JPH11180725A - 光ファイバ母材製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材製造方法Info
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- JPH11180725A JPH11180725A JP35535697A JP35535697A JPH11180725A JP H11180725 A JPH11180725 A JP H11180725A JP 35535697 A JP35535697 A JP 35535697A JP 35535697 A JP35535697 A JP 35535697A JP H11180725 A JPH11180725 A JP H11180725A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
- C03B37/01426—Plasma deposition burners or torches
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い生産性で容易に光ファイバ母材を製造す
ることができる光ファイバ母材製造方法を提供する。 【解決手段】 純粋石英ガラスまたはＦ元素が添加され
た石英ガラスからなる出発ロッドは、真空チャンバ内に
入れられ、加熱されて吸着水が除去され、排気された真
空チャンバ内において低温プラズマ状態で合成された無
水のＳｉＯ2 およびＧｅＯ2 の微粒子すなわちスス体が
外周面上に堆積され、外周面上のスス体が脱水・焼結さ
れ、その後ジャケット付けが行われて、光ファイバ母材
となる。
ることができる光ファイバ母材製造方法を提供する。 【解決手段】 純粋石英ガラスまたはＦ元素が添加され
た石英ガラスからなる出発ロッドは、真空チャンバ内に
入れられ、加熱されて吸着水が除去され、排気された真
空チャンバ内において低温プラズマ状態で合成された無
水のＳｉＯ2 およびＧｅＯ2 の微粒子すなわちスス体が
外周面上に堆積され、外周面上のスス体が脱水・焼結さ
れ、その後ジャケット付けが行われて、光ファイバ母材
となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ母材の
製造方法に関し、特に、ＳｉＯ2 およびＧｅＯ2を含む
高屈折率部分を形成する技術に関するものである。
製造方法に関し、特に、ＳｉＯ2 およびＧｅＯ2を含む
高屈折率部分を形成する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバは、光伝送システムにおいて
不可欠の構成要素であり、そのうち、リング型の屈折率
プロファイルを有する光ファイバは、波長１．５５μｍ
付近で波長分散を零にし得る分散シフト光ファイバとし
て知られている。このリング型屈折率プロファイルは、
光ファイバの光軸に垂直な方向について屈折率分布を見
たときに、中央部の低屈折率の第１コア領域の周囲に高
屈折率のリング形状の第２コア領域を有し、更にその第
２コア領域の周囲に低屈折率の領域を有するものであ
る。このような屈折率プロファイルは、石英を主成分と
して、第１コア領域にＦ元素を添加し、第２コア領域に
ＧｅＯ2 を添加することにより実現される。
不可欠の構成要素であり、そのうち、リング型の屈折率
プロファイルを有する光ファイバは、波長１．５５μｍ
付近で波長分散を零にし得る分散シフト光ファイバとし
て知られている。このリング型屈折率プロファイルは、
光ファイバの光軸に垂直な方向について屈折率分布を見
たときに、中央部の低屈折率の第１コア領域の周囲に高
屈折率のリング形状の第２コア領域を有し、更にその第
２コア領域の周囲に低屈折率の領域を有するものであ
る。このような屈折率プロファイルは、石英を主成分と
して、第１コア領域にＦ元素を添加し、第２コア領域に
ＧｅＯ2 を添加することにより実現される。
【０００３】従来、このようなリング型屈折率プロファ
イルを有する光ファイバを製造するには、主にＭＣＶＤ
