JPH11186817A - 非放射性誘電体線路およびその集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 誘電体ストリップの位置ずれ等による特性変
化を防止し、且つ切削加工などによって誘電体ストリッ
プを製造する場合でもその加工を容易にする。また、伝
搬すべきモードの電磁界分布を乱すことなく、伝送路と
しての特性を維持する。 【解決手段】 ２枚の導電体板にそれぞれ互いに対向す
る溝を形成するとともに、両溝内に誘電体ストリップを
配してＮＲＤガイドを構成し、誘電体ストリップ３の所
定箇所に電磁波伝搬方向に対し幅方向に膨出する凸部Ｐ
を形成し、導電体板１，２の溝の内面に凹部Ｈを形成
し、両者を係合させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ミリ波帯やマイ
クロ波帯で用いられる伝送路や回路に適する非放射性誘
電体線路およびその集積回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来よりミリ波帯やマイクロ波帯におけ
る伝送線路として、図２６に示すように、２枚の略平行
な導電体板１，２の間に誘電体ストリップ３を配してな
る誘電体線路が用いられている。特に導電体板の間隔を
電磁波の伝搬波長の半波長以下にして、誘電体ストリッ
プ部分のみを伝搬域とした非放射性誘電体線路（以下、
ＮＲＤガイドという。）が開発されている。

【０００３】このようなＮＲＤガイドを構成する場合、
誘電体ストリップとして主にＰＴＦＥが用いられ、導電
体板として主に硬質アルミニウムが用いられるが、両者
の線膨張係数が大きく異なるため、温度サイクルによっ
て誘電体ストリップが導電体板に対し相対的に位置ずれ
を起こすという問題が生じる。そこでこのような耐環境
性の面で、導電体板に対する誘電体ストリップの固定構
造が重要となる。

【０００４】また、ＮＲＤガイドを用いた幾つかのコン
ポーネントを組み合わせて１つのミリ波回路モジュール
を構成するような場合、コンポーネント間でＮＲＤガイ
ド同士を接続する場合、互いに接続する誘電体ストリッ
プのそれぞれの位置決めが必要となる。

【０００５】そこで、従来は図２７に示すように、誘電
体ストリップの所定箇所に突起部を形成し、それに対応
して導電体板に窪みを形成しておき、両者を係合させる
ようにした誘電体ストリップの固定構造が特開平０８−
８６１７号に示されている。

【０００６】一方、導電体板の対向する面にそれぞれ溝
を形成すると共に、溝の間に誘電体ストリップを配して
ＬＳＭ０１モードの単一モードのみ伝送できるようにし
たＮＲＤガイドが特開平０９−１０２７０６号に示され
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図２７に示し
た構造のＮＲＤガイドにおいては、導電体板の間に誘電
体ストリップ部分が射出成形などの方法により直接設け
られる場合には有利であるが、切削加工などによって誘
電体ストリップを製造する場合には、その加工が困難と
なる。また、誘電体ストリップ３の突起部は大きい程、
導電体板と確実に係合することになるが、余りに大きく
すると電磁界分布が乱れて反射が生じ、伝送路としての
特性面で問題となる場合がある。

【０００８】また、上記の導電体板に溝を形成したＮＲ
Ｄガイドの場合、誘電体ストリップは導電体板の溝との
係合によって、電磁波伝搬方向に垂直な方向へ位置決め
がなされる。しかし電磁波伝搬方向へは固定できず、環
境温度の変化などによって、誘電体ストリップは電磁波
伝搬方向へ位置ずれを起こすおそれがあった。

【０００９】そこで、本願発明の目的は、上述した問題
を解消した非放射性誘電体線路およびそれを用いた集積
回路を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明の非放射性誘電
体線路は、２枚の略平行な導電体板にそれぞれ互いに対
向する溝を形成するとともに、両溝内に誘電体ストリッ
プを配した構造にし、誘電体ストリップの所定箇所に電
磁波伝搬方向に対して幅方向に膨出する凸部または陥凹
する凹部を形成するとともに、導電体板に、前記誘電体
ストリップの凸部または凹部に係合する凹部または凸部
を前記溝の内面に形成する。

