JPH11205012A - High frequency circuit - Google Patents

High frequency circuit

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JPH11205012A
JPH11205012A JP10005329A JP532998A JPH11205012A JP H11205012 A JPH11205012 A JP H11205012A JP 10005329 A JP10005329 A JP 10005329A JP 532998 A JP532998 A JP 532998A JP H11205012 A JPH11205012 A JP H11205012A
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JP
Japan
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dielectric
conductor
chassis
microstrip
substrate
Prior art date
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Application number
JP10005329A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Sakura
武志 佐倉
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To simplify the attachment of a substrate in a high frequency circuit, to improve workability, to improve design accuracy and to attain stabilization of electrical characteristics by making a ground surface, where the high frequency return currents of first and second dielectric circuit parts are propagated, making then common to conductor chassises. SOLUTION: A dielectric substrate 4 provided with a microstrip conductor 3 on one side is fixed to a conductor chassis 1 by a dielectric adhesive agent 15, and the dielectric circuit part is formed. All the ground surface of first, second and third dielectric circuit parts consisting of the high frequency circuit are made common at the conductor chassis 1. Even if distortions occur on the conductor chassis due to temperature change, an atmospheric pressure change or the change of environment conditions such as vibration/impulses, the ground surface can always be kept at the same potential. In this case, since an impedance will not change, the electrical characteristics of the high frequency circuit are stabilized. The thickness of a dielectric layer 16 is set to be thin, if propagation frequency is increased.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、信号伝搬線路が
マイクロストリップ線路で構成される高周波回路に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency circuit in which a signal propagation line is constituted by a microstrip line.

【0002】[0002]

【従来の技術】図9(a)は従来の高周波回路を示す実
装視図、図9(b)は平面図、図10(a)は図9
(b)のA91−A91断面図、図10(b)は図9
(b)のA92−A92断面における電磁界分布図であ
る。これらの図において1は導体シャーシ、2は導体キ
ャリア、3はマイクロストリップ導体、4は誘電体基
板、5は導体ワイヤまたは導体リボン、6は接地導体、
7は半田または導電性接着剤、8はネジ、9は第1の高
周波回路モジュール、10は第2の高周波回路モジュー
ル、11は第3の高周波回路モジュールである。
2. Description of the Related Art FIG. 9A is a mounting view showing a conventional high-frequency circuit, FIG. 9B is a plan view, and FIG.
FIG. 10B is a sectional view taken along line A91-A91, and FIG.
It is an electromagnetic field distribution figure in A92-A92 section of (b). In these figures, 1 is a conductor chassis, 2 is a conductor carrier, 3 is a microstrip conductor, 4 is a dielectric substrate, 5 is a conductor wire or a ribbon, 6 is a ground conductor,
7 is a solder or conductive adhesive, 8 is a screw, 9 is a first high-frequency circuit module, 10 is a second high-frequency circuit module, and 11 is a third high-frequency circuit module.

【0003】次に動作について説明する。線路を構成す
るマイクロストリップ導体3を使用した高周波回路にお
ける高周波信号は、図10(b)に示すようにマイクロ
ストリップ導体3と接地導体6の間にある誘電率εの誘
電体基板中を電界と磁界が直交するTEM(Trans
verse Electomagnetic)モード伝
搬する。第2の高周波回路モジュール10のマイクロス
トリップ導体3は、第1の高周波回路モジュール9のマ
イクロストリップ導体3および第3の高周波回路モジュ
ール11のマイクロストリップ導体3と導体ワイヤまた
は導体リボン5により接続されていて、このマイクロス
トリップ導体3および導体ワイヤまたは導体リボン5上
を高周波信号電流が伝搬する。一方、第2の高周波回路
モジュール10の接地導体6は半田または導電性接着剤
7、導体キャリア2、高周波回路の共通の接地面となる
導体シャーシ1を介して高周波回路モジュール9の接地
導体6および第3の高周波回路モジュール11の接地導
体6と接続されていて、この接地導体6の部分を高周波
信号リターン電流が伝搬する。
Next, the operation will be described. A high-frequency signal in a high-frequency circuit using the microstrip conductor 3 constituting the line is converted into an electric field through a dielectric substrate having a dielectric constant ε between the microstrip conductor 3 and the ground conductor 6 as shown in FIG. TEM (Trans
(Vertical Electromagnetic) mode propagation. The microstrip conductor 3 of the second high-frequency circuit module 10 is connected to the microstrip conductor 3 of the first high-frequency circuit module 9 and the microstrip conductor 3 of the third high-frequency circuit module 11 by a conductor wire or a conductor ribbon 5. Thus, a high-frequency signal current propagates on the microstrip conductor 3 and the conductor wire or the conductor ribbon 5. On the other hand, the ground conductor 6 of the second high-frequency circuit module 10 is connected to the ground conductor 6 of the high-frequency circuit module 9 via the solder or conductive adhesive 7, the conductor carrier 2, and the conductor chassis 1 serving as a common ground plane for the high-frequency circuit. It is connected to the ground conductor 6 of the third high-frequency circuit module 11, and a high-frequency signal return current propagates through this ground conductor 6.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の高周波回路で
は、信号入出力端子がマイクロストリップ線路となる高
周波回路モジュールを製作し、それぞれのモジュールを
導体シャーシにネジ止めし、モジュール間を接続するこ
とで高周波回路を構成していた。この場合、高周波回路
の共通の接地面となる導体シャーシ1から高周波信号電
流が伝搬するマイクロストリップ線路3までの間には、
導体面である接地導体6と導体キャリア2が存在し、そ
れぞれ半田または導電性接着剤による接着およびネジ止
めによる圧着によって接地導体6と導体シャーシ1とを
同電位に保っていた。このように、それぞれの高周波モ
ジュールの接地導体6を高周波回路の共通の接地面とな
る導体シャーシ1と同電位に保とうとする構成では、回
路を構成するモジュールの導体キャリア2の裏面とキャ
リア取付部の導体シャーシ1の表面の面精度に限界があ
るため、温度変化、気圧変化、振動・衝撃等の環境条件
の変化により、導体キャリア2または導体シャーシ1に
歪みが生じて接地面積が変化し、接地導体6と高周波回
路の共通の接地面となる導体シャーシ1との間に一時的
に電位差が生じる。この場合、インピーダンスが変化す
るため高周波回路の性能として、出力電力変動、出力周
波数変動といった現象がおこり、要求性能を満足できな
いことがあった。また、半田付け不良により基板裏面に
メタライズされた接地導体6と導体キャリア2との間に
できる隙間での共振により設計時には予想できない損失
増加等の特性劣化を招く場合があった。
In a conventional high-frequency circuit, a high-frequency circuit module whose signal input / output terminal is a microstrip line is manufactured, each module is screwed to a conductor chassis, and the modules are connected to each other. A high frequency circuit was configured. In this case, between the conductor chassis 1 which is a common ground plane of the high-frequency circuit and the microstrip line 3 through which the high-frequency signal current propagates,
The ground conductor 6 and the conductor carrier 2 which are the conductor surfaces are present, and the ground conductor 6 and the conductor chassis 1 are maintained at the same potential by bonding with solder or a conductive adhesive and crimping with screws. As described above, in the configuration in which the ground conductor 6 of each high-frequency module is kept at the same potential as the conductor chassis 1 serving as a common ground plane of the high-frequency circuit, the back surface of the conductor carrier 2 of the module constituting the circuit and the carrier mounting portion Since the surface accuracy of the surface of the conductor chassis 1 has a limit, the conductor carrier 2 or the conductor chassis 1 is distorted due to a change in environmental conditions such as a temperature change, a pressure change, and vibration / shock, and a grounding area is changed. A potential difference is temporarily generated between the ground conductor 6 and the conductor chassis 1 serving as a common ground plane of the high-frequency circuit. In this case, since the impedance changes, phenomena such as output power fluctuation and output frequency fluctuation occur as the performance of the high frequency circuit, and the required performance may not be satisfied. In addition, due to resonance in a gap formed between the grounded conductor 6 metallized on the back surface of the substrate and the conductor carrier 2 due to poor soldering, there may be a case where characteristic deterioration such as an increase in loss that cannot be expected at the time of design is caused.

