JPH11194241A - 半導体レーザモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 より簡単な構成で、安定した光出力の得られ
る半導体レーザモジュールを提供する。 【解決手段】 本発明の半導体レーザモジュールでは、
レーザダイオードより射出された光信号を光ファイバに
出力する半導体レーザモジュールにおいて、上記レーザ
ダイオードと光ファイバの間に、所定の光吸収体のドー
ピングされた光伝送体とを備え、上記光伝送体は、その
受光端が上記レーザダイオードの光射出面の直後に設け
られていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信の分野で用
いる半導体レーザモジュールに関し、より詳しくは半導
体レーザモジュールの光結合部に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光通信の分野において、所定の制御信号
に基づいてレーザダイオードを発光させ、発光させた光
を光ファイバに導いて外部に出力する半導体レーザモジ
ュールが知られている。モジュール内部に設けるレーザ
ダイオードは、ノイズとの関係で光出力５ｍＷ程度で駆
動するのが一般的である。このため、モジュールの光出
力の調節は、レーザダイオードの光射出面と光ファイバ
の受光端との距離を調節して行っていた。

【０００３】図６の（ａ）及び（ｂ）は、従来の半導体
レーザモジュールの構成を示す図である。図６の（ａ）
は、光出力１ｍＷ以上の高出力の半導体レーザモジュー
ル５００の構成を示し、（ｂ）は、光出力０．１〜１ｍ
Ｗ程度の低出力の半導体レーザモジュール５５０の構成
を示す。図示するように、高出力の半導体レーザモジュ
ール５００では、レーザダイオード１０１の光射出面と
光ファイバ１０２の受光端との距離Ｌ１が狭く設定され
ており、低出力の半導体レーザモジュール５５０では、
レーザダイオード１０１の光射出面と光ファイバ１０３
の受光端との距離Ｌ２が長く設定されている。例えば、
波長１．３μｍ帯で光出力２．０ｍＷの高出力半導体レ
ーザモジュールでは、Ｌ１≒３０μｍに設定される。ま
た、光出力０．１ｍＷの低出力半導体レーザモジュール
では、Ｌ２≒３００μｍに設定される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の低出力の半導体レーザモジュール５５０では、レーザ
ダイオード１０１の光射出面と光ファイバ１０３の受光
端との距離が長くなるため、以下のような不都合が生じ
る。例えば、図７に示すように、組立不良や、環境温度
の変化による基板の変形等によりレーザダイオード１０
１の光軸（図中、矢印ａで示す）と、光ファイバ１０２
及び１０３の受光軸とにズレが生じた場合、高出力の半
導体レーザモジュール５００の場合と低出力の半導体モ
ジュール５５０の場合とでは、Ｍ１とＭ２（但し、Ｍ２
＞Ｍ１）だけの差が生じる。図より理解されるように、
低出力の半導体レーザモジュール５５０の光ファイバ１
０３の受光端の方が、レーザダイオード１０１の光射出
面からの距離が長いため、そのズレが大きくなる。この
ことは、図８に示すように、レーザダイオード１０１か
ら射出される光の軸が矢印ａでなく、矢印ｂに示す方向
にズレている場合にも該当する。このように、レーザダ
イオード１０１の光軸と、光ファイバ１０３の受光軸と
に大きなズレが生じると光結合が十分に行われず、所望
の光出力が安定して得られなかったり、光信号の授受が
正確に行われないといった問題が生じる。

【０００５】例えば、図９に示すようにレーザダイオー
ド１０１の光射出面と光ファイバ１０３の受光端との間
にフィルタ１１０を介在させて光出力を調節する手法が
提案されている（特開平２−２８１２１９号公報）。し
かし、当該手法ではフィルタ１１０を新たに追加する
為、レーザダイオード１０１と光ファイバ１０３との間
の距離が大きくなってしまう。また、フィルタ１１０を
通過した光が散乱して十分な光結合が得られなくなると
いった問題が生じる。また、フィルタ１１０で反射され
た光がレーザダイオード１１０へ再入射して正確な光信
号の授受に悪影響を及ぼす。当該問題を解消するには、
例えばレーザダイオード１０１の光射出面に鏡面加工を
施したり、フィルタ１１０と光ファイバ１０３の受光端
との間にロッドレンズアレイを設けるなどの手段を講じ
る必要が生じ、結果として、半導体レーザモジュールの
サイズが大きくなると共にその構成が複雑になりコスト
高となる。

