JPH11220179A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子から外部に放射される光量を増大さ
せた半導体発光装置を提供すること。 【解決手段】 一対のリード端子3、4の一方のリード
端子4の先端に設けられる凹部5bを有するフレーム5
と、前記凹部にダイボンデングされると共に一方のリー
ド端子3及びフレーム5に金属線6、7によりワイヤボ
ンデングされる発光素子2とを備え、先端部を略半球形
状のレンズ9に形成した透明又は半透明合成樹脂製のモ
ールド部8で発光素子2をパッケージして発光ダイオー
ドランプ1を構成し、発光素子2を白色ペースト11を
接合材料として前記フレーム5の凹部5bにダイボンデ
ングする。白色ペースト11は、透明エポキシ樹脂に適
量のボロンナイトライト(BN)を混入したものを使用
する。
せた半導体発光装置を提供すること。 【解決手段】 一対のリード端子3、4の一方のリード
端子4の先端に設けられる凹部5bを有するフレーム5
と、前記凹部にダイボンデングされると共に一方のリー
ド端子3及びフレーム5に金属線6、7によりワイヤボ
ンデングされる発光素子2とを備え、先端部を略半球形
状のレンズ9に形成した透明又は半透明合成樹脂製のモ
ールド部8で発光素子2をパッケージして発光ダイオー
ドランプ1を構成し、発光素子2を白色ペースト11を
接合材料として前記フレーム5の凹部5bにダイボンデ
ングする。白色ペースト11は、透明エポキシ樹脂に適
量のボロンナイトライト(BN)を混入したものを使用
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子の部分を
透明又は半透明合成樹脂製のモールド部にてパッケージ
してなり、発光素子から外部に放射される光量を増大さ
せた半導体発光装置に関する。
透明又は半透明合成樹脂製のモールド部にてパッケージ
してなり、発光素子から外部に放射される光量を増大さ
せた半導体発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】発光素子の部分を透明又は半透明合成樹
脂製のレンズ状モールド部にてパッケージしてなる発光
ダイオードランプ(以下、LEDランプと略称する)と
して、従来、図4に示す構成のものが知られている。図
4は、LEDランプを一部断面で示す縦断正面図であ
る。図4において、LEDランプ1は二本一対のリード
端子3、4が設けられており、その一方のリード端子4
の先端部に、鉄材よりなり表面に銀メッキ5aを施した
フレーム5を形成している。このLEDランプ1の発光
素子2としては、例えばGaN等の窒素化合物を発光層
として青色を発色するものが使用される。
脂製のレンズ状モールド部にてパッケージしてなる発光
ダイオードランプ(以下、LEDランプと略称する)と
して、従来、図4に示す構成のものが知られている。図
4は、LEDランプを一部断面で示す縦断正面図であ
る。図4において、LEDランプ1は二本一対のリード
端子3、4が設けられており、その一方のリード端子4
の先端部に、鉄材よりなり表面に銀メッキ5aを施した
フレーム5を形成している。このLEDランプ1の発光
素子2としては、例えばGaN等の窒素化合物を発光層
として青色を発色するものが使用される。
【0003】フレーム5の略中央部には凹部5bが形成
される。この凹部5bは、外径を発光素子2の外径より
も大きく選定し、その深さを発光素子2の厚さよりも大
きくして、凹部5bに発光素子2を収容する。発光素子
2は、銀ペースト又は透明エポキシ樹脂の接合材料10
を用いてフレーム5の凹部5bにダイボンデングされ
る。また、発光素子2は金属線6によりリード端子3に
ワイヤボンデングされ、金属線7によりにフレーム5の
先端部にワイヤボンデングされる。
される。この凹部5bは、外径を発光素子2の外径より
も大きく選定し、その深さを発光素子2の厚さよりも大
きくして、凹部5bに発光素子2を収容する。発光素子
2は、銀ペースト又は透明エポキシ樹脂の接合材料10
を用いてフレーム5の凹部5bにダイボンデングされ
る。また、発光素子2は金属線6によりリード端子3に
ワイヤボンデングされ、金属線7によりにフレーム5の
先端部にワイヤボンデングされる。
【0004】8は、フレーム5の凹部5bに銀ペースト
又は透明エポキシ樹脂の接合材料10によりダイボンデ
ングされると共に、金属線6、7によりリード端子3、
フレーム5の先端部にワイヤボンデングされた発光素子
2を覆い、リード端子3、4をパッケージする透明又は
半透明の合成樹脂製モールド部である。モールド部8の
先端部には、略半球形状のレンズ9が形成される。
又は透明エポキシ樹脂の接合材料10によりダイボンデ
ングされると共に、金属線6、7によりリード端子3、
フレーム5の先端部にワイヤボンデングされた発光素子
2を覆い、リード端子3、4をパッケージする透明又は
半透明の合成樹脂製モールド部である。モールド部8の
先端部には、略半球形状のレンズ9が形成される。
【0005】図5は、フレーム5の凹部5bに銀ペース
ト又は透明エポキシ樹脂の接合材料10によりダイボン
デングされた発光素子2を拡大して一部断面で示す正面
図である。発光素子2から発射される光は、大部分は発
