JPH11195635A - Semiconductor wafer cleaning and drying device - Google Patents
Semiconductor wafer cleaning and drying deviceInfo
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- JPH11195635A JPH11195635A JP9298A JP9298A JPH11195635A JP H11195635 A JPH11195635 A JP H11195635A JP 9298 A JP9298 A JP 9298A JP 9298 A JP9298 A JP 9298A JP H11195635 A JPH11195635 A JP H11195635A
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- semiconductor wafer
- inert gas
- wafer
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハーに
おいて、その表面の洗浄と、乾燥とを行う装置に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for cleaning and drying the surface of a semiconductor wafer.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体ウハエーを使用して集積
回路チップを製作するに際しては、前記半導体ウエハー
の表面に対して各種の膜形成のような各種の表面加工を
施した都度、その表面を洗浄したのち乾燥することが必
要であるが、洗浄・乾燥を行うための一つの装置に、上
端に半導体ウエハーを水平にして載置した縦軸を、上面
を開放したカバー容器内に、当該カバー容器の底板を貫
通して挿入し、前記半導体ウエハーを縦軸にて回転しな
がらその表面を、当該表面に散布した洗浄水を園遠心力
で周囲に振り飛ばしながら洗浄したのち乾燥するように
構成したものがある。2. Description of the Related Art In general, when fabricating an integrated circuit chip using a semiconductor wafer, the surface of the semiconductor wafer is cleaned each time various types of surface processing such as various types of film formation are performed. After that, it is necessary to dry, but in one device for cleaning and drying, the vertical axis on which the semiconductor wafer is placed horizontally at the upper end is placed in a cover container having an open upper surface, The bottom surface of the semiconductor wafer was inserted through, and the surface was rotated while rotating the semiconductor wafer on the vertical axis, and the surface was washed while the washing water sprayed on the surface was shaken off by the centrifugal force, and then dried. There is something.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の洗
浄・乾燥装置は、その洗浄・乾燥を大気中において行う
ものであることにより、洗浄に際して半導体ウエハーの
表面に付着した水分が加熱蒸発及び遠心力等にて除去さ
れるまでの間に大気中の酸素を吸収することによって、
半導体ウエハーの表面に乾燥染みが発生すると言う問題
があった。However, since the conventional cleaning / drying apparatus performs the cleaning / drying in the air, the moisture adhering to the surface of the semiconductor wafer during cleaning is heated and evaporated and centrifuged. By absorbing oxygen in the atmosphere before being removed by force, etc.,
There is a problem that dry stains occur on the surface of the semiconductor wafer.
【0004】この問題を解消するには、前記の洗浄・乾
燥装置におけるカバー容器を密閉型にすると共に、当該
内部を窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気にすれば良い
が、カバー容器を密閉型にすることは、当該カバー容器
内への半導体ウエハーの出し入れがきわめて面倒になる
ばかりか、窒素ガス等の不活性ガスの使用量が多くなる
と言う問題がある。In order to solve this problem, the cover container in the above-mentioned cleaning / drying apparatus may be closed and the inside thereof may be set to an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas. In this case, not only is it extremely troublesome to take the semiconductor wafer into and out of the cover container, but also there is a problem that the amount of use of an inert gas such as nitrogen gas increases.
【0005】本発明は、これらの問題を解消した洗浄・
乾燥装置を提供することを技術的課題とするものであ
る。[0005] The present invention provides a cleaning and cleaning method which solves these problems.
It is a technical object to provide a drying device.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「上面を開放したカバー容器内に、回
転する縦軸を、当該カバー容器の底板を貫通して挿入
し、この縦軸の上端に半導体ウエハーの載置部を設け、
この半導体ウエハー載置部の上方に、前記半導体ウエハ
ーの表面に対する洗浄水の噴出ノズルを配設して成る洗
浄・乾燥装置において、前記半導体ウエハー載置部の上
方に、前記半導体ウエハーの表面に対する窒素ガス等の
不活性ガスのブロー管を配設する。」と言う構成にし
た。According to the present invention, there is provided a cover container having an open upper surface, wherein a rotating longitudinal axis is inserted through a bottom plate of the cover container. At the upper end of the vertical axis, a mounting part for the semiconductor wafer is provided,
In the cleaning / drying apparatus having a nozzle for jetting cleaning water for the surface of the semiconductor wafer disposed above the semiconductor wafer mounting portion, the nitrogen for the surface of the semiconductor wafer may be mounted above the semiconductor wafer mounting portion. A blow pipe for inert gas such as gas is provided. ".