【0005】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、高周波回路における基板の取付け
を簡略化して作業性をよくし、設計精度を向上させ、高
周波回路の電気特性を安定化したものにすることを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and simplifies the mounting of a board in a high-frequency circuit, improves workability, improves design accuracy, and stabilizes the electrical characteristics of the high-frequency circuit. The purpose is to make it.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】第1の発明に係わる高周
波回路は、導体シャーシと、第1の誘電体基板と、上記
第1の誘電体基板の一方の面に設けた線路を構成するマ
イクロストリップ導体と、第2の誘電体基板と、上記第
2の誘電体基板の一方の面に設けた線路を構成するマイ
クロストリップ導体と、上記第1および第2の誘電体基
板とともに誘電体層を形成し上記導体シャーシに上記第
1および第2の誘電体基板を接着する誘電性接着剤と、
上記第1の誘電体基板、上記マイクロストリップ導体、
上記誘電性接着剤および上記導体シャーシからなる第1
の誘電体回路部と、上記第2の誘電体基板、上記マイク
ロストリップ導体、上記誘電性接着剤および上記導体シ
ャーシからなる第2の誘電体回路部とを具備し、上記第
1および第2の誘電体回路部の高周波信号リターン電流
が伝搬する接地面を上記導体シャーシで共通化したもの
である。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a high-frequency circuit comprising: a conductor chassis; a first dielectric substrate; and a microstructure forming a line provided on one surface of the first dielectric substrate. A strip conductor, a second dielectric substrate, a microstrip conductor forming a line provided on one surface of the second dielectric substrate, and a dielectric layer together with the first and second dielectric substrates. A dielectric adhesive for forming and bonding the first and second dielectric substrates to the conductor chassis;
The first dielectric substrate, the microstrip conductor,
A first member comprising the dielectric adhesive and the conductor chassis;
And a second dielectric circuit portion including the second dielectric substrate, the microstrip conductor, the dielectric adhesive, and the conductor chassis, and the first and second dielectric circuit portions. The ground plane through which the high-frequency signal return current of the dielectric circuit portion propagates is shared by the conductor chassis.

【0007】また、第2の発明に係わる高周波回路は、
導体シャーシと、第1の誘電体基板と、上記第1の誘電
体基板の一方の面に設けた線路を構成するマイクロスト
リップ導体と、第2の誘電体基板と、上記第2の誘電体
基板の一方の面に設けた線路を構成するマイクロストリ
ップ導体と、上記第1および第2の誘電体基板とともに
誘電体層を形成し上記導体シャーシに上記第1および第
2の誘電体基板を接着する誘電性接着剤と、上記第1お
よび第2の誘電体基板を上記導体シャーシに取り付ける
箇所に設けられた支持台と、上記第1の誘電体基板、上
記マイクロストリップ導体、上記誘電性接着剤および上
記導体シャーシからなる第1の誘電体回路部と、上記第
2の誘電体基板、上記マイクロストリップ導体、上記誘
電性接着剤および上記導体シャーシからなる第2の誘電
体回路部とを具備し、上記第1および第2の誘電体回路
部の高周波信号リターン電流が伝搬する接地面を上記導
体シャーシで共通化したものである。
Further, the high frequency circuit according to the second invention comprises:
A conductor chassis, a first dielectric substrate, a microstrip conductor constituting a line provided on one surface of the first dielectric substrate, a second dielectric substrate, and the second dielectric substrate Forming a dielectric layer together with the microstrip conductor constituting the line provided on one surface of the first and second dielectric substrates, and bonding the first and second dielectric substrates to the conductor chassis; A dielectric adhesive, a support provided at a location where the first and second dielectric substrates are attached to the conductor chassis, the first dielectric substrate, the microstrip conductor, the dielectric adhesive, A first dielectric circuit portion including the conductor chassis; and a second dielectric circuit portion including the second dielectric substrate, the microstrip conductor, the dielectric adhesive, and the conductor chassis. , In which the ground plane the first and the high-frequency signal return current of the second dielectric circuit portion propagates made common with the conductor chassis.

【0008】また、第3の発明に係わる高周波回路は、
導体シャーシと、第1の誘電体基板と、上記第1の誘電
体基板の一方の面に設けた線路を構成するマイクロスト
リップ導体と、第2の誘電体基板と、上記第2の誘電体
基板の一方の面に設けた線路を構成するマイクロストリ
ップ導体と、上記導体シャーシに上記第1および第2の
誘電体基板を接着する誘電性接着剤と、上記誘電性接着
剤を上記マイクロストリップ導体の真下を避けてつける
ことにより生じる空気層と、上記第1および第2の誘電
体基板と上記空気層により形成される誘電体層と、上記
第1の誘電体基板、上記マイクロストリップ導体、上記
空気層および上記導体シャーシからなる第1の誘電体回
路部と、上記第2の誘電体基板、上記マイクロストリッ
プ導体、上記空気層および上記導体シャーシからなる第
2の誘電体回路部とを具備し、上記第1および第2の誘
電体回路部の高周波信号リターン電流が伝搬する接地面
を上記導体シャーシで共通化したものである。
[0008] The high-frequency circuit according to the third invention comprises:
A conductor chassis, a first dielectric substrate, a microstrip conductor constituting a line provided on one surface of the first dielectric substrate, a second dielectric substrate, and the second dielectric substrate A microstrip conductor constituting a line provided on one surface of the microstrip conductor; a dielectric adhesive for bonding the first and second dielectric substrates to the conductor chassis; An air layer formed by avoiding a portion directly below, a dielectric layer formed by the first and second dielectric substrates and the air layer, the first dielectric substrate, the microstrip conductor, and the air A first dielectric circuit portion including a layer and the conductor chassis; and a second dielectric circuit portion including the second dielectric substrate, the microstrip conductor, the air layer, and the conductor chassis. Comprising a ground plane in which the first and the high-frequency signal return current of the second dielectric circuit portion is propagated is obtained by common with the conductor chassis.