光素子2の表面から前方に直進し、透明又は半透明の合
成樹脂製モールド部8の先端部に形成されたレンズ9に
より屈折して外部に放射される。
ト又は透明エポキシ樹脂の接合材料10によりダイボン
デングされた発光素子2を拡大して一部断面で示す正面
図である。発光素子2から発射される光は、大部分は発
光素子2の表面から前方に直進し、透明又は半透明の合
成樹脂製モールド部8の先端部に形成されたレンズ9に
より屈折して外部に放射される。
【0006】発光素子2から発射される光の一部は、発
光素子2の裏面に向けて発射される光Eとなり接合材料
10又は凹部5bで反射されて反射光Rとなる。この反
射光Rも、発光素子2の表面から前方に直進し、レンズ
9により屈折して外部に放射される。
光素子2の裏面に向けて発射される光Eとなり接合材料
10又は凹部5bで反射されて反射光Rとなる。この反
射光Rも、発光素子2の表面から前方に直進し、レンズ
9により屈折して外部に放射される。
【0007】フレーム5の凹部5bの表面には銀メッキ
5aが形成されており、また、発光素子2とフレーム5
の凹部5bとの間には、銀ペースト又は透明エポキシ樹
脂の接合材料10が設けられている。このため、接合材
料10として銀ペーストを用いた場合には、発光素子2
の裏面に向けて発射される光Eは銀ペーストで反射され
る。また、接合材料10として透明エポキシ樹脂を用い
た場合には、発光素子2の裏面に向けて発射される光E
は、透明エポキシ樹脂を透過して銀メッキ5aで反射さ
れる。
5aが形成されており、また、発光素子2とフレーム5
の凹部5bとの間には、銀ペースト又は透明エポキシ樹
脂の接合材料10が設けられている。このため、接合材
料10として銀ペーストを用いた場合には、発光素子2
の裏面に向けて発射される光Eは銀ペーストで反射され
る。また、接合材料10として透明エポキシ樹脂を用い
た場合には、発光素子2の裏面に向けて発射される光E
は、透明エポキシ樹脂を透過して銀メッキ5aで反射さ
れる。
【0008】このように従来のLEDランプの構成は、
フレーム5の凹部5bの表面には銀メッキ5aが形成さ
れており、発光素子2と凹部5bとの間には発光素子2
をダイボンデングするための銀ペースト又は透明エポキ
シ樹脂の接合材料10が設けられている。このため、発
光素子2の裏面に向けて発射される光は銀ペースト又は
銀メッキのいずれかにより反射される。すなわち、発光
素子2の裏面に向けて発射される光はいずれの場合でも
銀の反射層により反射されている。
フレーム5の凹部5bの表面には銀メッキ5aが形成さ
れており、発光素子2と凹部5bとの間には発光素子2
をダイボンデングするための銀ペースト又は透明エポキ
シ樹脂の接合材料10が設けられている。このため、発
光素子2の裏面に向けて発射される光は銀ペースト又は
銀メッキのいずれかにより反射される。すなわち、発光
素子2の裏面に向けて発射される光はいずれの場合でも
銀の反射層により反射されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、銀の反
射率はそれ程大きくはないので、発光素子2の裏面に向
けて発射される光Eに対する反射光Rの割合は小さくな
り、損失となる割合が大きくなる。したがって、発光素
子2から外部に放射される光量が増大しないという問題
が生じる。
射率はそれ程大きくはないので、発光素子2の裏面に向
けて発射される光Eに対する反射光Rの割合は小さくな
り、損失となる割合が大きくなる。したがって、発光素
子2から外部に放射される光量が増大しないという問題
が生じる。
【0010】また、熱伝導率λ〔cal/(m.h.d
eg)〕は、銀が300〜400であるのに対して、エ
ポキシ樹脂は0.27である。このため、発光素子を透
明エポキシ樹脂で取付け部材にダイボンデングすると、
発光素子からの熱放散を良好に行うことができず、透明
エポキシ樹脂が変色してしまうことがある。このように
透明エポキシ樹脂が変色すると、発光素子から発射され
る光の損失が増大するという問題も生じる。
eg)〕は、銀が300〜400であるのに対して、エ
ポキシ樹脂は0.27である。このため、発光素子を透
明エポキシ樹脂で取付け部材にダイボンデングすると、
発光素子からの熱放散を良好に行うことができず、透明
エポキシ樹脂が変色してしまうことがある。このように
透明エポキシ樹脂が変色すると、発光素子から発射され
る光の損失が増大するという問題も生じる。
【0011】本発明はこのような問題に鑑み、取付け部
材に発光素子をダイボンデングする接合材料の変色を防
止すると共に、発光素子の裏面に向けて発射される光の
反射光を有効に活用して、発光素子から外部に放射され
る光量を増大させた半導体発光装置の提供を目的とす
る。
材に発光素子をダイボンデングする接合材料の変色を防
止すると共に、発光素子の裏面に向けて発射される光の
反射光を有効に活用して、発光素子から外部に放射され
る光量を増大させた半導体発光装置の提供を目的とす
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、半
導体発光装置を、一対の導電部材にワイヤボンデングさ
れると共に、取付け部材に白色接合材料によりダイボン
