JPH11204425A - レチクル基板固定装置及び露光装置 - Google Patents
レチクル基板固定装置及び露光装置Info
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- JPH11204425A JPH11204425A JP10018001A JP1800198A JPH11204425A JP H11204425 A JPH11204425 A JP H11204425A JP 10018001 A JP10018001 A JP 10018001A JP 1800198 A JP1800198 A JP 1800198A JP H11204425 A JPH11204425 A JP H11204425A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】レチクルの平面度を維持すると共に、レチクル
ステージの駆動開始時においてもレチクルの位置ずれの
発生を防止し、良好な画像を得る。 【解決手段】レチクルステージ（５）がレチクルステー
ジ表面（５ａ）とほぼ平行にレチクル基板保持手段
（４）を支持し、レチクル基板保持手段（４）にはレチ
クル基板（３）のパターン面の裏面（３ｂ）を吸着する
吸着手段（２２）が形成され、吸着手段（２２）によっ
てレチクル基板のパターン面（３ａ）をレチクルステー
ジ（５）側に向けて保持し、レチクル基板のパターン面
（３ａ）がレチクルステージ表面（５ａ）上に配置され
た高さ基準手段（２０）上に載置されたことを特徴とす
るレチクル基板固定装置、及び露光装置である。
ステージの駆動開始時においてもレチクルの位置ずれの
発生を防止し、良好な画像を得る。 【解決手段】レチクルステージ（５）がレチクルステー
ジ表面（５ａ）とほぼ平行にレチクル基板保持手段
（４）を支持し、レチクル基板保持手段（４）にはレチ
クル基板（３）のパターン面の裏面（３ｂ）を吸着する
吸着手段（２２）が形成され、吸着手段（２２）によっ
てレチクル基板のパターン面（３ａ）をレチクルステー
ジ（５）側に向けて保持し、レチクル基板のパターン面
（３ａ）がレチクルステージ表面（５ａ）上に配置され
た高さ基準手段（２０）上に載置されたことを特徴とす
るレチクル基板固定装置、及び露光装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レチクルをレチク
ルステージに吸着固定するレチクル基板固定装置、及び
かかるレチクル基板固定装置を用いた露光装置に関す
る。
ルステージに吸着固定するレチクル基板固定装置、及び
かかるレチクル基板固定装置を用いた露光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイや半導体集積回路等の
製造は、レチクルやマスク等の投影原版（本明細書にお
いてレチクルと総称する。）上に形成された回路パター
ンを照明光学系で照明し、このパターンを投影光学系で
レジスト等の感光剤を塗布したガラスプレートやウエハ
等の感光性基板（本明細書においてウエハと総称す
る。）に結像転写する露光装置を用いて行われている。
製造は、レチクルやマスク等の投影原版（本明細書にお
いてレチクルと総称する。）上に形成された回路パター
ンを照明光学系で照明し、このパターンを投影光学系で
レジスト等の感光剤を塗布したガラスプレートやウエハ
等の感光性基板（本明細書においてウエハと総称す
る。）に結像転写する露光装置を用いて行われている。
【０００３】かかる露光装置にレチクルを載置するレチ
クル基板固定装置について説明する。従来のレチクル基
板固定装置の平面図を図４に示し、図４のＡＡ面におけ
る断面図を図５に示す。図４及び図５において、レチク
ル３１はレチクルステージ３３上に配置された吸着スタ
ンド３２ａ〜３２ｄ上に４隅を支持されて固定されてい
る。吸着スタンド３２ａ〜３２ｄは上部が円筒状に形成
され、吸着スタンド３２ａ〜３２ｄの中心軸には円筒内
部から空気を吸引するための細管が形成されている。そ
して細管は不図示のポンプに接続され、ポンプによって
吸引することによってレチクル３１を吸着スタンド３２
ａ〜３２ｄに吸着固定していた。
クル基板固定装置について説明する。従来のレチクル基
板固定装置の平面図を図４に示し、図４のＡＡ面におけ
る断面図を図５に示す。図４及び図５において、レチク
ル３１はレチクルステージ３３上に配置された吸着スタ
ンド３２ａ〜３２ｄ上に４隅を支持されて固定されてい
る。吸着スタンド３２ａ〜３２ｄは上部が円筒状に形成
され、吸着スタンド３２ａ〜３２ｄの中心軸には円筒内
部から空気を吸引するための細管が形成されている。そ
して細管は不図示のポンプに接続され、ポンプによって
吸引することによってレチクル３１を吸着スタンド３２
ａ〜３２ｄに吸着固定していた。
【０００４】また、レチクルステージ３３は４つのボー
ルベアリング３４を介してスキャンステージ３６上に載
置されている。さらにスキャンステージ３６は露光装置
本体基板４１に空気静圧軸受３７、３８で支持されると
共に、リニアモーター３９、４０によって図４の紙面
（ｘｙ座標）内においてｘ方向に往復移動可能に構成さ
