JPH11181418A - 蛍光膜の形成方法 - Google Patents
蛍光膜の形成方法Info
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- JPH11181418A JPH11181418A JP9357093A JP35709397A JPH11181418A JP H11181418 A JPH11181418 A JP H11181418A JP 9357093 A JP9357093 A JP 9357093A JP 35709397 A JP35709397 A JP 35709397A JP H11181418 A JPH11181418 A JP H11181418A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ベーキングによる発光輝度の低下を抑制し、
優れた発光特性を有し、ＰＤＰ、ＦＥＤ等のＦＰＤに適
した酸化物系蛍光体の蛍光膜を形成する方法を提供しよ
うとするものである。 【解決手段】 有機溶剤中に蛍光体及びバインダー樹脂
を添加した蛍光体ペースト組成物を基板上に塗布した
後、大気中の酸素濃度より低い酸素濃度、例えば１〜１
５体積％の雰囲気中でベーキングすることを特徴とする
蛍光膜の形成方法である。
優れた発光特性を有し、ＰＤＰ、ＦＥＤ等のＦＰＤに適
した酸化物系蛍光体の蛍光膜を形成する方法を提供しよ
うとするものである。 【解決手段】 有機溶剤中に蛍光体及びバインダー樹脂
を添加した蛍光体ペースト組成物を基板上に塗布した
後、大気中の酸素濃度より低い酸素濃度、例えば１〜１
５体積％の雰囲気中でベーキングすることを特徴とする
蛍光膜の形成方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主としてプラズマ
ディスプレイ（ＰＤＰ）やフィールドエッミッションデ
ィスプレイ（ＦＥＤ）等のフラットパネルディスプレイ
（ＦＰＤ）用の蛍光膜を形成する方法に関する。
ディスプレイ（ＰＤＰ）やフィールドエッミッションデ
ィスプレイ（ＦＥＤ）等のフラットパネルディスプレイ
（ＦＰＤ）用の蛍光膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰ、ＦＥＤ等のＦＰＤ用蛍光膜の作
成は、蛍光体粉末、樹脂及び溶剤等からなる蛍光体ペー
ストをガラス等の透明な基板上の所定の位置に塗布して
蛍光体塗布膜を形成した後、空気中、５００℃前後の温
度でベーキングして蛍光体塗布膜中の有機物成分を除去
することによって行われている。
成は、蛍光体粉末、樹脂及び溶剤等からなる蛍光体ペー
ストをガラス等の透明な基板上の所定の位置に塗布して
蛍光体塗布膜を形成した後、空気中、５００℃前後の温
度でベーキングして蛍光体塗布膜中の有機物成分を除去
することによって行われている。
【０００３】上記の蛍光膜の形成方法では、ベーキング
工程で蛍光体が熱劣化するため、その蛍光膜を有するデ
ィスプレイでは、蛍光体の発光特性が充分に発揮され
ず、充分な発光輝度が得られないという問題があり、そ
の改善が望まれていた。
工程で蛍光体が熱劣化するため、その蛍光膜を有するデ
ィスプレイでは、蛍光体の発光特性が充分に発揮され
ず、充分な発光輝度が得られないという問題があり、そ
の改善が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解消し、ベーキングによる発光輝度の低下を抑制し、
優れた発光特性を有し、ＰＤＰ、ＦＥＤ等のＦＰＤに適
した酸化物系蛍光体の蛍光膜を形成する方法を提供しよ
うとするものである。
を解消し、ベーキングによる発光輝度の低下を抑制し、
優れた発光特性を有し、ＰＤＰ、ＦＥＤ等のＦＰＤに適
した酸化物系蛍光体の蛍光膜を形成する方法を提供しよ
うとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記の構成を
採用することにより、上記の課題の解決に成功した。 (1) 有機溶剤中に蛍光体及びバインダー樹脂を添加した
蛍光体ペースト組成物を基板上に塗布した後、大気中の
酸素濃度より低い酸素濃度雰囲気中でベーキングするこ
とを特徴とする蛍光膜の形成方法。 (2) 前記ベーキング雰囲気の酸素濃度を１〜１５容積％
の範囲に調整することを特徴とする前記(1) 記載の蛍光
膜の形成方法。 (3) 前記蛍光体が、アルミン酸塩蛍光体であることを特
徴とする前記(1) 又は(2) 記載の蛍光膜の形成方法。