デングされる発光素子を、透明又は半透明合成樹脂製の
モールド部でパッケージしてなる構成とすることによっ
て達成される。
導体発光装置を、一対の導電部材にワイヤボンデングさ
れると共に、取付け部材に白色接合材料によりダイボン
デングされる発光素子を、透明又は半透明合成樹脂製の
モールド部でパッケージしてなる構成とすることによっ
て達成される。
【0013】本発明の上記特徴によれば、取付け部材に
発光素子をダイボンデングする接合材料として、例えば
透明エポキシ樹脂にボロンナイトライト(BN)を混入
して熱伝導率を大きくした白色接合材料を用いているの
で、発光素子からの熱放散が阻害されることによる変色
を防止でき、発光素子から発射される光の損失を減少さ
せることができる。
発光素子をダイボンデングする接合材料として、例えば
透明エポキシ樹脂にボロンナイトライト(BN)を混入
して熱伝導率を大きくした白色接合材料を用いているの
で、発光素子からの熱放散が阻害されることによる変色
を防止でき、発光素子から発射される光の損失を減少さ
せることができる。
【0014】また、発光素子を反射率が大きい白色接合
材料により取付け部材にダイボンデングしているので、
発光素子の裏面に向けて発射される光の大部分が反射光
となってモールド部から放射されることになり、発光素
子から外部に放射される光量を増大させることができ
る。
材料により取付け部材にダイボンデングしているので、
発光素子の裏面に向けて発射される光の大部分が反射光
となってモールド部から放射されることになり、発光素
子から外部に放射される光量を増大させることができ
る。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。図1はLEDランプを一部断
面で示す縦断正面図である。図4の従来例と同一の部分
又は対応するところには同一の符号を付しており、詳細
な説明は省略する。本発明においては、発光素子2の接
合材料として反射率が大きい白色ペースト11を用いて
いるところに特徴がある。発光素子2は、この白色ペー
スト11を接合材料としてLED素子1のフレーム5に
形成された凹部5bにダイボンデングされる。
て図を参照して説明する。図1はLEDランプを一部断
面で示す縦断正面図である。図4の従来例と同一の部分
又は対応するところには同一の符号を付しており、詳細
な説明は省略する。本発明においては、発光素子2の接
合材料として反射率が大きい白色ペースト11を用いて
いるところに特徴がある。発光素子2は、この白色ペー
スト11を接合材料としてLED素子1のフレーム5に
形成された凹部5bにダイボンデングされる。
【0016】この白色ペースト11としては、例えば透
明エポキシ樹脂にボロンナイトライト(BN)を混合し
た材料を使用している。ボロンナイトライト(BN)
は、熱伝導率λ〔cal/(m.h.deg)〕が60
であり、白色顔料の中でも最適な材質である。例えば、
透明エポキシ樹脂にボロンナイトライト(BN)を60
重量%混入すると熱伝導率λは20程度となる。透明エ
ポキシ樹脂単体の熱伝導率λは0.27であるから、こ
の場合には熱伝導率λは70倍以上も大きくなり、発光
素子からの熱放散が良好となり変色が防止できる。
明エポキシ樹脂にボロンナイトライト(BN)を混合し
た材料を使用している。ボロンナイトライト(BN)
は、熱伝導率λ〔cal/(m.h.deg)〕が60
であり、白色顔料の中でも最適な材質である。例えば、
透明エポキシ樹脂にボロンナイトライト(BN)を60
重量%混入すると熱伝導率λは20程度となる。透明エ
ポキシ樹脂単体の熱伝導率λは0.27であるから、こ
の場合には熱伝導率λは70倍以上も大きくなり、発光
素子からの熱放散が良好となり変色が防止できる。
【0017】透明エポキシ樹脂に対するボロンナイトラ
イト(BN)の混合比を大きくする程熱伝導率λは大き
くなる。このボロンナイトライト(BN)の混合比は、
50重量%以上であることが望ましいが、発光素子の性
能が改善されて発光素子から放射される光量が増大すれ
ば、ボロンナイトライト(BN)の比率を小さくするこ
とが可能である。すなわち、透明エポキシ樹脂に対する
ボロンナイトライト(BN)の混合比は、発光素子から
外部に放射される光量の要求の度合いに応じて適宜に選
定される。
イト(BN)の混合比を大きくする程熱伝導率λは大き
くなる。このボロンナイトライト(BN)の混合比は、
50重量%以上であることが望ましいが、発光素子の性
能が改善されて発光素子から放射される光量が増大すれ
ば、ボロンナイトライト(BN)の比率を小さくするこ
とが可能である。すなわち、透明エポキシ樹脂に対する
ボロンナイトライト(BN)の混合比は、発光素子から
外部に放射される光量の要求の度合いに応じて適宜に選
定される。
【0018】図2は、フレーム5の凹部5bにダイボン
デングされた発光素子2を拡大して一部断面で示す正面
図である。発光素子2の接合材料として反射率が大きい
白色ペースト11を使用しているため、発光素子2の裏
面に向けて発射される光Eは、大部分が白色ペースト1
1で反射され反射光Rとなる。この反射光Rは発光素子
2の表面から前方に直進し、レンズ9により屈折して外
部に放射されることになる。すなわち、発光素子2の裏
