JPH11191209A - 薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法Info
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- JPH11191209A JPH11191209A JP29099098A JP29099098A JPH11191209A JP H11191209 A JPH11191209 A JP H11191209A JP 29099098 A JP29099098 A JP 29099098A JP 29099098 A JP29099098 A JP 29099098A JP H11191209 A JPH11191209 A JP H11191209A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマエッチングによりスライダの周辺部
の糸面部および角部の面取り加工を行って、磁気記録媒
体を傷つけないスライダを得る。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッド素子１１ａを多数形成し
たウェハーを１列毎の素子列（ロー）１５に切断する。
この切断したロー１５の切断面にフォトリソグラフィー
工程によりマスクパターンを形成した後、マスクパター
ンの形成面に対して所定の角度でイオンビームを照射し
て所定の堀込量だけ研削してレールパターン１６を形成
する。この後、ロー１５を各スライダ毎に区画するため
の溝１７を形成した後、各スライダの周辺部１６ａの糸
面部および角部をプラズマエッチングにより面取り加工
を行い、丸み部を形成する。ついで、素子列の溝１７に
沿って各スライダ毎に切断してスライダを作製する。
の糸面部および角部の面取り加工を行って、磁気記録媒
体を傷つけないスライダを得る。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッド素子１１ａを多数形成し
たウェハーを１列毎の素子列（ロー）１５に切断する。
この切断したロー１５の切断面にフォトリソグラフィー
工程によりマスクパターンを形成した後、マスクパター
ンの形成面に対して所定の角度でイオンビームを照射し
て所定の堀込量だけ研削してレールパターン１６を形成
する。この後、ロー１５を各スライダ毎に区画するため
の溝１７を形成した後、各スライダの周辺部１６ａの糸
面部および角部をプラズマエッチングにより面取り加工
を行い、丸み部を形成する。ついで、素子列の溝１７に
沿って各スライダ毎に切断してスライダを作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁気ディスク装
置等に用いられる薄膜磁気ヘッドに係わり、特に、磁気
記録媒体と対向する面側に所定形状のレールパターンを
形成して浮上面としたスライダの空気流出端部側に薄膜
磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドスライダの製造
方法に関するものである。
置等に用いられる薄膜磁気ヘッドに係わり、特に、磁気
記録媒体と対向する面側に所定形状のレールパターンを
形成して浮上面としたスライダの空気流出端部側に薄膜
磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドスライダの製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドはスライダと呼ばれるセ
ラミックブロックの後端部面上に薄膜磁気ヘッド素子が
形成されているとともに、スライダの磁気記録媒体との
対向面、即ち、空気ベアリング面（Air Bearing Surfac
e：以下ＡＢＳという）には所定形状のレールパターン
が形成されている。このため、磁気記録媒体（メディ
ア）が回転することにより、スライダはレール前端部の
テーパ部から流入する高速空気流によって、上昇力が付
与されて磁気記録媒体の表面上から０．１μｍ程度の隙
間を保って浮上し、ヘッド先端部が直接磁気記録媒体と
接触しないようになっている。このような薄膜磁気ヘッ
ドは一般的に浮上型磁気ヘッドといわれている。
ラミックブロックの後端部面上に薄膜磁気ヘッド素子が
形成されているとともに、スライダの磁気記録媒体との
対向面、即ち、空気ベアリング面（Air Bearing Surfac
e：以下ＡＢＳという）には所定形状のレールパターン
が形成されている。このため、磁気記録媒体（メディ
ア）が回転することにより、スライダはレール前端部の
テーパ部から流入する高速空気流によって、上昇力が付
与されて磁気記録媒体の表面上から０．１μｍ程度の隙
間を保って浮上し、ヘッド先端部が直接磁気記録媒体と
接触しないようになっている。このような薄膜磁気ヘッ
ドは一般的に浮上型磁気ヘッドといわれている。
【０００３】このような浮上型磁気ヘッドのスライダの
ＡＢＳは、浮上量を一定にするため、複雑な形状のレー
ルパターンが形成されている。通常、この種のスライダ
は、アルチック（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）などからなるセラ
ミック基板上に多数の薄膜磁気ヘッド素子を形成し、つ
づいてその基板をカッティングして棒状の素子列（以
下、ローという）とし、所定の研磨加工を施した後、こ
のローを加工することによって、そのＡＢＳに所定形状
のレールパターンを形成したスライダーが得られる。
ＡＢＳは、浮上量を一定にするため、複雑な形状のレー
ルパターンが形成されている。通常、この種のスライダ
は、アルチック（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）などからなるセラ
ミック基板上に多数の薄膜磁気ヘッド素子を形成し、つ
づいてその基板をカッティングして棒状の素子列（以
下、ローという）とし、所定の研磨加工を施した後、こ
のローを加工することによって、そのＡＢＳに所定形状
のレールパターンを形成したスライダーが得られる。
【０００４】図１１〜図１４は上記したスライダの製造
工程の１例を示す図であり、これらの図１１〜図１４を
用いてスライダ製造の各工程を具体的に説明する。な
お、図１１はロースライシング工程を示す図であり、図
１２はフォトリソグフィー工程を示す図であり、図１３
はプラズマエッチング工程を示す図であり、図１４はプ
ラズマエッチング後のローを切断してスライダとする工
程を示す図である。
工程の１例を示す図であり、これらの図１１〜図１４を
用いてスライダ製造の各工程を具体的に説明する。な
お、図１１はロースライシング工程を示す図であり、図
１２はフォトリソグフィー工程を示す図であり、図１３
はプラズマエッチング工程を示す図であり、図１４はプ
ラズマエッチング後のローを切断してスライダとする工
程を示す図である。
【０００５】図１１（ａ）に示すように、アルチック
（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）などからなるセラミック基板５０
の表面にウェハープロセスにより複数の薄膜磁気ヘッド
素子５１，５１，・・・を縦方向および横方向に多数形
成して磁気ヘッドウェハー５０ａとする。ついで、図１
１（ｂ）に示すように、この磁気ヘッドウェハー５０ａ
を１列毎の棒状のロー５５，５５・・・に切断する。こ
の後、切断面を研磨して所定のスロートハイト（薄膜磁
気ヘッド素子のポール部の長さ）を目標値まで加工した
後、スロートハイト加工により残留した応力を研磨によ
り除去する。この後、図１１（ｃ）に示すように、切断
面（研磨面）が上、下面となるようにして、基板６０の
上に各ロー５５，５５・・・を所定の間隔を隔てて配置
する。
（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）などからなるセラミック基板５０
の表面にウェハープロセスにより複数の薄膜磁気ヘッド
素子５１，５１，・・・を縦方向および横方向に多数形
成して磁気ヘッドウェハー５０ａとする。ついで、図１
１（ｂ）に示すように、この磁気ヘッドウェハー５０ａ
を１列毎の棒状のロー５５，５５・・・に切断する。こ
の後、切断面を研磨して所定のスロートハイト（薄膜磁
気ヘッド素子のポール部の長さ）を目標値まで加工した
後、スロートハイト加工により残留した応力を研磨によ
り除去する。この後、図１１（ｃ）に示すように、切断
面（研磨面）が上、下面となるようにして、基板６０の
上に各ロー５５，５５・・・を所定の間隔を隔てて配置
する。
【０００６】ついで、図１２（ａ）に示すように、基板
６０上に配置された各ロー５５，５５・・・の切断面上
にレジストあるいはドライフィルムなどの感光性樹脂膜
７０を貼着させる。この後、これらの上部に所定形状の
レールパターンを形成したフォトマスクを配置し、紫外
線などの光線をフォトマスク上に照射して、感光性樹脂
膜７０を露光する。ついで、感光性樹脂膜７０を所定の
レール形状のマスクパターンに感光した各ロー５５を現
像液に浸漬し、感光された部分以外の部分の感光性樹脂
膜５５を現像液に溶解させて除去する。すると、図１２
（ｂ）に示すように、切断面上に所定のマスクパターン
７０ａ，７０ａ・・・が形成された各ロー５５が得られ
る。
６０上に配置された各ロー５５，５５・・・の切断面上
にレジストあるいはドライフィルムなどの感光性樹脂膜
７０を貼着させる。この後、これらの上部に所定形状の
レールパターンを形成したフォトマスクを配置し、紫外
線などの光線をフォトマスク上に照射して、感光性樹脂