【0009】また、第4の発明に係わる高周波回路は、
導体シャーシと、第1の誘電体フィルムと、上記第1の
誘電体フィルムの一方の面に設けた線路を構成するマイ
クロストリップ導体と、第2の誘電体フィルムと、上記
第2の誘電体フィルムの一方の面に設けた線路を構成す
るマイクロストリップ導体と、上記第1および第2の誘
電体フィルムとともに誘電体層を形成し上記導体シャー
シに上記第1および第2の誘電体フィルムを接着する誘
電性接着剤と、上記第1の誘電体フィルム、上記マイク
ロストリップ導体、上記誘電性接着剤および上記導体シ
ャーシからなる第1の誘電体回路部と、上記第2の誘電
体フィルム、上記マイクロストリップ導体、上記誘電性
接着剤および上記導体シャーシからなる第2の誘電体回
路部とを具備し、上記第1および第2の誘電体回路部の
高周波信号リターン電流が伝搬する接地面を上記導体シ
ャーシで共通化したものである。
A high-frequency circuit according to a fourth aspect of the present invention comprises:
A conductor chassis, a first dielectric film, a microstrip conductor constituting a line provided on one surface of the first dielectric film, a second dielectric film, and the second dielectric film Forming a dielectric layer together with the microstrip conductor constituting the line provided on one side of the first and second dielectric films, and bonding the first and second dielectric films to the conductor chassis; A first dielectric circuit portion including a dielectric adhesive, the first dielectric film, the microstrip conductor, the dielectric adhesive and the conductor chassis, a second dielectric film, and the microstrip A second dielectric circuit portion comprising a conductor, the dielectric adhesive, and the conductor chassis; The ground plane current propagates is obtained by common with the conductor chassis.

【0010】また、第5の発明に係わる高周波回路は、
導体シャーシと、第1の誘電体フィルムと、上記第1の
誘電体フィルムの一方の面に設けた線路を構成するマイ
クロストリップ導体と、第2の誘電体フィルムと、上記
第2の誘電体フィルムの一方の面に設けた線路を構成す
るマイクロストリップ導体と、上記第1および第2の誘
電体フィルムとともに誘電体層を形成し上記導体シャー
シに上記第1および第2の誘電体フィルムを接着する誘
電性接着剤と、上記第1および第2の誘電体フィルムを
上記導体シャーシに取り付ける箇所に設けられた支持台
と、上記第1の誘電体フィルム、上記マイクロストリッ
プ導体、上記誘電性接着剤および上記導体シャーシから
なる第1の誘電体回路部と、上記第2の誘電体フィル
ム、上記マイクロストリップ導体、上記誘電性接着剤お
よび上記導体シャーシからなる第2の誘電体回路部とを
具備し、上記第1および第2の誘電体回路部の高周波信
号リターン電流が伝搬する接地面を上記導体シャーシで
共通化したものである。
A high-frequency circuit according to a fifth aspect of the present invention comprises:
A conductor chassis, a first dielectric film, a microstrip conductor constituting a line provided on one surface of the first dielectric film, a second dielectric film, and the second dielectric film Forming a dielectric layer together with the microstrip conductor constituting the line provided on one side of the first and second dielectric films, and bonding the first and second dielectric films to the conductor chassis; A dielectric adhesive, a support provided at a location where the first and second dielectric films are attached to the conductor chassis, the first dielectric film, the microstrip conductor, the dielectric adhesive, A first dielectric circuit portion including the conductor chassis, the second dielectric film, the microstrip conductor, the dielectric adhesive, and the conductor shear; And a second dielectric circuit portion consisting of a ground plane in which the first and the high-frequency signal return current of the second dielectric circuit portion is propagated is obtained by common with the conductor chassis.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】実施の形態1.図1はこの発明の
実施の形態1を示す高周波回路を示す平面図、図2
(a)は図1のA11−A11断面図、図2(b)は図
1のA12−A12断面における電磁界分布図である。
これらの図において1は導体シャーシ、3はマイクロス
トリップ導体、4は誘電体基板、5は導体ワイヤまたは
導体リボン、12は第1の誘電体回路部、13は第2の
誘電体回路部、14は第3の誘電体回路部、15はたと
えばABLEBOND84−3のようなエポキシ系の誘
電性接着剤、16は誘電体層である。ここで、第1の誘
電体回路部12、第2の誘電体回路部13、第3の誘電
体回路部14は、それぞれ、誘電体基板4と誘電性接着
剤15から形成される誘電体層16、マイクロストリッ
プ導体3、導体シャーシ1により構成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 FIG. 1 is a plan view showing a high-frequency circuit according to Embodiment 1 of the present invention.
2A is a cross-sectional view taken along line A11-A11 of FIG. 1, and FIG. 2B is an electromagnetic field distribution diagram taken along line A12-A12 of FIG.
In these figures, 1 is a conductor chassis, 3 is a microstrip conductor, 4 is a dielectric substrate, 5 is a conductor wire or a ribbon, 12 is a first dielectric circuit section, 13 is a second dielectric circuit section, 14 Is a third dielectric circuit, 15 is an epoxy-based dielectric adhesive such as ABLEBOND 84-3, and 16 is a dielectric layer. Here, the first dielectric circuit unit 12, the second dielectric circuit unit 13, and the third dielectric circuit unit 14 are each a dielectric layer formed from the dielectric substrate 4 and the dielectric adhesive 15. 16, the microstrip conductor 3, and the conductor chassis 1.

【0012】この発明における高周波回路は、導体シャ
ーシ1に一方の面にマイクロストリップ導体3を設けた
誘電体基板4を誘電性接着剤15によって固定して形成
される誘電体回路部から構成される。この場合、高周波
回路の接地面となる導体シャーシ1から高周波信号電流
が伝搬するマイクロストリップ導体3までの間には、誘
電体基板4と誘電性接着剤15から形成される誘電体層
16のみとなり、構造上、導体面は存在しない。この
時、誘電体回路部における電磁界分布は、図2(b)の
ようになり、マイクロストリップ導体3と導体シャーシ
1との間にある誘電率ε1の誘電体基板と誘電率ε2の
誘電性接着剤15とで形成される誘電率ε3の誘電体層
16中を高周波信号がTEMモード伝搬する。したがっ
て、高周波回路を構成する第1の誘電体回路部12、第
2の誘電体回路部13、第3の誘電体回路部14の接地
面は全て導体シャーシ1で共通となり、温度変化、気圧
変化、振動・衝撃等の環境条件の変化により導体シャー
シ1に歪みが生じても接地面は常に同電位を保つことが
でき、インピーダンスは変化することがないため高周波
回路の電気特性は安定する。誘電体層16の厚みは、高
次モードへの結合防止から伝搬周波数が高くなれば、薄
くなるように設定し、また、より小型化を目指す場合に
は、波長短縮率が大きくなるように誘電率の高い誘電体
基板や接着剤を使用すれば良い。また、半田づけ不良に
より発生していた、接地導体6と導体キャリア2との隙
間での共振による設計時には予想できない損失増大など
の損失増加等の特性劣化も防ぐことができる。
The high-frequency circuit according to the present invention comprises a dielectric circuit portion formed by fixing a dielectric substrate 4 having a microstrip conductor 3 provided on one surface to a conductor chassis 1 with a dielectric adhesive 15. . In this case, only the dielectric substrate 4 and the dielectric layer 16 formed from the dielectric adhesive 15 are provided between the conductor chassis 1 serving as the ground plane of the high-frequency circuit and the microstrip conductor 3 through which the high-frequency signal current propagates. In terms of structure, there is no conductive surface. At this time, the electromagnetic field distribution in the dielectric circuit portion is as shown in FIG. 2B, and the dielectric substrate having a dielectric constant of ε1 between the microstrip conductor 3 and the conductor chassis 1 and the dielectric substrate having a dielectric constant of ε2 are provided. A high-frequency signal propagates in the TEM mode in a dielectric layer 16 having a dielectric constant ε3 formed by the adhesive 15. Therefore, the ground planes of the first dielectric circuit section 12, the second dielectric circuit section 13, and the third dielectric circuit section 14 that constitute the high-frequency circuit are all common to the conductor chassis 1, and the temperature change and the atmospheric pressure change Even if the conductor chassis 1 is distorted due to changes in environmental conditions such as vibration and shock, the ground plane can always maintain the same potential, and the impedance does not change, so that the electrical characteristics of the high-frequency circuit are stabilized. The thickness of the dielectric layer 16 is set so as to decrease as the propagation frequency increases in order to prevent coupling to higher-order modes. A high-permittivity dielectric substrate or an adhesive may be used. In addition, it is possible to prevent characteristic deterioration such as loss increase such as loss increase that cannot be expected at the time of design due to resonance in the gap between the ground conductor 6 and the conductor carrier 2 due to poor soldering.