れている。スキャンステージ３６を往復移動させること
で、レチクル３１をｘ方向にスキャン移動することが可
能である。
ルベアリング３４を介してスキャンステージ３６上に載
置されている。さらにスキャンステージ３６は露光装置
本体基板４１に空気静圧軸受３７、３８で支持されると
共に、リニアモーター３９、４０によって図４の紙面
（ｘｙ座標）内においてｘ方向に往復移動可能に構成さ
れている。スキャンステージ３６を往復移動させること
で、レチクル３１をｘ方向にスキャン移動することが可
能である。
【０００５】また、レチクルステージ３３の隣り合う直
交した２辺上に移動鏡４２、４３が配置されている。不
図示のレーザ干渉計からレーザビームを照射し、それぞ
れｙ方向、ｘ方向の位置を測定し、その測定値に基づい
てレチクルステージ３３の位置の制御を行っている。さ
らにレチクルステージ３３の隣り合う２辺のうちの一方
の辺の中央に第１ピエゾ３５ａが配置され、他方の辺の
両端部近傍に第２ピエゾ３５ｂ及び第３ピエゾ３５ｃが
配置されており、レチクルステージ３３とスキャンステ
ージ３６とはこれら３つのピエゾ３５ａ〜３５ｃを介し
て連結されている。そしてこれらのピエゾ３５ａ〜３５
ｃヘ印加する電圧を制御することでレチクルステージ３
３を、ｘ方向及びｙ方向に微小量Δｘ、Δｙだけ平行移
動させることができ、さらには図４の紙面に直交する回
転軸（ｚ軸）を中心として微小角度θだけ回転させるこ
とができる。これによって、レチクル３１の設置位置の
微調整を行っている。
交した２辺上に移動鏡４２、４３が配置されている。不
図示のレーザ干渉計からレーザビームを照射し、それぞ
れｙ方向、ｘ方向の位置を測定し、その測定値に基づい
てレチクルステージ３３の位置の制御を行っている。さ
らにレチクルステージ３３の隣り合う２辺のうちの一方
の辺の中央に第１ピエゾ３５ａが配置され、他方の辺の
両端部近傍に第２ピエゾ３５ｂ及び第３ピエゾ３５ｃが
配置されており、レチクルステージ３３とスキャンステ
ージ３６とはこれら３つのピエゾ３５ａ〜３５ｃを介し
て連結されている。そしてこれらのピエゾ３５ａ〜３５
ｃヘ印加する電圧を制御することでレチクルステージ３
３を、ｘ方向及びｙ方向に微小量Δｘ、Δｙだけ平行移
動させることができ、さらには図４の紙面に直交する回
転軸（ｚ軸）を中心として微小角度θだけ回転させるこ
とができる。これによって、レチクル３１の設置位置の
微調整を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
レチクル基板固定装置を用いた露光装置においては以下
のような不都合があった。まず、露光装置の中でも特に
走査型露光装置ではウエハと共にレチクル３１も往復移
動させるが、その駆動開始時にレチクル３１には大きな
加速度がかかる。そのためにレチクル３１がレチクルス
テージ３３に対して位置ずれを起こし、回路パターンが
ウエハ上の正しい位置に露光できないという不都合があ
った。これに対しては、吸着スタンド３２の真空吸着面
積を大きくしてレチクル３１に対する吸着力を高めると
いう方法がある。しかし、レチクル３１のパターン面３
１ａには回路パターンのみならず様々な情報パターンが
至る所にプリントされており、真空吸着面積を大きくす
るには制限がある。そのために十分な吸着力が得られる
ほどに真空吸着面積を大きくすることが困難であった。
レチクル基板固定装置を用いた露光装置においては以下
のような不都合があった。まず、露光装置の中でも特に
走査型露光装置ではウエハと共にレチクル３１も往復移
動させるが、その駆動開始時にレチクル３１には大きな
加速度がかかる。そのためにレチクル３１がレチクルス
テージ３３に対して位置ずれを起こし、回路パターンが
ウエハ上の正しい位置に露光できないという不都合があ
った。これに対しては、吸着スタンド３２の真空吸着面
積を大きくしてレチクル３１に対する吸着力を高めると
いう方法がある。しかし、レチクル３１のパターン面３
１ａには回路パターンのみならず様々な情報パターンが
至る所にプリントされており、真空吸着面積を大きくす
るには制限がある。そのために十分な吸着力が得られる
ほどに真空吸着面積を大きくすることが困難であった。
【０００７】また、レチクル３１の吸着力を上げるため
にはレチクル３１と吸着スタンド３２との密着性を高め
る必要がある。しかし、そのためには吸着スタンド３２
の真空吸着面の相対的な平面度を非常に高精度に加工し
なければならず、この加工は一般に大変困難である。さ
らに、レチクルサイズの大型化に伴い、レチクル３１の
４隅を固定するだけではレチクル３１が自重によるたわ
みによってレチクル３１自体の平面度を保つことができ
ず、像性能を悪化させてしまう原因となっていた。そこ
で本発明は、レチクルの平面度を維持すると共に、レチ
クルステージの駆動開始時においてもレチクルの位置ず
れの発生を防止し、良好な画像を得ることを課題とす
る。
にはレチクル３１と吸着スタンド３２との密着性を高め
る必要がある。しかし、そのためには吸着スタンド３２
の真空吸着面の相対的な平面度を非常に高精度に加工し
なければならず、この加工は一般に大変困難である。さ
らに、レチクルサイズの大型化に伴い、レチクル３１の
