JPH11195961A - 対称信号を非対称信号に変換するデバイス - Google Patents

対称信号を非対称信号に変換するデバイス

Info

Publication number
JPH11195961A
JPH11195961A JP10266981A JP26698198A JPH11195961A JP H11195961 A JPH11195961 A JP H11195961A JP 10266981 A JP10266981 A JP 10266981A JP 26698198 A JP26698198 A JP 26698198A JP H11195961 A JPH11195961 A JP H11195961A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
terminal
input
symmetric
converter device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10266981A
Other languages
English (en)
Inventor
Nigel Greer
ニジェール、グリアー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of JPH11195961A publication Critical patent/JPH11195961A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/3432DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with bipolar transistors
    • H03F3/3435DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with bipolar transistors using Darlington amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45376Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using junction FET transistors as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/372Noise reduction and elimination in amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/30Indexing scheme relating to single-ended push-pull [SEPP]; Phase-splitters therefor
    • H03F2203/30031A resistor being coupled as feedback circuit in the SEPP amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/30Indexing scheme relating to single-ended push-pull [SEPP]; Phase-splitters therefor
    • H03F2203/30087Only the bias of the pull transistor of the SEPP being dynamically controlled by the input signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/30Indexing scheme relating to single-ended push-pull [SEPP]; Phase-splitters therefor
    • H03F2203/30091Indexing scheme relating to single-ended push-pull [SEPP]; Phase-splitters therefor the pull side of the SEPP amplifier has an extra drive follower stage to control this pull side
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45191One or more diodes not belonging to a current mirror as loads of a dif amp
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45258Resistors are added in the source circuit of the amplifying FETs of the dif amp