【０００６】また、図１０に示すように、レーザダイオ
ード１０１の光軸（矢印ａ）に対してＮ１だけずらした
位置に光ファイバ１０３を配設することにより、低出力
半導体レーザモジュール５５０を形成することも可能で
ある。しかし、この場合、レーザダイオード１０１から
の出射光のぶれや温度変化時の位置ズレによるＦＦＰ
（far field pattern）の変動に対して光出力が敏感に
反応してしまい、光結合が不安定になるといった問題が
生じる。

【０００７】なお、光ファイバ内でのフレアの発生を防
止するために、光ファイバ等の外周表面から所定の範囲
内に光吸収剤をドーピングするものが提案されているが
（特開平９−１２７３５３号公報）、当該技術を適用し
ても、上記低出力半導体レーザモジュール５５０におけ
るレーザダイオード１０１と光ファイバ１０３との位置
関係を改善することはできず、上記課題を解決すること
はできない。

【０００８】本発明の目的は、より簡単な構成で、安定
した光出力の得られる半導体レーザモジュールを提供す
ることである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の半導体レ
ーザモジュールでは、レーザダイオードより射出された
光信号を光ファイバに出力する半導体レーザモジュール
において、上記レーザダイオードと上記光ファイバとの
間に、所定の光吸収率を示す光伝送体を備えることを特
徴とする。

【００１０】本発明の第２の半導体レーザモジュールで
は、上記第１の半導体レーザモジュールにおいて、上記
光伝送体は、所定の光吸収体がコアにドーピングされた
光ファイバであることを特徴とする。

【００１１】本発明の第３の半導体レーザモジュールで
は、上記第１の半導体レーザモジュールにおいて、上記
光伝送体は、所定の光吸収体がドーピングされた光導波
路であることを特徴とする。

【００１２】本発明の第４の半導体レーザモジュールで
は、上記第１の半導体レーザモジュールにおいて、上記
光伝送体は、所定の光吸収率を示す樹脂であることを特
徴とする。

【００１３】本発明の第５の半導体レーザモジュールで
は、上記第１の半導体レーザモジュールにおいて、更
に、上記レーザダイオードと上記光伝送体との間に第２
の光ファイバを備え、上記レーザダイオードの光射出面
の直後に、上記第２の光ファイバの受光端が設けられて
おり、かつ、上記第２の光ファイバの光射出端には上記
光伝送体が取り替え可能な状態で接続されていることを
特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の半導体レーザモジュール
では、レーザダイオードと光ファイバとの間に、光吸収
体をドープした光ファイバや光導波路等の光伝送体を設
けることを特徴とする。当該構成を採用することで、レ
ーザダイオードと光ファイバとの間隔により半導体レー
ザモジュールの光出力（ｍＷ）を調節する必要が無くな
るため、レーザダイオードの光射出面の直後に上記光伝
送体の受光端を配設することが可能となる。これによ
り、環境温度の変化や組立誤差等によりレーザダイオー
ドの光軸が光伝送体の受光軸とズレても、そのズレを最
小限に留めることができる。以下、上記特徴を具備する
半導体レーザモジュールの実施の形態１〜４について添
付の図面を用いて順に説明する。

【００１５】（１）実施の形態１ 図１は、実施の形態１にかかるレセプタクル型の低出力
半導体レーザモジュール（以下、単にモジュールとい
う）１００の構成を示す図である。ここで、レセプタク
ル型の低出力半導体レーザモジュールとは、モジュール
本体に外部の光ファイバとの接続用コネクタ１９が設け
られているタイプのものをいう。

