protrusions 161a and 161b have a rail-like shape and are arranged in parallel. The protrusions 161 a and 161 b are curved along the circumferential direction of the substrate W. More specifically, the protrusions 161a and 161b have an arc shape having substantially the same curvature as the curvature of the substrate W.

2つの突起部161a,161bは、回転軸Ctに関して対称に配置されており、図29に示すように、押圧部材155の正面から見たときに突起部161a,161bは回転軸Ctに向かって内側に湾曲している。研磨ヘッド131は、突起部161a,161bの先端間の中心線(すなわち回転軸Ct)が基板Wの厚さ方向における中心と一致するように設置される。突起部161a,161bは、研磨ヘッド131の前面に配置されたガイドローラ153D,153Eよりも基板Wに近接して配置されており、研磨テープ123は突起部161a,161bによって裏面から支持されている。突起部161a,161bは、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)などの樹脂から形成されている。   The two protrusions 161a and 161b are arranged symmetrically with respect to the rotation axis Ct. As shown in FIG. 29, the protrusions 161a and 161b are inwardly directed toward the rotation axis Ct when viewed from the front of the pressing member 155. Is curved. The polishing head 131 is installed such that the center line (that is, the rotation axis Ct) between the tips of the protrusions 161a and 161b coincides with the center in the thickness direction of the substrate W. The protrusions 161a and 161b are disposed closer to the substrate W than the guide rollers 153D and 153E disposed on the front surface of the polishing head 131, and the polishing tape 123 is supported from the back surface by the protrusions 161a and 161b. . The protrusions 161a and 161b are made of a resin such as PEEK (polyether ether ketone).

2つの突起部161a,161bの間には、押圧パッド(ベベルパッド)162が配置されている。押圧パッド162は、シリコーンゴムなどの弾力性を有する独立発泡材から構成されている。押圧パッド162の高さは、突起部161a,161bの高さよりもやや低くなっている。研磨ヘッド131を水平に維持した状態で押圧部材155がエアシリンダ156によって基板Wに向かって移動されると、押圧パッド162は、研磨テープ123をその裏側から基板Wのベベル部に対して押圧する。   A pressing pad (bevel pad) 162 is disposed between the two protrusions 161a and 161b. The pressing pad 162 is made of an independent foam material having elasticity such as silicone rubber. The height of the pressing pad 162 is slightly lower than the heights of the protrusions 161a and 161b. When the pressing member 155 is moved toward the substrate W by the air cylinder 156 while the polishing head 131 is kept horizontal, the pressing pad 162 presses the polishing tape 123 against the bevel portion of the substrate W from the back side. .

基板Wのベベル部を研磨するときは、図32に示すように、上述のチルト機構により研磨ヘッド131の傾斜角度を連続的に変化させながら、押圧パッド162により研磨テープ123を基板Wのベベル部に押し当てる。研磨中は、研磨テープ123はテープ送り機構151により所定の速度で送られる。さらに、研磨ヘッド131は、基板Wのトップエッジ部およびボトムエッジ部を研磨することができる。すなわち、図33に示すように、研磨ヘッド131を上方に傾けて、突起部161aにより研磨テープ123を基板Wのトップエッジ部に押圧し、トップエッジ部を研磨する。次に、図34に示すように、研磨ヘッド131を下方に傾けて、突起部161bにより研磨テープ123を基板Wのボトムエッジ部に押圧し、ボトムエッジ部を研磨する。   When the bevel portion of the substrate W is polished, as shown in FIG. 32, the polishing tape 123 is attached to the bevel portion of the substrate W by the pressing pad 162 while the tilt angle of the polishing head 131 is continuously changed by the tilt mechanism. Press against. During polishing, the polishing tape 123 is fed by the tape feeding mechanism 151 at a predetermined speed. Further, the polishing head 131 can polish the top edge portion and the bottom edge portion of the substrate W. That is, as shown in FIG. 33, the polishing head 131 is tilted upward, and the polishing tape 123 is pressed against the top edge portion of the substrate W by the protrusion 161a to polish the top edge portion. Next, as shown in FIG. 34, the polishing head 131 is tilted downward, and the polishing tape 123 is pressed against the bottom edge portion of the substrate W by the protrusions 161b to polish the bottom edge portion.

図26および図27に示す研磨装置は、トップエッジ部、ベベル部、およびボトムエッジ部を含む基板Wの周縁部全体を研磨することができる。例えば、ベベル研磨ユニット110で基板Wのベベル部を研磨し、その後、トップエッジ研磨ユニット25で基板Wのトップエッジ部を研磨することができる。この研磨装置においては、基板Wのトップエッジ部は、トップエッジ研磨ユニット25およびベベル研磨ユニット110のうちのいずれか一方、または両方を用いて研磨することができる。図示しないが、複数のベベル研磨ユニット110を設けてもよい。   The polishing apparatus shown in FIGS. 26 and 27 can polish the entire peripheral edge portion of the substrate W including the top edge portion, the bevel portion, and the bottom edge portion. For example, the bevel portion of the substrate W can be polished by the bevel polishing unit 110, and then the top edge portion of the substrate W can be polished by the top edge polishing unit 25. In this polishing apparatus, the top edge portion of the substrate W can be polished using one or both of the top edge polishing unit 25 and the bevel polishing unit 110. Although not shown, a plurality of bevel polishing units 110 may be provided.