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45471Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising one or more extra current sources

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 対称信号を非対称信号に変換するデバイスを
開示する。 【解決手段】 本発明は、対称入力電圧Vinと、非対称
出力電圧Voutとを持つコンバータデバイス(CONV)に
関する。このコンバータデバイスは、入力電圧Vinの値
にリンクされた値を持つ電流itcmを生成するトランスコ
ンダクタンスモジュール(TCM)と、この電流itcmを、
所定の電位を基準とする電圧Voutに変換する抵抗性モ
ジュール(RM)を有する。トランスコンダクタンスモ
ジュール(TCM)は、入力電圧Vinを受ける差動ペア
(Q1、Q2)、およびこの差動ペア(Q1、Q2)か
ら来るコレクタ電流を受け、この電流間の差を表す電流
itcmを供給する減算器手段(SUB)を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、入力電圧を受ける
対称入力と、出力電圧を供給する非対称出力とを持つコ
ンバータデバイスに関し、このデバイスは、このデバイ
スの入力を形成する対称入力と、前記入力電圧の値とリ
ンクされた値を持つ電流を供給する出力とを持つトラン
スコンダクタンスモジュールと、前記トランスコンダク
タンスモジュールの出力電流を所定の電位を基準とする
電圧に変換する抵抗性モジュールとを含む。
【0002】
【従来の技術】現在、この種のコンバータデバイスは、
共通の接地レベルを基準とした電源電圧の供給を受ける
複数の集積回路を有する装置であって、プリント回路に
より相互接続される装置、例えば、無線電話機において
用いられている。幾つかの集積回路においては、主にノ
イズを削減できるという理由から、対称電圧信号が用い
られる。ノイズを削減できるのは、信号の対称性により
装置構成を対称化できるためである。これら対称信号
は、通常は、電源電圧を基準とし、この電源電圧は、通
常は、蓄電池により生成され、このため、変動を受け
る。2つの集積回路間で、プリント回路を介して伝送さ
れる信号は、共通の接地レベルを基準とすることを必要
とされる。
【0003】従来のコンバータは、殆どが、演算増幅器
に基づく構成によって形成される。このため、従来のコ
ンバータデバイスは、差動増幅器として機能する演算増
幅器を用いて、対称入力電圧を表す非対称タイプの電圧
を生成し、その後段に、差動増幅器の出力電圧に比例す
る電流(この電流は、回路の接地端子に接続された抵抗
に流れる)の電流量を制御する演算増幅器を配置する。
このような構成が、Messrsによって、Paul Horowitsh a
nd Winfield Hillから出版された著書“The Art of Ele
ctronics”に説明されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述のコンバータデバ
イスは、以下のような短所を有する。すなわち、各演算
増幅器は、それ自体が複合回路であり、数十のトランジ
スタにより構成される。このようなデバイスの使用に
は、大きなシリコン表面が必要で、このためコストが高
くなる。加えて、演算増幅器は、電源電圧が変動したと
き、出力電圧が寄生DC成分の影響を受けることがあ
り、このDC成分によって、装置の正常な動作が妨げら
れることがある。
【0005】本発明は、主として、これらの欠点を解消
することを目的としており、具体的には、電源電圧の変
動に対する影響を少なくする一方で、部品数を減らして
単純な構造にした装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】冒頭において述べられた
本発明に係るコンバータデバイスは、前記トランスコン
ダクタンスモジュールを備え、このモジュールは、差動
ペアを形成する第一と第二の双極トランジスタを有し、
これらは、おのおの、基準端子、バイアス端子、および
伝達端子を持ち、これらバイアス端子は、このデバイス
の対称入力を形成する。
【0007】また、トランスコンダクタンスモジュール
は、減算器手段を有し、この減算器手段は、前記第一と
第二のトランジスタの伝達端子によって供給される伝達
電流と呼ばれる電流を受ける2つの入力と、このトラン
スコンダクタンスモジュールの出力に接続されこれら伝
達電流の間の差を表す電流を供給する一つの出力とを持
つ。
【0008】このようなコンバータデバイスにおいて