膜７０を露光する。ついで、感光性樹脂膜７０を所定の
レール形状のマスクパターンに感光した各ロー５５を現
像液に浸漬し、感光された部分以外の部分の感光性樹脂
膜５５を現像液に溶解させて除去する。すると、図１２
（ｂ）に示すように、切断面上に所定のマスクパターン
７０ａ，７０ａ・・・が形成された各ロー５５が得られ
る。
【０００７】ついで、図１３に示すように、切断面上に
所定のマスクパターン７０ａ，７０ａ・・・が形成され
た各ロー５５をプラズマエッチング装置８０の回転軸８
１に取り付けられた回転板８２上に取り付け、プラズマ
イオンガン８３よりアルゴンイオンＡｒ+を照射（照射
角度θ＝３０〜６０度）してプラズマエッチング（イオ
ンミリング）を行う。プラズマイオンガン８３よりアル
ゴンイオンＡｒ+を照射すると、アルゴンイオンＡｒ
+は、プラズマイオンガン８３の前に設けられたシャワ
ーヘッドあるいはグリッド８５を介して供給され、ほぼ
Ｘ軸方向に向いている。一方、回転板８２はＸ軸に対し
てθだけ傾斜させて配置されている。このＸ軸と回転板
８２とのなす角度を照射角度（θ）とすると、アルゴン
イオンＡｒ +は照射角度（θ）だけ傾いて照射される。
所定のマスクパターン７０ａ，７０ａ・・・が形成され
た各ロー５５をプラズマエッチング装置８０の回転軸８
１に取り付けられた回転板８２上に取り付け、プラズマ
イオンガン８３よりアルゴンイオンＡｒ+を照射（照射
角度θ＝３０〜６０度）してプラズマエッチング（イオ
ンミリング）を行う。プラズマイオンガン８３よりアル
ゴンイオンＡｒ+を照射すると、アルゴンイオンＡｒ
+は、プラズマイオンガン８３の前に設けられたシャワ
ーヘッドあるいはグリッド８５を介して供給され、ほぼ
Ｘ軸方向に向いている。一方、回転板８２はＸ軸に対し
てθだけ傾斜させて配置されている。このＸ軸と回転板
８２とのなす角度を照射角度（θ）とすると、アルゴン
イオンＡｒ +は照射角度（θ）だけ傾いて照射される。
【０００８】なお、プラズマエッチング装置８０には装
置内を真空にするために図示しない真空ポンプに接続さ
れる接続管８４が配設されている。このイオンミリング
により、マスクパターン７０ａ，７０ａ・・・が形成さ
れた部分以外の切断面は溝状にエッチングされ、マスク
パターン７０ａ，７０ａ・・・が形成された部分はレー
ルパターンが形成されたロー５５となる。このロー５５
を洗浄液で洗浄してマスクパターン７０ａ，７０ａ・・
・を除去すると、図１４（ａ）に示すように、所定形状
のレールパターン５７を備えたＡＢＳが形成されたロー
５５ａが得られる。このロー５５ａを各薄膜磁気ヘッド
素子毎に切断すると、図１４（ｂ）に示すようなレール
パターン５７が形成されたスライダー５８が得られる。
置内を真空にするために図示しない真空ポンプに接続さ
れる接続管８４が配設されている。このイオンミリング
により、マスクパターン７０ａ，７０ａ・・・が形成さ
れた部分以外の切断面は溝状にエッチングされ、マスク
パターン７０ａ，７０ａ・・・が形成された部分はレー
ルパターンが形成されたロー５５となる。このロー５５
を洗浄液で洗浄してマスクパターン７０ａ，７０ａ・・
・を除去すると、図１４（ａ）に示すように、所定形状
のレールパターン５７を備えたＡＢＳが形成されたロー
５５ａが得られる。このロー５５ａを各薄膜磁気ヘッド
素子毎に切断すると、図１４（ｂ）に示すようなレール
パターン５７が形成されたスライダー５８が得られる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したようにプラズ
マエッチング加工を行うと、図１５（ｂ）（なお、図１
５（ａ）はプラズマエッチング加工前のローの状態を示
す図であり、図１５（ｂ）はプラズマエッチング加工中
のローの状態を示す図である）に示すように、マスクパ
ターン７０ａのマスク側面７１側にアルゴンイオンＡｒ
+の照射により飛散した物質Ｘが再付着する。この再付
着を防止するために、イオンミリングの角度（アルゴン
イオンＡｒ+の照射角度θ）を３０〜６０度にして行
う。しかしながら、この角度でイオンミリングを行う
と、図１５（ｂ）に示すように、ＡＢＳの周辺の角部Ｙ
およびマスクパターン７０ａの角部Ｚは直角に保持され
ることとなる。
マエッチング加工を行うと、図１５（ｂ）（なお、図１
５（ａ）はプラズマエッチング加工前のローの状態を示
す図であり、図１５（ｂ）はプラズマエッチング加工中
のローの状態を示す図である）に示すように、マスクパ
ターン７０ａのマスク側面７１側にアルゴンイオンＡｒ
+の照射により飛散した物質Ｘが再付着する。この再付
着を防止するために、イオンミリングの角度（アルゴン
イオンＡｒ+の照射角度θ）を３０〜６０度にして行
う。しかしながら、この角度でイオンミリングを行う
と、図１５（ｂ）に示すように、ＡＢＳの周辺の角部Ｙ
およびマスクパターン７０ａの角部Ｚは直角に保持され
ることとなる。
【００１０】ＡＢＳの周辺の角部Ｙが直角に保持される
と、この角部Ｙが磁気記録媒体に接触して磁気記録媒体
の接触面を傷つけたり、あるいは磁気記録媒体に接触し
てこの角部Ｙが破損し、破片が磁気記録媒体上に飛散す
るという問題を生じる。このため、この角部Ｙをとるた
めの面取り加工（糸面取り、角取り）が必要になる。こ
の面取り加工（糸面取り、角取り）は一般的には機械加
工により行われる。例えば、図１６（ａ）に示すよう
に、ホルダー８１の取付面にスライダ５８をロジン系ワ
ックスなどの接着剤で接着する。このホルダー８１に取
り付けられたスライダ５８のＡＢＳ（研削面）の周辺の
角部を回転砥石８０に押し当てて、ＡＢＳ（研削面）の
周辺の角部を機械的に研磨（糸面取り、角取り）する。
と、この角部Ｙが磁気記録媒体に接触して磁気記録媒体
の接触面を傷つけたり、あるいは磁気記録媒体に接触し
てこの角部Ｙが破損し、破片が磁気記録媒体上に飛散す
るという問題を生じる。このため、この角部Ｙをとるた
めの面取り加工（糸面取り、角取り）が必要になる。こ
の面取り加工（糸面取り、角取り）は一般的には機械加
工により行われる。例えば、図１６（ａ）に示すよう
に、ホルダー８１の取付面にスライダ５８をロジン系ワ
ックスなどの接着剤で接着する。このホルダー８１に取
り付けられたスライダ５８のＡＢＳ（研削面）の周辺の
角部を回転砥石８０に押し当てて、ＡＢＳ（研削面）の
周辺の角部を機械的に研磨（糸面取り、角取り）する。
【００１１】また、図１６（ｂ）に示すように、基台９
０上に多数のスライダ５８を並べて固着し、これらの各
スライダ５８のＡＢＳ上にラッピングテープ９１を配置
する。ついで、ラッピングテープ９１の上に硬質ゴムな
どからなる弾性体９２を押し当て、ラッピングテープ９
１を各スライダ５８のＡＢＳにスクイーズして、ＡＢＳ
（研削面）の周辺の角部を機械的に研磨（糸面取り、角
取り）する。
０上に多数のスライダ５８を並べて固着し、これらの各
スライダ５８のＡＢＳ上にラッピングテープ９１を配置
する。ついで、ラッピングテープ９１の上に硬質ゴムな
どからなる弾性体９２を押し当て、ラッピングテープ９
１を各スライダ５８のＡＢＳにスクイーズして、ＡＢＳ
（研削面）の周辺の角部を機械的に研磨（糸面取り、角
取り）する。
【００１２】しかしながら、図１６（ａ）に示すような
回転砥石８０により面取り加工（糸面取り、角取り）を
行うと、ＡＢＳの周辺の角部あるいは糸面部に欠けを生
じて、この欠けが磁気記録媒体に接触して磁気記録媒体
の接触面を傷つけたり、あるいは破片が磁気記録媒体上
に飛散するという問題を生じる。また、スライダ１個ず
つを面取り加工（糸面取り、角取り）するため、効率が
悪く、生産性が悪いという問題を生じる。
回転砥石８０により面取り加工（糸面取り、角取り）を
行うと、ＡＢＳの周辺の角部あるいは糸面部に欠けを生
じて、この欠けが磁気記録媒体に接触して磁気記録媒体
の接触面を傷つけたり、あるいは破片が磁気記録媒体上
に飛散するという問題を生じる。また、スライダ１個ず
つを面取り加工（糸面取り、角取り）するため、効率が
悪く、生産性が悪いという問題を生じる。
【００１３】また、図１６（ｂ）に示すようなラッピン
グテープ９１によりスクイーズすると、スクイーズが連
続的に行えるため、効率的で生産性が良い反面、同時に
ＡＢＳ（研削面）も僅かながら研磨されため、レールパ
ターンに変形を来して浮上特性にバラツキを生じるとい
う問題を生じる。そこで、この発明は上記問題点に鑑み
てなされたものであって、機械加工を行うことなく、プ
ラズマエッチングによりＡＢＳ（研削面）の周辺の角部
および糸面部の面取り加工を行って、磁気記録媒体を傷
つけないスライダを得ることにある。
グテープ９１によりスクイーズすると、スクイーズが連
続的に行えるため、効率的で生産性が良い反面、同時に
ＡＢＳ（研削面）も僅かながら研磨されため、レールパ
ターンに変形を来して浮上特性にバラツキを生じるとい
う問題を生じる。そこで、この発明は上記問題点に鑑み
てなされたものであって、機械加工を行うことなく、プ
ラズマエッチングによりＡＢＳ（研削面）の周辺の角部
および糸面部の面取り加工を行って、磁気記録媒体を傷
つけないスライダを得ることにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】こ
の発明は、磁気記録媒体と対向する面側に所定形状のレ
ールパターンを形成して浮上面としたスライダの空気流
出端部側に薄膜磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッド
スライダの製造方法であって、上記課題を解決するため