【００１１】この構造により、電磁波伝搬方向に対して
誘電体ストリップは導電体板の溝の内面で誘電体ストリ
ップの凸部または凹部と係合して固定される。電磁波伝
搬方向に垂直な方向には導電体板の溝との係合によって
固定される。

【００１２】請求項２に係る非放射性誘電体線路は、誘
電体ストリップまたは導電体板の溝の凹部または凸部の
角部を曲面形状にする。例えば、誘電体ストリップまた
は導電体板の溝の凹部または凸部の角部を、円筒面の一
部に相当する曲面形状にすれば、エンドミルを用いてＰ
ＴＦＥの板材から誘電体ストリップを切り出す場合に、
エンドミルの半径に応じて角部が円筒面となった凹部ま
たは凸部を有する誘電体ストリップが容易に加工できる
ようになる。同様に、エンドミルを用いて導電体板に溝
を形成する場合に、エンドミルの半径に応じて角部が円
筒面となった凹部または凸部をその溝の内面に容易に形
成できるようになる。

【００１３】請求項３に係る非放射性誘電体線路では、
前記誘電体ストリップは電磁波伝搬方向に平行な面で２
つに分割され、当該分割された２つの誘電体ストリップ
の端面の間隔を前記誘電体ストリップを伝搬する電磁波
の管内波長の略１／４の奇数倍にするとともに、前記分
割された２つの誘電体ストリップを前記凸部または凹部
により前記導電体板にそれぞれ係合させる。

【００１４】この構成により、非放射性誘電体線路同士
の接続部において誘電体ストリップの各接続面での反射
波が逆位相で合成されて互いに打ち消され、その反射に
よる影響が抑えられる。また、分割された２つの誘電体
ストリップが導電体板に対して相対的に変位しても、各
間隙部に生じる大きさが均等になるため、環境温度の変
化に関わらず上記反射による影響が抑えられる。

【００１５】請求項４に係る非放射性誘電体線路集積回
路は、前記の非放射性誘電体線路を複数組設けるととも
に、各非放射性誘電体線路間を互いに接続する。この構
造により、複数の非放射性誘電体線路同士の接続部の位
置関係が安定に保たれるため、組立精度に起因する特性
のばらつきや、組立後の環境温度変化等による特性変化
の少ない集積回路が得られる。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１はこの発明の実施形態に係る
ＮＲＤガイドの断面構造を示す図である。同図において
１，２が導電体板であり、それぞれの対向する面に溝を
形成するとともに、両溝内に誘電体ストリップ３を配し
ている。６０ＧＨｚ帯に設計した場合、このＮＲＤガイ
ドの各部の寸法は次のとおりである。ａ＝２．２ｍｍ、
ｂ＝１．８ｍｍ、ｇ＝０．５ｍｍ 図２は同ＮＲＤガイドの断面図および上部の導電体板を
取り除いた状態での平面図である。図２の（Ａ）は
（Ｂ）におけるＡ−Ａ部分の断面図である。誘電体スト
リップ３の所定位置には幅方向の両側に膨出する曲率半
径Ｒの凸部Ｐを設けている。これに合わせて導電体板１
の溝の内面に凹部Ｈを形成している。この溝の形状は上
部の導電体板２についても同様である。

【００１７】図１および図２に示したＮＲＤガイドの誘
電体ストリップ３の比誘電率を２．０４として、誘電体
ストリップの凸部の曲率半径Ｒを０．５ｍｍ、０．６ｍ
ｍ、０．７ｍｍ、０．８ｍｍにそれぞれ変えた時の伝送
特性（反射特性）を３次元有限要素法解析を行った結果
を図３〜図６に示す。このように、誘電体ストリップの
凸部が小さい場合には、その影響を殆ど受けることな
く、設計上の６０ＧＨｚ帯において良好な反射特性が得
られることがわかる。また、曲率半径Ｒによって、反射
の少ない低損失な伝送が可能な周波数帯が変えられるこ
とがわかる。すなわち、誘電体ストリップに設ける凸部
の曲率半径Ｒが大きくなるほど反射が最も小さくなる周
波数帯が低下する傾向を示す。ただし、この例のように
凸部の曲率半径Ｒを０．８ｍｍにまで大きくしても６０
ＧＨｚ帯でなお使用可能である。

