JPH11202311A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH11202311A JPH11202311A JP10003679A JP367998A JPH11202311A JP H11202311 A JPH11202311 A JP H11202311A JP 10003679 A JP10003679 A JP 10003679A JP 367998 A JP367998 A JP 367998A JP H11202311 A JPH11202311 A JP H11202311A
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- Japan
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- liquid crystal
- pixel
- crystal display
- display device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置の開口効率を従来よりも向上さ
せる。 【解決手段】 対向基板１側より見て隣り合うマイクロ
レンズ６の間に形成されるデッドスペース１６の中心と
画素の開口部１３の中心とが一致するように、デッドス
ペース１６と画素の開口部１３とを配置する。
せる。 【解決手段】 対向基板１側より見て隣り合うマイクロ
レンズ６の間に形成されるデッドスペース１６の中心と
画素の開口部１３の中心とが一致するように、デッドス
ペース１６と画素の開口部１３とを配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイ、投
写型表示装置等の光学機器に用いられる液晶表示装置に
関するものである。
写型表示装置等の光学機器に用いられる液晶表示装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、直視型表示装置だけで
なく、プロジェクションテレビ等の投影型表示装置とし
ても需要が高まっている。液晶表示装置を投影型表示装
置として使用する場合、液晶表示装置の明るさが特に重
要となる。液晶表示装置の明るさを決める最大の因子
は、液晶表示装置の可視光に対する透過率すなわち液晶
表示装置の実効開口率である。
なく、プロジェクションテレビ等の投影型表示装置とし
ても需要が高まっている。液晶表示装置を投影型表示装
置として使用する場合、液晶表示装置の明るさが特に重
要となる。液晶表示装置の明るさを決める最大の因子
は、液晶表示装置の可視光に対する透過率すなわち液晶
表示装置の実効開口率である。
【０００３】従来、液晶表示装置において、その可視光
に対する透過率を向上させるために、薄膜トランジスタ
を形成した素子基板と対向する対向基板上にマイクロレ
ンズを形成することが知られている（特開平１−２８１
４２６号公報等）。
に対する透過率を向上させるために、薄膜トランジスタ
を形成した素子基板と対向する対向基板上にマイクロレ
ンズを形成することが知られている（特開平１−２８１
４２６号公報等）。
【０００４】すなわち、従来の液晶表示装置は、図６に
示すように、対向基板１、素子基板２、対向基板１と素
子基板２との間に封入された液晶層３およびシール材４
から構成されている。対向基板１は第１の透明基板５
と、この第１の透明基板５上に形成されたマイクロレン
ズ６と、カバーガラス７と、マイクロレンズ６の凸部と
カバーガラス７とを接着する接着層８とからなる。マイ
クロレンズ６は図７に示すように正方形を有している。
また、素子基板２は第２の透明基板９の、液晶層３を介
して対向基板１に向かい合う側に形成された薄膜トラン
ジスタ（以下ＴＦＴという）画素１０と、絶縁層１１
と、遮光層１２とからなる。そして素子基板２にはＴＦ
Ｔ画素１０の開口部（以下、画素の開口部という）１３
が形成されている。マイクロレンズ６の中心と画素の開
口部１３の中心とは一致している。なお、図６中におい
て１５は、ＴＦＴ画素１０のドレイン電極（不図示）に
接続されている導線（不図示）に接続されている透明電
極を示す。
示すように、対向基板１、素子基板２、対向基板１と素
子基板２との間に封入された液晶層３およびシール材４
から構成されている。対向基板１は第１の透明基板５
と、この第１の透明基板５上に形成されたマイクロレン
ズ６と、カバーガラス７と、マイクロレンズ６の凸部と
