JPH11195362A - 基板型温度ヒュ−ズ及び抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズ - Google Patents
基板型温度ヒュ−ズ及び抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズInfo
- Publication number
- JPH11195362A JPH11195362A JP36849097A JP36849097A JPH11195362A JP H11195362 A JPH11195362 A JP H11195362A JP 36849097 A JP36849097 A JP 36849097A JP 36849097 A JP36849097 A JP 36849097A JP H11195362 A JPH11195362 A JP H11195362A
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- fusible alloy
- alloy piece
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Abstract
(57)【要約】
【課題】大なる定格電流のもとでも膜電極の自己発熱を
抑制して正確に所定温度で作動させ得る基板型温度ヒュ
−ズを提供する。 【解決手段】導電ペ−ストの印刷・焼付けにより絶縁基
板１上に膜電極２を形成し、膜電極間に低融点可溶合金
片３を接続し、該低融点可溶合金片にフラックス４を塗
布し、フラックス塗布低融点可溶合金片及び膜電極を絶
縁被覆層６で封止した温度ヒュ−ズにおいて、上記膜電
極２のシ−ト抵抗値を１．３ｍΩ／□以下とした。
抑制して正確に所定温度で作動させ得る基板型温度ヒュ
−ズを提供する。 【解決手段】導電ペ−ストの印刷・焼付けにより絶縁基
板１上に膜電極２を形成し、膜電極間に低融点可溶合金
片３を接続し、該低融点可溶合金片にフラックス４を塗
布し、フラックス塗布低融点可溶合金片及び膜電極を絶
縁被覆層６で封止した温度ヒュ−ズにおいて、上記膜電
極２のシ−ト抵抗値を１．３ｍΩ／□以下とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は合金タイプの基板型
温度ヒュ−ズ及び抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズに関す
るものである。
温度ヒュ−ズ及び抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】合金型温度ヒュ−ズにおいては、フラッ
クスを塗布した低融点可溶合金片をヒュ−ズエレメント
として使用しており、機器の過電流による発熱で低融点
可溶合金片が溶融され、既に溶融により活性化されたフ
ラックスとの共存下、溶融合金がリ−ド線への濡れで引
張られて分断され、機器への通電遮断により機器の異常
発熱を未然に防止している。かかる合金型温度ヒュ−ズ
として、セラミックス基板のような耐熱性絶縁基板上に
導電ペ−ストの印刷・焼き付けにより一対の膜電極を形
成し、膜電極間に低融点可溶合金片を接続し、該低融点
可溶合金片上にフラックスを塗布し、各膜電極にリ−ド
線を接続し、フラックス塗布低融点可溶合金片及び膜電
極を封止するようにエポキシ樹脂等の被覆層を設けた、
基板型温度ヒュ−ズが公知である（例えば、実公平５−
１４４３０号）。
クスを塗布した低融点可溶合金片をヒュ−ズエレメント
として使用しており、機器の過電流による発熱で低融点
可溶合金片が溶融され、既に溶融により活性化されたフ
ラックスとの共存下、溶融合金がリ−ド線への濡れで引
張られて分断され、機器への通電遮断により機器の異常
発熱を未然に防止している。かかる合金型温度ヒュ−ズ
として、セラミックス基板のような耐熱性絶縁基板上に
導電ペ−ストの印刷・焼き付けにより一対の膜電極を形
成し、膜電極間に低融点可溶合金片を接続し、該低融点
可溶合金片上にフラックスを塗布し、各膜電極にリ−ド