面に向けて発射される光Eの損失となる割合を減少さる
せることができる。
デングされた発光素子2を拡大して一部断面で示す正面
図である。発光素子2の接合材料として反射率が大きい
白色ペースト11を使用しているため、発光素子2の裏
面に向けて発射される光Eは、大部分が白色ペースト1
1で反射され反射光Rとなる。この反射光Rは発光素子
2の表面から前方に直進し、レンズ9により屈折して外
部に放射されることになる。すなわち、発光素子2の裏
面に向けて発射される光Eの損失となる割合を減少さる
せることができる。
【0019】したがって発光素子2から外部に放射され
る光は、その表面から前方に直進する発射光に、裏面に
向けて発射される光Eが大部分は反射光Rとなって発射
光に加算されることになり、発光素子2から外部に放射
される光量が増大する。
る光は、その表面から前方に直進する発射光に、裏面に
向けて発射される光Eが大部分は反射光Rとなって発射
光に加算されることになり、発光素子2から外部に放射
される光量が増大する。
【0020】このように、本発明においては反射率が大
きい白色ペースト11を発光素子2の接合材料として用
いて発光素子2をダイボンデングしているので、発光素
子2の接合材料として銀ペーストを用いた場合と比較し
てLEDランプ1の光度が約2倍に向上する。また、発
光素子2の接合材料として透明エポキシ樹脂を用いた場
合と比較しても、LEDランプ1の光度が約10%程度
向上する。
きい白色ペースト11を発光素子2の接合材料として用
いて発光素子2をダイボンデングしているので、発光素
子2の接合材料として銀ペーストを用いた場合と比較し
てLEDランプ1の光度が約2倍に向上する。また、発
光素子2の接合材料として透明エポキシ樹脂を用いた場
合と比較しても、LEDランプ1の光度が約10%程度
向上する。
【0021】本発明は、図1に示したようなLEDラン
プ以外の半導体発光素子を用いた半導体発光装置にも適
用できる。図3は、本発明の他の実施の形態の半導体発
光装置20の断面図である。図3において、21は電気
絶縁材料からなる矩形状絶縁基体で、矩形状絶縁基体1
の底面から側面を介して表面に導出される一対のメタラ
イズ配線層22、23を被着する。半導体発光素子24
は、金属線25によりメタライズ配線層22とワイヤボ
ンデングされ、金属線26によりメタライズ配線層23
とワイヤボンデングされる。
プ以外の半導体発光素子を用いた半導体発光装置にも適
用できる。図3は、本発明の他の実施の形態の半導体発
光装置20の断面図である。図3において、21は電気
絶縁材料からなる矩形状絶縁基体で、矩形状絶縁基体1
の底面から側面を介して表面に導出される一対のメタラ
イズ配線層22、23を被着する。半導体発光素子24
は、金属線25によりメタライズ配線層22とワイヤボ
ンデングされ、金属線26によりメタライズ配線層23
とワイヤボンデングされる。
【0022】半導体発光素子24は、一方のメタライズ
配線層23上に白色ペースト27によりダイボンデング
される。この白色ペーストは、図1、図2で説明したと
同様に透明エポキシ樹脂にボロンナイトライト(BN)
を適量混合した材料を使用している。28は、半導体発
光素子24をパッケージする透明又は半透明合成樹脂製
のモールド部である。
配線層23上に白色ペースト27によりダイボンデング
される。この白色ペーストは、図1、図2で説明したと
同様に透明エポキシ樹脂にボロンナイトライト(BN)
を適量混合した材料を使用している。28は、半導体発
光素子24をパッケージする透明又は半透明合成樹脂製
のモールド部である。
【0023】図3の構成においても、半導体発光素子2
4からの熱放散が阻害されることによる白色ペースト2
7の変色を防止できる。また、半導体発光素子24の裏
面に向けて発射される光は、白色ペースト27により反
射されて外部に放射されるので、半導体発光素子から外
部に放射される光量を増大させることができる。
4からの熱放散が阻害されることによる白色ペースト2
7の変色を防止できる。また、半導体発光素子24の裏
面に向けて発射される光は、白色ペースト27により反
射されて外部に放射されるので、半導体発光素子から外
部に放射される光量を増大させることができる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、取付け部
材に発光素子をダイボンデングする接合材料として、例
えば透明エポキシ樹脂にボロンナイトを混入して熱伝導
率を大きくした白色接合材料を用いているので、発光素
子からの熱放散が阻害されることによる変色を防止で
き、発光素子から発射される光の損失を減少させること
ができる。
材に発光素子をダイボンデングする接合材料として、例
えば透明エポキシ樹脂にボロンナイトを混入して熱伝導
率を大きくした白色接合材料を用いているので、発光素
子からの熱放散が阻害されることによる変色を防止で
き、発光素子から発射される光の損失を減少させること
ができる。
【0025】また、発光素子を反射率が大きい白色接合
材料により取付け部材にダイボンデングしているので、
発光素子の裏面に向けて発射される光の大部分が反射光
となってモールド部から放射されることになり、発光素