【００１６】半導体レーザモジュール１００は、以下の
（ａ）〜（ｅ）の順で形成される。 （ａ）ファイバ整列用Ｖ溝付き基板１８の上に、レーザ
ダイオード１及び光出力モニタ用フォトダイオード３を
はんだ等を用いてダイボンドする。 （ｂ）上記Ｖ溝付き基板１８を樹脂などでパッケージ本
体に固定する。 （ｃ）レーザダイオード１に給電を行う電極７を金線５
によりボンディングすると共に、フォトダイオード３に
給電を行う電極６を金線４によりボンディングする。電
極７及び６は、それぞれ外部ピン１２〜１４の内の給電
用の端子に接続されている。また、レーザダイオード１
に直接接続されている電極９は、金線１１により外部ピ
ン１５〜１７の何れかにボンディングされている。フォ
トダイオード３に直接接続されている電極８は、金線１
０により外部ピン１５〜１７の何れかにボンディングさ
れている。 （ｄ）光ファイバ２を、その受光軸がレーザダイオード
１の光軸と同軸上に位置するように、Ｖ溝に合わせて樹
脂などで固定する。当該光ファイバ２は、コネクタ１９
に接続されており、当該コネクタ１９と、光ファイバ２
１に接続されているコネクタ２０とを接続することで、
レーザダイオード１により発せられた光信号が他のモジ
ュールに伝送される。 （ｅ）パッケージにカバーを被せて樹脂でモールドす
る。

【００１７】なお、レーザダイオード１の光射出面は、
内部で発光した光の７０％を外部に透過し、残りの３０
％を内部に反射する。また、上記光射出面と反対側の面
は、内部で発生した光の９０％を反射し、残りの１０％
を後段のモニタ用フォトダイオード３側へ透過する。上
記モニタ用フォトダイオード３は、レーザダイオード１
よりモニタ側へと出力される光量に基づいて、レーザダ
イオード１の発光量をモニタする。

【００１８】レーザダイオード１の光軸と光ファイバ２
の受光軸とのズレによる影響を低減するには、これらの
距離をできる限り狭めるのが好ましい。しかし、レーザ
ダイオード１の光出力は、ノイズとの関係により５ｍＷ
程度に固定されているため、上記距離を狭めると光出力
は増加してしまう。そこで、本モジュール１００では、
光ファイバ２として、通常の光ファイバのコアに対して
ネオジュウム（Ｎｄ），プラセオジム（Ｐｒ）等の光吸
収体をドーピングした光ファイバ（以下、光吸収ファイ
バという）を用いる。

【００１９】例えば、波長１．３μｍ帯で光出力が２．
０ｍＷの高出力半導体レーザモジュールの場合、レーザ
ダイオードと光ファイバとの間の距離Ｌは、３０μｍ程
度に設定される。これに対して光出力が０．１ｍＷの低
出力半導体レーザモジュールの場合、光量を１３ｄＢ程
減衰させるためにレーザダイオードと光ファイバの間の
距離Ｌを３００μｍ程度離すことが要求される。通常の
光ファイバでは、光量の減衰量は０．３５ｄＢ／ｋｍ程
度であるが、コアに対してネオジュウム（Ｎｄ）を１０
０００ｐｐｍ程度ドーピングした光吸収ファイバでは、
１３ｄＢ程度の減衰を１ｃｍで実現することができる。
本モジュール１００では、光ファイバ２として上記条件
により光吸収体をドーピングした光吸収ファイバを使用
することで、上記高出力半導体レーザモジュールと同程
度のサイズの低出力半導体レーザモジュールを実現す
る。

【００２０】上記光吸収ファイバを用いることで、レー
ザダイオード１及び光ファイバ２との間の距離を高出力
半導体レーザモジュールと同程度、例えば３０μｍ程度
にすることができ、環境温度の変化や、組立不良などに
より生じるレーザダイオード１の光軸と光ファイバ２の
受光軸とのズレを最小に抑えることができる。これによ
り、十分な光結合を可能にすると共に、安定した光量の
出力を得ることができる。

【００２１】また、光ファイバ２として光吸収ファイバ
を採用したことで、コネクタ１９等の接点からの戻り光
もその経路途中において吸収されるため、レーザダイオ
ード１にまで戻ってくる光の割合を低減することができ
る。これにより、戻り光が原因で光射出面において生じ
る信号の共振を低減することができる。