線を接続し、フラックス塗布低融点可溶合金片及び膜電
極を封止するようにエポキシ樹脂等の被覆層を設けた、
基板型温度ヒュ−ズが公知である（例えば、実公平５−
１４４３０号）。
【０００３】近来、携帯電話、ＰＨＳ、ノ−トパソコン
等の電源としてリチウムイオン二次電池が使用されつつ
ある。このリチウムイオン二次電池においては、エネル
ギ−密度が高く、同一容積のもとでニッケルカドミウム
電池の１．５〜２．０倍のエネルギ−を有し、万一内部
短絡が生じれば、その短絡時での発熱量は大であり、感
熱プロテクタ−による保護が必要である。そこで、上記
基板型温度ヒュ−ズの薄型性に着目し、この基板型温度
ヒュ−ズをリチウムイオン二次電池のパック内に装着し
て電池の正極と負極との間に直列に挿入し、上記発熱で
温度ヒュ−ズを作動させて正極−負極間を電気的に解放
することが提案されている。
等の電源としてリチウムイオン二次電池が使用されつつ
ある。このリチウムイオン二次電池においては、エネル
ギ−密度が高く、同一容積のもとでニッケルカドミウム
電池の１．５〜２．０倍のエネルギ−を有し、万一内部
短絡が生じれば、その短絡時での発熱量は大であり、感
熱プロテクタ−による保護が必要である。そこで、上記
基板型温度ヒュ−ズの薄型性に着目し、この基板型温度
ヒュ−ズをリチウムイオン二次電池のパック内に装着し
て電池の正極と負極との間に直列に挿入し、上記発熱で
温度ヒュ−ズを作動させて正極−負極間を電気的に解放
することが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、リチウ
ムイオン二次電池の定格電流は３〜５アンペアにも達し
温度ヒュ−ズで取扱う電流としては大であり、従来の基
板型温度ヒュ−ズでは膜電極の自己発熱量が大となって
誤作動が懸念される。
ムイオン二次電池の定格電流は３〜５アンペアにも達し
温度ヒュ−ズで取扱う電流としては大であり、従来の基
板型温度ヒュ−ズでは膜電極の自己発熱量が大となって
誤作動が懸念される。
【０００５】本発明の目的は、基板型温度ヒュ−ズ、す
なわち、金属粒体とバインダ−を含有する導電ペ−スト
の印刷・焼付けにより絶縁基板上に膜電極を形成し、膜
電極間に低融点可溶合金片を接続し、該低融点可溶合金
片にフラックスを塗布し、フラックス塗布低融点可溶合
金片及び膜電極を絶縁被覆層で封止した温度ヒュ−ズに
おいて、大なる定格電流のもとでも膜電極の自己発熱を
抑制して正確に所定温度で作動させ得る基板型温度ヒュ
−ズを提供することにある。
なわち、金属粒体とバインダ−を含有する導電ペ−スト
の印刷・焼付けにより絶縁基板上に膜電極を形成し、膜
電極間に低融点可溶合金片を接続し、該低融点可溶合金
片にフラックスを塗布し、フラックス塗布低融点可溶合
金片及び膜電極を絶縁被覆層で封止した温度ヒュ−ズに
おいて、大なる定格電流のもとでも膜電極の自己発熱を
抑制して正確に所定温度で作動させ得る基板型温度ヒュ
−ズを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板型温度
ヒュ−ズは、導電ペ−ストの印刷・焼付けにより絶縁基
板上に膜電極を形成し、膜電極間に低融点可溶合金片を
接続し、該低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、フ
ラックス塗布低融点可溶合金片及び膜電極を絶縁被覆層
で封止した温度ヒュ−ズにおいて、上記膜電極のシ−ト
抵抗値を１．３ｍΩ／□以下としたことを特徴とする構
成である。本発明に係る抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズ
は、上記基板型温度ヒュ−ズの絶縁基板に膜抵抗を設け
たことを特徴とする構成である。
ヒュ−ズは、導電ペ−ストの印刷・焼付けにより絶縁基
板上に膜電極を形成し、膜電極間に低融点可溶合金片を
接続し、該低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、フ
ラックス塗布低融点可溶合金片及び膜電極を絶縁被覆層