に、本発明の薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法は、薄
膜磁気ヘッド素子をその表面の縦方向および横方向に多
数形成したウェハーを１列毎の素子列（ロー）に切断し
て形成したローの切断面に感光性樹脂膜を貼着するとと
もにこの感光性樹脂膜の上にフォトマスクを配置した
後、露光、現像してローの切断面に所定形状のマスクパ
ターンを形成するフォトリソグラフィー工程と、マスク
パターンの形成面に対して所定の角度でイオンビームを
照射してマスクパターンの形成面を所定の堀込量だけ研
削して各スライダのレールパターンを形成する第１プラ
ズマエッチング工程と、この第１プラズマエッチング工
程によりレールパターンが形成された面にローを各スラ
イダ毎に区画するための溝を形成する溝入れ工程と、こ
の溝入れ工程により溝が形成された各スライダの周辺部
の糸面部および角部をプラズマエッチングにより面取り
加工を行う第２プラズマエッチング工程と、この第２プ
ラズマエッチング工程に面取り加工された素子列の溝に
沿って各スライダ毎に切断するスライダ切断工程とを備
えたことを特徴とする。
の発明は、磁気記録媒体と対向する面側に所定形状のレ
ールパターンを形成して浮上面としたスライダの空気流
出端部側に薄膜磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッド
スライダの製造方法であって、上記課題を解決するため
に、本発明の薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法は、薄
膜磁気ヘッド素子をその表面の縦方向および横方向に多
数形成したウェハーを１列毎の素子列（ロー）に切断し
て形成したローの切断面に感光性樹脂膜を貼着するとと
もにこの感光性樹脂膜の上にフォトマスクを配置した
後、露光、現像してローの切断面に所定形状のマスクパ
ターンを形成するフォトリソグラフィー工程と、マスク
パターンの形成面に対して所定の角度でイオンビームを
照射してマスクパターンの形成面を所定の堀込量だけ研
削して各スライダのレールパターンを形成する第１プラ
ズマエッチング工程と、この第１プラズマエッチング工
程によりレールパターンが形成された面にローを各スラ
イダ毎に区画するための溝を形成する溝入れ工程と、こ
の溝入れ工程により溝が形成された各スライダの周辺部
の糸面部および角部をプラズマエッチングにより面取り
加工を行う第２プラズマエッチング工程と、この第２プ
ラズマエッチング工程に面取り加工された素子列の溝に
沿って各スライダ毎に切断するスライダ切断工程とを備
えたことを特徴とする。
【００１５】このように、第１プラズマエッチング工程
により形成されたローのレールパターンの形成面に溝入
れ工程により各スライダ毎に区画するための溝を形成し
た後、面取り工程により、各スライダの周辺部の糸面部
および角部をプラズマエッチングにより面取り加工を行
った後、各スライダ毎に切断すると、各スライダの周辺
部の糸面部および角部が面取りされる。このため、各ス
ライダの糸面部および角部は丸みが形成されるようにな
るので、スライダの角部が磁気記録媒体に接触すること
が防止できるようになり、磁気記録媒体（メディア）の
接触面を傷つけたり、あるいは破片が磁気記録媒体上に
飛散することも防止できるようになる。
により形成されたローのレールパターンの形成面に溝入
れ工程により各スライダ毎に区画するための溝を形成し
た後、面取り工程により、各スライダの周辺部の糸面部
および角部をプラズマエッチングにより面取り加工を行
った後、各スライダ毎に切断すると、各スライダの周辺
部の糸面部および角部が面取りされる。このため、各ス
ライダの糸面部および角部は丸みが形成されるようにな
るので、スライダの角部が磁気記録媒体に接触すること
が防止できるようになり、磁気記録媒体（メディア）の
接触面を傷つけたり、あるいは破片が磁気記録媒体上に
飛散することも防止できるようになる。
【００１６】また、面取り工程に先立って、溝入れ工程
により溝が形成されたローの表面に感光性樹脂膜を貼着
するとともにこの感光性樹脂膜の上にフォトマスクを配
置した後、露光、現像してローのスライダの周辺部以外
の表面にマスクパターンを形成する第２フォトリソグラ
フィー工程を備えるようにすると、第２プラズマエッチ
ング工程により、容易にスライダの周辺部の糸面部およ
び角部の面取り加工を行うことができるようになる。
により溝が形成されたローの表面に感光性樹脂膜を貼着
するとともにこの感光性樹脂膜の上にフォトマスクを配
置した後、露光、現像してローのスライダの周辺部以外
の表面にマスクパターンを形成する第２フォトリソグラ
フィー工程を備えるようにすると、第２プラズマエッチ
ング工程により、容易にスライダの周辺部の糸面部およ
び角部の面取り加工を行うことができるようになる。
【００１７】そして、第１プラズマエッチング工程にお
いて、イオンビームをマスクパターンの形成面（ローの
表面）に対して３０〜６０度の照射角度で照射すると、
レールパターンの研削面はローの表面に対して直角にな
るように研削されるようになる。しかしながら、面取り
工程において、スライダのレールパターンの形成面に対
して第１の角度でイオンビームを照射してスライダの糸
面部および角部を所定の角度だけ研削する研削工程を備
えるようにすると、スライダの糸面部および角部が所定
の角度だけ研削されて、糸面部および角部が面取りされ
て丸みが形成されるようになる。このため、スライダの
角部が磁気記録媒体に接触することが防止できるように
なり、磁気記録媒体（メディア）の接触面を傷つけた
り、あるいは破片が磁気記録媒体上に飛散することも防
止できるようになる。
いて、イオンビームをマスクパターンの形成面（ローの
表面）に対して３０〜６０度の照射角度で照射すると、
レールパターンの研削面はローの表面に対して直角にな
るように研削されるようになる。しかしながら、面取り
工程において、スライダのレールパターンの形成面に対
して第１の角度でイオンビームを照射してスライダの糸
面部および角部を所定の角度だけ研削する研削工程を備
えるようにすると、スライダの糸面部および角部が所定
の角度だけ研削されて、糸面部および角部が面取りされ
て丸みが形成されるようになる。このため、スライダの
角部が磁気記録媒体に接触することが防止できるように
なり、磁気記録媒体（メディア）の接触面を傷つけた
り、あるいは破片が磁気記録媒体上に飛散することも防
止できるようになる。
【００１８】また、スライダのレールパターンの形成面
に対して第２の角度でイオンビームを照射して研削工程
により研削された残査の付着物質を除去する除去工程
と、スライダのレールパターンの形成面に対して第３の
角度でイオンビームを照射して糸面部および角部をクリ
ーニングするクリーニング工程とを備えるようにする
と、新たに残査の除去工程およびクリーニング工程を設
けることなくプラズマエッチングにより容易に研削残差
を取り除くことができるようになり、この種のスライダ
を新たな工程および製造装置を付加することなく、容易
に製造できるようになる。
に対して第２の角度でイオンビームを照射して研削工程
により研削された残査の付着物質を除去する除去工程
と、スライダのレールパターンの形成面に対して第３の
角度でイオンビームを照射して糸面部および角部をクリ
ーニングするクリーニング工程とを備えるようにする
と、新たに残査の除去工程およびクリーニング工程を設
けることなくプラズマエッチングにより容易に研削残差
を取り除くことができるようになり、この種のスライダ
を新たな工程および製造装置を付加することなく、容易
に製造できるようになる。
【００１９】さらに、上述の第１の角度をレールパター
ンの形成面に対して５〜２０度の角度にすると、スライ
ダの周辺部の角部および糸面部の研削量が最大となるた
め、スライダの周辺部の角部および糸面部が最適に研削
できるようになる。また、第２の角度をレールパターン
の形成面に対して７５〜８５度の角度にすると、再付着
物質の減少量が大きいため、研削工程において付着した
残差を短時間で除去することが可能となる。また、第３
の角度をレールパターンの形成面に対して３０〜６０度
の角度にすると、スライダ周辺部の角部、糸面部の研削
量および研削物質の付着量が最小になるため、第２の角
度で研削しても残った残査をほぼ完全に取り除くことが
でき、研削面全面のクリーニングを施すことが可能とな
る。
ンの形成面に対して５〜２０度の角度にすると、スライ
ダの周辺部の角部および糸面部の研削量が最大となるた
め、スライダの周辺部の角部および糸面部が最適に研削
できるようになる。また、第２の角度をレールパターン
の形成面に対して７５〜８５度の角度にすると、再付着
物質の減少量が大きいため、研削工程において付着した
残差を短時間で除去することが可能となる。また、第３
の角度をレールパターンの形成面に対して３０〜６０度
の角度にすると、スライダ周辺部の角部、糸面部の研削
量および研削物質の付着量が最小になるため、第２の角
度で研削しても残った残査をほぼ完全に取り除くことが
でき、研削面全面のクリーニングを施すことが可能とな
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法の実施形態を図１〜図１０を参照しながら説
明する。なお、図１は薄膜磁気ヘッド素子の形成工程か
らウエハー切断工程までの一連の工程を示す図であり、
図２はフォトリソグラフィー工程を示す図であり、図３
はプラズマエッチング工程を示す図であり、図４はプラ
ズマエッチング工程によりレールパターンが形成された