【００１８】次に第２の実施形態に係るＮＲＤガイドの
構成を図７および図８を参照して説明する。第１の実施
形態では、２つの導電体板の間に誘電体ストリップを配
して、ミリ波の伝送線路として用いる例を示したが、こ
の第２の実施形態は２つの導電体板の間に誘電体ストリ
ップとともに基板を配置してミリ波回路を構成できるよ
うにしたものである。図７はその断面図である。同図に
おいて４は誘電体基板、３１，３２はそれぞれ誘電体ス
トリップであり、２枚の導電体板１，２の間に誘電体ス
トリップ３１，３２を介して誘電体基板４を挟み込むよ
うに配置している。この例では、中間位置に誘電体基板
４を配置するために、上下の誘電体ストリップ３１，３
２を同一形状としている。

【００１９】図７において、ａ２＝２．２ｍｍ、ｂ２＝
１．８ｍｍ、ｇ２＝０．５ｍｍ、ｔ＝０．１ｍｍとし、
誘電体ストリップ３１，３２の比誘電率を２．０４、誘
電体基板４の比誘電率を３．５とし、誘電体ストリップ
３１，３２に設けた凸部を図２に示したものと同様の形
状とし、その曲率半径Ｒを０．５５ｍｍとした時の３次
元有限要素法の解析結果を図８に示す。この結果から、
基板を設けたＮＲＤガイドについても、所定の周波数帯
域で反射特性を劣化させることなく誘電体ストリップを
固定できることがわかる。

【００２０】次に、第３の実施形態に係るＮＲＤガイド
の構成を図９および図１０を参照して説明する。

【００２１】第１・第２の実施形態では、誘電体ストリ
ップから半円形状に膨出する凸部を設けたが、この第３
の実施形態では誘電体ストリップの凸部および導電体板
の溝内面の凹部の角部を滑らかな曲面形状としている。
図９において誘電体ストリップ３の凸部Ｐは曲率半径Ｒ
１の円弧と曲率半径Ｒ２の２つの円弧とを結ぶ曲面（円
筒面）とする。ここで、曲率半径Ｒ２は、誘電体ストリ
ップ３をＰＴＦＥの板材からエンドミルで切り出す際
に、エンドミルの半径と略等しくするか、エンドミルの
半径より大きくすることによってフライス加工が可能と
なり、Ｒ２をエンドミルの半径と等しくすることによ
り、加工時間を短縮することができ、加工コストが抑え
られる。一方、導電体板の溝加工についても凹部Ｈの角
部分を円筒面の一部を構成するように形成することによ
って、エンドミルによるフライス加工が容易となる。そ
の場合、曲率半径Ｒ１をエンドミルの半径と等しくする
かそれより大きくしておけば良い。

【００２２】図９において、ａ＝２．２ｍｍ、ｂ＝１．
８ｍｍ、ｇ＝０．５ｍｍとし、誘電体ストリップ３の比
誘電率を２．０４、曲率半径Ｒ１を０．８ｍｍ、Ｒ２を
１．０ｍｍとした時の３次元有限要素法の解析結果を図
１０に示す。このように誘電体ストリップおよび導電体
板の溝に設ける凹凸部の角部を曲面とした場合にも所望
の反射特性を得ることができる。