は、入力電圧を差分電流に直接に変換し、この変換への
電源電圧の変動の影響は殆どなくなる。加えて、本発明
によると、このトランスコンダクタンスモジュールは、
従来の技術のように2つの演算増幅器を含むのではな
く、単一の差分ペアと、減算器手段とを有する。
【0009】本発明の一つの実施例においては、コンバ
ータデバイスは、請求項2に記載される減算器手段を用
いる。この減算器手段の実施例は、これが、単純であ
り、このため、コンバータデバイスのコストを安くでき
るという長所を持つ。前記抵抗性モジュールも、請求項
3の記載に従って非常に単純な形式に実現することがで
きる。
【0010】本発明の一つの好ましい実施例において
は、前記出力抵抗体の第一の端子を所定の電位に設定す
る手段が請求項4の記載に従って構成される。
【0011】第一と第二のトランジスタによって形成さ
れる差動ペアによる入力電圧の差分電流への変換の線形
性は、入力電圧の振幅が前記トランジスタを飽和するほ
ど高いときに変更しうる。請求項5に記載される本発明
のもう一つの実施例は、この現象を克服する。
【0012】上述のように、本発明によるコンバータデ
バイスは、特に、無線電話機に使用するのに適する。こ
のため、本発明は、請求項6に記載の無線電話機にも関
連する。
【0013】本発明のこれらおよびその他の特徴が、以
下の実施例の説明から明らかになる。
【0014】
【発明の実施の形態】図1は、無線電話機の構成を示す
ブロック図である。図1の無線電話機は、無線信号を受
信することを目的とし、無線信号に該当する非対称電圧
信号を供給するアンテナ/フィルタシステム(AF)
と、アンテナ/フィルタシステム(AF)の出力端子に
接続された入力端子と、対称出力端子とを有する平衡変
圧器(BALUN)と、平衡変圧器(BALUN)の出力に接続さ
れた対称入力端子と、対称出力端子とを有する増幅器
(LAN)と、増幅器(LAN)の出力に接続された第一の対
称入力および局部発振器(OSC)からの電圧信号を受信
する第二の対称入力端子と、1つの対称出力端子とを有
するミキサ(MX)と、ミキサ(MX)の出力端子に接
続された対称入力端子と、対称出力とを有する復調器
(DEM)を備える。
【0015】平衡変圧器(BALUN)の機能は、アンテナ
/フィルタシステム(AF)によって供給される非対称
電圧信号を対称信号に変換することにある。これは、ま
た、インピーダンスを増幅器(LAN)に適合させる。平
衡変圧器(BALUN)、増幅器(LAN)、ミキサ(MX)お
よび復調器(DEM)は、好ましくは、受信機回路と呼ば
れる同一の集積回路(REC)内に一体化して搭載され
る。上述のさまざまな要素によって処理される信号の対
称性のために、これら要素は、対称構造を持つ形式の回
路として実現され、このため、処理された信号内に生来
的に含まれる多数のノイズ成分を、補償により、除去す
ることが可能となる。受信機回路には、プリント回路を
介して相互接続された無線電話機の全ての要素に共通の
接地レベルを基準とした電源電圧が供給され、上述した
信号は、この電源電圧を基準とした信号である。これら
信号は、このプリント回路を介して伝送されるときは、
非対称であること、および、回路の共通接地レベルを基
準とすることが要求される。これを達成するために、こ
の装置は、コンバータデバイス(CONV)を有するが、こ
の対称入力は、復調器(DEM)の出力に接続され、その
出力は、非対称タイプの復調された出力電圧Voutを供
給し、接地レベルを基準とする。
【0016】図2はコンバータデバイス(CONV)を示す
図である。このコンバータデバイス(CONV)は、入力電
圧Vinを受ける対称入力端子と、出力電圧Voutを供給
する非対称出力端子とを有する。図2のコンバータデバ
イスは、デバイスの入力を形成する対称入力と、入力電
圧Vinに関連のある電流を出力するトランスコンダクタ
ンスモジュール(TCM)と、トランスコンダクタンスモ
ジュール(TCM)の出力電流itcmを接地レベルを基準と
する電圧Voutに変換する抵抗性モジュール(RM)と
を有する。
【0017】コンバータデバイス(CONV)の内部のトラ
ンスコンダクタンスモジュール(TCM)は、差動ペアを
構成する第一と第二の双極トランジスタQ1、Q2を有
し、おのおのは、基準端子を形成するエミッタと、バイ
アス端子を形成するベースと、伝達端子を形成するコレ
クタとを有し、このベースは、このコンバータデバイス
の対称入力を形成する。
【0018】また、トランスコンダクタンスモジュール
(TCM)は、減算器手段(SUB)を有し、これは、第一と
第二のトランジスタQ1、Q2のコレクタによって供給
される伝達電流i1、i2と呼ばれる電流を受ける2つ
の入力端子と、トランスコンダクタンスモジュール(TC
M)の出力端子に接続されて伝達電流i1とi2との間
の差を表す電流itcmを供給する一つの出力端子とを有す
る。電流itcmは、i1−i2に等しく、入力電圧Vinに