素子列を示す図であり、図５は素子列を各スライダ毎に
溝入れ加工を行う工程を示す図である。また、図６は溝
入れ加工後の素子列に第２のフォトリソグラフィー工程
により保護膜を形成した状態を示す図であり、図７はア
ルゴンイオンＡｒ+の照射角度と面取り加工量との関係
を示す図であり、図８はアルゴンイオンＡｒ+の照射角
度と再付着物質の減少速度の関係を示す図であり、図９
はアルゴンイオンＡｒ+の照射角度と再付着物質の付着
厚さの関係を示す図であり、図１０はスライダの周辺部
の糸面部および角部を面取り加工した後に各スライダ毎
に切断した状態を示す図である。
の製造方法の実施形態を図１〜図１０を参照しながら説
明する。なお、図１は薄膜磁気ヘッド素子の形成工程か
らウエハー切断工程までの一連の工程を示す図であり、
図２はフォトリソグラフィー工程を示す図であり、図３
はプラズマエッチング工程を示す図であり、図４はプラ
ズマエッチング工程によりレールパターンが形成された
素子列を示す図であり、図５は素子列を各スライダ毎に
溝入れ加工を行う工程を示す図である。また、図６は溝
入れ加工後の素子列に第２のフォトリソグラフィー工程
により保護膜を形成した状態を示す図であり、図７はア
ルゴンイオンＡｒ+の照射角度と面取り加工量との関係
を示す図であり、図８はアルゴンイオンＡｒ+の照射角
度と再付着物質の減少速度の関係を示す図であり、図９
はアルゴンイオンＡｒ+の照射角度と再付着物質の付着
厚さの関係を示す図であり、図１０はスライダの周辺部
の糸面部および角部を面取り加工した後に各スライダ毎
に切断した状態を示す図である。
【００２１】１．ロー切断工程 図１（ａ）に示すように、アルチック（Ａｌ2Ｏ3−Ｔｉ
Ｃ）などからなるセラミック基板１０の表面にウェハー
プロセスにより複数の薄膜磁気ヘッド素子１１，１１・
・・を縦方向および横方向に多数成膜して薄膜磁気ヘッ
ド素子層（主としてアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる）１
２（図４参照）を形成して磁気ヘッドウェハー１０ａと
する。なお、薄膜磁気ヘッド素子１１は、図４に示すよ
うに、薄膜磁気ヘッド素子１１ａおよびパッド（端子
部）１１ｂからなる。ついで、図１（ｂ）に示すよう
に、磁気ヘッドウェハー１０ａに形成された各薄膜磁気
ヘッド素子１１，１１・・・が１列の素子列となるよう
に、図示しない切断ブレードを回転させて切断して、ロ
ー１５，１５・・・を形成する。
Ｃ）などからなるセラミック基板１０の表面にウェハー
プロセスにより複数の薄膜磁気ヘッド素子１１，１１・
・・を縦方向および横方向に多数成膜して薄膜磁気ヘッ
ド素子層（主としてアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる）１
２（図４参照）を形成して磁気ヘッドウェハー１０ａと
する。なお、薄膜磁気ヘッド素子１１は、図４に示すよ
うに、薄膜磁気ヘッド素子１１ａおよびパッド（端子
部）１１ｂからなる。ついで、図１（ｂ）に示すよう
に、磁気ヘッドウェハー１０ａに形成された各薄膜磁気
ヘッド素子１１，１１・・・が１列の素子列となるよう
に、図示しない切断ブレードを回転させて切断して、ロ
ー１５，１５・・・を形成する。
【００２２】ついで、図示しないラップ盤の上下の定盤
間に各ロー１５をＡＢＳおよび背面が定盤に対して上下
方向になるようにして挟み込み、定盤と各ロー１５との
間に砥粒を入れ、定盤間を押し付けるとともに摺り合わ
せて各ロー１５の各ＡＢＳおよび背面を両面ラッピング
加工を行う。この両面ラッピング加工により、高い平行
度と反りの少ないロー１５が得られる。また、ロー１５
の各ＡＢＳおよび背面の極薄い層（例えば３μｍ）には
両面ラッピング処理で生じた圧縮応力が残留する。この
両面ラッピング加工においては、例えば研磨砥粒として
０．５μｍのダイヤモンド砥粒あるいは１．５μｍのグ
リーンシリコンカーバイド砥粒等を用いることができ
る。
間に各ロー１５をＡＢＳおよび背面が定盤に対して上下
方向になるようにして挟み込み、定盤と各ロー１５との
間に砥粒を入れ、定盤間を押し付けるとともに摺り合わ
せて各ロー１５の各ＡＢＳおよび背面を両面ラッピング
加工を行う。この両面ラッピング加工により、高い平行
度と反りの少ないロー１５が得られる。また、ロー１５
の各ＡＢＳおよび背面の極薄い層（例えば３μｍ）には
両面ラッピング処理で生じた圧縮応力が残留する。この
両面ラッピング加工においては、例えば研磨砥粒として
０．５μｍのダイヤモンド砥粒あるいは１．５μｍのグ
リーンシリコンカーバイド砥粒等を用いることができ
る。
【００２３】両面ラッピング加工を行ったロー１５を図
示しないワークホルダー（治具）に背面が接着面（即
ち、ＡＢＳが下面となる）となるようにロジン系ワック
スなどの接着剤で接着した後、接着されたロー１５のＡ
ＢＳが下面となるようにしてワークホルダーをラップ盤
の上に載置する。そして、ダイヤモンド０．５μｍなど
からなる研磨砥粒をラップ盤上に吹き付けながらラップ
盤を回転させてロー１５のＡＢＳを研磨（ラッピング）
して、スロートハイト（薄膜磁気ヘッド素子１１ａのポ
ール部の長さ）を目標値まで加工する。
示しないワークホルダー（治具）に背面が接着面（即
ち、ＡＢＳが下面となる）となるようにロジン系ワック
スなどの接着剤で接着した後、接着されたロー１５のＡ
ＢＳが下面となるようにしてワークホルダーをラップ盤
の上に載置する。そして、ダイヤモンド０．５μｍなど
からなる研磨砥粒をラップ盤上に吹き付けながらラップ
盤を回転させてロー１５のＡＢＳを研磨（ラッピング）
して、スロートハイト（薄膜磁気ヘッド素子１１ａのポ
ール部の長さ）を目標値まで加工する。
【００２４】ついで、ロー１５をワークホルダー（治
具）から取り外した後、今度はロー１５のＡＢＳが接着
面（即ち、背面が下面となる）となるようにワークホル
ダー（治具）に接着し、上述したＡＢＳの研磨（ラッピ
ング）と同様にして背面を研磨（ラッピング）する。こ
のようにしてＡＢＳをラッピングした後、背面をラッピ
ングすることにより、ＡＢＳと背面の残留応力がほぼバ
ランスしたロー１５が得られるようになる。ついで、図
１（ｃ）に示すように、切断面が上下面となるようにし
て、即ち、膜面１２が側面となるようにして、各ロー１
５を所定の間隔（後のスライダ周辺の面取り加工の加工
量の５倍以上、例えば２５μｍ以上）だけ隔てて基板２
０上に配置する。
具）から取り外した後、今度はロー１５のＡＢＳが接着
面（即ち、背面が下面となる）となるようにワークホル
ダー（治具）に接着し、上述したＡＢＳの研磨（ラッピ
ング）と同様にして背面を研磨（ラッピング）する。こ
のようにしてＡＢＳをラッピングした後、背面をラッピ
ングすることにより、ＡＢＳと背面の残留応力がほぼバ
ランスしたロー１５が得られるようになる。ついで、図
１（ｃ）に示すように、切断面が上下面となるようにし
て、即ち、膜面１２が側面となるようにして、各ロー１
５を所定の間隔（後のスライダ周辺の面取り加工の加工
量の５倍以上、例えば２５μｍ以上）だけ隔てて基板２
０上に配置する。
【００２５】２．第１フォトリソグラフィー工程 ついで、図２（ａ）に示すように、基板２０上の各ロー
１５，１５・・・の切断面（ＡＢＳ）上にミリング用レ
ジストフィルムあるいはドライフィルムなどの感光性樹
脂膜３０を貼着する。この感光性樹脂膜３０は、紫外線
が当たることにより現像液（例えば、炭酸ナトリウム
（Ｎａ2ＣＯ3）水溶液）に浸漬しても溶け難いネガ型の
感光性樹脂により形成されている。なお、感光性樹脂は
紫外線が当たることにより現像液に浸漬すると溶け易く
なるポジ型の感光性樹脂を用いても良い。
１５，１５・・・の切断面（ＡＢＳ）上にミリング用レ
ジストフィルムあるいはドライフィルムなどの感光性樹
脂膜３０を貼着する。この感光性樹脂膜３０は、紫外線
が当たることにより現像液（例えば、炭酸ナトリウム
（Ｎａ2ＣＯ3）水溶液）に浸漬しても溶け難いネガ型の
感光性樹脂により形成されている。なお、感光性樹脂は
紫外線が当たることにより現像液に浸漬すると溶け易く
なるポジ型の感光性樹脂を用いても良い。
【００２６】ついで、ＡＢＳ上に感光性樹脂膜３０が貼
着された各ロー１５，１５・・・のＡＢＳに、図示しな
い所定のレール形状のパターンが形成されたフォトマス
クを載置し、このフォトマスクの上部に配置した図示し
ない紫外線ランプよりフォトマスク上に紫外線を照射す
る。フォトマスク上に紫外線を照射すると、所定のレー
ル形状のパターンが形成されたフォトマスクを通過した
紫外線は感光性樹脂膜３０を所定のレール形状のパター
ンに感光する。感光性樹脂膜３０の紫外線により感光し
た部分は硬化し、後の現像工程において現像液（例え
ば、炭酸ナトリウム（Ｎａ2ＣＯ3）水溶液）に浸漬して
も溶けにくくなる。
着された各ロー１５，１５・・・のＡＢＳに、図示しな
い所定のレール形状のパターンが形成されたフォトマス
クを載置し、このフォトマスクの上部に配置した図示し
ない紫外線ランプよりフォトマスク上に紫外線を照射す
る。フォトマスク上に紫外線を照射すると、所定のレー
ル形状のパターンが形成されたフォトマスクを通過した
紫外線は感光性樹脂膜３０を所定のレール形状のパター
ンに感光する。感光性樹脂膜３０の紫外線により感光し
た部分は硬化し、後の現像工程において現像液（例え
ば、炭酸ナトリウム（Ｎａ2ＣＯ3）水溶液）に浸漬して
も溶けにくくなる。
【００２７】ついで、感光性樹脂膜３０を所定のレール
形状のパターンに感光した各ロー１５，１５・・・を現
像液（例えば、炭酸ナトリウム（Ｎａ2ＣＯ3）水溶液）
