JPH11218771A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH11218771A
JPH11218771A JP10019608A JP1960898A JPH11218771A JP H11218771 A JPH11218771 A JP H11218771A JP 10019608 A JP10019608 A JP 10019608A JP 1960898 A JP1960898 A JP 1960898A JP H11218771 A JPH11218771 A JP H11218771A
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桂子 井上
Junji Tanno
淳二 丹野
Shigeru Matsuyama
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Abstract

(57)【要約】 【課題】スペーサに起因する配向膜の液晶配向制御能不
良を抑制し、コントラストの低下や表示ムラ等の表示不
良の無い良好な表示品質を得る。 【解決手段】少なくとも一方に1または複数の画素10
を囲む格子状に配置された遮光手段22を有する一対の
対向する絶縁基板の対向面のそれぞれに形成される一対
の配向膜と、この一対の配向膜間に挟持されて上記一対
の絶縁基板の対向間隙を一定に保持するスペーサ30お
よび液晶組成物と、上記絶縁基板の面に略平行あるいは
略垂直な電界を印加する画素電極および基準電極を有す
る液晶表示装置であって、上記スペーサ30を上記遮光
手段22の幅方向の中心部103、104から変位した
位置にその中心102を位置させた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に一対の絶縁基板をスペーサを介して一定の間隙
で対向させ、当該間隙に保持した液晶組成物を所定の向
きに配向させて保持した液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ノート型コンピユータやコンピユータモ
ニター用の高精細かつカラー表示が可能な液晶表示装置
が広く普及している。
【0003】この液晶表示装置は、基本的には少なくと
も一方が透明なガラス板等からなる二枚の絶縁基板の間
に液晶組成物の層を挟持して所謂液晶パネルを構成し、
この液晶パネルの絶縁基板に形成した画素形成用の各種
電極に選択的に電圧を印加して所定画素部分の液晶分子
の配向方向を変化させて画素形成を行う形式(単純マト
リクス)、上記各種電極と画素選択用のアクティブ素子
を形成してこのアクティブ素子を選択することにより所
定画素の液晶分子の配向方向を変化させて画素形成を行
う形式(アクティブマトリクス)とに大きく分類され
る。
【0004】一般に、アクティブマトリクス型液晶表示
装置は、一方の基板に形成した電極と他方の基板に形成
した電極との間に液晶層の配向方向を変えるための電界
を印加する、所謂縦電界方式を採用している。
【0005】一方、液晶層に印加する電界の方向を基板
面とほぼ平行な方向とする、所謂横電界方式(IPS方
式とも言う)の液晶表示装置が実用化されている。この
横電界方式の液晶表示装置を開示したものとしては、二
枚の基板の一方に櫛歯電極を用いて非常に広い視野角を
得るようにしたものが知られている(特公昭63−21
907号公報、米国特許第4345249号明細書)。
【0006】この種の液晶表示装置に使用される液晶パ
ネルは、その一対の絶縁基板間の液晶組成物を充填する
間隙にスペーサを介在させて当該間隙を所定値に保つよ
うにしている。
【0007】従来のスペーサは、樹脂やガラス系の材料
からなる球状スペーサを用い、あるいはこれに着色剤や
接着剤、配向処理剤等の表面処理を施して、絶縁基板の
うち電極基板側の内面に静電散布法あるいはセミドライ
散布法等により散布しているのが一般的である。
【0008】また、上記のような球状スペーサに替え
て、遮光部で遮光される領域(非画素部)の少なくとも
一部にホトリソグラフィ技術や印刷技術等により所定の
パターンの柱状スペーサ(突起)を形成することも提案
されている(特開平7−325298号公報、特開平8
−286194号公報参照)。
【0009】上記のスペーサを形成した後、当該絶縁基
板の電極あるいはその他の機能膜をと共に当該柱状スペ
ーサを覆ってポリイミド樹脂等の配向膜を塗布し、この
配向膜の表面に所定方向に液晶配向制御能を付与する配
向工程(一般に、ラビング処理と称するが、最近では所
定の偏光を照射して液晶配向制御能を付与する、所謂光
配向処理もある)を行う。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、球状ス
ペーサを上記したような散布法で散布した場合、電極基
板上の任てしまい、画素領域内にいてスペーサ本体ある