【0013】実施の形態2.図3は上記実施の形態1に
おいて導体シャーシ1と誘電体基板4との間に支持台1
7を加えた場合の実施の形態2を示す図であり、図3
(a)は高周波回路を示す平面図、図3(b)は図3
(a)のA31−A31断面である。図において、17
はたとえばシャーシと同じ材質の支持台である。
Embodiment 2 FIG. FIG. 3 shows a support 1 between the conductor chassis 1 and the dielectric substrate 4 in the first embodiment.
7 is a diagram showing Embodiment 2 in the case of adding 7 and FIG.
3A is a plan view showing a high-frequency circuit, and FIG.
It is A31-A31 cross section of (a). In the figure, 17
Is a support base made of the same material as the chassis, for example.

【0014】この場合にも、高周波回路は、導体シャー
シ1に一方の面にマイクロストリップ導体3を設けた誘
電体基板4を誘電性接着剤15によって固定して形成さ
れる誘電体回路部から構成される。この場合、高周波回
路の接地面となる導体シャーシ1から高周波信号電流が
伝搬するマイクロストリップ導体3までの間には、誘電
体基板4と誘電性接着剤15から形成される誘電体層1
6のみとなり、構造上、導体面は存在しない。この時、
誘電体回路部における電磁界分布は、図2(b)のよう
になり、マイクロストリップ導体3と導体シャーシ1と
の間にある誘電率ε1の誘電体基板と誘電率ε2の誘電
性接着剤15とで形成される誘電率ε3の誘電体層16
中を高周波信号がTEMモード伝搬する。したがって、
高周波回路を構成する第1の誘電体回路部12、第2の
誘電体回路部13、第3の誘電体回路部14の接地面は
全て導体シャーシ1で共通となり、温度変化、気圧変
化、振動・衝撃等の環境条件の変化により導体シャーシ
1に歪みが生じても接地面は常に同電位を保つことがで
き、インピーダンスは変化することがないため高周波回
路の電気特性は安定する。誘電体層16の厚みは、高次
モードへの結合防止から伝搬周波数が高くなれば、薄く
なるように設定し、また、より小型化を目指す場合に
は、波長短縮率が大きくなるように誘電率の高い誘電体
基板や接着剤を使用すれば良い。また、半田づけ不良に
より発生していた、接地導体6と導体キャリア2との隙
間での共振による設計時には予想できない損失増大など
の損失増加等の特性劣化も防ぐことができる。
Also in this case, the high-frequency circuit comprises a dielectric circuit portion formed by fixing a dielectric substrate 4 having a microstrip conductor 3 provided on one surface to a conductor chassis 1 with a dielectric adhesive 15. Is done. In this case, the dielectric layer 1 formed from the dielectric substrate 4 and the dielectric adhesive 15 is provided between the conductor chassis 1 serving as the ground plane of the high-frequency circuit and the microstrip conductor 3 through which the high-frequency signal current propagates.
6 only, and there is no conductor surface in structure. At this time,
The electromagnetic field distribution in the dielectric circuit portion is as shown in FIG. 2B. The dielectric substrate having a dielectric constant of ε1 and the dielectric adhesive 15 having a dielectric constant of ε2 are located between the microstrip conductor 3 and the conductor chassis 1. And a dielectric layer 16 having a dielectric constant of ε3
A high frequency signal propagates in the TEM mode. Therefore,
The ground planes of the first dielectric circuit section 12, the second dielectric circuit section 13, and the third dielectric circuit section 14 that constitute the high-frequency circuit are all common to the conductor chassis 1, and the temperature change, atmospheric pressure change, vibration Even if distortion occurs in the conductor chassis 1 due to a change in environmental conditions such as impact, the ground plane can always maintain the same potential, and the impedance does not change, so that the electrical characteristics of the high-frequency circuit are stable. The thickness of the dielectric layer 16 is set so as to decrease as the propagation frequency increases in order to prevent coupling to higher-order modes. A high-permittivity dielectric substrate or an adhesive may be used. In addition, it is possible to prevent characteristic deterioration such as loss increase such as loss increase that cannot be expected at the time of design due to resonance in the gap between the ground conductor 6 and the conductor carrier 2 due to poor soldering.

【0015】また、実施の形態1と比較して、支持台1
7のために誘電性接着剤層の厚みを一定にすることがで
き、誘電性接着剤層のばらつきによるインピーダンスの
変化をなくすことができる。さらに、あらかじめ誘電性
接着剤15の誘電率ε2と支持台17の高さを考慮に入
れて選択すれば、誘電体基板4と誘電性接着剤15から
なる誘電体層の等価誘電率を変化させインピーダンスを
変えることもでき精度良く設計をすることが可能であ
る。
Further, as compared with the first embodiment,
7, the thickness of the dielectric adhesive layer can be made constant, and a change in impedance due to a variation in the dielectric adhesive layer can be eliminated. Furthermore, if the dielectric constant ε2 of the dielectric adhesive 15 and the height of the support 17 are selected in advance, the equivalent dielectric constant of the dielectric layer composed of the dielectric substrate 4 and the dielectric adhesive 15 is changed. The impedance can be changed, and the design can be performed with high accuracy.