（Modified Chemical Vapor Deposition）法により光フ
ァイバ母材を製造し、この光ファイバ母材を線引して光
ファイバを製造していた（例えば、P.Nouchi, et al.,
22nd European Conference on Optical Communication
- ECOC'96 (1996) MoB.3.2を参照）。その他の光ファイ
バ母材製造方法としてはＶＡＤ（Vapor Phase Axial De
position）法やＯＶＤ（Outside Vapor Deposition）法
が知られている。
イルを有する光ファイバを製造するには、主にＭＣＶＤ
（Modified Chemical Vapor Deposition）法により光フ
ァイバ母材を製造し、この光ファイバ母材を線引して光
ファイバを製造していた（例えば、P.Nouchi, et al.,
22nd European Conference on Optical Communication
- ECOC'96 (1996) MoB.3.2を参照）。その他の光ファイ
バ母材製造方法としてはＶＡＤ（Vapor Phase Axial De
position）法やＯＶＤ（Outside Vapor Deposition）法
が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＣＶ
Ｄ法では、合成速度が１ｇ／分以下であり生産性が非常
に低い。また、ＶＡＤ法やＯＶＤ法では、第２コア領域
となるべきリング形状部分の中の第１コア領域となるべ
き部分に、選択的にＦ元素を添加するのが困難であり、
また、Ｆ元素が添加された第１コア領域となるべき部分
の外側に第２コア領域となるべき部分としてＧｅＯ2-Ｓ
ｉＯ2 のスス体を形成すると、第１コア領域となるべき
部分にＯＨ基が多量に混入することから、第１コア領域
となるべき部分と第２コア領域となるべき部分とを一括
して合成することが非常に困難である。
Ｄ法では、合成速度が１ｇ／分以下であり生産性が非常
に低い。また、ＶＡＤ法やＯＶＤ法では、第２コア領域
となるべきリング形状部分の中の第１コア領域となるべ
き部分に、選択的にＦ元素を添加するのが困難であり、
また、Ｆ元素が添加された第１コア領域となるべき部分
の外側に第２コア領域となるべき部分としてＧｅＯ2-Ｓ
ｉＯ2 のスス体を形成すると、第１コア領域となるべき
部分にＯＨ基が多量に混入することから、第１コア領域
となるべき部分と第２コア領域となるべき部分とを一括
して合成することが非常に困難である。
【０００５】本発明は、上記問題点を解消する為になさ
れたものであり、高い生産性で容易に光ファイバ母材を
製造することができる光ファイバ母材製造方法を提供す
ることを目的とする。
れたものであり、高い生産性で容易に光ファイバ母材を
製造することができる光ファイバ母材製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光ファイバ
母材製造方法は、ＳｉＯ2 およびＧｅＯ2 を含むスス体
を真空中でプラズマ状態で出発ロッドの外周面上に形成
するスス体形成工程と、スス体を脱水し焼結する脱水焼
結工程と、を備えることを特徴とする。この光ファイバ
母材製造方法によれば、スス体形成工程において、Ｓｉ
Ｏ2 およびＧｅＯ2 を含むスス体が真空中でプラズマ状
態で出発ロッドの外周面上に形成され、脱水焼結工程に
おいて、そのスス体が脱水され焼結される。
母材製造方法は、ＳｉＯ2 およびＧｅＯ2 を含むスス体
を真空中でプラズマ状態で出発ロッドの外周面上に形成
するスス体形成工程と、スス体を脱水し焼結する脱水焼
結工程と、を備えることを特徴とする。この光ファイバ
母材製造方法によれば、スス体形成工程において、Ｓｉ
Ｏ2 およびＧｅＯ2 を含むスス体が真空中でプラズマ状
態で出発ロッドの外周面上に形成され、脱水焼結工程に
おいて、そのスス体が脱水され焼結される。
【０００７】また、本発明に係る光ファイバ母材製造方