【００２３】次に、第４および第５の実施形態に係るＮ
ＲＤガイドの構成を図１１〜図１４を参照して説明す
る。第１〜第３の実施形態では、誘電体ストリップの凸
部および導電体板の溝内面の凹部を曲面となるようにし
たが、図１１に示すように平面形状が矩形の凸部Ｐを設
け、これに合わせて導電体板の溝の内面に凹部Ｈを形成
しても良い。また、図１３に示すように平面形状が三角
形の凸部Ｐを設け、これに合わせて導電体板の溝内面の
凹部Ｈを形成しても良い。

【００２４】図１１および図１３において、ａ＝２．２
ｍｍ、ｂ＝１．８ｍｍ、ｇ＝０．５ｍｍとし、誘電体ス
トリップ３の比誘電率を２．０４にするとともに、図１
１に示した誘電体ストリップの凸部の寸法をｃ＝０．６
ｍｍ、ｄ＝０．８ｍｍとした場合の３次元有限要素法に
よる解析結果を図１２に示す。また、図１３における誘
電体ストリップの凸部の寸法をｅ＝２．０ｍｍ、ｆ＝
０．８ｍｍとした場合の３次元有限要素法の解析結果を
図１４に示す。このようにいずれの場合でも所定の周波
数帯において良好な反射特性が得られる。

【００２５】図１５は、第６の実施形態に係るＮＲＤガ
イドの構成を示す図である。この例では、誘電体ストリ
ップ３に設けた凸部Ｐと導電体板１，２の溝の内面に設
けた凹部Ｈとの間に誘電体ストリップ３の幅方向に隙間
が生じるようにした例である。このような構造であって
も、誘電体ストリップ３は導電体板１，２に対して固定
される。

【００２６】図１６は、第７の実施形態に係るＮＲＤガ
イドの構成を示す図である。第１〜第６の実施形態では
誘電体ストリップ３のその幅方向に膨出する凸部を設け
たが、この第７の実施形態では、逆に誘電体ストリップ
３の幅方向に陥凹する凹部Ｈを形成するとともに、これ
に応じて導電体板１，２の溝の内面に凸部Ｐを形成して
いる。このような構造であっても、誘電体ストリップ３
の凹部Ｈの大きさ（曲率半径）を一定範囲内に定めるこ
とによって、反射特性を有効に保つことができる。

【００２７】図１６において、ａ＝２．２ｍｍ、ｂ＝
１．８ｍｍ、ｇ＝０．５ｍｍ、ｉ＝３．０ｍｍ、ｊ＝
１．４ｍｍとし、誘電体ストリップ３の比誘電率を２．
０４とした場合の３次元有限要素法による解析結果を図
１７に示す。このように所定の周波数帯において良好な
反射特性が得られる。

【００２８】図１８は、第８の実施形態に係るＮＲＤガ
イドの構成を示す図である。これは図１６に示した誘電
体ストリップの凹部の平面形状を三角形にしたものであ
る。図１８において、ａ＝２．２ｍｍ、ｂ＝１．８ｍ
ｍ、ｇ＝０．５ｍｍ、ｉ＝３．０ｍｍ、ｊ＝１．４ｍｍ
とし、誘電体ストリップ３の比誘電率を２．０４とした
場合の３次元有限要素法による解析結果を図１９に示
す。この場合も所定の周波数帯において良好な反射特性
が得られる。

【００２９】図２０および図２１は第９および第１０の
実施形態に係るＮＲＤガイドの構成を示す図であり、そ
れぞれ上部の導電体板を取り除いた状態での平面図を示
している。第１〜第８に示した実施形態では、誘電体ス
トリップに設けた凸部または凹部に合わせて導電体板の
溝の内面に凹部または凸部を形成したが、両者は同一形
状または相似形である必要はなく、図２０および図２１
に示すように異なっていても良い。図２０の例では、誘
電体ストリップ３に平面形状が矩形である凸部Ｐを形成
し、導電体板１の溝の内面に平面形状が略半円形状であ
る凹部Ｈを形成して、誘電体ストリップ３側の凸部の一
部が導電体板側の凹部と係合するようにしている。ま
た、図２１に示す例では、誘電体ストリップ３側に平面
形状が半円である凸部Ｐを設けるとともに、導電体板の
溝の内面に断面形状が矩形である凹部Ｈを設けている。
この場合、誘電体ストリップ３側の凸部Ｐの根元部分
で、導電体板の溝に設けた凹部Ｈと係合することにな
る。