カバーガラス７とを接着する接着層８とからなる。マイ
クロレンズ６は図７に示すように正方形を有している。
また、素子基板２は第２の透明基板９の、液晶層３を介
して対向基板１に向かい合う側に形成された薄膜トラン
ジスタ（以下ＴＦＴという）画素１０と、絶縁層１１
と、遮光層１２とからなる。そして素子基板２にはＴＦ
Ｔ画素１０の開口部（以下、画素の開口部という）１３
が形成されている。マイクロレンズ６の中心と画素の開
口部１３の中心とは一致している。なお、図６中におい
て１５は、ＴＦＴ画素１０のドレイン電極（不図示）に
接続されている導線（不図示）に接続されている透明電
極を示す。
【０００５】このように構成された液晶表示装置におい
て、液晶表示装置に入射した光Ａはマイクロレンズ６に
よって屈折され、画素の開口部１３に集光されることに
より、透過する光Ａの量が増えることになる。
て、液晶表示装置に入射した光Ａはマイクロレンズ６に
よって屈折され、画素の開口部１３に集光されることに
より、透過する光Ａの量が増えることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の液晶
表示装置において、マイクロレンズ６は半導体製造にお
ける露光技術等の微細化技術によって形成される。この
ためマイクロレンズ６間には、製造工程上、最小加工寸
法に相当する部分いわゆるデッドスペースが生じる。例
えば、０．８ミクロンプロセスにおいては、０．８ミク
ロンの隙間がマイクロレンズ６間に存在する。この結
果、従来の液晶表示装置では、図６に示すようにマイク
ロレンズ６間に、集光機能を有しないデッドスペース１
４が生じてしまう。このデッドスペース１４を透過する
光Ｂは、直進し遮光層１２によって遮られてしまい、液
晶表示装置を透過することができない。このため、従来
の液晶表示装置では、実効開口率が７０〜８０％にとど
まっていた。
表示装置において、マイクロレンズ６は半導体製造にお
ける露光技術等の微細化技術によって形成される。この
ためマイクロレンズ６間には、製造工程上、最小加工寸
法に相当する部分いわゆるデッドスペースが生じる。例
えば、０．８ミクロンプロセスにおいては、０．８ミク
ロンの隙間がマイクロレンズ６間に存在する。この結
果、従来の液晶表示装置では、図６に示すようにマイク
ロレンズ６間に、集光機能を有しないデッドスペース１
４が生じてしまう。このデッドスペース１４を透過する
光Ｂは、直進し遮光層１２によって遮られてしまい、液
晶表示装置を透過することができない。このため、従来
の液晶表示装置では、実効開口率が７０〜８０％にとど
まっていた。
【０００７】本発明は従来よりも実効開口率を向上させ
た液晶表示装置を提供するものである。
た液晶表示装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの近傍
に形成された開口部とを含む画素を複数個マトリクス状
に配列した第１の基板と、前記第１の基板と向かい合
い、かつマトリクス状に配列された複数の光学素子を含
む第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との
間に封入された液晶層とを有し、前記第２の基板側より
見て隣り合う前記光学素子の間に形成される部分、およ
び前記画素の開口部のうち、いずれかの面積の大きい方
が面積の小さい方を含む関係に、前記光学素子の間に形
成される部分と前記画素の開口部とを配置したものであ
る。
は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの近傍
に形成された開口部とを含む画素を複数個マトリクス状
に配列した第１の基板と、前記第１の基板と向かい合
い、かつマトリクス状に配列された複数の光学素子を含
む第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との
間に封入された液晶層とを有し、前記第２の基板側より
見て隣り合う前記光学素子の間に形成される部分、およ
び前記画素の開口部のうち、いずれかの面積の大きい方
が面積の小さい方を含む関係に、前記光学素子の間に形
成される部分と前記画素の開口部とを配置したものであ
る。
【０００９】この構成により、各光学素子を透過する光
は屈折し、各光学素子の表面を反射する光はその進行方
向を変えて画素の開口部に入射し、また各光学素子間に
形成される部分を透過する光は直進して画素の開口部に