法は、出発ロッドが純粋石英ガラスまたはＦ元素が０．
１ｗｔ％以上２ｗｔ％以下添加された石英ガラスである
ことを特徴とする。この場合には、低屈折率の出発ロッ
ド部分の周囲に高屈折率の領域が形成されるので、リン
グ型屈折率プロファイル等を有する光ファイバを製造す
るのに好適な光ファイバ母材が得られる。
法は、出発ロッドが純粋石英ガラスまたはＦ元素が０．
１ｗｔ％以上２ｗｔ％以下添加された石英ガラスである
ことを特徴とする。この場合には、低屈折率の出発ロッ
ド部分の周囲に高屈折率の領域が形成されるので、リン
グ型屈折率プロファイル等を有する光ファイバを製造す
るのに好適な光ファイバ母材が得られる。
【０００８】また、本発明に係る光ファイバ母材製造方
法は、スス体形成工程の前に少なくとも塩素を含むガス
中で出発ロッドを３００℃以上に加熱する加熱工程を更
に備えることを特徴とする。この場合には、出発ロッド
の外周面の吸着水が除去される。
法は、スス体形成工程の前に少なくとも塩素を含むガス
中で出発ロッドを３００℃以上に加熱する加熱工程を更
に備えることを特徴とする。この場合には、出発ロッド
の外周面の吸着水が除去される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態を詳細に説明する。尚、図面の説明におい
て同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省
略する。
の実施の形態を詳細に説明する。尚、図面の説明におい
て同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省
略する。
【００１０】先ず、本実施形態に係る光ファイバ母材製
造方法を実施するのに好適な光ファイバ母材製造装置に
ついて説明する。図１は、光ファイバ母材製造装置の構
成図である。
造方法を実施するのに好適な光ファイバ母材製造装置に
ついて説明する。図１は、光ファイバ母材製造装置の構
成図である。
【００１１】この光ファイバ母材製造装置は、例えば円
筒形状の真空チャンバ１０の側壁の中央付近にバーナ１
２が取り付けられており、そのバーナ１２の吹き出し口
は真空チャンバ１０内に向けられている。また、バーナ
１２の真空チャンバ１０内の部分に高周波コイル１４が
巻かれている。この高周波コイル１４に接続された高周
波電源１６は、この高周波コイル１４に例えば１３．５
６ＭＨｚの高周波電圧を印加する。また、バーナ１２の
中心軸に沿って設けられた導入管１８は、ＳｉＣｌ4 、
Ｏ2 やＦ2 等のガスを真空チャンバ１０内に導入する。
この導入管１８の他端には、これらの各ガスを供給する
供給部（図示せず）が接続されている。
筒形状の真空チャンバ１０の側壁の中央付近にバーナ１
２が取り付けられており、そのバーナ１２の吹き出し口
は真空チャンバ１０内に向けられている。また、バーナ
１２の真空チャンバ１０内の部分に高周波コイル１４が
巻かれている。この高周波コイル１４に接続された高周
波電源１６は、この高周波コイル１４に例えば１３．５
６ＭＨｚの高周波電圧を印加する。また、バーナ１２の
中心軸に沿って設けられた導入管１８は、ＳｉＣｌ4 、
Ｏ2 やＦ2 等のガスを真空チャンバ１０内に導入する。
この導入管１８の他端には、これらの各ガスを供給する
供給部（図示せず）が接続されている。
【００１２】真空チャンバ１０の側壁の他の部分には排
気フード２０ａ，２０ｂおよび２０ｃが設けられてお
り、これら排気フード２０ａ〜２０ｃそれぞれには排気
管２２が接続され、その排気管２２の他端には真空ポン
プ２４が接続されている。すなわち、この真空ポンプ２
４は、真空チャンバ１０内を排気するものである。ま
た、真空チャンバ１０内の真空度を測定する真空計２６
が設けられている。
気フード２０ａ，２０ｂおよび２０ｃが設けられてお
り、これら排気フード２０ａ〜２０ｃそれぞれには排気
管２２が接続され、その排気管２２の他端には真空ポン
プ２４が接続されている。すなわち、この真空ポンプ２
４は、真空チャンバ１０内を排気するものである。ま