４隅を固定するだけではレチクル３１が自重によるたわ
みによってレチクル３１自体の平面度を保つことができ
ず、像性能を悪化させてしまう原因となっていた。そこ
で本発明は、レチクルの平面度を維持すると共に、レチ
クルステージの駆動開始時においてもレチクルの位置ず
れの発生を防止し、良好な画像を得ることを課題とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、パターン面（３ａ）に回路パターンが形成
されたレチクル（３）を、移動可能に構成されたレチク
ルステージ（５）に固定するレチクル基板固定装置にお
いて、レチクルステージ（５）はレチクルステージ表面
（５ａ）とほぼ平行にレチクル基板保持手段（４）を支
持し、レチクル基板保持手段（４）はレチクル基板
（３）のパターン面の裏面（３ｂ）を吸着する吸着手段
（２２）が形成され、吸着手段（２２）によってレチク
ル基板のパターン面（３ａ）をレチクルステージ（５）
側に向けて保持し、レチクル基板のパターン面（３ａ）
がレチクルステージ表面（５ａ）上に配置された高さ基
準手段（２０）上に載置されたことを特徴とするレチク
ル基板固定装置である。
に本発明は、パターン面（３ａ）に回路パターンが形成
されたレチクル（３）を、移動可能に構成されたレチク
ルステージ（５）に固定するレチクル基板固定装置にお
いて、レチクルステージ（５）はレチクルステージ表面
（５ａ）とほぼ平行にレチクル基板保持手段（４）を支
持し、レチクル基板保持手段（４）はレチクル基板
（３）のパターン面の裏面（３ｂ）を吸着する吸着手段
（２２）が形成され、吸着手段（２２）によってレチク
ル基板のパターン面（３ａ）をレチクルステージ（５）
側に向けて保持し、レチクル基板のパターン面（３ａ）
がレチクルステージ表面（５ａ）上に配置された高さ基
準手段（２０）上に載置されたことを特徴とするレチク
ル基板固定装置である。
【０００９】本発明はまた、照明光学系（２）によって
レチクルステージ（５）に載置されたレチクル（３）を
照明し、レチクル（３）上の回路パターンを投影光学系
（７）によってウエハ（８）に転写する露光装置におい
て、レチクル（３）はレチクル基板のパターン面（３
ａ）に回路パターンが形成され、レチクルステージ
（５）はレチクルステージ表面（５ａ）とほぼ平行にレ
チクル基板保持手段（４）を支持し、レチクル基板保持
手段（４）はレチクル基板（３）のパターン面の裏面
（３ｂ）を吸着する吸着手段（２２）が形成され、吸着
手段（２２）によってレチクル基板のパターン面（３
ａ）をレチクルステージ（５）側に向けて保持し、レチ
クル基板のパターン面（３ａ）がレチクルステージ表面
（５ａ）上に配置された高さ基準手段（２０）上に載置
されたことを特徴とする露光装置である。
レチクルステージ（５）に載置されたレチクル（３）を
照明し、レチクル（３）上の回路パターンを投影光学系
（７）によってウエハ（８）に転写する露光装置におい
て、レチクル（３）はレチクル基板のパターン面（３
ａ）に回路パターンが形成され、レチクルステージ
（５）はレチクルステージ表面（５ａ）とほぼ平行にレ
チクル基板保持手段（４）を支持し、レチクル基板保持
手段（４）はレチクル基板（３）のパターン面の裏面
（３ｂ）を吸着する吸着手段（２２）が形成され、吸着
手段（２２）によってレチクル基板のパターン面（３
ａ）をレチクルステージ（５）側に向けて保持し、レチ
クル基板のパターン面（３ａ）がレチクルステージ表面
（５ａ）上に配置された高さ基準手段（２０）上に載置
されたことを特徴とする露光装置である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例に係るレチクル
基板固定装置を用いた走査型露光装置の断面図を図１に
示す。図１において、ｉ線、エキシマレーザ（ＡｒＦ、
ＫｒＦ、Ｆ2）などの光源１からの光束Ｌは照明光学系
２に入射し、照明光学系２を通過した光束Ｌは、レチク
ル基板固定装置３０によってレチクルステージ５上に載
置されたレチクル３を照明する。また、レチクルステー
ジ５はスキャンステージ６上に載置され、レチクルステ
ージ５及びスキャンステージ６にはレチクル３の回路パ
ターンを照明した光束が通過するための開口５ｃ、６ａ
がそれぞれ設けられ、レチクル３を透過した光束Ｌはか
かる開口５ｃ、６ａを通過して投影光学系７に入射す
る。そして走査露光時にはスキャンステージ６が紙面に
直交する方向（＋ｘ方向）に一定速度で移動し、レチク
ル３の回路パターンは投影光学系７によりウエハステー
ジ９上に載置されたウエハ８上に走査露光される。
基板固定装置を用いた走査型露光装置の断面図を図１に
示す。図１において、ｉ線、エキシマレーザ（ＡｒＦ、
ＫｒＦ、Ｆ2）などの光源１からの光束Ｌは照明光学系
２に入射し、照明光学系２を通過した光束Ｌは、レチク
ル基板固定装置３０によってレチクルステージ５上に載
置されたレチクル３を照明する。また、レチクルステー
ジ５はスキャンステージ６上に載置され、レチクルステ
ージ５及びスキャンステージ６にはレチクル３の回路パ
ターンを照明した光束が通過するための開口５ｃ、６ａ
がそれぞれ設けられ、レチクル３を透過した光束Ｌはか