いはスペーサの周辺からの光抜けが発生し、表示画像の
コントラストが低下するという問題があると共に、散布
ムラ、あるいは液晶パネルのセル形成時や液晶組成物の
充填時、あるいは製品の搬送時の振動や衝撃でスペーサ
が移動することによるスペーサ配置密度のムラ(内面ム
ラ)や移動跡に起因する表示ムラが発生し、表示品質を
低下させるという問題があった。
【0011】一方、フォトリソグラフィ技術や印刷法に
より電極基板の非画素部に選択的に形成したスペーサで
はその配置が非画素部に固定されているため、上記球状
スペーサを用いる場合のような問題は生じない。しか
し、予め突起が形成されていることにより、配向膜の形
成後に行う配向工程において、その他の平坦な部分に比
べて突起の周辺部分では十分な液晶配向制御能を付与す
ることができず、結果として当該周辺部分での液晶配向
が乱れ易い。
【0012】図13は配向膜に所要の液晶配向制御能を
付与するための一般的な方法であるラビング処理工程を
説明する模式図であって、1は絶縁基板、20は配向
膜、200はラビングローラ、105はラビングローラ
の回転方向、107はラビングローラの進行方向(絶縁
基板1との相対的移動方向)を示す。
【0013】配向膜20を塗布し乾燥した絶縁基板1に
対して、繊維を植毛したバフ布あるいはラビング布を巻
き付けたラビングローラ200を矢印105方向に回転
させながら矢印107方向に相対的に接触移動させるこ
とにより、配向膜20の表面に配向制御能を付与する。
【0014】このとき、配向膜20にスペーサとして柱
状の突起が形成されていると、その突起をラビングロー
ラが乗り越える際にラビングがなされない部分(ラビン
グ異常領域)が生じる。
【0015】図14は配向膜に突起が形成されている場
合のラビング異常領域の発生を説明する模式図である。
同図において、30はスペーサ(柱状突起)、106と
108はラビングが不足する領域(液晶配向制御能不良
領域:上記したラビング異常領域、以下ラビング影とも
言う)、図13と同一符号は同一部分に対応する。
【0016】同図(a)はラビング方向に起因して生じ
るラビング異常領域の説明図であり、スペーサ30に対
してラビングローラの回転方向が矢印105に示した方
向の場合、当該スペーサ30の上記ラビングローラの回
転方向105の下流側に網点106で示したラビング影
が生じる。このラビング影はラビングローラがスペーサ
30を乗り越える際に当該ラビングローラの繊維と配向
膜との間が他の領域よりも大となることで配向膜に液晶
配向制御能を付与できないか、あるいは不十分なラビン
グがなされることによる。
【0017】また、同図(b)はラビングローラの進行
方向(配向膜との相対移動方向)107に起因して生じ
るラビング異常領域の説明図であり、スペーサ30に対
してラビングローラの移動方向が矢印107に示した方
向の場合、当該スペーサ30の上記ラビングローラの移
動方向107の下流側に斜線108で示したラビング異
常領域(ラビング影)が生じる。このラビング異常領域
108は、上記(a)の場合と同様にラビングローラが
スペーサ30を乗り越える際に当該ラビングローラの繊
維と配向膜との間が他の領域よりも大となることによ
る。
【0018】同図(c)は上記(a)と(b)に示した
ラビング異常領域を重ねて示したもので、このラビング
処理工程で生じるラビング異常領域はスペーサ30に対
して、2方向に生じることになる。
【0019】このようなラビング異常領域106、10
8の長さはスペーサ30の高さに応じて変化する。
【0020】なお、光配向処理による液晶制御能の付与
においても同様な問題が生じる。すなわち、光配向処理
では所定の偏光を配向膜の面に対してある角度をもって
乗車することにより、当該配向膜の偏光照射部分の分子
結合状態を変化させるが、この偏光の照射角の方向が配
向膜面に垂直でないことで生じるスペーサの影が上記ラ
ビング処理のラビング方向に対する影と同様の液晶配向
制御能不良をもたらす。なお、以下では、このような光
配向による液晶配向制御能不良については、ラビング処
理におけるラビング不良と同様なものであるため、全て
ラビング処理を例として説明する。
【0021】本発明の目的は、上記従来技術の諸問題を
解消して、スペーサに起因するコントラストの低下や表
示ムラ等の表示不良を無くして良好な表示品質を得るこ
とができる液晶表示装置を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】図15はラビング方向に
よるラビング異常領域の長さの解析図であって、(a)
はスペーサ30とラビング方向(105)およびラビン
グローラの移動方向107とが角度θの関係である場合
に発生するラビング影の長さa(μm)およびその垂直
と水平成分を示す模式図、(b)は(a)の関係を幾何
学的に表現した図である。
【0023】スペーサの高さ(段差で示す)に対するラ
