JPH11214258A - Non-linear dielectric element - Google Patents
Non-linear dielectric elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば高輝度放電
灯（ＨＩＤランプ）の始動時のように高圧パルスを発生
させるのに好適に用いられる非線形誘電体素子に関し、
より詳細には、電極の改良により非線形特性が改善され
た非線形誘電体素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a nonlinear dielectric element suitably used for generating a high-voltage pulse, for example, when starting a high-intensity discharge lamp (HID lamp).
More specifically, the present invention relates to a nonlinear dielectric element in which nonlinear characteristics are improved by improving electrodes.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、高輝度を実現するランプとして上
記ＨＩＤランプが用いられている。この種のＨＩＤラン
プには、高圧ナトリウムランプやメタルハライドランプ
のように、始動時に１〜４ｋＶ程度の高圧パルスを必要
とするものがある。そこで、この種のＨＩＤランプで
は、高圧パルスを発生させるために、非線形特性を有す
るコンデンサが組み込まれている。2. Description of the Related Art Conventionally, the above-mentioned HID lamp has been used as a lamp for realizing high luminance. Some HID lamps of this type require a high-pressure pulse of about 1 to 4 kV at startup, such as a high-pressure sodium lamp or a metal halide lamp. Therefore, in this type of HID lamp, a capacitor having non-linear characteristics is incorporated in order to generate a high-voltage pulse.
【０００３】例えば、特公平５−８７９４０号公報に
は、上記高圧パルスを発生させるための非線形コンデン
サが内蔵された高圧放電ランプが開示されている。この
先行技術に記載の非線形コンデンサの構造を、図３に示
す。For example, Japanese Patent Publication No. 5-87940 discloses a high-pressure discharge lamp having a built-in nonlinear capacitor for generating the high-voltage pulse. FIG. 3 shows the structure of the nonlinear capacitor described in the prior art.
【０００４】コンデンサ５１は、チタン酸バリウム系セ
ラミックスよりなるセラミック板５２の両面に、電極５
３，５４を形成した構造を有する。電極５３，５４の中
央には、接合材５５ａ，５５ｂを介してリード端子５
６，５７が接合されている。また、リード端子５６，５
７が引き出されている部分を除いて全体が、ガラスペー
ストを塗布し、焼き付けることにより形成されたガラス
被覆層５８により被覆されている。[0004] A capacitor 51 has electrodes 5 on both sides of a ceramic plate 52 made of barium titanate-based ceramics.
3, 54 are formed. In the center of the electrodes 53 and 54, the lead terminals 5 are connected via bonding materials 55a and 55b.
6, 57 are joined. Also, the lead terminals 56 and 5
Except for the portion from which 7 is drawn out, the whole is covered with a glass coating layer 58 formed by applying and baking a glass paste.
【０００５】上記電極５３，５４は、Ａｇ粉末、並びに
ホウ珪酸ガラスやホウ珪酸鉛ガラスを含む導電ペースト
を塗布し、焼き付けることにより形成されている。しか
しながら、上述した従来の非線形コンデンサ５１では、
チタン酸バリウム系セラミックスよりなるセラミック板
５２が本来持っている非線形特性を十分に引き出すこと
ができないという問題があった。これは、電極５３，５
４の形成に用いられている導電ペースト中のガラスフリ
ットが、電極焼き付け時にセラミック板５２に拡散し、
セラミック板５２の非線形特性を低下させているためと
考えられる。The electrodes 53 and 54 are formed by applying and baking a conductive paste containing Ag powder and borosilicate glass or lead borosilicate glass. However, in the above-described conventional nonlinear capacitor 51,
There has been a problem that the nonlinear characteristics inherent in the ceramic plate 52 made of barium titanate-based ceramics cannot be sufficiently brought out. These are the electrodes 53,5
The glass frit in the conductive paste used for forming 4 diffuses into the ceramic plate 52 at the time of electrode baking,
This is probably because the non-linear characteristics of the ceramic plate 52 were reduced.