かる開口５ｃ、６ａを通過して投影光学系７に入射す
る。そして走査露光時にはスキャンステージ６が紙面に
直交する方向（＋ｘ方向）に一定速度で移動し、レチク
ル３の回路パターンは投影光学系７によりウエハステー
ジ９上に載置されたウエハ８上に走査露光される。
【００１１】さらに、レチクルステージ５のｙ方向の一
方の周縁部には移動鏡１０が配設されている。レーザ干
渉計１１は移動鏡１０にレーザビームを照射してレチク
ルステージ５のｙ方向の位置を検出する。なお図１では
不図示であるがレチクルステージ５のｘ方向の位置を検
出するレーザ干渉計及び移動鏡も配設されている。また
レチクルアライメント顕微鏡１２は、レチクル３に形成
されたレチクルアライメントマークを検出してレチクル
３の位置を決めるものである。
方の周縁部には移動鏡１０が配設されている。レーザ干
渉計１１は移動鏡１０にレーザビームを照射してレチク
ルステージ５のｙ方向の位置を検出する。なお図１では
不図示であるがレチクルステージ５のｘ方向の位置を検
出するレーザ干渉計及び移動鏡も配設されている。また
レチクルアライメント顕微鏡１２は、レチクル３に形成
されたレチクルアライメントマークを検出してレチクル
３の位置を決めるものである。
【００１２】一方、ウエハステージ９は、図１中のｘ方
向、ｙ方向、及びｚ方向に移動可能に構成されている
が、走査露光時には、レチクルステージ５の移動方向と
は反対の方向（−ｘ方向）に一定速度で移動する。また
ウエハステージ９には、移動鏡１３が配設されており、
レーザ干渉計１４が移動鏡１３にレーザビームを照射し
てウエハステージ９のｙ方向の位置を検出する。なお図
１では不図示であるがウエハステージ９のｘ方向の位置
を検出するレーザ干渉計及び移動鏡も配設されている。
またウエハアライメント顕微鏡１６は、投影光学系７の
光軸から一定距離離れて配設された、いわゆるオフアク
シスのアライメント顕微鏡であり、ウエハ８に形成され
た基板アライメントマークを検出してウエハ８の位置を
決めるものである。また、制御装置１５は露光装置全体
を制御するものであり、本実施例においては特にレチク
ルステージ５、スキャンステージ６、及びウエハステー
ジ９の動作を制御している。
向、ｙ方向、及びｚ方向に移動可能に構成されている
が、走査露光時には、レチクルステージ５の移動方向と
は反対の方向（−ｘ方向）に一定速度で移動する。また
ウエハステージ９には、移動鏡１３が配設されており、
レーザ干渉計１４が移動鏡１３にレーザビームを照射し
てウエハステージ９のｙ方向の位置を検出する。なお図
１では不図示であるがウエハステージ９のｘ方向の位置
を検出するレーザ干渉計及び移動鏡も配設されている。
またウエハアライメント顕微鏡１６は、投影光学系７の
光軸から一定距離離れて配設された、いわゆるオフアク
シスのアライメント顕微鏡であり、ウエハ８に形成され
た基板アライメントマークを検出してウエハ８の位置を
決めるものである。また、制御装置１５は露光装置全体
を制御するものであり、本実施例においては特にレチク
ルステージ５、スキャンステージ６、及びウエハステー
ジ９の動作を制御している。
【００１３】つぎに、本実施例に係るレチクル基板固定
装置について説明する。本実施例のレチクル基板固定装
置の平面図を図２に示し、図２のＡＡ面における断面図
を図３に示す。図２及び図３において、照明光束Ｌに対
して透明な材質（石英ガラス、螢石等）で形成されたサ
ブステージ４に、回路パターンが形成されたパターン面
３ａをレチクルステージ５側に向けてレチクル３は保持
されている。レチクル３は次のようにサブステージ４に
保持されている。すなわち、サブステージ４のレチクル
ステージ側面４ａにはレチクル３のパターン面の裏面３
ｂを真空吸着する吸着溝２２が形成されており、吸着溝
２２はサブステージ４とレチクルの裏面３ｂとが接触す
るレチクル基板保持領域のうちのレチクル３の周縁部領
域の全周に亘って形成されている。そして吸着溝２２に
接続して形成された細管２３から不図示のポンプによっ
て空気を吸引することによってレチクル３をレチクル全
面に亘って真空吸着している。これによって、レチクル
３をサブステージ４に対して強固に固定でき、しかもレ
チクル３の全面で吸着するので自重によるたわみも生じ
ない。
装置について説明する。本実施例のレチクル基板固定装
置の平面図を図２に示し、図２のＡＡ面における断面図
を図３に示す。図２及び図３において、照明光束Ｌに対
して透明な材質（石英ガラス、螢石等）で形成されたサ
ブステージ４に、回路パターンが形成されたパターン面
３ａをレチクルステージ５側に向けてレチクル３は保持
されている。レチクル３は次のようにサブステージ４に
保持されている。すなわち、サブステージ４のレチクル
ステージ側面４ａにはレチクル３のパターン面の裏面３
ｂを真空吸着する吸着溝２２が形成されており、吸着溝
２２はサブステージ４とレチクルの裏面３ｂとが接触す
るレチクル基板保持領域のうちのレチクル３の周縁部領
域の全周に亘って形成されている。そして吸着溝２２に
接続して形成された細管２３から不図示のポンプによっ
て空気を吸引することによってレチクル３をレチクル全
面に亘って真空吸着している。これによって、レチクル