ビング影の長さaは、ラビング条件(ラビングローラの
切込み量、回転数、送り速度:相対移動速度、により若
干の変動があるが、スペーサ30の高さ(段差)が高く
なれば長くなり、現行一般の液晶セルの基板間間隙(セ
ルギャップ)の範囲3〜6μm(=スペーサの段差)で
は、50〜100μmの長さになる。
【0024】表1にスペーサの段差とラビング影の長さ
aの測定例とその垂直成分bおよび水平成分cを示す。
【0025】
【表1】
【0026】本発明は、上記垂直成分bと水平成分cと
が液晶パネルの遮光領域の範囲内となるような位置にス
ペーサを配置したことを特徴としたものである。
【0027】すなわち、上記目的を達成するために、本
発明は、下記の(1)〜(4)に記載の構成としたこと
を特徴とする。
【0028】(1)少なくとも一方に遮光手段を有する一
対の対向する絶縁基板と、前記一対の絶縁基板の対向面
のそれぞれに形成される一対の配向膜と、前記一対の配
向膜間に挟持されて前記一対の絶縁基板の対向間隙を一
定に保持するスペーサおよび液晶組成物と、画素電極と
基準電極の間に発生する電界によって液晶分子の光透過
率を制御する液晶表示装置において、前記遮光手段を1
または複数の画素を囲む格子状に配置し、前記スペーサ
を前記格子状の遮光手段で遮光される部分内に配置し
た。
【0029】上記スペーサの遮光手段で遮光される部分
での具体的な配置位置は、ラビング方向によって決め
る。すなわち、ラビングによる影(ラビング不足領域)
の殆どが遮光手段の領域内に納まるような位置に設定す
る。
【0030】この構成によれば、絶縁基板間に介在され
るスペーサによるラビング不足領域は有効画素領域内に
生じることがなく、配向膜のラビング異常に起因するド
メインの発生が回避されると共に、従来の球状スペーサ
を用いた場合に起こるスペーサ移動や光漏れが抑制さ
れ、高画質の液晶表示装置が得られる。
【0031】(2)(1)における前記スペーサを前記
格子状に配置された遮光手段の幅方向の中心部から変位
した位置に配置した。
【0032】上記スペーサの具体的な配置位置は、遮光
手段の幅方向の中心部からラビング方向の上流側に変位
した位置とする。これにより、ラビングによる影の殆ど
が遮光手段の領域内に納まる。
【0033】したがって、スペーサによるラビング不足
領域は有効画素領域内に生じることがなく、配向膜のラ
ビング異常に起因するドメインの発生が回避されると共
に、従来の球状スペーサを用いた場合に起こるスペーサ
移動や光漏れが抑制され、高画質の液晶表示装置が得ら
れる。
【0034】(3)(1)における前記画素電極と基準
電極を一方の絶縁基板上に形成し、他方の絶縁基板上に
は前記配向膜とは異なる少なくとも1種の有機膜を有
し、前記スペーサを前記有機膜または前記配向膜と同一
材料で一体もしくは別体に形成した。
【0035】この構成では、画素電極や基準電極等の画
素選択用電極を有しない絶縁基板側にスペーサを配置す
ることで、有効画素領域の配向膜の平坦性が良好である
ことに加えて、当該配向膜の下層に形成される各種の有
機膜の形成工程で同時にまたは別工程でフォトリソグラ
フィ法あるいは印刷法等のパターニング技術を用いてス
ペーサを形成でき、スペーサ用の新たな材料を導入する
ことなく均一な高さでスペーサを配置できる。
【0036】(4)(3)における前記有機膜がカラー
フィルタ層またはその上層に成膜される平坦化膜、ある
いはブラックマトリクスの何れかと同一材料とした。
【0037】この構成により、配向膜の下層に形成され
るカラーフィルタあるいは平坦化膜(保護膜)、若しく
はブラックマトリクスの形成工程でカラーフィルタある
いは平坦化膜、若しくはブラックマトリクスと同時にま
たは付加工程でフォトリソグラフィ法あるいは印刷法等
のパターニング技術を用いてスペーサを形成でき、スペ
ーサ用の新たな材料を導入することなく均一な高さでス
ペーサを配置できる。特に、配向膜の下層に形成される
ブラックマトリクスの形成工程でスペーサを同時にまた
は付加工程で形成する場合は、スペーサ用の新たな材料
を導入することなく均一な高さでスペーサを配置でき
る。
【0038】なお、本発明は、従来から知られている縦
電界方式の液晶表示装置、あるいは単純マトリクス型の
液晶表示装置にも同様に適用できるものであることは言
うまでもない。
【0039】また、そのスペーサとして上記した各種有
機膜と一体に成るように形成するものに限らず、別途に
作製した球状あるいは柱状、あるいはその他の形状の粒
状体を所定の位置に固定することにより、同様の効果を
得ることができる。ブラックマトリクスについても、画
素を囲む格子状であるものに限るものではなく、ストラ
イプ状のブラックマトリクスを用いるものでも同様であ
る。
【0040】さらに、本発明は、配向膜に液晶配向制御
能を付与する手段としてラビング処理に限らず、例えば
所定の偏光特性をもつ偏光を配向膜に照射する所謂光配
向処理を用いる場合にも有効である。