子から外部に放射される光量を増大させることができ
る。
材料により取付け部材にダイボンデングしているので、
発光素子の裏面に向けて発射される光の大部分が反射光
となってモールド部から放射されることになり、発光素
子から外部に放射される光量を増大させることができ
る。
【図1】本発明の実施の形態に係るLEDランプを一部
断面で示す縦断正面図である。
断面で示す縦断正面図である。
【図2】ダイボンデングされた発光素子を拡大して一部
断面で示す正面図である。
断面で示す正面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の断
面図である。
面図である。
【図4】従来例のLEDランプを一部断面で示す縦断正
面図である。
面図である。
【図5】図4の発光素子を拡大して一部断面で示す正面
図である。
図である。
1 発光ダイオードランプ 2 発光素子 3、4 リード端子 5 フレーム 5a 銀メッキ 5b 凹部 6、7 金属線 8 モールド部 9 レンズ 10 銀または透明エポキシ樹脂の接合材料 11 白色ペースト 20 半導体発光装置 21 矩形状絶縁基体 22、23 メタライズ配線層 24 半導体発光素子 25、26 金属線 27 白色ペースト 28 モールド部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成11年1月18日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】
【問題を解決するための技術】本発明の上記目的は、半
導体発光装置を、一対の導電部材にワイヤボンデングさ
れると共に、取付け部材にボロンナイトライト(BN)
含有樹脂からなる白色接合材料によりダイボンデングさ
れる発光素子を、透明又は半透明合成樹脂製のモ−ルド
部でパッケ−ジしてなる構成とすることによって達成さ
れる。
導体発光装置を、一対の導電部材にワイヤボンデングさ
れると共に、取付け部材にボロンナイトライト(BN)
含有樹脂からなる白色接合材料によりダイボンデングさ
れる発光素子を、透明又は半透明合成樹脂製のモ−ルド
部でパッケ−ジしてなる構成とすることによって達成さ
れる。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】本発明の上記特徴によれば、取付け部材に
発光素子をダイボンデングする接合材料として、例えば
透明エポキシ樹脂にボロンナイトライト(BN)を混入
して熱伝導率を大きくしたボロンナイトライト(BN)
含有樹脂からなる白色接合材料を用いているので、発光
素子からの熱放散が阻害されることによる変色を防止で
き、発光素子から発射される光の損失を減少させること
ができる。
発光素子をダイボンデングする接合材料として、例えば
透明エポキシ樹脂にボロンナイトライト(BN)を混入
して熱伝導率を大きくしたボロンナイトライト(BN)
含有樹脂からなる白色接合材料を用いているので、発光
素子からの熱放散が阻害されることによる変色を防止で
き、発光素子から発射される光の損失を減少させること
ができる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0024
【補正方法】変更
【補正内容】
【0024】以上説明したように本発明は、取付け部材
に発光素子をダイボンデングする接合材料として、例え
ば透明エポキシ樹脂にボロンナイトライトを混入して熱
伝導率を大きくしたボロンナイトライト(BN)含有樹
脂からなる白色接合材料を用いているので、発光素子か
らの熱放散が阻害されることによる変色を防止でき、発
光素子から発射される光の損失を減少させることができ
る。 ─────────────────────────────────────────────────────
に発光素子をダイボンデングする接合材料として、例え
ば透明エポキシ樹脂にボロンナイトライトを混入して熱
伝導率を大きくしたボロンナイトライト(BN)含有樹
脂からなる白色接合材料を用いているので、発光素子か
らの熱放散が阻害されることによる変色を防止でき、発
光素子から発射される光の損失を減少させることができ
る。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成11年5月17日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】
【問題を解決するための技術】本発明の上記目的は、半
導体発光装置を、一対の導電部材にワイヤボンデングさ
れると共に、取付け部材にボロンナイトライト(BN)
を60重量パ−セント含有した樹脂からなる白色接合材
料によりダイボンデングされる発光素子を、透明又は半
透明合成樹脂製のモ−ルド部でパッケ−ジしてなる構成
とすることによって達成される。
導体発光装置を、一対の導電部材にワイヤボンデングさ
れると共に、取付け部材にボロンナイトライト(BN)
を60重量パ−セント含有した樹脂からなる白色接合材
料によりダイボンデングされる発光素子を、透明又は半
透明合成樹脂製のモ−ルド部でパッケ−ジしてなる構成
とすることによって達成される。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】本発明の上記特徴によれば、取付け部材に