３をサブステージ４に対して強固に固定でき、しかもレ
チクル３の全面で吸着するので自重によるたわみも生じ
ない。
【００１４】なお、本実施例では吸着溝２２をレチクル
３の周縁部領域の全周に亘って形成したが、レチクル３
の対向する２辺、又は対向する２辺といずれか１辺を加
えた３辺について、これらの辺のほぼ全長に亘って吸着
溝２２を形成してもよい。このように吸着溝２２を形成
することによって、レチクル３をレチクル全面に亘って
サブステージ４と真空吸着させることができるので、レ
チクル３を強固に固定できる。また、吸着溝２２の代わ
りに複数の透明電極を配置し、例えば隣接する透明電極
に対し、互いに異極性となる電圧を印加することによっ
てレチクル３を静電吸着させて固定することも可能であ
る。透明電極としては、例えば酸化インジウム−酸化ス
ズや、酸化スズ等を用いることができる。
３の周縁部領域の全周に亘って形成したが、レチクル３
の対向する２辺、又は対向する２辺といずれか１辺を加
えた３辺について、これらの辺のほぼ全長に亘って吸着
溝２２を形成してもよい。このように吸着溝２２を形成
することによって、レチクル３をレチクル全面に亘って
サブステージ４と真空吸着させることができるので、レ
チクル３を強固に固定できる。また、吸着溝２２の代わ
りに複数の透明電極を配置し、例えば隣接する透明電極
に対し、互いに異極性となる電圧を印加することによっ
てレチクル３を静電吸着させて固定することも可能であ
る。透明電極としては、例えば酸化インジウム−酸化ス
ズや、酸化スズ等を用いることができる。
【００１５】レチクルステージ表面５ａ上には高さが基
準値となるように精密に形成されたレチクルスタンド２
０ａ〜２０ｄが配置され、レチクル３はかかる４つのレ
チクルスタンド２０ａ〜２０ｄ上にレチクル３の４隅が
支持されるように載置される。これによって、レチクル
ステージ表面５ａからのレチクル３のパターン面３ａの
高さが基準値に設定されるので、パターン面３ａを所定
位置に高精度に設置することが可能となる。また、この
ように構成することで、レチクル３はサブステージ４と
レチクルスタンド２０ａ〜２０ｄとで挟持されるので、
レチクル３のサブステージ４への吸着力をさらに高める
ことができる。
準値となるように精密に形成されたレチクルスタンド２
０ａ〜２０ｄが配置され、レチクル３はかかる４つのレ
チクルスタンド２０ａ〜２０ｄ上にレチクル３の４隅が
支持されるように載置される。これによって、レチクル
ステージ表面５ａからのレチクル３のパターン面３ａの
高さが基準値に設定されるので、パターン面３ａを所定
位置に高精度に設置することが可能となる。また、この
ように構成することで、レチクル３はサブステージ４と
レチクルスタンド２０ａ〜２０ｄとで挟持されるので、
レチクル３のサブステージ４への吸着力をさらに高める
ことができる。
【００１６】なお、各レチクルスタンド２０ａ〜２０ｄ
の少なくとも１部分をピエゾで形成し、レチクル３を所
定の高さに位置調整できるように構成することも可能で
ある。例えば斜入射光学系を用いた高さ計測系によって
レチクルパターン面３ａの高さ位置を測定し、その測定
値に基づいてピエゾに印加する電圧を調整してレチクル
３の高さ位置を調整することが可能である。なおその
際、レチクルパターン面３ａの少なくとも３点（但し、
パターンが形成されていない箇所）において高さ位置を
測定することによって、レチクルパターン面３ａの高さ
位置をｘｙｚ座標値として測定できるので、より正確な
位置調整が可能である。また、本実施例では４つのレチ
クルスタンド２０ａ〜２０ｄによってレチクル３の４隅
を支持するように配置したが、レチクル３の１辺の両端
部と、当該辺に対向する辺の中央部とを支持する３つの
レチクルスタンドで支持するように構成することも可能
である。
の少なくとも１部分をピエゾで形成し、レチクル３を所
定の高さに位置調整できるように構成することも可能で
ある。例えば斜入射光学系を用いた高さ計測系によって
レチクルパターン面３ａの高さ位置を測定し、その測定
値に基づいてピエゾに印加する電圧を調整してレチクル
３の高さ位置を調整することが可能である。なおその
際、レチクルパターン面３ａの少なくとも３点（但し、
パターンが形成されていない箇所）において高さ位置を
測定することによって、レチクルパターン面３ａの高さ
位置をｘｙｚ座標値として測定できるので、より正確な
位置調整が可能である。また、本実施例では４つのレチ
クルスタンド２０ａ〜２０ｄによってレチクル３の４隅
を支持するように配置したが、レチクル３の１辺の両端
部と、当該辺に対向する辺の中央部とを支持する３つの
レチクルスタンドで支持するように構成することも可能
である。
【００１７】レチクルステージ５とサブステージ４と
は、レチクルステージ５の側壁部５ｂに設けられた真空
チャック２４によって連結される。サブステージ４とレ
チクルステージ側壁部５ｂとは真空チャック２４を動
作、非動作させることで着脱自在に構成されている。な
お、真空チャック２３の代わりに静電チャックで形成し
てもよい。また、サブステージ４とレチクルステージ側
壁部５ｂとの連結部にヒンジ２９を介在させた構成とす
ることも可能である。ヒンジ２９を介在させることで、