【0016】実施の形態3.図4は上記実施の形態1に
おいて誘電性接着剤15をマイクロストリップ導体3の
真下を避けてつけた場合の実施の形態3を示す図であ
り、図4は高周波回路を示す平面図、図5(a)は図4
のA41−A41断面、図5(b)は図4のA42−A
42断面における電磁界分布図である。図において、1
8は空気層である。
Embodiment 3 FIG. 4 is a diagram showing a third embodiment in which the dielectric adhesive 15 is applied so as to avoid a portion directly below the microstrip conductor 3 in the first embodiment. FIG. 4 is a plan view showing a high-frequency circuit, and FIG. (A) is FIG.
5A is a cross section taken along line A41-A41 of FIG.
It is an electromagnetic field distribution figure in 42 cross sections. In the figure, 1
8 is an air layer.

【0017】この場合にも、高周波回路は、導体シャー
シ1に一方の面にマイクロストリップ導体3を設けた誘
電体基板4を誘電性接着剤15によって固定して形成さ
れる誘電体回路部から構成される。この場合、高周波回
路の接地面となる導体シャーシ1から高周波信号電流が
伝搬するマイクロストリップ導体3までの間には、誘電
体基板4と誘電性接着剤15から形成される誘電体層1
6のみとなり、構造上、導体面は存在しない。この時、
誘電体回路部における電磁界分布は、図5(b)のよう
になり、マイクロストリップ導体3と導体シャーシ1と
の間にある誘電率ε1の誘電体基板と誘電率ε4の空気
層18とで形成される誘電率ε5の誘電体層16中を高
周波信号がTEMモード伝搬する。したがって、高周波
回路を構成する第1の誘電体回路部12、第2の誘電体
回路部13、第3の誘電体回路部14の接地面は全て導
体シャーシ1で共通となり、温度変化、気圧変化、振動
・衝撃等の環境条件の変化により導体シャーシ1に歪み
が生じても接地面は常に同電位を保つことができ、イン
ピーダンスは変化することがないため高周波回路の電気
特性は安定する。
Also in this case, the high-frequency circuit comprises a dielectric circuit section formed by fixing a dielectric substrate 4 having a microstrip conductor 3 provided on one surface to a conductor chassis 1 with a dielectric adhesive 15. Is done. In this case, the dielectric layer 1 formed from the dielectric substrate 4 and the dielectric adhesive 15 is provided between the conductor chassis 1 serving as the ground plane of the high-frequency circuit and the microstrip conductor 3 through which the high-frequency signal current propagates.
6 only, and there is no conductor surface in structure. At this time,
The electromagnetic field distribution in the dielectric circuit portion is as shown in FIG. 5B. The dielectric substrate having a dielectric constant of ε1 between the microstrip conductor 3 and the conductor chassis 1 and the air layer 18 having a dielectric constant of ε4. A high-frequency signal propagates in the TEM mode in the formed dielectric layer 16 having a dielectric constant of ε5. Therefore, the ground planes of the first dielectric circuit section 12, the second dielectric circuit section 13, and the third dielectric circuit section 14 that constitute the high-frequency circuit are all common to the conductor chassis 1, and the temperature change and the atmospheric pressure change Even if the conductor chassis 1 is distorted due to changes in environmental conditions such as vibration and shock, the ground plane can always maintain the same potential, and the impedance does not change, so that the electrical characteristics of the high-frequency circuit are stabilized.

【0018】また、実施の形態1と比較して、高周波信
号が伝搬する時に電界が集中するマイクロストリップ線
路3の真下の接着層を比誘電率が1.0である空気層1
8とすることで誘電性接着剤層15により生じる誘電体
損を減らすことになる。
In comparison with the first embodiment, the adhesive layer immediately below the microstrip line 3 where the electric field concentrates when a high-frequency signal propagates is formed by the air layer 1 having a relative dielectric constant of 1.0.
By setting it to 8, the dielectric loss caused by the dielectric adhesive layer 15 is reduced.

【0019】実施の形態4.上記実施の形態1において
誘電体基板4の代わりに誘電体フィルム19とした場合
の実施の形態4を示す図であり、図6は高周波回路を示
す平面図、図7(a)は図6のA61−A61断面、図
7(b)は図6のA62−A62断面における電磁界分
布図である。図において、19はたとえばポリイミドフ
ィルムのような誘電体フィルムである。
Embodiment 4 FIG. 6 is a diagram showing a fourth embodiment in which a dielectric film 19 is used instead of the dielectric substrate 4 in the first embodiment, FIG. 6 is a plan view showing a high-frequency circuit, and FIG. FIG. 7B is a cross-sectional view of the electromagnetic field in the A61-A61 section, and FIG. 7B is an A62-A62 section of FIG. In the figure, reference numeral 19 denotes a dielectric film such as a polyimide film.

【0020】この場合の高周波回路は、導体シャーシ1
に一方の面にマイクロストリップ導体3を設けた誘電体
フィルム19を誘電性接着剤15によって固定して形成
される誘電体回路部から構成される。この場合、高周波
回路の接地面となる導体シャーシ1から高周波信号電流
が伝搬するマイクロストリップ導体3までの間には、誘
電体フィルム19と誘電性接着剤15から形成される誘
電体層16のみとなり、構造上、導体面は存在しない。
この時、誘電体回路部における電磁界分布は、図7
(b)のようになり、マイクロストリップ導体3と導体
シャーシ1との間にある誘電率ε6の誘電体フィルムと
誘電率ε2の誘電性接着剤15とで形成される誘電率ε
7の誘電体層16中を高周波信号がTEMモード伝搬す
る。したがって、高周波回路を構成する第1の誘電体回
路部12、第2の誘電体回路部13の接地面は全て導体
シャーシ1で共通となり、温度変化、気圧変化、振動・
衝撃等の環境条件の変化により導体シャーシ1に歪みが
生じても接地面は常に同電位を保つことができ、インピ
ーダンスは変化することがないため高周波回路の電気特
性は安定する。また、半田づけ不良により発生してい
た、接地導体6と導体キャリア2との隙間での共振によ
る設計時には予想できない損失増大などの損失増加等の
特性劣化も防ぐことができる。
In this case, the high-frequency circuit includes the conductor chassis 1
And a dielectric circuit portion formed by fixing a dielectric film 19 provided with a microstrip conductor 3 on one surface with a dielectric adhesive 15. In this case, only a dielectric layer 16 formed from the dielectric film 19 and the dielectric adhesive 15 is provided between the conductor chassis 1 serving as the ground plane of the high-frequency circuit and the microstrip conductor 3 through which the high-frequency signal current propagates. In terms of structure, there is no conductive surface.
At this time, the electromagnetic field distribution in the dielectric circuit portion is as shown in FIG.
(B), the dielectric constant ε formed by the dielectric film having the dielectric constant ε6 between the microstrip conductor 3 and the conductor chassis 1 and the dielectric adhesive 15 having the dielectric constant ε2.
The high-frequency signal propagates through the dielectric layer 16 in the TEM mode. Therefore, the ground planes of the first dielectric circuit section 12 and the second dielectric circuit section 13 constituting the high-frequency circuit are all common to the conductor chassis 1, and the temperature change, the atmospheric pressure change, the vibration and
Even if the conductor chassis 1 is distorted due to a change in environmental conditions such as impact, the ground plane can always maintain the same potential, and the impedance does not change, so that the electrical characteristics of the high-frequency circuit are stable. In addition, it is possible to prevent characteristic deterioration such as loss increase such as loss increase that cannot be expected at the time of design due to resonance in the gap between the ground conductor 6 and the conductor carrier 2 due to poor soldering.