【0007】[0007]
【発明の作用・効果】この構成において、半導体ウエハ
ーを回転しながらその表面に対して洗浄水の散布とする
洗浄が完了すると、これと略同時か、又は、その完了に
相前後して、前記半導体ウエハーの表面に対して、ブロ
ー管から窒素ガス等の不活性ガスをブローすることによ
り、前記半導体ウエハーの表面を、窒素ガス等の不活性
ガスの雰囲気にして、大気中に酸素との接触を阻止した
状態のもとで、洗浄水を加熱蒸発及び遠心力等にて除去
することができるのであり、また、前記窒素ガス等の不
活性ガスは、ブロー管にて半導体ウエハーの表面にブロ
ーするだけで良いから、この窒素ガス等の不活性ガスの
使用量は少なくて済むのである。In this configuration, when cleaning is performed by spraying cleaning water on the surface of a semiconductor wafer while rotating the semiconductor wafer, the cleaning is performed substantially simultaneously with or before or after the completion. The surface of the semiconductor wafer is blown with an inert gas such as a nitrogen gas from a blow pipe to bring the surface of the semiconductor wafer into an atmosphere of an inert gas such as a nitrogen gas and contact the atmosphere with oxygen. The washing water can be removed by heat evaporation and centrifugal force, etc., in a state where the gas is blocked, and the inert gas such as the nitrogen gas is blown onto the surface of the semiconductor wafer by a blow pipe. Therefore, the amount of use of the inert gas such as the nitrogen gas can be reduced.
【0008】従って、本発明によると、半導体ウエハー
に対する洗浄・乾燥に際して、その表面に乾燥染みが発
生することを、当該半導体ウエハーのカバー容器内への
出し入れが容易にでき、且つ、窒素ガス等の不活性ガス
の使用量を少なくした状態のもとで、確実に低減できる
効果を有する。Therefore, according to the present invention, the occurrence of dry stain on the surface of a semiconductor wafer during cleaning and drying can be prevented by taking the semiconductor wafer into and out of the cover container easily, and also by removing nitrogen gas or the like. This has the effect of reliably reducing the amount of inert gas used.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
1及び図2の図面について説明する。この図において符
号1は、上面を開放したカバー容器を示し、このカバー
容器1の内部には、図示しないモータ等にて回転する縦
軸2が、カバー容器1の底板1aを貫通して挿入され、
この縦軸2の上端には、半導体ウエハー3を水平にして
載置する真空吸着式のスピンチャック4が取付けられて
いる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In this figure, reference numeral 1 denotes a cover container having an open top surface, and a vertical axis 2 rotated by a motor or the like (not shown) is inserted through the bottom plate 1a of the cover container 1 inside the cover container 1. ,
At the upper end of the vertical axis 2, a vacuum chuck spin chuck 4 on which the semiconductor wafer 3 is placed horizontally is mounted.
【0010】このスピンチャック4の上方には、当該ス
ピンチャック4の上面に載置した前記半導体ウエハー3
の表面に対して純水等の洗浄水を散布するための噴出ノ
ズル5が配設される一方、前記カバー容器1における底
板1aには、洗浄水の排出口6が設けられている。符号
7は、前記半導体ウエハー3の表面に対して窒素ガス等
の不活性ガスをブローするためのブロー管を示し、この
ブロー管7は、前記半導体ウエハー3の外側から半導体
ウエハー3の略中心に向かって延びて、その基端部を前
記カバー容器1の内面に対してピン部8にて回転自在に
枢着することにより、半導体ウエハー3の上部の位置
(この位置を、図2に実線で示す)と、半導体ウエハー
3の外周方向に離れた位置(この位置を、図2二点鎖線
で示す)との間を往復動するように構成され、このブロ
ー管7には、複数個のガス噴出口7aが列状に穿設され
ている。Above the spin chuck 4, the semiconductor wafer 3 mounted on the upper surface of the spin chuck 4 is provided.