た、真空チャンバ１０内の真空度を測定する真空計２６
が設けられている。
【００１３】真空チャンバ１０の上面および底面それぞ
れの中央に設けられた摺動部２８ａ，２８ｂは、出発ロ
ッド４０の両端に結合された円柱形状のダミーロッド４
２ａ，４２ｂを摺動するとともに、真空シールが施され
ている。回転チャック３０ａ，３０ｂは、ダミーロッド
４２ａ，４２ｂを掴み、ダミーロッド４２ａ，４２ｂと
共に出発ロッド４０を中心軸の周りに回転させる。ま
た、回転チャック３０ａ，３０ｂは、出発ロッド４０の
中心軸方向にトラバース運動させるトラバース機構（図
示せず）が設けられている。
れの中央に設けられた摺動部２８ａ，２８ｂは、出発ロ
ッド４０の両端に結合された円柱形状のダミーロッド４
２ａ，４２ｂを摺動するとともに、真空シールが施され
ている。回転チャック３０ａ，３０ｂは、ダミーロッド
４２ａ，４２ｂを掴み、ダミーロッド４２ａ，４２ｂと
共に出発ロッド４０を中心軸の周りに回転させる。ま
た、回転チャック３０ａ，３０ｂは、出発ロッド４０の
中心軸方向にトラバース運動させるトラバース機構（図
示せず）が設けられている。
【００１４】次に、この光ファイバ母材製造装置の作用
とともに、本実施形態に係る光ファイバ母材製造方法に
ついて説明する。図２は、本実施形態に係る光ファイバ
母材製造方法を説明するフローチャート図である。
とともに、本実施形態に係る光ファイバ母材製造方法に
ついて説明する。図２は、本実施形態に係る光ファイバ
母材製造方法を説明するフローチャート図である。
【００１５】最初に、出発ロッド４０を用意し、この出
発ロッド４０を真空チャンバ１０内に入れ、この出発ロ
ッド４０の両端をダミーロッド４２ａ，４２ｂに接続す
る。この出発ロッド４０は、例えば、その形状が棒形状
であり、純粋石英ガラスまたはＦ元素が０．１ｗｔ％以
上２ｗｔ％以下添加された石英ガラスである。また、こ
の出発ロッド４０は、表面にＨ2 またはＯＨの拡散層が
ないものであり、例えば、電気炉内の不活性ガス中で延
伸加工されたものである。
発ロッド４０を真空チャンバ１０内に入れ、この出発ロ
ッド４０の両端をダミーロッド４２ａ，４２ｂに接続す
る。この出発ロッド４０は、例えば、その形状が棒形状
であり、純粋石英ガラスまたはＦ元素が０．１ｗｔ％以
上２ｗｔ％以下添加された石英ガラスである。また、こ
の出発ロッド４０は、表面にＨ2 またはＯＨの拡散層が
ないものであり、例えば、電気炉内の不活性ガス中で延
伸加工されたものである。
【００１６】続いて、真空チャンバ１０内の温度をバー
ナ１２により３００℃以上（より好ましくは５００℃以
上）に上昇させ、Ｃｌ2 ガスを導入管１８を介して真空
チャンバ１０内に導入する。このようにすることによ
り、出発ロッド４０の外周面の吸着水が除去され、ＯＨ
基の混入が少なくなる。
ナ１２により３００℃以上（より好ましくは５００℃以
上）に上昇させ、Ｃｌ2 ガスを導入管１８を介して真空
チャンバ１０内に導入する。このようにすることによ
り、出発ロッド４０の外周面の吸着水が除去され、ＯＨ
基の混入が少なくなる。
【００１７】吸着水除去後、Ｃｌ2 ガス導入を停止し、
真空ポンプ２４を稼動させ、真空チャンバ１０内の真空
度を真空計２６により測定しながら、排気フード２０ａ
〜２０ｃおよび排気管２２を介して真空チャンバ１０内
を気圧１０-2Torr以下になるまで排気する。
真空ポンプ２４を稼動させ、真空チャンバ１０内の真空
度を真空計２６により測定しながら、排気フード２０ａ
〜２０ｃおよび排気管２２を介して真空チャンバ１０内
を気圧１０-2Torr以下になるまで排気する。
【００１８】真空チャンバ１０内が所定気圧以下に排気
されると、次にスス体形成工程を行う。すなわち、排気
を継続しながら、回転チャック３０ａ，３０ｂにより出
発ロッド４０の回転およびトラバース運動を行い、高周
波電源１６により高周波コイル１４に高周波電圧を印加
することによりバーナ１２の吹き出し口周辺に高周波電
磁界を発生させるとともに、ＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ4 お