【0041】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、実施例を参照して詳細に説明する。
【0042】図1は本発明による液晶表示装置の要部構
造を説明する遮光膜で囲まれた複数画素の平面構造の模
式図である。
【0043】同図において、10は画素、22は遮光膜
(以下、ブラックマトリクスとも言う)、30はスペー
サ、101は遮光部対称点、102はスペーサ対称点、
103は映像信号線沿いの遮光部中心線、104は走査
信号線沿いの遮光部中心線を示す。
【0044】画素10はモノカラーの場合は各1画素を
示し、フルカラーの場合は赤(R),緑(G),青
(B)それぞれの画素を示す。各画素10の周囲は遮光
手段(ブラックマトリクス)22で囲まれている。
【0045】すなわち、ブラックマトリクス22は複数
の画素を囲む格子状に配置されており、この格子状のブ
ラックマトリクス22が交差する部分の中で、かつ交差
部の中心位置すなわち映像信号線沿いの遮光部中心線1
03と走査信号線沿いの遮光部中心線104の交点(遮
光部対称点101)から変位した位置にその中心(スペ
ーサ対称点)102を位置する如くスペーサ30が配置
されている。
【0046】上記スペーサ30の配置位置は、前記図1
4および図15で説明したような所謂ラビング影106
と108が画素領域に及ぼす影響が少ない位置であり、
以下この配置位置の詳細を図2および図3を参照して説
明する。
【0047】図2は本発明の液晶表示装置におけるスペ
ーサの配置位置を説明する要部平面図、図3は図2をさ
らに詳細に説明する要部拡大平面図である。
【0048】図2の(a)はラビングローラの回転で付
与されるラビング方向とそのラビング影の説明図、同
(b)はラビングローラの移動方向とそのラビング影の
説明図である。
【0049】図2の(a)に示したように、ブラックマ
トリクス22で囲まれた画素10を形成した絶縁基板に
対して、図の右上方向から左下方向にラビングされる場
合、格子状のブラックマトリクス22が交差する部分に
スペーサを位置させると、ラビング影は図の109で示
した方向に延びる。
【0050】また、(b)に示したように、ブラックマ
トリクス22で囲まれた画素10を形成した絶縁基板に
対して、図の上方向から下方向にラビングローラを移動
させた場合、格子状のブラックマトリクス22が交差す
る部分にスペーサを位置させると、ラビング影は図の1
12で示した方向に延びる。
【0051】したがって、スペーサの段差に起因するラ
ビング影が画素10に対して影響が少ない部分は格子状
のブラックマトリクス22の交差部内で、かつ当該交差
部の中心位置から上に変位した位置となる。そして、最
も影響が少ない部分は当該交差部の中心位置から右上に
変位した位置となる。
【0052】図3に示したように、スペーサの配置位置
はブラックマトリクス22の交差部における映像信号線
沿いの遮光部113と走査信号線沿いの遮光部の中心線
104より上方に変位した部分との交差領域114内に
配置すればよく、好ましくは上記交差領域114の映像
信号線沿いの遮光部中心線103より右側の領域115
に配置する。
【0053】この構成によれば、絶縁基板間に介在され
るスペーサによるラビング不足領域が有効画素領域内
(表示面内)に生じることの影響を少なくでき、あるい
は影響を無くすことができ、配向膜のラビング異常に起
因するドメインの発生が回避されると共に、従来の球状
スペーサを用いた場合に起こるスペーサ移動や光漏れが
抑制され、高画質の液晶表示装置が得られる。
【0054】なお、本発明のスペーサは、画素電極と基
準電極が一方の絶縁基板上に形成され、他方の絶縁基板
上には前記配向膜とは異なる少なくとも1種の有機膜を
有し、両絶縁基板の間に挟持される液晶組成物に対して
当該絶縁基板面と略平行な方向に電界を印加する、所謂
横電界方式の液晶表示装置に適用する場合は、上記他方
の絶縁基板に形成する有機膜、または配向膜の形成時に
同時に、または付加工程で形成することができる。な
お、このとき、スペーサは上記有機膜または配向膜と同
一材料でも、あるいは他の適宜の有機材料を使用しても
よい。
【0055】そして、上記の有機膜は、カラーフィルタ
材料、配向膜材料、カラーフィルタの表面の凹凸を低減
するための平坦化膜、若しくはブラックマトリクス材料
の何れか、あるいはそれらの2つ以上の組合せ材料でも
よい。
【0056】このような有機膜でスペーサを形成する方
法は、既知のホトリソグラフィ法や印刷法、その他のパ
ターニング技法を用いることができる。
【0057】次に、本発明による液晶表示装置の具体的
な実施例について説明する。
【0058】図4は本発明による液晶表示装置の等価回
路の説明図であって、300は液晶パネルであり、その
表示ブラックがマトリクス状に配置された複数の画素の
集合で構成され、それぞれの画素は液晶パネル300の
背部に設置される照明光源(バックライト:図示せず)