比例する。この電圧から電流への変換は、電源電圧の変
動による影響を殆ど受けない。
【0019】縮退抵抗体R1、R2は、この電圧から電
流への変換を、第一と第二のトランジスタQ1、Q2
が、飽和状態以外で動作するときに、線形にする。
【0020】図3は、本発明の一つの好ましい実施例を
示す図である。既に説明された要素を示す参照符号は、
説明を分かり易くするために、可能な限り、同一の要素
を示すように用いられる。この実施例においては、減算
器手段は、第一と第二のカレントミラー回路(M1、M
2)、(M3、M4)を有し、これらは、それぞれ、入
力ブランチ、出力ブランチ、および第一の電源端子VCC
に接続された基準端子を持ち、第一と第二のカレントミ
ラー回路の入力ブランチは、第一と第二のトランジスタ
Q1、Q2の伝達端子に接続される。また、減算器手段
は、第三のカレントミラー回路(M5、M6)を有し、
その基準端子は、この回路の接地レベル端子を形成する
第二の電源端子VSSに接続され、入力ブランチは、第二
のカレントミラー回路の出力ブランチに接続され、第一
と第三のカレントミラー回路(M1、M2)、(M5、
M6)の出力ブランチは、ともに、トランスコンダクタ
ンスモジュールの出力に接続される。
【0021】抵抗性モジュールは、出力抵抗と呼ばれる
抵抗体Rsを有し、その第一の端子は、トランスコンダ
クタンスモジュールの出力、つまり、第一と第三のカレ
ントミラー回路(M1、M2)、(M5、M6)の出力
ブランチに接続され、第二の端子は、コンバータデバイ
ス(CONV)の出力を形成し、この抵抗性モジュールは、
さらに、出力抵抗体Rsの第一の端子を所定の電位に設
定する手段を含む。
【0022】本発明のこの実施例によると、第一のトラ
ンジスタQ1のコレクタを流れる伝達電流i1は、第一
のカレントミラー回路(M1、M2)の出力ブランチ上
に再生され、第二のトランジスタQ2のコレクタを流れ
る伝達電流i2は、第二のカレントミラー回路(M3、
M4)の出力ブランチ上に再生され、その後、第三のカ
レントミラー回路(M5、M6)の出力ブランチ上に再
生される。抵抗性モジュールの出力抵抗体Rsには、こ
うして、i1−i2に等しく、従って、入力段(Rin
1、Rin2、I1、I2、Q5、Q6、R3、R4)を
無視したときは、入力電圧Vinに比例する電流が流れる
(入力段の有用性については、後に段落において説明す
る)。こうして、出力抵抗体Rsの第一の端子の電位が
固定された場合、この抵抗体Rsは、電圧VinのAC成
分に比例する電圧降下を生成する。ここから得られる出
力電圧Voutは、従って、所定の電位を基準とされる非
対称タイプの電圧となる。
【0023】この出力抵抗体Rsの第一の端子を所定の
電位に設定するための手段は、第一の電源端子VCCとこ
のデバイスの出力との間に配置された電流源I0と、ベ
ースが出力抵抗体Rsの第一の端子に接続され、コレク
タが第一の電源端子VCCに接続された第三のトランジス
タQ3と、ベースが第三のトランジスタQ3のエミッタ
に接続され、エミッタが第二の電源端子VSSに接続さ
れ、コレクタがコンバータデバイス(CONV)の出力に接
続された第四のトランジスタQ4とを有する。
【0024】この実施例によると、出力抵抗体Rsの第
一の端子の電位は、Vbeが第三と第四のトランジスタQ
3、Q4に共通なベース−エミッタ電圧を表す場合は、
2.Vbe+VSSとなる。これらは、固定された値の電
流を供給する電流源I0によってバイアスされるが、こ
れらベース−エミッタ電圧も固定され、このため、出力
抵抗体Rsの第一の端子の電位も固定される。出力電圧
Voutは、こうして、AC成分は、入力電圧Vinの変動
に比例し、DC成分は、常に、2.Vbe+VSSに等し
い非対称タイプの電圧となる。出力電圧Voutは、こう
して、接地レベルを基準とされる。
【0025】この電圧から電流に変換する際の適切な線
形性は、入力段(Rin1、Rin2、I1、I2、Q5、Q
6、R3、R4)が存在しない場合は、縮退抵抗体R
1、R2の公称値を数十キロオーム(kOhms)のオーダ
に選択することによって得られる。ただし、この場合
は、これら抵抗体によってかなりの電圧降下が生成され
る。
【0026】入力段(Rin1、Rin2、I1、I2、Q
5、Q6、R3、R4)は、入力電圧Vinの振幅の過剰
な変動がトランスコンダクタンスモジュールによって遂
行される、電圧から電流への変換に与える不所望の影響
を低減する。実際、差動ペア(Q1、Q2)が、第一あ
るいは第二のトランジスタQ1、Q2のどちらかを飽和
するのに十分に大きな振幅を持つ入力電圧Vinを直接に
受けた場合には、伝達電流i1とi2は、これらの差
が、もはや、入力電圧Vinに比例しないようなものとな
る。従って、本発明のこの好ましい実施例においては、
コンバータデバイス(CONV)は、第一と第二のトランジ