よびＯ2 の混合ガスを導入管１８を介して真空チャンバ
１０内に導入してバーナ１２により加熱する。このよう
にすることにより、混合ガスが低温プラズマ状態となり
無水のＳｉＯ2およびＧｅＯ2 の微粒子すなわちスス体
が合成され、このスス体が出発ロッド４０の外周面上に
堆積される。なお、スス体の堆積速度は、３ｇ／ｍｉｎ
程度である。
されると、次にスス体形成工程を行う。すなわち、排気
を継続しながら、回転チャック３０ａ，３０ｂにより出
発ロッド４０の回転およびトラバース運動を行い、高周
波電源１６により高周波コイル１４に高周波電圧を印加
することによりバーナ１２の吹き出し口周辺に高周波電
磁界を発生させるとともに、ＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ4 お
よびＯ2 の混合ガスを導入管１８を介して真空チャンバ
１０内に導入してバーナ１２により加熱する。このよう
にすることにより、混合ガスが低温プラズマ状態となり
無水のＳｉＯ2およびＧｅＯ2 の微粒子すなわちスス体
が合成され、このスス体が出発ロッド４０の外周面上に
堆積される。なお、スス体の堆積速度は、３ｇ／ｍｉｎ
程度である。
【００１９】そして、スス体形成後に脱水焼結工程を行
う。すなわち、混合ガス導入を停止し、替わってＣｌ2
ガスを導入管１８を介して真空チャンバ１０内に導入
し、出発ロッド４０の外周面上のスス体を脱水・焼結す
る。このようにすることにより、高屈折率領域が形成さ
れる。その後、通常のＶＡＤ法やＯＶＤ法におけるのと
同様のジャケット付けを行う。以上のようにして、所望
の屈折率プロファイルを有する光ファイバ母材が製造さ
れる。
う。すなわち、混合ガス導入を停止し、替わってＣｌ2
ガスを導入管１８を介して真空チャンバ１０内に導入
し、出発ロッド４０の外周面上のスス体を脱水・焼結す
る。このようにすることにより、高屈折率領域が形成さ
れる。その後、通常のＶＡＤ法やＯＶＤ法におけるのと
同様のジャケット付けを行う。以上のようにして、所望
の屈折率プロファイルを有する光ファイバ母材が製造さ
れる。
【００２０】次に、１実施例について説明する。Ｆ元素
が１．２ｗｔ％添加された外径１０ｍｍで長さ４００ｍ
ｍの石英ガラスロッドを出発ロッド４０として、これを
真空チャンバ１０内のダミーロッド４２ａ，４２ｂに接
続して真空チャンバ１０内を排気し、この出発ロッド４
０を加熱して外周面上の吸着水を除去した。その後のス
ス体形成工程で、出発ロッド４０の外周面上にＳｉＯ2
およびＧｅＯ2 を含むスス体を真空中でプラズマ状態で
形成した。このときの寸法は、外径が８０ｍｍであり、
長さが４００ｍｍであった。続く脱水・焼結工程で、出
発ロッド４０の外周面上のスス体を脱水・焼結した。こ
のときの寸法は、外径が４０ｍｍであり、長さが３８０
ｍｍであり、高屈折率部分の径が１６ｍｍであった。さ
らに、周囲にＯＶＤ法またはＶＡＤ法でジャケット付け
して、これを光ファイバ母材とした。そして、この光フ
ァイバ母材を線引して、外径１２５μｍの光ファイバを
製造した。
が１．２ｗｔ％添加された外径１０ｍｍで長さ４００ｍ
ｍの石英ガラスロッドを出発ロッド４０として、これを
真空チャンバ１０内のダミーロッド４２ａ，４２ｂに接
続して真空チャンバ１０内を排気し、この出発ロッド４
０を加熱して外周面上の吸着水を除去した。その後のス
ス体形成工程で、出発ロッド４０の外周面上にＳｉＯ2
およびＧｅＯ2 を含むスス体を真空中でプラズマ状態で
形成した。このときの寸法は、外径が８０ｍｍであり、
長さが４００ｍｍであった。続く脱水・焼結工程で、出
発ロッド４０の外周面上のスス体を脱水・焼結した。こ
のときの寸法は、外径が４０ｍｍであり、長さが３８０
ｍｍであり、高屈折率部分の径が１６ｍｍであった。さ
らに、周囲にＯＶＤ法またはＶＡＤ法でジャケット付け
して、これを光ファイバ母材とした。そして、この光フ
ァイバ母材を線引して、外径１２５μｍの光ファイバを
製造した。
【００２１】図３は、上記実施例により製造された光フ