【００２２】なお、上記波長１．３μｍ帯よりも長波長
の波長１．５μｍ帯の半導体レーザモジュールを形成す
る場合には、前記したネオジュウム（Ｎｄ），プラセオ
ジム（Ｐｒ）のかわりに同じランタノイド元素の中で質
量の重いエルビウム（Ｅｒ）等を用いてドーピングすれ
ば同様の効果が得られる。

【００２３】図２は、上記半導体レーザモジュール１０
０の変形例である半導体レーザモジュール１５０の構成
を示す図である。当該モジュール１５０では、光ファイ
バ２のかわりに、ネオジュウム（Ｎｄ），プラセオジム
（Ｐｒ）等の光吸収体をドーピングしたＰＬＣ（Planer
Lightwave Circuit）等の光導波路２２を採用する。本
変形例において、光ファイバ２３は通常のものを使用す
るが、光出力の微調整などを目的として光吸収体をドー
ピングしたものを用いても良い。

【００２４】（２）実施の形態２ 以下、実施の形態２のレセプタクル型の半導体レーザモ
ジュール２００について説明する。図３の（ａ）は、半
導体レーザモジュール２００の構成を示す図である。ま
た、図３の（ｂ）は、（ａ）の図におけるａ−ａ’断面
である。上記実施の形態１に記載の半導体レーザモジュ
ール１００と同じ構成物には同じ参照番号を付し、ここ
での重複した説明は省く。半導体レーザモジュール２０
０は、光吸収体をドーピングした光ファイバ２や光導波
路２２のかわりに、所定の光吸収率を示すアクリルシ・
リコーン系の樹脂２５を、レーザダイオード１と通常の
光ファイバ２４との間に介在させることを特徴とする。

【００２５】上記構成を採用することで、わざわざ光吸
収体をドーピングして光吸収ファイバ２や光導波路２２
を用意する必要が無くなり、より簡単な構成で低出力半
導体レーザモジュールを構成することができる。更に、
適切な光吸収率の樹脂２５を採用することで、例えば、
光出力０．１ｍＷの半導体レーザモジュールを構成する
場合に、光出力２．０ｍＷの高出力半導体レーザモジュ
ールと同様に、レーザダイオード１の光射出面と光ファ
イバ２４の受光端との間隔を３０μｍ程度にまで狭める
ことができ、環境温度の変化や組立不良などにより生じ
るレーザダイオード１の光軸と光ファイバ２４の受光軸
とのズレを最小限に抑えることができる。これにより、
十分な光結合を可能にすると共に、安定した光量の出力
を得ることができる。なお、光ファイバ２４は、通常の
ものを使用するが、光出力の微調整などを目的として、
光吸収体をドーピングしたものを用いても良い。

【００２６】（３）実施の形態３ 以下、実施の形態３にかかるピグティル型の半導体レー
ザモジュール３００について説明する。ここで、ピグテ
ィル型の半導体レーザモジュールとは、モジュール本体
にある程度の長さ（約１ｍ）の光ファイバを備えるもの
をいう。図４は、半導体レーザモジュール３００の構成
を示す図である。上記実施の形態１に記載の半導体レー
ザモジュール１００と同じ構成物には同じ参照番号を付
し、ここでの重複した説明は省く。半導体レーザモジュ
ール３００では、レーザダイオード１の直後に、光吸収
体をドーピングした光吸収ファイバ２６を用いることを
特徴とする。

【００２７】例えば、光出力が０．１ｍＷの低出力半導
体レーザモジュールを構成する場合について考える。半
導体レーザモジュール３００では、約１ｍの長さの光吸
収ファイバ２６を用いる。通常の光ファイバでは、光量
の減衰量は０．３５ｄＢ／ｋｍ程度であるが、コアに対
してネオジュウム（Ｎｄ）を１００ｐｐｍ程度ドーピン
グした光吸収ファイバ２６では、１３ｄＢ程度の減衰を
約１ｍで実現することができる。半導体レーザモジュー
ル３００では、上記条件で光吸収体がドーピングされた
光吸収ファイバ２６を使用することで、上述した光出力
が２．０ｍＷの高出力半導体レーザモジュールと同様
に、光吸収ファイバ２６の受光端をレーザダイオード１
の光射出面より３０μｍ程度の位置に設けることを可能
にする。これにより、環境温度の変化や、組立不良など
により生じるレーザダイオード１の光軸と光ファイバ２
の受光軸とのズレを最小限に抑えて十分な光結合を可能
にすると共に、安定した光量の出力を得ることができ
る。