【0021】また、実施の形態1と比較して、誘電体基
板4の代わりに誘電体フィルム19を使用することで、
基板の熱膨張係数により寸法制限を受けていた基板の大
きさについて考慮する必要が無くなり、フィルムの大き
さを大型化して複数の誘電体回路を同一フィルム上に作
製し、部品点数を削減することができるため、さらに組
立が簡略化でき、作業性が向上し、量産時のコストの大
幅な削減につながる。
Further, as compared with the first embodiment, by using the dielectric film 19 instead of the dielectric substrate 4,
It is no longer necessary to consider the size of the substrate, which had been limited in size by the coefficient of thermal expansion of the substrate, and the size of the film was increased to produce multiple dielectric circuits on the same film and reduce the number of components As a result, assembling can be further simplified, workability can be improved, and costs for mass production can be significantly reduced.

【0022】実施の形態5.図8は上記実施の形態2に
おいて誘電体基板4の代わりに誘電体フィルム19とし
た場合の実施の形態5を示す図であり、図8(a)は高
周波回路を示す平面図、図8(b)は図8(a)のA8
1−A81断面である。図において、19は誘電体フィ
ルムである。
Embodiment 5 FIG. 8 is a diagram showing a fifth embodiment in which a dielectric film 19 is used instead of the dielectric substrate 4 in the second embodiment. FIG. 8A is a plan view showing a high-frequency circuit, and FIG. b) is A8 in FIG.
It is 1-A81 cross section. In the figure, 19 is a dielectric film.

【0023】この場合の高周波回路は、導体シャーシ1
に一方の面にマイクロストリップ導体3を設けた誘電体
フィルム19を誘電性接着剤15によって固定して形成
される誘電体回路部から構成される。この場合、高周波
回路の接地面となる導体シャーシ1から高周波信号電流
が伝搬するマイクロストリップ導体3までの間には、誘
電体フィルム19と誘電性接着剤15から形成される誘
電体層16のみとなり、構造上、導体面は存在しない。
この時、誘電体回路部における電磁界分布は、図7
(b)のようになり、マイクロストリップ導体3と導体
シャーシ1との間にある誘電率ε6の誘電体フィルムと
誘電率ε2の誘電性接着剤15とで形成される誘電率ε
7の誘電体層16中を高周波信号がTEMモード伝搬す
る。したがって、高周波回路を構成する第1の誘電体回
路部12、第2の誘電体回路部13の接地面は全て導体
シャーシ1で共通となり、温度変化、気圧変化、振動・
衝撃等の環境条件の変化により導体シャーシ1に歪みが
生じても接地面は常に同電位を保つことができ、インピ
ーダンスは変化することがないため高周波回路の電気特
性は安定する。また、半田づけ不良により発生してい
た、接地導体6と導体キャリア2との隙間での共振によ
る設計時には予想できない損失増大などの損失増加等の
特性劣化も防ぐことができる。
In this case, the high-frequency circuit includes the conductor chassis 1
And a dielectric circuit portion formed by fixing a dielectric film 19 provided with a microstrip conductor 3 on one surface with a dielectric adhesive 15. In this case, only a dielectric layer 16 formed from the dielectric film 19 and the dielectric adhesive 15 is provided between the conductor chassis 1 serving as the ground plane of the high-frequency circuit and the microstrip conductor 3 through which the high-frequency signal current propagates. In terms of structure, there is no conductive surface.
At this time, the electromagnetic field distribution in the dielectric circuit portion is as shown in FIG.
(B), the dielectric constant ε formed by the dielectric film having the dielectric constant ε6 between the microstrip conductor 3 and the conductor chassis 1 and the dielectric adhesive 15 having the dielectric constant ε2.
The high-frequency signal propagates through the dielectric layer 16 in the TEM mode. Therefore, the ground planes of the first dielectric circuit section 12 and the second dielectric circuit section 13 constituting the high-frequency circuit are all common to the conductor chassis 1, and the temperature change, the atmospheric pressure change, the vibration and
Even if the conductor chassis 1 is distorted due to a change in environmental conditions such as impact, the ground plane can always maintain the same potential, and the impedance does not change, so that the electrical characteristics of the high-frequency circuit are stable. In addition, it is possible to prevent characteristic deterioration such as loss increase such as loss increase that cannot be expected at the time of design due to resonance in the gap between the ground conductor 6 and the conductor carrier 2 due to poor soldering.

【0024】また、実施の形態4と比較して、支持台1
7のために誘電性接着剤層の厚みを一定にすることがで
き、誘電性接着剤層のばらつきによるインピーダンスの
変化をなくすことができる。さらに、あらかじめ誘電性
接着剤15の誘電率ε2と支持台17の高さを考慮に入
れて選択すれば、誘電体フィルム19と誘電性接着剤1
5からなる誘電体層16の等価誘電率を変化させインピ
ーダンスを変えることもでき精度良く設計をすることが
可能である。
Further, as compared with the fourth embodiment, the support table 1
7, the thickness of the dielectric adhesive layer can be made constant, and a change in impedance due to a variation in the dielectric adhesive layer can be eliminated. Further, if the dielectric film 15 is selected in advance in consideration of the dielectric constant ε2 of the dielectric adhesive 15 and the height of the support base 17, the dielectric film 19 and the dielectric adhesive 1
The impedance can be changed by changing the equivalent permittivity of the dielectric layer 16 made of 5 and the design can be performed with high accuracy.

【0025】さらに、実施の形態2と比較して、誘電体
基板4の代わりに誘電体フィルム19を使用すること
で、基板の熱膨張係数により寸法制限を受けていた基板
の大きさについて考慮する必要が無くなり、フィルムの
大きさを大型化して複数の高周波集積回路を同一フィル
ム上に作製し、部品点数を削減することができるため、
さらに組立作業性が向上し、量産時のコストの大幅な削
減につながる。
Furthermore, by using the dielectric film 19 instead of the dielectric substrate 4 as compared with the second embodiment, the size of the substrate, which is limited in size by the thermal expansion coefficient of the substrate, is taken into consideration. This eliminates the need to increase the size of the film, making multiple high-frequency integrated circuits on the same film, and reducing the number of components.
Further, assembling workability is improved, which leads to a significant reduction in cost during mass production.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上のように第1の発明によれば、一方
の面にマイクロストリップ導体を有し、裏面に接地導体
を有しない誘電体基板を誘電性接着剤により導体シャー
シに取り付け、誘電体基板と誘電性接着剤により形成さ
れる誘電体層を高周波信号がTEMモード伝搬する層と
して利用した誘電体回路部を形成することで、高周波回
路の接地面を全て共通の導体シャーシにすることがで
き、接地面積の変動により発生するインピーダンス変動
をなくし、電気特性を安定したものにすることができ
る。
As described above, according to the first aspect of the invention, a dielectric substrate having a microstrip conductor on one surface and no ground conductor on the back surface is attached to a conductor chassis with a dielectric adhesive, By forming a dielectric circuit part using a dielectric layer formed by a body substrate and a dielectric adhesive as a layer in which a high-frequency signal propagates in a TEM mode, the ground plane of the high-frequency circuit is made a common conductor chassis. Therefore, it is possible to eliminate the impedance fluctuation caused by the fluctuation of the ground area and to stabilize the electric characteristics.