ァイバ母材を線引して得られた光ファイバの屈折率プロ
ファイル図である。
ァイバ母材を線引して得られた光ファイバの屈折率プロ
ファイル図である。
【００２２】この図に示す光ファイバは、リング型の屈
折率プロファイルを有するものであり、屈折率ｎ1 の第
１コア領域（外径２ａ）の周囲に屈折率ｎ2 の第２コア
領域（外径２ｂ）があり、更にその周囲に屈折率ｎ3 の
クラッド領域があり、各屈折率の大小関係がｎ1 ＜ｎ3
＜ｎ2 である。第１コア領域は、出発ロッドに相当する
領域であり、Ｆ元素が添加された石英からなる。第２コ
ア領域およびクラッド領域のうちの光学クラッド領域
（内径２ｂ、外径２ｃ）は、本実施形態に係る光ファイ
バ母材製造方法に依り出発ロッドの外周面に形成された
スス体部分に相当する領域であり、そのうち、第２コア
領域はＧｅＯ2 が添加されたＳｉＯ2 からなる。また、
クラッド領域のうちの物理クラッド領域（内径２ｃ）
は、ジャケット付けで形成された領域である。
折率プロファイルを有するものであり、屈折率ｎ1 の第
１コア領域（外径２ａ）の周囲に屈折率ｎ2 の第２コア
領域（外径２ｂ）があり、更にその周囲に屈折率ｎ3 の
クラッド領域があり、各屈折率の大小関係がｎ1 ＜ｎ3
＜ｎ2 である。第１コア領域は、出発ロッドに相当する
領域であり、Ｆ元素が添加された石英からなる。第２コ
ア領域およびクラッド領域のうちの光学クラッド領域
（内径２ｂ、外径２ｃ）は、本実施形態に係る光ファイ
バ母材製造方法に依り出発ロッドの外周面に形成された
スス体部分に相当する領域であり、そのうち、第２コア
領域はＧｅＯ2 が添加されたＳｉＯ2 からなる。また、
クラッド領域のうちの物理クラッド領域（内径２ｃ）
は、ジャケット付けで形成された領域である。
【００２３】なお、代表的な数値例として、２ａは５μ
ｍ程度であり、２ｂは８μｍ程度であり、２ｃは３５μ
ｍ程度である。また、クラッド領域の屈折率ｎ3 を基準
として、第１コア領域の比屈折率差Δｎ- は−０．４％
であり、第２コア領域の比屈折率差Δｎ+ は１．２％で
ある。
ｍ程度であり、２ｂは８μｍ程度であり、２ｃは３５μ
ｍ程度である。また、クラッド領域の屈折率ｎ3 を基準
として、第１コア領域の比屈折率差Δｎ- は−０．４％
であり、第２コア領域の比屈折率差Δｎ+ は１．２％で
ある。
【００２４】また、この光ファイバの諸特性を評価した
ところ以下のとおりであった。波長１．５５μｍにおけ
る伝送損失は０．２１ｄＢ／ｋｍであり、零分散波長は
１５８０ｎｍであり、波長分散スロープは０．０８ｐｓ
／ｎｍ2 ／ｋｍであり、波長１．５５μｍにおけるモー
ドフィールド径は７．５μｍであり、偏波分散は０．０
７ｐｓ／ｋｍ1/2 であり、径２０ｍｍにおける曲げ損失
は０．０２ｄＢ／ｍであった。また、ＯＨ基に起因する
伝送損失は１ｄＢ／ｋｍ以下であり、このことからＯＨ
基の混入率は極めて小さいことが判る。
ところ以下のとおりであった。波長１．５５μｍにおけ
る伝送損失は０．２１ｄＢ／ｋｍであり、零分散波長は
１５８０ｎｍであり、波長分散スロープは０．０８ｐｓ
／ｎｍ2 ／ｋｍであり、波長１．５５μｍにおけるモー
ドフィールド径は７．５μｍであり、偏波分散は０．０
７ｐｓ／ｋｍ1/2 であり、径２０ｍｍにおける曲げ損失
は０．０２ｄＢ／ｍであった。また、ＯＨ基に起因する
伝送損失は１ｄＢ／ｋｍ以下であり、このことからＯＨ
基の混入率は極めて小さいことが判る。
【００２５】本発明は、上記実施形態に限定されるもの
ではなく種々の変形が可能である。上述したスス体形成
工程および脱水焼結工程を繰り返して行うことにより、
高屈折率領域と低屈折率領域とが複数回繰り返されるよ
うな光ファイバ母材を製造することができ、例えば、２
重リング型や３重リング型の屈折率プロファイルを実現
することができる。
ではなく種々の変形が可能である。上述したスス体形成
工程および脱水焼結工程を繰り返して行うことにより、
高屈折率領域と低屈折率領域とが複数回繰り返されるよ
うな光ファイバ母材を製造することができ、例えば、２