発光素子をダイボンデングする接合材料として、例えば
透明エポキシ樹脂にボロンナイトライト(BN)を混入
して熱伝導率を大きくしたボロンナイトライト(BN)
を60重量パ−セント含有した樹脂からなる白色接合材
料を用いているので、発光素子からの熱放散が阻害され
ることによる変色を防止でき、発光素子から発射される
光の損失を減少させることができる。
発光素子をダイボンデングする接合材料として、例えば
透明エポキシ樹脂にボロンナイトライト(BN)を混入
して熱伝導率を大きくしたボロンナイトライト(BN)
を60重量パ−セント含有した樹脂からなる白色接合材
料を用いているので、発光素子からの熱放散が阻害され
ることによる変色を防止でき、発光素子から発射される
光の損失を減少させることができる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0017
【補正方法】変更
【補正内容】
【0017】透明エポキシ樹脂に対するボロンナイトラ
イト(BN)の混合比を大きくする程熱伝導率λは大き
くなる。このボロンナイトライト(BN)の混合比は、
50重量%以上であることが望ましい。
イト(BN)の混合比を大きくする程熱伝導率λは大き
くなる。このボロンナイトライト(BN)の混合比は、
50重量%以上であることが望ましい。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0024
【補正方法】変更
【補正内容】
【0024】以上説明したように本発明は、取付け部材
に発光素子をダイボンデングする接合材料として、例え
ば透明エポキシ樹脂にボロンナイトライトを混入して熱
伝導率を大きくしたボロンナイトライト(BN)を60
重量パ−セント含有した樹脂からなる白色接合材料を用
いているので、発光素子からの熱放散が阻害されること
による変色を防止でき、発光素子から発射される光の損
失を減少させることができる。
に発光素子をダイボンデングする接合材料として、例え
ば透明エポキシ樹脂にボロンナイトライトを混入して熱
伝導率を大きくしたボロンナイトライト(BN)を60
重量パ−セント含有した樹脂からなる白色接合材料を用
いているので、発光素子からの熱放散が阻害されること
による変色を防止でき、発光素子から発射される光の損
失を減少させることができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 一対の導電部材にワイヤボンデングされ
ると共に、取付け部材に白色接合材料によりダイボンデ
ングされる発光素子を、透明又は半透明合成樹脂製のモ
ールド部でパッケージしてなることを特徴とする半導体
発光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10060296A JP2979306B2 (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | 半導体発光装置 |
US09/165,284 US6121637A (en) | 1997-10-03 | 1998-10-02 | Semiconductor light emitting device with increased luminous power |
DE19861398A DE19861398B4 (de) | 1997-10-03 | 1998-10-02 | Licht abstrahlende Halbleitervorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10060296A JP2979306B2 (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11220179A true JPH11220179A (ja) | 1999-08-10 |
JP2979306B2 JP2979306B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=13138070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10060296A Expired - Fee Related JP2979306B2 (ja) | 1997-10-03 | 1998-02-03 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2979306B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030083452A (ko) * | 2002-04-23 | 2003-10-30 | 서울반도체 주식회사 | 고휘도 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
WO2006095949A1 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Led package having an array of light emitting cells coupled in series |