に浸漬すると、感光性樹脂膜３０の感光された部分以外
の部分の感光性樹脂膜３０は現像液（例えば、炭酸ナト
リウム（Ｎａ2ＣＯ3）水溶液）に溶解されて除去され
る。これにより、各ロー１５，１５・・・のＡＢＳに
は、図２（ｂ）に示すように、所定のレール形状のマス
クパターン３０ａが形成されることとなる。
形状のパターンに感光した各ロー１５，１５・・・を現
像液（例えば、炭酸ナトリウム（Ｎａ2ＣＯ3）水溶液）
に浸漬すると、感光性樹脂膜３０の感光された部分以外
の部分の感光性樹脂膜３０は現像液（例えば、炭酸ナト
リウム（Ｎａ2ＣＯ3）水溶液）に溶解されて除去され
る。これにより、各ロー１５，１５・・・のＡＢＳに
は、図２（ｂ）に示すように、所定のレール形状のマス
クパターン３０ａが形成されることとなる。
【００２８】３．第１プラズマエッチング工程 ついで、図３に示すように、所定のレール形状のマスク
パターン３０ａが形成された各ロー１５，１５・・・を
プラズマエッチング装置４０の回転軸４１に取り付けら
れた回転板４２上に取り付け、プラズマイオンガン４３
よりアルゴンイオンＡｒ+を照射してプラズマエッチン
グ（イオンミリング）を行う。プラズマイオンガン４３
よりアルゴンイオンＡｒ+を照射すると、アルゴンイオ
ンＡｒ+は、プラズマイオンガン４３の前に設けられた
シャワーヘッドあるいはグリッド４５を介して供給さ
れ、ほぼＸ軸方向に向いている。一方、回転板４２はＸ
軸に対してθだけ傾斜させて配置されている。このＸ軸
と回転板４２とのなす角度を照射角度（θ）とすると、
アルゴンイオンＡｒ+は照射角度（θ）だけ傾いて照射
される。なお、プラズマエッチング装置４０には装置内
を真空にするために図示しない真空ポンプに接続される
接続管４４が配設されている。
パターン３０ａが形成された各ロー１５，１５・・・を
プラズマエッチング装置４０の回転軸４１に取り付けら
れた回転板４２上に取り付け、プラズマイオンガン４３
よりアルゴンイオンＡｒ+を照射してプラズマエッチン
グ（イオンミリング）を行う。プラズマイオンガン４３
よりアルゴンイオンＡｒ+を照射すると、アルゴンイオ
ンＡｒ+は、プラズマイオンガン４３の前に設けられた
シャワーヘッドあるいはグリッド４５を介して供給さ
れ、ほぼＸ軸方向に向いている。一方、回転板４２はＸ
軸に対してθだけ傾斜させて配置されている。このＸ軸
と回転板４２とのなす角度を照射角度（θ）とすると、
アルゴンイオンＡｒ+は照射角度（θ）だけ傾いて照射
される。なお、プラズマエッチング装置４０には装置内
を真空にするために図示しない真空ポンプに接続される
接続管４４が配設されている。
【００２９】ここで、プラズマエッチング（イオンミリ
ング）は次のようにして行う。まず、図示しない真空ポ
ンプを駆動して接続管４４からプラズマエッチング装置
４０内に残存する空気を吸引してプラズマエッチング装
置４０内を真空にする。このときの真空度は２×１０-4
（Ｔｏｒｒ）とし、加速電圧は６００Ｖとし、減速電圧
は−２００Ｖとし、ビーム電流は１６００ｍＡ（０．６
ｍＡ／ｃｍ2）とし、アーク電圧は７０Ｖとする。
ング）は次のようにして行う。まず、図示しない真空ポ
ンプを駆動して接続管４４からプラズマエッチング装置
４０内に残存する空気を吸引してプラズマエッチング装
置４０内を真空にする。このときの真空度は２×１０-4
（Ｔｏｒｒ）とし、加速電圧は６００Ｖとし、減速電圧
は−２００Ｖとし、ビーム電流は１６００ｍＡ（０．６
ｍＡ／ｃｍ2）とし、アーク電圧は７０Ｖとする。
【００３０】この後、アルゴンイオンＡｒ+の照射角度
を３０〜６０度になるようにして、即ち、回転軸の角度
θを３０〜６０度になるようにして、回転板４２を回転
させながら、プラズマイオンガン４３よりアルゴンイオ
ンＡｒ+を照射する。照射角度を３０〜６０度にしてロ
ー１５のＡＢＳにアルゴンイオンＡｒ+を照射すること
により、ＡＢＳのマスクパターン３０ａが形成された部
分以外のＡＢＳの部位は溝状に直角にエッチングされ
る。このロー１５を洗浄液（例えば、ｎ−メチル−２−
ピロリドンよりなる）で洗浄してマスクパターン３０ａ
を除去すると、図４に示すように、所定のレール形状の
レールパターン１６が形成されることとなる。
を３０〜６０度になるようにして、即ち、回転軸の角度
θを３０〜６０度になるようにして、回転板４２を回転
させながら、プラズマイオンガン４３よりアルゴンイオ
ンＡｒ+を照射する。照射角度を３０〜６０度にしてロ
ー１５のＡＢＳにアルゴンイオンＡｒ+を照射すること
により、ＡＢＳのマスクパターン３０ａが形成された部
分以外のＡＢＳの部位は溝状に直角にエッチングされ
る。このロー１５を洗浄液（例えば、ｎ−メチル−２−
ピロリドンよりなる）で洗浄してマスクパターン３０ａ
を除去すると、図４に示すように、所定のレール形状の
レールパターン１６が形成されることとなる。
【００３１】４．溝入れ工程 ついで、所定のレール形状のレールパターン１６が形成
されたロー１５のレールパターン１６の形成面に後の工
程において切断されて各スライダとなるように、その切
断代の部分に図示しない研削ブレードを押し当て、研削
ブレードを回転させて切断代に溝入れ加工を行う。この
溝入れ加工により、図５に示すように、ロー１５のレー
ルパターン１６の形成面に溝１７が形成される。このよ
うに、ロー１５のレールパターン１６の形成面に溝１７
を形成すると、後の切断工程において各スライダ毎に切
断しても、レールパターン１６の形成面の切断部分に欠
けを生じることが防止できるようになる。
されたロー１５のレールパターン１６の形成面に後の工
程において切断されて各スライダとなるように、その切
断代の部分に図示しない研削ブレードを押し当て、研削
ブレードを回転させて切断代に溝入れ加工を行う。この
溝入れ加工により、図５に示すように、ロー１５のレー
ルパターン１６の形成面に溝１７が形成される。このよ
うに、ロー１５のレールパターン１６の形成面に溝１７
を形成すると、後の切断工程において各スライダ毎に切
断しても、レールパターン１６の形成面の切断部分に欠
けを生じることが防止できるようになる。
【００３２】５．第２フォトリソグラフィ工程 ロー１５のレールパターン１６の形成面に溝１７を形成
した後、各ロー１５を所定の間隔だけ隔てて図示しない
基板上に配置する。ここで、各ロー１５間の間隔は、面
取り加工量の５倍（例えば、面取り加工量が５μｍで有
る場合は２５μｍ）以上にする必要がある。この後、ロ
ー１５のレールパターン１６の形成面上にミリング用レ
ジストフィルムあるいはドライフィルムなどの感光性樹
脂膜（この感光性樹脂膜は上記フォトリソグラフィ工程
において使用した感光性樹脂膜と同様である）を貼着す
る。
した後、各ロー１５を所定の間隔だけ隔てて図示しない
基板上に配置する。ここで、各ロー１５間の間隔は、面
取り加工量の５倍（例えば、面取り加工量が５μｍで有
る場合は２５μｍ）以上にする必要がある。この後、ロ
ー１５のレールパターン１６の形成面上にミリング用レ
ジストフィルムあるいはドライフィルムなどの感光性樹
脂膜（この感光性樹脂膜は上記フォトリソグラフィ工程
において使用した感光性樹脂膜と同様である）を貼着す
る。
【００３３】ついで、感光性樹脂膜が貼着されたロー１
５のレールパターン１６の形成面に、図示しないマスク
パターン（なお、このマスクパターンは各スライダの周
辺部以外がカバーされるようになされている）が形成さ
れたフォトマスクを載置し、このフォトマスクの上部に
配置した図示しない紫外線ランプよりフォトマスク上に
紫外線を照射した後、現像液（例えば、炭酸ナトリウム
（Ｎａ2ＣＯ3）水溶液）に浸漬すると、感光性樹脂膜の
感光された部分以外は現像液に溶解されて除去される。
５のレールパターン１６の形成面に、図示しないマスク
パターン（なお、このマスクパターンは各スライダの周
辺部以外がカバーされるようになされている）が形成さ
れたフォトマスクを載置し、このフォトマスクの上部に
配置した図示しない紫外線ランプよりフォトマスク上に
紫外線を照射した後、現像液（例えば、炭酸ナトリウム
（Ｎａ2ＣＯ3）水溶液）に浸漬すると、感光性樹脂膜の
感光された部分以外は現像液に溶解されて除去される。
【００３４】これにより、ロー１５のレールパターン１
６の形成面には、図６（ａ）に示すように、各スライダ
の周辺部１６ａを除いてマスクパターン１８が形成され
ることとなる。このようにロー１５のレールパターン１
６の形成面にマスクパターン１８が形成されると、図６
（ｂ）に示すように、各スライダの周辺部１６ａを除い
て、後の第２プラズマエッチング工程においてアルゴン
イオンＡｒ+が照射されても、レールパターン１６の形
成面が保護されるようになる。
６の形成面には、図６（ａ）に示すように、各スライダ
の周辺部１６ａを除いてマスクパターン１８が形成され
ることとなる。このようにロー１５のレールパターン１
６の形成面にマスクパターン１８が形成されると、図６
（ｂ）に示すように、各スライダの周辺部１６ａを除い
て、後の第２プラズマエッチング工程においてアルゴン
イオンＡｒ+が照射されても、レールパターン１６の形
成面が保護されるようになる。
【００３５】６．スライダ周辺部の面取り工程（第２プ
ラズマエッチング工程） ついで、ロー１５のレールパターン１６の形成面にマス
クパターン１８を形成した後、図３に示すように、再
度、各ロー１５，１５・・・をプラズマエッチング装置
４０の回転軸４１に取り付けられた回転板４２上に取り
付け、プラズマイオンガン４３よりアルゴンイオンＡｒ
+を照射してプラズマエッチング（第２プラズマエッチ