採用することにより、上記の課題の解決に成功した。 (1) 有機溶剤中に蛍光体及びバインダー樹脂を添加した
蛍光体ペースト組成物を基板上に塗布した後、大気中の
酸素濃度より低い酸素濃度雰囲気中でベーキングするこ
とを特徴とする蛍光膜の形成方法。 (2) 前記ベーキング雰囲気の酸素濃度を１〜１５容積％
の範囲に調整することを特徴とする前記(1) 記載の蛍光
膜の形成方法。 (3) 前記蛍光体が、アルミン酸塩蛍光体であることを特
徴とする前記(1) 又は(2) 記載の蛍光膜の形成方法。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は、有機溶剤中に蛍光体及
びバインダー樹脂を配合した蛍光体ペースト組成物を基
板上に塗布した後、大気中の酸素濃度より低い酸素濃度
雰囲気中でベーキングすることにより、ベーキングによ
る発光輝度の低下を抑制し、優れた発光特性を有し、Ｐ
ＤＰ、ＦＥＤ等のＦＰＤに適した酸化物系蛍光体の蛍光
膜を形成することに成功した。
びバインダー樹脂を配合した蛍光体ペースト組成物を基
板上に塗布した後、大気中の酸素濃度より低い酸素濃度
雰囲気中でベーキングすることにより、ベーキングによ
る発光輝度の低下を抑制し、優れた発光特性を有し、Ｐ
ＤＰ、ＦＥＤ等のＦＰＤに適した酸化物系蛍光体の蛍光
膜を形成することに成功した。
【０００７】本発明を、ＰＤＰ用の蛍光膜の形成方法を
例にして説明すると、まず、ガラス等の透明な基板上の
所定の位置に電極を設け、さらにその全面を誘電体で覆
い、その中間部に、例えばフリットガラス入りのペース
トをスクリーン印刷等により塗り重ねて一定の高さ及び
間隔をもったストライプ状セル障壁（リブ）を形成し、
その各リブの内面に蛍光体ペーストを塗布する。このと
きに用いる蛍光体ペーストは（Ｇｄ，Ｙ）ＢＯ3 ：Ｅｕ
（赤色）、ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ（青色）、Ｚｎ2
ＳｉＯ4 ：Ｍｎ（緑色）等の、真空紫外線で励起すると
高効率に発光するＰＤＰ用蛍光体と、ＰＶＡ、エチルセ
ルロース、アクリル樹脂等からなるビヒクルをアルコー
ル、ブチルカルビトール、テルピネオール等の溶剤に溶
解し、樹脂溶液に混合、分散させて調製する。
例にして説明すると、まず、ガラス等の透明な基板上の
所定の位置に電極を設け、さらにその全面を誘電体で覆
い、その中間部に、例えばフリットガラス入りのペース
トをスクリーン印刷等により塗り重ねて一定の高さ及び
間隔をもったストライプ状セル障壁（リブ）を形成し、
その各リブの内面に蛍光体ペーストを塗布する。このと
きに用いる蛍光体ペーストは（Ｇｄ，Ｙ）ＢＯ3 ：Ｅｕ
（赤色）、ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ（青色）、Ｚｎ2
ＳｉＯ4 ：Ｍｎ（緑色）等の、真空紫外線で励起すると
高効率に発光するＰＤＰ用蛍光体と、ＰＶＡ、エチルセ
ルロース、アクリル樹脂等からなるビヒクルをアルコー
ル、ブチルカルビトール、テルピネオール等の溶剤に溶
解し、樹脂溶液に混合、分散させて調製する。
【０００８】蛍光体ペーストの塗布は、例えばスクリー
ン印刷法等により、上記各リブ内に塗布して蛍光体塗布
膜を形成し、これを乾燥する。次に、得られた蛍光体塗
布膜を炉内の雰囲気調整が可能な電気炉等の焼成処理装
置に基板ごと挿入し、炉内部に不活性ガスを通気しなが
ら炉を昇温し、加熱してベーキングを行う。ここで用い
る不活性ガスは、経済性、取り扱い性等の点から主に窒
素ガスが好適に用いられるが、窒素ガスの外にアルゴン
ガスや炭酸ガス等を通気しても良い。
ン印刷法等により、上記各リブ内に塗布して蛍光体塗布
膜を形成し、これを乾燥する。次に、得られた蛍光体塗
布膜を炉内の雰囲気調整が可能な電気炉等の焼成処理装
置に基板ごと挿入し、炉内部に不活性ガスを通気しなが
ら炉を昇温し、加熱してベーキングを行う。ここで用い
る不活性ガスは、経済性、取り扱い性等の点から主に窒
素ガスが好適に用いられるが、窒素ガスの外にアルゴン
ガスや炭酸ガス等を通気しても良い。
【０００９】この時、不活性ガスを通気する理由は、蛍
光体塗布膜をベーキングする際の、焼成雰囲気中の酸素
分圧を大気中のそれよりも低くするためであり、したが
って、ベーキング中の炉内の酸素分圧を経時的に逐次測
定しながら、炉内の酸素分圧がおよそ１〜１５容積％と
なるように炉内への不活性ガスの通気量を調節する。