図35(a)は、押圧部材51により研磨テープ38を基板Wに押し付けた結果、基板Wが撓んでいる状態を示す図であり、図35(b)は、図35(a)に示す状態で研磨された基板Wの断面図である。図35(a)に示すように、基板Wへの研磨荷重を大きくした場合、基板Wは押圧部材51の研磨荷重により大きく撓み、その結果、図35(b)に示すように、基板Wの被研磨面は斜めになってしまう。   FIG. 35A is a diagram showing a state where the substrate W is bent as a result of pressing the polishing tape 38 against the substrate W by the pressing member 51, and FIG. 35B is a state shown in FIG. It is sectional drawing of the board | substrate W grind | polished in this. When the polishing load on the substrate W is increased as shown in FIG. 35A, the substrate W is greatly bent by the polishing load of the pressing member 51. As a result, as shown in FIG. The surface to be polished is inclined.

そこで、図36に示す実施形態では、基板Wの周縁部を下から支えるサポートステージ180が基板保持部3に設けられている。特に説明しない他の構成は、図6に示す構成と同じであるので、その重複する説明を省略する。サポートステージ180は、サポートステージ台181に固定されている。このサポートステージ台181は、ケーシング12の上端に固定されており、ケーシング12と一体に回転するようになっている。したがって、サポートステージ180は、ケーシング12および保持ステージ4と一体に回転する。   Therefore, in the embodiment shown in FIG. 36, a support stage 180 that supports the peripheral edge of the substrate W from below is provided in the substrate holding unit 3. Other configurations that are not specifically described are the same as those shown in FIG. The support stage 180 is fixed to the support stage base 181. The support stage base 181 is fixed to the upper end of the casing 12 and rotates integrally with the casing 12. Therefore, the support stage 180 rotates integrally with the casing 12 and the holding stage 4.

サポートステージ180は、基板Wの周縁部下面をその全体に亘って支持するために、図37に示すような逆円錐台形を有している。サポートステージ180によって支持される基板Wの周縁部下面は、図1(a)および図1(b)に示すボトムエッジ部E2を少なくとも含む領域である。サポートステージ180の環状の上面180aは、基板Wの周縁部下面を支持する支持面を構成している。基板Wの研磨時には、サポートステージ180の最外周端と基板Wの最外周端とはほぼ一致する。   The support stage 180 has an inverted truncated cone shape as shown in FIG. 37 in order to support the entire lower surface of the peripheral edge of the substrate W. The lower surface of the peripheral edge portion of the substrate W supported by the support stage 180 is a region including at least the bottom edge portion E2 shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b). An annular upper surface 180 a of the support stage 180 constitutes a support surface that supports the lower surface of the peripheral edge of the substrate W. At the time of polishing the substrate W, the outermost peripheral end of the support stage 180 and the outermost peripheral end of the substrate W substantially coincide.

このようなサポートステージ180を使用することで、押圧部材51が基板Wに研磨テープ38を押し付けても、基板Wが撓むことはない。したがって、研磨テープ38の縁部で基板Wの周縁部を研磨することで、デバイス層の垂直な端面を形成することができる。また、サポートステージ180は、基板Wの周縁部下面の全体を支持するので、特許文献4(特開2009−208214号公報)に開示された基板の一部のみを支持する基板支持機構に比べて、基板Wの周縁部を均一に研磨することができる。   By using such a support stage 180, even if the pressing member 51 presses the polishing tape 38 against the substrate W, the substrate W does not bend. Therefore, by polishing the peripheral edge of the substrate W with the edge of the polishing tape 38, the vertical end surface of the device layer can be formed. Further, since the support stage 180 supports the entire lower surface of the peripheral edge of the substrate W, it is compared with a substrate support mechanism that supports only a part of the substrate disclosed in Patent Document 4 (Japanese Patent Laid-Open No. 2009-208214). The peripheral edge of the substrate W can be uniformly polished.

中空シャフト5とケーシング12との間にはボールスプライン軸受6が配置されているので、中空シャフト5は、ケーシング12に対して上下方向に移動することができる。したがって、中空シャフト5の上端に連結された保持ステージ4は、ケーシング12およびサポートステージ180に対して相対的に上下方向に移動することが可能となっている。図38は、保持ステージ4とその上面に保持された基板Wが、サポートステージ180に対して相対的に上昇した状態を示している。   Since the ball spline bearing 6 is disposed between the hollow shaft 5 and the casing 12, the hollow shaft 5 can move in the vertical direction with respect to the casing 12. Therefore, the holding stage 4 connected to the upper end of the hollow shaft 5 can move in the vertical direction relative to the casing 12 and the support stage 180. FIG. 38 shows a state in which the holding stage 4 and the substrate W held on the upper surface thereof are raised relative to the support stage 180.