【０００６】他方、特開昭６１−２１２００９号公報に
は、ガラスフリットを用いないで電極を形成してなる高
電圧パルス発生用コンデンサが開示されている。ここで
は、誘電体セラミック板の両面に、Ｎｉを無電解メッキ
することにより電極が形成されている。従って、ガラス
フリットの拡散に起因する非線形特性の低下が生じ難い
と考えられる。On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-212009 discloses a capacitor for generating a high-voltage pulse in which electrodes are formed without using a glass frit. Here, electrodes are formed on both surfaces of the dielectric ceramic plate by electroless plating Ni. Therefore, it is considered that the non-linear characteristic is hardly reduced due to the diffusion of the glass frit.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６１−２１２００９号公報に開示されている高電圧パル
ス発生用コンデンサでは、電極の形成に際し無電解メッ
キを用いているため、メッキ液の残渣がセラミックス中
に侵入し、信頼性を低下させるおそれがあった。However, in the capacitor for generating a high-voltage pulse disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-212009, electroless plating is used for forming the electrodes, so that the residue of the plating solution is reduced. There is a risk of infiltration into ceramics and lowering of reliability.
【０００８】本発明の目的は、上述した先行技術の欠点
を解消し、非線形特性を有する誘電体セラミックスの非
線形特性を十分に引き出すことができ、良好な非線形特
性を示し、かつ信頼性に優れた非線形誘電体素子を提供
することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art, to sufficiently derive the nonlinear characteristics of dielectric ceramics having nonlinear characteristics, to exhibit good nonlinear characteristics, and to have excellent reliability. An object of the present invention is to provide a nonlinear dielectric element.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、電界−電荷特性においてヒステリシスを示す非線形
誘電体素子であって、非線形特性を示す誘電体セラミッ
クスよりなる誘電体と、前記誘電体の第１，第２の面に
それぞれ形成された第１，第２の電極とを備え、前記第
１，第２の電極が、薄膜形成法により形成された金属膜
により構成されていることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a non-linear dielectric element exhibiting hysteresis in electric field-charge characteristics, wherein the dielectric comprises dielectric ceramics exhibiting non-linear characteristics; And first and second electrodes respectively formed on the first and second surfaces of the first and second surfaces, wherein the first and second electrodes are formed of a metal film formed by a thin film forming method. Features.
【００１０】請求項２に記載の発明では、上記金属膜
が、スパッタリング、蒸着またはイオンプレーティング
により形成されている。請求項３に記載の発明は、上記
非線形誘電体素子が、高圧パルス発生用コンデンサであ
ることを特徴とする。[0010] In the second aspect of the present invention, the metal film is formed by sputtering, vapor deposition, or ion plating. The invention according to claim 3 is characterized in that the nonlinear dielectric element is a high-voltage pulse generating capacitor.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の非線形誘電体素
子の一実施例を示す側面図である。非線形誘電体素子１
は、Ｌ形高圧ナトリウムランプにおける高圧パルス発生
用コンデンサとして用いられるものである。本用途で
は、コンデンサは、３００℃程度の温度、及び１×１０
-5ｔｏｒｒ程度の真空度にさらされる。FIG. 1 is a side view showing one embodiment of the nonlinear dielectric element of the present invention. Nonlinear dielectric element 1
Is used as a high-pressure pulse generating capacitor in an L-type high-pressure sodium lamp. In this application, the capacitor is at a temperature of about 300 ° C. and 1 × 10
It is exposed to a vacuum of about -5 torr.
【００１２】非線形誘電体素子１は、非線形特性を示す
誘電体セラミックスよりなる板状の誘電体２を用いて構
成されている。なお、本明細書において、非線形特性と
は、電界−電荷特性においてヒステリシスを示す特性を
いうものとする。上記誘電体２は、このような非線形特
性を発揮し得る適宜の誘電体セラミックスにより構成さ
れるが、例えば、チタン酸バリウム系セラミック材料を
好適に用いることができる。The nonlinear dielectric element 1 is formed using a plate-shaped dielectric 2 made of dielectric ceramics exhibiting nonlinear characteristics. In this specification, the non-linear characteristic means a characteristic showing hysteresis in electric field-charge characteristics. The dielectric 2 is made of an appropriate dielectric ceramic capable of exhibiting such non-linear characteristics. For example, a barium titanate-based ceramic material can be suitably used.