重リング型や３重リング型の屈折率プロファイルを実現
することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したとおり、本発明に
よれば、スス体形成工程において、ＳｉＯ2 およびＧｅ
Ｏ2 を含むスス体が真空中でプラズマ状態で出発ロッド
の外周面上に形成され、脱水焼結工程において、そのス
ス体が脱水され焼結される。このようにすることによ
り、従来のＭＣＶＤ法より高い生産性で容易に光ファイ
バ母材を製造することができ、また、従来の加水分解反
応を用いたＶＡＤ法やＯＶＤ法に比べてもＯＨ基の混入
率が極めて小さい。
よれば、スス体形成工程において、ＳｉＯ2 およびＧｅ
Ｏ2 を含むスス体が真空中でプラズマ状態で出発ロッド
の外周面上に形成され、脱水焼結工程において、そのス
ス体が脱水され焼結される。このようにすることによ
り、従来のＭＣＶＤ法より高い生産性で容易に光ファイ
バ母材を製造することができ、また、従来の加水分解反
応を用いたＶＡＤ法やＯＶＤ法に比べてもＯＨ基の混入
率が極めて小さい。
【００２７】また、出発ロッドが純粋石英ガラスまたは
Ｆ元素が０．１ｗｔ％以上２ｗｔ％以下添加された石英
ガラスである場合には、低屈折率の出発ロッド部分の周
囲に高屈折率の領域が形成されるので、リング型屈折率
プロファイル等を有する光ファイバすなわち分散シフト
光ファイバを製造するのに好適な光ファイバ母材が得ら
れる。
Ｆ元素が０．１ｗｔ％以上２ｗｔ％以下添加された石英
ガラスである場合には、低屈折率の出発ロッド部分の周
囲に高屈折率の領域が形成されるので、リング型屈折率
プロファイル等を有する光ファイバすなわち分散シフト
光ファイバを製造するのに好適な光ファイバ母材が得ら
れる。
【００２８】また、スス体形成工程の前に少なくとも塩
素を含むガス中で出発ロッドを３００℃以上に加熱する
加熱工程を更に備える場合には、出発ロッドの外周面の
吸着水が除去されるので、ＯＨ基の混入率が更に小さく
なる。
素を含むガス中で出発ロッドを３００℃以上に加熱する
加熱工程を更に備える場合には、出発ロッドの外周面の
吸着水が除去されるので、ＯＨ基の混入率が更に小さく
なる。
【図１】光ファイバ母材製造装置の構成図である。
【図２】本実施形態に係る光ファイバ母材製造方法を説
明するフローチャート図である。
明するフローチャート図である。
【図３】本実施形態に係る光ファイバ母材製造方法によ
り製造された光ファイバ母材を線引して得られた光ファ
イバの屈折率プロファイル図である。
り製造された光ファイバ母材を線引して得られた光ファ
イバの屈折率プロファイル図である。
１０…真空チャンバ、１２…バーナ、１４…高周波コイ
ル、１６…高周波電源、１８…導入管、２０ａ，２０
ｂ，２０ｃ…排気フード、２２…排気管、２４…真空ポ
ンプ、２６…真空計、２８ａ，２８ｂ…摺動部、３０
ａ，３０ｂ…回転チャック、４０…出発ロッド、４２
ａ，４２ｂ…ダミーロッド。
ル、１６…高周波電源、１８…導入管、２０ａ，２０
ｂ，２０ｃ…排気フード、２２…排気管、２４…真空ポ
ンプ、２６…真空計、２８ａ，２８ｂ…摺動部、３０
ａ，３０ｂ…回転チャック、４０…出発ロッド、４２
ａ，４２ｂ…ダミーロッド。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＳｉＯ2 およびＧｅＯ2 を含むスス体を
真空中でプラズマ状態で出発ロッドの外周面上に形成す
るスス体形成工程と、前記スス体を脱水し焼結する脱水
焼結工程と、を備えることを特徴とする光ファイバ母材
製造方法。 - 【請求項２】 前記出発ロッドは、純粋石英ガラスまた
はＦ元素が０．１ｗｔ％以上２ｗｔ％以下添加された石
英ガラスであることを特徴とする請求項１記載の光ファ
イバ母材製造方法。 - 【請求項３】 前記スス体形成工程の前に少なくとも塩
素を含むガス中で前記出発ロッドを３００℃以上に加熱
する加熱工程を更に備えることを特徴とする請求項１記