からの透過光を独自に変調制御できるように構成されて
いる。
【0059】そして、各画素における光変調は横電界方
式と称する方法を採用しており、その構成は後述する
が、互いに対向配置される透明基板(絶縁基板)100
(1A,1B)の間に介在される液晶組成物の層(液晶
層)内に発生させる電界は透明基板1A,1Bと略平行
な方向となるようにされる。
【0060】このような液晶パネル300は、その表示
面に対して大きな角度視野から観察しても鮮明な画像を
認識でき、所謂広視野角特性に優れたものとして知られ
ている。すなわち、この液晶パネル300の液晶層を介
して互いに対向配置される透明基板1A,1Bのうち、
一方の透明基板1Aの液晶層側の面に、そのx方向(行
方向)に延在し、y方向(列方向)に並設される走査信
号線2および基準信号線4とが形成されている。
【0061】この場合、同図では透明基板1Aの図の上
方から走査信号線2、この走査信号線2と近接して配置
された基準信号線4、この基準信号線4と比較的大きく
離間して配置された走査信号線2、この走査信号線2と
近接配置された基準信号線4、・・・・というように、
順次配置されている。
【0062】そして、これら走査信号線2および基準信
号線4とそれぞれ絶縁されてy方向に延在し、x方向に
並設される映像信号線3が形成されている。
【0063】ここで、走査信号線2、基準信号線4およ
び映像信号線3のそれぞれによって囲まれる矩形状の比
較的広い面積の各領域において単位画素が形成され、こ
れら各単位画素がマトリクス状に配置されて表示面を構
成する。なお、画素の詳細構成は後述する。
【0064】そして、液晶パネル300には、その外部
回路として垂直走査回路5および映像信号駆動回路6が
備えられており、垂直走査回路5によって前記走査信号
線2のそれぞれに順次走査信号(電圧)が供給され、そ
のタイミングに合わせて映像信号駆動回路6から映像信
号線3に映像信号(電圧)が供給される。
【0065】なお、垂直走査回路5および映像信号駆動
回路6には、液晶駆動電源回路7から電源が供給される
と共に、CPU8から画像情報(映像情報)がコントロ
ーラ9によってそれぞれ表示データおよび制御信号に分
けられて入力される。
【0066】また、基準信号線4には液晶駆動電源回路
7から基準電圧(例えば、一定電圧)が供給されるよう
になっている。
【0067】図5は図4における単位画素の周辺構造を
説明する平面図である。また、図6は図5のIV−IV線に
沿った断面図、図7は図5のV−V線に沿った断面図、
図8は図5のVI−VI線に沿った断面図である。
【0068】図5において、透明基板1Aの主表面にx
方向に延在する基準信号線4とこの基準信号線4と図中
下方側のy方向に比較的大きく離間され、かつ平行に走
査信号線2が形成されている。
【0069】ここで、基準信号線4には、3本の基準電
極14が一体に形成されている。すなわち、そのうちの
2本の基準電極14は一対の後述する映像信号線3とで
形成される画素領域のy方向辺、すなわち前記したそれ
ぞれの映像信号線3に近接して図中下方側のy方向に走
査信号線2の近傍まで延在されて形成され、残りの1本
はそれらの間に形成されている。
【0070】そして、これらの走査信号線2、基準信号
線4および基準電極14が形成された透明基板1Aの表
面には、これら走査信号線2等をも覆って、例えばシリ
コン窒化膜からなる絶縁膜15(図6、図7、図8参
照)が形成されている。この絶縁膜15は、後述する映
像信号線3に対しては走査信号線2および基準信号線4
との交差部に対する層間絶縁膜として薄膜トランジスタ
TFTの形成領域に対してはゲート絶縁膜として、蓄積
容量Cstgの形成領域に対しては誘電体膜として機能
するようになっている。
【0071】この絶縁膜15の表面には、まず、その薄
膜トランジスタTFTの形成領域において半導体層16
が形成されている。この半導体層16は、例えばアモル
ファスシリコン(a−Si)からなり、走査信号線2上
において映像信号線3に近接した部分に重畳して形成さ
れている。これにより、走査信号線2の一部が薄膜トラ
ンジスタTFTのゲート電極を兼ねた構成となってい
る。
【0072】そして、このように形成された絶縁膜15
の表面には、図5に示したように、そのy方向に延在
し、x方向に並設される映像信号線3が形成されてい
る。
【0073】そして、映像信号線3は、薄膜トランジス
タTFTの前記半導体層16の表面の一部まで延在され
て形成されたドレイン電極3Aが一体となって備えられ
ている。
【0074】さらに、画素領域における絶縁膜15の表
面には画素電極18が形成されている。この画素電極1
8は前記基準電極14の間を走行するように形成されて
いる。すなわち、画素電極18の一端は前記薄膜トラン
ジスタTFTのソース電極18Aを兼ね、そのまま図中
上方側のy方向に延在され、さらに基準信号線4上に沿