基板Wが搬送機構のハンド105により研磨室22に搬入されると、エアシリンダ15が作動して保持ステージ4が上昇する(図23参照)。このとき、サポートステージ180は上昇しない。そして、保持ステージ4に基板Wが保持されると、保持ステージ4は、基板Wとともに所定の研磨位置まで下降し、基板Wの周縁部下面の全体がサポートステージ180の支持面180aにより支持される。この状態で、基板Wが研磨テープ38により研磨される。基板Wが研磨されるとき、サポートステージ180は、基板Wとともに回転させられる。基板Wの研磨が終了すると、保持ステージ4は基板Wを搬出させるため、基板Wとともに上昇する。保持ステージ4が上昇してもサポートステージ180は上昇しないため、ハンド105は、確実に基板Wを把持することができる。   When the substrate W is carried into the polishing chamber 22 by the hand 105 of the transport mechanism, the air cylinder 15 is actuated to raise the holding stage 4 (see FIG. 23). At this time, the support stage 180 does not rise. When the substrate W is held on the holding stage 4, the holding stage 4 is lowered to a predetermined polishing position together with the substrate W, and the entire lower surface of the peripheral edge of the substrate W is supported by the support surface 180 a of the support stage 180. . In this state, the substrate W is polished by the polishing tape 38. When the substrate W is polished, the support stage 180 is rotated together with the substrate W. When the polishing of the substrate W is completed, the holding stage 4 moves up together with the substrate W in order to unload the substrate W. Since the support stage 180 does not rise even when the holding stage 4 is raised, the hand 105 can reliably hold the substrate W.

押圧部材51は、押圧部材51の縁部と研磨テープ38の縁部とを一致させた状態で、研磨テープ38を真空吸着し、研磨テープ38の研磨面を基板Wの周縁部に押し付ける(図17(c)および図18参照)。これにより、基板Wの表面に形成されたデバイス層の端面は基板Wの表面に対して垂直に研磨される。   The pressing member 51 vacuum-adsorbs the polishing tape 38 in a state where the edge of the pressing member 51 and the edge of the polishing tape 38 are aligned, and presses the polishing surface of the polishing tape 38 against the peripheral edge of the substrate W (see FIG. 17 (c) and FIG. 18). Thereby, the end surface of the device layer formed on the surface of the substrate W is polished perpendicularly to the surface of the substrate W.

研磨テープ38は、基板Wとの接触具合や基板Wの周縁部の形状の影響により水平方向の荷重を受けることがある。その結果、図39の矢印Kで示すように、研磨テープ38が基板Wの外側に逃げてしまう場合がある。そこで、図40に示すように、研磨テープ38の水平方向の移動を制限するテープストッパー185が押圧部材51に設けられている。テープストッパー185は、基板Wの半径方向において研磨テープ38の外側に配置されており、研磨テープ38の外側への動きを制限する。このように配置されたテープストッパー185により、研磨テープ38が基板Wの外側に逃げることを防ぐことができる。したがって、基板Wの研磨形状および研磨幅を安定させることができる。テープストッパー185の内側面185aと、押圧部材51の縁部51bとの距離dpは、研磨テープ38の幅よりもやや大きく設定される。   The polishing tape 38 may receive a load in the horizontal direction due to the effect of contact with the substrate W and the shape of the peripheral edge of the substrate W. As a result, the polishing tape 38 may escape to the outside of the substrate W as indicated by an arrow K in FIG. Therefore, as shown in FIG. 40, the pressing member 51 is provided with a tape stopper 185 for restricting the movement of the polishing tape 38 in the horizontal direction. The tape stopper 185 is disposed outside the polishing tape 38 in the radial direction of the substrate W, and restricts the movement of the polishing tape 38 to the outside. The tape stopper 185 arranged in this way can prevent the polishing tape 38 from escaping to the outside of the substrate W. Therefore, the polishing shape and polishing width of the substrate W can be stabilized. The distance dp between the inner surface 185 a of the tape stopper 185 and the edge 51 b of the pressing member 51 is set to be slightly larger than the width of the polishing tape 38.