【００１３】誘電体２の第１の面としての上面２ａ上に
第１の電極３が、第２の面としての下面２ｂ上に第２の
電極４が形成されている。本実施例の非線形誘電体素子
１の特徴は、上記電極３，４が、薄膜形成法としてのス
パッタリングにより形成されている金属膜により構成さ
れていることにある。A first electrode 3 is formed on an upper surface 2a as a first surface of the dielectric 2, and a second electrode 4 is formed on a lower surface 2b as a second surface. The feature of the nonlinear dielectric element 1 of this embodiment is that the electrodes 3 and 4 are formed of a metal film formed by sputtering as a thin film forming method.
【００１４】本実施例の非線形誘電体素子１は、電極
３，４が上記金属膜により構成されているので、すなわ
ちガラスフリットを含有していないため十分な非線形特
性を発揮する。また、従来の無電解メッキにより電極を
形成する方法では、メッキ液の残渣により信頼性が低下
するおそれがあったのに対し、本実施例では、乾式薄膜
形成法により電極が形成されているので、誘電体２の劣
化が生じ難く、従って信頼性も高められる。これを、具
体的な実験例に基づき説明する。The nonlinear dielectric element 1 of this embodiment exhibits sufficient nonlinear characteristics because the electrodes 3 and 4 are made of the above-mentioned metal film, that is, they do not contain glass frit. Also, in the conventional method of forming an electrode by electroless plating, the reliability may be reduced due to a residue of a plating solution, whereas in the present embodiment, the electrode is formed by a dry thin film forming method. In addition, the deterioration of the dielectric 2 hardly occurs, and therefore, the reliability is also improved. This will be described based on specific experimental examples.
【００１５】非線形特性を示す誘電体材料として、チタ
ン酸バリウム系セラミック粉末を乾式プレスし、焼成す
ることにより、直径１８ｍｍ×厚さ１ｍｍの円板状の誘
電体２を作製した。この誘電体２の両面に、スパッタリ
ングにより直径１７ｍｍの電極３，４を形成した。な
お、電極３，４をスパッタリングにより形成するにあた
っては、最初にＣｕ−Ｎｉ合金膜をスパッタリングによ
り形成し、次に、スパッタリングによりＣｕ−Ｎｉ膜上
にＡｇ膜を形成した。すなわち、スパッタリングにより
２層構造の金属膜を形成し、電極３，４を形成し、実施
例の非線形誘電体素子を作製した。As a dielectric material exhibiting non-linear characteristics, a barium titanate-based ceramic powder was dry-pressed and fired to produce a disk-shaped dielectric 2 having a diameter of 18 mm and a thickness of 1 mm. Electrodes 3 and 4 having a diameter of 17 mm were formed on both surfaces of the dielectric 2 by sputtering. In forming the electrodes 3 and 4 by sputtering, first, a Cu-Ni alloy film was formed by sputtering, and then, an Ag film was formed on the Cu-Ni film by sputtering. That is, a metal film having a two-layer structure was formed by sputtering, electrodes 3 and 4 were formed, and the nonlinear dielectric element of the example was manufactured.
【００１６】また、比較のために、上記実施例の非線形
誘電体素子で用いたのと同じ誘電体２の両面に、Ａｇ粉
末１００体積％に対し、下記の表１に示す種々のガラス
フリットを下記の表１に示すように３体積％または５体
積％配合してなる導電ペーストを印刷し、８５０℃にて
焼き付け、比較例１〜１４の非線形誘電体素子を作製し
た。For comparison, various glass frits shown in Table 1 below were used on both sides of the same dielectric 2 as used in the nonlinear dielectric element of the above embodiment, with respect to 100% by volume of Ag powder. As shown in Table 1 below, a conductive paste containing 3% by volume or 5% by volume was printed and baked at 850 ° C. to produce nonlinear dielectric elements of Comparative Examples 1 to 14.