で封止した温度ヒュ−ズにおいて、上記膜電極のシ−ト
抵抗値を１．３ｍΩ／□以下としたことを特徴とする構
成である。本発明に係る抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズ
は、上記基板型温度ヒュ−ズの絶縁基板に膜抵抗を設け
たことを特徴とする構成である。
【０００７】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズまたは抵
抗体付き基板型温度ヒュ−ズにおいては、膜電極のシ−
ト抵抗値を１．３ｍΩ／□以下としているために膜電極
の厚みが４０μｍ〜１００μｍと厚肉となる。この膜厚
みは、例えば箔状の低融点可溶合金片の厚み２００μｍ
に相当近くなり、溶融した低融点可溶合金が膜電極への
濡れで電極側に移動しようとする際、膜電極縁端が大き
な段差となるが、この段差が溶融合金の分断速度を遅ら
せるようなことはない。
抗体付き基板型温度ヒュ−ズにおいては、膜電極のシ−
ト抵抗値を１．３ｍΩ／□以下としているために膜電極
の厚みが４０μｍ〜１００μｍと厚肉となる。この膜厚
みは、例えば箔状の低融点可溶合金片の厚み２００μｍ
に相当近くなり、溶融した低融点可溶合金が膜電極への
濡れで電極側に移動しようとする際、膜電極縁端が大き
な段差となるが、この段差が溶融合金の分断速度を遅ら
せるようなことはない。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１の（イ）は本発明に
係る基板型温度ヒュ−ズの一例を示し、図１の（ロ）は
図１の（イ）におけるロ−ロ断面図を示している。図１
において、１は耐熱性及び熱伝導性の絶縁基板であり、
例えば、セラミックス板を使用することができる。２，
２は絶縁基板上に導電ペ−ストの印刷・焼き付けにより
形成した膜電極であり、シ−ト抵抗値を１．３ｍΩ／□
以下とし、膜厚を４０〜１００μｍとしてある。３は膜
電極２，２間に接続した低融点可溶合金片であり、箔
状、扁平線状、丸線状の何れの形態であってもよい。４
は低融点可溶合金片３に塗布したフラックスであり、ロ
ジンを主成分としたものが使用される。５は各膜電極２
に接続したリ−ド線である。６はフラックス４塗布の低
融点可溶合金片３や膜電極２，２を封止するために設け
た絶縁被覆層であり、常温硬化性の絶縁塗料例えば、エ
ポキシ樹脂のディスペンサ−による滴下塗装で被覆して
ある。この滴下塗装に代え、浸漬塗装を使用することも
できる。
実施の形態について説明する。図１の（イ）は本発明に
係る基板型温度ヒュ−ズの一例を示し、図１の（ロ）は
図１の（イ）におけるロ−ロ断面図を示している。図１
において、１は耐熱性及び熱伝導性の絶縁基板であり、
例えば、セラミックス板を使用することができる。２，
２は絶縁基板上に導電ペ−ストの印刷・焼き付けにより
形成した膜電極であり、シ−ト抵抗値を１．３ｍΩ／□
以下とし、膜厚を４０〜１００μｍとしてある。３は膜
電極２，２間に接続した低融点可溶合金片であり、箔
状、扁平線状、丸線状の何れの形態であってもよい。４
は低融点可溶合金片３に塗布したフラックスであり、ロ
ジンを主成分としたものが使用される。５は各膜電極２
に接続したリ−ド線である。６はフラックス４塗布の低
融点可溶合金片３や膜電極２，２を封止するために設け
た絶縁被覆層であり、常温硬化性の絶縁塗料例えば、エ
ポキシ樹脂のディスペンサ−による滴下塗装で被覆して
ある。この滴下塗装に代え、浸漬塗装を使用することも
できる。
【０００９】上記膜電極２の形成には、金、銀、銀−パ
ラジウム合金、銀−白金合金、銅等の金属粒体と無機質
バインダ−（Bi2O3、SiO2、PbO、ZnO、Al2O3、CuO、TiO
2、MgO、CaO等の酸化物との混合物、またはこれらの酸
化物とガラス粉末との混合物）との混合物を溶剤でペ−
スト化し、この導電ペ−ストをスクリ−ン印刷で電極パ
タ−ンに印刷し、これを焼き付ける方法を使用できる。
ラジウム合金、銀−白金合金、銅等の金属粒体と無機質
バインダ−（Bi2O3、SiO2、PbO、ZnO、Al2O3、CuO、TiO