サブステージ４はヒンジ２９を揺動中心として揺動自在
に構成できるので、レチクル３がテーパー状の断面形状
を有する場合においてもレチクルステージ表面５ａとレ
チクルパターン面３ａとの平行度を維持したままレチク
ル３とサブステージ４とを真空吸着させることが可能と
なる。なお、本実施例ではヒンジ２９をサブステージ４
の連結部近傍にレチクルステージ側壁部５ｂと平行に形
成した溝で構成したが、サブステージ４とレチクルステ
ージ側壁部５ｂとの間に弾性ヒンジを介在させた構成と
してもよい。なおヒンジは、レチクルステージ５が高速
に移動することに鑑みて、移動方向（ｘ方向）に対して
は剛性を高くしている。
は、レチクルステージ５の側壁部５ｂに設けられた真空
チャック２４によって連結される。サブステージ４とレ
チクルステージ側壁部５ｂとは真空チャック２４を動
作、非動作させることで着脱自在に構成されている。な
お、真空チャック２３の代わりに静電チャックで形成し
てもよい。また、サブステージ４とレチクルステージ側
壁部５ｂとの連結部にヒンジ２９を介在させた構成とす
ることも可能である。ヒンジ２９を介在させることで、
サブステージ４はヒンジ２９を揺動中心として揺動自在
に構成できるので、レチクル３がテーパー状の断面形状
を有する場合においてもレチクルステージ表面５ａとレ
チクルパターン面３ａとの平行度を維持したままレチク
ル３とサブステージ４とを真空吸着させることが可能と
なる。なお、本実施例ではヒンジ２９をサブステージ４
の連結部近傍にレチクルステージ側壁部５ｂと平行に形
成した溝で構成したが、サブステージ４とレチクルステ
ージ側壁部５ｂとの間に弾性ヒンジを介在させた構成と
してもよい。なおヒンジは、レチクルステージ５が高速
に移動することに鑑みて、移動方向（ｘ方向）に対して
は剛性を高くしている。
【００１８】レチクルステージ５はベアリング軸受２１
を介してスキャンステージ６上に載置されている。さら
にスキャンステージ６は空気静圧軸受１７、１８を介し
て露光装置本体２５に載置され、リニアモーター２７、
２８によってｘ方向に移動可能に構成されている。空気
静圧軸受１７、１８はスキャンステージ６がｘ方向以外
に移動する自由度を拘束している。これによってスキャ
ンステージ６上のレチクルステージ５はｘ方向にのみ往
復移動することができる。
を介してスキャンステージ６上に載置されている。さら
にスキャンステージ６は空気静圧軸受１７、１８を介し
て露光装置本体２５に載置され、リニアモーター２７、
２８によってｘ方向に移動可能に構成されている。空気
静圧軸受１７、１８はスキャンステージ６がｘ方向以外
に移動する自由度を拘束している。これによってスキャ
ンステージ６上のレチクルステージ５はｘ方向にのみ往
復移動することができる。
【００１９】レチクルステージ５とスキャンステージ６
とは３つのピエゾ１９ａ〜１９ｃを介して連結されてい
る。レチクルステージ５の隣り合う２辺の一方の辺の中
央部に第１ピエゾ１９ａ、他方の辺の両端部近傍に第２
ピエゾ１９ｂ及び第３ピエゾ１９ｃが配置されている。
これらのピエゾ１９ａ〜１９ｃヘの電圧を制御すること
によってレチクルステージ５を、ｘ方向及びｙ方向に微
小量Δｘ、Δｙだけ平行移動させることができ、さらに
は図２の紙面に直交する回転軸（ｚ軸）を中心として微
小角度θだけ回転させることができる。これによって、
レチクル３の位置を微調整することができる。なお、本
実施例ではピエゾを用いたが、レチクルステージ５を変
位させるアクチュエータであればよく、例えば、ボイス
コイルモータや静電アクチュエータを用いることも可能
である。
とは３つのピエゾ１９ａ〜１９ｃを介して連結されてい
る。レチクルステージ５の隣り合う２辺の一方の辺の中
央部に第１ピエゾ１９ａ、他方の辺の両端部近傍に第２
ピエゾ１９ｂ及び第３ピエゾ１９ｃが配置されている。
これらのピエゾ１９ａ〜１９ｃヘの電圧を制御すること
によってレチクルステージ５を、ｘ方向及びｙ方向に微
小量Δｘ、Δｙだけ平行移動させることができ、さらに
は図２の紙面に直交する回転軸（ｚ軸）を中心として微
小角度θだけ回転させることができる。これによって、
レチクル３の位置を微調整することができる。なお、本
実施例ではピエゾを用いたが、レチクルステージ５を変
位させるアクチュエータであればよく、例えば、ボイス
コイルモータや静電アクチュエータを用いることも可能
である。
【００２０】つぎに、レチクルステージ５へのレチクル
３の設置手順の一実施例を説明する。まず第１ステップ
として、不図示の搬送アームによってレチクルスタンド
２０ａ〜２０ｄ上にレチクル３を載置する。第２ステッ
プで、サブステージ４をレチクル３上に置く。そして第
３ステップとして、サブステージ４の吸着溝２２から空
気を放出しながらエアスライダーを形成し、サブステー
ジ４をレチクル３上でスライドさせるように移動させ、
サブステージ４の１辺をレチクルステージ側壁部５ｂに
密着させる。その後第４ステップとして、サブステージ
４の吸着溝２２から空気を吸引してレチクル３をサブス
テージ４に吸着固定し、第５ステップとして、レチクル
ステージ側壁部５ｂの真空チャック２３を作動させ、サ