ング）を行う。この場合のプラズマエッチングの条件
は、上述した第１プラズマエッチング工程と同様に、真
空度は２×１０-4（Ｔｏｒｒ）とし、加速電圧は６００
Ｖとし、減速電圧は−２００Ｖとし、ビーム電流は１６
００ｍＡ（０．６ｍＡ／ｃｍ2）とし、アーク電圧は７
０Ｖとする。
ラズマエッチング工程） ついで、ロー１５のレールパターン１６の形成面にマス
クパターン１８を形成した後、図３に示すように、再
度、各ロー１５，１５・・・をプラズマエッチング装置
４０の回転軸４１に取り付けられた回転板４２上に取り
付け、プラズマイオンガン４３よりアルゴンイオンＡｒ
+を照射してプラズマエッチング（第２プラズマエッチ
ング）を行う。この場合のプラズマエッチングの条件
は、上述した第１プラズマエッチング工程と同様に、真
空度は２×１０-4（Ｔｏｒｒ）とし、加速電圧は６００
Ｖとし、減速電圧は−２００Ｖとし、ビーム電流は１６
００ｍＡ（０．６ｍＡ／ｃｍ2）とし、アーク電圧は７
０Ｖとする。
【００３６】この第２プラズマエッチングは次のように
して行う。まず、図示しない真空ポンプを駆動して接続
管４４からプラズマエッチング装置４０内に残存する空
気を吸引してプラズマエッチング装置４０内を真空にす
る。この後、アルゴンイオンＡｒ+の照射角度を５〜２
０度になるようにして、即ち、回転軸の角度θを５〜２
０度になるようにして、回転板４２を回転させながら、
プラズマイオンガン４３よりアルゴンイオンＡｒ+を照
射する。照射角度を５〜２０度にしてロー１５のＡＢＳ
にアルゴンイオンＡｒ+を照射することにより、マスク
パターン１８が無い各スライダの周辺部１６ａの糸面部
および角部が４５度の角度で研削されて、所定の面取り
量（この面取り量をブレンド量という）だけ面取りさ
れ、図１０（なお、図１０は完成したスライダを示す）
に示すように、各スライダの周辺部１６ａの糸面部およ
び角部は丸み部が形成されることとなる。
して行う。まず、図示しない真空ポンプを駆動して接続
管４４からプラズマエッチング装置４０内に残存する空
気を吸引してプラズマエッチング装置４０内を真空にす
る。この後、アルゴンイオンＡｒ+の照射角度を５〜２
０度になるようにして、即ち、回転軸の角度θを５〜２
０度になるようにして、回転板４２を回転させながら、
プラズマイオンガン４３よりアルゴンイオンＡｒ+を照
射する。照射角度を５〜２０度にしてロー１５のＡＢＳ
にアルゴンイオンＡｒ+を照射することにより、マスク
パターン１８が無い各スライダの周辺部１６ａの糸面部
および角部が４５度の角度で研削されて、所定の面取り
量（この面取り量をブレンド量という）だけ面取りさ
れ、図１０（なお、図１０は完成したスライダを示す）
に示すように、各スライダの周辺部１６ａの糸面部およ
び角部は丸み部が形成されることとなる。
【００３７】図７はアルゴンイオンＡｒ+の照射角度
（θ）とブレンド量との関係を示す図あり、この図７に
基づいて、照射角度を５〜２０度にして面取り加工する
理由について説明する。ブレンド量については、以下の
ように定義する。即ち、図１０に示すように、スライダ
のＡＢＳ面の幅方向（Ｘ方向およびＹ方向）の長さｂ1
および厚み方向（Ｚ方向）の長さｂ2の大きい方をブレ
ンド量として表す。なお、図７の〇印は堀込み深さが３
μｍの場合を示し、■印は堀込み深さが６μｍの場合を
示し、照射角度（θ）が０〜４５度の場合はｂ1を示
し、照射角（θ）が４６〜９０度の場合はｂ2を示して
いる。
（θ）とブレンド量との関係を示す図あり、この図７に
基づいて、照射角度を５〜２０度にして面取り加工する
理由について説明する。ブレンド量については、以下の
ように定義する。即ち、図１０に示すように、スライダ
のＡＢＳ面の幅方向（Ｘ方向およびＹ方向）の長さｂ1
および厚み方向（Ｚ方向）の長さｂ2の大きい方をブレ
ンド量として表す。なお、図７の〇印は堀込み深さが３
μｍの場合を示し、■印は堀込み深さが６μｍの場合を
示し、照射角度（θ）が０〜４５度の場合はｂ1を示
し、照射角（θ）が４６〜９０度の場合はｂ2を示して
いる。
【００３８】図７より明らかなように、アルゴンイオン
Ａｒ+の照射角度（θ）を０〜２０度にするとブレンド
量が多いが、２０度を超すと急激にブレンド量が減少す
る。また、後述する図９より明らかなように、０〜５度
までは再付着量が格段に多くなるため、５〜２０度にす
るとブレンド量が多くかつ再付着量も少なくなる。した
がって、ＡＢＳの面取りの照射角度（θ）は５〜２０度
にすることが好ましい。より好ましくは、５〜１５度が
望ましい。なお、各スライダのＡＢＳにはマスクパター
ン１８が形成されているので、アルゴンイオンＡｒ+の
照射時間を調整することにより、ブレンド量（図１０の
長さｂ1およびｂ2）を自由に調製することが可能であ
り、例えば、ｂ1およびｂ2を２〜５０μｍの範囲で形成
することが好ましい。
Ａｒ+の照射角度（θ）を０〜２０度にするとブレンド
量が多いが、２０度を超すと急激にブレンド量が減少す
る。また、後述する図９より明らかなように、０〜５度
までは再付着量が格段に多くなるため、５〜２０度にす
るとブレンド量が多くかつ再付着量も少なくなる。した
がって、ＡＢＳの面取りの照射角度（θ）は５〜２０度
にすることが好ましい。より好ましくは、５〜１５度が
望ましい。なお、各スライダのＡＢＳにはマスクパター
ン１８が形成されているので、アルゴンイオンＡｒ+の
照射時間を調整することにより、ブレンド量（図１０の
長さｂ1およびｂ2）を自由に調製することが可能であ
り、例えば、ｂ1およびｂ2を２〜５０μｍの範囲で形成
することが好ましい。
【００３９】ついで、アルゴンイオンＡｒ+の照射角度
を７５〜８５度になるようにして、即ち、回転軸の角度
θを７５〜８５度になるようにして、回転板４２を回転
させながら、プラズマイオンガン４３よりアルゴンイオ
ンＡｒ+をロー１５のＡＢＳに照射する。照射角度を７
５〜８５度にしてアルゴンイオンＡｒ+を照射すること
により、マスク段差面に付着した再付着物（ＡＢＳにア
ルゴンイオンＡｒ+が照射されて飛散した物質）が除去
されるようになる。
を７５〜８５度になるようにして、即ち、回転軸の角度
θを７５〜８５度になるようにして、回転板４２を回転
させながら、プラズマイオンガン４３よりアルゴンイオ
ンＡｒ+をロー１５のＡＢＳに照射する。照射角度を７
５〜８５度にしてアルゴンイオンＡｒ+を照射すること
により、マスク段差面に付着した再付着物（ＡＢＳにア
ルゴンイオンＡｒ+が照射されて飛散した物質）が除去
されるようになる。
【００４０】図８はアルゴンイオンＡｒ+の照射角度と
再付着物質の減少速度の関係を示す図であり、この図８
に基づいて、照射角度を７５〜８５度にしてＡＢＳに再
付着した物質を除去する理由について説明する。なお、
図８の〇印は堀込み深さが３μｍの場合を示す。図８よ
り明らかなように、アルゴンイオンＡｒ+の照射角度が
７５度以上であると、再付着物質の減少速度は大きい
が、７５度より小さくなると急激に再付着物質の減少速
度が小さくなる。また、後述する図９より明らかなよう
に、アルゴンイオンＡｒ+の照射角度が８５度より大き
くなると、再付着量が急激に大きくなる。したがって、
ＡＢＳに再付着した物質を除去するためには、アルゴン
イオンＡｒ+の照射角度を７５〜８５度にすることが好
ましい。
再付着物質の減少速度の関係を示す図であり、この図８
に基づいて、照射角度を７５〜８５度にしてＡＢＳに再
付着した物質を除去する理由について説明する。なお、
図８の〇印は堀込み深さが３μｍの場合を示す。図８よ
り明らかなように、アルゴンイオンＡｒ+の照射角度が
７５度以上であると、再付着物質の減少速度は大きい
が、７５度より小さくなると急激に再付着物質の減少速
度が小さくなる。また、後述する図９より明らかなよう
に、アルゴンイオンＡｒ+の照射角度が８５度より大き
くなると、再付着量が急激に大きくなる。したがって、
ＡＢＳに再付着した物質を除去するためには、アルゴン
イオンＡｒ+の照射角度を７５〜８５度にすることが好
ましい。
【００４１】ついで、アルゴンイオンＡｒ+の照射角度
を３０〜６０度になるようにして、即ち、回転軸の角度
θを３０〜６０度になるようにして、回転板４２を回転
させながら、プラズマイオンガン４３よりアルゴンイオ
ンＡｒ+をロー１５のＡＢＳに照射する。照射角度を３
０〜６０度にアルゴンイオンＡｒ+を照射することによ
り、短時間でＡＢＳの全面に僅かに残存する再付着物が
除去されるようになる。
を３０〜６０度になるようにして、即ち、回転軸の角度
θを３０〜６０度になるようにして、回転板４２を回転
させながら、プラズマイオンガン４３よりアルゴンイオ
ンＡｒ+をロー１５のＡＢＳに照射する。照射角度を３
０〜６０度にアルゴンイオンＡｒ+を照射することによ
り、短時間でＡＢＳの全面に僅かに残存する再付着物が
除去されるようになる。
【００４２】図９はアルゴンイオンＡｒ+の照射角度と
再付着物質の付着厚さの関係を示す図であり、この図８
に基づいて、照射角度を３０〜６０度にしてＡＢＳに全
面に僅かに残存する再付着物質を除去する理由について
説明する。なお、図９の〇印は堀込み深さが３μｍの場
合を示し、■印は堀込み深さが６μｍの場合を示す。図
９より明らかなように、アルゴンイオンＡｒ+の照射角
度を３０〜６０度にすると、ほとんど再付着物質が付着
しないことが分かる。したがって、ＡＢＳの全面に僅か
に残存する再付着物質を除去するためには、アルゴンイ
オンＡｒ+の照射角度を３０〜６０度、最適には４５度
にすることが好ましい。
再付着物質の付着厚さの関係を示す図であり、この図８
に基づいて、照射角度を３０〜６０度にしてＡＢＳに全