【００２８】また、光吸収ファイバ２６を採用したこと
で、コネクタ２７からの戻り光もその経路途中において
吸収されるため、レーザダイオード１にまで戻ってくる
光の割合（反射減衰量）を低減することができる。これ
により、戻り光が原因で生じる信号の共振を低減するこ
とができる。

【００２９】（４）実施の形態４ 以下、実施の形態４にかかる半導体レーザモジュール４
００について説明する。図５は、半導体レーザモジュー
ル４００の構成を示す図である。上記実施の形態１に記
載の半導体レーザモジュール１００と同じ構成物には同
じ参照番号を付し、ここでの重複した説明は省く。半導
体レーザモジュール４００は、他のモジュール２９との
間に光吸収体のドーピングされた光吸収ファイバ３３を
介在させることを特徴とする。なお、本モジュール４０
０は、レセプタクル型、ピグティル型の何れの型でも良
い（図はピグティル型のモジュールを示す）。

【００３０】半導体レーザモジュール４００では、レー
ザダイオード１から３０μｍ程度の位置に光ファイバ３
０の受光端を設ける。当該光ファイバ３０は、コネクタ
３１及び３２を介して光吸収体のドーピングされた光吸
収ファイバ３３と接続される。光吸収ファイバ３３は、
コネクタ３４及び２８を介してモジュール２９に接続さ
れる。

【００３１】半導体レーザモジュール４００では、光吸
収ファイバ３３として、数本の互いに異なる光吸収率の
光ファイバを用意することで、半導体レーザモジュール
の出力を簡単に変更することができ、汎用性を向上する
ことができる。

【００３２】本モジュール４００では、光吸収ファイバ
３３を使用することで、レーザダイオード１の光射出面
から光ファイバ３０の受光端までの距離を、その光出力
の値によらず、例えば上述した波長１．３μｍ帯で光出
力２．０ｍＷの高出力半導体レーザモジュールと同程度
の３０μｍの位置に設けることを可能にする。これによ
り、環境温度の変化や組立不良などにより生じるレーザ
ダイオード１の光軸と光ファイバ３０の受光軸とのズレ
を最小限に抑え、十分な光結合を可能にすると共に、安
定した光量の出力を得ることができる。

【００３３】また、光吸収ファイバ３３を採用したこと
で、コネクタ３４からの戻り光もその経路途中において
吸収されるため、レーザダイオード１にまで戻ってくる
光の割合（反射減衰量）を低減することができる。これ
により、戻り光が原因で生じる信号の共振を低減するこ
とができる。なお、光ファイバ３０は、通常のものを使
用するが、光出力の微調整などを目的として、光吸収体
をドーピングしたものを用いても良い。

【００３４】

【発明の効果】本発明の第１の半導体レーザモジュール
では、レーザダイオードと光ファイバとの間に、所定の
光吸収体のドーピングされた光伝送体を備えることで、
半導体レーザモジュールの出力をレーザダイオードと光
ファイバとの距離により調節する必要が無くなり、光伝
送体の受光端をレーザダイオードの光射出面の直後に設
けることが可能となる。これにより、環境温度の変化や
組立誤差等によりレーザダイオードの光軸が光伝送体の
受光軸とズレても、そのズレを最小限に留めることがで
きる。

【００３５】本発明の第２の半導体レーザモジュールで
は、光吸収体のドーピングされた光ファイバを光伝送体
として用いることで、その受光端をレーザダイオードの
光射出面の直後に設けることが可能となる。これによ
り、環境温度の変化や組立誤差等によりレーザダイオー
ドの光軸が光伝送体の受光軸とずれても、そのズレを最
小限に留めることができる。

【００３６】本発明の第３の半導体レーザモジュールで
は、光吸収帯がドーピングされた光導波路を光伝送体と
して用いることで、その受光端をレーザダイオードの光
射出面の直後に設けることが可能となる。これにより、
環境温度の変化や組立誤差等によりレーザダイオードの
光軸が光伝送体の受光軸とずれても、そのズレを最小限
に留めることができる。