JP2009038302A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Hitachi Displays Ltd | 照明装置及びその照明装置を備えた液晶表示装置 |
JP2009289918A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Alps Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
US8183592B2 (en) | 2004-12-14 | 2012-05-22 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a pluralilty of light emitting cells and package mounting the same |
KR20140048431A (ko) * | 2012-10-15 | 2014-04-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
JP2015070170A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-02-03 JP JP10060296A patent/JP2979306B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030083452A (ko) * | 2002-04-23 | 2003-10-30 | 서울반도체 주식회사 | 고휘도 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
US8183592B2 (en) | 2004-12-14 | 2012-05-22 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a pluralilty of light emitting cells and package mounting the same |
US8227272B2 (en) | 2004-12-14 | 2012-07-24 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a pluralilty of light emitting cells and package mounting the same |
US8536612B2 (en) | 2004-12-14 | 2013-09-17 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a pluralilty of light emitting cells and package mounting the same |
WO2006095949A1 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Led package having an array of light emitting cells coupled in series |
US8076680B2 (en) | 2005-03-11 | 2011-12-13 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
US8159000B2 (en) | 2005-03-11 | 2012-04-17 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
US8937326B2 (en) | 2005-03-11 | 2015-01-20 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
JP2009038302A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Hitachi Displays Ltd | 照明装置及びその照明装置を備えた液晶表示装置 |
JP2009289918A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Alps Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
KR20140048431A (ko) * | 2012-10-15 | 2014-04-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
JP2015070170A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2979306B2 (ja) | 1999-11-15 |
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KR100650279B1 (ko) | 발광 다이오드 소자 |
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