面に僅かに残存する再付着物質を除去する理由について
説明する。なお、図９の〇印は堀込み深さが３μｍの場
合を示し、■印は堀込み深さが６μｍの場合を示す。図
９より明らかなように、アルゴンイオンＡｒ+の照射角
度を３０〜６０度にすると、ほとんど再付着物質が付着
しないことが分かる。したがって、ＡＢＳの全面に僅か
に残存する再付着物質を除去するためには、アルゴンイ
オンＡｒ+の照射角度を３０〜６０度、最適には４５度
にすることが好ましい。
【００４３】７．スライダ作製工程 第２プラズマエッチング工程によりロー１５の各スライ
ダの周辺部１５ａの糸面部および角部の面取りを行った
後、各ロー１５，１５・・・を洗浄液（例えば、ｎ−メ
チル−２−ピロリドンよりなる）で洗浄して、マスクパ
ターン１８を除去すると、そのＡＢＳに所定のレール形
状のレールパターン１６を備えるとともに、各スライダ
の周辺部１６ａの糸面部および角部が面取りされて丸み
部が形成されたロー１５が得られる。このロー１５を溝
１７に沿って各スライダ毎に切断すると、図１０に示す
ようなレールパターン１６が形成されるとともに、その
周辺部１６ａの糸面部および角部が面取りされて丸み部
が形成されたスライダ１９が得られる。
ダの周辺部１５ａの糸面部および角部の面取りを行った
後、各ロー１５，１５・・・を洗浄液（例えば、ｎ−メ
チル−２−ピロリドンよりなる）で洗浄して、マスクパ
ターン１８を除去すると、そのＡＢＳに所定のレール形
状のレールパターン１６を備えるとともに、各スライダ
の周辺部１６ａの糸面部および角部が面取りされて丸み
部が形成されたロー１５が得られる。このロー１５を溝
１７に沿って各スライダ毎に切断すると、図１０に示す
ようなレールパターン１６が形成されるとともに、その
周辺部１６ａの糸面部および角部が面取りされて丸み部
が形成されたスライダ１９が得られる。
【００４４】上述したように、本発明においては、第１
プラズマエッチング工程により形成されたロー１５のレ
ールパターン１６の形成面に溝入れ工程により各スライ
ダ１９毎に区画するための溝１７を形成した後、面取り
工程により、各スライダの周辺部１６ａの糸面部および
角部を第２プラズマエッチング工程により面取り加工を
行った後、各スライダ１９毎に切断すると、各スライダ
１９の周辺部１６ａの糸面部および角部が面取りされて
丸み部が形成される。このため、スライダ１９の角部が
磁気記録媒体に接触することが防止できるようになり、
磁気記録媒体（メディア）の接触面を傷つけたり、ある
いは破片が磁気記録媒体上に飛散することも防止できる
ようになる。
プラズマエッチング工程により形成されたロー１５のレ
ールパターン１６の形成面に溝入れ工程により各スライ
ダ１９毎に区画するための溝１７を形成した後、面取り
工程により、各スライダの周辺部１６ａの糸面部および
角部を第２プラズマエッチング工程により面取り加工を
行った後、各スライダ１９毎に切断すると、各スライダ
１９の周辺部１６ａの糸面部および角部が面取りされて
丸み部が形成される。このため、スライダ１９の角部が
磁気記録媒体に接触することが防止できるようになり、
磁気記録媒体（メディア）の接触面を傷つけたり、ある
いは破片が磁気記録媒体上に飛散することも防止できる
ようになる。
【００４５】また、面取り工程に先立って、溝入れ工程
により溝１７が形成されたロー１５の表面に感光性樹脂
膜を貼着するとともにこの感光性樹脂膜の上にフォトマ
スクを配置した後、露光、現像してロー１５のスライダ
の周辺部１６ａ以外の表面にマスクパターン１８を形成
する第２フォトリソグラフィー工程を備えるようにする
と、第２プラズマエッチング工程により、容易にスライ
ダ１９の周辺部の糸面部および角部の面取り加工を行う
ことができるようになる。
により溝１７が形成されたロー１５の表面に感光性樹脂
膜を貼着するとともにこの感光性樹脂膜の上にフォトマ
スクを配置した後、露光、現像してロー１５のスライダ
の周辺部１６ａ以外の表面にマスクパターン１８を形成
する第２フォトリソグラフィー工程を備えるようにする
と、第２プラズマエッチング工程により、容易にスライ
ダ１９の周辺部の糸面部および角部の面取り加工を行う
ことができるようになる。
【００４６】そして、第１プラズマエッチング工程にお
いて、アルゴンイオンＡｒ+をマスクパターン３０ａの
形成面に対して３０〜６０度の照射角度で照射すると、
レールパターン３０ａの研削面はロー１５の表面に対し
て直角になるように研削されるようになる。しかしなが
ら、面取り工程において、スライダ１９のレールパター
ン１６の形成面に対して第１の角度でアルゴンイオンＡ
ｒ+を照射してスライダの周辺部１６ａの糸面部および
角部を所定の角度だけ研削する研削工程を備えるように
すると、スライダの糸面部および角部が所定の角度だけ
研削されて、糸面部および角部が面取りされて丸み部１
６ｂが形成されるようになる。このため、スライダ１９
の角部が磁気記録媒体に接触することが防止できるよう
になり、磁気記録媒体（メディア）の接触面を傷つけた
り、あるいは破片が磁気記録媒体上に飛散することも防
止できるようになる。
いて、アルゴンイオンＡｒ+をマスクパターン３０ａの
形成面に対して３０〜６０度の照射角度で照射すると、
レールパターン３０ａの研削面はロー１５の表面に対し
て直角になるように研削されるようになる。しかしなが
ら、面取り工程において、スライダ１９のレールパター
ン１６の形成面に対して第１の角度でアルゴンイオンＡ
ｒ+を照射してスライダの周辺部１６ａの糸面部および
角部を所定の角度だけ研削する研削工程を備えるように
すると、スライダの糸面部および角部が所定の角度だけ
研削されて、糸面部および角部が面取りされて丸み部１
６ｂが形成されるようになる。このため、スライダ１９
の角部が磁気記録媒体に接触することが防止できるよう
になり、磁気記録媒体（メディア）の接触面を傷つけた
り、あるいは破片が磁気記録媒体上に飛散することも防
止できるようになる。
【００４７】また、スライダ１９のレールパターン１６
の形成面に対して第２の角度でアルゴンイオンＡｒ+を
照射して研削工程により研削された残査の付着物質を除
去する除去工程と、スライダ１９のレールパターン１６
の形成面に対して第３の角度でアルゴンイオンＡｒ+を
照射して糸面部および角部をクリーニングするクリーニ
ング工程とを備えるようにすると、新たに残査の除去工
程およびクリーニング工程を設けることなくプラズマエ
ッチングにより容易に研削残差を取り除くことができる
ようになり、この種のスライダ１９を新たな工程および
製造装置を付加することなく、容易に製造できるように
なる。
の形成面に対して第２の角度でアルゴンイオンＡｒ+を
照射して研削工程により研削された残査の付着物質を除
去する除去工程と、スライダ１９のレールパターン１６
の形成面に対して第３の角度でアルゴンイオンＡｒ+を
照射して糸面部および角部をクリーニングするクリーニ
ング工程とを備えるようにすると、新たに残査の除去工
程およびクリーニング工程を設けることなくプラズマエ
ッチングにより容易に研削残差を取り除くことができる
ようになり、この種のスライダ１９を新たな工程および
製造装置を付加することなく、容易に製造できるように
なる。
【００４８】さらに、第１の角度をレールパターン１６
の形成面に対して５〜２０度の角度にすると、スライダ
の周辺部の角部および糸面部の研削量が最大（図７参
照）となるため、スライダの周辺部の角部および糸面部
が最適に研削できるようになる。また、第２の角度をレ
ールパターン１６の形成面に対して７５〜８５度の角度
にすると、再付着物質の減少量が大きい（図８参照）た
め、研削工程において付着した残差を短時間で除去する
ことが可能となる。また、第３の角度をレールパターン
１６の形成面に対して３０〜６０度、最適には４５度の
角度にすると、スライダ１９の周辺部の角部、糸面部の
研削量および研削物質の付着量が最小（図９参照）にな
るため、第２の角度で研削しても残った残査をほぼ完全
に取り除くことができ、研削面全面のクリーニングを施
すことが可能となる。
の形成面に対して５〜２０度の角度にすると、スライダ
の周辺部の角部および糸面部の研削量が最大（図７参
照）となるため、スライダの周辺部の角部および糸面部
が最適に研削できるようになる。また、第２の角度をレ
ールパターン１６の形成面に対して７５〜８５度の角度
にすると、再付着物質の減少量が大きい（図８参照）た
め、研削工程において付着した残差を短時間で除去する
ことが可能となる。また、第３の角度をレールパターン
１６の形成面に対して３０〜６０度、最適には４５度の
角度にすると、スライダ１９の周辺部の角部、糸面部の
研削量および研削物質の付着量が最小（図９参照）にな
るため、第２の角度で研削しても残った残査をほぼ完全
に取り除くことができ、研削面全面のクリーニングを施
すことが可能となる。
【図１】 薄膜磁気ヘッド素子の形成工程からウエハー
切断工程までの一連の工程を示す図である。
切断工程までの一連の工程を示す図である。
【図２】 フォトリソグラフィー工程を示す図である。
【図３】 プラズマエッチング工程を示す図である。
【図４】 プラズマエッチング工程によりレールパター
ンが形成された素子列を示す図である。
ンが形成された素子列を示す図である。
【図５】 素子列を各スライダ毎に溝入れ加工を行う工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図６】 溝入れ加工後の素子列に第２のフォトリソグ
ラフィー工程により保護膜を形成した状態を示す図であ
る。