【００３０】次に、第１１の実施形態に係るＮＲＤガイ
ドの構成を図２２〜図２４を参照して説明する。この例
は、誘電体ストリップ同士の接続面における反射による
影響を抑えるものである。図２３は誘電体ストリップ部
分の斜視図および側面図であり、同図に示すように、誘
電体ストリップを電磁波伝搬方向に平行な面で２つに分
割し、各誘電体ストリップ３１ａ，３２ａと３１ｂ，３
２ｂの端面の間隔を管内波長の１／４またはその奇数倍
にすることによって、反射波を互いに打ち消すようにし
ている。

【００３１】図２２は導電体板に対する誘電体ストリッ
プの固定部分の構造を示す斜視図である。上下の誘電体
ストリップ３１ｂ，３２ｂの所定箇所に幅方向に膨出す
る凸部Ｐを設け、これに対応して上下の導電体板の溝内
面に凹部をそれぞれ形成する。この構造によって、上下
２つの誘電体ストリップは導電体板に対して所定位置に
固定されることになる。

【００３２】図２４は、図２２に示したような誘電体ス
トリップの組を複数組接続した場合の位置ずれの様子を
示す図である。同図の（Ａ）は誘電体ストリップ３１
ａ，３２ａと３１ｂ，３２ｂの端面の間隔が０となる基
準温度での状態である。もし各誘電体ストリップを固定
しなければ、（Ｂ）に示すように誘電体ストリップ同士
のそれぞれの接続面の間隙が不定となって、反射強度に
差が生じるので、上記の反射波の位相合成による打ち消
しは有効に作用するとは限らない。そこで、（Ｃ）に示
すように、上下の誘電体ストリップの略中央部で各誘電
体ストリップを導電体板に固定すれば、温度変化があっ
ても、誘電体ストリップ同士のそれぞれの接続面の間隙
ΔＬが一定となって、反射波の位相合成による打ち消し
は有効に作用する。なお、図中の固定基準における誘電
体ストリップの導電体板への固定構造はたとえば図２２
に示したとおりである。

【００３３】次に、第１２の実施形態としてミリ波レー
ダ用集積回路の構成を図２３を参照して説明する。図２
５は、上面側の導電体板を取り除いた状態での平面図で
ある。このミリ波レーダ用集積回路は、オシレータ部、
アイソレータ部、カプラ部、サーキュレータ部、ミキサ
部、アンテナの１次放射器部および誘電体レンズ等の各
種コンポーネントから構成している。オシレータ部にお
いて５１はガンダイオードブロックであり、基板上に設
けた線路にガンダイオードの一方の電極を接続してい
る。オシレータ部における誘電体ストリップ５３は副線
路、誘電体ストリップ５４は主線路をそれぞれ構成す
る。５２は両線路に結合する誘電体共振器である。同図
においては省略しているが、副線路としての誘電体スト
リップ５３にはバラクタダイオードを結合させて上記ガ
ンダイオードの発振周波数を制御可能としている。アイ
ソレータ部には、誘電体ストリップ５５，５６，５７、
および終端器５９を設けている。３つの誘電体ストリッ
プ５５，５６，５７の中心部にはフェライト共振器７０
を設けていて、この部分でサーキュレータを構成し、こ
のサーキュレータと終端器５９とによりアイソレータを
構成している。カプラ部においては、誘電体ストリップ
６０と６１とによってカプラを構成している。サーキュ
レータ部では誘電体ストリップ６２，６３，６６および
フェライト共振器７１とによってサーキュレータを構成
している。１次放射器部には誘電体ストリップ６４と、
１次放射器としての誘電体共振器６５を設けている。更
に、ミキサ部においては誘電体ストリップ６７，６８，
７２を設けていて、ＲＦ信号（受信信号）とＬｏ信号
（ローカル信号）との混合を行ってＩＦ信号（中間周波
信号）を生成する導電体パターンおよびミキサダイオー
ドを基板上に設けている。ガンダイオードブロック５１
による発振信号は５４→アイソレータ部→６０→サーキ
ュレータ部→１次放射器部の経路で伝送され、誘電体レ
ンズを介して放射される。受信信号は誘電体レンズ→１
次放射器部→サーキュレータ部→ミキサ部の経路で伝搬
され、Ｌｏ信号はカプラ部→ミキサ部の経路で伝搬され
る。