ってx方向に延在された後に図中下方側のy方向に延在
して他端を有するコ字形状となっている。
【0075】この場合、画素電極18の基準信号線4に
重畳される部分は、前記基準信号線4との間に誘電体膜
としての前記絶縁膜15を備える蓄積要領Cstgを構
成している。この蓄積要領Cstgによって、例えば薄
膜トランジスタTFTがオフした際に画素電極18に映
像情報を長く蓄積させる効果を奏する。
【0076】なお、前記した薄膜トランジスタTFTの
ドレイン電極3Aとソース電極18Aとの界面に相当す
る半導体層16の表面には、リン(P)がドープされて
高濃度層となっており、これにより前記各電極における
オーミックコンタクトを図っている。この場合、半導体
層16の表面の全域には前記高濃度層が形成されてお
り、前記各電極を形成した後に、当該電極をマスクとし
てその電極形成領域以外の高濃度層をエッチングするよ
うにして上記した構成とすることができる。
【0077】このようにして薄膜トランジスタTFT、
映像信号線3、画素電極18、および蓄積要領Cstg
が形成された絶縁膜15の上面には、例えばシリコン窒
化膜からなる保護膜19(図6、図7、図8参照)が形
成され、この保護膜19の上面には配向膜20Aが形成
されて液晶パネル300の透明基板1Aを構成してい
る。なお、この透明基板1Aの液晶層側と反対側の面に
は偏光板21Aが積層されている。
【0078】そして、図6に示したように、透明基板1
Bの液晶層側の部分には、表示領域を各画素毎に区分し
て遮光膜であるブラックマトリクス22が形成されてい
る。このブラックマトリクス22は前記薄膜トランジス
タTFTに直接光が照射されるのを防止するための機能
と、表示コントラストを向上する機能とを有する。
【0079】ブラックマトリクス22は、図5に破線で
示した領域に形成され、形成された開口部が実質的な画
素を構成する。
【0080】さらに、ブラックマトリクス22の開口部
を覆ってカラーフィルタ23が形成されている。このカ
ラーフィルタ23はx方向に隣接する画素領域における
それとは異なった色を有すると共に、それぞれブラック
マトリクス22上において境界部を有する。また、この
ようにカラーフィルタ23を形成した面には、樹脂膜等
からなる平坦化膜24が被着されている。この平坦化膜
24の表面には配向膜20Bが形成されている。なお、
透明基板1Bの液晶層側と反対側の面には、偏光板21
Bが配置されている。
【0081】図9は透明基板1A側に形成された配向膜
20Aと偏光板21Aおよび透明基板1B側に形成され
た配向膜29Bと偏光板21Bの光学軸の関係の説明図
である。
【0082】画素電極18と基準電極14との間に印加
される電界の方向120に対して、配向膜20Aおよび
配向膜20Bのラビング方向105の角度はΦLC、一方
の偏光板21Aの偏光透過軸方向121の角度はΦP
他方の偏光板21Bの偏光透過軸方向はΦP と直交して
いる。また、ΦLC=ΦP となっている。
【0083】また、液晶層を構成する液晶組成物は、誘
電率異方性Δεが正で、その値が7.3(1kHz)、
屈折率異方性Δnが0.073(589nm、20°
C)のネマチック液晶を用いている。
【0084】このような関係からなる配向膜20Aと2
0B、および偏光板21Aと21B等の構成は、所謂ノ
ーマリブラックモードと称されるもので、液晶層LC内
に透明基板1Aと平行な電界E(図6参照)を発生せし
めることによって当該液晶層LCに光を透過するように
なっている。しかし、本発明は、上記のようなノーマリ
ブラックモードの横電界方式の液晶表示装置に限られる
ものではなく、無電界時に液晶層を透過する光が最大と
なるノーマリホワイトモードや、縦電界方式の液晶表示
装置にも同様に適用できるものであることは言うまでも
ない。
【0085】図10は本発明による液晶表示装置のスペ
ーサ部分の説明図であって、(a)は要部平面図、
(b)は(a)のA−A線に沿った断面図、(c)は
(a)のB−B線に沿った断面図を示す。
【0086】透明基板1Bには、ブラックマトリクス2
2、カラーフィルタ23がそれぞれパターン形成されて
おり、それらを覆って平坦化膜24、さらに配向膜21
Bの有機膜が形成されている。
【0087】また、ブラックマトリクス部分の一部にス
ペーサ30が形成されている。ここでは、スペーサ30
は平坦化膜24と同一材料で形成されているが、有機膜
であるカラーフィルタ23、または配向膜21B、ある
いはブラックマトリクス22と同一材料でもよい。さら
に、スペーサ30とこれら平坦化膜24、カラーフィル
タ23、または配向膜21B、あるいはブラックマトリ
クス22とは異なる材料で形成してもよい。
【0088】このように構成したスペーサを備えた液晶
表示装置は、透明基板1A、1Bの間に介在する当該ス
ペーサが一方の透明基板1B側に前記図1〜図3で説明
した位置に配置されているため、配向膜20Bがラビン