スタQ1、Q2によって形成される差動ペアとこのデバ
イスの対称入力との間に挿入された、第五と第六のトラ
ンジスタQ5、Q6によって形成される第二の差動ペア
を有し、これらのベースは、それぞれ、第一と第二のト
ランジスタQ1、Q2のベースに接続され、これらのコ
レクタは、負荷を介して第一の電源端子VCCに接続さ
れ、第五と第六のトランジスタQ5、Q6のベースは、
そのコレクタと、入力抵抗体Rin1あるいはRin2の第
一の端子とに接続され、入力抵抗体Rin1、Rin2の第
二の端子は、コンバータデバイス(CONV)の対称入力を
形成する。
【0027】要素(Rin1、Q5、Q3)と、要素(R
in2、Q6、R2)のストリングは、差動デバイダブリ
ッジを形成する。第一と第二のトランジスタQ1、Q2
のベースに流れる電圧の値は、こうして、単に、入力電
圧Vinの電圧の一部分となり、このため、これらトラン
ジスタが飽和する危険性が回避される。入力抵抗体Rin
1、Rin2の公称値を数十キロオームに固定し、縮退抵
抗体R1、R2、R3、R4の公称値を1キロオームの
オーダに固定することで、過剰な電圧降下を生成するこ
となく、最適な線形性を得ることが可能となる。
【0028】第五と第六のトランジスタQ5、Q6の負
荷は、ここでは、電流源I1、I2とされる。これは、
これらトランジスタのバイアスが、入力電圧Vinとは独
立し、この電圧の変動とは独立することを確保する。こ
れら負荷が抵抗体である場合は、このようにはならな
い。
【0029】最後に、トランジスタQ1、Q2、Q3、
Q4、Q5、Q6、M5、M6は、この例では、双極ト
ランジスタであるものとして示されたが、当業者におい
て明らかなように、これらトランジスタとして、代わり
に、MOSタイプのトランジスタを用いることも可能で
ある。この場合は、ドレインによって伝達端子が形成さ
れ、ソースによって基準端子が形成され、ゲートによっ
てバイアス端子が形成される。この逆が、トランジスタ
M1、M2、M3、M4について言える。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるコンバータデバイスを有する無線
電話機の構成を示す図。
【図2】本発明によるコンバータデバイスの構成を示す
図。
【図3】本発明の一つの好ましい実施例によるコンバー
タデバイスの電気回路図。
【符号の説明】
AF アンテナ/フィルタシステム BALUN 平衡変圧器 LAN 増幅器 OSC 局部発振器 MX ミキサ DEM 復調器 CONV コンバータデバイス TCM トランスコンダクタンスモジュール RM 抵抗性モジュール Q1、Q2 差動ペア SUB 減算器手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 590000248 Groenewoudseweg 1, 5621 BA Eindhoven, Th e Netherlands

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入力電圧を受ける対称入力と、出力電圧を
    供給する非対称出力とを持つコンバータデバイスであっ
    て、 このデバイスの入力を形成する対称入力と、入力電圧の
    値とリンクされた値を持つ電流を供給する出力とを持つ
    トランスコンダクタンスモジュールと、 トランスコンダクタンスモジュールの出力電流を、所定
    の電位を基準とする電圧に変換する抵抗性モジュールと
    を有し、 このコンバータデバイスのトランスコンダクタンスモジ
    ュールは、 差動ペアを形成する第一と第二の双極トランジスタを有
    し、おのおのが、基準端子、バイアス端子、および伝達
    端子を持ち、これらバイアス端子が、このデバイスの対
    称入力を形成し、 このトランスコンダクタンスモジュールは、減算器手段
    を有し、 この減算器手段は、第一と第二のトランジスタの伝達端
    子によって供給される伝達電流と呼ばれる電流を受ける
    2つの入力と、トランスコンダクタンスモジュールの出
    力に接続され、伝達電流の間の差を表す電流を供給する
    一つの出力とを持つことを特徴とするコンバータデバイ
    ス。
  2. 【請求項2】前記減算器手段は、 第一と第二のカレントミラー回路と、第三のカレントミ
    ラー回路とを有し、 前記第一および第二のカレントミラー回路はそれぞれ、
    入力ブランチと、出力ブランチと、第一の電源端子に接
    続された基準端子とを有し、 前記第一と第二のカレントミラー回路の入力ブランチ
    は、第一と第二のトランジスタの伝達端子に接続され、 前記第三のカレントミラー回路の基準端子は、第二の電
    源端子に接続され、 前記第三のカレントミラー回路の入力ブランチは、第二
    のカレントミラー回路の出力ブランチに接続され、 前記第一と第三のカレントミラー回路の出力ブランチは