光体塗布膜をベーキングする際の、焼成雰囲気中の酸素
分圧を大気中のそれよりも低くするためであり、したが
って、ベーキング中の炉内の酸素分圧を経時的に逐次測
定しながら、炉内の酸素分圧がおよそ１〜１５容積％と
なるように炉内への不活性ガスの通気量を調節する。
【００１０】ベーキング中における炉内（熱処理雰囲
気）の酸素分圧が１容積％より低くなると、蛍光体ペー
スト中のバインダー樹脂の着色度が次第に顕著となっ
て、得られた蛍光膜の発光輝度が著しく低下する。ま
た、熱処理雰囲気中の酸素分圧が１５容積％より高くな
ると、蛍光体の熱劣化の防止効果が得られないため、や
はり得られる蛍光膜のベーキングにより発光輝度が低下
するために共に好ましくない。従って、ベーキング時の
熱処理雰囲気としては、雰囲気中の酸素分圧が１〜１５
％容積％となるようにコントロールすることが必要であ
る。
気）の酸素分圧が１容積％より低くなると、蛍光体ペー
スト中のバインダー樹脂の着色度が次第に顕著となっ
て、得られた蛍光膜の発光輝度が著しく低下する。ま
た、熱処理雰囲気中の酸素分圧が１５容積％より高くな
ると、蛍光体の熱劣化の防止効果が得られないため、や
はり得られる蛍光膜のベーキングにより発光輝度が低下
するために共に好ましくない。従って、ベーキング時の
熱処理雰囲気としては、雰囲気中の酸素分圧が１〜１５
％容積％となるようにコントロールすることが必要であ
る。
【００１１】ベーキングは、従来の蛍光膜形成方法と変
わりなく、４００〜５００℃の温度で０．５〜２時間ベ
ーキングすれば充分である。なお、ベーキング中、不活
性ガスを通気する代わりに、ポンプで空気を吸引しなが
ら焼成して、炉内の酸素分圧を調整してもよい。このよ
うにして、基板の上に蛍光膜を形成した後、その上に維
持電極及びＭｇＯ等の誘電体層からなる別の透明基板を
設け、さらに、周辺を封じて内部に不活性ガスを封入す
ることによってＰＤＰを完成する。
わりなく、４００〜５００℃の温度で０．５〜２時間ベ
ーキングすれば充分である。なお、ベーキング中、不活
性ガスを通気する代わりに、ポンプで空気を吸引しなが
ら焼成して、炉内の酸素分圧を調整してもよい。このよ
うにして、基板の上に蛍光膜を形成した後、その上に維
持電極及びＭｇＯ等の誘電体層からなる別の透明基板を
設け、さらに、周辺を封じて内部に不活性ガスを封入す
ることによってＰＤＰを完成する。
【００１２】蛍光体の中、青色発光のＢａＭｇＡｌ14Ｏ
23：Ｅｕ蛍光体等のアルミン酸塩蛍光体は特に熱による
劣化が激しく、ベーキング工程を経るとベーキング前に
比べてその発光輝度が大きく低下する。本発明の蛍光膜
の形成方法は、この種のアルミン酸塩蛍光体に対して特
に有効である。
23：Ｅｕ蛍光体等のアルミン酸塩蛍光体は特に熱による
劣化が激しく、ベーキング工程を経るとベーキング前に
比べてその発光輝度が大きく低下する。本発明の蛍光膜
の形成方法は、この種のアルミン酸塩蛍光体に対して特
に有効である。
【００１３】以上、ＰＤＰ用蛍光膜を形成する場合を例
にして本発明を説明したが、本発明の蛍光膜形成方法
は、ＦＥＤ用蛍光膜等、有機バインダーと蛍光体とを含
有する蛍光体ペーストを用いて基板上に蛍光膜を形成す
る場合であれば、ＰＤＰ用蛍光膜作成の場合と同様に適
用することができる。
にして本発明を説明したが、本発明の蛍光膜形成方法
は、ＦＥＤ用蛍光膜等、有機バインダーと蛍光体とを含
有する蛍光体ペーストを用いて基板上に蛍光膜を形成す
る場合であれば、ＰＤＰ用蛍光膜作成の場合と同様に適
用することができる。
【００１４】
【実施例】（実施例１及び比較例１）ＰＤＰ用青色発光
蛍光体〔組成（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ10Ｏ17〕（化成オ
プトニクス社製、ＫＸ５０１Ａ）３０部を、ブチルカル
ビトール及びブチルカルビトールアセテートに溶解した
エチルセルロース樹脂液７０部に分散させて、蛍光体ペ
ーストを調製し、該蛍光体ペーストをガラス基板上に、
乾燥膜厚が３０μｍとなるよう塗布して乾燥し、蛍光体
塗布膜を得た。
蛍光体〔組成（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ10Ｏ17〕（化成オ
プトニクス社製、ＫＸ５０１Ａ）３０部を、ブチルカル
ビトール及びブチルカルビトールアセテートに溶解した
エチルセルロース樹脂液７０部に分散させて、蛍光体ペ
ーストを調製し、該蛍光体ペーストをガラス基板上に、
乾燥膜厚が３０μｍとなるよう塗布して乾燥し、蛍光体