2、MgO、CaO等の酸化物との混合物、またはこれらの酸
化物とガラス粉末との混合物）との混合物を溶剤でペ−
スト化し、この導電ペ−ストをスクリ−ン印刷で電極パ
タ−ンに印刷し、これを焼き付ける方法を使用できる。
【００１０】従来、基板型温度ヒュ−ズの膜電極の設計
基準は、シ−ト抵抗値３．０ｍΩ／□、膜厚さ１５μｍ
とされており、寸法６ｍｍ×８ｍｍの基板型温度ヒュ−
ズにおける膜電極の自己発熱による温度上昇は、３アン
ペアで１７．６Ｋである。これに対し、本発明に係る基
板型温度ヒュ−ズでは、膜電極のシ−ト抵抗値を高くて
も１．３ｍΩ／□にとどめており、膜電極の自己発熱に
よる温度上昇は、３アンペアで７．８Ｋに過ぎず、従来
のものの１／２に抑え得る。この場合、本発明に係る基
板型温度ヒュ−ズでは膜電極の厚みが従来のものの約３
倍の４０μｍとなるが、後述の実施例と比較例との対比
から明らかなように、作動迅速性を充分に保証できる。
基準は、シ−ト抵抗値３．０ｍΩ／□、膜厚さ１５μｍ
とされており、寸法６ｍｍ×８ｍｍの基板型温度ヒュ−
ズにおける膜電極の自己発熱による温度上昇は、３アン
ペアで１７．６Ｋである。これに対し、本発明に係る基
板型温度ヒュ−ズでは、膜電極のシ−ト抵抗値を高くて
も１．３ｍΩ／□にとどめており、膜電極の自己発熱に
よる温度上昇は、３アンペアで７．８Ｋに過ぎず、従来
のものの１／２に抑え得る。この場合、本発明に係る基
板型温度ヒュ−ズでは膜電極の厚みが従来のものの約３
倍の４０μｍとなるが、後述の実施例と比較例との対比
から明らかなように、作動迅速性を充分に保証できる。
【００１１】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズにおい
て、膜電極２，２の配置はヒュ−ズエレメント３の分断
間距離を所定の絶縁距離になし得れば適宜の配置にで
き、図２に示すような配置とすることもできる。リ−ド
線には扁平線を使用することが好ましく、絶縁層に埋設
される部分のみを扁平とし、他の部分は丸線としたした
ものも使用できる。
て、膜電極２，２の配置はヒュ−ズエレメント３の分断
間距離を所定の絶縁距離になし得れば適宜の配置にで
き、図２に示すような配置とすることもできる。リ−ド
線には扁平線を使用することが好ましく、絶縁層に埋設
される部分のみを扁平とし、他の部分は丸線としたした
ものも使用できる。
【００１２】図３は本発明に係る抵抗体付き基板型温度
ヒュ−ズの一例を示している。図３において、１はセラ
ミックス板等の絶縁基板、２１，２２，２３は導電ペ−
ストの印刷・焼き付けにより形成した膜電極であり、膜
電極２１及び２２のシ−ト抵抗値を１．３ｍΩ／□以
下、厚さを４０μｍ〜１００μｍとしてある。３は膜電
極２１，２２間に接続した低融点可溶合金片、４は低融
点可溶合金片３に塗布したフラックスである。７は膜電
極２２，２３間に抵抗ペ−スト、例えば酸化ルテニウム
ペ−ストの印刷・焼き付けにより形成した膜抵抗であ
る。５１〜５３は各膜電極２１〜２３に接続したリ−ド
線、６はフラックス塗布低融点可溶合金片３や膜抵抗７
及び膜電極２１〜２３を封止するために設けたエポキシ
樹脂等の絶縁被覆層である。この抵抗体付き基板型温度
ヒュ−ズは、異常電圧に対するプロテクタ−として使用
できる。すなわち、異常電圧検出素子（ツエナ−ダイオ
−ドや電界効果形トランジスタ−等）と組で使用し、異
常電圧をこの検出素子で検出すると共に膜抵抗７に電流
を流し、膜抵抗７の通電発熱で低融点可溶合金片３を溶
融・分断させて機器を電源から遮断する。この抵抗体付
き基板型温度ヒュ−ズにおいても、低融点可溶合金片３
に対する膜電極２１，２２のシ−ト抵抗値を１．３ｍΩ
／□以下としているので、上記基板型温度ヒュ−ズと同
様、動作精度を充分に確保できる。この抵抗体付き基板
型温度ヒュ−ズは、リチウムイオン二次電池の過充電時
での電圧上昇を検出して当該電池を充電電源から遮断す
るのに使用することができる。
ヒュ−ズの一例を示している。図３において、１はセラ
ミックス板等の絶縁基板、２１，２２，２３は導電ペ−