    ともに、トランスコンダクタンスモジュールの出力に接
    続されることを特徴とする請求項1に記載のコンバータ
    デバイス。
  3. 【請求項3】前記抵抗性モジュールは、 出力抵抗体と呼ばれる抵抗体を有し、その第一の端子
    は、トランスコンダクタンスモジュールの出力に接続さ
    れ、その第二の端子は、前記コンバータデバイスの出力
    を形成し、 出力抵抗体Rsの第一の端子を所定の電位に設定する手
    段を有することを特徴とする請求項2に記載のコンバー
    タデバイス。
  4. 【請求項4】前記出力抵抗体の第一の端子を所定の電位
    に設定する手段は、 第一の電源端子VCCとこのデバイスの出力との間に配置
    された電流源と、 バイアス端子が前記出力抵抗体の第一の端子に接続さ
    れ、伝達端子が前記第一の電源端子に接続された第三の
    トランジスタと、 バイアス端子が前記第三のトランジスタの基準端子に接
    続され、基準端子が第二の電源端子に接続され、伝達端
    子がコンバータデバイスの出力に接続された第四のトラ
    ンジスタを有することを特徴とする請求項3に記載のコ
    ンバータデバイス。
  5. 【請求項5】第一と第二のトランジスタによって形成さ
    れる差動ペアとこのデバイスの対称入力との間に挿入さ
    れた、第五と第六のトランジスタによって形成される第
    二の差動ペアを有し、 これらのバイアス端子は、それぞれ、第一と第二のトラ
    ンジスタのバイアス端子に接続され、 これらの伝達端子は、負荷を介して前記第一の電源端子
    に接続され、 前記第五と第六のトランジスタのバイアス端子は、その
    伝達端子と、入力抵抗体の第一の端子に接続され、 これら入力抵抗体の第二の端子は、このコンバータデバ
    イスの対称入力を形成することを特徴とする請求項2〜
    4のいずれかに記載のコンバータデバイス。
  6. 【請求項6】無線電話機であって、 無線信号の受信を確実するとともに、出力上に前記信号
    を表す非対称電圧信号を供給するアンテナ/フィルタシ
    ステムと、 アンテナ/フィルタシステムの出力に接続された入力
    と、対称出力とを有する平衡変圧器と、 前記平衡変圧器の出力に接続された対称入力と、対称出
    力とを持つ増幅器と、 前記増幅器の出力に接続された第一の対称入力および局
    部発振器から来る電圧信号を受ける第二の対称入力と、
    1つの対称出力とを持つミキサと、 前記ミキサの出力に接続された対称入力と、対称出力と
    を持つ復調器とを有し、 前記無線電話機は、請求項1〜5のいずれかに記載のコ
    ンバータデバイスを有し、 前記コンバータデバイスの対称入力は復調器の出力に接
    続され、この出力は、非対称タイプの復調された出力信
    号を供給することを特徴とする無線電話機。
JP10266981A 1997-09-23 1998-09-21 対称信号を非対称信号に変換するデバイス Pending JPH11195961A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9711831 1997-09-23
FR9711831 1997-09-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11195961A true JPH11195961A (ja) 1999-07-21

Family

ID=9511382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10266981A Pending JPH11195961A (ja) 1997-09-23 1998-09-21 対称信号を非対称信号に変換するデバイス

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6167284A (ja)
EP (1) EP0903848A1 (ja)
JP (1) JPH11195961A (ja)
KR (1) KR19990030039A (ja)
CN (1) CN1216879A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150077935A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 삼성전기주식회사 피에조 구동 장치 및 방법, 그를 이용한 피에조

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7274916B2 (en) * 2004-07-23 2007-09-25 Texas Instruments Incorporated Differential signal receiver and method