【００１７】上記のようにして得られた非線形誘電体素
子について、図２に示す回路を用いて発生パルス電圧を
測定した。すなわち、図２に示す回路では、電源１１に
直列に４００Ｗの高圧水銀ランプ用安定器１２が接続さ
れており、該高圧水銀ランプ用安定器１２の後段に、非
線形誘電体素子１及びブレークオーバー電圧１５０Ｖの
半導体スイッチ１３が接続されている。また、Ｖは電圧
計を示す。The generated pulse voltage of the nonlinear dielectric element obtained as described above was measured using the circuit shown in FIG. That is, in the circuit shown in FIG. 2, a 400 W high-pressure mercury lamp ballast 12 is connected in series with a power supply 11, and a nonlinear dielectric element 1 and a breakover voltage are provided after the high-pressure mercury lamp ballast 12. A 150 V semiconductor switch 13 is connected. V indicates a voltmeter.
【００１８】実施例及び比較例１〜１４の各非線形誘電
体素子１を図２に示したように接続し、発生パルス電圧
を測定したところ、下記の表１に示す結果が得られた。Each of the nonlinear dielectric elements 1 of Examples and Comparative Examples 1 to 14 was connected as shown in FIG. 2 and the generated pulse voltage was measured. The results shown in Table 1 below were obtained.
【００１９】[0019]
【表１】 [Table 1]
【００２０】表１から明らかなように、各種ガラスフリ
ットを含む導電ペーストを塗布し、焼き付けることによ
り電極を形成した比較例１〜１４の非線形誘電体素子で
は、ガラスフリットの種類により異なるものの、ガラス
フリットの含有割合が高くなる程パルス電圧が低くな
り、ガラスフリット成分による特性の低下が見られた。As is apparent from Table 1, the nonlinear dielectric elements of Comparative Examples 1 to 14 in which electrodes were formed by applying and baking a conductive paste containing various glass frit, although different depending on the type of glass frit, The higher the content ratio of the frit, the lower the pulse voltage, and a decrease in characteristics due to the glass frit component was observed.
【００２１】これに対して、実施例の非線形誘電体素子
では、ガラスフリットを用いずに、スパッタリングによ
り電極３，４を形成しているため、パルス電圧が著しく
高められている。On the other hand, in the nonlinear dielectric element of the embodiment, since the electrodes 3 and 4 are formed by sputtering without using a glass frit, the pulse voltage is significantly increased.
【００２２】従って、上記実施例から明らかなように、
スパッタリングにより形成された金属膜、すなわちガラ
スフリットを含まない薄膜形成法により形成された金属
膜を用いることにより、誘電体２の非線形特性を十分に
発揮させることができ、大きなパルス電圧を得ることが
できる非線形誘電体素子を提供し得ることがわかる。Therefore, as is apparent from the above embodiment,
By using a metal film formed by sputtering, that is, a metal film formed by a thin film formation method that does not include glass frit, the nonlinear characteristics of the dielectric 2 can be sufficiently exhibited, and a large pulse voltage can be obtained. It can be seen that a non-linear dielectric element that can be provided can be provided.
【００２３】なお、上述した実験例では、Ｃｕ−Ｎｉ合
金膜とＡｇ膜との２層構造を有する電極３，４を形成し
たが、電極３，４は、単一層で構成されていてもよく、
あるいは３層以上の薄膜形成法により形成された金属膜
を積層した構造であってもよい。また、電極を構成する
金属材料についても、Ｃｕ−Ｎｉ、Ａｇに限定されず、
Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆ
ｅ−Ｎｉなど種々の金属材料を用いることができる。も
っとも、Ｌ形高圧ナトリウムランプの始動用に用いられ
る高圧パルス発生用コンデンサでは、前述した通り３０
０℃程度の高温にさらされるため、このような高温にさ
らされる用途に用いる場合には、電極３，４はＡｇやＮ
ｉなどの耐熱性に優れた金属材料により形成することが
好ましい。Although the electrodes 3 and 4 having the two-layer structure of the Cu—Ni alloy film and the Ag film were formed in the above-described experimental example, the electrodes 3 and 4 may be formed of a single layer. ,
Alternatively, a structure in which three or more metal films formed by a thin film formation method are stacked may be used. Also, the metal material constituting the electrode is not limited to Cu-Ni or Ag,
Cu, Ni, Al, Cr, Fe, Co, Ni-Cr, F
Various metal materials such as e-Ni can be used. However, in the capacitor for generating a high-pressure pulse used for starting the L-type high-pressure sodium lamp, as described above, 30
Since the electrodes 3 and 4 are exposed to a high temperature of about 0 ° C., and are used for applications exposed to such a high temperature, the electrodes 3 and 4 are made of Ag or N 2.