研磨テープ38の外側への動きがテープストッパー185によって受け止められると、図41に示すように、研磨テープ38がゆがむことがある。そこで、図42に示す実施形態では、研磨テープ38のゆがみを防止すべく、研磨テープ38の研磨面に近接してテープカバー186が設けられている。テープカバー186は、テープストッパー185に固定されており、研磨テープ38の研磨面の大部分を覆うように配置されている。テープカバー186は、研磨テープ38の下方に配置されており、研磨テープ38の研磨面とテープカバー186の上面との間には、微小な隙間dgが形成されている。研磨テープ38は、押圧部材51とテープカバー186との間に配置される。このようなテープカバー186を設けることで、研磨テープ38がゆがんでしまうことが防止され、研磨テープ38を平坦に保つことができる。したがって、基板Wの研磨形状および研磨幅を安定させることができる。   When the outward movement of the polishing tape 38 is received by the tape stopper 185, the polishing tape 38 may be distorted as shown in FIG. Therefore, in the embodiment shown in FIG. 42, a tape cover 186 is provided in the vicinity of the polishing surface of the polishing tape 38 in order to prevent the polishing tape 38 from being distorted. The tape cover 186 is fixed to the tape stopper 185 and is disposed so as to cover most of the polishing surface of the polishing tape 38. The tape cover 186 is disposed below the polishing tape 38, and a minute gap dg is formed between the polishing surface of the polishing tape 38 and the upper surface of the tape cover 186. The polishing tape 38 is disposed between the pressing member 51 and the tape cover 186. By providing such a tape cover 186, the polishing tape 38 is prevented from being distorted, and the polishing tape 38 can be kept flat. Therefore, the polishing shape and polishing width of the substrate W can be stabilized.

図42に示すように、押圧部材51、テープストッパー185、およびテープカバー186に囲まれる空間に研磨テープ38が配置される。押圧部材51の下面とテープカバー186の上面との隙間hは、研磨テープ38の厚さよりも大きく設定されている。研磨テープ38とテープカバー186との隙間dgは、基板Wの厚さよりも小さい。   As shown in FIG. 42, the polishing tape 38 is disposed in a space surrounded by the pressing member 51, the tape stopper 185, and the tape cover 186. A gap h between the lower surface of the pressing member 51 and the upper surface of the tape cover 186 is set to be larger than the thickness of the polishing tape 38. A gap dg between the polishing tape 38 and the tape cover 186 is smaller than the thickness of the substrate W.

テープカバー186の内側面186aは、押圧部材51の縁部51bよりも基板Wの半径方向において外側に位置している。したがって、研磨テープ38の研磨面は、押圧部材51の縁部51bとテープカバー186の内側面186aとの間の距離dwだけ露出する。基板Wの研磨は、この露出した研磨面で行われる。研磨中に基板Wがテープカバー186に接触しないように、距離dwは基板Wの研磨すべき領域の幅よりもやや大きく設定されている。   The inner side surface 186 a of the tape cover 186 is located outside the edge portion 51 b of the pressing member 51 in the radial direction of the substrate W. Therefore, the polishing surface of the polishing tape 38 is exposed by the distance dw between the edge 51b of the pressing member 51 and the inner surface 186a of the tape cover 186. The substrate W is polished on the exposed polished surface. The distance dw is set to be slightly larger than the width of the region to be polished on the substrate W so that the substrate W does not come into contact with the tape cover 186 during polishing.

図42に示す構造では、研磨テープ38に作用する水平方向の荷重をテープストッパー185が受け止めるため、押圧部材51が研磨テープ38とともに外側へ動くことがある。このような押圧部材51の動きは、研磨形状および研磨幅を不安定にさせてしまう。そこで、図43に示す実施形態では、押圧部材51の外側への動きを制限する移動制限機構が設けられている。この移動制限機構は、押圧部材51に固定された突起部材190と、この突起部材190の水平方向の動きを制限するサイドストッパー191とを有している。本実施形態では、突起部材190としてプランジャが使用されている。   In the structure shown in FIG. 42, since the tape stopper 185 receives a horizontal load acting on the polishing tape 38, the pressing member 51 may move outward together with the polishing tape 38. Such movement of the pressing member 51 makes the polishing shape and the polishing width unstable. Therefore, in the embodiment shown in FIG. 43, a movement restricting mechanism for restricting the outward movement of the pressing member 51 is provided. The movement restriction mechanism includes a protrusion member 190 fixed to the pressing member 51 and a side stopper 191 that restricts the movement of the protrusion member 190 in the horizontal direction. In the present embodiment, a plunger is used as the protruding member 190.

プランジャ(突起部材)190は、押圧部材51を貫通するように設けられている。サイドストッパー191は、基板Wの半径方向においてプランジャ190の外側に配置されており、プランジャ190の外側への動きを受け止める。サイドストッパー191は、研磨ヘッド50のボックス62の下面に固定されており、サイドストッパー191の位置は固定されている。プランジャ190とサイドストッパー191とは互いに近接して配置されており、プランジャ190とサイドストッパー191との隙間drは、10μmから100μmである。このような構成によれば、研磨中に押圧部材51が研磨テープ38から水平荷重を受けて外側に移動すると、プランジャ190がサイドストッパー191に接触し、これにより押圧部材51および研磨テープ38の外側への動きが制限される。したがって、基板Wの研磨形状および研磨幅を安定させることができる。   The plunger (projection member) 190 is provided so as to penetrate the pressing member 51. The side stopper 191 is disposed outside the plunger 190 in the radial direction of the substrate W, and receives the movement of the plunger 190 toward the outside. The side stopper 191 is fixed to the lower surface of the box 62 of the polishing head 50, and the position of the side stopper 191 is fixed. The plunger 190 and the side stopper 191 are disposed close to each other, and the gap dr between the plunger 190 and the side stopper 191 is 10 μm to 100 μm. According to such a configuration, when the pressing member 51 receives a horizontal load from the polishing tape 38 and moves outward during polishing, the plunger 190 comes into contact with the side stopper 191, thereby the outer side of the pressing member 51 and the polishing tape 38. Movement to is restricted. Therefore, the polishing shape and polishing width of the substrate W can be stabilized.