【００３４】図２５に示したように、各誘電体ストリッ
プおよび終端器には、所定箇所に導電体板の溝の内面と
係合する係合部（凸部）を設け、上下の導電体板の溝の
内面にはそれに応じた凹部を形成している。したがっ
て、これらの誘電体ストリップおよび終端器は電磁波伝
搬方向への位置決めおよび固定がなされ、また環境温度
変化に応じて誘電体ストリップおよび終端器が電磁波伝
搬方向に伸縮する際、コンポーネント間の接続部におけ
る誘電体ストリップ間の間隙の生じかたが一義的に定ま
ることになる。従って、組立精度によるばらつきおよび
組立後の温度変化による特性の変化を所定範囲内に容易
に収めることができるようになる。

【００３５】なお、各誘電体ストリップに設ける係合部
の位置は、誘電体ストリップの生産性と温度変化による
特性変化を考慮して設計すればよい。また、誘電体スト
リップの幅方向に凸部を形成するか凹部を形成するか
も、生産性と特性変化を考慮して決定すればよい。たと
えばベンド部において幅方向に膨出する凸部を形成する
と、その部分がＬＳＥ０１モードの伝搬域になるが、Ｌ
ＳＭ０１モードからＬＳＥ０１モードへのモード変換に
伴う損失を防止するためには、図２５の図中Ａに示すよ
うに、誘電体ストリップにその幅方向に陥凹する凹部を
形成すればよい。ベンド部以外の位置に係合部を設ける
場合には、導電体板の溝の加工が容易で且つ誘電体スト
リップの強度が保てるように、誘電体ストリップにはそ
の幅方向に膨出する凸部を形成すればよい。

【００３６】

【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、電磁波伝
搬方向に対して誘電体ストリップは導電体板の溝の内面
で誘電体ストリップの凸部または凹部と係合して固定さ
れるので、切削加工などによって誘電体ストリップおよ
び導電体板の溝を製造する場合にもその加工が容易とな
る。また、誘電体ストリップ３の凸部または凹部は、そ
の幅方向に設けるので、伝搬すべきモードの電磁界分布
を乱すことが殆どない。

【００３７】請求項２に係る発明によれば、例えば、エ
ンドミルを用いて誘電体板から誘電体ストリップを切り
出す場合に、エンドミルの半径に合わせて、角部が曲面
形状になった凹部または凸部を有する誘電体ストリップ
が容易に加工できるようになり、同様に、エンドミルを
用いて導電体板に溝を形成する場合に、エンドミルの半
径に合わせて、角部が曲面形状になった凹部または凸部
をその溝の内面に容易に形成できるようになる。

【００３８】請求項３に係る発明によれば、非放射性誘
電体線路同士の接続部において誘電体ストリップの各接
続面での反射波が逆位相で合成されて互いに打ち消さ
れ、その反射による影響が抑えられる。また、分割され
た２つの誘電体ストリップが温度変化により導電体板に
対して相対的に変位しても、各間隙部に生じる大きさが
均等になるため、環境温度の変化に関わらず上記反射に
よる影響が抑えられる。

【００３９】請求項４に係る発明によれば、複数の非放
射性誘電体線路同士の接続部の位置関係が安定に保たれ
るため、組立精度に起因する特性のばらつきや、組立後
の環境温度変化等による特性変化の少ない集積回路が得
られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態に係るＮＲＤガイドの断面構造を示す
図