It is preferably formed of a metal material having excellent heat resistance such as i.
【００２４】また、電極３，４をＡｇで構成した場合に
は、電極間マイグレーションを防止するために、Ａｇよ
りなる金属膜よりも径の大きな他の金属膜上にＡｇ膜を
積層した構造とすることが望ましい。When the electrodes 3 and 4 are made of Ag, a structure in which an Ag film is laminated on another metal film having a larger diameter than the metal film made of Ag is used to prevent migration between the electrodes. It is desirable to do.
【００２５】また、上述した実施例では、電極３，４
を、スパッタリングにより形成したが、スパッタリング
に代えて、蒸着やイオンプレーティングなどの他の乾式
薄膜形成法により電極３，４を形成してもよい。すなわ
ち、本発明は、上記のような乾式薄膜形成法により形成
された金属膜により電極を構成することにより、ガラス
フリットの使用に基づく非線形特性の低下を防止したこ
とに特徴を有するものであり、従って、蒸着やイオンプ
レーティングなどの他の乾式薄膜形成法を用いて電極
３，４を形成してもよい。In the above-described embodiment, the electrodes 3, 4
Was formed by sputtering, but instead of sputtering, the electrodes 3 and 4 may be formed by another dry thin film forming method such as vapor deposition or ion plating. That is, the present invention is characterized in that the electrode is constituted by the metal film formed by the dry thin film forming method as described above, thereby preventing the non-linear characteristic from being reduced due to the use of the glass frit, Therefore, the electrodes 3 and 4 may be formed using other dry thin film forming methods such as vapor deposition and ion plating.
【００２６】また、図１では、誘電体２の両面に電極
３，４を形成したが、電極３，４を形成した後に、従来
の非線形コンデンサ５１と同様に絶縁ガラス層等を形成
したり、あるいはリード端子等を接合してもよく、その
場合であっても、電極３，４が既に誘電体２に接合され
ているため、良好な非線形特性を発揮し得る非線形誘電
体素子とすることができる。In FIG. 1, the electrodes 3 and 4 are formed on both surfaces of the dielectric 2, but after the electrodes 3 and 4 are formed, an insulating glass layer or the like is formed in the same manner as the conventional nonlinear capacitor 51. Alternatively, a lead terminal or the like may be joined. Even in this case, since the electrodes 3 and 4 are already joined to the dielectric 2, a non-linear dielectric element capable of exhibiting good non-linear characteristics can be obtained. it can.
【００２７】[0027]
【発明の効果】請求項１に記載の発明に係る非線形誘電
体素子では、非線形特性を示す誘電体セラミックスより
なる誘電体の第１，第２の面に形成される第１，第２の
電極が、薄膜形成法により形成された金属膜により構成
されているので、誘電体の非線形特性を十分に発揮させ
ることができ、良好な非線形特性を発揮し得る非線形誘
電体素子を提供することができる。すなわち、従来の導
電ペーストを用いて電極を形成してなる非線形コンデン
サでは、含有されているガラスフリットにより非線形特
性が低下するのに対し、請求項１に記載の発明に係る非
線形誘電体素子では、ガラスフリットを使用しないた
め、ガラスフリットに起因する非線形特性の低下を防止
することができる。In the nonlinear dielectric element according to the first aspect of the present invention, the first and second electrodes formed on the first and second surfaces of a dielectric made of dielectric ceramics exhibiting nonlinear characteristics. However, since it is composed of a metal film formed by a thin film forming method, it is possible to sufficiently exhibit the nonlinear characteristics of the dielectric, and to provide a nonlinear dielectric element capable of exhibiting good nonlinear characteristics. . That is, in the conventional nonlinear capacitor in which the electrode is formed using the conductive paste, the nonlinear characteristic is reduced by the glass frit contained therein, whereas in the nonlinear dielectric element according to the invention of claim 1, Since no glass frit is used, it is possible to prevent a decrease in nonlinear characteristics caused by the glass frit.