図36乃至図43に示す実施形態は、適宜組み合わせることができる。例えば、図44は、図36に示すサポートステージ180と、図43に示す研磨ヘッド50とを組み合わせた例を示している。この図44に示す構成によれば、基板Wの撓みが防止されるとともに、研磨テープ38の移動やゆがみが防止される。図36乃至図44に示す実施形態は、図5および図26に示す研磨装置に適用することができる。   The embodiments shown in FIGS. 36 to 43 can be combined as appropriate. For example, FIG. 44 shows an example in which the support stage 180 shown in FIG. 36 and the polishing head 50 shown in FIG. 43 are combined. According to the configuration shown in FIG. 44, the substrate W is prevented from being bent, and the movement and distortion of the polishing tape 38 are prevented. The embodiment shown in FIGS. 36 to 44 can be applied to the polishing apparatus shown in FIGS.

図45は、研磨モジュールを含む複数の基板処理モジュールを備えた基板処理装置を示す上面図である。図45に示すように、基板処理装置は、基板Wを基板処理装置に投入する2つのロードポート240、ロードポート240上のウエハカセット(図示せず)から基板Wを取り出す第1の搬送ロボット245、基板Wのノッチ位置を検出するとともに、基板Wのノッチ部が所定の位置になるように基板Wを回転させるノッチアライナ248、ノッチアライナ248を移動させるノッチアライナ移動機構250、基板Wのノッチ部を研磨するノッチ研磨モジュール(第1の研磨モジュール)255、ノッチアライナ248からノッチ研磨モジュール255へ基板Wを搬送する第2の搬送ロボット257、基板Wのトップエッジ部を研磨するトップエッジ研磨モジュール(第2の研磨モジュール)256、研磨された基板Wを洗浄する洗浄モジュール260、洗浄された基板Wを乾燥させる乾燥モジュール265、ノッチ研磨モジュール255からトップエッジ研磨モジュール256、洗浄モジュール260、乾燥モジュール265の順に基板Wを搬送する搬送機構270を備えている。   FIG. 45 is a top view showing a substrate processing apparatus including a plurality of substrate processing modules including a polishing module. As shown in FIG. 45, the substrate processing apparatus has two load ports 240 for loading the substrate W into the substrate processing apparatus, and a first transfer robot 245 for taking out the substrate W from a wafer cassette (not shown) on the load port 240. The notch aligner 248 for detecting the notch position of the substrate W and rotating the substrate W so that the notch portion of the substrate W becomes a predetermined position, the notch aligner moving mechanism 250 for moving the notch aligner 248, and the notch portion of the substrate W A notch polishing module (first polishing module) 255, a second transfer robot 257 for transferring the substrate W from the notch aligner 248 to the notch polishing module 255, and a top edge polishing module (for polishing the top edge portion of the substrate W) Second polishing module) 256, a cleaning module for cleaning the polished substrate W 260, drying module 265 for drying the cleaned substrate W, the top edge polishing module 256 from the notch polishing module 255, the cleaning module 260, and a transport mechanism 270 for transporting the substrate W in order of drying module 265.

ノッチ研磨モジュール255としては、例えば特開2009−154285号公報に開示されているような公知のノッチ研磨装置を使用することができる。トップエッジ研磨モジュール256としては、上述した図5または図26に示す研磨装置を使用することができる。洗浄モジュール260としては、回転する基板Wに液体を供給しながら、回転するロールスポンジを基板Wの上面および下面に接触させるロールスポンジ型の洗浄機を用いることができる。乾燥モジュール265としては、基板Wを高速で回転させるスピン乾燥機を用いることができる。   As the notch polishing module 255, for example, a known notch polishing apparatus as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2009-154285 can be used. As the top edge polishing module 256, the above-described polishing apparatus shown in FIG. 5 or FIG. 26 can be used. As the cleaning module 260, a roll sponge type cleaning machine that makes the rotating roll sponge contact the upper surface and the lower surface of the substrate W while supplying the liquid to the rotating substrate W can be used. As the drying module 265, a spin dryer that rotates the substrate W at a high speed can be used.