ストの印刷・焼き付けにより形成した膜電極であり、膜
電極２１及び２２のシ−ト抵抗値を１．３ｍΩ／□以
下、厚さを４０μｍ〜１００μｍとしてある。３は膜電
極２１，２２間に接続した低融点可溶合金片、４は低融
点可溶合金片３に塗布したフラックスである。７は膜電
極２２，２３間に抵抗ペ−スト、例えば酸化ルテニウム
ペ−ストの印刷・焼き付けにより形成した膜抵抗であ
る。５１〜５３は各膜電極２１〜２３に接続したリ−ド
線、６はフラックス塗布低融点可溶合金片３や膜抵抗７
及び膜電極２１〜２３を封止するために設けたエポキシ
樹脂等の絶縁被覆層である。この抵抗体付き基板型温度
ヒュ−ズは、異常電圧に対するプロテクタ−として使用
できる。すなわち、異常電圧検出素子（ツエナ−ダイオ
−ドや電界効果形トランジスタ−等）と組で使用し、異
常電圧をこの検出素子で検出すると共に膜抵抗７に電流
を流し、膜抵抗７の通電発熱で低融点可溶合金片３を溶
融・分断させて機器を電源から遮断する。この抵抗体付
き基板型温度ヒュ−ズにおいても、低融点可溶合金片３
に対する膜電極２１，２２のシ−ト抵抗値を１．３ｍΩ
／□以下としているので、上記基板型温度ヒュ−ズと同
様、動作精度を充分に確保できる。この抵抗体付き基板
型温度ヒュ−ズは、リチウムイオン二次電池の過充電時
での電圧上昇を検出して当該電池を充電電源から遮断す
るのに使用することができる。
【００１３】
【実施例】〔実施例〕図１に示す構成であり、絶縁基板
には厚さ０．５ｍｍ、縦６ｍｍ、横８ｍｍのセラミック
ス板を使用し、膜電極には幅２ｍｍ×長さ４ｍｍ×厚さ
４０μｍ、シ−ト抵抗値１．２ｍΩ／□の銀ペ−スト焼
成厚膜を使用し、低融点可溶合金片には融点９０℃の共
晶合金を使用し、フラックスにはロジン系を使用した。
絶縁層はディスペンサ−によるエポキシ樹脂塗料の滴下
塗装により被覆した。
には厚さ０．５ｍｍ、縦６ｍｍ、横８ｍｍのセラミック
ス板を使用し、膜電極には幅２ｍｍ×長さ４ｍｍ×厚さ
４０μｍ、シ−ト抵抗値１．２ｍΩ／□の銀ペ−スト焼
成厚膜を使用し、低融点可溶合金片には融点９０℃の共
晶合金を使用し、フラックスにはロジン系を使用した。
絶縁層はディスペンサ−によるエポキシ樹脂塗料の滴下
塗装により被覆した。
【００１４】〔比較例〕膜電極のシ−ト抵抗値を３．０
ｍΩ／□、膜電極の厚さを１５μｍとした以外、実施例
に同じとした。
ｍΩ／□、膜電極の厚さを１５μｍとした以外、実施例
に同じとした。
【００１５】実施例品の膜電極の自己発熱に基づく温度
上昇が、３アンペアで７．８Ｋ、４アンペアで１５．３
Ｋ、５アンペアで２２．６Ｋあるのに対し、比較例品の
膜電極の自己発熱に基づく温度上昇は、３アンペアで１
７．６Ｋ、４アンペアで３０．１Ｋ、５アンペアで５
３．７Ｋであり、実施例品の膜電極の自己発熱に基づく
温度上昇をほぼ１／２に低減できた。而して、定格電流
値の設定条件を自己発熱温度１０Ｋ以下とすると、実施
例品では定格電流３アンペアの設定が可能であるが、比
較例では２アンペアにも設定し難い。また、実施例品及
び比較例品のそれぞれにつき（各試料数は５０個）、９
２℃の加熱オイル中に浸漬し、浸漬後作動するまでの時
間を測定したところ、実施例品と比較例品との間での作
動時間の実質上の差は認められなかった。
上昇が、３アンペアで７．８Ｋ、４アンペアで１５．３
Ｋ、５アンペアで２２．６Ｋあるのに対し、比較例品の
膜電極の自己発熱に基づく温度上昇は、３アンペアで１
７．６Ｋ、４アンペアで３０．１Ｋ、５アンペアで５
３．７Ｋであり、実施例品の膜電極の自己発熱に基づく
温度上昇をほぼ１／２に低減できた。而して、定格電流
値の設定条件を自己発熱温度１０Ｋ以下とすると、実施
例品では定格電流３アンペアの設定が可能であるが、比
較例では２アンペアにも設定し難い。また、実施例品及
び比較例品のそれぞれにつき（各試料数は５０個）、９
２℃の加熱オイル中に浸漬し、浸漬後作動するまでの時
間を測定したところ、実施例品と比較例品との間での作
動時間の実質上の差は認められなかった。
【００１６】
【発明の効果】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズ及び抵