グによる配向不良を起こすことがなく、またスペーサ3
0が透明基板1Bに固定されていることから、スペーサ
の移動がない。
【0089】さらにスペーサ30がブラックマトリクス
22と重なる位置に形成されていることから、スペーサ
周辺での液晶の配向乱れに起因する光漏れ現象が表示品
質に影響することがなく、品質の良好な画像表示を得る
ことができる。
【0090】なお、上記では、スペーサ30を透明基板
1B側に形成したが、これに限らず、透明基板1A側に
形成される保護膜19あるいは配向膜20A側に形成す
ることもできる。
【0091】図11は本発明を適用した液晶表示装置の
全体構成例を説明する展開斜視図である。
【0092】同図は液晶表示装置(以下、液晶パネル,
回路基板,バックライト、その他の構成部材を一体化し
たモジュール:MDLと称する)の具体的構造例を説明
するものである。
【0093】図11において、SHDは金属板からなる
シールドケース(メタルフレームとも言う)、WDは表
示窓、INS1〜3は絶縁シート、PCB1〜3は回路
基板(PCB1はドレイン側回路基板:映像信号線駆動
用回路基板、PCB2はゲート側回路基板、PCB3は
インターフェース回路基板)、JN1〜3は回路基板P
CB1〜3同士を電気的に接続するジョイナ、TCP
1,TCP2はテープキャリアパッケージ、PNLは液
晶パネル、GCはゴムクッション、ILSは遮光スペー
サ、PRSはプリズムシート、SPSは拡散シート、G
LBは導光板、RFSは反射シート、MCAは一体化成
形により形成された下側ケース(モールドフレーム)、
LPは線状ランプ、LPCはランプケーブル、GBは線
状ランプLPを支持するゴムブッシュ、BATは両面粘
着テープ、BLは線状ランプLPや導光板GLB等から
なるバックライトを示し、図示の配置関係で拡散板部材
を積み重ねて液晶表示モジュールMDLが組立てられ
る。
【0094】液晶表示モジュールMDLは、下側ケース
MCAとシールドケースSHDの2種の収納・保持部材
を有し、絶縁シートINS1〜3、回路基板PCB1〜
3、液晶パネルPNLを収納固定した金属製のシールド
ケースSHDと、線状ランプLP、導光板GLB、プリ
ズムシートPRS等からなるバックライトBLを収納し
た下側ケースMCAとを合体させてなる。
【0095】ドレイン側回路基板PCB1には液晶パネ
ルPNLの各画素を駆動するための集積回路チップ(I
C)が搭載され、またインターフェース回路基板PCB
3には外部ホストからの映像信号の受入れ、タイミング
信号等の制御信号を受け入れる集積回路チップ、および
タイミングを加工してクロック信号を生成するタイミン
グコンバータTCON等が搭載される。
【0096】上記タイミングコンバータで生成されたク
ロック信号はインターフェース回路基板PCB3および
ドレイン側回路基板PCB1に敷設されたクロック信号
ラインCLLを介してドレイン側回路基板PCB1に搭
載された集積回路チップに供給される。
【0097】インターフェース回路基板PCB3および
ドレイン側回路基板PCB1は多層配線基板であり、上
記クロック信号ラインCLLはインターフェース回路基
板PCB3およびドレイン側回路基板PCB1の内層配
線として形成される。
【0098】なお、液晶パネルPNLにはTFTを駆動
するためのドレイン側回路基板PCB1、ゲート側回路
基板PCB2およびインターフェース回路基板PCB3
がテープキャリアパッケージTCP1,TCP2で接続
され、各回路基板間はジョイナJN1,2,3で接続さ
れている。
【0099】図12は本発明による液晶表示装置の実装
例を説明するノート型コンピユータの斜視図である。
【0100】このノート型コンピユータ(可搬型パソコ
ン)はキーボード部(本体部)と、このキーボード部に
ヒンジで連結した表示部から構成される。キーボード部
にはキーボードとホスト(ホストコンピュータ)、CP
U等の信号生成機能を収納し、表示部には液晶パネルP
NLを有し、その周辺に駆動回路基板PCB1,PCB
2、コントロールチップTCONを搭載したPCB3、
およびバックライト電源であるインバータ電源基板など
が実装される。
【0101】そして、上記液晶パネルPNLのスペーサ
として前記実施例で説明した構成を用いている。
【0102】このように、上記した本発明の実施例によ
れば、絶縁基板間に介在されるスペーサによるラビング
不足領域が有効画素領域内に生じることの影響を少なく
でき、あるいは影響を無くすことができ、配向膜のラビ
ング異常に起因するドメインの発生が回避されると共
に、従来の球状スペーサを用いた場合に起こるスペーサ
移動や光漏れが抑制され、高画質の液晶表示装置が得ら
れる。
【0103】上記した実施例では、スペーサをブラック
マトリクスの交差部分内に配置する場合について説明し
たが、本発明はこれに限るものではなく、ブラックマト
リクスで遮光される領域内で、かつラビング処理による
影(ラビング不良領域:液晶配向制御不良領域)の殆ど