ノッチ研磨モジュール255、トップエッジ研磨モジュール256、洗浄モジュール260、乾燥モジュール265(以下適宜、総称して基板処理モジュールという)は一列に配列され、搬送機構270はこれら基板処理モジュールの配列方向に沿って配置されている。搬送機構270は、ハンドユニット270A、ハンドユニット270B、およびハンドユニット270Cを有している。各ハンドユニットは、基板Wを保持する1組のハンド271を有しており、隣り合う基板処理モジュール間で基板Wを搬送する。すなわち、ハンドユニット270Aはノッチ研磨モジュール255から基板Wを取り出してトップエッジ研磨モジュール256へ搬送し、ハンドユニット270Bはトップエッジ研磨モジュール256から基板Wを取り出して洗浄モジュール260へ搬送する。そしてハンドユニット270Cは洗浄モジュール260から基板Wを取り出して乾燥モジュール265へ搬送する。   The notch polishing module 255, the top edge polishing module 256, the cleaning module 260, and the drying module 265 (hereinafter collectively referred to as a substrate processing module) are arranged in a line, and the transport mechanism 270 is arranged along the arrangement direction of these substrate processing modules. Has been placed. The transport mechanism 270 includes a hand unit 270A, a hand unit 270B, and a hand unit 270C. Each hand unit has a pair of hands 271 for holding the substrate W, and transports the substrate W between adjacent substrate processing modules. That is, the hand unit 270A takes out the substrate W from the notch polishing module 255 and transports it to the top edge polishing module 256, and the hand unit 270B takes out the substrate W from the top edge polishing module 256 and transports it to the cleaning module 260. The hand unit 270C takes out the substrate W from the cleaning module 260 and transports it to the drying module 265.

ハンドユニット270A、ハンドユニット270B、ハンドユニット270Cは、基板処理モジュールの配列方向に沿って直線的に移動可能に構成されている。ハンドユニット270A、ハンドユニット270B、ハンドユニット270Cは同時に基板Wを処理モジュールから取り出し、同時に移動し、隣接する基板処理モジュールに同時に基板Wを搬入する。   The hand unit 270A, the hand unit 270B, and the hand unit 270C are configured to be linearly movable along the arrangement direction of the substrate processing modules. The hand unit 270A, the hand unit 270B, and the hand unit 270C simultaneously take out the substrate W from the processing module, move simultaneously, and carry the substrate W into the adjacent substrate processing module at the same time.

次に基板Wの処理の全体の流れを説明する。第1の搬送ロボット245が基板Wをウエハカセットから取り出し、基板Wをノッチアライナ248に載置する。ノッチアライナ248は基板Wとともにノッチアライナ移動機構250により、第2の搬送ロボット257の近傍位置まで移動する。この時、ノッチアライナ248は基板Wのノッチ位置を検出し、ノッチ部が所定の位置になるように基板Wを回転させておく。   Next, the overall flow of processing of the substrate W will be described. The first transfer robot 245 takes out the substrate W from the wafer cassette and places the substrate W on the notch aligner 248. The notch aligner 248 moves with the substrate W to a position near the second transfer robot 257 by the notch aligner moving mechanism 250. At this time, the notch aligner 248 detects the notch position of the substrate W, and rotates the substrate W so that the notch portion becomes a predetermined position.

そして、第2の搬送ロボット257がノッチアライナ248から基板Wを受け取り、ノッチ研磨モジュール255に搬入する。基板Wのノッチ部は、ノッチ研磨モジュール255によって研磨される。研磨された基板Wは前述のように搬送機構270の3つのハンドユニット270A,270B,270Cにより順次、トップエッジ研磨モジュール256、洗浄モジュール260、乾燥モジュール265の順に搬送され、それぞれの基板処理モジュールで処理される。処理された基板Wは第1の搬送ロボット245によりロードポート240上のウエハカセットに収容される。   Then, the second transfer robot 257 receives the substrate W from the notch aligner 248 and carries it into the notch polishing module 255. The notch portion of the substrate W is polished by the notch polishing module 255. As described above, the polished substrate W is sequentially transported by the three hand units 270A, 270B, and 270C of the transport mechanism 270 in the order of the top edge polishing module 256, the cleaning module 260, and the drying module 265. It is processed. The processed substrate W is accommodated in the wafer cassette on the load port 240 by the first transfer robot 245.

ノッチ研磨モジュール255およびトップエッジ研磨モジュール256は、着脱可能に基板処理装置に設置されている。したがって、ノッチ研磨モジュール255および/またはトップエッジ研磨モジュール256を取り出して、別のタイプの研磨モジュールを基板処理装置に組み込むことも可能である。例えば、第1の研磨モジュールとして、基板Wのトップエッジ部を研磨することができる上記実施形態に係る研磨装置を使用し、第2の研磨モジュールとして、基板Wのベベル部を研磨することができる公知のベベル研磨装置を使用することができる。   The notch polishing module 255 and the top edge polishing module 256 are detachably installed in the substrate processing apparatus. Accordingly, it is possible to take out the notch polishing module 255 and / or the top edge polishing module 256 and incorporate another type of polishing module into the substrate processing apparatus. For example, the polishing apparatus according to the above embodiment that can polish the top edge portion of the substrate W can be used as the first polishing module, and the bevel portion of the substrate W can be polished as the second polishing module. A known bevel polishing apparatus can be used.