抗体付き基板型温度ヒュ−ズにおいては、膜電極のシ−
ト抵抗値を従来に較べて低くしているから、リチウムイ
オン二次電池のような高い定格電流のもとでも自己発熱
をよく抑制して充分に高精度で作動させ得る。従って、
本発明によれば、大なる定格電流のもとでも膜電極の自
己発熱を抑制して充分に正確な所定温度で作動させ得る
基板型温度ヒュ−ズ及び抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズ
を提供できる。
抗体付き基板型温度ヒュ−ズにおいては、膜電極のシ−
ト抵抗値を従来に較べて低くしているから、リチウムイ
オン二次電池のような高い定格電流のもとでも自己発熱
をよく抑制して充分に高精度で作動させ得る。従って、
本発明によれば、大なる定格電流のもとでも膜電極の自
己発熱を抑制して充分に正確な所定温度で作動させ得る
基板型温度ヒュ−ズ及び抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズ
を提供できる。
【図１】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズの一例を示す
図面である。
図面である。
【図２】本発明に係る基板型温度ヒュ−ズの別例を示す
図面である。
図面である。
【図３】本発明に係る抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズの
一例を示す図面である。
一例を示す図面である。
１ 絶縁基板 ２ 膜電極 ２１ 膜電極 ２２ 膜電極 ３ 低融点可溶合金片 ４ フラックス ５ リ−ド線 ５１ リ−ド線 ５２ リ−ド線 ６ 絶縁被覆層 ７ 膜抵抗
Claims (2)
- 【請求項１】導電ペ−ストの印刷・焼付けにより絶縁基
板上に膜電極を形成し、膜電極間に低融点可溶合金片を
接続し、該低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、フ
ラックス塗布低融点可溶合金片及び膜電極を絶縁被覆層
で封止した温度ヒュ−ズにおいて、上記膜電極のシ−ト
抵抗値を１．３ｍΩ／□以下としたことを特徴とする基
板型温度ヒュ−ズ。 - 【請求項２】請求項１記載の基板型温度ヒュ−ズの絶縁
基板に膜抵抗を設けた抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36849097A JPH11195362A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 基板型温度ヒュ−ズ及び抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36849097A JPH11195362A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 基板型温度ヒュ−ズ及び抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195362A true JPH11195362A (ja) | 1999-07-21 |
Family
ID=18491959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36849097A Pending JPH11195362A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 基板型温度ヒュ−ズ及び抵抗体付き基板型温度ヒュ−ズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11195362A (ja) |
-
1997
- 1997-12-26 JP JP36849097A patent/JPH11195362A/ja active Pending
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