ラフィー工程により保護膜を形成した状態を示す図であ
る。
【図７】 アルゴンイオンＡｒ+の照射角度と面取り加
工量との関係を示す図である。
工量との関係を示す図である。
【図８】 アルゴンイオンＡｒ+の照射角度と再付着物
質の減少速度の関係を示す図である。
質の減少速度の関係を示す図である。
【図９】 アルゴンイオンＡｒ+の照射角度と再付着物
質の付着厚さの関係を示す図である。
質の付着厚さの関係を示す図である。
【図１０】 スライダの周辺部の糸面部および角部を面
取り加工した後に各スライダ毎に切断した状態を示す図
である。
取り加工した後に各スライダ毎に切断した状態を示す図
である。
【図１１】 従来の薄膜磁気ヘッド素子の形成工程から
ウエハー切断工程までの一連の工程を示す図である
ウエハー切断工程までの一連の工程を示す図である
【図１２】 従来のフォトリソグフィー工程を示す図で
ある。
ある。
【図１３】 従来のプラズマエッチング工程を示す図で
ある。
ある。
【図１４】 従来のプラズマエッチング後のローを切断
してスライダとする工程を示す図である。
してスライダとする工程を示す図である。
【図１５】 従来のプラズマエッチング前とプラズマエ
ッチング中のローの状態を示す図である。
ッチング中のローの状態を示す図である。
【図１６】 従来のＡＢＳの周辺角部および糸面部を機
械的に研磨する状態を示す図である。
械的に研磨する状態を示す図である。
１０ａ…磁気ヘッドウェハー、１０…セラミック基板、
１１ａ…薄膜磁気ヘッド素子、１１ｂ…パッド（端子
部）、１２…薄膜磁気ヘッド素子層（膜面）、１５…素
子列（ロー）、１６…溝、１６ａ…スライダの周辺部、
１６ｂ…丸み部、１７…レールパターン、１８…マスク
（保護膜）、１９…薄膜磁気ヘッドスライダ、２０…基
板、３０…感光性樹脂膜、３０ａ…マスクパターン、４
０…プラズマエッチング装置、４１…回転軸、４２…回
転板、４３…プラズマイオンガン
１１ａ…薄膜磁気ヘッド素子、１１ｂ…パッド（端子
部）、１２…薄膜磁気ヘッド素子層（膜面）、１５…素
子列（ロー）、１６…溝、１６ａ…スライダの周辺部、
１６ｂ…丸み部、１７…レールパターン、１８…マスク
（保護膜）、１９…薄膜磁気ヘッドスライダ、２０…基
板、３０…感光性樹脂膜、３０ａ…マスクパターン、４
０…プラズマエッチング装置、４１…回転軸、４２…回
転板、４３…プラズマイオンガン
Claims (6)
- 【請求項１】 磁気記録媒体と対向する面側に所定形状
のレールパターンを形成して浮上面としたスライダの空
気流出端部側に薄膜磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘ
ッドスライダの製造方法であって、 前記薄膜磁気ヘッド素子をその表面の縦方向および横方
向に多数形成したウェハーを１列毎の素子列に切断して
形成した素子列の切断面に感光性樹脂膜を貼着するとと
もにこの感光性樹脂膜の上にフォトマスクを配置した
後、露光、現像して前記素子列の切断面に所定形状のマ
スクパターンを形成するフォトリソグラフィー工程と、 前記マスクパターンの形成面に対して所定の角度でイオ
ンビームを照射して前記マスクパターンの形成面を所定
の堀込量だけ研削して各スライダのレールパターンを形
成する第１プラズマエッチング工程と、 前記第１プラズマエッチング工程によりレールパターン
が形成された面に前記素子列を各スライダ毎に区画する
ための溝を形成する溝入れ工程と、 前記溝入れ工程により溝が形成された各スライダの周辺
部の糸面部および角部をプラズマエッチングにより面取
り加工を行う第２プラズマエッチング工程と、 前記第２プラズマエッチング工程に面取り加工された素
子列の前記溝に沿って各スライダ毎に切断するスライダ
切断工程とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドス
ライダの製造方法。 - 【請求項２】 前記面取り工程に先立って、 前記溝入れ工程により溝が形成された素子列の表面に感
光性樹脂膜を貼着するとともにこの感光性樹脂膜の上に
フォトマスクを配置した後、露光、現像して前記素子列
の前記各スライダの周辺部以外の表面にマスクパターン
を形成する第２フォトリソグラフィー工程を備えたこと
を特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドスライダ
の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１プラズマエッチング工程におけ
る前記所定の角度は前記マスクパターンの形成面に対し
て３０〜６０度の角度であることを特徴とする請求項１
または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッドスライダの製造
方法。 - 【請求項４】 前記第２プラズマエッチング工程におい
て、 前記スライダのレールパターンの形成面に対して第１の
角度でイオンビームを照射して前記スライダの周辺部の
糸面部および角部を所定の角度だけ研削する研削工程
と、 前記スライダのレールパターンの形成面に対して第２の
角度でイオンビームを照射して前記研削工程により研削
された残査の付着物質を除去する除去工程と、 前記スライダのレールパターンの形成面に対して第３の
角度でイオンビームを照射して前記スライダの全面をク
リーニングするクリーニング工程とを備えたことを特徴
とする請求項１から請求項３のいずかに記載の薄膜磁気
ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項５】 前記第１の角度は前記レールパターンの
形成面に対して５〜２０度の角度であり、 前記第２の角度は前記レールパターンの形成面に対して
７５〜８５度の角度であり、 前記第３の角度は前記レールパターンの形成面に対して
３０〜６０度の角度であることを特徴とする請求項４に
記載の薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項６】 前記ウェハーを１列毎の素子列に切断し
た後、各素子列の切断面を所定量だけ研削研磨する研削
研磨工程を備えたことを特徴とする請求項１から請求項
５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドスライダの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10290990A JP3052945B2 (ja) | 1997-10-15 | 1998-10-13 | 薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28231797 | 1997-10-15 | ||
| JP9-282317 | 1997-10-15 | ||
| JP10290990A JP3052945B2 (ja) | 1997-10-15 | 1998-10-13 | 薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191209A true JPH11191209A (ja) | 1999-07-13 |
| JP3052945B2 JP3052945B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=26554554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10290990A Expired - Fee Related JP3052945B2 (ja) | 1997-10-15 | 1998-10-13 | 薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3052945B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6452750B1 (en) * | 1999-04-30 | 2002-09-17 | Tdk Corporation | Slider including a rail having a concave end and method of manufacturing same |
| JP2007257752A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Shinka Jitsugyo Kk | スライダの製造方法 |
-
1998
- 1998-10-13 JP JP10290990A patent/JP3052945B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6452750B1 (en) * | 1999-04-30 | 2002-09-17 | Tdk Corporation | Slider including a rail having a concave end and method of manufacturing same |
| JP2007257752A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Shinka Jitsugyo Kk | スライダの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3052945B2 (ja) | 2000-06-19 |
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