【0027】また、第2の発明によれば、支持台を設け
ることで、接着層の厚みを一定にし、接着層のばらつき
によるインピーダンスの変化をなくすことができる。さ
らに、あらかじめ接着剤の誘電率と支持台の高さを考慮
に入れて選択すれば、線路を構成するマイクロストリッ
プ導体のインピーダンスを変えることもでき精度良く設
計をすることができる。
According to the second aspect of the present invention, by providing the support, the thickness of the adhesive layer can be made constant, and the change in impedance due to the variation in the adhesive layer can be eliminated. Furthermore, if the dielectric constant of the adhesive and the height of the support base are selected in advance, the impedance of the microstrip conductor constituting the line can be changed, and the design can be performed with high accuracy.

【0028】また、第3の発明によれば、誘電体基板の
マイクロストリップ導体の真下に空気層を確保するよう
に、誘電性接着剤を塗布することで、誘電性接着剤層に
よる誘電体損を減らすことができる。
According to the third aspect of the present invention, the dielectric adhesive is applied so as to secure an air layer immediately below the microstrip conductor of the dielectric substrate, thereby reducing the dielectric loss caused by the dielectric adhesive layer. Can be reduced.

【0029】また、第4の発明によれば、誘電体基板を
誘電体フィルムにして、高周波回路をフィルム化するこ
とで、取り付け作業をより簡略化し、量産時のコストを
大幅に削減できるようにしたものである。
According to the fourth aspect of the present invention, since the dielectric substrate is made of a dielectric film and the high-frequency circuit is made into a film, the mounting operation can be simplified and the cost for mass production can be greatly reduced. It was done.

【0030】また、第5の発明によれば、設けられた支
持台の高さを選択して誘電性接着剤の厚みを制御するこ
とで、より精度の良い設計を可能にし、さらに、誘電体
基板を誘電体フィルムにして高周波回路をフィルム化す
ることで、取り付け作業をより簡略化し、量産時のコス
トを大幅に削減できるようにしたものである。
According to the fifth aspect of the present invention, the height of the support table provided is selected to control the thickness of the dielectric adhesive, so that a more accurate design can be achieved. By forming the high-frequency circuit into a film by using the substrate as a dielectric film, the mounting operation is further simplified, and the cost for mass production can be greatly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明による高周波回路の実施の形態1を
示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing Embodiment 1 of a high-frequency circuit according to the present invention.

【図2】 この発明による高周波回路の実施の形態1を
示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing Embodiment 1 of a high-frequency circuit according to the present invention.

【図3】 この発明による高周波回路の実施の形態2を
示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a high-frequency circuit according to a second embodiment of the present invention;

【図4】 この発明による高周波回路の実施の形態3を
示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a third embodiment of the high-frequency circuit according to the present invention.

【図5】 この発明による高周波回路の実施の形態3を
示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a third embodiment of the high-frequency circuit according to the present invention.

【図6】 この発明による高周波回路の実施の形態4を
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a fourth embodiment of the high-frequency circuit according to the present invention.

【図7】 この発明による高周波回路の実施の形態4を
示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a fourth embodiment of the high-frequency circuit according to the present invention.

【図8】 この発明による高周波回路の実施の形態5を
示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a fifth embodiment of the high-frequency circuit according to the present invention.

【図9】 従来の高周波回路における図である。FIG. 9 is a diagram of a conventional high-frequency circuit.