【図２】第１の実施形態に係るＮＲＤガイドの構成を示
す図

【図３】図２に示すＮＲＤガイドの反射特性を示す図

【図４】図２に示すＮＲＤガイドの反射特性を示す図

【図５】図２に示すＮＲＤガイドの反射特性を示す図

【図６】図２に示すＮＲＤガイドの反射特性を示す図

【図７】第２の実施形態に係るＮＲＤガイドの構成を示
す断面図

【図８】同ＮＲＤガイドの反射特性を示す図

【図９】第３の実施形態に係るＮＲＤガイドの構成を示
す図

【図１０】同ＮＲＤガイドの反射特性を示す図

【図１１】第４の実施形態に係るＮＲＤガイドの構成を
示す図

【図１２】同ＮＲＤガイドの反射特性を示す図

【図１３】第５の実施形態に係るＮＲＤガイドの構成を
示す図

【図１４】同ＮＲＤガイドの反射特性を示す図

【図１５】第６の実施形態に係るＮＲＤガイドの構成を
示す図

【図１６】第７の実施形態に係るＮＲＤガイドの構成を
示す図

【図１７】同ＮＲＤガイドの反射特性を示す図

【図１８】第８の実施形態に係るＮＲＤガイドの構成を
示す図

【図１９】同ＮＲＤガイドの反射特性を示す図

【図２０】第９の実施形態に係るＮＲＤガイドの構成を
示す図

【図２１】第１０の実施形態に係るＮＲＤガイドの構成
を示す図

【図２２】第１１の実施形態に係るＮＲＤガイドの誘電
体ストリップ部分の構成を示す斜視図

【図２３】同ＮＲＤガイドの誘電体ストリップ部分の構
成を示す図

【図２４】同ＮＲＤガイドの誘電体ストリップの接続面
に生じる間隙の様子を示す図

【図２５】ミリ波レーダ用集積回路の構成を示す図

【図２６】従来のＮＲＤガイドの構成を示す断面図

【図２７】従来のＮＲＤガイドの構成を示す断面図

【符号の説明】

１，２−導電体板 ３，３１，３２−誘電体ストリップ ４−基板 ５１−ガンダイオードブロック ５２−誘電体共振器 ５３〜５８−誘電体ストリップ ５９，６９−終端器 ６０〜６４−誘電体ストリップ ６５−誘電体共振器（１次放射器） ６６〜６８−誘電体ストリップ ７０，７１−フェライト共振器 ７２−誘電体ストリップ Ｐ−凸部 Ｈ−凹部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高桑 郁夫 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２枚の略平行な導電体板にそれぞれ互い
   に対向する溝を形成するとともに、両溝内に誘電体スト
   リップを配して成る非放射性誘電体線路において、 誘電体ストリップの所定箇所に電磁波伝搬方向に対して
   幅方向に膨出する凸部または陥凹する凹部を形成すると
   ともに、導電体板に、前記誘電体ストリップの凸部また
   は凹部に係合する凹部または凸部を前記溝の内面に形成
   したことを特徴とする非放射性誘電体線路。
2. 【請求項２】 前記誘電体ストリップまたは導電体板の
   溝の凹部または凸部の角部を曲面形状にしたことを特徴
   とする請求項１に記載の非放射性誘電体線路。
3. 【請求項３】 前記誘電体ストリップは電磁波伝搬方向
   に平行な面で２つに分割され、当該分割された２つの誘
   電体ストリップの端面の間隔を前記誘電体ストリップを
   伝搬する電磁波の管内波長の略１／４の奇数倍にすると
   ともに、前記分割された２つの誘電体ストリップを前記
   凸部または凹部により前記導電体板にそれぞれ係合させ
   たことを特徴とする請求項１または２に記載の非放射性
   誘電体線路。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のうちいずれか１つまたは
   複数の非放射性誘電体線路を複数組設けるとともに、各
   非放射性誘電体線路間を互いに接続したことを特徴とす
   る非放射性誘電体線路集積回路。