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。   The embodiment described above is described for the purpose of enabling the person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs to implement the present invention. Various modifications of the above embodiment can be naturally made by those skilled in the art, and the technical idea of the present invention can be applied to other embodiments. Accordingly, the present invention is not limited to the described embodiments, but is to be construed in the widest scope according to the technical idea defined by the claims.

3 基板保持部
4 保持ステージ
25 研磨ユニット
27 設置台
30 研磨ユニット移動機構
38 研磨テープ
40A,40B 直動ガイド
50 研磨ヘッド
51 押圧部材
52 押圧部材ホルダー
53 エアシリンダ
54 直動ガイド
56 エアシリンダ
60 真空ライン
63 位置センサ
64 ドグ
70 研磨テープ供給回収機構
71 供給リール
72 回収リール
73,74 テンションモータ
76 テープ送り機構
82,83 支持アーム
84A,84B,84C,84D,84E ガイドローラ
100 テープエッジ検出センサ
110 ベベル研磨ユニット
180 サポートステージ
181 サポートステージ台
185 テープストッパー
186 テープカバー
190 プランジャ
191 サイドストッパー
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 Substrate holding part 4 Holding stage 25 Polishing unit 27 Installation stand 30 Polishing unit moving mechanism 38 Polishing tape 40A, 40B Linear motion guide 50 Polishing head 51 Pressing member 52 Pressing member holder 53 Air cylinder 54 Direct motion guide 56 Air cylinder 60 Vacuum line 63 Position sensor 64 Dog 70 Polishing tape supply / recovery mechanism 71 Supply reel 72 Recovery reel 73, 74 Tension motor 76 Tape feed mechanism 82, 83 Support arms 84A, 84B, 84C, 84D, 84E Guide roller 100 Tape edge detection sensor 110 Bevel polishing Unit 180 Support stage 181 Support stage base 185 Tape stopper 186 Tape cover 190 Plunger 191 Side stopper W Substrate

Claims (7)

基板を保持し、回転させる基板保持部と、
研磨テープを支持する複数のガイドローラと、
前記研磨テープの縁部を前記基板の周縁部に対して上から押し当てる押圧部材を有する
研磨ヘッドとを備え、
前記複数のガイドローラは、研磨テープが前記基板の接線方向と平行に延び、かつ前記
研磨テープの研磨面が前記基板の表面と平行となるように配置されており、
前記基板保持部は、前記基板を保持する保持ステージと、該保持ステージによって保持
された前記基板の周縁部下面の全体を支持するサポートステージとを備え、
前記サポートステージは、前記保持ステージと一体に回転し、
前記保持ステージは、前記サポートステージに対して相対的に上下方向に移動可能であ
ことを特徴とする研磨装置。
A substrate holding unit for holding and rotating the substrate;
A plurality of guide rollers for supporting the polishing tape;
A polishing head having a pressing member that presses the edge of the polishing tape against the peripheral edge of the substrate from above;
The plurality of guide rollers are arranged such that a polishing tape extends parallel to a tangential direction of the substrate, and a polishing surface of the polishing tape is parallel to a surface of the substrate,
The substrate holding unit includes a holding stage that holds the substrate, and a support stage that supports the entire lower surface of the peripheral edge of the substrate held by the holding stage.
The support stage rotates integrally with the holding stage ;
The holding stage is movable in the vertical direction relative to the support stage.
Polishing and wherein the that.
前記保持ステージは、真空吸引により前記基板の下面を保持するように構成され、前記サポートステージは、前記基板の周縁部の下面全体を支持する支持面を有していることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。   The said holding stage is comprised so that the lower surface of the said board | substrate may be hold | maintained by vacuum suction, The said support stage has a support surface which supports the whole lower surface of the peripheral part of the said board | substrate. 2. The polishing apparatus according to 1. 基板を保持し、回転させる基板保持部と、
研磨テープを支持する複数のガイドローラと、
前記研磨テープの縁部を前記基板の周縁部に対して上から押し当てる押圧部材を有する
研磨ヘッドとを備え、
前記複数のガイドローラは、研磨テープが前記基板の接線方向と平行に延び、かつ前記
研磨テープの研磨面が前記基板の表面と平行となるように配置されており、
前記基板保持部は、前記基板を保持する保持ステージと、該保持ステージによって保持
された前記基板の周縁部下面の全体を支持するサポートステージとを備え、
前記サポートステージは、前記保持ステージと一体に回転し、
前記サポートステージは、逆円錐台形を有していることを特徴とする研磨装置。
A substrate holding unit for holding and rotating the substrate;
A plurality of guide rollers for supporting the polishing tape;
A pressing member that presses the edge of the polishing tape against the peripheral edge of the substrate from above;
A polishing head,
The plurality of guide rollers have a polishing tape extending parallel to a tangential direction of the substrate, and
The polishing surface of the polishing tape is arranged to be parallel to the surface of the substrate,
The substrate holding unit holds a holding stage that holds the substrate and the holding stage.
A support stage for supporting the entire lower surface of the peripheral edge of the substrate,
The support stage rotates integrally with the holding stage;
The support stage, characterized by having an inverted frusto-conical Migaku Ken apparatus.
前記サポートステージは、環状の上面を有し、前記環状の上面は、前記基板の周縁部下面を支持する支持面を構成していることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。   The polishing apparatus according to claim 1, wherein the support stage has an annular upper surface, and the annular upper surface constitutes a support surface that supports a lower surface of a peripheral edge portion of the substrate. 前記サポートステージの最外周端と前記基板の最外周端とは略一致することを特徴とする請求項1乃至のいずれか一項に記載の研磨装置。 The polishing apparatus according to any one of claims 1 to 4, characterized in that substantially coincides with the outermost edge of the substrate and the outermost end of the support stage. 基板を保持し、回転させる基板保持部と、  A substrate holding unit for holding and rotating the substrate;
研磨具を前記基板の周縁部に対して押し当てる研磨ヘッドとを備え、  A polishing head that presses a polishing tool against the peripheral edge of the substrate;
前記基板保持部は、前記基板を保持する保持ステージと、該保持ステージによって保持  The substrate holding unit holds a holding stage that holds the substrate and the holding stage.
された前記基板の周縁部下面の全体を支持するサポートステージとを備え、A support stage for supporting the entire lower surface of the peripheral edge of the substrate,
前記サポートステージは、前記保持ステージと一体に回転し、  The support stage rotates integrally with the holding stage;
前記保持ステージは、前記サポートステージに対して相対的に上下方向に移動可能であ  The holding stage is movable in the vertical direction relative to the support stage.
ることを特徴とする研磨装置。A polishing apparatus.
前記サポートステージは、逆円錐台形を有していることを特徴とする請求項6に記載の研磨装置。  The polishing apparatus according to claim 6, wherein the support stage has an inverted frustoconical shape.
JP2017032907A 2011-03-25 2017-02-24 Polishing equipment Active JP6283434B2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011067211 2011-03-25
JP2011067211 2011-03-25