CN113131883B (zh) * 2019-12-30 2022-10-28 澜至电子科技(成都)有限公司 低噪声放大器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4464630A (en) * 1980-03-07 1984-08-07 Harris Corporation Transimpedance pre-amplifier
US4464591A (en) * 1982-06-23 1984-08-07 National Semiconductor Corporation Current difference sense amplifier
US5325070A (en) * 1993-01-25 1994-06-28 Motorola, Inc. Stabilization circuit and method for second order tunable active filters
US6073002A (en) * 1998-05-04 2000-06-06 Motorola Mixer circuit and communication device using the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150077935A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 삼성전기주식회사 피에조 구동 장치 및 방법, 그를 이용한 피에조
US9680084B2 (en) 2013-12-30 2017-06-13 Mplus Co., Ltd. Piezoelectric element driving apparatus and method, and piezoelectric system using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990030039A (ko) 1999-04-26
US6167284A (en) 2000-12-26
EP0903848A1 (fr) 1999-03-24
CN1216879A (zh) 1999-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7415256B2 (en) Received signal strength measurement circuit, received signal strength detection circuit and wireless receiver
JP3390057B2 (ja) 変換器回路及びこれを用いたダブルバランストミキサー回路
JP3088262B2 (ja) 低歪差動増幅回路
EP1444777B1 (en) A power amplifier module with distortion compensation
JPH0775289B2 (ja) 相互コンダクタンス増幅回路
JP2559392B2 (ja) ブリツジ増幅器
JP2002043852A (ja) 半導体集積回路
JP2885281B2 (ja) Dcオフセットキャンセル回路及びそれを用いた差動増幅回路
Nauta et al. Analog line driver with adaptive impedance matching
US5132640A (en) Differential current amplifier circuit
US6531920B1 (en) Differential amplifier circuit
JPH11195961A (ja) 対称信号を非対称信号に変換するデバイス
EP0368379B1 (en) Transistor circuit with base-current compensation
JP4567831B2 (ja) 電圧電流変換器
JP2748017B2 (ja) リニア広帯域差動増幅器
EP0051362B1 (en) Electronic gain control circuit
JP2000515343A (ja) 高利得共通エミッタの出力ステージ
JPH09331220A (ja) 利得可変増幅器
US6980052B1 (en) Low-voltage pre-distortion circuit for linear-in-dB variable-gain cells
CA2342918A1 (en) Electronic circuit
JPS6315766B2 (ja)
US20020140507A1 (en) Variable gain amplifier
JPH04208702A (ja) 周波数変換回路
JPH11271367A (ja) 電界強度検出回路
JPH10209759A (ja) 2重平衡ミクサー回路