ブステージ４をレチクルステージ５に吸着固定する。こ
のようにして、レチクル３をレチクルステージ５に設置
する。
３の設置手順の一実施例を説明する。まず第１ステップ
として、不図示の搬送アームによってレチクルスタンド
２０ａ〜２０ｄ上にレチクル３を載置する。第２ステッ
プで、サブステージ４をレチクル３上に置く。そして第
３ステップとして、サブステージ４の吸着溝２２から空
気を放出しながらエアスライダーを形成し、サブステー
ジ４をレチクル３上でスライドさせるように移動させ、
サブステージ４の１辺をレチクルステージ側壁部５ｂに
密着させる。その後第４ステップとして、サブステージ
４の吸着溝２２から空気を吸引してレチクル３をサブス
テージ４に吸着固定し、第５ステップとして、レチクル
ステージ側壁部５ｂの真空チャック２３を作動させ、サ
ブステージ４をレチクルステージ５に吸着固定する。こ
のようにして、レチクル３をレチクルステージ５に設置
する。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、レチクル
を面全体で真空吸着させることでレチクルの平面度を維
持すると共に、レチクルをレチクルステージに対して強
固に固定してレチクルステージの駆動開始時においても
レチクルの位置ずれの発生を防止することができるの
で、良好な画像を得ることが可能となった。
を面全体で真空吸着させることでレチクルの平面度を維
持すると共に、レチクルをレチクルステージに対して強
固に固定してレチクルステージの駆動開始時においても
レチクルの位置ずれの発生を防止することができるの
で、良好な画像を得ることが可能となった。
【図１】本発明の一実施例に係るレチクル基板吸着装置
を用いた走査型露光装置の断面図である。
を用いた走査型露光装置の断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係るレチクル基板吸着装置
の平面図である。
の平面図である。
【図３】本発明の一実施例に係るレチクル基板吸着装置
の断面図である。
の断面図である。
【図４】従来のレチクル基板固定装置の平面図である。
【図５】従来のレチクル基板固定装置の断面図である。
１…光源 ２…照明光学系 ３…レチクル ３ａ…レチクルパタ
ーン面 ３ｂ…レチクル裏面 ４…サブステージ ４ａ…サブステージレチクルステージ側面 ５…レチクルステージ ５ａ…レチクルステ
ージ表面 ５ｂ…レチクルステージ側壁部 ５ｃ…レチクルステ
ージ開口部 ６…スキャンステージ ６ａ…スキャンステ
ージ開口部 ７…投影光学系 ８…ウエハ ９…ウエハステージ １０、１３、２６…
移動鏡 １１、１４…レーザ干渉計 １２…レチクルアラ
イメント顕微鏡 １５…制御装置 １６…ウエハアライ
メント顕微鏡 １７、１８…空気静圧軸受 １９ａ〜１９ｃ…ピ
エゾ ２０ａ〜２０ｄ…レチクルスタンド ２１…ベアリング軸受 ２２…吸着溝 ２３…細管 ２４…真空チャック ２７、２８…リニアモーター Ｌ…光束
ーン面 ３ｂ…レチクル裏面 ４…サブステージ ４ａ…サブステージレチクルステージ側面 ５…レチクルステージ ５ａ…レチクルステ
ージ表面 ５ｂ…レチクルステージ側壁部 ５ｃ…レチクルステ
ージ開口部 ６…スキャンステージ ６ａ…スキャンステ
ージ開口部 ７…投影光学系 ８…ウエハ ９…ウエハステージ １０、１３、２６…
移動鏡 １１、１４…レーザ干渉計 １２…レチクルアラ
イメント顕微鏡 １５…制御装置 １６…ウエハアライ
メント顕微鏡 １７、１８…空気静圧軸受 １９ａ〜１９ｃ…ピ
エゾ ２０ａ〜２０ｄ…レチクルスタンド ２１…ベアリング軸受 ２２…吸着溝 ２３…細管 ２４…真空チャック ２７、２８…リニアモーター Ｌ…光束
Claims (6)
- 【請求項１】パターン面に回路パターンが形成されたレ
チクルを、移動可能に構成されたレチクルステージに固
定するレチクル基板固定装置において、 前記レチクルステージは該レチクルステージ表面とほぼ
平行にレチクル基板保持手段を支持し、 前記レチクル基板保持手段はレチクル基板の前記パター
ン面の裏面を吸着する吸着手段が形成され、該吸着手段
によってレチクル基板の前記パターン面を前記レチクル
ステージ側に向けて保持し、 レチクル基板の前記パターン面が前記レチクルステージ
表面上に配置された高さ基準手段上に載置されたことを
特徴とするレチクル基板固定装置。 - 【請求項２】前記吸着手段は、前記レチクル基板保持手
段と前記レチクル基板の裏面とが接触するレチクル基板
保持領域のうち、少なくとも前記レチクル基板の対向す
る２辺が接触する領域のほぼ全長に亘って形成された吸
着溝から構成された請求項１記載のレチクル基板固定装
置。 - 【請求項３】前記吸着手段は、前記レチクル基板保持手
段と前記レチクル基板の裏面とが接触するレチクル基板
保持領域のうち、少なくとも前記レチクル基板の対向す
る２辺が接触する領域のほぼ全長に亘って形成された電
極から構成された請求項１記載のレチクル基板固定着装
置。 - 【請求項４】前記レチクル基板保持手段はヒンジを介し
て前記レチクルステージに支持された請求項１〜３のい
ずれか１項記載のレチクル基板固定装置。 - 【請求項５】前記高さ基準手段は高さ変更手段を有し、 レチクル基板の前記パターン面の高さ方向の位置を測定