入射する。
は屈折し、各光学素子の表面を反射する光はその進行方
向を変えて画素の開口部に入射し、また各光学素子間に
形成される部分を透過する光は直進して画素の開口部に
入射する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。
て図面を用いて説明する。
【００１１】図１および図２に示すように、本発明の第
１の実施の形態における液晶表示装置は、対向基板１、
この対向基板１と向かい合う素子基板２、対向基板１と
素子基板２との間に封入された液晶層３、および対向基
板１と素子基板２との両周辺部をシールするシール材４
を有する。対向基板１は第１の透明基板５と、この第１
の透明基板５上に形成されたマイクロレンズ６と、カバ
ーガラス７と、マイクロレンズ６の凹部とカバーガラス
７とを接着している接着層８とからなる。マイクロレン
ズ６はアクリル樹脂等の樹脂からなり、１辺が１５μｍ
程度の正方形を有し、高さが５〜１０μｍの凹レンズか
らなる。その屈折率は凹レンズの効果をもたせて液晶表
示装置の実効開口率を上げるために接着層８を構成する
樹脂の屈折率より０．１以上大きい。隣り合うマイクロ
レンズ６の間には、製造上、デッドスペース１６が形成
されている。また、素子基板２は第２の透明基板９の、
液晶層３を介して対向基板１に向かい合う側に形成され
たアモルファスシリコンよりなるＴＦＴ画素１０と、絶
縁層１１と、遮光層１２とからなる。ＴＦＴ画素１０の
近傍には、画素の開口部１３が形成されている。デッド
スペース１６は正方形を有し、その中心が画素の開口部
１３の中心に一致するように配置されている。ＴＦＴ画
素１０のソース電極、ドレイン電極およびゲート電極
（いずれも不図示）のそれぞれには導線（不図示）が接
続され、さらにドレイン電極に接続されている導線は透
明電極１５に接続されている。ＴＦＴ画素１０を複数個
マトリクス状に配置することにより表示画面を形成す
る。
１の実施の形態における液晶表示装置は、対向基板１、
この対向基板１と向かい合う素子基板２、対向基板１と
素子基板２との間に封入された液晶層３、および対向基
板１と素子基板２との両周辺部をシールするシール材４
を有する。対向基板１は第１の透明基板５と、この第１
の透明基板５上に形成されたマイクロレンズ６と、カバ
ーガラス７と、マイクロレンズ６の凹部とカバーガラス
７とを接着している接着層８とからなる。マイクロレン
ズ６はアクリル樹脂等の樹脂からなり、１辺が１５μｍ
程度の正方形を有し、高さが５〜１０μｍの凹レンズか
らなる。その屈折率は凹レンズの効果をもたせて液晶表
示装置の実効開口率を上げるために接着層８を構成する
樹脂の屈折率より０．１以上大きい。隣り合うマイクロ
レンズ６の間には、製造上、デッドスペース１６が形成
されている。また、素子基板２は第２の透明基板９の、
液晶層３を介して対向基板１に向かい合う側に形成され
たアモルファスシリコンよりなるＴＦＴ画素１０と、絶
縁層１１と、遮光層１２とからなる。ＴＦＴ画素１０の
近傍には、画素の開口部１３が形成されている。デッド
スペース１６は正方形を有し、その中心が画素の開口部
１３の中心に一致するように配置されている。ＴＦＴ画
素１０のソース電極、ドレイン電極およびゲート電極
（いずれも不図示）のそれぞれには導線（不図示）が接
続され、さらにドレイン電極に接続されている導線は透
明電極１５に接続されている。ＴＦＴ画素１０を複数個
マトリクス状に配置することにより表示画面を形成す
る。
【００１２】このように構成された液晶表示装置におい
て、液晶表示装置に入射した光Ａはマイクロレンズ６に
よって屈折され、画素の開口部１３に集光される。ま
た、対向基板１側より見てデッドスペース１６が画素の
開口部１３に含まれているために、デッドスペース１６
上に入射した光は屈折されることなく画素の開口部１３
を透過することができる。このため、画素の開口部１３
を透過する光Ａの量は従来よりもデッドスペース１６の
面積分だけ増加し、その結果、従来よりも明るい液晶表
示装置を得る。本実施の形態における液晶表示装置の実
効開口率はほぼ１００％である。
て、液晶表示装置に入射した光Ａはマイクロレンズ６に
よって屈折され、画素の開口部１３に集光される。ま
た、対向基板１側より見てデッドスペース１６が画素の
開口部１３に含まれているために、デッドスペース１６
上に入射した光は屈折されることなく画素の開口部１３
を透過することができる。このため、画素の開口部１３