While a jet nozzle 5 for spraying cleaning water such as pure water on the surface of the cover container 1 is provided, a discharge port 6 for cleaning water is provided in the bottom plate 1a of the cover container 1. Reference numeral 7 denotes a blow tube for blowing an inert gas such as nitrogen gas to the surface of the semiconductor wafer 3, and the blow tube 7 is disposed at a substantially center of the semiconductor wafer 3 from outside the semiconductor wafer 3. 2, the base end thereof is rotatably pivotally connected to the inner surface of the cover container 1 with a pin 8 so that the upper portion of the semiconductor wafer 3 (this position is indicated by a solid line in FIG. 2). ) And a position distant in the outer peripheral direction of the semiconductor wafer 3 (this position is indicated by a two-dot chain line in FIG. 2). The ejection ports 7a are formed in a row.
【0011】この構成において、ブロー管7を、図2に
二点鎖線で示すように、外側に離れた位置にした状態
で、縦軸2の上端におけるスピンチャック4の上面に、
半導体ウエハー3を載置したのち、この半導体ウエハー
3を回転しながらその表面に噴出ノズル5から洗浄水を
散布することにより、半導体ウエハー3の表面を洗浄す
る。In this configuration, as shown by a two-dot chain line in FIG.
After the semiconductor wafer 3 is placed, the surface of the semiconductor wafer 3 is cleaned by spraying cleaning water from the ejection nozzle 5 while rotating the semiconductor wafer 3.
【0012】この洗浄が完了すると、これと略同時か、
又は、その完了に相前後して、前記ブロー管7を、図2
に実線で示すように、半導体ウエハー3の上部の位置し
て、このブロー管7から半導体ウエハー3の表面に対し
て窒素ガス等の不活性ガスをブローすることにより、前
記半導体ウエハー3の表面を、窒素ガス等の不活性ガス
の雰囲気にして、大気中に酸素との接触を阻止した状態
のもとで、洗浄水を加熱蒸発及び遠心力等にて除去する
ことができるのである。When this cleaning is completed,
Alternatively, before or after the completion, the blow tube 7 is
As shown by a solid line, the surface of the semiconductor wafer 3 is blown with an inert gas such as nitrogen gas from the blow pipe 7 to the surface of the semiconductor wafer 3. The washing water can be removed by heat evaporation and centrifugal force in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas while preventing contact with oxygen in the atmosphere.
【0013】この場合において、窒素ガス等の不活性ガ
スは、ブロー管にて半導体ウエハーの表面にブローする
だけで良いから、前記カバー容器を密閉型にして、この
内部に不活性ガスを充満する場合よりも、不活性ガスを
使用量を少なくできる一方、カバー容器に対する半導体
ウエハーの出し入れも容易にできるのである。なお、前
記ブロー管7を、前記したように、半導体ウエハー3の
外側から半導体ウエハー3の略中心に向かって延びたも
のにして、これに複数個のガス噴出口7aを列状に穿設
したものに構成することにより、半導体ウエハーの表面
における全体に対して不活性ガスを略均一に供給できる
から、不活性ガスの使用量をより低減できるのであり、
また、このブロー管7を、半導体ウエハー3の上部の位
置(この位置を、図2に実線で示す)と、半導体ウエハ
ー3の外周方向に離れた位置(この位置を、図2二点鎖
線で示す)との間を往復動するように構成することによ
り、半導体ウエハー3のスピンチャック4に対する着脱
に際して、当該ブロー管7が邪魔になることを回避でき
るのである。In this case, since the inert gas such as nitrogen gas only needs to be blown onto the surface of the semiconductor wafer by a blow pipe, the cover container is closed and the inside is filled with the inert gas. As compared with the case, the amount of the inert gas used can be reduced, and the semiconductor wafer can be easily taken in and out of the cover container. As described above, the blow pipe 7 extends from the outside of the semiconductor wafer 3 toward the approximate center of the semiconductor wafer 3, and a plurality of gas outlets 7a are bored in a row. Since the inert gas can be supplied almost uniformly to the entire surface of the semiconductor wafer by configuring the semiconductor wafer, the amount of the inert gas used can be further reduced,
Further, the blow tube 7 is positioned at a position above the semiconductor wafer 3 (this position is indicated by a solid line in FIG. 2) and at a position separated in the outer peripheral direction of the semiconductor wafer 3 (this position is indicated by a two-dot chain line in FIG. 2). (Shown) can be prevented from obstructing the blow tube 7 when the semiconductor wafer 3 is attached to or detached from the spin chuck 4.