が当該ブラックマトリクスで遮光される領域内に納まる
位置であればよい。すなわち、ブラックマトリクスの幅
方向で当該幅方向の中心部からラビング方向に対して上
流側に変位した位置にスペーサを配置することで配向膜
のラビング異常に起因するドメインの発生が回避される
と共に、従来の球状スペーサを用いた場合に起こるスペ
ーサ移動や光漏れが抑制され、高画質の液晶表示装置が
得られる。
【0104】なお、上記実施例ではラビング方向(液晶
配向制御能方向)を図の右上から左下としているが、こ
のような方向に限らないことは言うまでもない。
【0105】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
絶縁基板間に介在されるスペーサによる液晶配向制御能
不良領域が有効画素領域内に生じることによる表示への
悪影響を少なくでき、あるいは当該影響を無くすことが
できるため、配向膜の液晶配向制御能付与処理の異常に
起因するドメインの発生が回避されると共に、従来の球
状スペーサを用いた場合に起こるスペーサ移動や光漏れ
が抑制され、高画質の液晶表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による液晶表示装置の要部構造を説明す
る遮光膜で囲まれた複数画素の平面構造の模式図であ
る。
【図2】本発明の液晶表示装置におけるスペーサの配置
位置を説明する要部平面図である。
【図3】図2をさらに詳細に説明する要部拡大平面図で
ある。
【図4】本発明による液晶表示装置の等価回路の説明図
である。
【図5】図4における単位画素の周辺構造を説明する平
面図である。
【図6】図5のIV−IV線に沿った断面図である。
【図7】図5のV−V線に沿った断面図である。
【図8】図5のVI−VI線に沿った断面図である。
【図9】一方の透明基板側に形成された配向膜と偏光板
および他方の透明基板側に形成された配向膜と偏光板の
光学軸の関係の説明図である。
【図10】本発明による液晶表示装置のスペーサ部分の
説明図であって、(a)は要部平面図である。
【図11】本発明を適用した液晶表示装置の全体構成例
を説明する展開斜視図である。
【図12】本発明による液晶表示装置の実装例を説明す
るノート型コンピユータの斜視図である。
【図13】配向膜に所要の液晶配向制御能を付与するた
めの一般的な方法であるラビング処理工程を説明する模
式図である。
【図14】配向膜に突起が形成されている場合のラビン
グ異常領域の発生を説明する模式図である。
【図15】ラビング方向によるラビング異常領域の長さ
の解析図である。
【符号の説明】
10 画素 22 遮光膜(ブラックマトリクス) 30 スペーサ 101 遮光部対称点 102 スペーサ対称点 103 映像信号線沿いの遮光部中心線 104 走査信号線沿いの遮光部中心線 105 ラビング方向 106,108 ラビング影 107 ラビングローラ移動方向 110 走査信号線沿いの遮光部中心線の上側の光部 111 右側領域 113 映像信号線沿いの遮光部 114 適領域 115 最適領域。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一方に遮光手段を有する一対
    の対向する絶縁基板と、前記一対の絶縁基板の対向面の
    それぞれに形成される一対の配向膜と、前記一対の配向
    膜間に挟持されて前記一対の絶縁基板の対向間隙を一定
    に保持するスペーサおよび液晶組成物と、画素電極と基
    準電極の間に発生する電界によって液晶分子の光透過率
    を制御する液晶表示装置において、 前記遮光手段が1または複数の画素を囲む格子状に配置
    され、前記スペーサが前記格子状の遮光手段で遮光され
    る部分内に配置されていることを特徴とする液晶表示装
    置。
  2. 【請求項2】 前記スペーサが前記格子状に配置された
    遮光手段の幅方向の中心部から変位した位置に配置され
    ていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装
    置。
  3. 【請求項3】 前記画素電極と基準電極が一方の絶縁基
    板上に形成され、他方の絶縁基板上には前記配向膜とは
    異なる少なくとも1種の有機膜を有し、前記スペーサが
    前記有機膜または前記配向膜と同一材料で一体もしくは
    別体に形成されていることを特徴とする請求項1に記載
    の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 前記有機膜がカラーフィルタ層またはそ
    の上層に成膜される平坦化膜、あるいはブラックマトリ
    クスの何れかと同一材料であることを特徴とする請求項
    3に記載の液晶表示装置。
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