を透過する光Ａの量は従来よりもデッドスペース１６の
面積分だけ増加し、その結果、従来よりも明るい液晶表
示装置を得る。本実施の形態における液晶表示装置の実
効開口率はほぼ１００％である。
【００１３】本発明の第２の実施の形態における液晶表
示装置は、図３に示すように第１の実施の形態における
マイクロレンズ６の代わりにマイクロプリズム１７を用
いたものである。マイクロプリズム１７は例えばアクリ
ル樹脂等の樹脂からなり、１辺が１５μｍ程度の正方形
を有し、高さ１０μｍの三角形の断面形状を有する。そ
の屈折率は絶縁層１１を構成する樹脂の屈折率より０．
１以上大きくしてある。その他の構成については第１の
実施の形態と同じである。
示装置は、図３に示すように第１の実施の形態における
マイクロレンズ６の代わりにマイクロプリズム１７を用
いたものである。マイクロプリズム１７は例えばアクリ
ル樹脂等の樹脂からなり、１辺が１５μｍ程度の正方形
を有し、高さ１０μｍの三角形の断面形状を有する。そ
の屈折率は絶縁層１１を構成する樹脂の屈折率より０．
１以上大きくしてある。その他の構成については第１の
実施の形態と同じである。
【００１４】このように構成された液晶表示装置におい
て、液晶表示装置に入射した光Ａはマイクロプリズム１
７によって曲げられ、画素の開口部１３に集光される。
また、対向基板１側より見てデッドスペース１６が画素
の開口部１３に含まれているために、デッドスペース１
６上に入射した光Ａは曲げられることなく画素の開口部
１３を透過することができる。このため、画素の開口部
１３を透過する光の量は従来よりもデッドスペース１６
の面積分だけ増加し、その結果、従来よりも明るい液晶
表示装置を得る。本実施の形態における液晶表示装置の
実効開口率はほぼ１００％である。
て、液晶表示装置に入射した光Ａはマイクロプリズム１
７によって曲げられ、画素の開口部１３に集光される。
また、対向基板１側より見てデッドスペース１６が画素
の開口部１３に含まれているために、デッドスペース１
６上に入射した光Ａは曲げられることなく画素の開口部
１３を透過することができる。このため、画素の開口部
１３を透過する光の量は従来よりもデッドスペース１６
の面積分だけ増加し、その結果、従来よりも明るい液晶
表示装置を得る。本実施の形態における液晶表示装置の
実効開口率はほぼ１００％である。
【００１５】本発明の第３の実施の形態における液晶表
示装置は、図４に示すように、第１の実施の形態におけ
るマイクロレンズ６の代わりにマイクロミラー１８を用
いたものである。マイクロミラー１８は例えばアクリル
樹脂等の樹脂からなり、底面の１辺が１５μｍ程度の正
方形を有し、かつ第１の透明基板５側に頂点が向いた高
さ１０μｍの二等辺三角形の断面形状を有し、その側面
をアルミニウムによって蒸着されている。その他の構成
については第１の実施の形態と同じである。また、第２
の透明基板９の、ＴＦＴ画素１０が存在する面とは反対
側の面から見たとき、マイクロミラー１８のデッドスペ
ース１６の中心は画素の開口部１３の中心に一致してい
る。
示装置は、図４に示すように、第１の実施の形態におけ
るマイクロレンズ６の代わりにマイクロミラー１８を用
いたものである。マイクロミラー１８は例えばアクリル
樹脂等の樹脂からなり、底面の１辺が１５μｍ程度の正
方形を有し、かつ第１の透明基板５側に頂点が向いた高
さ１０μｍの二等辺三角形の断面形状を有し、その側面
をアルミニウムによって蒸着されている。その他の構成
については第１の実施の形態と同じである。また、第２
の透明基板９の、ＴＦＴ画素１０が存在する面とは反対
側の面から見たとき、マイクロミラー１８のデッドスペ
ース１６の中心は画素の開口部１３の中心に一致してい
る。
【００１６】このように構成された液晶表示装置におい
て、液晶表示装置に入射した光Ａはマイクロミラー１８
によって曲げられ、画素の開口部１３に集光される。ま
た、対向基板１側より見てデッドスペース１６が画素の
開口部１３に含まれているために、デッドスペース１６
上に入射した光は曲げられることなく画素の開口部１３
を透過することができる。このため、画素の開口部１３
を透過する光の量は従来よりもデッドスペース１６の面
積分だけ増加し、その結果、従来よりも明るい液晶表示
装置を得ることができる。本実施の形態における液晶表
示装置の実効開口率はほぼ１００％である。
て、液晶表示装置に入射した光Ａはマイクロミラー１８