【図10】 従来の高周波回路における図である。FIG. 10 is a diagram of a conventional high-frequency circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 導体シャーシ、2 導体キャリア、3 マイクロス
トリップ導体、4 誘電体基板、5 導体ワイヤまたは
導体リボン、6 接地導体、7 半田または導電性接着
剤、8 ネジ、9 第1の高周波回路モジュール、10
第2の高周波回路モジュール、11 第3の高周波回
路モジュール、12 第1の誘電体回路部、13 第2
の誘電体回路部、14 第3の誘電体回路部、15 誘
電性接着剤、16 誘電体層、17 支持台、18 空
気層、19 誘電体フィルム。
REFERENCE SIGNS LIST 1 conductor chassis, 2 conductor carrier, 3 microstrip conductor, 4 dielectric substrate, 5 conductor wire or conductor ribbon, 6 ground conductor, 7 solder or conductive adhesive, 8 screw, 9 first high-frequency circuit module, 10
2nd high frequency circuit module, 11 3rd high frequency circuit module, 12 1st dielectric circuit section, 13 2nd
14 dielectric circuit portion, 15 third dielectric circuit portion, 15 dielectric adhesive, 16 dielectric layer, 17 support base, 18 air layer, 19 dielectric film.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導体シャーシと、第1の誘電体基板と、
上記第1の誘電体基板の一方の面に設けた線路を構成す
るマイクロストリップ導体と、第2の誘電体基板と、上
記第2の誘電体基板の一方の面に設けた線路を構成する
マイクロストリップ導体と、上記第1および第2の誘電
体基板とともに誘電体層を形成し上記導体シャーシに上
記第1および第2の誘電体基板を接着する誘電性接着剤
と、上記第1の誘電体基板、上記マイクロストリップ導
体、上記誘電性接着剤および上記導体シャーシからなる
第1の誘電体回路部と、上記第2の誘電体基板、上記マ
イクロストリップ導体、上記誘電性接着剤および上記導
体シャーシからなる第2の誘電体回路部とを具備し、上
記第1および第2の誘電体回路部の高周波信号リターン
電流が伝搬する接地面を上記導体シャーシで共通化した
ことを特徴とする高周波回路。
1. A conductor chassis, a first dielectric substrate,
A microstrip conductor forming a line provided on one surface of the first dielectric substrate; a second dielectric substrate; and a microstrip forming a line provided on one surface of the second dielectric substrate. A strip conductor, a dielectric adhesive for forming a dielectric layer together with the first and second dielectric substrates and adhering the first and second dielectric substrates to the conductor chassis, and the first dielectric A first dielectric circuit portion including a substrate, the microstrip conductor, the dielectric adhesive, and the conductor chassis; and a second dielectric substrate, the microstrip conductor, the dielectric adhesive, and the conductor chassis. And a ground plane through which the high-frequency signal return current of the first and second dielectric circuit sections propagates is shared by the conductor chassis. Frequency circuit.
【請求項2】 導体シャーシと、第1の誘電体基板と、
上記第1の誘電体基板の一方の面に設けた線路を構成す
るマイクロストリップ導体と、第2の誘電体基板と、上
記第2の誘電体基板の一方の面に設けた線路を構成する
マイクロストリップ導体と、上記第1および第2の誘電
体基板とともに誘電体層を形成し上記導体シャーシに上
記第1および第2の誘電体基板を接着する誘電性接着剤
と、上記第1および第2の誘電体基板を上記導体シャー
シに取り付ける箇所に設けられた支持台と、上記第1の
誘電体基板、上記マイクロストリップ導体、上記誘電性
接着剤および上記導体シャーシからなる第1の誘電体回
路部と、上記第2の誘電体基板、上記マイクロストリッ
プ導体、上記誘電性接着剤および上記導体シャーシから
なる第2の誘電体回路部とを具備し、上記第1および第
2の誘電体回路部の高周波信号リターン電流が伝搬する
接地面を上記導体シャーシで共通化したことを特徴とす
る高周波回路。
2. A conductor chassis, a first dielectric substrate,
A microstrip conductor forming a line provided on one surface of the first dielectric substrate; a second dielectric substrate; and a microstrip forming a line provided on one surface of the second dielectric substrate. A strip conductor, a dielectric adhesive for forming a dielectric layer together with the first and second dielectric substrates, and bonding the first and second dielectric substrates to the conductor chassis; and the first and second dielectric substrates. A support provided at a position where the dielectric substrate is attached to the conductor chassis, and a first dielectric circuit portion including the first dielectric substrate, the microstrip conductor, the dielectric adhesive, and the conductor chassis And a second dielectric circuit section comprising the second dielectric substrate, the microstrip conductor, the dielectric adhesive, and the conductor chassis, wherein the first and second dielectric circuit sections are provided. High frequency circuit, characterized in that the ground surface is shared by the conductor chassis high frequency signal return current propagates.
【請求項3】 導体シャーシと、第1の誘電体基板と、
上記第1の誘電体基板の一方の面に設けた線路を構成す
るマイクロストリップ導体と、第2の誘電体基板と、上
記第2の誘電体基板の一方の面に設けた線路を構成する
マイクロストリップ導体と、上記導体シャーシに上記第
1および第2の誘電体基板を接着する誘電性接着剤と、
上記誘電性接着剤を上記マイクロストリップ導体の真下
を避けてつけることにより生じる空気層と、上記第1お
よび第2の誘電体基板と上記空気層により形成される誘
電体層と、上記第1の誘電体基板、上記マイクロストリ
ップ導体、上記空気層および上記導体シャーシからなる
第1の誘電体回路部と、上記第2の誘電体基板、上記マ
イクロストリップ導体、上記空気層および上記導体シャ
ーシからなる第2の誘電体回路部とを具備し、上記第1
および第2の誘電体回路部の高周波信号リターン電流が
伝搬する接地面を上記導体シャーシで共通化したことを
特徴とする高周波回路。
3. A conductor chassis, a first dielectric substrate,
A microstrip conductor forming a line provided on one surface of the first dielectric substrate; a second dielectric substrate; and a microstrip forming a line provided on one surface of the second dielectric substrate. A strip conductor, a dielectric adhesive for bonding the first and second dielectric substrates to the conductor chassis,
An air layer formed by applying the dielectric adhesive so as to avoid right under the microstrip conductor; a dielectric layer formed by the first and second dielectric substrates and the air layer; A first dielectric circuit portion including the dielectric substrate, the microstrip conductor, the air layer, and the conductor chassis; and a second dielectric substrate including the second dielectric substrate, the microstrip conductor, the air layer, and the conductor chassis. And a second dielectric circuit unit.
And a ground plane through which the high frequency signal return current of the second dielectric circuit portion propagates is shared by the conductor chassis.
【請求項4】 導体シャーシと、第1の誘電体フィルム
と、上記第1の誘電体フィルムの一方の面に設けた線路
を構成するマイクロストリップ導体と、第2の誘電体フ
ィルムと、上記第2の誘電体フィルムの一方の面に設け
た線路を構成するマイクロストリップ導体と、上記第1
および第2の誘電体フィルムとともに誘電体層を形成し
上記導体シャーシに上記第1および第2の誘電体フィル
ムを接着する誘電性接着剤と、上記第1の誘電体フィル
ム、上記マイクロストリップ導体、上記誘電性接着剤お
よび上記導体シャーシからなる第1の誘電体回路部と、
上記第2の誘電体フィルム、上記マイクロストリップ導
体、上記誘電性接着剤および上記導体シャーシからなる
第2の誘電体回路部とを具備し、上記第1および第2の
誘電体回路部の高周波信号リターン電流が伝搬する接地
面を上記導体シャーシで共通化したことを特徴とする高
周波回路。
4. A conductor chassis, a first dielectric film, a microstrip conductor constituting a line provided on one surface of the first dielectric film, a second dielectric film, and a second dielectric film. A microstrip conductor constituting a line provided on one surface of the dielectric film of the second aspect,
A dielectric adhesive for forming a dielectric layer together with the second dielectric film and bonding the first and second dielectric films to the conductor chassis; the first dielectric film; the microstrip conductor; A first dielectric circuit portion including the dielectric adhesive and the conductor chassis;
A second dielectric film section comprising the second dielectric film, the microstrip conductor, the dielectric adhesive, and the conductor chassis; and a high-frequency signal of the first and second dielectric circuit sections. A high-frequency circuit wherein a ground plane through which a return current propagates is shared by the conductor chassis.
【請求項5】 導体シャーシと、第1の誘電体フィルム
と、上記第1の誘電体フィルムの一方の面に設けた線路
を構成するマイクロストリップ導体と、第2の誘電体フ
ィルムと、上記第2の誘電体フィルムの一方の面に設け
た線路を構成するマイクロストリップ導体と、上記第1
および第2の誘電体フィルムとともに誘電体層を形成し
上記導体シャーシに上記第1および第2の誘電体フィル
ムを接着する誘電性接着剤と、上記第1および第2の誘
電体フィルムを上記導体シャーシに取り付ける箇所に設
けられた支持台と、上記第1の誘電体フィルム、上記マ
イクロストリップ導体、上記誘電性接着剤および上記導
体シャーシからなる第1の誘電体回路部と、上記第2の
誘電体フィルム、上記マイクロストリップ導体、上記誘
電性接着剤および上記導体シャーシからなる第2の誘電
体回路部とを具備し、上記第1および第2の誘電体回路
部の高周波信号リターン電流が伝搬する接地面を上記導
体シャーシで共通化したことを特徴とする高周波回路。
5. A conductor chassis, a first dielectric film, a microstrip conductor constituting a line provided on one surface of the first dielectric film, a second dielectric film, and the second dielectric film. A microstrip conductor constituting a line provided on one surface of the dielectric film of the second aspect,
And a dielectric adhesive for forming a dielectric layer together with the second dielectric film and adhering the first and second dielectric films to the conductor chassis; and applying the first and second dielectric films to the conductor chassis. A support provided at a location to be attached to a chassis; a first dielectric circuit portion including the first dielectric film, the microstrip conductor, the dielectric adhesive, and the conductor chassis; A second dielectric circuit portion comprising a body film, the microstrip conductor, the dielectric adhesive, and the conductor chassis, and a high-frequency signal return current of the first and second dielectric circuit portions propagates. A high-frequency circuit wherein a ground plane is shared by the conductor chassis.
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