し、該測定値に基づき前記高さ変更手段を駆動する請求
項１〜４のいずれか１項記載のレチクル基板固定装置。 - 【請求項６】照明光学系によってレチクルステージに載
置されたレチクルを照明し、該レチクル上の回路パター
ンを投影光学系によってウエハに転写する露光装置にお
いて、 前記レチクルはレチクル基板のパターン面に前記回路パ
ターンが形成され、 前記レチクルステージは該レチクルステージ表面とほぼ
平行にレチクル基板保持手段を支持し、 前記レチクル基板保持手段はレチクル基板の前記パター
ン面の裏面を吸着する吸着手段が形成され、該吸着手段
によってレチクル基板の前記パターン面を前記レチクル
ステージ側に向けて保持し、 レチクル基板の前記パターン面が前記レチクルステージ
表面上に配置された高さ基準手段上に載置されたことを
特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018001A JPH11204425A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | レチクル基板固定装置及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10018001A JPH11204425A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | レチクル基板固定装置及び露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204425A true JPH11204425A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11959476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10018001A Pending JPH11204425A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | レチクル基板固定装置及び露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204425A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002130269A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Sigma Technos Kk | 直線運動ステージ、複合ステージ、直線運動ステージ用ガイド及び可動部材 |
| JP2015518285A (ja) * | 2012-06-01 | 2015-06-25 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | パターニングデバイスの表面からの位置及び曲率情報の直接的な判定 |
| DE102015015423A1 (de) | 2015-11-27 | 2017-06-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Lagern einer Lithographiemaske |
-
1998
- 1998-01-13 JP JP10018001A patent/JPH11204425A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002130269A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Sigma Technos Kk | 直線運動ステージ、複合ステージ、直線運動ステージ用ガイド及び可動部材 |
| JP2015518285A (ja) * | 2012-06-01 | 2015-06-25 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | パターニングデバイスの表面からの位置及び曲率情報の直接的な判定 |
| DE102015015423A1 (de) | 2015-11-27 | 2017-06-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Lagern einer Lithographiemaske |
| US9964862B2 (en) | 2015-11-27 | 2018-05-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Apparatus and method for bearing a lithography mask |
| DE102015015423B4 (de) | 2015-11-27 | 2018-07-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Lagern einer Lithographiemaske |
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