によって曲げられ、画素の開口部１３に集光される。ま
た、対向基板１側より見てデッドスペース１６が画素の
開口部１３に含まれているために、デッドスペース１６
上に入射した光は曲げられることなく画素の開口部１３
を透過することができる。このため、画素の開口部１３
を透過する光の量は従来よりもデッドスペース１６の面
積分だけ増加し、その結果、従来よりも明るい液晶表示
装置を得ることができる。本実施の形態における液晶表
示装置の実効開口率はほぼ１００％である。
【００１７】本発明の第４の実施の形態における液晶表
示装置は、図５に示すように、マイクロレンズ６のデッ
ドスペース１６が幅３μｍの短冊状を有し、画素の開口
部１３上を横切る形に配置されている。その他の構成に
ついては第１の実施の形態と同じである。また、第２の
透明基板９の、ＴＦＴ画素１０が存在する面とは反対側
の面から見たとき、マイクロレンズ６のデッドスペース
１８の中心線は画素の開口部１３の中心を通っている。
示装置は、図５に示すように、マイクロレンズ６のデッ
ドスペース１６が幅３μｍの短冊状を有し、画素の開口
部１３上を横切る形に配置されている。その他の構成に
ついては第１の実施の形態と同じである。また、第２の
透明基板９の、ＴＦＴ画素１０が存在する面とは反対側
の面から見たとき、マイクロレンズ６のデッドスペース
１８の中心線は画素の開口部１３の中心を通っている。
【００１８】このように構成された液晶表示装置におい
て、液晶表示装置に入射した光Ａはマイクロレンズ６に
よって屈折され、画素の開口部１３に集光される。ま
た、対向基板１側より見てデッドスペース１６の面積の
８０％が画素の開口部１３に含まれているために、デッ
ドスペース１６の上に入射した光Ａのほとんどは屈折さ
れることなく画素の開口部１３を透過することができ
る。このため、画素の開口部１３を透過する光Ａの量
は、対向基板１側より見て画素の開口部１３に含まれて
いるデッドスペース１６の面積分だけ増加し、その結
果、従来よりも明るい液晶表示装置を得る。本実施の形
態における液晶表示装置の実効開口率は９０％である。
て、液晶表示装置に入射した光Ａはマイクロレンズ６に
よって屈折され、画素の開口部１３に集光される。ま
た、対向基板１側より見てデッドスペース１６の面積の
８０％が画素の開口部１３に含まれているために、デッ
ドスペース１６の上に入射した光Ａのほとんどは屈折さ
れることなく画素の開口部１３を透過することができ
る。このため、画素の開口部１３を透過する光Ａの量
は、対向基板１側より見て画素の開口部１３に含まれて
いるデッドスペース１６の面積分だけ増加し、その結
果、従来よりも明るい液晶表示装置を得る。本実施の形
態における液晶表示装置の実効開口率は９０％である。
【００１９】なお、上記の各実施の形態においては、デ
ッドスペース１６が正方形および短冊状の形状の場合に
ついて説明したが、デッドスペース１６の形状は任意で
よい。また、デッドスペース１６の中心が画素の開口部
１３の中心に一致するか、あるいはデッドスペース１６
の中心線が画素の開口部１３の中心を通るようにその両
者を配置する必要はなく、デッドスペース１６および画
素の開口部１３のうち、いずれかの面積の大きい方が面
積の小さい方を含むように両者を配置すればよい。
ッドスペース１６が正方形および短冊状の形状の場合に
ついて説明したが、デッドスペース１６の形状は任意で
よい。また、デッドスペース１６の中心が画素の開口部
１３の中心に一致するか、あるいはデッドスペース１６
の中心線が画素の開口部１３の中心を通るようにその両
者を配置する必要はなく、デッドスペース１６および画
素の開口部１３のうち、いずれかの面積の大きい方が面
積の小さい方を含むように両者を配置すればよい。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の装置によ
れば、対向基板側より見て隣り合う光学素子の間に形成
される部分、およびＴＦＴ画素の開口部のうち、いずれ
かの面積の大きい方が面積の小さい方を含む関係に、光
学素子の間に形成される部分とＴＦＴ画素の開口部とを
配置したことにより、液晶表示装置への入射光を有効に
利用することができ、液晶表示装置の透過率を９０％以
上ないしはほぼ１００％近くに向上でき、投影画像の輝
度を向上させることができる。
れば、対向基板側より見て隣り合う光学素子の間に形成
される部分、およびＴＦＴ画素の開口部のうち、いずれ
かの面積の大きい方が面積の小さい方を含む関係に、光