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016024688A Division JP6101378B2 (en) 2011-03-25 2016-02-12 Polishing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017132034A JP2017132034A (en) 2017-08-03
JP6283434B2 true JP6283434B2 (en) 2018-02-21

Family

ID=55435039

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016024688A Active JP6101378B2 (en) 2011-03-25 2016-02-12 Polishing equipment
JP2017032907A Active JP6283434B2 (en) 2011-03-25 2017-02-24 Polishing equipment

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016024688A Active JP6101378B2 (en) 2011-03-25 2016-02-12 Polishing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (2) JP6101378B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6672104B2 (en) * 2016-08-02 2020-03-25 株式会社荏原製作所 Polishing apparatus and polishing method
TWI725225B (en) * 2017-08-30 2021-04-21 日商荏原製作所股份有限公司 Grinding device and grinding method
JP7451324B2 (en) 2020-06-26 2024-03-18 株式会社荏原製作所 Substrate processing equipment and substrate processing method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS578068A (en) * 1980-06-13 1982-01-16 Nec Corp Disk grinder
JPS6067842U (en) * 1983-10-17 1985-05-14 日本電気株式会社 Wafer polishing equipment
JPS6078256U (en) * 1983-10-31 1985-05-31 日立造船株式会社 Mirror finishing equipment for disc-shaped workpieces
JPS60106029A (en) * 1983-11-14 1985-06-11 Fujitsu Ltd Producer of magnetic disk
JPH01115564A (en) * 1987-10-29 1989-05-08 Sony Corp Surface treatment method of substrate for magnet disk
JP2580593Y2 (en) * 1991-06-05 1998-09-10 東京応化工業株式会社 Substrate polishing machine
US6283838B1 (en) * 1999-10-19 2001-09-04 Komag Incorporated Burnishing tape handling apparatus and method
US7744445B2 (en) * 2004-10-15 2010-06-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Polishing apparatus and polishing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016106037A (en) 2016-06-16
JP6101378B2 (en) 2017-03-22
JP2017132034A (en) 2017-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6080936B2 (en) Polishing method
US9457448B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
JP5663295B2 (en) Polishing apparatus, polishing method, and pressing member for pressing a polishing tool
JP6178478B2 (en) Polishing method
KR102104430B1 (en) Polishing method
JP6140439B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
JP6130677B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
JP6283434B2 (en) Polishing equipment
US20180169822A1 (en) Polishing apparatus and polishing method
KR102243698B1 (en) Polishing apparatus and pressing pad for pressing polishing tool
JP2018083258A (en) Polishing device and support ring management method
JP6412217B2 (en) Polishing equipment
JP6171053B2 (en) Polishing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180123

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180126

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6283434

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250