載の光ファイバ母材製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35535697A JPH11180725A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 光ファイバ母材製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35535697A JPH11180725A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 光ファイバ母材製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11180725A true JPH11180725A (ja) | 1999-07-06 |
Family
ID=18443464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35535697A Pending JPH11180725A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 光ファイバ母材製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11180725A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002102729A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Device and method for producing stack of fine glass particles |
| JP2007045643A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
| WO2013073354A1 (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバおよび光伝送システム |
| CN103443673B (zh) * | 2011-11-14 | 2016-11-30 | 住友电气工业株式会社 | 光纤和光传输系统 |
-
1997
- 1997-12-24 JP JP35535697A patent/JPH11180725A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002102729A1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Device and method for producing stack of fine glass particles |
| JP2007045643A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
| WO2013073354A1 (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバおよび光伝送システム |
| CN103443673A (zh) * | 2011-11-14 | 2013-12-11 | 住友电气工业株式会社 | 光纤和光传输系统 |
| US8989545B2 (en) | 2011-11-14 | 2015-03-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber and optical transmission system |
| US9128236B2 (en) | 2011-11-14 | 2015-09-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber |
| CN103443673B (zh) * | 2011-11-14 | 2016-11-30 | 住友电气工业株式会社 | 光纤和光传输系统 |
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