学素子の間に形成される部分とＴＦＴ画素の開口部とを
配置したことにより、液晶表示装置への入射光を有効に
利用することができ、液晶表示装置の透過率を９０％以
上ないしはほぼ１００％近くに向上でき、投影画像の輝
度を向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態における液晶表示装
置の断面図
置の断面図
【図２】同液晶表示装置の、画素の開口部に対するマイ
クロレンズの配置の状態を示す図
クロレンズの配置の状態を示す図
【図３】本発明の第２の実施の形態における液晶表示装
置の断面図
置の断面図
【図４】本発明の第３の実施の形態における液晶表示装
置の断面図
置の断面図
【図５】本発明の第４の実施の形態における液晶表示装
置の、画素の開口部に対するマイクロレンズの配置の状
態を示す図
置の、画素の開口部に対するマイクロレンズの配置の状
態を示す図
【図６】従来の液晶表示装置の断面図
【図７】同液晶表示装置の、画素の開口部に対するマイ
クロレンズの配置の状態を示す図
クロレンズの配置の状態を示す図
１ 対向基板 ２ 素子基板 ３ 液晶層 ６ マイクロレンズ １０ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）画素 １２ 遮光層 １３ 画素の開口部 １６ デッドスペース １７ マイクロプリズム １８ マイクロミラー
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジ
スタの近傍に形成された開口部とを含む画素を複数個マ
トリクス状に配列した第１の基板と、前記第１の基板と
向かい合い、かつマトリクス状に配列された複数の光学
素子を含む第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の
基板との間に封入された液晶層とを有し、前記第２の基
板側より見て隣り合う前記光学素子の間に形成される部
分、および前記画素の開口部のうち、いずれかの面積の
大きい方が面積の小さい方を含む関係に、前記光学素子
の間に形成される部分と前記画素の開口部とを配置した
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記光学素子がマイクロレンズ、マイク
ロプリズムまたはマイクロミラーからなることを特徴と
する請求項１記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10003679A JPH11202311A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10003679A JPH11202311A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11202311A true JPH11202311A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11564106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10003679A Pending JPH11202311A (ja) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11202311A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010015168A (ko) * | 1999-07-06 | 2001-02-26 | 모리시타 요이찌 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
| JP2007256593A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びプロジェクタ |
| JP2016009047A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
-
1998
- 1998-01-12 JP JP10003679A patent/JPH11202311A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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