塗布膜を得た。
【００１５】次に、この蛍光体塗布膜中の樹脂成分を除
去するため、炉内の雰囲気を制御可能な電気炉内に入
れ、炉の内部に窒素ガスを通気して酸素濃度を１０〜１
１％容積に調整し、炉内の加熱温度を１０℃／分の昇温
速度で４５０℃まで昇温し、１時間保持した後、２℃／
分の降温速度で冷却し、２５０℃まで窒素ガスを通気
し、それ以降は、通気を停止して加熱処理することによ
り、樹脂分を除去して実施例１の蛍光膜を得た。
去するため、炉内の雰囲気を制御可能な電気炉内に入
れ、炉の内部に窒素ガスを通気して酸素濃度を１０〜１
１％容積に調整し、炉内の加熱温度を１０℃／分の昇温
速度で４５０℃まで昇温し、１時間保持した後、２℃／
分の降温速度で冷却し、２５０℃まで窒素ガスを通気
し、それ以降は、通気を停止して加熱処理することによ
り、樹脂分を除去して実施例１の蛍光膜を得た。
【００１６】比較のために、実施例１において、加熱処
理工程における窒素ガスの通気を停止して、通常の空気
中で加熱熱処理した以外は、実施例１と同様にしてガラ
ス基板上に比較例１の蛍光膜を形成した。
理工程における窒素ガスの通気を停止して、通常の空気
中で加熱熱処理した以外は、実施例１と同様にしてガラ
ス基板上に比較例１の蛍光膜を形成した。
【００１７】このようにして得た実施例１の蛍光膜及び
比較例１の蛍光膜に対し、真空紫外線（ＶＵＶ）を照射
して発光輝度を測定して比較したところ、実施例１の蛍
光膜の発光輝度は、比較例１の蛍光膜よりも１０％高輝
度であった。
比較例１の蛍光膜に対し、真空紫外線（ＶＵＶ）を照射
して発光輝度を測定して比較したところ、実施例１の蛍
光膜の発光輝度は、比較例１の蛍光膜よりも１０％高輝
度であった。
【００１８】（実施例２及び比較例２）実施例１におい
て、加熱処理工程における窒素ガスの通気量を調節して
酸素濃度を５〜６％容積に制御した以外は、実施例１と
同様にして実施例２の蛍光膜を形成した。
て、加熱処理工程における窒素ガスの通気量を調節して
酸素濃度を５〜６％容積に制御した以外は、実施例１と
同様にして実施例２の蛍光膜を形成した。
【００１９】比較のために、実施例２において、加熱処
理工程における窒素ガスの通気を停止して、通常の空気
中で加熱熱処理した以外は、実施例２と同様にしてガラ
ス基板上に比較例２の蛍光膜を形成した。
理工程における窒素ガスの通気を停止して、通常の空気
中で加熱熱処理した以外は、実施例２と同様にしてガラ
ス基板上に比較例２の蛍光膜を形成した。
【００２０】このようにして得た実施例２の蛍光膜及び
比較例２の蛍光膜に対し、真空紫外線（ＶＵＶ）照射下
での発光輝度を測定して比較したところ、実施例２の蛍
光膜の発光輝度は比較例２の蛍光膜よりも１９％高輝度
であった。
比較例２の蛍光膜に対し、真空紫外線（ＶＵＶ）照射下
での発光輝度を測定して比較したところ、実施例２の蛍
光膜の発光輝度は比較例２の蛍光膜よりも１９％高輝度
であった。
【００２１】（実施例３）実施例１において、蛍光体ペ
ーストの調製で、バインダー樹脂としてアクリル樹脂を
用いた以外は、実施例１と同様にして実施例３の蛍光膜
を形成した。
ーストの調製で、バインダー樹脂としてアクリル樹脂を
用いた以外は、実施例１と同様にして実施例３の蛍光膜
を形成した。
【００２２】比較のために、実施例３において、加熱処
理工程における窒素ガスの通気を停止して、通常の空気
中で加熱熱処理した以外は、実施例３と同様にしてガラ
ス基板上に比較例３の蛍光膜を形成した。
理工程における窒素ガスの通気を停止して、通常の空気
中で加熱熱処理した以外は、実施例３と同様にしてガラ
ス基板上に比較例３の蛍光膜を形成した。
【００２３】このようにして得た実施例３の蛍光膜及び
比較例３の蛍光膜に対し、ＶＵＶ照射下での発光輝度を
測定して比較したところ、実施例３の蛍光膜の発光輝度
は比較例３の蛍光膜よりも１８％高輝度であった。
比較例３の蛍光膜に対し、ＶＵＶ照射下での発光輝度を
測定して比較したところ、実施例３の蛍光膜の発光輝度
は比較例３の蛍光膜よりも１８％高輝度であった。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、前記の構成を採用することに
より、ベーキング時の蛍光体の熱劣化を抑制し、発光輝
度の低下を著しく低減でき、特に、ベーキングによる熱
劣化の大きい蛍光体を含有する蛍光体ペースト組成物を
用いて蛍光膜を形成する場合には、高輝度の蛍光膜を提
供できるので、工業的利用価値は大である。