【００３７】本発明の第４の半導体レーザモジュールで
は、所定の光吸収率を示す安価な樹脂を光伝送体として
用いることで、その受光端をレーザダイオードの光射出
面の直後に設けることが可能となる。これにより、環境
温度の変化や組立誤差等によりレーザダイオードの光軸
が光伝送体の受光軸とずれても、そのズレを最小限に留
めることができる。

【００３８】本発明の第５の半導体レーザモジュールで
は、更に、上記レーザダイオードと上記光伝送体との間
に光ファイバを備え、上記レーザダイオードの光射出面
の直後に上記光ファイバの受光端を設け、かつ、上記光
ファイバの光射出端に上記光伝送体を接続することで、
その受光端をレーザダイオードの光射出面の直後に設け
ることが可能となる。これにより、環境温度の変化や組
立誤差等によりレーザダイオードの光軸が光伝送体の受
光軸とずれても、そのズレを最小限に留めることができ
る。また、上記光伝送体を異なる光吸収率を示すものに
取り替えることで、簡単に、異なる出力の半導体レーザ
モジュールを構成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態１にかかる半導体レーザモジュー
ルの構成を示す図である。

【図２】 実施の形態１の半導体レーザモジュールの変
形例の構成を示す図である。

【図３】 実施の形態２にかかる半導体レーザモジュー
ルの構成を示す図である。

【図４】 実施の形態３にかかる半導体レーザモジュー
ルの構成を示す図である。

【図５】 実施の形態４にかかる半導体レーザモジュー
ルの構成を示す図である。

【図６】 （ａ）は、従来の高出力半導体レーザモジュ
ールの構成を示し、（ｂ）は、従来の低出力半導体レー
ザモジュールの構成を示す図である。

【図７】 従来の半導体レーザモジュールにおいて、レ
ーザダイオードの光軸と光ファイバの受光軸とがズレた
場合について示す図である。

【図８】 従来の半導体レーザモジュールにおいて、レ
ーザモジュールの光軸と光ファイバの受光軸とがずれた
場合について示す図である。

【図９】 レーザダイオードと光ファイバとの間にフィ
ルタを介在させて低出力半導体レーザモジュールを構成
する場合の図である。

【図１０】 レーザダイオードの光軸と光ファイバの受
光軸とをずらすことで、低出力半導体レーザモジュール
を構成する場合の図である。

【符号の説明】

１，１０１ レーザダイオード、２，２６，３３ 光吸
収ファイバ、３ モニタ用フォトダイオード、４ ，
５，１０，１１ 金線、６，７，８，９ 電極、１２，
１３，１４，１５，１６，１７ 外部ピン、１８ 基
板、１９，２０，２７，２８，３１，３２，３４ コネ
クタ、２１，２３，２４，３０，１０２，１０３ 光フ
ァイバ、２２ 光導波路，２５ 樹脂、２９ モジュー
ル、１１０ フィルタ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザダイオードより射出された光信号
   を光ファイバに出力する半導体レーザモジュールにおい
   て、 上記レーザダイオードと上記光ファイバとの間に、所定
   の光吸収率を示す光伝送体を備えることを特徴とする半
   導体レーザモジュール。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザモジュー
   ルにおいて、 上記光伝送体は、所定の光吸収体がコアにドーピングさ
   れた光ファイバであることを特徴とする半導体レーザモ
   ジュール。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体レーザモジュー
   ルにおいて、 上記光伝送体は、所定の光吸収体がドーピングされた光
   導波路であることを特徴とする半導体レーザモジュー
   ル。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の半導体レーザモジュー
   ルにおいて、 上記光伝送体は、所定の光吸収率を示す樹脂であること
   を特徴とする半導体レーザモジュール。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の半導体レーザモジュー
   ルにおいて、 更に、上記レーザダイオードと上記光伝送体との間に第
   ２の光ファイバを備え、 上記レーザダイオードの光射出面の直後に、上記第２の
   光ファイバの受光端が設けられており、かつ、上記第２
   の光ファイバの光射出端には上記光伝送体が取り替え可
   能な状態で接続されていることを特徴とする半導体レー
   ザモジュール。