【００２８】加えて、従来の無電解メッキにより電極を
形成した非線形コンデンサでは、メッキ液残渣により、
誘電体セラミックスが劣化するおそれがあったのに対
し、請求項１に記載の発明に係る非線形誘電体素子で
は、乾式薄膜形成法により電極が形成されているので、
このような誘電体の劣化も生じ難い。従って、信頼性に
優れた非線形誘電体素子を提供することができる。In addition, in a conventional non-linear capacitor in which electrodes are formed by electroless plating, a plating solution residue causes
In contrast to the possibility that the dielectric ceramics deteriorates, in the nonlinear dielectric element according to the first aspect of the present invention, since the electrodes are formed by a dry thin film forming method,
Such deterioration of the dielectric is unlikely to occur. Therefore, a highly reliable nonlinear dielectric element can be provided.
【００２９】請求項３に記載の発明では、良好な非線形
特性を利用して、例えばＨＩＤランプの始動に用いられ
るような高圧パルスを発生することが求められる用途に
最適な高圧パルス発生用コンデンサを提供することがで
きる。According to the third aspect of the present invention, a capacitor for generating a high-voltage pulse which is optimum for generating a high-voltage pulse, for example, used for starting an HID lamp by utilizing good nonlinear characteristics, is provided. Can be provided.
【図１】本発明の一実施例に係る非線形誘電体素子を示
す側面図。FIG. 1 is a side view showing a nonlinear dielectric element according to one embodiment of the present invention.
【図２】実験例において非線形誘電体素子を評価するた
めに構成した回路を説明するための回路図。FIG. 2 is a circuit diagram for explaining a circuit configured to evaluate a nonlinear dielectric element in an experimental example.
【図３】従来の非線形コンデンサを説明するための断面
図。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a conventional nonlinear capacitor.
１…非線形誘電体素子 ２…誘電体 ３，４…電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Nonlinear dielectric element 2 ... Dielectric 3, 4 ... Electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村田 誠 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Makoto Murata 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto Pref. Murata Manufacturing Co., Ltd.
Claims (3)
示す非線形誘電体素子であって、 非線形特性を示す誘電体セラミックスよりなる誘電体
と、 前記誘電体の第１，第２の面にそれぞれ形成された第
１，第２の電極とを備え、 前記第１，第２の電極が、薄膜形成法により形成された
金属膜により構成されていることを特徴とする非線形誘
電体素子。1. A non-linear dielectric element exhibiting hysteresis in electric field-charge characteristics, comprising: a dielectric made of dielectric ceramics exhibiting non-linear characteristics; and a dielectric formed on first and second surfaces of the dielectric, respectively. A nonlinear dielectric element comprising: first and second electrodes, wherein the first and second electrodes are formed of a metal film formed by a thin film forming method.
たはイオンプレーティングにより形成されていることを
特徴とする請求項１に記載の非線形誘電体素子。2. The nonlinear dielectric device according to claim 1, wherein the metal film is formed by sputtering, vapor deposition, or ion plating.
項１または２に記載の非線形誘電体素子。3. The nonlinear dielectric element according to claim 1, which is a capacitor for generating a high-voltage pulse.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1162298A JP3596266B2 (en) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | Nonlinear dielectric element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1162298A JP3596266B2 (en) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | Nonlinear dielectric element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214258A true JPH11214258A (en) | 1999-08-06 |
| JP3596266B2 JP3596266B2 (en) | 2004-12-02 |
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ID=11783030
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1162298A Expired - Fee Related JP3596266B2 (en) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | Nonlinear dielectric element |
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|---|---|
| JP (1) | JP3596266B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1016869C2 (en) * | 1999-12-27 | 2005-07-05 | Murata Manufacturing Co | Capacitor. |
| JP2008226670A (en) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Akita Univ | Copper-nickel-containing paste, laminated ceramic electronic component, and manufacturing method of copper-nickel-containing paste |
-
1998
- 1998-01-23 JP JP1162298A patent/JP3596266B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP3596266B2 (en) | 2004-12-02 |
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