より、ベーキング時の蛍光体の熱劣化を抑制し、発光輝
度の低下を著しく低減でき、特に、ベーキングによる熱
劣化の大きい蛍光体を含有する蛍光体ペースト組成物を
用いて蛍光膜を形成する場合には、高輝度の蛍光膜を提
供できるので、工業的利用価値は大である。
Claims (3)
- 【請求項１】 有機溶剤中に蛍光体及びバインダー樹脂
を添加した蛍光体ペースト組成物を基板上に塗布した
後、大気中の酸素濃度より低い酸素濃度雰囲気中でベー
キングすることを特徴とする蛍光膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記ベーキング雰囲気の酸素濃度を１〜
１５容積％の範囲に調整することを特徴とする請求項１
記載の蛍光膜の形成方法。 - 【請求項３】 前記蛍光体がアルミン酸塩蛍光体である
ことを特徴とする請求項１又は２記載の蛍光膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9357093A JPH11181418A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 蛍光膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9357093A JPH11181418A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 蛍光膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11181418A true JPH11181418A (ja) | 1999-07-06 |
Family
ID=18452353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9357093A Pending JPH11181418A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 蛍光膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11181418A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003097768A1 (fr) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran plasma, phosphore et procede de production de phosphore |
| WO2004031323A1 (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 蛍光体及び蛍光体の処理方法 |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP9357093A patent/JPH11181418A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003097768A1 (fr) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran plasma, phosphore et procede de production de phosphore |
| US7183705B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display unit, phosphor and process for producing phosphor |
| CN100396754C (zh) * | 2002-05-17 | 2008-06-25 | 松下电器产业株式会社 | 等离子体显示装置以及荧光体和荧光体的制造方法 |
| WO2004031323A1 (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 蛍光体及び蛍光体の処理方法 |
| US7468145B2 (en) | 2002-10-07 | 2008-12-23 | Panasonic Corporation | Phosphor and treatment method for the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040218 |