【図1】本発明の実施の形態を示す縦断正面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional front view showing an embodiment of the present invention.
【図2】図1のII−II視平断面図である。FIG. 2 is a plan sectional view taken along line II-II of FIG.
1 カバー容器 2 縦軸 3 半導体ウエハー 4 スピンチャック 5 洗浄水の噴出ノズル 7 不活性ガスのブロー管 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cover container 2 Vertical axis 3 Semiconductor wafer 4 Spin chuck 5 Cleaning water jet nozzle 7 Inert gas blow pipe
Claims (1)
縦軸を、当該カバー容器の底板を貫通して挿入し、この
縦軸の上端に半導体ウエハーの載置部を設け、この半導
体ウエハー載置部の上方に、前記半導体ウエハーの表面
に対する洗浄水の噴出ノズルを配設して成る洗浄・乾燥
装置において、 前記半導体ウエハー載置部の上方に、前記半導体ウエハ
ーの表面に対する窒素ガス等の不活性ガスの噴出ノズル
を配設したことを特徴とする半導体ウエハーの洗浄・乾
燥装置。1. A rotating vertical axis is inserted through a bottom plate of the cover container into a cover container having an open upper surface, and a mounting portion for a semiconductor wafer is provided at an upper end of the vertical axis. A cleaning / drying device comprising a nozzle for jetting cleaning water for the surface of the semiconductor wafer disposed above the mounting portion, wherein a nitrogen gas or the like for the surface of the semiconductor wafer is disposed above the semiconductor wafer mounting portion. An apparatus for cleaning and drying a semiconductor wafer, comprising an injection nozzle for an inert gas.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9298A JPH11195635A (en) | 1998-01-05 | 1998-01-05 | Semiconductor wafer cleaning and drying device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9298A JPH11195635A (en) | 1998-01-05 | 1998-01-05 | Semiconductor wafer cleaning and drying device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11195635A true JPH11195635A (en) | 1999-07-21 |
Family
ID=11464484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9298A Pending JPH11195635A (en) | 1998-01-05 | 1998-01-05 | Semiconductor wafer cleaning and drying device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11195635A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100424851B1 (en) * | 2001-06-28 | 2004-03-27 | 동부전자 주식회사 | Wet etching/cleaning apparatus and method for fabricating a semiconductor device |
US7431040B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-10-07 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for dispensing a rinse solution on a substrate |
CN104634087A (en) * | 2013-11-07 | 2015-05-20 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | Blowing device for rapidly drying surfaces of wafers |
CN105180606A (en) * | 2015-09-17 | 2015-12-23 | 贵州雅光电子科技股份有限公司 | Device for drying washed diodes |
-
1998
- 1998-01-05 JP JP9298A patent/JPH11195635A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100424851B1 (en) * | 2001-06-28 | 2004-03-27 | 동부전자 주식회사 | Wet etching/cleaning apparatus and method for fabricating a semiconductor device |
US7431040B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-10-07 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for dispensing a rinse solution on a substrate |
CN104634087A (en) * | 2013-11-07 | 2015-05-20 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | Blowing device for rapidly drying surfaces of wafers |
CN105180606A (en) * | 2015-09-17 | 2015-12-23 | 贵州雅光电子科技股份有限公司 | Device for drying washed diodes |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050412 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20050606 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060613 |